CN116540507B - 光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 - Google Patents
光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116540507B CN116540507B CN202310816659.3A CN202310816659A CN116540507B CN 116540507 B CN116540507 B CN 116540507B CN 202310816659 A CN202310816659 A CN 202310816659A CN 116540507 B CN116540507 B CN 116540507B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target
- position information
- exposure
- coordinate
- determining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法。该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，第一图形区域包括多个第一曝光图形，用于在第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，第二图形区域包括多个第二曝光图形，用于在第二材料层上形成第二对位标记，第一对位标记与第二对位标记在目标基体的垂直投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，用于在第三材料层上形成第三对位标记。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法。
背景技术
集成电路制造在不断发展，器件的特征尺寸随之也不断减小，使得在光有不断缩小的特征尺寸的同时，还需要提高光刻工艺的套准精度。其中，套准精度（OVL，Overlay）是整个制程中当前层与前层的叠对精度，是光刻机的重要性能指标之一，如果套准精度超过误差容忍度，那么前层和当前层的层间设计电路就可能会发生偏移，导致前层和当前层短路或断路，从而影响器件产品的良率和性能。
另外，在现行曝光机的对准工艺上其对准系统与套刻精度OVL Mark设计上都是只能支持单层对单层的补正，因此，如果在需要当前层同时对准前两层的情况下，如果前两层本身互相之间已经存在套刻精度的偏差，从而使得当前层与前两层中的任意一层对准的情况下，该当前层与前两层中的另一层也存在套刻精度的偏差，最终导致形成的产品层间布线接触不良，导致严重的泄电问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法，以解决现有技术中层间套刻精度存在偏差导致的泄电的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
可选地，获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。
可选地，获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。
可选地，至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的第一位置信息。
可选地，根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第一曝光图形，多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个第一目标坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个第二目标坐标范围与多个第一目标坐标范围不重叠；确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，第一目标曝光图形为与第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，第二目标曝光图形为与第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；计算第一坐标值与第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
可选地，根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定目标位置信息，其中，目标位置信息包括与每个第三曝光图形的几何中心对应目标坐标值，目标坐标值与平均坐标值一一对应，每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定装置，该装置包括：第一获取模块，用于获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；第二获取模块，用于获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；确定模块，用于至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种光刻系统，该光刻系统包括：光刻设备；处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，处理器被配置为执行指令，以实现如上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，得到光刻掩膜版中曝光图形的位置信息，光刻设备用于根据位置信息，对目标基体进行光刻。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种对位标记的制作方法，该制作方法包括：提供目标基体，目标基体为多层结构，且目标基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对目标基体中的目标层进行刻蚀，形成标记凹槽，标记凹槽分别与第一对位标记和第二对位标记位于不同层中；在标记凹槽中形成对位标记。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种导电插塞的制作方法，该制作方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有衬底、栅极、源/漏区和绝缘层，源/漏区位于衬底中，绝缘层位于源/漏区远离衬底的一侧，半导体基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对半导体基体中的目标层进行刻蚀，形成分别贯穿至栅极与源/漏区的孔结构；在孔结构中形成对位标记导电插塞。
应用本发明的技术方案，提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，首先通过获取位于第一材料层中的第一图形区域的第一位置信息，以及位于第二材料层中的第二图形区域的第二位置信息，使得能够根据该第一位置信息和第二位置信息确定得到一个目标位置信息，使得该目标位置信息用于与第三材料层中的第三图形区域的位置信息进行对应，使得通过该第三图形区域中的第三对位标记能够同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，从而在当前层对准双前层的制程过程中，可以在量测补值上对于双前层进行OVL量测与平衡补值，进而增加层与层之间的套刻精度制程窗口（Overlap process window），减少因为层与层之间的覆盖率问题（coverage rate）而导致的产品泄电现象以及泄电造成的低产量（low yield），从而提高产品的良率和性能，增加产品的产量。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是根据本发明实施例1示出的一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法的流程框图；
图2是根据本发明实施例2的光刻掩膜版中曝光图形的确定装置的结构框图；
图3是根据本发明实施例的一种光刻系统的装置框图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例1
根据本发明实施例，提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法的实施例，图1是根据本发明实施例1的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法的流程图，如图1所示，该方法包括如下步骤：
步骤S102，获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；
步骤S104，获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；
步骤S106，至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，首先通过获取位于第一材料层中的第一图形区域的第一位置信息，以及位于第二材料层中的第二图形区域的第二位置信息，使得能够根据该第一位置信息和第二位置信息确定得到一个目标位置信息，使得该目标位置信息用于与第三材料层中的第三图形区域的位置信息进行对应，使得通过该第三图形区域中的第三对位标记能够同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，从而在当前层对准双前层的制程过程中，可以在量测补值上对于双前层进行OVL量测与平衡补值，进而增加层与层之间的套刻精度制程窗口（Overlap process window），减少因为层与层之间的覆盖率问题（coverage rate）而导致的产品泄电现象以及泄电造成的低产量（low yield），从而提高产品的良率和性能，增加产品的产量。
在一些可选的实施方式中，获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。
上述实施方式中，由于第一图形区域中包括有多个第一曝光图形，为了确定出该第一图形区域在上述第一材料层上的位置区域，首先获取每个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标，从而得到多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合，从而使得该第一坐标范围集合用于生成第一图形区域的第一位置信息。
在一些可选的实施方式中，获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。
上述实施方式中，由于第二图形区域中同样包括有多个第二曝光图形，为了确定出该第二图形区域在上述第二材料层上的位置区域，首先获取每个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标，从而得到多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合，从而使得该第二坐标范围集合用于生成第二图形区域的第二位置信息。
在一些可选的实施方式中，至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息。
上述实施方式中，为了将上述第三图形区域分别与第一图形区域和第二图形区域进行对准，首先获取该第三图形区域的初始位置，其中，由于该第三图形区域也包括有多个第三曝光图形，因而为了确定出该第三图形区域在上述第三光刻掩膜版中的目标位置信息，首先获取每个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标值，从而得到多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合，进而将第一曝光图形对应的第一坐标范围集合中的其中一个第一坐标和第二曝光图形对应的第二坐标范围集合中的其中一个第二坐标进行折中处理，从而计算得到一个平均坐标值，使得该平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息，进而通过多个第一坐标和多个第二坐标得到多个平均位置信息，上述多个平均位置信息构成平均坐标范围集合，使得该平均范围集合中的每个平均坐标值均对应上述初始坐标范围集合中的一个初始坐标值，从而将该初始坐标值和该平均坐标值进行对准并补值，以确定出该第三图形区域在上述第三光刻掩膜版中的目标位置信息。
在一些可选的实施方式中，根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第一曝光图形，多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个第一目标坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个第二目标坐标范围与多个第一目标坐标范围不重叠；确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，第一目标曝光图形为与第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，第二目标曝光图形为与第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；计算第一坐标值与第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
上述实施方式中，第一图形区域中包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元具有多个第一曝光图形，且该多个第一曝光图形沿着第一方向或第二方向排列，第二图形区域中包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元中具有多个第二曝光图形，且该多个第二曝光图形沿着第一方向或第二方向排列，为了使得能够通过该第一坐标范围集合和第二坐标范围集合确定出上述平均坐标范围集合，上述多个第一曝光单元中的多个第一曝光图形与上述多个第二曝光单元中的多个第二曝光图形在第一表面上的投影呈现为沿着第一方向或第二方向交替排列设置，并将上述位于第一表面上的投影中包含有交替设计设置的第一曝光图形和第二曝光图形的投影作为第一投影，从而从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围时，该第一曝光单元对应于第一投影中交替设置的第一曝光图形和第二曝光图形，则多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围时，同样的，该第二曝光单元对应于第一投影中交替设置的第一曝光图形和第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，从而能够通过相邻的第一目标坐标值和第二目标坐标值得到一个平均坐标值，从而相应得到上述平均坐标范围集合。
在一些可选的实施方式中，根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定目标位置信息，其中，目标位置信息包括与每个第三曝光图形的几何中心对应目标坐标值，目标坐标值与平均坐标值一一对应，每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同。
上述实施方式中，平均坐标范围集合中的一个平均坐标值对应于上述初始坐标范围集合中的一个初始坐标值，从而能够根据该平均坐标范围集合和初始坐标范围集合得到第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，且得到上述没目标位置信息为根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合确定得到的，因此每个目标坐标值和平均坐标值之间的补值是一定的，即每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同，从而能够确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息。
实施例2
根据本发明实施例，还提供了一种用于实施上述光刻掩膜版中曝光图形的确定方法的装置，图2是根据本发明实施例2的光刻掩膜版中曝光图形的确定装置的结构框图，如图2所示，该装置包括：第一获取模块202，第二获取模块204以及确定模块206，下面对该装置进行详细说明。
第一获取模块202，用于获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；
第二获取模块204，用于获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；
确定模块206，用于至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
此处需要说明的是，上述第一获取模块202、第二获取模块204以及确定模块206对应于实施例1中的步骤S102至步骤S106，多个模块与对应的步骤所实现的实例和应用场景相同，但不限于上述实施例1所公开的内容。
实施例3
本发明的实施例可以提供一种光刻系统， 可选地，图3是根据一示例性实施例示出的一种光刻系统的结构框图。如图3所示，该光刻系统可以包括：光刻设备；一个或多个（图中仅示出一个）处理器31、用于存储处理器可执行指令的存储器32；其中，处理器被配置为执行指令，以实现如上的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，得到光刻掩膜版中曝光图形的位置信息，光刻设备用于根据位置信息，对目标基体进行光刻。
其中，存储器可用于存储软件程序以及模块，如本发明实施例中的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法和装置对应的程序指令/模块，处理器通过运行存储在存储器内的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法。存储器可包括高速随机存储器，还可以包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器可进一步包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至计算机终端。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
处理器可以通过传输装置调用存储器存储的信息及应用程序，以执行下述步骤：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码： 获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第一曝光图形，多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个第一目标坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个第二目标坐标范围与多个第一目标坐标范围不重叠；确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，第一目标曝光图形为与第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，第二目标曝光图形为与第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；计算第一坐标值与第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定目标位置信息，其中，目标位置信息包括与每个第三曝光图形的几何中心对应目标坐标值，目标坐标值与平均坐标值一一对应，每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令光刻系统相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：闪存盘、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取器（RandomAccess Memory，RAM）、磁盘或光盘等。
实施例4
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的计算机可读存储介质，当计算机可读存储介质中的指令由光刻系统的处理器执行时，使得光刻系统能够执行上述任一项的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法。可选地，计算机可读存储介质可以是非临时性计算机可读存储介质，例如，非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
可选地，在本实施例中，上述计算机可读存储介质可以用于保存上述实施例1所提供的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法所执行的程序代码。
可选地，在本实施例中，上述计算机可读存储介质可以位于计算机网络中计算机终端群中的任意一个计算机终端中，或者位于移动终端群中的任意一个移动终端中。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：从第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第一曝光图形，多个第一目标坐标范围为每个第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；根据多个第一目标坐标范围，从第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个第二曝光图形，多个第二目标坐标范围为每个第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个第二目标坐标范围与多个第一目标坐标范围不重叠；确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，第一目标曝光图形为与第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，第二目标曝光图形为与第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；计算第一坐标值与第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定目标位置信息，其中，目标位置信息包括与每个第三曝光图形的几何中心对应目标坐标值，目标坐标值与平均坐标值一一对应，每个目标坐标值与对应的平均坐标值间距相同。
实施例5
根据本发明的另一方面，还提供一种对位标记的制作方法，该方法包括：提供目标基体，目标基体为多层结构，且目标基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对目标基体中的目标层进行刻蚀，形成标记凹槽，标记凹槽分别与第一对位标记和第二对位标记位于不同层中；在标记凹槽中形成对位标记。
示例性地，该制作方法可以是形成MOS器件中制作方法中的一部分，该MOS器件包括有源区和栅极，且有源区上覆盖有绝缘层，该绝缘层和上述栅极是在不同的工艺中先后形成的不同层，且在该绝缘层和栅极上均设置有导电插塞，因此结合上述实施例，该绝缘层、栅极以及导电插塞构成上述目标基体中的不同层，从而使得在该绝缘层中具有第一对位标记，该栅极具有第二对位标记，且该导电插塞作为上述目标层，则为了使得形成分别与上述绝缘层和上述栅极对准的目标层，首先采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，根据第一对位标记和第二对位标记确定出平均坐标值，从而使得根据该平均坐标值在目标掩膜版中确定出曝光图形的位置信息，进而根据该位置信息对目标基体中的目标层进行刻蚀，以形成标记凹槽，从而在该标记凹槽中形成对位标记后，该标记凹槽分别与上述第一对位标记和第二对位标记对准，且该对位标记、第一对位标记以及第二对位标记分别位于上述目标基体中的不同层，其中，对位标记位于上述目标层中，第一对位标记位于绝缘层中，第二对位标记位于栅极中。
采用上述的制作方法，通过采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，能够直接确定出曝光图形在目标掩膜版中位置信息，从而根据位置信息，对目标基体中的目标层进行刻蚀并形成对位标记的过程中，由于该位置信息已经为对准不同层之后的位置信息，从而可以在量测补值上对于双前层进行OVL量测与平衡补值，进而增加层与层之间的套刻精度制程窗口（Overlap process window），减少因为层与层之间的覆盖率问题（coverage rate）而导致的产品泄电现象以及泄电造成的低产量（low yield），从而提高产品的良率和性能，增加产品的产量。
实施例6
根据本发明的另一方面，还提供一种导电插塞的制作方法，该制作方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有衬底、栅极、源/漏区和绝缘层，源/漏区位于衬底中，绝缘层位于源/漏区远离衬底的一侧，半导体基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；根据位置信息，对半导体基体中的目标层进行刻蚀，形成分别贯穿至栅极与源/漏区的孔结构；在孔结构中形成对位标记导电插塞。
示例性地，该导电插塞形成于MOS器件中，该半导体基体包括形成该MOS器件的衬底、栅极、源/漏区和绝缘层，该绝缘层位于源/漏区远离衬底的一侧，该栅极和绝缘层分别为在不同的工艺中形成的不同层，该绝缘介质层具有第一对位标记，该栅极具有第二对位标记，为了使得形成分别与上述绝缘层和上述栅极对准的导电插塞，首先采用上述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，根据第一对位标记和第二对位标记确定出平均坐标值，从而使得根据该平均坐标值在目标掩膜版中确定出曝光图形的位置信息，进而根据该位置信息对半导体基体中的目标层进行刻蚀，形成分别贯穿至栅极与源/漏区的孔结构，进而在该孔结构中形成对位标记导电插塞。
采用上述的制作方法形成的导电插塞，能够实现同时对准栅极与源/漏区的目的，从而使得形成的产品不容易泄电，提高了产品的良率和性能。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个所述第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；
获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个所述第二曝光图形用于在所述目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，所述目标基体具有第一表面，所述第一对位标记与所述第二对位标记在所述第一表面上投影不重叠；
至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，所述第三光刻掩膜版用于通过所述第三图形区域同时与所述第一对位标记和所述第二对位标记进行对位，所述第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个所述第三曝光图形用于在所述目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
2.根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：
确定多个所述第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；
将所述第一坐标范围集合生成所述第一位置信息。
3.根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：
确定多个所述第二曝光图形在所述参考坐标系中的第二坐标范围集合；
将所述第二坐标范围集合生成所述第二位置信息。
4.根据权利要求3所述的确定方法，其特征在于，所述至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：
获取多个所述第三曝光图形在所述参考坐标系中的初始坐标范围集合；
根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，所述平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；
根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定所述第三图形区域在所述第三光刻掩膜版中的所述目标位置信息。
5.根据权利要求4所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：
从所述第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第一曝光图形，多个所述第一目标坐标范围为每个所述第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；
根据多个所述第一目标坐标范围，从所述第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第二曝光图形，多个所述第二目标坐标范围为每个所述第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个所述第二目标坐标范围与多个所述第一目标坐标范围不重叠；
确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，所述第一目标曝光图形为与所述第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；
确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，所述第二目标曝光图形为与所述第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；
计算所述第一坐标值与所述第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。
6.根据权利要求5所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：
根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定所述目标位置信息，其中，所述目标位置信息包括与每个所述第三曝光图形的几何中心对应的目标坐标值，所述目标坐标值与所述平均坐标值一一对应，每个所述目标坐标值与对应的所述平均坐标值间距相同。
7.一种光刻掩膜版中曝光图形的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个所述第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；
第二获取模块，用于获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个所述第二曝光图形用于在所述目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，所述目标基体具有第一表面，所述第一对位标记与所述第二对位标记在所述第一表面上投影不重叠；
确定模块，用于至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，所述第三光刻掩膜版用于通过所述第三图形区域同时与所述第一对位标记和所述第二对位标记进行对位，所述第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个所述第三曝光图形用于在所述目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。
8.一种光刻系统，其特征在于，包括：
光刻设备；
处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现如权利要求1至6中任一项所述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，得到光刻掩膜版中曝光图形的位置信息，所述光刻设备用于根据所述位置信息，对目标基体进行光刻。
9.一种对位标记的制作方法，其特征在于，包括：
提供目标基体，所述目标基体为多层结构，且所述目标基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；
采用权利要求1至6中任一项所述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；
根据所述位置信息，对所述目标基体中的目标层进行刻蚀，形成标记凹槽，所述标记凹槽分别与所述第一对位标记和所述第二对位标记位于不同层中；
在所述标记凹槽中形成对位标记。
10.一种导电插塞的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基体，所述半导体基体具有衬底、栅极、源/漏区和绝缘层，所述源/漏区位于所述衬底中，所述绝缘层位于所述源/漏区远离所述衬底的一侧，所述半导体基体中形成有位于不同层的第一对位标记和第二对位标记；
采用权利要求1至6中任一项所述的光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，确定曝光图形在目标掩膜版中位置信息；
根据所述位置信息，对所述半导体基体中的目标层进行刻蚀，形成分别贯穿至所述栅极与所述源/漏区的孔结构；
在所述孔结构中形成对位标记导电插塞。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816659.3A CN116540507B (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310816659.3A CN116540507B (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116540507A CN116540507A (zh) | 2023-08-04 |
| CN116540507B true CN116540507B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=87443932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310816659.3A Active CN116540507B (zh) | 2023-07-05 | 2023-07-05 | 光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116540507B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103246170A (zh) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
| CN104698773A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻对准标记结构及其制造方法 |
| CN111522210A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-08-11 | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 | 套刻对准标记、套刻误差测量方法和套刻对准方法 |
| CN112835265A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 在晶圆上形成多个图样层的方法以及其曝光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113093475A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻精度检测方法及套刻偏差补偿方法 |
-
2023
- 2023-07-05 CN CN202310816659.3A patent/CN116540507B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103246170A (zh) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
| CN104698773A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻对准标记结构及其制造方法 |
| CN112835265A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 在晶圆上形成多个图样层的方法以及其曝光装置 |
| CN111522210A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-08-11 | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 | 套刻对准标记、套刻误差测量方法和套刻对准方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116540507A (zh) | 2023-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9817940B2 (en) | Method wherein test cells and dummy cells are included into a layout of an integrated circuit | |
| US9316925B2 (en) | Methods for monitoring source symmetry of photolithography systems | |
| US8580685B2 (en) | Integrated circuit having interleaved gridded features, mask set, and method for printing | |
| US7933015B2 (en) | Mark for alignment and overlay, mask having the same, and method of using the same | |
| KR102387947B1 (ko) | 오버레이 패턴을 갖는 반도체 소자 | |
| US9864831B2 (en) | Metrology pattern layout and method of use thereof | |
| US9305884B1 (en) | Overlay mark and method for forming the same | |
| US8084872B2 (en) | Overlay mark, method of checking local aligmnent using the same and method of controlling overlay based on the same | |
| KR20140113243A (ko) | 반도체 회로의 형성 방법 | |
| CN116540507B (zh) | 光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法 | |
| US7432605B2 (en) | Overlay mark, method for forming the same and application thereof | |
| US20050064676A1 (en) | Method of forming alignment mark | |
| CN103186031A (zh) | 修正布局图案的方法以及制作光掩膜的方法 | |
| US10854616B2 (en) | Semiconductor structure and method forming the same | |
| CN103839769A (zh) | 形成图案的方法 | |
| JP2021504734A (ja) | 半導体デザインの完全性を確実にするための方法および半導体構造体 | |
| CN110034097B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN111199981B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113741154A (zh) | 对位偏差的量测方法、半导体器件及其制备方法 | |
| US20160291457A1 (en) | Reticle, system comprising a plurality of reticles and method for the formation thereof | |
| KR20070071615A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| US9081284B2 (en) | Method of manufacturing forming conductive line pattern in boundary region | |
| US11152270B2 (en) | Monitoring structure for critical dimension of lithography process | |
| CN116954039B (zh) | 确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备 | |
| CN110610663B (zh) | 一种显示面板和显示面板的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |