CN116435171A - 复合薄膜及其制备方法 - Google Patents

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胡卉
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Abstract

本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠设置的衬底层、多孔层、隔离层和有源层。其中，多孔层中分布有用于捕获游离的载流子的捕获孔，即由于捕获孔能够富集载流子，从而抵抗隔离层的缺陷对载流子的吸引。另外，由于隔离层与衬底层被多孔层隔离开，所以隔离层的缺陷无法吸引衬底层中游离的载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上，进而解决了现有技术中衬底层与隔离层的接触界面上产生表面寄生电导效应的问题，改善了接触界面附近的有效电阻率，提高复合薄膜的整体性能。

Description

复合薄膜及其制备方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。
背景技术
薄膜材料能够满足电子元器件向小型化、低功耗以及高性能方向发展的要求，因此，其在半导体行业成为越来越重要的材料。近年来，一种具有绝缘体的薄膜材料越来越引起工业界的重视，其在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器等器件中都展现出良好的应用性能。该薄膜材料自上至下依次设置有源层、绝缘层和衬底层，其中，有源层与绝缘层为主要的功能层，以实现光、电和声等信号的传播。
由于，绝缘层靠近衬底层的界面上存在很多的缺陷能级，当绝缘层与衬底层直接接触时，缺陷能级会将衬底层中的载流子吸引至绝缘层与衬底层的接触界面附近，进而在衬底层产生表面寄生电导效应(ParasiticSurfaceConductance，PSC)，导致衬底层的有效电阻率发生改变，最终影响薄膜材料的整体性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，用以解决目前的薄膜材料的整体性能差的问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种复合薄膜，包括：
依次层叠设置的衬底层、多孔层、隔离层和有源层；
其中，多孔层中分布有捕获孔，捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上。
在一种可行的实现方式中，捕获孔的直径范围为0.5nm-50nm。
在一种可行的实现方式中，多孔层的厚度范围为300nm-5000nm。
在一种可行的实现方式中，多孔层的材质为硅或碳化硅。
在一种可行的实现方式中，复合薄膜还包括外延层，外延层位于衬底层与隔离层之间；
外延层至少覆盖界面的部分被配置为多孔层。
在一种可行的实现方式中，外延层在当衬底层与外延层的材质不同时均被配置为多孔层。
在一种可行的实现方式中，衬底层的材质为碳化硅，衬底层至少覆盖界面的部分被配置为多孔层。
第二方面，本申请实施例还提供了一种复合薄膜的制备方法，包括：
在衬底层上制备多孔层；
在多孔层上制备隔离层；
在隔离层背向多孔层的一侧设置有源层，以得到复合薄膜；
多孔层内分布有捕获孔，捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上；
在一种可行的实现方式中，在衬底层上制备多孔层，包括：
将衬底层至少覆盖界面的部分制备为多孔层。
在一种可行的实现方式中，在衬底层上制备多孔层，包括：
在衬底层朝向隔离层的一侧制备外延层；
将外延层至少覆盖界面的部分制备为多孔层。
在一种可行的实现方式中，将外延层至少覆盖界面的部分制备为多孔层，包括：
当外延层的材质为硅时，外延层至少覆盖界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，制备成多孔层。
在一种可行的实现方式中，将外延层至少覆盖界面的部分制备为多孔层，包括：
当外延层的材质为碳化硅时，外延层至少覆盖界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，且在阳极氧化法处理过程中同时采用300W碘钨灯照射，制备成多孔层。
在一种可行的实现方式中，阳极氧化法所用的电解液为氢氟酸和无水乙醇组成的混合液，氢氟酸和无水乙醇的体积配比范围为1:1-5:1；
和/或，阳极氧化法中的电流密度范围为15mA·cm-2-60mA·cm-2；
和/或，阳极氧化法中的氧化时间范围为10min-60-min；
和/或，阳极氧化法中的温度为25℃-30℃。
本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠设置的衬底层、多孔层和隔离层。其中，多孔层中分布有用于捕获游离的载流子的捕获孔，即由于捕获孔能够富集载流子，从而抵抗隔离层的缺陷对载流子的吸引。另外，由于隔离层与衬底层被多孔层隔离开，所以隔离层的缺陷无法吸引衬底层中游离的载流子聚集在隔离层朝向衬底层的界面上，进而解决了现有技术中衬底层与隔离层的接触界面处产生表面寄生电导效应的问题，改善了接触界面附近的有效电阻率，提高复合薄膜的整体性能。
附图说明
图1是本申请一实施例的复合薄膜的结构示意图；
图2是本申请另一实施例的复合薄膜的结构示意图；
图3是本申请一实施例的复合薄膜的制备方法的流程图；
图4是本申请另一实施例的复合薄膜的制备方法的流程图；
图5是本申请一实施例的复合薄膜制备过程图；
图6是本申请另一实施例的复合薄膜制备过程图。
附图标记说明：
100-衬底层；200-多孔层；300-隔离层；400-有源层；500-外延层。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
在本申请实施例的描述中，术语“第一”“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
薄膜材料能够满足电子元器件向小型化、低功耗以及高性能方向发展的要求，因此，其在半导体行业成为越来越重要的材料。近年来，一种具有绝缘体的薄膜材料越来越引起工业界的重视，其在CPU芯片、存储器、放大器、滤波器、调制器等器件中都展现出良好的应用性能。该薄膜材料自上至下依次设置有源层、绝缘层和衬底层，其中，有源层与绝缘层为主要的功能层，以实现光、电和声等信号的传播。
由于，绝缘层靠近衬底层的界面上存在很多的缺陷能级，当绝缘层与衬底层直接接触时，缺陷能级会将衬底层中的载流子吸引至绝缘层与衬底层的接触界面附近，进而在衬底层产生表面寄生电导效应(ParasiticSurfaceConductance，PSC)，导致衬底层的有效电阻率发生改变，最终影响薄膜材料的整体性能。
在某些实施例中，为了避免在衬底层产生表面寄生电导效应以及改善接触界面附近的有效电阻率，工作人员在绝缘层与衬底层之间引入能够捕获载流子的多晶硅层或非晶硅层。
然而，在薄膜材料生产过程中，多晶硅在高温下容易发生晶粒重构，晶粒重构后会得到均匀性差的晶粒，进而多晶硅层中用于捕获载流子的陷阱减少，使其无法有效捕获游离的载流子，部分载流子仍能到达隔离层朝向衬底层的界面，影响复合衬底的性能，导致最终生产出的薄膜材料性能差。
为了解决现有技术所生产出的薄膜材料性能差的问题，本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法。
以下本申请人将结合说明书附图对本申请实施例提供的方案进行详细说明。
图1是本申请一实施例的复合薄膜的结构示意图。
参考图1所示，本申请实施例提供了一种复合薄膜，包括依次层叠设置的衬底层100、多孔层200、隔离层300和有源层400。如图1所示，衬底层100设置在最下面，多孔层200设置在衬底层100的上表面，多孔层300的上表面设置有隔离层300，隔离层300的上表面则设置有源层400。
其中，衬底层100为复合薄膜的基础层，用于对位于其上方的多孔层200、隔离层300和有源层400进行支撑。示例性的，衬底层100的材质可为碳化硅(SIC)，并且该碳化硅材质的衬底层100的电阻率大于2K；其热膨胀系数与材质为钽酸锂的有源层的膨胀系数相近，且其高热导率可以保证器件散热，耐受温度更高。
有源层400为复合薄膜实现其功能的一层。隔离层300又称绝缘层，其设置在多孔层200与有源层400之间，用于将有源层400与其他层隔离开。
示例性的，有源层400的材质可为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、砷化镓、硅、陶瓷、四硼酸锂、砷化镓、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷晶体或石英中的任意一者。
在某些实施例中，隔离层300的材质可为二氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的任意一者。另外，可通过沉积或者氧化的方式制备隔离层300。沉积的方式在此不做限定，可以为化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)或者磁控溅射法。
其中，多孔层200中分布有捕获孔，捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免载流子聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上。
换句话说，其中，多孔层200中分布有用于捕获游离的载流子的捕获孔，即由于捕获孔能够富集载流子，从而抵抗隔离层300的缺陷对载流子的吸引。由于隔离层300与衬底层100被多孔层200隔离开，所以能够避免衬底层中游离的载流子移动并聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上，进而解决了现有技术中衬底层100产生表面寄生电导效应的问题，改善了接触界面附近的有效电阻率，提高复合薄膜的整体性能。
需要说明的是，在本申请中，隔离层300朝向衬底层100的界面是指多孔层200与隔离层300接触处的界面。
在某些实施例中，捕获孔的直径范围为0.5nm-50nm。示例性的，在本申请中捕获孔的直径可为40nm。可以理解的是，同样体积的多孔层200，捕获孔的直径越小，捕获孔的数量越多；反之，捕获孔的直径越大，捕获孔的数量越少。只要捕获孔的直径大小满足所要求的直径范围，其均可以捕获、富集载流子，从而避免游离的载流子被隔离层300中的缺陷吸引至隔离层300朝向衬底层100的界面上。
在某些实施例中，多孔层200的厚度范围为300nm-5000nm。示例性的，在本申请中多孔层的厚度可为800nm。经过试验得知，该厚度范围内的多孔层200能够有效将隔离层300与衬底层100间隔开，从而解决现有技术中衬底层100产生表面寄生电导效应的问题，改善了接触界面附近的有效电阻率，提高复合薄膜的整体性能。
在某些实施例中，多孔层200的材质为硅或碳化硅。
图2是本申请另一实施例的复合薄膜的结构示意图。
参考图2所示，复合薄膜还包括外延层500，外延层500位于衬底层100与隔离层300之间。外延层500至少覆盖界面的部分被配置为多孔层200。也即是说，外延层500至少朝向隔离层300的一侧被配置为多孔层200，且该多孔层200能够将隔离层300朝向外延层500的界面全覆盖，从而确保多孔层200能够将外延层500与隔离层300完全隔离开，以避免隔离层300中的缺陷对外延层500中游离的载流子进行吸引。
由于多孔层200中分布有捕获孔，捕获孔能够富集载流子，可以避免游离的载流子被隔离层300中的缺陷吸引至隔离层300朝向衬底层100的界面处。
换句话说，多孔层200中分布有捕获孔，捕获孔能够富集游离的载流子，从而隔离层300的缺陷无法将衬底层100中游离的载流子吸引至隔离层300朝向衬底层100的界面处。所以利用多孔层200将隔离层300与衬底层100隔开，以避免现有技术中的衬底层100中发生表面寄生电导效应的问题。
示例性的，外延层500可为硅或者碳化硅，可通过外延生长的方法在衬底层100的上表面(即朝向隔离层300的表面)制备与衬底层100同质或者异质的外延层500。
在某些实施例中，外延层500在当衬底层100与外延层500的材质不同时均被配置为多孔层200。
在另外一些实施例中，衬底层100的材质为碳化硅，衬底层100至少覆盖界面的部分被配置为多孔层200。可以理解的是，衬底层100朝向隔离层300的一侧的部分被制备成多孔层200，并且该多孔层200能够覆盖隔离层300朝向衬底层100的界面，从而确保多孔层200能够将隔离层300与衬底层100完全隔离开，利用多孔层200中分布的捕获孔富集载流子，以避免因隔离层300中缺陷的吸引使衬底层100中游离的载流子聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上。
图3是本申请一实施例的复合薄膜的制备方法的流程图，图4是本申请另一实施例的复合薄膜的制备方法的流程图；图5是本申请一实施例的复合薄膜的制备过程图；图6是本申请另一实施例的复合薄膜制备过程图。
参考图3所示，第二方面，本申请实施例还提供了一种复合薄膜的制备方法，包括：
S100：在衬底层100上制备多孔层200。
衬底层100的材质可为碳化硅，多孔层200的材质可为硅和碳化硅。其中，多孔层200的厚度范围为300mm-5000mm。
多孔层200内分布有直径范围为0.5nm-50nm的捕获孔，捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免载流子聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上。
参考图5所示，示例性的，当在衬底层100上制备多孔层200时，可将衬底层100至少覆盖隔离层300朝向衬底层100的界面的部分制备成多孔层200，以利用多孔层200将隔离层300与衬底层100间隔开。
参考图4所示，为了在衬底层100上制备多孔层200，也可以按照如下步骤进行：
S101：在衬底层100朝向隔离层300的一侧制备外延层500。
S102：将外延层500至少覆盖界面的部分制备为多孔层200。
参考图6所示，在制备复合薄膜的过程中，在衬底层100朝向隔离层300的一侧制备外延层500；然后将外延层500至少覆盖隔离层300朝向衬底层100的界面的部分制备为多孔层200。
示例性的，当外延层500朝向隔离层300的部分被制备成多孔层200，且该部分至少能覆盖隔离层300朝向衬底层100的界面，以确保多孔层200将隔离层300与外延层500完全隔离开，以避免因隔离层300中的缺陷对游离的载流子进行吸引，进而避免游离的载流子聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上。
当外延层500的全部被制备成多孔层200，多孔层200将隔离层300与衬底层100隔离开，以避免因隔离层300中的缺陷对游离的载流子进行吸引，进而避免游离的载流子聚集在隔离层300朝向衬底层100的界面上。
另外，在将外延层500的部分或者全部制备成多孔层200时，若外延层500的材质为硅时，外延层500至少覆盖界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，从而将外延层500的至少部分制备成多孔层200，需要说明的是，该界面是指隔离层300朝向衬底层100的界面。
其中，利用阳极氧化法对外延层500进行处理的条件是：电解液采用氢氟酸和无水乙醇组成的混合液，示例性的，氢氟酸和无水乙醇的体积配比范围为1:1-5:1；流密度范围为15mA·cm-2-60mA·cm-2；氧化时间范围为10min-60-min；温度为25℃-30℃。示例性的，氢氟酸和无水乙醇的体积配比范围为3:1；流密度范围为40mA·cm-2；氧化时间范围为30min；温度为25℃。
退火温度可以为300-1000度，且随着温度升高多孔层200中捕获孔的大小发生变化，进而可通过控制退火温度控制捕获孔的直径。
若外延层500的材质为碳化硅时，外延层500至少覆盖界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，且在阳极氧化法处理过程中同时采用300W碘钨灯对外延层500进行照射，最终才能将外延层500制备成多孔层200，需要说明的是，该界面是指隔离层300朝向衬底层100的界面。
同上，利用阳极氧化法对外延层500进行处理的条件是：电解液采用氢氟酸和无水乙醇组成的混合液，氢氟酸和无水乙醇的体积配比范围为1:1-5:1；流密度范围为15mA·cm-2-60mA·cm-2；氧化时间范围为10min-60-min；温度为25℃-30℃。示例性的，氢氟酸和无水乙醇的体积配比范围为3:1；流密度范围为40mA·cm-2；氧化时间范围为30min；温度为25℃。
退火温度可以为300-1000度，且随着温度升高多孔层200中捕获孔的大小发生变化，进而可通过控制退火温度控制捕获孔的直径。
S200：在多孔层200上制备隔离层300。
隔离层300的材质可以为二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅中的至少一者。制备隔离层300的方式可以为沉积法或热氧化法，并且沉积的方式不作限定，可以为化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)以及磁控溅射法。
当采用氧化方式制备隔离层300时，需对多孔硅层进行氧化处理。其中，多孔硅层中远离衬底的一侧被氧化形成二氧化硅层；氧化温度可以为900℃-1000℃；示例性的，在本申请中的氧化温度可为950℃。
隔离层300的厚度可以为200nm-3000nm，示例性的，在本申请中的方案中的隔离层300的厚度可为1000nm。
S300：在隔离层300背向多孔层200的一侧设置有源层400，以得到复合薄膜。
示例性的，在隔离层300背向多孔层200的一侧设置有源层400的过程中，通过离子注入法和键合分离法制备薄膜层，即有源层400。薄膜基体是指具有一定厚度的，用于得到薄膜层的基础材料，其材质可以为铌酸锂、钽酸锂或者石英材料，本申请对此不进行限定。
另外，在制作薄膜层的过程中，首先，由薄膜基体的一面向薄膜基体内部进行离子注入，从而在薄膜基体上形成薄膜层、注入层和余质层。
本申请实施例对所述离子注入的方式不作特别限定，可以使用现有技术中任意一种离子注入的方式，但是所注入的离子可以为通过热处理能够生成气体的离子，例如：氢离子、氦离子、氮离子、氧离子或氩离子。
示例性的，离子注入的离子可为氢离子，在注入氢离子时，注入剂量的范围可以为3×1016ions/cm2-8×1016ions/cm2，注入能量的范围可以为100KeV-400KeV。在某些实施例中，氢离子的注入计量为4×1016ions/cm2，注入能量为180KeV。
示例性的，离子注入的离子可为氦离子，在注入氦离子时，注入剂量可以为1×1016ions/cm2-1×1017ions/cm2，注入能量可以为50KeV-1000KeV。在某些实施例中，氦离子的注入剂量为4×1016ions/cm2，注入能量为200KeV。
需要说明的是，可以通过调整离子注入深度来调整薄膜层的厚度。离子注入的深度越大，所制备的薄膜层的厚度越大；相反，离子注入的深度越小，所制备的薄膜层的厚度越小。另外，还可以通过调整离子注入剂量来调整离子注入层的扩散宽度。离子注入的剂量越大，离子注入层的扩散宽度越广；相反，离子注入的剂量越小，离子注入层的扩散宽度越窄。
当对薄膜基体离子注入完成后，将薄膜基体靠近薄膜层的一侧表面(键合面)与隔离层300背向多孔层200的一侧表面(键合面)进行键合。本申请对薄膜基体与隔离层300键合的方式不作特别限定，可以采用现有技术中任意一种薄膜基体与隔离层300键合的方式，例如，将薄膜基体和隔离层300的键合面分别进行表面活化，然后将两个活化后的键合面进行键合，获得键合体。
示例性的，首先对隔离层300的和薄膜基体二者的键合面进行清洗，然后采用等离子体键合的方法将清洗后的薄膜基体与隔离层300键合在一起，形成键合体。即，将薄膜基体中的薄膜层与隔离层300中的二氧化硅层键合在一起，形成键合体。
最后，对键合体进行加热并保温，使注入层断裂，余质层自键合体上分离下来，薄膜层则保留在隔离层300上。示例性的，对键合体进行热处理，热处理的退火温度可以为180℃-600℃。另外，热处理过程中包含两次退火，即一退和二退。其中，一退温度范围在180℃-300℃，示例性的，在本申请方案中的温度可为230℃，其目的是剥离掉余质层，使得薄膜层和余质层分离；二退的温度范围在300℃-600℃，在本申请方案中的温度为430℃，其目的是消除注入损伤。对键合体进行退火热处理的过程中，热处理的时间可以为1-100小时，示例性的，在本申请方案中的热处理时间可为50小时。
在热处理过程中，注入层内形成气泡，例如，氢离子形成氢气，氦离子形成氦气。随着热处理进展，注入层内的气泡连成一片，最后自注入层裂开，余质层由键合体上剥离，薄膜层则保留在隔离层300上。最后再对薄膜层进行抛光减薄至50nm-3000nm，得到复合薄膜。示例性的，可以将薄膜层抛光减薄至400nm。
容易理解的是，本领域技术人员在本申请提供的几个实施例的基础上，可以对本申请的实施例进行结合、拆分、重组等得到其他实施例，这些实施例均没有超出本申请的保护范围。
以上的具体实施方式，对本申请实施例的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本申请实施例的具体实施方式而已，并不用于限定本申请实施例的保护范围，凡在本申请实施例的技术方案的基础之上，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本申请实施例的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种复合薄膜，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底层(100)、多孔层(200)、隔离层(300)和有源层(400)；
其中，所述多孔层(200)中分布有捕获孔，所述捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免所述载流子聚集在所述隔离层(300)朝向所述衬底层(100)的界面上。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述捕获孔的直径范围为0.5nm-50nm。
3.根据权利要求1所述复合薄膜，其特征在于，所述多孔层(200)的厚度范围为300nm-5000nm。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述多孔层(200)的材质为硅或碳化硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜还包括外延层(500)，所述外延层(500)位于所述衬底层(100)与所述隔离层(300)之间；
所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分被配置为所述多孔层(200)。
6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述外延层(500)在当所述衬底层(100)与所述外延层(500)的材质不同时均被配置为所述多孔层(200)。
7.根据权利要求1-4任一项所述的复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(100)的材质为碳化硅，所述衬底层(100)至少覆盖所述界面的部分被配置为多孔层(200)。
8.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底层(100)上制备多孔层(200)；
在所述多孔层(200)上制备隔离层(300)；
在所述隔离层(300)背向所述多孔层(200)的一侧设置有源层(400)，以得到所述复合薄膜；
所述多孔层(200)内分布有捕获孔，所述捕获孔用于捕获游离的载流子，以避免所述载流子聚集在所述隔离层(300)朝向所述衬底层(100)的界面上。
9.根据权利要求8所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在衬底层(100)上制备多孔层(200)，包括：
将所述衬底层(100)至少覆盖所述界面的部分制备为所述多孔层(200)。
10.根据权利要求8所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在衬底层(100)上制备多孔层(200)，包括：
在所述的衬底层(100)朝向所述隔离层(300)的一侧制备外延层(500)；
将所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分制备为所述多孔层(200)。
11.根据权利要求10所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分制备为所述多孔层(200)，包括：
当所述外延层(500)的材质为硅时，所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，制备成所述多孔层(200)。
12.根据权利要求10所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分制备为所述多孔层(200)，包括：
当所述外延层(500)的材质为碳化硅时，所述外延层(500)至少覆盖所述界面的部分依次经过阳极氧化法、RCA清洗法和退火处理，且在所述阳极氧化法处理过程中同时采用300W碘钨灯照射，制备成所述多孔层(200)。
13.根据权利要求11或12所述的复合薄膜的制备方法，其特征在于，
所述阳极氧化法所用的电解液为氢氟酸和无水乙醇组成的混合液，所述氢氟酸和所述无水乙醇的体积配比范围为1:1-5:1；
和/或，所述阳极氧化法中的电流密度范围为15mA·cm-2-60mA·cm-2；
和/或，所述阳极氧化法中的氧化时间范围为10min-60-min；
和/或，所述阳极氧化法中的温度为25℃-30℃。
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