CN116546698A - 光源装置、发光装置以及测量装置 - Google Patents

光源装置、发光装置以及测量装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116546698A
CN116546698A CN202310006262.8A CN202310006262A CN116546698A CN 116546698 A CN116546698 A CN 116546698A CN 202310006262 A CN202310006262 A CN 202310006262A CN 116546698 A CN116546698 A CN 116546698A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
shift
light emitting
time
thyristor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310006262.8A
Other languages
English (en)
Inventor
大野诚治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp, Fujifilm Business Innovation Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN116546698A publication Critical patent/CN116546698A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S17/894—3D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/4802—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00 using analysis of echo signal for target characterisation; Target signature; Target cross-section
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483—Details of pulse systems
    • G01S7/484—Transmitters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供一种光源装置、发光装置以及测量装置。光源装置包括：发光部，包括多个发光元件；移位部，进行移位动作；以及控制部，使所述移位部进行移位动作，以设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，使所述移位部转变为断开状态，对供给使所述发光元件发光的发光电流的电源的电压施加侧进行导通/断开而使所述发光元件多次发光。

Description

光源装置、发光装置以及测量装置
技术领域
本公开涉及一种光源装置、发光装置以及测量装置。
背景技术
日本专利特开2012-76407号公报中记载了一种发光装置，包括：多个发光芯片，分别包括基板、发光部以及多个传输元件，所述发光部包括呈列状地设在所述基板上的多个发光元件，所述多个传输元件是在所述基板上对应于所述多个发光元件的各个发光元件而设，依序成为导通状态而将对应的发光元件指定为点亮或非点亮的控制对象；以及传输信号供给部件，对所述多个发光芯片发送传输信号，以使所述多个发光芯片的各个发光芯片的所述多个传输元件依序传播导通状态，并且相对于使所述多个传输元件中的任一传输元件从断开状态转变为导通状态的期间内的流至所述传输部的电流，将在所述期间后直至使接下来要设为导通状态的传输元件从断开状态转变为导通状态为止的期间内流动的电流的绝对值设定为小。
发明内容
有一种发光装置，其包括具有多个发光元件的发光部、以及通过移位动作来设定要进行发光的发光元件的移位部，使所设定的发光元件发光。所述发光装置中，移位部中也会产生消耗电力。
本公开提供一种与将移位部维持为导通状态的情况相比降低了消耗电力的光源装置等。
根据本公开的第一方案，提供一种光源装置，包括：发光部，包括多个发光元件；移位部，进行移位动作；以及控制部，使所述移位部进行移位动作，以设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，使所述移位部转变为断开状态，对供给使所述发光元件发光的发光电流的电源的电压施加侧进行导通/断开而使所述发光元件多次发光。
根据本公开的第二方案，提供一种光源装置，包括：发光部，包括多个发光元件；移位部，具有按照预先决定的顺序来传输导通状态的多个移位元件；以及控制部，通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，使所述移位部在所有的多个移位元件的移位完成之前转变为断开状态。
根据本公开的第三方案，在所述第一方案的所述光源装置中，在将从移位的开始直至结束为止设为一循环时，所述移位部在一循环中设定一个发光元件。
根据本公开的第四方案，在所述第三方案的所述光源装置中，所述控制部通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在停止所述发光元件的发光之前，使所述移位部转变为断开状态。
根据本公开的第五方案，提供一种光源装置，包括：发光部，包括多个发光元件；移位部，进行移位动作；以及控制部，通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在所述设定的发光元件停止发光之前，使所述移位部转变为断开状态。
根据本公开的第六方案，在所述第五方案的所述光源装置中，所述控制部在欲对所述发光元件停止发光电流的供给的期间，再次使移位部导通而使其设定接下来要进行发光的发光元件。
根据本公开的第七方案，在所述第一方案的所述光源装置中，所述控制部将供给至所述移位部的移位信号设定为接地电位，由此来使所述移位部转变为断开状态。
根据本公开的第八方案，在所述第一方案的所述光源装置中，所述控制部在停止了发光电流向所述发光元件的供给后的、能够再次发光的期间内，再次供给发光电流而使其发光。
根据本公开的第九方案，在所述第八方案的所述光源装置中，所述控制部在所述发光元件的发光与发光之间，供给再次设定所述发光元件能够再次发光的期间的、比所述发光电流小的电流的脉冲。
根据本公开的第十方案，提供一种发光装置，包括：发光部，包括多个发光元件；以及移位部，进行移位动作，设定所述发光部中要进行发光的发光元件，将所述发光元件设定为能够发光的状态的所述发光元件的栅极经由电阻连接于移位部的电源线，所述电阻被设定为如下所述的值，即，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在所述设定的发光元件停止发光之前，经由所述电阻而变化的所述栅极的电压在预先规定的能够再次发光的期间内能够进行再次发光。
根据本公开的第十一方案，在所述发光装置中，所述能够再次发光的期间被设定为另行预先规定的不能再次发光的期间以下。
根据本公开的第十二方案，在所述发光装置中，所述移位部包含闸流管。
根据本公开的第十三方案，所述发光装置具有基板，在所述基板上，作为所述发光部的所述发光元件，由闸流管与面发光元件依序层叠而设，且在所述基板上设有所述移位部的闸流管。
根据本公开的第十四方案，在所述发光装置中，所述面发光元件为垂直腔面发射激光器。
根据本公开的第十五方案，一种测量装置，包括：所述的各光源装置；以及受光部，接收从所述光源装置的所述发光部出射的光由被测量物予以反射的光。
(效果)
根据所述第一方案、第二方案、第五方案的各方案，与将移位部维持为导通状态的情况相比，能够降低消耗电力。
根据所述第三方案，与并非在一循环中设定一个发光元件的情况相比，发光元件的设定所需的时间变短。
根据所述第四方案，容易将发光元件设定为能够再次发光的状态。
根据所述第六方案，设定发光元件的时间变短。
根据所述第七方案，容易将移位部设为断开状态。
根据所述第八方案，能够将移位部设为断开状态而反复发光。
根据所述第九方案，既能抑制发光，又能使可发光的期间变长。
根据所述第十方案，与将移位部维持为导通状态的情况相比，能够降低消耗电力。
根据所述第十一方案，与超过不能再次发光的期间的情况相比，能够切实地进行再次发光。
根据所述第十二方案，与并非闸流管的情况相比，容易进行移位部的导通状态的传输。
根据所述第十三方案，能够将基板设定为接地电位。
根据所述第十四方案，与并非垂直腔面发射激光器的情况相比，能够使发光强度变大。
根据所述第十五方案，提供一种能够测量三维形状的测量装置。
附图说明
图1是说明适用第一实施方式的光源装置的图。
图2中的(a)、图2中的(b)是通过移位闸流管、耦合晶体管、发光控制闸流管以及垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)来说明发光装置的动作的图。图2中的(a)是等效电路，图2中的(b)是移位闸流管T与耦合晶体管的部分的剖面图。
图3中的(a)、图3中的(b)是说明发光装置的布局以及剖面的图。图3中的(a)是布局，图3中的(b)是图3中的(a)的IIIB-IIIB线处的剖面。
图4是适用第一实施方式的、使光源装置运行的时间图。
图5是未适用第一实施方式的、使光源装置运行的时间图。
图6中的(a)、图6中的(b)是在发光控制闸流管与VCSEL的串联连接中表示发光控制闸流管中的n栅极的电压以及VCSEL的发光电流的模拟结果的图。图6中的(a)是所设定的时间图，图6中的(b)是发光控制闸流管的n栅极的电压以及VCSEL的发光电流。
图7是说明适用第二实施方式的光源装置的图。
图8中的(a)、图8中的(b)是说明保持脉冲的图。图8中的(a)是所设定的时间图，图8中的(b)是表示发光控制闸流管的n栅极的电压以及VCSEL的发光电流的模拟结果的图。
图9中的(a)、图9中的(b)是说明在光源装置1中适用第三实施方式的时间图的图。图9中的(a)是适用第三实施方式的时间图，图9中的(b)是为了进行比较所示的、适用第一实施方式的时间图。
图10是说明适用第四实施方式的光源装置的图。
图11是使适用第四实施方式的光源装置运行的时间图。
图12是说明测量装置的结构的框图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本公开的实施方式。
一般认为，在包括具有多个发光元件的发光部与通过移位动作来设定要进行发光的发光元件的移位部，且使所设定的发光元件发光的发光装置中，若不将移位部维持为导通状态，则发光元件当不发光。但是，若将移位部维持为导通状态，则有可能消耗不必要的电力。
[第一实施方式]
图1是说明适用第一实施方式的光源装置1的图。图1中，将纸面的右方向设为+x方向。闸流管以及晶体管以符号来表示，电阻以长方形来表示。其他情况也同样。
图1所示的光源装置1包括发光装置10与控制部50。
(发光装置10)
发光装置10在其中一侧(-x方向侧)包括GND端子、VGK端子、φ1端子、φ2端子以及Vdrv端子。另外，GND是指作为基准电压的接地电位(以下表述为接地电位GND，以下同样)，VGK表示电源电位(电源电位VGK)。
发光装置10包括发光部11与移位部12。
发光部11包括多个垂直腔面发射激光器VCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser)与发光控制闸流管S。以下，将垂直腔面发射激光器VCSEL表述为VCSEL。图1中，示出了六个VCSEL(VCSEL(1)～VCSEL(6))以及六个发光控制闸流管S(发光控制闸流管S(1)～发光控制闸流管S(6))。以下，在不需要区分VCSEL(1)至VCSEL(6)的情况下，也有时总称为VCSEL，而且，在不需要区分发光控制闸流管S(1)至发光控制闸流管S(6)的情况下，也有时总称为发光控制闸流管S。并且，VCSEL的阴极与发光控制闸流管S的阳极相连接。即，相同编号的VCSEL与发光控制闸流管S串联连接。并且，六个VCSEL以及六个发光控制闸流管S从其中一侧(-x方向侧)朝向另一侧(+x方向侧)排列。串联连接的VCSEL及发光控制闸流管S为发光元件的一例。另外，VCSEL为面发光元件的一例。发光元件也可为发光二极管(LightEmitting Diode，LED)或发光的闸流管(发光闸流管)等，但通过设为VCSEL，从而光量大。
移位部12包括多个移位闸流管T、耦合晶体管Q、电源线电阻Rg、电源线电阻RL以及耦合电阻Rc。示出了六个移位闸流管T(移位闸流管T(1)～移位闸流管T(6))以及六个耦合晶体管Q(耦合晶体管Q(1)～耦合晶体管Q(6))。以下，在不需要区分移位闸流管T(1)至移位闸流管T(6)的情况下，也有时总称为移位闸流管T，而且，在不需要区分耦合晶体管Q(1)至耦合晶体管Q(6)的情况下，也有时总称为耦合晶体管Q。另外，包括六个电源线电阻Rg、六个电源线电阻RL与六个耦合电阻Rc，但未对它们标注编号。由一个移位闸流管T、耦合晶体管Q、电源线电阻Rg、电源线电阻RL以及耦合电阻Rc构成移位单元12a。六个移位单元12a从其中一侧(-x方向侧)朝向另一侧(+x方向侧)排列。移位部12在其中一侧(-x方向侧)的端部包括电源线电阻Rg与启动电阻RS。进而，发光装置10包括电流限制电阻R1、电流限制电阻R2。移位闸流管T为移位元件的一例。
移位单元12a中，移位闸流管T与耦合晶体管Q相连接。移位单元12a中的耦合晶体管Q连接于发光部11的发光控制闸流管S。即，移位闸流管T(1)～移位闸流管T(6)与耦合晶体管Q(1)～耦合晶体管Q(6)以相同的编号彼此连接，耦合晶体管Q(1)～耦合晶体管Q(6)与发光控制闸流管S(1)～发光控制闸流管S(6)以相同的编号彼此连接。图1中，示出了六个移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL，但它们也可为其他的个数。另外，也可在一个耦合晶体管Q连接有多个串联连接的发光控制闸流管S与VCSEL。而且，也可在一个发光控制闸流管S并联连接有多个VCSEL。
发光装置10中，VGK端子连接于电源线71，φ1端子连接于移位信号线72-1，φ2端子连接于移位信号线72-2，GND端子连接于接地线73-1、接地线73-2，Vdrv端子连接于发光电位线74。另外，在不分别区分移位信号线72-1、移位信号线72-2的情况下，表述为移位信号线72，GND端子在不分别区分接地线73-1、接地线73-2的情况下，表述为接地线73。
控制部50包括电源VS1、电源VS2、缓冲器Buf1、缓冲器Buf2、驱动器Drv以及发光电流限制电阻RI。电源VS1对发光装置10的VGK端子供给电源电位VGK。而且，电源VS1为缓冲器Buf1、缓冲器Buf2的电源。电源VS2对发光装置10的Vdrv端子供给发光电流。缓冲器Buf1在移位信号p1为H电平时，将大致电源VS1的电压(电源电位VGK)供给至发光装置10的φ1端子，在移位信号p1为L电平时，将大致接地电位GND(＝0V)供给至发光装置10的φ1端子。缓冲器Buf2在移位信号p2为H电平时，将大致电源VS1的电压(电源电位VGK)供给至发光装置10的φ2端子，在移位信号p2为L电平时，将大致接地电位GND(＝0V)供给至发光装置10的φ2端子。驱动器Drv例如为PMOS晶体管，根据施加至栅极的发光信号pI来导通/断开。当驱动器Drv成为导通时，漏极端子的电压成为大致电源VS2的电压(以下表述为发光电源电位VS2)，从而经由发光电流限制电阻RI来对发光装置10的Vdrv端子供给发光电流。即，电源VS1为移位部12的电源，电源VS2为发光部11的电源。另外，驱动器Drv也可取代PMOS晶体管而使用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)等的其他元件。
通过图2中的(a)的放大图来说明发光装置10中的连接关系。有时将发光控制闸流管S表述为发光控制闸流管，将移位闸流管T表述为移位闸流管，将耦合晶体管Q表述为耦合晶体管。而且，有时不区分发光控制闸流管S与移位闸流管T而表述为闸流管。
(移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL的动作)
此处，对发光装置10的基本动作进行说明。
移位闸流管T以及发光控制闸流管S为npnp结构的闸流管。闸流管包括n型的阴极K(以下表述为阴极K，以下同样)、p型的栅极Gp(p栅极Gp)、n型的栅极Gn(n栅极Gn)以及p型的阳极A(阳极A)。另外，发光控制闸流管S不将p栅极Gp用于控制，因此不作表述。
耦合晶体管Q是多集电极的npn双极型晶体管。耦合晶体管Q包括n型的发射极E(发射极E)、p型的基极B(基极B)以及n型的集电极Cf、n型的集电极Cs(集电极Cf、集电极Cs)。
另外，所述符号是在移位闸流管T间、发光控制闸流管S间、耦合晶体管Q间不作区分而使用。关于构成后述的闸流管的双极型晶体管也同样，但是，如后所述，闸流管包含单集电极的npn双极型晶体管与pnp双极型晶体管的组合。因而，表述为发射极E、基极B、集电极C。以下，在图中未标注符号的情况下，也使用阳极A、阴极K、n栅极Gn、p栅极Gp、发射极E、基极B、集电极C的表述。
移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL例如包含GaAs等的III-V系的化合物半导体。此处，将所述化合物半导体的结的正向电压(扩散电位)Vd设为1.5V，将包含化合物半导体的双极型晶体管的饱和电压Vc设为0.3V。而且，将接地电位GND设为0V，将电源VS1的电压(电源电位VGK)以及电源VS2的电压(发光电源电位VS2)设为7V。移位信号p1、移位信号p2以及发光信号pI是设为L电平为0V(“L”(0V))且H电平为7V(“H”(7V))的信号。并且，设将PMOS晶体管作为驱动元件的驱动器Drv在发光信号pI为“H”(7V)时成为断开，为“L”(0V)时成为导通。
图2中的(a)、图2中的(b)是通过移位闸流管T(1)、耦合晶体管Q(1)、发光控制闸流管S(1)以及VCSEL(1)来说明发光装置10的动作的图。图2中的(a)是等效电路，图2中的(b)是移位闸流管T(1)与耦合晶体管Q(1)的部分的剖面图。图2中的(a)中，一并表示了移位闸流管T(2)。
如图2中的(a)所示，移位闸流管T(1)包含npn双极型晶体管Tr1(以下表述为npn晶体管Tr1)与pnp双极型晶体管Tr2(以下表述为pnp晶体管Tr2)的组合。npn晶体管Tr1的基极B连接于pnp晶体管Tr2的集电极C，npn晶体管Tr1的集电极C连接于pnp晶体管Tr2的基极B。npn晶体管Tr1的发射极E为移位闸流管T(1)的阴极K，npn晶体管Tr1的集电极C(pnp晶体管Tr2的基极B)为移位闸流管T(1)的n栅极Gn，pnp晶体管Tr2的集电极C(npn晶体管Tr1的基极B)为移位闸流管T(1)的p栅极Gp，pnp晶体管Tr2的发射极E为移位闸流管T(1)的阳极A。
移位闸流管T(1)的阴极K即npn晶体管Tr1的发射极E连接于接地线73-1，所述接地线73连接于被供给接地电位GND的GND端子。移位闸流管T(1)的阳极A即pnp晶体管Tr2的发射极E连接于移位信号线72-1，所述移位信号线72-1连接于φ1端子。n栅极Gn连接于串联连接的启动电阻Rs与电源线电阻Rg的连接点。启动电阻Rs的另一端(并非连接点的一端)连接于移位信号线72-2，所述移位信号线72-2连接于φ2端子。电源线电阻Rg的另一端(并非连接点的一端)连接于电源线71，所述电源线71连接于被供给电源电位VGK的VGK端子。对于φ1端子供给移位信号p1。对于φ2端子供给移位信号p2。
作为npn晶体管的耦合晶体管Q(1)的基极B连接于移位闸流管T(1)的p栅极Gp(npn晶体管Tr1的基极B以及pnp晶体管Tr2的集电极C)，发射极E连接于接地线73-1。集电极Cf经由串联连接的耦合电阻Rc与电源线电阻Rg而连接于被供给电源电位VGK的电源线71。耦合电阻Rc与电源线电阻Rg的连接点连接于移位闸流管T(2)的n栅极Gn。
移位闸流管T(1)中的npn晶体管Tr1与耦合晶体管Q(1)构成电流镜电路。即，与流经npn晶体管Tr1的电流成正比的电流流经耦合晶体管Q(1)。
耦合晶体管Q(1)的集电极Cs连接于发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn，并且经由电源线电阻RL而连接于电源线71，所述电源线71连接于被供给电源电位VGK的VGK端子。
如前所述，发光控制闸流管S(1)与VCSEL(1)串联连接。即，发光控制闸流管S(1)的阳极A与VCSEL(1)的阴极K相连接。发光控制闸流管S(1)的阴极K连接于接地线73-2。VCSEL(1)的阳极A连接于与Vdrv端子连接的发光电位线74。对于Vdrv端子，从电源VS2供给发光电流。即，对于发光控制闸流管S(1)与VCSEL(1)的串联连接，通过对Vdrv端子侧进行导通/断开而控制发光电流的供给。即，Vdrv端子侧为电压施加侧，此处为+侧。
移位闸流管T(2)的阳极A连接于与φ2端子连接的移位信号线72-2。如图1所示，奇数编号的移位闸流管T的阳极A连接于移位信号线72-1，偶数编号的移位闸流管T的阳极A连接于移位信号线72-2。除了移位闸流管T与移位信号线72-1、移位信号线72-2的连接关系以外，编号2以上的移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL的连接关系与移位闸流管T(1)、耦合晶体管(1)、发光控制闸流管S(1)以及VCSEL(1)同样。以下，有时表述为移位信号p1(φ1)、移位信号p2(φ2)。
首先，对移位闸流管T(1)的动作进行说明。
首先，设电源线71被设定为电源电位VGK(7V)，接地线73被设定为接地电位GND(0V)，移位信号p1(φ1)、移位信号p2(φ2)为“L”(0V)。此时，构成移位闸流管T(1)的npn晶体管Tr1、pnp晶体管Tr2处于断开状态。移位闸流管T(1)的n栅极Gn连接于串联连接的启动电阻Rs与电源线电阻Rg的连接点。并且，启动电阻Rs的另一端(并非连接点的一端)连接于“L”(0V)的移位信号线72-2，电源线电阻Rg的另一端(并非连接点的一端)连接于7V的电源线71。因而，n栅极Gn成为电压差(7V)经启动电阻Rs与电源线电阻Rg分压的电压。作为一例，若将启动电阻Rs与电源线电阻Rg的电阻比设为1：5，则n栅极Gn成为1.17V。另外，发光信号pI为“H”(7V)，驱动器Drv断开。因而，未对发光电位线74供给发光电源电位VS2。将此状态表述为初始状态。
此处，当移位信号p1(φ1)从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)的pnp晶体管Tr2的发射极E(“H”(7V))与基极B(n栅极Gn)(1.17V)的电压差(5.83V)为正向电压Vd(1.5V)以上，发射极E-基极B间成为正向偏压，pnp晶体管Tr2从断开状态转变为导通状态。于是，pnp晶体管Tr2的集电极C(npn晶体管Tr1的基极B)成为从发射极E(“H”(7V))减去饱和电压Vc(0.3V)所得的6.7V。npn晶体管Tr1的发射极E(0V)与基极B(6.7V)的电压差(6.7V)成为正向电压Vd(1.5V)以上，发射极E-基极B间成为正向偏压，npn晶体管Tr1从断开状态转变为导通状态。移位闸流管T(1)中的npn晶体管Tr1与pnp晶体管Tr2成为导通状态，因此移位闸流管T(1)从断开状态转变为导通状态。将移位闸流管T从断开状态转变为导通状态的情况表述为接通。另外，将移位闸流管T从导通状态转变为断开状态的情况表述为关断。
在初始状态下，当移位信号p1(φ1)从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)接通而从断开状态转变为导通状态。因此，将当阳极A成为“H”(7V)时可接通的状态表述为可转变为导通状态的状态。其他情况也同样。
当移位闸流管T(1)接通时，在移位闸流管T(1)中，n栅极Gn成为饱和电压Vc的0.3V。而且，阳极A成为根据电流限制电阻R1以及因移位闸流管T(1)的内部电阻而定的电压。此处，设阳极A成为2.0V。即，当移位闸流管T(1)接通时，移位信号线72-1从7V转变为2.0V。于是，移位闸流管T(1)的p栅极Gp成为1.7V。
如以上所说明的那样，若n栅极Gn的电压成为比阳极A的电压低正向电压Vd(1.5V)以上的值，则移位闸流管T(1)接通。另外，当移位信号线72-1的电压(阳极A-阴极K间的电压)成为小于所述的2.0V时，移位闸流管T(1)关断。例如，当阳极A成为“L”(0V)时，阳极A-阴极K间的电压差成为0V，因此移位闸流管T(1)关断。另一方面，若移位信号线72-1的电压(阳极A-阴极K间的电压差)为2.0V以上，则移位闸流管T(1)的导通状态得以维持。因而，将2.0V表述为维持电压。另外，若即便施加有维持电压，仍无用于将移位闸流管T(1)维持为导通状态的电流流动，则移位闸流管T(1)的导通状态不会受到维持。将维持导通状态的电流表述为维持电流。
接下来，对耦合晶体管Q(1)的动作进行说明。
若移位闸流管T(1)为断开状态，则npn晶体管Tr1为断开状态。因而，耦合晶体管Q(1)也为断开状态。此时，在耦合晶体管Q(1)中，发射极E被设定为接地电位GND(0V)。集电极Cf经由串联连接的电源线电阻Rg与耦合电阻Rc而成为电源电位VGK(7V)。而且，集电极Cs经由电源线电阻RL而成为电源电位VGK(7V)。
当移位闸流管T(1)接通，即，当npn晶体管Tr1成为导通状态时，如上所述，移位闸流管T(1)的p栅极Gp成为1.7V。于是，由于耦合晶体管Q(1)的基极B连接于移位闸流管T(1)的p栅极Gp，因此发射极E-基极B间为正向电压Vd(1.5V)以上，即成为正向偏压，耦合晶体管Q(1)从断开状态转变为导通状态。于是，集电极Cf、集电极Cs成为饱和电压Vc(0.3V)。电源线电阻Rg与耦合电阻Rc的连接点(移位闸流管T(2)的n栅极Gn)成为电源线71的电压(7V)与集电极Cf的电压(0.3V)的电压差(6.7V)经电源线电阻Rg与耦合电阻Rc分压的电压。作为一例，若将电源线电阻Rg与耦合电阻Rc的电阻比设为5：1，则电源线电阻Rg与耦合电阻Rc的连接点(移位闸流管T(2)的n栅极Gn)成为1.42V。
移位闸流管T(2)的阳极A连接于被供给移位信号p2(φ2)的移位信号线72-2。若移位信号p2(φ2)为“L”(0V)，则移位闸流管T(2)不接通。当移位信号p2(φ2)从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)的阳极A成为“H”(7V)，n栅极Gn(1.42V)的电压差(5.58V)为正向电压Vd(1.5V)以上，即n栅极Gn-阳极A间成为正向偏压，移位闸流管T(2)接通。这样，存在多个元件且所述多个元件中的接通的元件相继转变的动作为移位动作。而且，本说明书的实施方式中，通过所述移位动作而被接通或关断的元件为移位元件。当使用移位闸流管来作为移位元件时，容易进行移位动作。
最后，对发光控制闸流管S(1)以及VCSEL(1)的动作进行说明。
耦合晶体管Q(1)的集电极Cs连接于发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn。因而，当耦合晶体管Q(1)的集电极Cs成为饱和电压Vc(0.3V)时，发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn成为0.3V。此时，发光控制闸流管S(1)的阳极A经由VCSEL(1)而连接于发光电位线74。由于发光信号pI为“H”(7V)，因此驱动器Drv断开。因而，不对发光电位线74施加发光电源电位VS2(7V)。
当发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，驱动器Drv从断开变为导通。于是，对发光电位线74施加发光电源电位VS2(7V)。发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn为0.3V，因此若发光电位线74的电压比n栅极Gn(0.3V)高2Vd＝3.0V以上，则发光控制闸流管S(1)的阳极A-n栅极Gn间成为正向偏压，发光控制闸流管S(1)接通。于是，电流流经串联连接的VCSEL(1)与发光控制闸流管S(1)之间而VCSEL(1)发光。当VCSEL(1)发光时，发光电位线74为约3V。另外，耦合晶体管Q(1)成为导通，发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn成为0.3V的状态是当驱动器Drv导通时VCSEL(1)便会发光的状态。将此状态表示为VCSEL(1)能够发光的状态。发光控制闸流管S是通过n栅极Gn的电位来控制VCSEL的发光，因此表述为发光控制闸流管。
即，电源线71被设定为电源电位VGK(7V)，接地线73被设定为接地电位GND(0V)，移位信号p1(φ1)、移位信号p2(φ2)为“L”(0V)，驱动器Drv断开且未对发光电位线74供给发光电源电位VS2(7V)的状态为初始状态。在初始状态下，移位闸流管T(1)成为可转变为导通状态的状态。
此处，当移位信号p1(φ1)(移位信号线72-1)从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)接通而从断开状态转变为导通状态。当移位闸流管T(1)接通时，耦合晶体管Q(1)从断开状态转变为导通状态。于是，发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn成为饱和电压Vc(0.3V)，VCSEL(1)成为可发光的状态。而且，当耦合晶体管Q(1)成为导通状态时，移位闸流管T(2)成为可转变为导通状态的状态。并且，当移位信号p2(φ2)(移位信号线72-2)从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)接通。另外，移位闸流管T(1)在移位信号p1(φ1)(移位信号线72-1)从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，阴极K与阳极A成为“L”(0V)而关断。其他移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL也同样地运行。
如图2中的(b)所示，发光装置10是由多个半导体层予以层叠而构成(参照后述的图3中的(a)、图3中的(b))。图2中的(b)中，表示为移位闸流管T(1)以及耦合晶体管Q(1)且层叠有n型半导体基板80、n型半导体层81、p型半导体层82、n型半导体层83以及p型半导体层84的部分。移位闸流管T(1)是将n型半导体层81设为阴极K，将p型半导体层82设为p栅极Gp，将n型半导体层83设为n栅极Gn，以及将p型半导体层84设为阳极A而构成。另一方面，耦合晶体管Q(1)是将n型半导体层81设为发射极E，将p型半导体层82设为基极B，将n型半导体层83设为集电极Cf、集电极Cs而构成。此处，移位闸流管T(1)的阴极K与耦合晶体管Q(1)的发射极E经由n型半导体层81而电连接。同样地，移位闸流管T(1)的p栅极Gp与耦合晶体管Q(1)的基极B经由p型半导体层82而电连接。并且，移位闸流管T(1)的n栅极Gn与耦合晶体管Q(1)的集电极Cf、集电极Cs均包含n型半导体层83，但经分离。其他的移位闸流管T、耦合晶体管Q也同样。
图3中的(a)、图3中的(b)是说明发光装置10的布局以及剖面的图。图3中的(a)是布局，图3中的(b)是图3中的(a)的IIIB-IIIB线处的剖面。图3中的(a)中，是以移位闸流管T(1)～移位闸流管T(4)、耦合晶体管Q(1)～耦合晶体管Q(4)、发光控制闸流管S(1)～发光控制闸流管S(4)以及VCSEL(1)～VCSEL(4)为中心而表示。图3中的(b)中，表示了VCSEL(1)、发光控制闸流管S(1)、移位闸流管T(1)、耦合晶体管Q(1)、与发光控制闸流管S(1)连接的电源线电阻RL的部分的剖面。
如图3中的(b)所示，发光装置10是在n型半导体基板80上层叠n型半导体层81、p型半导体层82、n型半导体层83、p型半导体层84、隧道结层85、n型半导体层86、活性层87以及p型半导体层88而构成。并且，移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S、VCSEL等的元件包含一部分半导体层通过蚀刻被去除而分离的多个岛部。另外，岛部有时被表述为台面(mesa)，有时将形成岛部(台面)的蚀刻表述为台面蚀刻。以下，以设有发光控制闸流管S(1)、VCSEL(1)的岛部301、设有移位闸流管T(1)、耦合晶体管Q(1)的岛部302等为中心来说明岛部(岛部301～岛部307)。
在岛部301，层叠地设有发光控制闸流管S(1)与VCSEL(1)。在岛部302，设有图2中的(b)所示的移位闸流管T(1)以及耦合晶体管Q(1)。在岛部303设有电源线电阻RL，在岛部304设有电源线电阻Rg以及耦合电阻Rc。在岛部305设有电源线电阻Rg以及启动电阻Rs。在岛部306设有电流限制电阻R1，在岛部307设有电流限制电阻R2。并且，在n型半导体基板80的背面设有背面电极79。
以下，参照图3中的(a)、图3中的(b)来说明布局以及剖面。
岛部301的周围通过蚀刻而去除了n型半导体层81、p型半导体层82、n型半导体层83、p型半导体层84、隧道结层85、n型半导体层86、活性层87、p型半导体层88。在半导体层88上，设有容易与p型半导体层形成欧姆接触的p欧姆电极321。在去除了p型半导体层88、活性层87、n型半导体层86、隧道结层85以及p型半导体层84而露出的n型半导体层83上，设有容易与n型半导体层形成欧姆接触的n欧姆电极331。发光控制闸流管S(1)将n型半导体层81设为阴极K，将p型半导体层82设为p栅极Gp(p栅极层)，将n型半导体层83设为n栅极Gn(n栅极层)，将p型半导体层84设为阳极A。n欧姆电极331是发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn。VCSEL(1)将n型半导体层86设为阴极K(参照图2中的(a))，将活性层87设为活性层，将p型半导体层88设为阳极A。
如图3中的(b)所示，在n型半导体基板80上，设有发光控制闸流管S(1)，在发光控制闸流管S(1)上，经由隧道结层85而设有VCSEL(1)。隧道结层85抑制发光控制闸流管S(1)的p型半导体层84与VCSEL(1)的n型半导体层86成为反向偏压而导致电流变得难以流动的现象。隧道结层85是高浓度地添加有n型杂质的n++层与高浓度地添加有p型杂质的p++层的结，即便为反向偏压，也能借助隧道效应而使电流流动。
岛部301除了设有n欧姆电极331的部分以外为圆柱状。p欧姆电极321是在为圆柱状的岛部301的p型半导体层88上呈圆环状设置。并且，通过蚀刻而露出的构成n型半导体层86的半导体层的一部分从圆柱状的外周部受到氧化，由此成为圆环状的、电流难以流动的电流阻止部β。另一方面，未被氧化的中央部成为电流容易流动的电流通过部α。并且，光从圆环状的p欧姆电极321的中央部出射。另外，电流阻止部β是通过下述方式而构成，即，在n型半导体层86上设置AlAs层或Al浓度高的AlGaAs层，并从露出的外周部使其氧化而使Al氧化。VCSEL(1)的周边部因蚀刻引起的缺陷多，容易引起非发光复合。因而，通过设置电流阻止部β，被非发光复合消耗的电力得到抑制。通过设置电流阻止部β，实现低功耗化以及光导出效率的提高。另外，所谓光导出效率，是指每单位电力能够导出的光量。
岛部302通过蚀刻而去除了p型半导体层88、活性层87、n型半导体层86以及隧道结层85。并且，岛部302的周围通过蚀刻而去除了p型半导体层84、n型半导体层83、p型半导体层82、n型半导体层81。在p型半导体层84上设有p欧姆电极322。p欧姆电极322是与移位闸流管T(1)的阳极A连接的电极(阳极A电极)，且连接于被供给移位信号p1(φ1)的移位信号线72-1。在去除了p型半导体层84而露出的n型半导体层83上设有n欧姆电极332、n欧姆电极333、n欧姆电极334。n欧姆电极332、n欧姆电极334是与耦合晶体管Q(1)的集电极Cs、集电极Cf连接的电极(集电极Cs电极、集电极Cf电极)。另外，p欧姆电极322与n欧姆电极332、n欧姆电极334之间的n型半导体层83被去除(参照图2中的(b))。n欧姆电极333是与移位闸流管T(1)的n栅极Gn连接的电极(n栅极Gn电极)。
岛部303与岛部302同样地，通过蚀刻而去除了p型半导体层88、活性层87、n型半导体层86以及隧道结层85。并且，岛部303的周围通过蚀刻而去除了n型半导体层83、p型半导体层82、n型半导体层81。进而，去除了p型半导体层84。在露出的n型半导体层83上，设有n欧姆电极335、n欧姆电极336。n欧姆电极335、n欧姆电极336间的n型半导体层83为电源线电阻RL。
岛部304是与岛部303同样地构成。在去除了p型半导体层84而露出的n型半导体层83上，设有三个n欧姆电极337、338、339。并且，n欧姆电极337、n欧姆电极338间的n型半导体层83为耦合电阻Rc，n欧姆电极338、n欧姆电极339间的n型半导体层83为电源线电阻Rg。
岛部305是与岛部304同样地构成，设有启动电阻Rs与电源线电阻Rg。岛部306、岛部307是与岛部303同样地构成，设有电流限制电阻R1、电流限制电阻R2。
接下来说明连接关系。另外，以直线表示了被用于连接的配线(电源线71、移位信号线72-1、移位信号线72-2、发光电位线74等)。
岛部301的VCSEL(1)的阳极A电极即p欧姆电极321连接于供给发光电流的发光电位线74。岛部301的发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn电极即n欧姆电极331连接于岛部302的耦合晶体管Q(1)的集电极Cs电极即n欧姆电极332。n欧姆电极332连接于设于岛部303的电源线电阻RL的其中一个n欧姆电极335。岛部303的另一个n欧姆电极336连接于被供给电源电位VGK的电源线71。
岛部302的移位闸流管T(1)的阳极A电极即p欧姆电极322连接于移位信号线72-1。移位信号线72-1经由设于岛部306的电流限制电阻R1而连接于被供给移位信号p1的φ1端子。岛部302的移位闸流管T(1)的n栅极Gn电极即n欧姆电极333连接于被设于岛部305的电源线电阻Rg与启动电阻Rs的连接点即n欧姆电极(无符号)。岛部302的耦合晶体管Q(1)的集电极Cf电极即n欧姆电极334连接于岛部304的耦合电阻Rc的其中一个n欧姆电极337。
岛部304的耦合电阻Rc的另一个n欧姆电极338连接于移位闸流管T(2)的n栅极Gn电极即n欧姆电极(无符号)。岛部304的电源线电阻Rg的另一个电极即n欧姆电极339连接于电源线71。
岛部305的启动电阻Rs的其中一个n欧姆电极(无符号)连接于移位信号线72-2。岛部305的电源线电阻Rg的另一个n欧姆电极(无符号)连接于电源线71。移位信号线72-2经由被设于岛部307的电流限制电阻R2而连接于被供给移位信号p2(φ2)的φ2端子。
另外，移位信号线72-1连接于奇数编号的移位闸流管T的阳极A电极即p欧姆电极，移位信号线72-2连接于偶数编号的移位闸流管T的阳极A电极即p欧姆电极。并且，设在n型半导体基板80背面的背面电极79被设定为接地电位GND。
其他的移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL也是与移位闸流管T(1)、耦合晶体管Q(1)、发光控制闸流管S(1)以及VCSEL(1)同样地构成。
如以上所说明的那样，发光装置10被设于包含一个半导体的半导体基板80。
图4是适用第一实施方式的、使光源装置1运行的时间图。设横轴为时间，且按照时刻a～时刻r的字母顺序经过。图4中，表示了移位信号p1、移位信号p2以及发光信号pI相对于时间的变化，且记述了成为导通状态的移位闸流管T、发光控制闸流管S以及VCSEL的编号。另外，将VCSEL以及发光控制闸流管S表述为VCSEL/S。
此处，设在图1所示的发光装置10中，使VCSEL(1)与VCSEL(6)发光。另外，在从初始状态使VCSEL(1)发光后，使发光装置10恢复为初始状态后，使VCSEL(6)发光。另外，使VCSEL(1)以及VCSEL(6)间歇地多次(图4中为五次)发光。另外，将间歇的发光表述为发光脉冲。由此，任意选择VCSEL来使其发光。换言之，使VCSEL随机发光。
如图2中的(a)、图2中的(b)中所说明的那样，VCSEL(1)通过将移位闸流管T(1)设为导通状态而使其发光。VCSEL(6)通过将移位闸流管T(6)设为导通状态而使其发光。移位闸流管T通过成为导通状态来设定要进行发光的VCSEL。
参照图1来说明图4的时间图。
时刻a之前为初始状态。所谓初始状态，是指电源线71被设定为电源电位VGK(7V)，接地线73被设定为接地电位GND(0V)，移位信号p1(φ1)、移位信号p2(φ2)为“L”(0V)，发光信号pI为“H”(7V)，而驱动器Drv为断开的状态。因而，发光电位线74未被施加有发光电源电位VS2。此时，移位闸流管T(1)成为可转变为导通状态的状态。
在时刻a，当使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)接通。于是，VCSEL(1)成为可发光的状态。
在时刻b，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)。驱动器Drv从断开变为导通，VCSEL(1)发光。
在时刻c，当使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(1)关断而从导通状态转变为断开状态。
而且，在时刻c，当使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，VCSEL(1)停止发光(熄灭)。
随后，在从时刻c直至时刻d为止的期间，使发光信号pI从“H”(7V)向“L”(0V)并从“L”(0V)向“H”(7V)变化四次，由此来使VCSEL(1)发光四次。
在从时刻c直至时刻d为止的期间，移位信号p1(φ1)为“L”(0V)，移位闸流管T(1)为断开状态而无电流流动。其他的移位闸流管T也同样。因而，抑制在移位部12(参照图1)中消耗电力的现象。
在时刻d，成为初始状态。此时，移位闸流管T(1)再次成为可转变为导通状态的状态。
在时刻e，当使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，与时刻a同样地，移位闸流管T(1)接通。
在时刻f，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)接通。
在时刻g，当使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(1)关断。
以下依序在时刻h使移位闸流管T(3)接通，在时刻i使移位闸流管T(2)关断。进而，在时刻j使移位闸流管T(4)接通，在时刻k使移位闸流管T(3)关断。在时刻l使移位闸流管T(5)接通，在时刻m使移位闸流管T(4)关断。在时刻n使移位闸流管T(6)接通，在时刻o使移位闸流管T(5)关断。此时，VCSEL(6)成为可发光的状态。
在时刻p，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)。驱动器Drv从断开变为导通，与时刻b同样地，VCSEL(6)发光。
在时刻q，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(6)关断。
而且，在时刻q，当使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，VCSEL(6)停止发光(熄灭)。
随后，在从时刻q直至时刻r为止的期间，使发光信号pI从“H”(7V)向“L”(0V)并从“L”(0V)向“H”(7V)变化四次，由此来使VCSEL(1)发光四次。
在从时刻q直至时刻r为止的期间，移位信号p2(φ1)为“L”(0V)，移位闸流管T(6)为断开状态而无电流流动。其他的移位闸流管T也同样。因而，抑制在移位部12(参照图1)中消耗电力的现象。
移位部12将邻接的两个移位闸流管T中的、位于移位的上游侧的移位闸流管T设为导通状态后，将位于移位的下游侧的移位闸流管T设为导通状态，随后，将位于移位的上游侧的移位闸流管T设为断开状态。这样，在移位部12中，通过基于设有邻接的两个移位闸流管T同时成为导通状态的期间(例如，从时刻f直至时刻g为止的期间)的、相位偏离了180度的移位信号(移位信号p1以及移位信号p2)的移位动作，来使移位闸流管T的导通状态进行移位。通过使移位部12包含移位闸流管T，从而导通状态的移位变得容易。
在时刻c将移位信号p1设为“L”(0V)，在时刻q将移位信号p2设为“L”(0V)，由此移位部12切实地成为断开状态。即，通过将移位信号p1、移位信号p2设定为接地电位，从而容易将移位部12设为断开状态。
从时刻a直至时刻d为止的期间是使VCSEL(1)发光的循环。而且，从时刻e直至时刻r为止的期间是使VCSEL(6)发光的循环。此处，在一循环中使一个VCSEL发光。在使VCSEL(1)发光的循环(从时刻a直至时刻d为止的期间)结束后，立即开始使VCSEL(6)发光的循环。即，若像这样在移位部12中的所有移位闸流管T的移位完成之前，将移位部12设为断开状态，则要进行发光的VCSEL的设定所需的时间变短。另外，图4中，在使VCSEL(1)发光的循环中将移位闸流管T(1)设为断开状态。但是，将移位闸流管T(1)设为断开状态的时机只要是在所有移位闸流管T的移位，具体而言，直至移位闸流管T(6)为止的移位完成之前即可。例如，虽未图示，但只要能够哪怕少许降低使VCSEL(1)发光后的时刻d与开始使VCSEL(6)发光的循环的时刻e之间的使移位闸流管T移位所需的时间和电力即可，也可在移位闸流管T(2)以及移位闸流管T(3)接通后将移位部12设为断开状态。但此时，根据供给发光信号pI的时机，会产生发光控制闸流管S(3)的n栅极Gn的电压比发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn的电压低的情况。于是会导致VCSEL(3)/发光控制闸流管S(3)导通。因而，VCSEL(1)一发光便将移位部12(此处为移位闸流管T(1))设为断开状态为佳。
图5是未适用第一实施方式的、使光源装置1运行的时间图。另外，将此时间图表述为以往例。发光装置10相同，图5的横轴与图4同样。
图5所示的以往例中，在间歇地反复VCSEL(1)的发光的、从时刻c直至时刻d为止的期间，将移位闸流管T(1)维持为导通状态。同样地，在VCSEL(6)间歇地反复发光的、从时刻q直至时刻r为止的期间，将移位闸流管T(6)设为导通状态。在这些期间内，维持导通状态的电流持续流至移位闸流管T(1)或移位闸流管T(6)。因而，以往例与图4所示的适用第一实施方式的时间图所示的光源装置1的动作相比，电力的消耗多。
如图4、图5所示，在发光脉冲的占空小例如为数％的情况下，如图5所示，若在从时刻c直至时刻d为止的期间以及从时刻q直至时刻r为止的期间将移位部12设为导通状态，则移位部12的消耗电力相对于发光部11的消耗电力的比例将相对地变大。因此，图4中，在从时刻c直至时刻d为止的期间以及从时刻q直至时刻r为止的期间，将移位部12设为断开状态，从而降低了移位部12中的消耗电力。
接下来说明下述情况，即，在将移位闸流管T设为断开状态的期间(例如，图4中的从时刻c直至时刻d为止的期间)内，使VCSEL间歇地发光。
图6中的(a)、图6中的(b)是在发光控制闸流管S(1)与VCSEL(1)的串联连接中，表示发光控制闸流管S(1)中的n栅极Gn的电压以及VCSEL(1)的发光电流的模拟结果的图。图6中的(a)是所设定的时间图，图6中的(b)是发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn的电压以及VCSEL(1)的发光电流。图6中的(a)是图4所示的时间图的从时刻a开始的一部分。另外，在从时刻c直至时刻d(参照图4)为止的期间内，按照字母顺序追加了时刻s至时刻y。图6中的(b)中，横轴为时间(ns)，左纵轴为发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn的电压(V)。而且，右纵轴为VCSEL(1)的发光电流(mA)。
对图6中的(a)的所设定的时间图进行说明。
在时刻a，使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)，而使移位闸流管T(1)接通。在时刻b，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(1)发光。将此时刻设为图6中的(b)的时间轴上的100ns。并且，在从时刻b经过了10ns的时刻c，使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)，而使移位闸流管T(1)关断。在从时刻c经过了10ns的时刻s，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(1)熄灭。在从时刻s休止了100ns的时刻t，再次使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(1)再次发光。随后，反复时刻b至时刻t的发光信号pI。即，VCSEL(1)从100ns的时刻b开始发光20ns的期间而熄灭，在休止了100ns后再次发光20ns。并且，以相同的时间间隔再次反复发光。从时刻b起的发光为第一次发光，从时刻t起的发光为第二次发光，从时刻v起的发光为第三次发光，从时刻x起的发光为第四次发光。
图6中的(b)是将图1的发光电流限制电阻RI设为100Ω，将电源VS1的电源电位VGK、电源VS2的发光电源电位VS2均设为7V而进行模拟的结果。并且，将电源线电阻RL设为50kΩ、100kΩ、150kΩ、200kΩ、250kΩ以及300kΩ。
在所述值的所有电源线电阻RL时，观察到了从时刻b起的第一次发光。但是，在电源线电阻RL为50kΩ时，未观察到从时刻t起的第二次发光。另一方面，在电源线电阻RL为100kΩ、150kΩ、200kΩ、250kΩ以及300kΩ时，观察到了从时刻t起的第二次发光。
如图6中的(b)所示，当VCSEL(1)发光时，发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn为大致0V。但是，当VCSEL(1)熄灭时，电流不再流至串联连接的发光控制闸流管S(1)与VCSEL(1)。n栅极Gn经由电源线电阻RL而连接于被供给电源电位VGK的电源线71。因而，n栅极Gn的电压朝向电源电位VGK(7V)逐渐上升。
在VCSEL(1)再次发光的时机(例如时刻t、时刻v、时刻x)，若n栅极Gn的电压与发光电源电位VS2的电压差为发光控制闸流管S(1)的阳极A-n栅极Gn间的pn结和VCSEL(1)的pn结均为正向偏压的电压以上即2×正向电压Vd(3V)以上，则VCSEL(1)再次发光。在发光电源电位VS2为7V的情况下，若n栅极Gn的电压为4V以下，则能够再次发光。相反地，要使得不再次发光(不能再次发光)，则只要小于发光控制闸流管S(1)的阳极A-n栅极Gn间的pn结和VCSEL(1)的pn结均为正向偏压的电压，即小于2×正向电压Vd(3V)即可。在发光电源电位VS2为7V的情况下，若n栅极Gn的电压超过4V，则不能再次发光。
如图6中的(b)所示，在第二次发光中，在电源线电阻RL为100kΩ、150kΩ、200kΩ、250kΩ以及300kΩ的情况下，n栅极Gn的电压为3.8V以下而为4V以下。这些情况下，能够再次发光。
另一方面，在电源线电阻RL为50kΩ的情况下，n栅极Gn的电压为4.6V而超过4V。此时，不能再次发光。
在能够再次发光的情况下，从VCSEL熄灭起直至VCSEL再次发光为止的期间为能够再次发光的期间tm(例如，从时刻s直至时刻t为止的期间)。例如，在图6中的(b)所示的、电源线电阻RL为100kΩ以上的情况下，能够再次发光的期间tm为100ns。并且，从VCSEL熄灭的时刻起，直至达到将发光控制闸流管S的阳极A-n栅极Gn间的pn结与VCSEL的pn结均设为正向偏压的电压(2×正向电压Vd)为止的期间为能够再次发光的期间tm的最大期间tm_max。能够再次发光的期间tm设定得比能够再次发光的最大期间tm_max短为佳。反言之，超过能够再次发光的最大期间tm_max的期间为不能再次发光的期间。因而，能够再次发光的期间被设定为不能再次发光的期间以下为佳。由此，使VCSEL切实地再次发光。
n栅极Gn的电压变化是由作为电源线电阻RL与发光控制闸流管S的n栅极Gn-阴极K间的寄生电容之积的时间常数来决定。因而，若想要延长能够再次发光的期间tm，则可通过提高电源VS1、电源VS2的电压、增大电源线电阻RL或/和增大发光控制闸流管S的n栅极Gn-阴极K间的寄生电容来调整。
能够再次发光的期间tm优选设定为能够再次发光的最大期间tm_max的10％～80％。若将能够再次发光的期间tm相对于能够再次发光的最大期间tm_max而设定得短，则与发光脉冲间的间隔相比，不能再次发光的期间相对变长。而且，若将能够再次发光的期间tm相对于能够再次发光的最大期间tm_max而设定得长，则不能再次发光的期间在实际时间中变长。
图6中的(a)中，移位部12的移位闸流管T(1)是在VCSEL(1)转变为能够发光的状态的时刻a之后且VCSEL(1)停止发光(熄灭)的时刻s之前的时刻c被关断。由此，VCSEL被切实地设定为能够再次发光的状态。另外，移位部12的移位闸流管T(1)在VCSEL(1)转变为能够发光的状态的时刻a之后，理想的是开始了发光的时刻b之后关断为佳。由此，发光电流流至想要使其发光的VCSEL的发光控制闸流管S，发光控制闸流管S容易维持导通状态。
为了即便不维持移位闸流管T的导通状态也使VCSEL反复发光，并非使移位闸流管T(耦合晶体管Q)成为导通状态，而是发光控制闸流管S持续能够使VCSEL发光的状态。换言之，发光控制闸流管S需要得到充分充电。因此，例如也可将移位闸流管T的导通状态的期间设定得长于发光脉冲的期间。
[第二实施方式]
适用第一实施方式的光源装置1中，要延长能够再次发光的期间tm，是依靠增大电源线电阻RL等。但是，这些方法中，能够再次发光的期间tm有时未变得足够大。在适用第二实施方式的光源装置2中，不依靠增大电源线电阻RL等而延长能够再次发光的期间tm。
图7是说明适用第二实施方式的光源装置2的图。图7中，将纸面的右方向设为+x方向。
光源装置2包括发光装置10与控制部50。控制部50在适用第一实施方式的光源装置1的控制部50中，还包括驱动器Drv2与保持电流限制电阻RJ。驱动器Drv2例如将PMOS晶体管作为驱动器元件，通过施加至栅极的保持信号pJ来导通/断开。驱动器Drv2的PMOS晶体管的源极连接于电源VS2，漏极经由保持电流限制电阻RJ而连接于Vdrv端子。此处，驱动器Drv2中，保持信号pJ设为具有接地电位GND(“L”(0V))与电源电位VGK(“H”(7V))的信号。此处，设驱动器Drv2在保持信号pJ为“H”(0V)时成为断开，在保持信号pJ为“L”(0V)时成为导通。在驱动器Drv2为导通的期间，保持脉冲被供给至发光电位线74。
图8中的(a)、图8中的(b)是说明保持脉冲的图。图8中的(a)是所设定的时间图，图8中的(b)是表示发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn的电压以及VCSEL(1)的发光电流的模拟结果的图。图8中的(a)、图8中的(b)中，在图6中的(a)所示的时间图的时刻s直至时刻t为止的期间，附加了三个保持脉冲。因此，在时刻s至时刻t为止的期间，附加了时刻s1～时刻s6。
在图8中的(a)的时刻s，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)，使VCSEL(1)熄灭。随后，在经过了110ns后的时刻s1，使保持信号pJ从“H”(7V)转变为“L”(0V)，将驱动器Drv2设为导通。然后，在经过了30ns后的时刻s2，使保持信号pJ从“L”(0V)转变为“H”(7V)，将驱动器Drv2设为断开。时刻s1与时刻s2之间为保持脉冲的期间。
随后，在经过了100ns后的时刻s3，使保持信号pJ从“H”(7V)转变为“L”(0V)。然后，在经过了30ns后的时刻s4，使保持信号pJ从“L”(0V)转变为“H”(7V)。随后，在经过了100ns后的时刻s5，使保持信号pJ从“H”(7V)转变为“L”(0V)。然后，在经过了30ns后的时刻s6，使保持信号pJ从“L”(0V)转变为“H”(7V)。即，在从时刻s3直至时刻s4为止的期间与从时刻s5直至时刻s6为止的期间，将驱动器Drv2设为导通而产生保持脉冲。即，在从时刻s直至时刻t为止的期间，产生了三个保持脉冲。
在从时刻s6经过了120ns的时刻t，与图6中的(a)的时刻t同样地，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(1)发光。
图8中的(b)是将保持电流限制电阻RJ设为10kΩ，将电源线电阻RL设为50kΩ、100kΩ、150kΩ、200kΩ、250kΩ、300kΩ的情况。在时刻s1，在电源线电阻RL为50kΩ、100kΩ的情况下，n栅极Gn的电压超过4V。因此，发光控制闸流管S(1)不接通。因而，在时刻s1，VCSEL(1)不会再次发光。另一方面，在时刻s1，在电源线电阻RL为150kΩ、200kΩ、250kΩ、300kΩ的情况下，n栅极Gn的电压为4V以下。因而，发光控制闸流管S(1)接通而VCSEL(1)发光。但是，如图8中的(b)所示，发光电流比发光信号pI为“L”(0V)的期间内的发光脉冲小。保持脉冲的期间内的发光电流为0.4mA。这是因为通过将保持电流限制电阻RJ设为发光电流限制电阻RI的100Ω的100倍即10kΩ而VCSEL(1)的发光受到抑制所引起。即，保持脉冲既抑制发光，又再次设定VCSEL(1)能够再次点亮的期间，并延长了能够再次点亮的期间。由此，能够再次发光的期间比未使用保持脉冲时的100ns长，为520ns。另外，由于使保持电流限制电阻RJ大于发光电流限制电阻RI的100Ω而设为10kΩ，因此直至发光控制闸流管S(1)接通为止的时间变长。因此，将保持脉冲的期间(例如，从时刻s1直至时刻s2为止的期间)设定为30ns。若使所述保持电流限制电阻RJ过大，则存在接通变迟，或者无法维持发光控制闸流管S的导通状态的情况。另一方面，若减小保持电流限制电阻RJ，则消耗电力增加，因此必须选择适当的值。而且，若不需要保持脉冲下的发光，则只要以成为VCSEL的阈值电流以下的方式来选择电流值即可。
图8中的(a)、图8中的(b)中，在发光脉冲间夹着三个保持脉冲，但夹着多少皆可。当使用保持脉冲时，VCSEL的能够再次发光的状态得以保持。即，通过保持脉冲，使要再次发光的VCSEL(设为导通的VCSEL)保持着导通信息。
[第三实施方式]
第一实施方式中，在使某VCSEL发光后，即便接下来想要使其发光的VCSEL位于移位动作中的下游侧，也会从开始上游侧的移位动作的移位闸流管T进行移位动作，而使接下来要使其发光的VCSEL发光。但是，存在下述情况，即：在使某VCSEL发光后，接下来想要使位于移位部12的下游侧的VCSEL发光。例如，存在下述情况：在使偶数编号的VCSEL(2)、VCSEL(4)、VCSEL(6)、VCSEL(8)按照编号顺序发光后，使奇数编号的VCSEL(1)、VCSEL(3)、VCSEL(5)、VCSEL(7)按照编号顺序发光。像这样，接下来要使其发光的VCSEL位于下游侧的情况多。因此，第三实施方式中，对于与已进行了发光的VCSEL对应的移位部12的移位闸流管T，不将其设为完全的断开状态而再次设为导通状态，从所述移位闸流管T再次开始移位，从而缩短设定VCSEL的时间。
图9中的(a)、图9中的(b)是说明在光源装置1中适用第三实施方式的时间图的图。图9中的(a)是适用第三实施方式的时间图，图9中的(b)是为了比较所示的、适用第一实施方式的时间图。设横轴为时间，且按照字母顺序经过。使VCSEL多次发光的时机是对最开始发光的时刻的字母附注数字而表示。另外，以字母所示的时刻在图9中的(a)与图9中的(b)中不同，与图4、图5、图6中的(a)、图6中的(b)、图8中的(a)、图8中的(b)所示的时刻也不同。在图9中的(a)、图9中的(b)中，表示了移位信号p1、移位信号p2以及发光信号pI相对于时间的变化，且记述了成为导通状态的移位闸流管T、发光控制闸流管S以及VCSEL的编号。
图9中的(a)、图9中的(b)中，使VCSEL(2)、VCSEL(4)、VCSEL(6)依序发光。为此，如根据图1所知的那样，只要将移位闸流管T(2)、移位闸流管T(4)、移位闸流管T(6)设为导通状态即可。即，接下来要使其发光的VCSEL位于移位部12的移位的下游侧。另外，移位闸流管T、耦合晶体管Q、发光控制闸流管S以及VCSEL如图2、图4中所说明的那样运行，因此省略关于动作详情的说明。
对图9中的(a)所示的适用第三实施方式的时间图进行说明。
时刻a之前为初始状态。此时，移位闸流管T(1)成为可转变为导通状态的状态。在时刻a，当使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)接通。在时刻b，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)接通。在时刻c，当使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(1)关断。由此，仅移位闸流管T(2)成为导通状态，VCSEL(2)成为可发光的状态。
在时刻d，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，驱动器Drv从断开变为导通，VCSEL(2)发光。接下来，在时刻e，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(2)关断。而且，在时刻e，当使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，驱动器Drv从导通变为断开，VCSEL(2)熄灭。VCSEL(2)发出从时刻d直至时刻e为止的期间的光脉冲。
在时刻d1、时刻d2、时刻d3，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(2)间歇地发光。另外，在继时刻d1、时刻d2、时刻d3之后的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(2)熄灭。即，VCSEL(2)在时刻d1、时刻d2、时刻d3，发出与从时刻d直至时刻e为止的期间的光脉冲同样的光脉冲。此时，在时刻d1、时刻d2、时刻d3，使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)，而使移位闸流管T(2)间歇地接通。另外，在继时刻d1、时刻d2、时刻d3之后的时刻(未记述)，使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使移位闸流管T(2)关断。
在时刻f，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，VCSEL(2)发光。而且，在时刻f，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)接通。另外，在继时刻f之后的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(2)熄灭。VCSEL(2)间歇地发光五次。即，VCSEL(2)发出五个发光脉冲。
在时刻g，当使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(3)接通。在时刻h，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(2)关断。在时刻i，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(4)接通。在时刻j，当使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(3)关断。由此，仅移位闸流管T(4)成为导通状态，VCSEL(4)成为可发光的状态。
在时刻k，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，发光控制闸流管S(4)接通而VCSEL(4)发光。在时刻l，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(4)关断。而且，在时刻l，当使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，VCSEL(4)熄灭。并且，在时刻k1、时刻k2、时刻k3，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(4)间歇地发光。另外，在继时刻k1、时刻k2、时刻k3之后的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(4)熄灭。此时，在时刻k1、时刻k2、时刻k3，使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使移位闸流管T(4)间歇地接通。另外，在继时刻k1、时刻k2、时刻k3之后的时刻(未记述)，使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使移位闸流管T(4)关断。
在时刻m，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，VCSEL(4)发光。而且，在时刻m，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(4)接通。另外，在继时刻m的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(4)熄灭。VCSEL(4)间歇地发光五次。即，VCSEL(4)发出五个发光脉冲。
在时刻o，当使移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(5)接通。在时刻p，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(4)关断。在时刻q，当使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(6)接通。在时刻r，当使移位信号p1从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(5)关断。由此，仅移位闸流管T(6)成为导通状态，VCSEL(6)成为可发光的状态。
在时刻s，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，发光控制闸流管S(6)接通而VCSEL(6)发光。在时刻t，当使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，移位闸流管T(6)关断。而且，在时刻t，当使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，VCSEL(6)熄灭。并且，在时刻s1、时刻s2、时刻s3，使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使VCSEL(6)间歇地发光。另外，在继时刻s1、时刻s2、时刻s3的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(6)熄灭。此时，在时刻s1、时刻s2、时刻s3，使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使移位闸流管T(6)间歇地接通。另外，在继时刻s1、时刻s2、时刻s3的时刻(未记述)，使移位信号p2从“H”(7V)转变为“L”(0V)而使移位闸流管T(6)关断。
在时刻u，当使发光信号pI从“H”(7V)转变为“L”(0V)时，VCSEL(6)发光。在继时刻u之后的时刻(未记述)，使发光信号pI从“L”(0V)转变为“H”(7V)而使VCSEL(6)熄灭。VCSEL(6)间歇地发光五次。即，VCSEL(6)发出五个发光脉冲。在时刻u，不使移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)。
如上所述，在适用第三实施方式的时间图中，在使VCSEL再次发光的时机，使与要再次发光的VCSEL对应的移位闸流管T再次接通。并且，从已接通的移位闸流管T直至与接下来要使其发光的VCSEL对应的移位闸流管T为止，使其进行移位动作，从而使接下来要使其发光的VCSEL发光。例如，在时刻d1、时刻d2、时刻d3、时刻f，使VCSEL(2)再次发光，并且使移位闸流管T(2)接通。然后，从移位闸流管T(2)直至与接下来要发光的VCSEL(4)对应的移位闸流管T(4)为止，使其进行移位动作。从VCSEL(4)直至VCSEL(6)为止也同样。此处，将偶数编号的VCSEL(2)、VCSEL(4)、VCSEL(6)设定为依序发光的VCSEL，但只要从上游侧朝下游侧设定VCSEL即可，也可为奇数编号的VCSEL，也可为偶数编号与奇数编号的VCSEL相混合。
即便使移位闸流管T关断，即，即便切断电流，移位闸流管T的n栅极Gn的电压也会与图6中的(b)所示的发光控制闸流管S的n栅极Gn同样地，逐渐朝向电源电位VGK(7V)上升。因而，与VCSEL再次发光的时机同样地，只要在移位闸流管T能够再次接通的期间内，使移位信号p1或移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)，则移位闸流管T便会再次接通。即，使想要接通的移位闸流管T保持导通信息。因此，只要从已接通的移位闸流管T再次开始移位动作，将位于已发光的VCSEL的下游侧的VCSEL设定为接下来要发光的VCSEL即可。另外，当超过移位闸流管T能够再次接通的期间时，移位闸流管T不接通。由此，将移位信号p1或移位信号p2从“L”(0V)设为“H”(7V)的间隔、以及为“H”(7V)的期间(宽度)只要基于移位闸流管T再次接通的期间来设定即可。而且，图9中的(a)中，将使VCSEL再次发光的时机与移位闸流管T再次接通的时机设为相同(例如时刻d1、时刻d2、时刻d3等)，但也可不同。同样地，移位信号p1或移位信号p2为“H”(7V)的期间(宽度)与发光信号pI为“L”(0V)的期间(宽度)也可不同。
另外，在接下来要使其发光的VCSEL不处于移位动作的下游侧的情况下，则不需要使移位闸流管T再次接通。例如，在图9中的(a)的时刻u，不使移位闸流管T(6)接通。由此，移位闸流管T(6)不再再次接通。即，移位部12成为断开状态。即，发光装置10恢复为初始状态。而且，除了时刻u以外，在时刻s1、时刻s2、时刻s3，也不需要使移位闸流管T(6)接通。
图9中的(b)所示的适用第一实施方式的时间图中，在从时刻d直至时刻d5为止的期间内，使VCSEL(2)发光了五次后，从时刻f开始使移位部12从移位闸流管T(1)进行移位动作而将移位闸流管T(4)设为导通状态，将VCSEL(4)设定为想要使其发光的VCSEL。同样地，在从时刻m直至时刻m5为止的期间内，使VCSEL(4)发光了五次后，从时刻o开始使移位部12从移位闸流管T(1)进行移位动作而将移位闸流管T(6)设为导通状态，将VCSEL(6)设定为想要使其发光的VCSEL。适用第一实施方式的时间图中，每当变更要使其发光的VCSEL时，从移位闸流管T(1)进行移位动作而设定要使其发光的VCSEL。
在图9中的(a)的第三实施方式的时间图中，并无图9中的(b)的第一实施方式的时间图中的从时刻d4直至时刻g为止的期间、从时刻m4直至时刻t为止的期间。即，在第三实施方式的时间图中，不需要从移位闸流管T(1)再次重复移位动作。因而，设定想要使其发光的VCSEL的时间变短。
另外，使移位闸流管T再次接通的时机可为如图9中的(a)所示的时刻f那样，正在对VCSEL(2)供给发光电流的时机。即，可为欲停止对VCSEL(2)的发光电流的期间。由此，接下来要使其发光的VCSEL的设定所需的时间进一步变短。
[第四实施方式]
第三实施方式中，将移位信号p1或移位信号p2间歇地设为“H”(7V)而使移位闸流管T接通，以使移位部12的移位闸流管T再次接通。第四实施方式中，将移位信号p1或移位信号p2间歇地设为“H”(7V)，不使移位闸流管T保持导通信息而使移位闸流管T再次接通。
图10是说明适用第四实施方式的光源装置3的图。图10中，将纸面的右方向设为+x方向。
光源装置3包括发光装置20与控制部50。控制部50与图1所示的光源装置1的控制部50同样。因而，省略控制部50的说明。
(发光装置20)
发光装置20包括发光部21与移位部22。发光部21与发光装置10的发光部11同样。另外，发光装置20中，与发光装置10同样的部分标注相同的符号并省略说明。
移位部22包括多个：移位闸流管T、耦合二极管D以及电源线电阻Rg。示出了六个移位闸流管T(移位闸流管T(1)～移位闸流管T(6))以及六个耦合二极管D(耦合二极管D(1)～耦合二极管D(6))。以下，在不需要区分移位闸流管T(1)至移位闸流管T(6)的情况下，也有时总称为移位闸流管T，而且，在不需要区分耦合二极管D(1)至耦合二极管D(6)的情况下，也有时总称为耦合二极管D。另外，包括六个电源线电阻Rg，但未对它们标注编号。由一个移位闸流管T、耦合二极管D以及电源线电阻Rg构成移位单元22a。六个移位单元22a从其中一侧(-x方向侧)朝向另一侧(+x方向侧)排列。移位部22在其中一侧(-x方向侧)的端部包括开始二极管Ds。进而，发光装置20包括电流限制电阻R1、电流限制电阻R2。
移位单元22a将发光装置10中的移位单元12a的耦合晶体管Q替换为耦合二极管D，并且变更连接关系。
在移位单元22a中，移位闸流管T的n栅极Gn连接于耦合二极管D的阴极。移位闸流管T的n栅极Gn连接于电源线电阻Rg的其中一者。电源线电阻Rg的另一者连接于电源线71。进而，移位闸流管T的n栅极Gn连接于发光部21的发光控制闸流管S的n栅极Gn。耦合二极管D的阳极连接于邻接的移位闸流管T的n栅极Gn。另外，关于耦合二极管D，省略对阳极与阴极标注符号A与符号K。
例如，耦合二极管D(1)的阴极连接于移位闸流管T(1)的n栅极Gn，耦合二极管D(1)的阳极连接于移位闸流管T(2)的n栅极Gn。即，耦合二极管D(1)～耦合二极管D(6)以阳极与阴极彼此连接的方式串联连接。
并且，设在移位部22的其中一侧(-x方向侧)的端部的开始二极管Ds的阳极连接于移位闸流管T(1)的n栅极Gn、耦合二极管D(1)的阴极、电源线电阻Rg的其中一者以及发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn。开始二极管Ds的阴极连接于被供给移位信号p2的移位信号线72-2。
对移位部22的基本动作进行说明。
说明初始状态。所谓初始状态，是指如下所述的状态，即：电源线71被设定为电源电位VGK(7V)，接地线73被设定为接地电位GND(0V)，移位信号p1(φ1)、移位信号p2(φ2)为“L”(0V)，驱动器Drv为断开，且未对发光电位线74施加发光电源电位VS2(7V)。
在初始状态下，移位闸流管T(1)的n栅极Gn经由电源线电阻Rg而连接于电源电位VGK(7V)的电源线71，且经由开始二极管Ds而连接于被供给“L”(0V)的移位信号p2的移位信号线72-2。因此，移位闸流管T(1)的n栅极Gn成为开始二极管Ds的正向电压Vd(1.5V)。移位闸流管T(1)与连接有阳极A的移位信号线72-1连接。因而，当被供给至移位信号线72-1的移位信号p1从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，移位闸流管T(1)的阳极A(7V)与n栅极Gn(1.5V)之间成为正向偏压，移位闸流管T(1)接通而从断开状态转变为导通状态。于是，移位闸流管T(1)的n栅极Gn的电压为大致0V。
移位闸流管T(1)的n栅极Gn经由耦合二极管D(1)而连接于移位闸流管T(2)的n栅极Gn。因而，移位闸流管T(2)的n栅极Gn为1.5V。
移位闸流管T(1)的n栅极Gn连接于发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn。因而，发光控制闸流管S(1)的n栅极Gn为大致0V。因而，当发光信号pI从“H”(7V)变为“L”(0V)，对发光电位线74施加发光电源电位VS2(7V)，发光控制闸流管S(1)的阳极A与n栅极Gn成为正向偏压时，发光控制闸流管S(1)接通而VCSEL(1)发光。
图11是使适用第四实施方式的光源装置3运行的时间图。此处，也与图9中的(a)、图9中的(b)同样地设使VCSEL(2)、VCSEL(4)、VCSEL(6)依序发光。图11所示的时间图是在图9中的(a)所示的适用第三实施方式的时间图中，不具有移位信号p2在时刻d1、时刻d2、时刻d3、时刻k1、时刻k2、时刻k3、时刻s1、时刻s2、时刻s3成为“H”(7V)的期间。
当使VCSEL发光时，发光控制闸流管S的n栅极Gn为大致0V。如图10所示，发光控制闸流管S的n栅极Gn连接于移位闸流管T的n栅极Gn。因而，当发光控制闸流管S的n栅极Gn为大致0V时，移位闸流管T的n栅极Gn也为大致0V。当使移位信号p1或移位信号p2从“L”(0V)转变为“H”(7V)时，与已发光的VCSEL对应的移位闸流管T接通。
时刻f是VCSEL(2)能够再次发光的期间的时机。因而，当使VCSEL(2)再次发光，并且将移位信号p2从“L”(0V)设为“H”(7V)时，移位闸流管T(2)接通。时刻m是VCSEL(4)能够再次发光的期间的时机。因而，当使VCSEL(4)再次发光，并且将移位信号p2从“L”(0V)设为“H”(7V)时，移位闸流管T(4)接通。这样，在接下来要使其发光的VCSEL位于下游侧的情况下，从已接通的移位闸流管T再次开始移位动作。由此，设定要使其发光的VCSEL的时间变短。
另外，使移位闸流管T再次接通的时机可为如图11所示的时刻f那样，正在对VCSEL(2)供给发光电流的时机。即，可为欲停止对VCSEL(2)的发光电流的期间。由此，接下来要使其发光的VCSEL的设定所需的时间进一步变短。
第四实施方式的发光装置20中，发光控制闸流管S的n栅极Gn连接于移位闸流管T的n栅极Gn。因而，伴随因VCSEL的发光引起的发光控制闸流管S的n栅极Gn的电压变化，移位闸流管T的n栅极Gn的电压发生变化。另一方面，在第一实施方式的发光装置10(参照图1)中，发光控制闸流管S的n栅极Gn连接于耦合晶体管Q的集电极Cs。因此，即便因VCSEL的发光引起的发光控制闸流管S的n栅极Gn的电压发生变化，移位闸流管T的n栅极Gn的电压也不会发生变化。
所述的发光装置10、发光装置20是以共阴极(cathode common)而记载，但也可设为共阳极(anode common)。此时只要构成为在n栅极层(n型半导体层83)设有n欧姆电极，而在p栅极层(p型半导体层82)设置p欧姆电极即可。
而且，在发光装置10的移位部12中，将移位闸流管T间以耦合晶体管Q予以连接，在发光装置20的移位部22中，将移位闸流管T间以耦合二极管予以连接，但也可利用电阻予以连接。
(测量装置100)
第一实施方式至第四实施方式中所示的光源装置1、光源装置2、光源装置3可适用于对被测量物的三维形状(以下表述为3D形状)进行测量的测量装置。测量装置是基于借助光的飞行时间的所谓的飞行时间(Time of Flight，ToF)法来测量3D形状的装置。测量装置包括光源装置与三维传感器(以下表述为3D传感器)。在ToF法中，对从光自光源装置出射的时机直至由被测量物反射而被3D传感器收到的时机为止的时间进行测量。并且，根据从三维传感器获取的时间来算出直至被测量物为止的距离，确定被测量物的3D形状。而且，有时将测量三维形状表述为三维测量、3D测量或3D传感。三维传感器为受光部的一例。
此种测量装置被适用于根据经确定的3D形状来识别被测量物的情况。例如搭载于便携式信息处理装置等中，被利用于欲访问的用户的面部识别等。即，获取进行访问的用户的面部的3D形状，识别是否允许访问，仅在识别为是允许访问的用户的情况下，允许自身装置(便携式信息处理装置)的使用。
而且，所述测量装置也适用于增强现实(Augmented Reality，AR)等持续测量被测量物的3D形状的情况。
此种测量装置可适用于便携式信息处理装置以外的个人计算机(PersonalComputer，PC)等的信息处理装置。
图12是说明测量装置100的结构的框图。测量装置100包括：光源装置1，包括发光装置10及控制部50；以及3D传感器5。另外，光源装置1也可为光源装置2，还可为包括发光装置20和控制部50的光源装置3。因而，图12中，将光源装置表述为1、2、3，将发光装置表述为10、20。光源装置1朝向被测量物出射光。3D传感器5获取由被测量物予以反射而返回的光(反射光)。3D传感器5输出与通过ToF法而测量出的、基于从出射直至收到反射光为止的时间的直至被测量物为止的距离相关的信息(距离信息)。另外，在测量装置100中也可包含测量控制部200。测量控制部200构成为包含中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、只读存储器(Read Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等的计算机，基于从3D传感器5获取的距离信息来确定被测量物的三维形状。
本公开也可理解为如下。
一种发光装置，其中，移位部包含按照排列顺序传输导通状态的移位元件。由此，与不传输导通状态的情况相比，容易构成移位部。
一种发光装置，其中，通过移位部的闸流管成为导通状态，从而发光元件通过闸流管功能转变为可发光的状态。由此，移位部的控制与发光部的控制得以分开。
一种发光装置，其中，发光元件包含串联连接的面发光元件与闸流管。由此，容易提高发光特性。

Claims (15)

1.一种光源装置，包括：
发光部，包括多个发光元件；
移位部，进行移位动作；以及
控制部，使所述移位部进行移位动作，以设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，使所述移位部转变为断开状态，对电源的电压施加侧进行导通/断开而使所述发光元件多次发光，所述电源供给使所述发光元件发光的发光电流。
2.一种光源装置，包括：
发光部，包括多个发光元件；
移位部，具有按照预先决定的顺序来传输导通状态的多个移位元件；以及
控制部，通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，使所述移位部在所有的多个移位元件的移位完成之前转变为断开状态。
3.根据权利要求1所述的光源装置，其中
在将从移位的开始直至结束为止设为一循环时，所述移位部在一循环中设定一个发光元件。
4.根据权利要求3所述的光源装置，其中
所述控制部通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在停止所述发光元件的发光之前，使所述移位部转变为断开状态。
5.一种光源装置，包括：
发光部，包括多个发光元件；
移位部，进行移位动作；以及
控制部，通过所述移位部来设定所述发光部的要进行发光的发光元件，在所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在所述设定的发光元件停止发光之前，使所述移位部转变为断开状态。
6.根据权利要求5所述的光源装置，其中
所述控制部在欲对所述发光元件停止发光电流的供给的期间，再次使移位部导通而使其设定接下来要进行发光的发光元件。
7.根据权利要求1所述的光源装置，其中
所述控制部将供给至所述移位部的移位信号设定为接地电位，由此来使所述移位部转变为断开状态。
8.根据权利要求1所述的光源装置，其中
所述控制部在停止了发光电流向所述发光元件的供给后的、能够再次发光的期间内，再次供给发光电流而使其发光。
9.根据权利要求8所述的光源装置，其中
所述控制部在所述发光元件的发光与发光之间，供给再次设定所述发光元件能够再次发光的期间的、比所述发光电流小的电流的脉冲。
10.一种发光装置，包括：
发光部，包括多个发光元件；以及
移位部，进行移位动作，设定所述发光部中要进行发光的发光元件，
将所述发光元件设定为能够发光的状态的所述发光元件的栅极经由电阻连接于移位部的电源线，
所述电阻被设定为如下所述的值，即，在将所述发光元件转变为能够发光的状态后，且在所述设定的发光元件停止发光之前，经由所述电阻而变化的所述栅极的电压在预先规定的能够再次发光的期间内能够进行再次发光。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中
所述能够再次发光的期间被设定为另行预先规定的不能再次发光的期间以下。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其中
所述移位部包含闸流管。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其中
所述发光装置具有基板，
在所述基板上，作为所述发光部的所述发光元件，由闸流管与面发光元件依序层叠而设，且在所述基板上设有所述移位部的闸流管。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中
所述面发光元件为垂直腔面发射激光器。
15.一种测量装置，包括：
如权利要求1至9中任一项所述的光源装置；以及
受光部，接收从所述光源装置的所述发光部出射的光由被测量物予以反射的光。
CN202310006262.8A 2022-02-02 2023-01-04 光源装置、发光装置以及测量装置 Pending CN116546698A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022014957A JP2023112926A (ja) 2022-02-02 2022-02-02 光源装置、発光装置及び計測装置
JP2022-014957 2022-02-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116546698A true CN116546698A (zh) 2023-08-04

Family

ID=84901648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310006262.8A Pending CN116546698A (zh) 2022-02-02 2023-01-04 光源装置、发光装置以及测量装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230246414A1 (zh)
EP (1) EP4224643A1 (zh)
JP (1) JP2023112926A (zh)
CN (1) CN116546698A (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020103418A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 株式会社三洋物産 遊技機
JP2020130466A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 株式会社三洋物産 遊技機
JP7234740B2 (ja) * 2019-03-28 2023-03-08 株式会社三洋物産 遊技機
JP7234741B2 (ja) * 2019-03-28 2023-03-08 株式会社三洋物産 遊技機
JP2021186294A (ja) * 2020-05-29 2021-12-13 株式会社三洋物産 遊技機
JP2023063369A (ja) * 2022-01-07 2023-05-09 株式会社三洋物産 遊技機
JP2023060269A (ja) * 2022-04-01 2023-04-27 株式会社三洋物産 遊技機
JP2023060270A (ja) * 2022-04-01 2023-04-27 株式会社三洋物産 遊技機

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4165003B2 (ja) * 2000-11-06 2008-10-15 富士ゼロックス株式会社 自己走査型発光素子アレイの駆動方法、画像形成装置
JP5664096B2 (ja) 2010-10-05 2015-02-04 富士ゼロックス株式会社 発光装置、発光装置の駆動方法、発光チップ、プリントヘッドおよび画像形成装置
CN113410752A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 富士胶片商业创新有限公司 激光元件阵列、发光及光学装置、测量及信息处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023112926A (ja) 2023-08-15
EP4224643A1 (en) 2023-08-09
US20230246414A1 (en) 2023-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116546698A (zh) 光源装置、发光装置以及测量装置
US20230246119A1 (en) Light emitter, light source device, and measurement apparatus
KR102568250B1 (ko) 화소, 이를 구비한 표시 장치 및 그의 구동 방법
CN113552784A (zh) 发光部件
CN110556707A (zh) 发光装置、光测量装置及图像形成装置
US10460651B2 (en) Method for driving display
CN111564463A (zh) 发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置
JP7447604B2 (ja) 発光装置、光学装置、計測装置及び情報処理装置
CN113808547A (zh) 发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板
US9615412B2 (en) Multi-sequenced LEDs on two or more wires
CN116544777A (zh) 光源装置、发光装置以及测量装置
CN116544772A (zh) 光源装置以及测量装置
CN117791309A (zh) 发光阵列、发光装置、测定装置及发光阵列的制造方法
CN112530362B (zh) 显示装置及其像素电路
CN116799615A (zh) 发光装置以及测量装置
JP6036195B2 (ja) 表示装置
US20240106195A1 (en) Light-emitting component, multilayer semiconductor substrate, and measurement apparatus
US20230258782A1 (en) Light source device, light-emitting unit, and measurement apparatus
JP2024048238A (ja) 発光部品、半導体積層基板、発光装置、および測定装置
US20230307885A1 (en) Light emitting element, light emitting element array, light emitting component, optical device, and optical measurement apparatus
JP2024048240A (ja) 半導体積層基板、発光部品、発光装置、測定装置および半導体積層基板の製造方法
JP3212497B2 (ja) 自己走査型発光装置
JP2022151903A (ja) 発光装置及び計測装置
JP2022168785A (ja) 発光部品、発光素子アレイチップおよび光計測装置
JPS5816347B2 (ja) ヒカリソウサソウチノ ソウサシユウリヨウケンシユツソウチ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication