CN116477963B - 带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,包括以下步骤:SA、对铜箔的一个表面进行氧化,在该表面形成氧化层;SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔;SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合,然后共烧结;SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理,通孔内的靠近铜箔一侧贴膜,曝光区域宽度小于通孔宽度;SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻,刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域,这样使得铜箔在通孔位置残留下引脚;SF、在陶瓷基板上加工掰断痕,将已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷覆铜基板生产技术领域,特别是涉及一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法。
背景技术
覆铜陶瓷基板也称陶瓷覆铜基板,Centrotherm DBC(Direct Bonding Copper)。陶瓷材料包括氮化铝/氧化铝/ZTA陶瓷板,陶瓷覆铜基板具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性,又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能,且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。在制作完成后都需要在覆铜陶瓷基板上进行开设引脚,较为耗时费力,且开设不好机就会导致覆铜陶瓷基板损坏直接造成损失。
发明内容
为克服现有技术存在的技术缺陷,本发明提供一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,能够生产带引脚覆铜基板。
本发明采用的技术解决方案是:
带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,包括以下步骤:
SA、对铜箔的一个表面进行氧化,在该表面形成氧化层;
SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔;
SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合,然后共烧结,冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板;
SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理,所述通孔内的靠近铜箔一侧贴膜,所述曝光区域宽度小于通孔宽度;
SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻,形成线路图形,得到所述陶瓷覆铜基板,所述刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域;
SF、在所述陶瓷基板上加工掰断痕,所述掰断痕经过通孔。
优选的,对铜箔的一个表面进行氧化的步骤包括:将铜箔的一面放置于一个陶瓷垫板上,然后整体放入网带烧结炉中进行氧化;所述陶瓷垫板为氧化铝陶瓷片。
优选的,步骤SC中,共烧结的温度为1081-1083℃。
优选的,步骤SE中,所述刻蚀液包括1%-5%碱、2%-8%过氧化氢以及余量的水,所述碱为氢氧化钠或者氢氧化钾。
优选的,步骤SE中,在超声条件下进行,并控温≤25℃,蚀刻时间为20min~45min。
优选的,步骤SF中,掰断痕为激光加工出的线状分布的盲孔。
优选的,步骤SA中,所述铜箔的厚度为0.2-0.4mm。
优选的,步骤SB中,所述氧化铝陶瓷基板的厚度为0.2-1.5mm。
本发明的有益效果是:
带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,包括以下步骤:
SA、对铜箔的一个表面进行氧化,在该表面形成氧化层,该氧化层为氧化亚铜层;
SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔,各通孔的位置根据引脚位置和引脚大小设计;
SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合,然后共烧结,冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板,铜箔与陶瓷基板烧结时,陶瓷基板在各通孔位置并不会与铜箔接触;
SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理,所述通孔内的靠近铜箔一侧贴膜,所述曝光区域宽度小于通孔宽度;
SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻,形成线路图形,得到所述陶瓷覆铜基板,所述刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域,曝光区域的贴膜会被刻蚀液溶解,进而解除贴膜对铜箔的保护,曝光区域位于通孔位置且曝光区域小于通孔宽度,这样使得铜箔在通孔位置残留下引脚;
SF、在所述陶瓷基板上加工掰断痕,所述掰断痕经过通孔,将已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板。
附图说明
图1为陶瓷基板结构示意图。
图2为铜箔与陶瓷基板烧结后结构示意图。
图3为铜箔与陶瓷基板蚀刻前结构示意图。
图4为铜箔与陶瓷基板蚀刻后结构示意图。
图5为铜箔与陶瓷基板烧结后俯视示意图。
图6为铜箔与陶瓷基板蚀刻后立体结构示意图。
图7为已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板原理第一视角示意图。
图8为铜箔与陶瓷基板蚀刻后另一侧立体结构示意图。
图9为已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板原理第二视角示意图。
附图标记说明:
1、铜箔;2、陶瓷基板;21、通孔;
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:
实施例1
如图所示,本实施例提供一种带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,包括以下步骤:
SA、对铜箔的一个表面进行氧化,铜箔的厚度为0.2mm,在该表面形成氧化层,该氧化层为氧化亚铜层;
SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔(见图1),氧化铝陶瓷基板的厚度为0.2mm,各通孔的位置根据引脚位置和引脚大小设计;
SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合,然后共烧结(见图2),共烧结的温度为1081℃,冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板,铜箔与陶瓷基板烧结时,陶瓷基板在各通孔位置并不会与铜箔接触;
SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理,通孔内的靠近铜箔一侧贴膜,曝光区域宽度小于通孔宽度(见图3);
SE、然后采用蚀刻液进行蚀刻(见图4,刻蚀液包括1%碱、2%过氧化氢以及余量的水,碱为氢氧化钠或者氢氧化钾,在超声条件下进行,并控温23℃,蚀刻时间为20min;第二蚀刻液进行刻蚀时,在超声条件下进行,并控温23℃,蚀刻时间3min,形成线路图形,得到陶瓷覆铜基板,刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域,曝光区域的贴膜会被刻蚀液溶解,进而解除贴膜对铜箔的保护,曝光区域位于通孔位置且曝光区域小于通孔宽度,这样使得铜箔在通孔位置残留下引脚;
SF、在陶瓷基板上加工掰断痕(见图6),掰断痕为激光加工出的线状分布的盲孔,掰断痕经过通孔,将已经覆铜的陶瓷基板掰成若干具有引脚的陶瓷基板。
对铜箔的一个表面进行氧化的步骤包括:将铜箔的一面放置于一个陶瓷垫板上,然后整体放入网带烧结炉中进行氧化;陶瓷垫板为氧化铝陶瓷片。
实施例2
SA、中铜箔的厚度为0.3mm,氧化铝陶瓷基板的厚度为1mm,各通孔的位置根据引脚位置和引脚大小设计;
SC中铜箔与陶瓷基板共烧结的温度为1082℃;
SE中刻蚀液包括3%碱、5%过氧化氢以及余量的水,碱为氢氧化钠或者氢氧化钾,在超声条件下进行,并控温24℃,蚀刻时间为30min;第二蚀刻液进行刻蚀时,在超声条件下进行,并控温24℃,蚀刻时间10min,形成线路图形,得到陶瓷覆铜基板。
实施例3
SA、中铜箔的厚度为0.3mm,氧化铝陶瓷基板的厚度为1mm,各通孔的位置根据引脚位置和引脚大小设计;
SC中铜箔与陶瓷基板共烧结的温度为1083℃;
SE中刻蚀液包括3%碱、5%过氧化氢以及余量的水,碱为氢氧化钠或者氢氧化钾,在超声条件下进行,并控温25℃,蚀刻时间为30min;第二蚀刻液进行刻蚀时,在超声条件下进行,并控温25℃,蚀刻时间10min,形成线路图形,得到陶瓷覆铜基板。
以上显示和描述了本发明创造的基本原理和主要特征及本发明的优点,本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明创造精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内,本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
SA、对铜箔的一个表面进行氧化,在该表面形成氧化层;
SB、在陶瓷基板上预设位置打若干通孔;
SC、将铜箔具有氧化层的一个表面与陶瓷基板贴合,然后共烧结,冷却后得到表面具有铜箔的陶瓷覆铜基板;
SD、将陶瓷覆铜基板的铜箔一侧进行贴膜、曝光、显影处理,所述通孔内的靠近铜箔一侧贴膜,所述曝光区域宽度小于通孔宽度;
SE、然后采用刻蚀液进行蚀刻,形成线路图形,得到所述陶瓷覆铜基板,所述刻蚀液刻蚀区域经过通孔区域;
SF、在所述陶瓷基板上加工掰断痕,所述掰断痕经过通孔,步骤SF中,掰断痕为激光加工出的线状分布的盲孔。
2.根据权利要求1所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,对铜箔的一个表面进行氧化的步骤包括:将铜箔的一面放置于一个陶瓷垫板上,然后整体放入网带烧结炉中进行氧化;所述陶瓷垫板为氧化铝陶瓷片。
3.根据权利要求1所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,步骤SC中,共烧结的温度为1081-1083℃。
4.根据权利要求1所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,步骤SE中,所述刻蚀液包括1%-5%碱、2%-8%过氧化氢以及余量的水,所述碱为氢氧化钠或者氢氧化钾。
5.根据权利要求1所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,步骤SE中,在超声条件下进行,并控温≤25℃,蚀刻时间为20min~45min。
6.根据权利要求 1 所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,步骤 SA中,所述铜箔的厚度为0.2-0.4mm 。
7.根据权利要求 1所述的带孔陶瓷生产带引脚陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,步骤 SB中,所述陶瓷基板的厚度为 0.2-1.5mm。
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