CN116435296A - 显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置。该显示面板的制备方法包括：提供驱动基板；驱动基板包括多个焊盘组；通过第一掩膜板在驱动基板上制作栅格挡墙；栅格挡墙与驱动基板形成多个呈阵列排列的像素开口，每个像素开口中设有一个焊盘组；在栅格挡墙远离驱动基板的一侧制作反射层，并使反射层至少覆盖栅格挡墙的侧壁；将发光元件转移至驱动基板，并与焊盘组对位键合；通过第一掩模板制作透镜阵列；透镜阵列包括多个透镜单元，透镜单元与像素开口一一对应设置，用于对像素开口中的光线进行聚拢。该显示面板的制备方法可提高像素单元的光线利用率以及发光面积，且可降低生产成本。

Description

显示面板及其制备方法和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的制备方法及显示装置。

背景技术

随着科技现代化的不断深入与发展，显示技术成为信息交互及智能化发展的关键环节之一，人们对显示技术的要求越来越高。其中，微发光二极管（Micro-LED）所展现出的高对比度、快响应、广视角、长寿命等突出特点，已经引起了全行业的广泛研究。

在现有技术中，Micro-LED作为电流驱动的自发光单元，每个像素单元内的Micro-LED会向像素单元空间中的各个方向均匀发光，但能够穿透显示模组的光才是真正的有用光，因此每个像素单元内，发光单元的光的利用率较低，像素单元内的发光面积较小。为提高发光单元的光的利用率，通常会在像素单元内设置提高光线利用率的组件，以提高光线利用率；然而，设置组件提高发光单元的光的利用率，增加了显示面板生产成本。

发明内容

本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，旨在解决现有技术中显示面板中像素单元的光利用率低以及生产成本增加的问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板的制备方法。该制备方法包括：

提供驱动基板；所述驱动基板包括多个焊盘组；

通过第一掩膜板在驱动基板上制作栅格挡墙；所述栅格挡墙与所述驱动基板形成多个呈阵列排列的像素开口，每个所述像素开口中设有一个所述焊盘组；

在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层，并使所述反射层至少覆盖所述栅格挡墙的侧壁；

将发光元件转移至所述驱动基板，并与所述焊盘组对位键合；

通过所述第一掩模板制作透镜阵列；所述透镜阵列包括多个透镜单元，所述透镜单元与所述像素开口一一对应设置，用于对所述像素开口中的光线进行聚拢。

其中，所述通过第一掩模板在驱动基板上制作栅格挡墙的步骤包括：

在所述驱动基板上涂布光刻胶，形成光阻层；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角，以及所述栅格挡墙的顶壁与底壁之间的高度；

通过所述第一掩模板对所光阻层进行曝光处理；

对曝光处理后的所述光阻层进行显影处理，以形成所述栅格挡墙；其中，所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角为第一预设值，所述第一预设值小于90°，所述栅格挡墙的底壁与顶壁之间的高度为第二预设值，所述像素开口的出光面积为第三预设值。

其中，通过所述第一掩膜板制作透镜阵列的步骤包括：

在所述发光元件远离所述驱动基板的一侧涂布透明光刻胶，所述透明光刻胶至少填充于所述像素开口内；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述透镜单元的厚度和聚光程度；

通过所述第一掩膜板对所述透明光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述透明光刻胶进行显影处理，形成所述透镜阵列；所述透镜单元向远离所述发光元件的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口中的光线进行聚拢；其中，所述透镜单元远离所述发光元件的一侧的表面高于所述栅格挡墙的顶壁，且所述透镜单元的边缘与所述栅格挡墙的顶壁齐平。

其中，通过所述第一掩膜板制作透镜阵列的步骤包括：

提供透明基板；

在所述透明基板的一侧涂布透明光刻胶；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述透镜单元的厚度和聚光程度；

通过所述第一掩膜板对涂布的所述透明光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述透明光刻胶进行显影处理，形成所述透镜阵列；所述透镜单元向远离所述透明基板的一侧凸起形成弧面；所述透镜阵列与所述透明基板形成透镜基板；其中，用于制作所述栅格挡墙的光刻胶为正性光刻胶，用于制作所述透镜阵列的透明光刻胶为负性光刻胶；所述发光元件为微发光二极管或次毫米发光二极管；

所述制备方法还包括：

将所述透镜基板对位盖设于所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，并使所述透镜阵列位于所述透明基板靠近所述驱动基板的一侧，且所述透镜单元位于所述像素开口中，与所述像素开口一一对应设置，以对所述像素开口中的光线进行聚拢。

其中，所述在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层的步骤之前还包括：在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作封装层，并使所述焊盘组暴露；具体包括：

在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧涂布光刻胶；

通过第二掩膜板对涂布的光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，形成所述封装层；

其中，所述封装层沿所述栅格挡墙的表面延伸，且覆盖所述栅格挡墙和对应于所述像素开口的部分所述驱动基板，所述封装层具有通孔，以使所述焊盘组暴露。

其中，所述在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层，并使所述反射层至少覆盖所述栅格挡墙的侧壁的步骤包括：

在所述封装层远离所述驱动基板的一侧涂布含有金属氧化物纳米颗粒的反射光刻胶；

通过所述第二掩膜板对涂布的所述反射光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述反射光刻胶进行显影处理，形成所述反射层；所述反射层覆盖所述栅格挡墙和所述封装层，用于将所述发光元件的出射光反射至所述像素开口的出光面。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种显示面板。所述显示面板包括：

驱动基板，包括多个焊盘组；

栅格挡墙，设置于所述驱动基板的一侧，与所述驱动基板形成多个呈阵列排列的像素开口，每个所述像素开口中设有一个所述焊盘组；

反射层，所述反射层设置于所栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，且至少覆盖所栅格挡墙的侧壁；

发光元件，设置于所述像素开口内且与所述焊盘组对位键合，以使所述驱动基板驱动所述发光元件发光；

透镜阵列，包括多个透镜单元，所述透镜单元与所述像素开口一一对应设置，用于对所述像素开口中的光线进行聚拢；

其中，所述栅格挡墙的材料包括正性光刻胶材料，所述透镜阵列的材料包括负性光刻胶的材料，以使所述栅格挡墙和所述透镜阵列均通过第一掩模板制作而成。

其中，所述透镜阵列设置于所述驱动基板上，所述透镜单元填充于对应的所述像素开口内且向远离所述发光元件的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口内的光线进行聚拢；或，

所述显示面板还包括透明基板，盖设于所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，所述透镜阵列设置于所述透明基板靠近所述驱动基板的一侧，所述透镜单元向远离所述透明基板的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口内的光线进行聚拢。

其中，所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角为第一预设值，所述第一预设值小于90°；所述栅格挡墙的底壁与顶壁之间的高度为第二预设值；

所述显示面板还包括封装层，设置于所述发光元件与所述驱动基板之间，所述封装层沿所述栅格挡墙的表面延伸且覆盖所述栅格挡墙以及对应于所述像素开口的部分所述驱动基板，所述封装层具有通孔，以使所述焊盘组暴露；

所述反射层覆盖于所述封装层远离所述栅格挡墙的一侧的表面；所述反射层的材料包括金属氧化物纳米颗粒和有机树脂；所述封装层和所述反射层均通过第二掩膜板制作而成。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种显示装置。所述显示装置包括显示面板，所述显示面板由如上述技术方案所涉及的制备方法所制得。

本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置，该显示面板的制备方法通过在栅格挡墙远离驱动基板的一侧制作反射层，并使反射层至少覆盖栅格挡墙的侧壁，使得像素开口内的光线能够通过反射层反射至出光面，从而提高光线利用率和像素开口的出光面积；通过制作透镜阵列，并将透镜阵列的透镜单元与像素开口一一对应设置，以用于对像素开口中的光线进行聚拢，从而进一步提升发光元件的发光效率以及发光亮度。进一步地，本申请通过采用第一掩膜板制作栅格挡墙和透镜阵列，即，采用同一掩膜板制作栅格挡墙和透镜阵列，无需另外设计和制作掩膜板，以用于制作透镜阵列，节省了掩膜板的额外成本，从而节省生产成本，提高产品竞争力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图；

图2是图1中A-A向的剖视结构示意图；

图3是本申请一实施例提供的第一掩膜板的结构示意图；

图4是第二实施例提供的显示面板的结构示意图；

图5是本申请第三实施例提供的显示面板的结构示意图；

图6是本申请第四实施例提供的显示面板的结构示意图；

图7是本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图；

图8是图7中步骤S2的一实施方式提供的流程示意图；

图9是图7中步骤S5的第一实施方式提供的流程示意图；

图10是图7中步骤S5的第二实施方式提供的流程示意图；

图11是本申请一实施方式提供的制作封装层的流程示意图；

图12是图7中步骤S3的一实施方式提供的流程示意图；

图13是本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。

附图标记：

100-显示面板；10-驱动基板；11-焊盘组；111-第一焊盘；112-第二焊盘；20-栅格挡墙；201-底壁；202-顶壁；203-侧壁；21-第一挡墙；22-第二挡墙；23-像素开口；30-发光元件；31-电极；311-第一电极；312-第二电极；32-半导体发光层；40-封装层；50-反射层；60-透镜阵列；61-透镜单元；70-透明基板；80-第一掩膜板；81-第一区域；82-第二区域；200-控制模块；X-第一方向；Y-第二方向。

具体实施方式

下面结合说明书附图，对本申请实施例的方案进行详细说明。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

下面结合附图和实施例对本申请进行详细地说明。

请参阅图1和图2，图1是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图，图2是图1中A-A向的剖视结构示意图。在本实施例中，提供一种显示面板100，该显示面板100包括驱动基板10、栅格挡墙20、发光元件30和透镜阵列60。其中，驱动基板10用于驱动发光元件30发光，驱动基板10具体包括多个焊盘组11，每个焊盘组11包括第一焊盘111和第二焊盘112，分别用于与发光元件30的两个电极31对位键合，从而向发光元件30提供驱动信号，驱动发光元件30发光。

其中，栅格挡墙20设置于驱动基板10上，且与驱动基板10形成多个呈阵列排列的像素开口23，每个像素开口23中设有一个焊盘组11和一个发光元件30。具体地，栅格挡墙20具有多个栅格结构，多个栅格结构可按照显示面板100的像素排列规律进行排列，例如按阵列方式排列成M行N列，以用于阻挡侧向漏光，防止相邻发光元件30之间发生串色现象，即类似于黑矩阵（Black Matrix，BM）。具体地，栅格挡墙20包括多个沿第一方向X延伸的第一挡墙21和多个沿第二方向Y延伸的第二挡墙22；其中，第一方向X和第二方向Y相交，在本申请实施例中，以第一方向X与第二方向Y垂直为例进行说明；多个第一挡墙21和多个第二挡墙22围设形成多个栅格结构。第一挡墙21和第二挡墙22均包括相对的顶壁202和底壁201，以及连接顶壁202与底壁201的侧壁203；其中，第一挡墙21和第二挡墙22靠近驱动基板10的一侧的表面为底壁201，第一挡墙21和第二挡墙22远离驱动基板10的一侧的表面为顶壁202，顶壁202与底壁201相互平行。具体地，第一挡墙21和第二挡墙22的横截面可为梯形，即侧壁203与底壁201之间的夹角为锐角，从而使得发射至侧壁203位置的光线能够被反射出去，从而使得光线能够穿透像素开口23传播至用户眼中，提高光线利用率。具体地，栅格挡墙20的材质可为不透明的光刻胶，例如黑色光刻胶，以通过掩膜板曝光显影的方式对黑色光刻胶进行刻蚀形成栅格挡墙20。

其中，透镜阵列60设置于驱动基板10上，透镜阵列60包括多个透镜单元61，多个透镜单元61与像素开口23一一对应设置，用于对像素开口23中的光线进行聚拢，从而提高像素开口23内发光元件30的发光效率和显示亮度。在本实施例中，多个透镜单元61填充于对应的像素开口23中，且透镜单元61向远离发光元件30的一侧凸起形成弧面，以用于对像素开口23中的光线进行聚拢。具体地，透镜单元61远离发光单元的一侧的弧面的曲率可根据实际需要进行设置，例如可根据发光元件30的尺寸、出光角度以及发光元件30与弧面之间的距离等参数进行调整，以使透镜单元61的聚光效果满足需要。具体地，透镜单元61的中心轴可与发光元件30的发光中心轴同轴设置，以提高透镜单元61的聚光效果。当然，透镜单元61的中心轴也可与发光单元的发光中心轴不共线或呈一定夹角设置，以对发光单元的发光中心进行偏移，使得像素开口23中的光线能够满足使用需求。

具体地，在本实施例中，透镜单元61远离发光元件30的一侧的表面高于栅格挡墙20的顶壁202，且透镜单元61的边缘与栅格挡墙20的顶壁202齐平，既能够不增加显示面板100的整体厚度，还使得对应像素开口23内的光线能够更多地通过该透镜单元61，从而提高透镜单元61的聚光效果。透镜单元61的厚度可根据实际需要进行设置，对此不作具体限制。

具体地，透镜单元61的材料具体可为透明树脂材料。透镜阵列60可使用掩膜板进行曝光显影后形成。由于透镜阵列60对应像素开口23设置，使得透镜阵列60与栅格挡墙20可使用同一掩膜板进行制作，无需另外设计和制作掩膜板以用于制作透镜阵列60，节省了掩膜板的额外成本，从而节省了生产成本，提高产品竞争力。

请参阅图3，图3是本申请一实施例提供的第一掩膜板80的结构示意图。在本实施例中，第一掩膜板80用于制作栅格挡墙20和透镜阵列60。具体地，第一掩膜板80包括第一区域81和第二区域82，第一区域81与栅格挡墙20对应，第一区域81的形状与栅格挡墙20的形状相同，第二区域82与透镜阵列60对应，第二区域82的形状与透镜阵列60的形状相同。其中，第一区域81具有多个呈阵列分布的孔洞，多个呈阵列分布的孔洞即为第二区域82。在制作栅格挡墙20和透镜阵列60时，用于制作栅格挡墙20的光刻胶为正性光刻胶，用于制作透镜阵列60的光刻胶为负性光刻胶，从而使得制作栅格挡墙20和制作透镜阵列60均可使用该第一掩膜板80，以节省显示面板100的生产成本。

在本实施例中，该显示面板100还包括反射层50，反射层50设置于栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧，且至少覆盖栅格挡墙20的侧壁203，以用于反射光线。具体的，反射层50可覆盖栅格挡墙20的顶壁202和侧壁203以及像素开口23中的部分驱动基板10，从而提高像素开口23内的光线的反射率，以提高发光元件30的光线利用率。具体地，反射层50材料可包括金属材质或有机材料，例如铝、铜、银或一些金属合金，有机材料例如可为掺杂有光吸收系数较小的金属氧化物纳米粒子的有机树脂，其在高温固化后具有镜面反光特性。

具体地，可通过调节栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的夹角的具体角度以对反射层50对光线的反射角度以及透镜单元61对光线的折射角度进行控制，从而使得像素开口23中的光线的传播方向能够按照使用需求进行聚拢，以提高光线利用率。同时，通过减小栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的角度，能够减小栅格挡墙20的顶壁202的宽度，增大像素开口23的顶端的宽度，以增大像素开口23的出光面积，以满足对像素单元的大尺寸需求。具体地，在制作栅格挡墙20时，可通调节曝光剂量和曝光参数，以对栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的角度进行控制，以满足实际需求。

在本实施例中，该显示面板100还包括封装层40，该封装层40设置于发光元件30与驱动基板10之间，以用于对焊盘组11和发光元件30的电极31进行保护，避免焊盘组11和发光元件30的电极31受到水氧等的侵蚀，同时还可提高发光元件30的键合稳定性，避免发光元件30松动或脱落。具体地，该封装层40的材料可包括透明有机树脂材料，通过掩膜板曝光显影后形成。

在本实施例中，封装层40具体设置于发光元件30与驱动基板10之间，并延伸至栅格挡墙20，且覆盖于栅格挡墙20，反射层50覆盖于封装层40远离栅格挡墙20的一侧，因此，封装层40与反射层50可使用同一掩膜板制作形成，从而进一步节省掩膜板的数量，以节省显示面板100的生产成本。

请参阅图4，图4是本申请第二实施例提供的显示面板100的结构示意图。在本实施例中，显示面板100还包括透明基板70，盖设于栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧，透明基板70靠近驱动基板10的一侧设有透镜阵列60，透镜阵列60包括多个透镜单元61，透镜单元61设置于像素开口23处，且与像素开口23一一对应设置，以用于对像素开口23中的光线进行聚拢。具体地，透镜单元61向远离透明基板70的一侧凸起形成弧面，以用于对像素开口23中的光线进行聚拢。与第一实施例中的透镜单元61相同或类似，透镜单元61远离透明基板70的一侧的弧面的曲率可根据实际需要进行设置，例如可根据发光元件30的尺寸、出光角度以及发光元件30与弧面之间的距离等参数进行调整，以使透镜单元61的聚光效果满足需要。具体地，透镜单元61的中心轴可与发光元件30的发光中心轴同轴设置，以提高透镜单元61的聚光效果。当然，透镜单元61的中心轴也可与发光单元的发光中心轴不共线或呈一定夹角设置，以对发光单元的发光中心进行偏移，使得像素开口23中的光线能够满足使用需求。

具体地，在本实施例中，透镜单元61的厚度可根据实际需要进行设置，对此不作具体限制。在制作时，先在透明基板70上制作透镜阵列60，以形成透镜基板，然后再将透镜基板对位盖设于栅格挡墙20上，并使透镜单元61位于像素开口23位置处，以与像素开口23一一对应设置，以对每个像素开口23内的光线进行聚拢，从而提高发光元件30的光线的有效利用率。

在本实施例中，透镜单元61的材料具体可为透明树脂材料。透镜阵列60同样采用第一掩膜板80进行曝光显影而形成，无需另外专门设计和制作相应的掩膜板，以用于制作透镜阵列60，节省了掩膜板的成本，从而节省显示面板100的生产成本。且由于透镜阵列60与栅格挡墙20均采用第一掩膜板80制作，使得透镜阵列60与像素开口23的匹配度更高，对位精度也更高，聚光效果也更精准。

具体地，透镜阵列60可使用掩膜板进行曝光显影后形成。由于透镜阵列60对应像素开口23设置，使得透镜阵列60与栅格挡墙20可使用同一掩膜板进行制作，无需另外设计和制作掩膜板以用于制作透镜阵列60，节省了掩膜板的额外成本，从而节省了生产成本，提高产品竞争力。

在本申请实施例中，发光元件30具体可为电流驱动型发光器件，例如发光二极管（Liquid Emitting Diode，LED）、次毫米发光二极管（Mini-LED）或微发光二极管（Micro-LED）等发光器件，具体可根据实际需要进行设置，对此不做具体限制，在本申请实施例中，以微发光二极管（Micro-LED）为例进行说明。发光元件30包括半导体发光层32、第一电极311和第二电极312，第一电极311和第二电极312分别与焊盘组11中的第一焊盘111和第二焊盘112对位键合，以使驱动基板10与发光元件30电连接，从而驱动发光元件30发光。具体地，多个发光元件30可包括第一发光元件30、第二发光元件30和第三发光元件30，第一发光元件30、第二发光元件30和第三发光元件30可分别用于发出红色光、绿色光和蓝色光，且第一发光元件30、第二发光元件30和第三发光元件30按照预设规律进行排列，以对图像进行全彩显示。

需要说明，由于Micro-LED晶粒是在蓝宝石外延片上制作，因此，Micro-LED的尺寸越小，价格也就越便宜，但是其发光源面积也就越小。因此当像素单元尺寸较大时，即像素开口23的面积较大时，传统的显示面板100往往存在小尺寸的发光元件30的发光面积和发光强度不能满足大尺寸像素单元的问题。而本申请实施例中，通过在栅格挡墙20上设置反射层50，以用于将发射至反射层50处的光线反射至像素开口23的出光面，从而提高光线的利用率，提高像素开口23的出光面积；进一步地，通过在像素开口23对应的位置设置透镜阵列60，以用于对像素开口23中的光线进行聚拢，从而进一步提升发光元件30的发光效率以及发光亮度，从而使得小尺寸的发光元件30能够适用于尺寸更大的像素开口23，即本申请实施例提供的显示面板100能够在保证较大的发光面积和发光强度的前提下，实现小尺寸的发光元件30适用于尺寸更大的像素单元，能够进一步降低生产成本。

请参阅图5和图6，图5是本申请第三实施例提供的显示面板100的结构示意图，图6是本申请第四实施例提供的显示面板100的结构示意图。不同的是，在第三实施例中，透镜单元61填充于像素开口23中并覆盖发光元件30，透镜单元61远离发光元件30的一侧的表面为弧面；在第四实施例中，透镜单元61设置于透明基板70靠近驱动基板10的一侧，且与像素开口23对位设置。相同的是，在这两个实施例中，栅极挡墙的高度提高至第一预设值，栅极挡墙的侧壁203与底壁201之间的夹角减小至第二预设值，像素开口23的出光面积提高至第三预设值。具体地，在第一实施例和第二实施例中，栅格挡墙20的原始高度为h1，侧壁203与底壁201之间的夹角为α，使得像素开口23的宽度为a1、像素开口23的出光面积为S1；在第三实施例和第四实施例中，栅格挡墙20的高度提高至h2，侧壁203与底壁201之间的夹角为β，从而使得像素开口23的宽度增加至a2、出光面积提升至S2，其中，h2＞h1，α＞β，a2＞a1，S2＞S1。需要说明，本申请实施例中，栅格挡墙20的高度是指底壁201与顶壁202之间的高度。在这两个实施例中，通过提高栅极挡墙的高度和/或减小栅极挡墙侧壁203与底壁201之间的夹角的角度，从而提高像素开口23的开口面积，进而提高像素开口23的出光面积。

具体地，在制作栅格挡墙20时，同样可使用第一掩膜板80，在对光刻胶进行曝光前，通过调整曝光剂量和曝光参数，通过调节紫外光透过第一掩模板的剂量、对比度、光刻胶粘度等，以对栅格挡墙20的高度、栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的夹角进行调节，以满足像素开口23的开口面积需要；通过该方式，依然可使用原有第一掩膜板80，无需重新设计和制作第一掩膜板80，从而既能满足像素开口23大尺寸的要求，还能进一步节省生产成本。

具体地，传统的显示面板，其栅格挡墙的高度为h1，栅格挡墙的侧壁与底壁之间的角度为α，像素单元的出光面积为S0；本申请实施例通过设置透镜阵列60，能够有效提高像素单元的光线利用率，从而有效提高发光面积和发光亮度；进一步地，本申请实施例通过提高栅格挡墙20的高度至h2，减小栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的角度至β，能够增大像素开口23的面积，以形成大尺寸像素单元，并通过设置透镜阵列60，以提高像素开口23内的光线利用率，从而提高像素开口23的实际出光面积至S2，并有效提高像素单元的发光亮度，以满足大尺寸像素单元的出光面积和亮度的需求；与传统显示面板相比，本申请实施例提供的显示面板，其像素单元的发光面积可提升约1.3~1.8倍，基本上可提升1.5倍以上。进一步地，在第三实施例和第四实施例中，还可通过增大发光元件的驱动电压的方式，以进一步提高发光元件的发光亮度，从而进一步提高像素单元的亮度，以满足大尺寸像素单元对于发光亮度的需求，以提高该显示面板的显示亮度和显示效果。

通过上述设置，在本申请实施例中，采用小尺寸的发光元件就能满足大尺寸像素单元的使用需求，能够有效减少发光元件的成本，从而降低显示面板的生产成本。

具体地，上述显示面板100的制备方法如下文所述，此处不做具体介绍，具体可参见下文。

请参阅图7，图7是本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程示意图。在本实施方式中，提供一种显示面板100的制备方法，该制备方法可用于制备上文实施例中所涉及的显示面板100，该显示面板100的制备方法具体包括以下步骤：

S1：提供驱动基板10；驱动基板10包括多个焊盘组11；

S2：通过第一掩膜板80在驱动基板10上制作栅格挡墙20；栅格挡墙20与驱动基板10形成多个呈阵列排列的像素开口23，每个像素开口23中设有一个焊盘组11；

S3：在栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧制作反射层50，并使反射层50至少覆盖栅格挡墙20的侧壁203；

S4：将发光元件30转移至驱动基板10，并与焊盘组11对位键合；

S5：通过第一掩模板制作透镜阵列60；透镜阵列60包括多个透镜单元61，透镜单元61与像素开口23一一对应设置，用于对像素开口23中的光线进行聚拢。

其中，提供的驱动基板10包括多个焊盘组11，焊盘组11具体呈阵列方式排布，每个焊盘组11包括第一焊盘111和第二焊盘112，分别用于与发光元件30的第一电极311和第二电极312对位键合，以驱动发光元件30发光。

在本实施方式中，通过在栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧制作反射层50，并使反射层50至少覆盖栅格挡墙20的侧壁203，使得像素开口23内的光线能够通过反射层50反射至出光面，从而提高光线利用率和像素开口23的出光面积；通过制作透镜阵列60，并将透镜阵列60的透镜单元61与像素开口23一一对应设置，以用于对像素开口23中的光线进行聚拢，从而进一步提升发光元件30的发光效率以及发光亮度。进一步地，本申请通过采用第一掩膜板80制作栅格挡墙20和透镜阵列60，即，采用同一掩膜板制作栅格挡墙20和透镜阵列60，无需另外设计和制作掩膜板，以用于制作透镜阵列60，节省了掩膜板的额外成本，从而节省生产成本，提高产品竞争力。在本实施方式中，通过先制作栅格挡墙20后，再转移发光元件30至驱动基板上，并将发光元件30对位键合至焊盘组11上，由于栅格挡墙20与驱动基板10之间形成的多个凹槽结构的像素开口23，使得发光元件的对位精度更高，发光元件的位置相对更加固定，不易移位。

具体地，请参阅图8，图8是图7中步骤S2的一实施方式提供的流程示意图。在本实施方式中，上述步骤S2具体包括以下步骤：

S21：在驱动基板10上涂布光刻胶，形成光阻层；

S22：调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的夹角，以及栅格挡墙20的顶壁202与底壁201之间的高度；

S23：通过第一掩模板对所光阻层进行曝光处理；

S24：对曝光处理后的光阻层进行显影处理，以形成栅格挡墙20。

其中，在涂布光刻胶之前，需要对驱动基板10进行预处理，将驱动基板10进行前端清洗和烘干。经过预处理后，通过位于驱动基板10上方的涂布装置对驱动基板10涂覆光刻胶，完成光刻胶的涂布工序。其中，光刻胶具体可为用于制作黑矩阵的黑色光刻胶，且光刻胶为正性光刻胶。

其中，在步骤S22中，在对光刻胶进行曝光处理之前，需要对曝光装置的参数进行调节，通过调节紫外光的曝光剂量和曝光参数，以对栅格挡墙20的侧壁203倾斜度以及栅格挡墙20的高度进行调整，以使后序形成的栅格挡墙20的侧壁203倾斜度和栅格挡墙20的高度能够达到预设值。从而通过曝光、显影以及固化处理后，形成栅格挡墙20，且栅格挡墙20的侧壁203与底壁201之间的夹角为第一预设值，第一预设值小于90°，即侧壁203与底壁201之间的夹角为锐角，栅格挡墙20的底壁201与顶壁202之间的高度为第二预设值，像素开口23的出光面积为第三预设值。具体地，通过该实施方式制作的栅格挡墙20的具体结构和功能与上文实施例中所涉及的栅格挡墙20的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参考上文具体介绍，此处不再赘述。

具体地，在上述实施方式中，可通过调节紫外光的曝光剂量以及曝光参数对栅格挡墙20的高度以及侧壁203倾斜度进行调整，以使像素开口23的开口面积达到预设值，从而使得像素开口23的出光面积达到第三预设值，通过第一掩膜板80，既能制作小尺寸像素单元，也可制作大尺寸像素单。

请参阅图9，图9是图7中步骤S5的第一实施方式提供的流程示意图。在本实施方式中，上述步骤S5具体包括以下步骤：

S511：在发光元件30远离驱动基板10的一侧涂布透明光刻胶，透明光刻胶至少填充于像素开口23内；

S512：调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整透镜单元61的厚度和聚光程度；

S513：通过第一掩膜板80对透明光刻胶进行曝光处理；

S514：对曝光处理后的透明光刻胶进行显影处理，形成透镜阵列60；透镜单元61向远离发光元件30的一侧凸起形成弧面，以对像素开口23中的光线进行聚拢。

在本实施例中，透明光刻胶可为负性光刻胶，通过调节紫外曝光剂量和曝光参数，以对透镜单元61的厚度和聚光程度进行调整，以使透镜单元61的聚光效果满足使用需求。具体地，通过该实施方式制作的透镜阵列60的具体结构和功能与上文第一实施例中所涉及的透镜阵列60的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参考上文具体介绍，此处不再赘述。通过设置透镜阵列60，以对像素开口23中的光线进行聚拢，从而提高光线利用率以及发光亮度，以在保证亮度的情况下，能够满足大尺寸的像素单元的需求。

具体地，透镜单元61远离发光元件30的一侧的表面高于栅格挡墙20的顶壁202，且透镜单元61的边缘与栅格挡墙20的顶壁202齐平，既能够不增加显示面板100的整体厚度，还使得对应像素开口23内的光线能够更多地通过该透镜单元61，从而提高透镜单元61的聚光效果。透镜单元61的厚度可根据实际需要进行设置，对此不作具体限制。

请参阅图10，图10是图7中步骤S5的第二实施方式提供的流程示意图。在本实施方式中，上述步骤S5具体包括以下步骤：

S521：提供透明基板70；

S522：在透明基板70的一侧涂布透明光刻胶；

S523：调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整透镜单元61的厚度和聚光程度；

S524：通过第一掩膜板80对涂布的透明光刻胶进行曝光处理；

S525：对曝光处理后的透明光刻胶进行显影处理，形成透镜阵列60；透镜单元61向远离透明基板70的一侧凸起形成弧面。

在本实施方式中，透镜阵列60不直接在驱动基板10上制作，而是在另一透明基板70上制作，并且通过第一掩膜板80制作透镜阵列60，使得形成的透镜阵列60中的透镜单元61能够与像素开口23一一对应，无需担心透镜单元61的位置精度问题，且通过使用第一掩模板制作透镜阵列60，无需额外设计和制作掩膜板以用于制作透镜阵列60，能够有效节省成产成本，提高产品竞争力。通过本实施方式制作的透镜阵列60，与上文第二实施例中所涉及的透镜阵列60的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参考上文具体介绍，此处不再赘述。

在本实施方式中，在透明基板70上制作透镜阵列60后，得到透镜基板。在步骤S5之后，还包括步骤S6：将透镜基板对位盖设于栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧，并使透镜阵列60位于透明基板70靠近驱动基板10的一侧，且透镜单元61位于像素开口23中，与像素开口23一一对应设置，以对像素开口23中的光线进行聚拢。

具体地，将透镜基板对位盖设于栅格挡墙20上时，可通过透明光学胶层将透镜基板固定与栅格挡墙20上，避免外部灰尘以及水氧等进入面板内，使得显示面板100亮度降低或发光元件30与焊盘组11之间的键合失效导致暗点的问题。

请参阅图11，图11是本申请一实施方式提供的制作封装层的流程示意图。在本实施方式中，显示面板100的制备方法还包括步骤S7：在栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧制作封装层40，并使焊盘组11暴露。具体地，步骤S7在步骤S2和步骤S3之间，步骤S7具体包括以下步骤：

S71：在栅格挡墙20远离驱动基板10的一侧涂布光刻胶；

S72：通过第二掩膜板对涂布的光刻胶进行曝光处理；

S73：对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，形成封装层40。

在本实施方式中，该封装层40形成于发光元件30与驱动基板10之间，并延伸至栅格挡墙20，且覆盖于栅格挡墙20，以用于对焊盘组11和发光元件30的电极31进行保护，避免焊盘组11和发光元件30的电极31受到水氧等的侵蚀，同时还可提高发光元件30的键合稳定性，避免发光元件30松动或脱落。且封装层40具有通孔，以使焊盘组11暴露，以方便后序与发光元件30进行热压键合。

请参阅图12，图12是图7中步骤S3的一实施方式提供的流程示意图。在本实施方式中，步骤3具体包括以下步骤：

S31：在封装层40远离驱动基板10的一侧涂布含有金属氧化物纳米颗粒的反射光刻胶；

S32：通过第二掩膜板对涂布的反射光刻胶进行曝光处理；

S33：对曝光处理后的反射光刻胶进行显影处理，形成反射层50；反射层50覆盖栅格挡墙20和封装层40，用于将发光元件30的出射光反射至像素开口23的出光面。

在本实施方式中，反射光刻胶包括有机树脂和金属氧化物纳米颗粒，其中，金属氧化物纳米颗粒为对光的吸收系数较小的金属氧化物纳米颗粒，例如氧化铝纳米颗粒、氧化锌纳米颗粒等纳米颗粒或其混合物，以使后续经过高温固化后形成的反射层50具有镜面反光特性。具体地，金属氧化物纳米颗粒的掺杂浓度可根据实际需要进行设置，对此不做具体限定。具体地，通过该实施方式形成的反射层50的具体结构和功能与上文实施例中所涉及的反射层50的具体结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参考上文详细介绍，此处不在赘述。

通过上述实施方式形成的反射层50覆盖于封装层40远离栅格挡墙20的一侧，其表面形状和大小与填充层相同，因此，封装层40与反射层50均可使用第二掩膜板制作形成，从而进一步节省掩膜板的数量，以节省显示面板100的生产成本。

通过上述实施方式制备显示面板，能够使用原有的配套掩膜板，无需额外增加掩膜板用于制作透镜阵列和封装层，使得显示面板不仅能够增大像素单元发光面积和亮度，提升显示效果，而且能够节省生产成本。同时，通过上述实施方式的制备方法，采用小尺寸的发光元件就能满足大尺寸像素单元的使用需求，能够有效减少发光元件的成本，从而进一步降低显示面板的生产成本。

请参阅图13，图13是本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。在本实施例中，显示装置包括显示面板100和控制模块200，其中，控制模块200电连接于显示面板100，以向显示面板100提供控制信号，以驱动显示面板100显示相应图像。

具体的，该控制模块200可用于向显示面板100提供扫描信号、数据信号、时钟信号、电源信号等显示面板100所需的各种控制信号，以支持显示面板100工作。该显示面板100的具体结构和功能与上文实施例中所涉及的显示面板100的结构和功能相同或相似，且可实现相同的技术效果，具体可参考上文的详细介绍，此处不再赘述。具体地，该显示面板100可由上文实施方式提供的显示面板100的制备方法所制得，具体制备方法可参考上文详细介绍，此处不再赘述。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供驱动基板；所述驱动基板包括多个焊盘组；

通过第一掩膜板在驱动基板上制作栅格挡墙；所述栅格挡墙与所述驱动基板形成多个呈阵列排列的像素开口，每个所述像素开口中设有一个所述焊盘组；

在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层，并使所述反射层至少覆盖所述栅格挡墙的侧壁；

将发光元件转移至所述驱动基板，并与所述焊盘组对位键合；

通过所述第一掩膜板制作透镜阵列；所述透镜阵列包括多个透镜单元，所述透镜单元与所述像素开口一一对应设置，用于对所述像素开口中的光线进行聚拢。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过第一掩模板在驱动基板上制作栅格挡墙的步骤包括：

在所述驱动基板上涂布光刻胶，形成光阻层；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角，以及所述栅格挡墙的顶壁与底壁之间的高度；

通过所述第一掩模板对所光阻层进行曝光处理；

对曝光处理后的所述光阻层进行显影处理，以形成所述栅格挡墙；其中，所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角为第一预设值，所述第一预设值小于90°，所述栅格挡墙的底壁与顶壁之间的高度为第二预设值，所述像素开口的出光面积为第三预设值。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过所述第一掩膜板制作透镜阵列的步骤包括：

在所述发光元件远离所述驱动基板的一侧涂布透明光刻胶，所述透明光刻胶至少填充于所述像素开口内；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述透镜单元的厚度和聚光程度；

通过所述第一掩膜板对所述透明光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述透明光刻胶进行显影处理，形成所述透镜阵列；所述透镜单元向远离所述发光元件的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口中的光线进行聚拢；其中，所述透镜单元远离所述发光元件的一侧的表面高于所述栅格挡墙的顶壁，且所述透镜单元的边缘与所述栅格挡墙的顶壁齐平。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过所述第一掩膜板制作透镜阵列的步骤包括：

提供透明基板；

在所述透明基板的一侧涂布透明光刻胶；

调节曝光剂量和曝光参数，以用于调整所述透镜单元的厚度和聚光程度；

通过所述第一掩膜板对涂布的所述透明光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述透明光刻胶进行显影处理，形成所述透镜阵列；所述透镜单元向远离所述透明基板的一侧凸起形成弧面；所述透镜阵列与所述透明基板形成透镜基板；其中，用于制作所述栅格挡墙的光刻胶为正性光刻胶，用于制作所述透镜阵列的透明光刻胶为负性光刻胶；所述发光元件为微发光二极管或次毫米发光二极管；

所述制备方法还包括：

将所述透镜基板对位盖设于所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，并使所述透镜阵列位于所述透明基板靠近所述驱动基板的一侧，且所述透镜单元位于所述像素开口中，与所述像素开口一一对应设置，以对所述像素开口中的光线进行聚拢。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层的步骤之前还包括：在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作封装层，并使所述焊盘组暴露；具体包括：

在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧涂布光刻胶；

通过第二掩膜板对涂布的光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，形成所述封装层；

其中，所述封装层沿所述栅格挡墙的表面延伸，且覆盖所述栅格挡墙和对应于所述像素开口的部分所述驱动基板，所述封装层具有通孔，以使所述焊盘组暴露。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧制作反射层，并使所述反射层至少覆盖所述栅格挡墙的侧壁的步骤包括：

在所述封装层远离所述驱动基板的一侧涂布含有金属氧化物纳米颗粒的反射光刻胶；

通过所述第二掩膜板对涂布的所述反射光刻胶进行曝光处理；

对曝光处理后的所述反射光刻胶进行显影处理，形成所述反射层；所述反射层覆盖所述栅格挡墙和所述封装层，用于将所述发光元件的出射光反射至所述像素开口的出光面。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

驱动基板，包括多个焊盘组；

栅格挡墙，设置于所述驱动基板的一侧，与所述驱动基板形成多个呈阵列排列的像素开口，每个所述像素开口中设有一个所述焊盘组；

反射层，所述反射层设置于所栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，且至少覆盖所栅格挡墙的侧壁；

发光元件，设置于所述像素开口内且与所述焊盘组对位键合，以使所述驱动基板驱动所述发光元件发光；

透镜阵列，包括多个透镜单元，所述透镜单元与所述像素开口一一对应设置，用于对所述像素开口中的光线进行聚拢；

其中，所述栅格挡墙的材料包括正性光刻胶材料，所述透镜阵列的材料包括负性光刻胶的材料，以使所述栅格挡墙和所述透镜阵列均通过第一掩模板制作而成。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述透镜阵列设置于所述驱动基板上，所述透镜单元填充于对应的所述像素开口内且向远离所述发光元件的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口内的光线进行聚拢；或，

所述显示面板还包括透明基板，盖设于所述栅格挡墙远离所述驱动基板的一侧，所述透镜阵列设置于所述透明基板靠近所述驱动基板的一侧，所述透镜单元向远离所述透明基板的一侧凸起形成弧面，以对所述像素开口内的光线进行聚拢。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述栅格挡墙的侧壁与底壁之间的夹角为第一预设值，所述第一预设值小于90°；所述栅格挡墙的底壁与顶壁之间的高度为第二预设值；

所述显示面板还包括封装层，设置于所述发光元件与所述驱动基板之间，所述封装层沿所述栅格挡墙的表面延伸且覆盖所述栅格挡墙以及对应于所述像素开口的部分所述驱动基板，所述封装层具有通孔，以使所述焊盘组暴露；

所述反射层覆盖于所述封装层远离所述栅格挡墙的一侧的表面；所述反射层的材料包括金属氧化物纳米颗粒和有机树脂；所述封装层和所述反射层均通过第二掩膜板制作而成。

10.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板，所述显示面板为如权利要求7-9中任一项所述的显示面板，且所述显示面板由如权利要求1-6中任一项所述的制备方法所制得。

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