CN116417468A - 显示装置 - Google Patents

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CN116417468A
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申东熹
朴鲁卿
孙宣权
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示装置，包括：像素，包括发射第一颜色的光的第一子像素和发射第二颜色的光的第二子像素。所述第一子像素和所述第二子像素中的每一者包括：像素电路层，设置在基底上，所述像素电路层包括像素电路；和显示元件层，设置在所述像素电路层上，所述显示元件层包括发光单元，所述发光单元具有阳极电极、阴极电极以及连接在所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光元件。所述像素电路层包括：第一接触部分，设置在所述基底和所述显示元件层之间，所述阳极电极和所述像素电路通过所述第一接触部分彼此连接以将阳极信号供应到所述发光元件。包括所述第一子像素中的第一接触部分和所述第二子像素中的第一接触部分的多个第一接触部分沿着第一方向布置。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月29日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0191663号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于本文中。
技术领域
本公开总体上涉及一种显示装置。
背景技术
最近，随着对信息显示的兴趣增加，显示装置的研究和开发也已经在不断进行。
发明内容
本实施例提供了一种其中可以充分地保障设置发光元件的区域的显示装置。
根据本公开的实施例的一方面，提供了一种显示装置，包括：像素，包括发射第一颜色的光的第一子像素和发射第二颜色的光的第二子像素，其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一者包括：像素电路层，设置在基底上，所述像素电路层包括像素电路；和显示元件层，设置在所述像素电路层上，所述显示元件层包括发光单元，所述发光单元具有阳极电极、阴极电极以及连接在所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光元件，其中，所述像素电路层包括：第一接触部分，设置在所述基底和所述显示元件层之间，所述阳极电极和所述像素电路通过所述第一接触部分彼此连接以将阳极信号供应到所述发光元件，并且其中，包括所述第一子像素中的第一接触部分和所述第二子像素中的第一接触部分的多个第一接触部分沿着第一方向布置。
所述像素还可以包括：第三子像素，发射第三颜色的光并且包括阳极电极、设置在所述基底和所述显示元件层之间的第一接触部分以及发光元件，所述第三子像素的所述阳极电极和所述第三子像素的像素电路通过所述第三子像素中的所述第一接触部分彼此连接。包括所述第一子像素中的所述第一接触部分、所述第二子像素中的所述第一接触部分和所述第三子像素中的所述第一接触部分的多个第一接触部分可以沿着所述第一方向布置。
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者可以包括发射光的发射区域。所述多个第一接触部分可以与所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一者的所述发射区域沿着基本上垂直于所述第一方向的第二方向不重叠。
所述像素电路层还可以包括设置在所述基底上的阳极连接电极。所述阳极电极电连接到所述发光元件的第一端部，并且所述阴极电极电连接到所述发光元件的第二端部。所述阳极连接电极可以通过所述第一接触部分电连接到所述阳极电极。
所述像素电路层还可以包括：阴极连接电极，设置在所述基底上；和第二接触部分。所述阴极连接电极可以通过所述第二接触部分电连接到所述阴极电极。
所述像素电路可以包括：晶体管；和存储电容器。所述晶体管可以包括：第一晶体管电极；第二晶体管电极；以及栅极电极。所述阳极连接电极可以电连接到所述第一晶体管电极。
所述显示元件层还可以包括：第一电极和第二电极，设置在所述像素电路层上；第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；第一接触电极，设置在所述第一绝缘层上；以及第二接触电极，设置在所述第一绝缘层上。所述第一接触电极可以通过所述多个第一接触部分中的至少一个电连接到所述阳极连接电极。所述第一接触电极可以是所述阳极电极，并且所述第二接触电极可以是所述阴极电极。
所述显示元件层还可以包括：对准电极，包括设置在所述像素电路层上的第一电极和第二电极；第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；第一接触电极，设置在所述第一绝缘层上；以及第二接触电极，设置在所述第一绝缘层上。所述第一接触电极可以通过所述第一接触部分电连接到所述阳极连接电极。所述第一接触电极可以是所述阳极电极，并且所述第二接触电极可以是所述阴极电极。
所述多个第一接触部分布置所在的方向可以与所述第一电极和所述第二电极延伸所在的方向不同。
所述显示元件层还可以包括：对准电极，包括设置在所述像素电路层上的第一电极和第二电极；第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；第一接触电极，设置在所述第一绝缘层上；以及第二接触电极，设置在所述第一绝缘层上。所述第一电极可以通过所述第一接触部分电连接到所述阳极连接电极，并且所述第一电极电连接到所述第一接触电极，并且其中，所述第一电极和所述第一接触电极构成所述阳极电极。
所述第一晶体管电极、所述第二晶体管电极和所述栅极电极可以设置在同一层上。
所述多个第一接触部分布置所在的方向可以与所述第一子像素和所述第二子像素布置为彼此相邻所在的方向相对应。
所述像素电路可以包括：第一像素电路，作为用于所述第一子像素的像素电路；和第二像素电路，作为用于所述第二子像素的像素电路。所述多个第一接触部分布置所在的方向可以与所述第一像素电路和所述第二像素电路布置为彼此相邻所在的方向不同。
所述像素可以包括发射光的发射区域。所述多个第一接触部分可以与所述发射区域间隔开。
所述像素可以包括在与所述第一方向不同的第二方向上设置为彼此相邻的像素，并且其中，所述多个第一接触部分设置在彼此相邻的所述像素之间。
所述像素电路可以包括：第一像素电路，作为用于所述第一子像素的像素电路；和第二像素电路，作为用于所述第二子像素的像素电路。所述多个第一接触部分可以与所述第一像素电路和所述第二像素电路沿着所述第一像素电路和所述第二像素电路布置为彼此相邻所在的第二方向重叠。
所述显示装置还可以包括电连接到所述像素电路的数据线。所述多个第一接触部分布置所在的方向可以与所述数据线延伸所在的方向不同。
所述像素电路层还可以包括：阳极连接电极，设置在所述基底上；阴极连接电极，设置在所述基底上；以及第二接触部分。所述显示元件层还可以包括接触电极层，所述接触电极层电连接到所述发光元件的至少一部分。所述发光单元可以包括：第一发光单元，包括发光元件；第二发光单元，包括发光元件；第三发光单元，包括发光元件；以及第四发光单元，包括发光元件。所述接触电极层可以包括：第一接触电极，电连接到所述第一发光单元的所述发光元件的一端，所述第一接触电极通过所述多个第一接触部分中的一个电连接到所述阳极连接电极；第二接触电极，电连接到所述第一发光单元的所述发光元件的另一端，所述第二接触电极电连接到所述第二发光单元的所述发光元件的一端；第三接触电极，电连接到所述第二发光单元的所述发光元件的另一端，所述第三接触电极电连接到所述第三发光单元的所述发光元件的一端；第四接触电极，电连接到所述第三发光单元的所述发光元件的另一端，所述第四接触电极电连接到所述第四发光单元的所述发光元件的一端；以及第五接触电极，电连接到所述第四发光单元的所述发光元件的另一端，所述第五接触电极通过所述第二接触部分电连接到所述阴极连接电极。
所述第一子像素和所述第二子像素中的每一者还可以包括：颜色转换层，配置为改变光的波长；和滤色器层，配置为允许光选择性地通过所述滤色器层透射。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括：像素，包括多个子像素，所述多个子像素各自包括发光元件，其中，所述发光元件基于从设置在基底上的阳极电极提供的阳极信号发射光，其中，所述阳极电极通过穿过设置在所述基底上的绝缘层形成的阳极接触部分电连接到设置在所述基底上的阳极连接电极，并且其中，所述多个子像素的多个阳极接触部分沿着预定方向设置。
根据本公开的又一方面，提供了一种显示装置，包括：像素，包括多个子像素，其中，所述多个子像素中的每一个包括：像素电路层，设置在基底上，所述像素电路层包括阳极连接电极和像素电路；和显示元件层，设置在所述像素电路层上，所述显示元件层包括发光元件和电连接到所述发光元件的阳极电极，其中，所述阳极电极通过穿过所述像素电路层的绝缘层形成的阳极接触部分电连接到所述阳极连接电极，其中，所述多个子像素的多个阳极接触部分在与所述多个子像素的一侧相邻的同时沿着一个方向布置。
附图说明
现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实现并且不应解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例实施例的范围。
在附图中，为了说明清楚，尺寸可能被夸大了。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个居间元件。同样的附图标记始终指代同样的元件。
图1和图2是示出根据本公开的实施例的发光元件的示意性透视图和截面图。
图3和图4是示出根据本公开的另一实施例的发光元件的示意性透视图和截面图。
图5是示出根据本公开的实施例的显示装置的框图。
图6是示出根据本公开的实施例的包括在子像素中的像素电路的图。
图7是示出根据本公开的实施例的包括在显示装置中的堆叠结构的截面图。
图8是示出根据本公开的实施例的子像素的示意性平面图。
图9和图10是示出根据本公开的实施例的包括在像素中的电极的示意性布局图。
图11是示出根据本公开的实施例的像素的示意性平面图。
图12是示出根据本公开的实施例的通过其将阳极信号供应到发光元件的路径的框图。
图13是沿着图11中示出的线I-I’截取的示意性截面图。
图14是沿着图11中示出的线II-II’截取的示意性截面图。
图15是示出根据本公开的另一实施例的子像素的示意性平面图。
图16是示出根据本公开的另一实施例的通过其将阳极信号供应到发光元件的路径的框图。
图17是示出根据本公开的另一实施例的子像素的示意性平面图。
具体实施方式
本公开可以被修改为具有不同的形状，因此只对特定示例进行了详细的示出和描述。然而，这些示例不限于特定形状，而是适用于所有改变以及等同和替换。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因而，在不背离本公开的教导的情况下，下文讨论的“第一”元件可以被称为“第二”元件。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，诸如层、区、基底或板的元件放置“在”另一元件“上”或“上方”的表述不仅表示所述元件“直接”放置“在”所述另一元件“上”或“正上方”的情况，还表示又一元件插入所述元件和所述另一元件之间的情况。反之，诸如层、区、基底或板的元件放置“在”另一元件“下面”或“下方”的表述不仅表示所述元件“直接”放置“在”所述另一元件“下面”或“正下方”的情况，还表示又一元件插入所述元件和所述另一元件之间的情况。
本公开总体上涉及一种显示装置。在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施例的显示装置。
首先，将参照图1至图4描述根据本公开的实施例的发光元件LD。
图1和图2是示出根据本公开的实施例的发光元件的示意性透视图和截面图。图3和图4是示出根据本公开的另一实施例的发光元件的示意性透视图和截面图。
尽管在图1至图4中示出了柱形状的发光元件LD，但是发光元件LD的种类和/或形状不限于此。
发光元件LD包括第一半导体层SCL1、第二半导体层SCL2以及插入第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2之间的有源层AL。例如，当假设发光元件LD的延伸方向是长度L方向时，发光元件LD可以包括沿着长度L方向顺序地堆叠的第一半导体层SCL1、有源层AL和第二半导体层SCL2。发光元件LD还可以包括电极层ELL和绝缘膜INF。
发光元件LD可以提供为沿着长度L方向延伸的柱形状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和与第一端部EP1背对的第二端部EP2，并且第二半导体层SCL2可以设置为与第二端部EP2相邻。电极层ELL可以设置为与第一端部EP1相邻。
发光元件LD可以是通过蚀刻工艺等制造成柱形状的发光元件。在本说明书中，术语“柱形状”可以包括在长度L方向上长的棒形状或条形状(即，其长宽比大于1)，诸如圆柱体或多棱柱，并且“柱形状”的截面形状没有特别限制。例如，发光元件LD的长度L可以大于发光元件LD的直径D(或截面的宽度)。
发光元件LD可以具有纳米尺度到微米尺度的尺寸。例如，发光元件LD可以具有纳米级到微米级范围内的直径D(或宽度)和/或纳米级到微米级范围内的长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此。
第一半导体层SCL1可以是第一导电型半导体层。第一半导体层SCL1设置在有源层AL上，并且可以包括具有与第二半导体层SCL2的类型不同的类型的半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括P型半导体层。在示例中，第一半导体层SCL1可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的至少一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如Mg的第一导电型掺杂物的P型半导体层。然而，构成第一半导体层SCL1的材料不限于此。另外，第一半导体层SCL1可以由各种材料实现。
有源层AL设置在第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2之间，并且可以形成为单量子井结构或多量子井结构。有源层AL的位置不限于具体的示例，并且可以根据发光元件LD的种类进行各种改变。
掺杂有导电掺杂物的覆层(cald layer)(未示出)可以形成在有源层AL的顶部和/或底部上。例如，覆层可以形成为AlGaN层或InAlGaN层。在一些实施例中，可以使用诸如AlGaN或InAlGaN的材料来形成有源层AL。另外，有源层AL可以由各种材料实现。
第二半导体层SCL2可以是第二导电型半导体层。第二半导体层SCL2设置在有源层AL上，并且可以包括具有与第一半导体层SCL1的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括N型半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的任何一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第二导电型掺杂物的N型半导体层。然而，构成第二半导体层SCL2的材料不限于此。另外，第二半导体层SCL2可以由各种材料实现。
当将大于或等于阈值电压的电压施加到发光元件LD的两端时，当电子-空穴对(electron-hole pairs)在有源层AL中结合时，发光元件LD发射光。发光元件LD的发光通过使用这样的原理来控制，使得发光元件LD可以用作用于包括显示装置的像素的各种发光装置的光源。
绝缘膜INF可以设置在发光元件LD的表面上。绝缘膜INF在发光元件LD的表面上可以形成为围绕至少有源层AL的外周表面。另外，绝缘膜INF还可以围绕第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2的一个区域。绝缘膜INF可以形成为单层或多层。然而，本公开不限于此，并且绝缘膜INF可以由多个层实现。例如，绝缘膜INF可以包括包含第一材料的第一绝缘层和包含与第一材料不同的第二材料的第二绝缘层。
绝缘膜INF可以暴露发光元件LD的两个端部。例如，绝缘膜INF可以暴露电极层ELL和第二半导体层SCL2的分别设置为与发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2相邻的一端。
绝缘膜INF可以配置为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)之中的一种绝缘材料的单层或多层。然而，本公开不一定限于上述示例。例如，根据另一实施例，可以省略绝缘膜INF。
根据实施例，当绝缘膜INF提供为覆盖发光元件LD的表面，特别是有源层AL的外周表面时，可以确保发光元件LD的电稳定性。而且，当绝缘膜INF提供在发光元件LD的表面上时，发光元件LD的表面缺陷被最小化，从而改善发光元件LD的寿命和效率。另外，即使当密集设置多个发光元件LD的情况下，也可以防止多个发光元件LD之间发生不必要的短路。
电极层ELL可以设置在第一半导体层SCL1上。电极层ELL可以设置为与第一端部EP1相邻。电极层ELL可以电连接到第一半导体层SCL1。
电极层ELL的一部分可以被暴露。例如，绝缘膜INF可以暴露电极层ELL的一个表面。电极层ELL可以在与第一端部EP1相对应的区域中暴露。
在一些实施例中，电极层ELL的侧表面可以被暴露(参见图3和图4)。例如，绝缘膜INF可以在覆盖第一半导体层SCL1、有源层AL和第二半导体层SCL2中的每一者的侧表面的同时，不覆盖电极层ELL的侧表面的至少一部分。因此，设置为与第一端部EP1相邻的电极层ELL可以容易地连接到另一组件。在一些实施例中，绝缘膜INF不仅可以暴露电极层ELL的侧表面，还可以暴露第一半导体层SCL1和/或第二半导体层SCL2的侧表面的一部分。
根据实施例，电极层ELL可以是欧姆接触电极。然而，本公开不一定限于上述示例。例如，电极层ELL可以是肖特基接触电极。
根据实施例，电极层ELL可以包括铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)及其任何氧化物或合金中的一种。然而，本公开不一定限于上述示例。在一些实施例中，电极层ELL可以是基本上透明的。例如，电极层ELL可以包括氧化铟锡(ITO)。因此，发射的光可以通过电极层ELL传输。
发光元件LD的结构和形状等不限于上述示例。在一些实施例中，发光元件LD可以具有各种结构和各种形状。例如，发光元件LD还可以包括设置在第二半导体层SCL2的一个表面上并且设置为与第二端部EP2相邻的附加的电极层。
图5是示出根据本公开的实施例的显示装置的框图。
显示装置100配置为发射光。显示装置100可以是使用上文参照图1至图4描述的发光元件LD作为光源的电子装置。根据实施例，显示装置100可以是平板个人计算机(PC)、电视机、智能电话和笔记本PC中的一种。然而，本公开不一定限于上述示例。例如，显示装置100可以应用于车辆信息娱乐系统，或者应用于智能眼镜和智能手表等。
显示装置100可以包括像素单元110、扫描驱动器120、数据驱动器130和控制器140。
像素单元110可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的多个子像素SPX。在一些实施例中，至少一个子像素SPX可以形成或构成像素(参见图9中示出的“PXL”)。例如，子像素SPX可以包括发射第一颜色(例如，红色)的光的第一子像素(参见图10中示出的“SPX1”)、发射第二颜色(例如，绿色)的光的第二子像素(参见图10中示出的“SPX2”)以及发射第三颜色(例如，蓝色)的光的第三子像素(参见图10中示出的“SPX3”)。
扫描驱动器120可以设置在像素单元110的一侧112处。扫描驱动器120可以从控制器140接收第一控制信号SCS。扫描驱动器120可以将扫描信号提供到子像素SPX。扫描驱动器120可以响应于第一控制信号SCS而将扫描信号供应到扫描线SL。例如，扫描信号可以通过在第一方向DR1上延伸的第一扫描线SL1和在第二方向DR2上延伸的第二扫描线SL2提供到子像素SPX。
第一控制信号SCS可以是用于控制扫描驱动器120的驱动时序的信号。第一控制信号SCS可以包括扫描开始信号和多个时钟信号。扫描信号可以设定为具有与相应的扫描信号所供应到的晶体管的类型相对应的栅极导通电平。
数据驱动器130可以设置在像素单元110的一侧112处。数据驱动器130可以从控制器140接收第二控制信号DCS。数据驱动器130可以将数据信号提供到子像素SPX。数据驱动器130可以响应于第二控制信号DCS而将数据信号供应到数据线DL。
第二控制信号DCS可以是用于控制数据驱动器130的驱动时序的信号。
根据实施例，显示装置100还可以包括补偿器(未示出)。补偿器可以从控制器140接收用于感测子像素SPX和退化补偿的第三控制信号。补偿器可以接收通过感测线(图6中示出的“SENL”)从子像素SPX提取的感测值(电流或电压信息)。补偿器可以基于感测值产生用于补偿子像素SPX的退化的补偿值。
扫描驱动器120和数据驱动器130设置在像素单元110的一侧112处。扫描驱动器120和数据驱动器130可以相对于像素单元110设置在同一侧处。例如，当显示装置100总体上包括四个侧时，扫描驱动器120和数据驱动器130可以设置为与四个侧中的任何一侧相邻。
根据实施例，为了形成显示装置100的单侧驱动结构，扫描线SL可以包括在不同方向上延伸的第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。
第一扫描线SL1可以在第一方向DR1上延伸以通过接触构件CP电连接到第二扫描线SL2。第一扫描线SL1可以电连接到扫描驱动器120和第二扫描线SL2。
第二扫描线SL2可以在第二方向DR2上延伸以电连接到与第二扫描线SL2相对应的像素行的子像素SPX。第二扫描线SL2可以将扫描信号供应到子像素SPX。像素行方向是水平方向并且可以表示第二方向DR2。像素列方向是竖向方向并且可以表示第一方向DR1。像素行可以由第二扫描线SL2限定。像素行方向可以等同于(或基本上平行于)像素单元110的设置有扫描驱动器120和数据驱动器130的一侧112延伸所在的方向。
第二扫描线SL2可以连接到至少一条第一扫描线SL1。例如，参考在图5中示出的像素单元110的顶侧处示出的像素行，第二扫描线SL2可以电连接到多条第一扫描线SL1中的在一个区域中的任何一条第一扫描线SL1，并且电连接到多条第一扫描线SL1中的在另一区域中的另一条第一扫描线SL1。
数据线DL可以沿着像素列方向(例如，第一方向DR1)延伸以电连接到子像素SPX。数据线DL可以将数据信号供应到与数据线DL连接的子像素SPX。
尽管在图5中示出了扫描驱动器120、数据驱动器130和控制器140彼此分离的情况，但是扫描驱动器120、数据驱动器130和控制器140中的至少一些可以被集成为一个模块或一个集成电路芯片(IC芯片)。例如，控制器140的至少一部分的配置和/或功能可以包括在数据驱动器130中。
在一些实施例中，扫描驱动器120可以由分别驱动像素单元110的区域中的多个子像素的多个扫描驱动器(例如，多个扫描驱动芯片或多个扫描驱动电路)实现。数据驱动器130可以由分别驱动像素单元110的区域中的多个子像素的多个数据驱动器(例如，多个数据驱动芯片或多个数据驱动电路)实现。
图6是示出根据本公开的实施例的包括在子像素中的像素电路的图。图6中示出的子像素SPX可以表示上文参照图5描述的多个子像素SPX中的任何一个。
参考图6，子像素SPX可以包括连接到发光单元EMU的像素电路PXC。
子像素SPX可以电连接到扫描线SL、数据线DL、第一电源线VDD和第二电源线VSS。扫描线SL可以表示上文描述的第二扫描线SL2(参见图5)。为了方便描述，第二扫描线SL2被指定为扫描线SL。在一些实施例中，子像素SPX可以选择性地进一步连接到另一电源线和/或另一信号线。
子像素SPX可以包括配置为发射与从数据线DL提供的数据信号相对应的光的发光单元EMU。
像素电路PXC可以连接在第一电源线VDD和发光单元EMU之间。像素电路PXC可以电连接到第一扫描信号所供应到的扫描线SL和数据信号所供应到的数据线DL。而且，像素电路PXC可以电连接到第二扫描信号所供应到的控制线SSL，并且电连接到与参考电源(或初始化电源)或感测电路连接的感测线SENL。在一些实施例中，第二扫描信号可以等同于或不同于第一扫描信号。当第二扫描信号等同于第一扫描信号时，控制线SSL可以连接到扫描线SL。
像素电路PXC可以包括至少一个晶体管和电容器。例如，像素电路PXC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和电容器Cst。
第一晶体管M1可以连接在第一电源线VDD和第二节点N2之间。第二节点N2可以是像素电路PXC和发光单元EMU彼此连接处的节点。例如，第二节点N2可以是第一晶体管M1的一个电极(例如，漏极电极)和发光单元EMU的阳极电极AE彼此连接处的节点。第一晶体管M1的栅极电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以与第一节点N1的电压相对应地控制供应到发光单元EMU的驱动电流。
第二晶体管M2可以连接在数据线DL和第一节点N1之间。另外，第二晶体管M2的栅极电极可以连接到扫描线SL。当从扫描线SL供应具有栅极导通电压(例如，高电平电压)的第一扫描信号时，第二晶体管M2可以被导通，以将数据线DL和第一节点N1彼此连接。
对于每个帧周期，将相应的帧的数据信号供应到数据线DL。在供应具有栅极导通电压的第一扫描信号的周期期间，将数据信号通过第二晶体管M2传送到第一节点N1。即，第二晶体管M2可以是用于将每个数据信号传送到子像素SPX内部的开关晶体管。
电容器Cst的一个电极可以连接到第一节点N1，并且电容器Cst的另一电极可以连接到第二节点N2。电容器Cst在每个帧周期期间对与供应到第一节点N1的数据信号相对应的电压充电。
第三晶体管M3可以连接在第二节点N2和感测线SENL之间。另外，第三晶体管M3的栅极电极可以连接到控制线SSL(或扫描线SL)。当从控制线SSL供应具有栅极导通电压(例如，高电平电压)的第二扫描信号(或第一扫描信号)时，第三晶体管M3可以被导通，以将供应到感测线SENL的参考电压(或初始化电压)传送到第二节点N2，或将第二节点N2的电压传送到感测线SENL。可以将第二节点N2的通过感测线SENL传送到感测电路的电压提供到外部电路(例如，图5中示出的控制器140)，以用于补偿子像素SPX的特性偏差等。
同时，尽管在图6中示出了包括在像素电路PXC中的晶体管都是N型晶体管的情况，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一者可以实现为P型晶体管。另外，在一些实施例中，子像素SPX的结构和驱动方法可以进行各种改变。
发光单元EMU可以包括阳极电极AE、阴极电极CE和至少一个发光元件LD。根据实施例，发光单元EMU可以包括阳极电极AE的至少一部分、阴极电极CE的至少一部分以及至少一个发光元件LD。例如，发光单元EMU可以包括通过第一晶体管M1连接到第一电源线VDD的阳极电极AE、连接到第二电源线VSS的阴极电极CE以及连接在阳极电极AE和阴极电极CE之间的至少一个发光元件LD。在实施例中，发光单元EMU可以包括并联在阳极电极AE和阴极电极CE之间的多个发光元件LD。
第一电源线VDD的电源和第二电源线VSS的电源可以具有不同的电位。例如，第一电源线VDD的电源可以是高电位像素电源，并且第二电源线VSS的电源可以是低电位像素电源。第一电源线VDD的电源和第二电源线VSS的电源之间的电位差可以被设定为等于或高于发光元件LD的阈值电压。
第一电源线VDD可以通过晶体管连接电极1600电连接到第一晶体管M1。第二电源线VSS可以通过电源线PL电连接到阴极电极CE。
发光元件LD可以在第一电源线VDD和第二电源线VSS之间在正向方向上连接以形成相应的有效光源。这些有效光源构成子像素SPX的发光单元EMU。
发光元件LD可以发射具有与通过像素电路PXC供应的驱动电流相对应的亮度的光。像素电路PXC可以在每个帧周期期间将与数据信号相对应的驱动电流供应到发光单元EMU。供应到发光单元EMU的驱动电流可以流经发光元件LD。因此，在每个发光元件LD发射具有与流经其的电流相对应的亮度的光的同时，发光单元EMU可以发射具有与驱动电流相对应的亮度的光。
同时，尽管在图6中公开了其中子像素SPX包括具有并联结构的发光单元EMU的实施例，但是本公开不限于此。例如，子像素SPX可以包括具有串联结构或串联/并联结构的发光单元EMU。发光单元EMU可以包括串联或串联/并联在阳极电极AE和阴极电极CE之间的多个发光元件LD。可选地，子像素SPX可以只包括连接在阳极电极AE和阴极电极CE之间的单个发光元件LD。
根据本公开的实施例的子像素SPX的像素电路不限于上述示例。在一些实施例中，像素电路PXC可以包括七个晶体管和一个存储电容器。
在下文中，将描述根据本公开的实施例的显示装置100的电极的结构。
首先，将参照图7描述显示装置100的堆叠结构。图7是示出根据本公开的实施例的包括在显示装置中的堆叠结构的截面图。
参考图7，根据本公开的实施例的包括在显示装置100中的堆叠结构可以包括顺序地堆叠的基底SUB、下辅助电极层BML、缓冲层BFL、有源层ACT、栅极绝缘层GI、晶体管电极层TL、层间绝缘层ILD、层间导电层ICL、保护层PSV、对准电极层ELT和接触电极层CNE。堆叠结构中的层可以被图案化，以具有特定的配置。
基底SUB形成(或构成)显示装置100的基体构件，并且可以包括刚性或柔性基底或者包括刚性或柔性膜。构成基底SUB的材料不限于具体示例，并且基底SUB可以包括各种材料。
缓冲层BFL可以是用于防止杂质扩散到包括半导体的有源层ACT内或防止湿气渗透到有源层ACT内的层。根据实施例，缓冲层BFL可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的一种。然而，本公开不一定限于上述示例。
有源层ACT可以包括半导体。例如，有源层ACT可以包括多晶硅、低温多晶硅(LTPS)、非晶硅和氧化物半导体中的一种。根据实施例，有源层ACT可以形成(或构成)第一晶体管M1至第三晶体管M3的沟道，并且杂质可以被掺杂到晶体管电极层TL的与第一晶体管电极和第二晶体管电极(图13中示出的“TE1”和“TE2”)接触的部分内。
下辅助电极层BML、晶体管电极层TL、层间导电层ICL、对准电极层ELT和接触电极层CNE可以是包括导电材料的层。
根据实施例，下辅助电极层BML、晶体管电极层TL和层间导电层ICL中的每一者可以实现为单层或多层。根据实施例，下辅助电极层BML、晶体管电极层TL和层间导电层ICL中的每一者可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和铂(Pt)中的任何一种。然而，本公开不一定限于上述示例。
栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和保护层PSV可以插入有源层ACT、晶体管电极层TL、层间导电层ICL和对准电极层ELT之间，以将有源层ACT、晶体管电极层TL、层间导电层ICL和对准电极层ELT彼此电分离。根据实施例，电极图案可以通过形成在栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和保护层PSV中的任何一者中的接触孔(例如，图9中示出的“CH”)、第一接触部分(图9中示出的“CNT1”)和第二接触部分(图9中示出的“CNT2”)而彼此电连接。
根据实施例，栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和保护层PSV可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的一种。然而，本公开不一定限于上述示例。在一些实施例中，栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和保护层PSV可以包括有机材料，并且由单层或多层实现。
根据实施例，对准电极层ELT可以包括导电材料。例如，对准电极层ELT可以包括钼(Mo)、镁(Mg)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种。然而，本公开不一定限于上述示例。
根据实施例，接触电极层CNE可以包括导电材料。接触电极层CNE可以电连接到发光元件LD的至少一部分。在一些实施例中，接触电极层CNE可以包括透明导电材料。例如，接触电极层CNE可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料，但是本公开不一定限于此。
绝缘层可以插入对准电极层ELT和接触电极层CNE之间，以使对准电极层ELT和接触电极层CNE彼此电分离。例如，接触电极层CNE和对准电极层ELT可以通过第一绝缘层(参见图13中示出的“INS1”)彼此分离。
接下来，将参照图8描述其中发光元件LD设置在子像素SPX中的结构。图8是示出根据本公开的实施例的子像素的示意性平面图。图8是示出根据本公开的实施例的包括在像素PXL中的子像素SPX中的发光元件LD和与发光元件LD相邻的元件的视图。图8可以是大致示出包括子像素SPX的发射区域EMA和非发射区域NEA的结构的视图。
参考图8，子像素SPX(或显示装置100(例如，参见图7))可以包括发射区域EMA和非发射区域NEA。子像素SPX可以包括对准电极层ELT、发光元件LD、堤BNK、第一接触部分CNT1和接触电极层CNE。
根据实施例，对准电极层ELT可以包括第一电极ELT1和第二电极ELT2。接触电极层CNE可以包括第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
发射区域EMA可以是提供发光元件LD以发射光的区域。非发射区域NEA可以是不设置发光元件LD并且不发射光的区域。在平面图中发射区域EMA可以与由堤BNK限定的开口OPN重叠。发光元件LD可以设置在发射区域EMA中。
发光元件LD可以不设置在非发射区域NEA中。在平面图中非发射区域NEA的一部分可以与堤BNK重叠。
堤BNK可以形成(或提供)开口OPN。例如，堤BNK可以具有在基底SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出的形状，并且具有其中堤BNK围绕预定区域的形式。因此，可以形成不设置堤BNK的开口OPN。在一些实施例中，堤BNK可以形成其中可以容纳流体的空间。例如，包括发光元件LD的墨水可以被提供在由堤BNK中的开口OPN形成的空间中，以便发光元件LD设置在开口OPN中。
堤BNK可以限定发射区域EMA和非发射区域NEA。在平面图中，堤BNK可以围绕发射区域EMA的至少一部分。例如，设置堤BNK的区域可以是非发射区域NEA。设置发光元件LD的区域可以是发射区域EMA。
发光元件LD的至少一部分可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准。多个发光元件LD可以形成(或构成)发光单元EMU。发光单元EMU可以表示包括相邻的发光元件LD的单元。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以彼此间隔开。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在发射区域EMA中沿着第二方向DR2彼此间隔开，并且第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每一者可以沿着第一方向DR1延伸。
在一些实施例中，第一电极ELT1可以是第一对准电极，并且第二电极ELT2可以是第二对准电极。
在使多个发光元件LD对准的工艺中，可以将第一对准信号和第二对准信号分别供应到第一电极ELT1和第二电极ELT2。第一对准信号和第二对准信号可以具有不同的波形、不同的电位和/或不同的相位。因此，在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成电场，使得多个发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准。
第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每一者可以配置为单层或多层。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每一者可以包括包含反射性导电材料的至少一个反射性电极层，并且还选择性地包括至少一个透明电极层和/或至少一个导电覆盖层。
多个发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准。例如，多个发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间对准和/或并联。
在实施例中，每个发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间在第二方向DR2上对准。
发光元件LD的第一端部EP1可以设置为与第一电极ELT1相邻，并且发光元件LD的第二端部EP2可以设置为与第二电极ELT2相邻。第一端部EP1可以与第一电极ELT1重叠或者可以与第一电极ELT1不重叠。第二端部EP2可以与第二电极ELT2重叠或者可以与第二电极ELT2不重叠。
发光元件LD可以基于从第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2提供的电信号发射光。
第一接触电极CNE1可以作为阳极电极AE，从而将电信号提供到发光元件LD。第一接触电极CNE1可以设置为与发光元件LD的第一端部EP1相邻并且电连接到发光元件LD的第一端部EP1。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极ELT1上，以电连接到发光元件LD。第一接触电极CNE1可以电连接到发光元件LD以将阳极信号提供到发光元件LD。第一接触电极CNE1可以通过第一接触部分CNT1电连接到像素电路PXC(例如，第一晶体管M1)(参见图6)。在本说明书中，第一接触部分CNT1可以表示将阳极电极AE和像素电路层(图13中示出的“PCL”)的一个组件彼此连接的组件。第一接触部分CNT1可以被指定为阳极接触部分。
第二接触电极CNE2可以作为阴极电极CE，从而将电信号提供到发光元件LD。第二接触电极CNE2可以设置为与发光元件LD的第二端部EP2相邻并且电连接到发光元件LD的第二端部EP2。
第二接触电极CNE2可以设置在第二电极ELT2上以电连接到发光元件LD。第二接触电极CNE2可以电连接到发光元件LD以将阴极信号提供到发光元件LD。根据实施例，第二接触电极CNE2可以电连接到第三接触电极至第五接触电极(图11中示出的“CNE3至CNE5”)，并且第五接触电极CNE5可以通过第二接触部分CNT2(参见图11)电连接到电源线PL(参见图6)。在本说明书中，第二接触部分CNT2可以表示将阴极电极CE和电源线PL彼此连接的组件。第二接触部分CNT2可以被指定为阴极接触部分。
接下来，将参照图9至图11更详细地描述根据本公开的实施例的像素PXL的电极结构。在图9至图11中，与上文描述的部分重叠的部分将被简化或省略。
图9和图10是示出根据本公开的实施例的包括在像素中的电极的示意性布局图。
在图9和图10中，示出了像素PXL的电极。在图9和图10中，示出了设置在同一区域中的不同层。在图9和图10中，示出了在一个方向(例如，第一方向DR1)上彼此相邻的像素PXL和PXL’。
在图9中，示出了上文参照图7描述的下辅助电极层BML、有源层ACT和晶体管电极层TL。例如，在图9中，包括在下辅助电极层BML中的层(例如，阳极连接电极1200，阴极连接电极1400)示出为图7中示出的下辅助电极层BML的剖面线。在图9中，包括在有源层ACT中的层以晶体管M1、M2、M3中的粗线示出。在图9中，包括在晶体管电极层TL中的层(例如，第二扫描线SL2)示出为图7中示出的晶体管电极层TL的剖面线。在图9中，第一接触部分CNT1和第二接触部分CNT2示出为其中有“X”的方框。而且，在图9中，用于电连接不同电极图案(例如，下辅助电极层BML和晶体管电极层TL)的接触孔以四边形形状表示。
在图10中，示出了上文参照图7描述的对准电极层ELT和接触电极层CNE。而且，在图10中，进一步示出了堤BNK。同样地，在图10中，第一接触部分CNT1和第二接触部分CNT2示出为其中有“X”的方框。在一些实施例中，第一接触部分CNT1可以提供为多个。例如，多个第一接触部分CNT1中的每个可以与多个子像素SPX中的一个相对应。
根据实施例，在像素PXL中可以包括并设置像素电路PXC和连接到像素电路PXC的线。
像素电路PXC可以包括第一像素电路PXC1、第二像素电路PXC2和第三像素电路PXC3。第一像素电路PXC1、第二像素电路PXC2和第三像素电路PXC3中的每一者可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。
多个像素电路PXC可以设置为在第一方向DR1上彼此相邻。例如，第一像素电路PXC1、第二像素电路PXC2和第三像素电路PXC3可以设置为在第一方向DR1上彼此相邻。
根据实施例，多个像素电路PXC设置为彼此相邻所在的方向可以与多个第一接触部分CNT1布置所在的方向不同。例如，第一像素电路PXC1、第二像素电路PXC2和第三像素电路PXC3可以在与第一像素电路PXC1、第二像素电路PXC2和第三像素电路PXC3的多个第一接触部分CNT1布置所在的第二方向DR2不同的第一方向DR1上设置为彼此相邻。
根据实施例，第一接触部分CNT1可以与像素电路PXC沿着多个像素电路PXC设置为彼此相邻所在的方向重叠。例如，第一接触部分CNT1可以与第一像素电路PXC1和第二像素电路PXC2沿着第一像素电路PXC1和第二像素电路PXC2设置为彼此相邻所在的第一方向DR1重叠。
根据实施例，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3设置为彼此相邻所在的方向可以与多个第一接触部分CNT1布置所在的方向等同(或相对应)。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以设置为在多个第一接触部分CNT1布置所在的第二方向DR2上彼此相邻。
第一扫描线SL1可以在第一方向DR1上延伸。第二扫描线SL2可以在第二方向DR2上延伸。第一扫描线SL1可以通过接触构件CP(参考图5)电连接到第二扫描线SL2。第二扫描线SL2可以包括在第二方向上延伸的支线，并且延伸的所述支线可以设置为与像素电路PXC相邻。
多条数据线DL可以在第一方向DR1上延伸。多条数据线DL可以在第二方向DR2上彼此间隔开。多条数据线DL可以包括第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3。根据实施例，数据线DL延伸所在的方向可以与多个第一接触部分CNT1布置所在的方向不同。例如，第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3可以在与多个接触部分CNT1布置所在的第二方向DR2不同的第一方向DR1上延伸。
第一数据线DL1可以表示用于第一子像素SPX1的第一像素电路PXC1的数据线DL。第二数据线DL2可以表示用于第二子像素SPX2的第二像素电路PXC2的数据线DL。第三数据线DL3可以表示用于第三子像素SPX3的第三像素电路PXC3的数据线DL。
感测线SENL可以在第一方向DR1上延伸。根据实施例，感测线SENL可以在与多个第一接触部分CNT1布置所在的第二方向DR2不同的第一方向DR1上延伸。
第一电源线VDD可以在第一方向DR1上延伸。第二电源线VSS可包括在第二方向DR2上延伸的第(2_H)电源线VSS_H和在第一方向DR1延伸的第(2_V)电源线VSS_V。
第二电源线VSS(例如，第(2_H)电源线VSS_H)可以通过接触孔CH电连接到对准电极层ELT(例如，第二电极ELT2)。
第二电源线VSS(例如，第(2_H)电源线VSS_H)可以通过接触孔电连接到阴极连接电极1400，并且阴极连接电极1400可以通过第二接触部分CNT2电连接到接触电极层CNE。
像素PXL还可以包括阳极连接电极1200。阳极连接电极1200可以通过第一接触部分CNT1电连接到阳极电极AE(参见图8)。例如，阳极连接电极1200可以通过第一接触部分CNT1电连接到第一接触电极CNE1。稍后将参照图13详细描述阳极连接电极1200和第一接触部分CNT1。
像素PXL还可以包括阴极连接电极1400。阴极连接电极1400可以通过第二接触部分CNT2电连接到阴极电极CE(参见图8)。例如，阴极连接电极1400可以通过第二接触部分CNT2电连接到第五接触电极CNE5(参见图11)。这将参照图11进行详细描述。
多个第一接触部分CNT1可以电连接到每个子像素SPX的阳极连接电极1200。多个第一接触部分CNT1可以沿着一个方向(例如，布置方向)布置(或设置)。多个第一接触部分CNT1可以沿着所述方向平行地设置。多个第一接触部分CNT1可以沿着第二方向DR2对准。
多个第一接触部分CNT1可以设置为与子像素SPX的一侧相邻。多个第一接触部分CNT1可以设置为沿着第二方向DR2彼此相邻。因此，多个第一接触部分CNT1不是零星地设置，而是可以设置为彼此相邻。例如，多个第一接触部分CNT1可以沿着第二方向DR2布置在设置于像素PXL之间的非发射区域NEA中。
第一接触部分CNT1可以设置在非发射区域NEA中。例如，在平面图中，第一接触部分CNT1可以与非发射区域NEA重叠，并且可以与发射区域EMA不重叠。
第一接触部分CNT1可以与设置像素电路PXC的区域间隔开。而且，在一些实施例中，第一接触部分CNT1可以与子像素SPX的光通过其发射的发射区域EMA间隔开。
多个第一接触部分CNT1可以沿着第二方向DR2布置在第(2_H)电源线VSS_H和第二扫描线SL2之间。多个第一接触部分CNT1可以设置在第一电源线VDD和感测线SENL之间。
根据实施例，第一接触部分CNT1可以设置在多个发光元件LD(参见图8)在其中对准的区域外部以与多个发光元件LD在其中对准的区域间隔开。因此，可以充分地保障多个发光元件LD在其中对准的区域。
根据实施例，第一接触部分CNT1可以与多个子像素SPX的多个发射区域EMA中的至少一个沿着第一方向DR1不重叠。例如，第一接触部分CNT1与第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的发射区域EMA沿着第一方向DR1重叠，并且第一接触部分CNT1可以与第三子像素SPX3的发射区域沿着第一方向DR1不重叠。即，设置第一接触部分CNT1的区域是局部形成的，使得可以充分地保障设置发光元件LD的区域。
对准电极层ELT可以包括第一电极ELT1、第二电极ELT2和第三电极ELT3。第一电极ELT1、第二电极ELT2和第三电极ELT3可以在第一方向DR1上延伸，并且沿着第二方向DR2彼此间隔开。
根据实施例，第一电极ELT1、第二电极ELT2和第三电极ELT3延伸所在的方向可以与多个第一接触部分CNT1布置所在的方向不同。例如，第一电极ELT1、第二电极ELT2和第三电极ELT3可以在与多个第一接触部分CNT1布置所在的第二方向DR2不同的第一方向DR1上延伸。
接触电极层CNE可以包括多个接触电极，并且多个接触电极中的每一个可以在预定方向上延伸。
为了方便描述，将参照图11和图12描述包括对准电极层ELT和接触电极层CNE的发光元件LD的连接结构。
图11是示出根据本公开的实施例的像素的示意性平面图。在图11中，简要地示出了包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的单个像素PXL。为了方便描述，图11中未示出上文所述的阳极连接电极1200和阴极连接电极1400。
图12是示出根据本公开的实施例的通过其将阳极信号供应到发光元件的路径的框图。
参考图11和图12，阳极连接电极1200(参见图9)可以通过第一接触部分CNT1电连接到第一接触电极CNE1。另外，第一接触电极CNE1可以电连接到发光元件LD。即，从阳极连接电极1200提供的阳极信号可以通过第一接触部分CNT1和第一接触电极CNE1提供(或供应)到发光元件LD。
第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括多个发光单元。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括第一发光单元EMU1至第四发光单元EMU4。根据实施例，第一发光单元EMU1的发光元件LD、第二发光单元EMU2的发光元件LD、第三发光单元EMU3的发光元件LD和第四发光单元EMU4的发光元件LD可以顺序地彼此电连接。
第一发光单元EMU1和第二发光单元EMU2的发光元件LD可以设置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。第三发光单元EMU3和第四发光单元EMU4的发光元件LD可以设置在第二电极ELT2和第三电极ELT3之间。即，为了使多个发光元件LD对准，在将多个发光元件LD分散到对准电极层ELT上之后，可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成电场，并且可以在第二电极ELT2和第三电极ELT3之间形成电场。因此，多个发光元件LD可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间以及第二电极ELT2和第三电极ELT3之间对准。
接触电极层CNE可以包括第一接触电极CNE1至第五接触电极CNE5。第一接触电极CNE1至第五接触电极CNE5可以限定在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中。
第一接触部分CNT1可以包括第(1_1)接触部分CNT1_1、第(1_2)接触部分CNT1_2和第(1_3)接触部分CNT1_3。
例如，第一子像素SPX的第一接触电极CNE1可以通过第(1_1)接触部分CNT1_1电连接到第一子像素SPX1的阳极连接电极1200。第(1_1)接触部分CNT1_1可以是通过其将阳极信号提供到第一子像素SPX1的发光元件LD的路径。
第二子像素SPX2的第一接触电极CNE1可以通过第(1_2)接触部分CNT1_2电连接到第二子像素SPX2的阳极连接电极1200。第(1_2)接触部分CNT1_2可以是通过其将阳极信号提供到第二子像素SPX2的发光元件LD的路径。
第三子像素SPX3的第一接触电极CNE1可以通过第(1_3)接触部分CNT1_3电连接到第三子像素SPX3的阳极连接电极1200。第(1_3)接触部分CNT1_3可以是通过其将阳极信号提供到第三子像素SPX3的发光元件LD的路径。
第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的第五接触电极CNE5可以通过第二接触部分CNT2电连接到阴极连接电极1400(参见图9)。
第一发光单元EMU1的发光元件LD的第一端部EP1(参见图8)可以电连接到第一接触电极CNE1。第一发光单元EMU1的发光元件LD可以接收从第一接触电极CNE1提供的阳极信号。
第一发光单元EMU1的发光元件LD的第二端部EP2(参见图8)可以电连接到第二接触电极CNE2。第一发光单元EMU1的发光元件LD可以接收从第二接触电极CNE2提供的阴极信号。
第二发光单元EMU2的发光元件LD的第一端部EP1可以电连接到第二接触电极CNE2。第二发光单元EMU2的发光元件LD可以接收从第二接触电极CNE2提供的阳极信号。
第二发光单元EMU2的发光元件LD的第二端部EP2可以电连接到第三接触电极CNE3。第二发光单元EMU2的发光元件LD可以接收从第三接触电极CNE3提供的阴极信号。
第三发光单元EMU3的发光元件LD的第一端部EP1可以电连接到第三接触电极CNE3。第三发光单元EMU3的发光元件LD可以接收从第三接触电极CNE3提供的阳极信号。
第三发光单元EMU3的发光元件LD的第二端部EP2可以电连接到第四接触电极CNE4。第三发光单元EMU3的发光元件LD可以接收从第四接触电极CNE4提供的阴极信号。
第四发光单元EMU4的发光元件LD的第一端部EP1可以电连接到第四接触电极CNE4。第四发光单元EMU4的发光元件LD可以接收从第四接触电极CNE4提供的阳极信号。
第四发光单元EMU4的发光元件LD的第二端部EP2可以电连接到第五接触电极CNE5。第四发光单元EMU4的发光元件LD可以接收从第五接触电极CNE5提供的阴极信号。
第五接触电极CNE5可以电连接到第二接触部分CNT2，以接收阴极信号。第五接触电极CNE5的一部分可以电连接到第一子像素SPX1至第三子像素SPX3中的每一者的第四发光单元EMU4的发光元件LD。
同时，多个第一接触部分CNT1可以沿着上述方向布置。例如，第(1_1)接触部分CNT1_1、第(1_2)接触部分CNT1_2和第(1_3)接触部分CNT1_3可以沿着第二方向DR2布置。因此，可以充分地保障第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的发光单元EMU设置的区域。具体地，可以充分地保障发光单元EMU在第一方向DR1上设置的发射区域EMA的长度。因此，可以改善像素PXL的光发射效率。
在下文中，将参照图13描述子像素SPX的截面结构。图13是沿着图11中示出的线I-I’截取的示意性截面图。图13可以示出根据本公开的实施例的第一子像素SPX1(参见图11)的截面结构。为了方便描述，第一子像素SPX1被指定为子像素SPX，并且描述了子像素SPX的技术特征。在图13中，与上述的部分重叠的部分的描述将被省略或简化。
参照图13，子像素SPX可以包括基底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基底SUB可以提供有基体表面，使得像素电路层PCL和显示元件层DPL设置在基底SUB上。
像素电路层PCL可以设置在基底SUB上。像素电路层PCL可以包括下辅助电极层BML、缓冲层BFL、像素电路PXC(参见图9)、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、桥接图案BRP、保护层PSV、第一接触部分CNT1和接触孔CH。为了方便描述，图13中主要示出了包括在像素电路PXC中的第一晶体管M1。
下辅助电极层BML可以设置在基底SUB上。根据实施例，下辅助电极层BML可以包括阳极连接电极1200、电源连接电极1300和晶体管连接电极1600。尽管在图13中未示出，但是下辅助电极层BML还可以包括阴极连接电极1400(参见图9)。
阳极连接电极1200可以设置在基底SUB上以电连接到第一晶体管M1(例如，第一晶体管电极TE1)。阳极连接电极1200可以通过第一接触部分CNT1电连接到第一接触电极CNE1。
电源连接电极1300可以设置在基底SUB上以电连接到桥接图案BRP。电源连接电极1300可以将第二对准信号提供到第二电极ELT2，使得发光元件LD在第一电极ELT1和第二电极ELT2上对准。第二对准信号可以通过桥接图案BRP提供到第二电极ELT2。
晶体管连接电极1600可以设置在基底SUB上以电连接到第一晶体管M1(例如，第二晶体管电极TE2)。晶体管连接电极1600可以电连接到第一电源线VDD(参见图6)。
缓冲层BFL可以设置在基底SUB上的下辅助电极层BML上。缓冲层BFL可以防止杂质从外部扩散。
第一晶体管M1可以是薄膜晶体管。在一些实施例中，第一晶体管M1可以是驱动晶体管。
第一晶体管M1可以电连接到发光元件LD。第一晶体管M1可以通过阳极连接电极1200和第一接触电极CNE1(例如，阳极电极AE(参见图8))电连接到发光元件LD。
第一晶体管M1可以包括有源层ACT、第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和栅极电极GE。
有源层ACT可以表示半导体层。有源层ACT可以设置在缓冲层BFL上。
有源层ACT可以包括与第一晶体管电极TE1接触的第一接触区和与第二晶体管电极TE2接触的第二接触区。第一接触区和第二接触区可以与掺杂有杂质的半导体图案相对应。第一接触区和第二接触区之间的区可以是沟道区。沟道区可以与未掺杂有杂质的本征半导体图案相对应。在示例中，第一晶体管电极TE1可以是漏极电极，并且第二晶体管电极TE2可以是源极电极。然而，本公开不限于此。
栅极电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极电极GE的位置可以与有源层ACT的沟道区的位置相对应。例如，栅极电极GE可以设置在有源层ACT的沟道区上，且栅极绝缘层GI插入栅极电极GE和有源层ACT的沟道区之间。
根据实施例，第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和栅极电极GE可以设置在同一平面上，以形成晶体管电极层TL(参见图7)。然而，本公开不限于此。例如，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在与设置栅极电极GE的平面不同的平面(例如，层间导电层ICL(参见图7))中。
栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BFL上。栅极绝缘层GI可以覆盖有源层ACT。
层间绝缘层ILD可以设置在栅极绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以覆盖晶体管电极层TL(例如，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2以及栅极电极GE)。
桥接图案BRP可以设置在栅极绝缘层GI上。桥接图案BRP可以与晶体管电极层TL设置在同一平面上。然而，在一些实施例中，桥接图案BRP可以设置在层间导电层ICL中。桥接图案BRP可以电连接到电源连接电极1300，并且通过接触孔CH电连接到第二电极ELT2。
保护层PSV可以设置在层间绝缘层ILD上。
接触孔CH可以穿过保护层PSV和层间绝缘层ILD形成。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2、第一电极ELT1、第二电极ELT2、第三电极ELT3、第一绝缘层INS1、堤BNK、发光元件LD、第二绝缘层INS2、第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2以及第三绝缘层INS3。
第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以在基底SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上凸出。在平面图中，第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以布置成第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2围绕其中设置发光元件LD的区域的形式。第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以包括有机材料或无机材料。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2上，以形成反射墙。因此，可以改善子像素SPX的光发射效率。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在保护层PSV上。在一些实施例中，第一电极ELT1和第二电极ELT2的部分可以分别设置在第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2上。第二电极ELT2可以通过接触孔CH电连接到桥接图案BRP。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以是用于发光元件LD的对准电极。如上所述，第一对准信号提供到第一电极ELT1，并且第二对准信号提供到第二电极ELT2。因此，可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成电场，并且发光元件LD可以基于形成的电场来布置。例如，发光元件LD的第一端部EP1可以面对第一电极ELT1，并且发光元件LD的第二端部EP2可以面对第二电极ELT2。
第一绝缘层INS1可以设置在保护层PSV上。第一绝缘层INS1可以覆盖第一电极ELT1、第二电极ELT2和第三电极ELT3。第一绝缘层INS1可以稳定电极组件之间的连接并且减少外部影响。第一绝缘层INS1可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的任何一种。然而，本公开不限于此。
堤BNK可以设置在第一绝缘层INS1上。堤BNK可以在基底SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出。发光元件LD可以设置在相邻的堤BNK之间。
发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上。发光元件LD可以基于从第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2提供的电信号发射光。如上所述，发光元件LD可以基于第一电极ELT1和第二电极ELT2之间形成的电场来布置。在一些实施例中，发光元件LD可以根据电场通过外力(例如，电泳(DEP)力)布置。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以覆盖发光元件LD的有源层AL(例如，参见图1)。在示例中，第二绝缘层INS2可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。
第一接触部分CNT1可以穿过缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、保护层PSV和第一绝缘层INS1形成。尽管图中未示出，但是第二接触部分CNT2(参见图11)也可以穿过缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、保护层PSV和第一绝缘层INS1形成。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在堤BNK上的第一绝缘层INS1上。如上所述，第一接触电极CNE1可以是用于发光元件LD的阳极电极AE，并且第二接触电极CNE2可以是用于发光元件LD的阴极电极CE(参见图8)。第一接触电极CNE1可以通过第一接触部分CNT1电连接到阳极连接电极1200。根据实施例，第一接触部分CNT1可以设置在基底SUB和显示元件层DPL之间。
在一些实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在同一层中。即，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以通过相同的工艺被图案化。然而，在一些实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以通过不同的工艺被图案化。附加的绝缘层可以插入第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间，使得可以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间的短路缺陷。
第三绝缘层INS3可以设置在第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2和第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以设置在外部部分处，以保护显示元件层DPL的组件免受外部影响。在一些实施例中，第三绝缘层INS3可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的一种。然而，本公开的内容不限于上述示例。
在下文中，将参照图14描述包括像素PXL的颜色转换层CCL的附加结构。图14是沿着图11中示出的线II-II’截取的示意性截面图。在图14中，简要地示出了像素电路层PCL和显示元件层DPL的单个组件。
根据实施例，设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中的发光元件LD可以发射相同颜色的光。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以包括发射第三颜色的光(例如，蓝光)的发光元件LD。颜色转换层CCL和/或滤色器层CFL可以提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中，以显示全色图像。然而，本公开不一定限于此，并且第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以包括发射不同颜色的光的发光元件LD。
颜色转换层CCL可以设置在显示元件层DPL中。例如，颜色转换层CCL可以设置在堤BNK之间。在一些实施例中，可以进一步在堤BNK上设置附加堤。当设置附加堤时，可以形成在第三方向DR3上进一步突出的堤结构，使得可以清楚地限定其中可以设置颜色转换层CCL的区域。颜色转换层CCL可以设置在附加堤之间。
颜色转换层CCL可以配置为改变光的波长。例如，颜色转换层CCL可以包括波长转换粒子WCP和光透射粒子LTP。在示例中，波长转换粒子WCP可以包括第一波长转换粒子WCP1和第二波长转换粒子WCP2。
第一波长转换粒子WCP1可以设置为与第一子像素SPX1的发射区域EMA重叠。例如，第一波长转换粒子WCP1可以提供在堤BNK之间，以在平面图中与第一子像素SPX1的发射区域EMA重叠。
第二波长转换粒子WCP2可以设置为与第二子像素SPX2的发射区域EMA重叠。例如，第二波长转换粒子WCP2可以提供在堤BNK之间，以在平面图中与第二子像素SPX2的发射区域EMA重叠。
光透射粒子LTP可以设置为与第三子像素SPX3的发射区域EMA重叠。例如，光透射粒子LTP可以提供在堤BNK之间，以在平面图中与第三子像素SPX3的发射区域EMA重叠。
根据实施例，第一波长转换粒子WCP1可以包括用于将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第一颜色的光的第一颜色转换粒子。例如，当发光元件LD是发射蓝色的光的蓝光发射元件并且第一子像素SPX1是红色像素时，第一波长转换粒子WCP1可以包括用于将从蓝光发射元件发射的蓝色的光转换为红色的光的第一量子点。
例如，第一波长转换粒子WCP1可以包括分散在预定基质材料(诸如，基体树脂)中的多个第一量子点。第一量子点可以吸收蓝光并通过根据能量转换而变换蓝光的波长来发射红光。同时，当第一子像素SPX1是另一颜色的像素时，第一波长转换粒子WCP1可以包括与第一子像素SPX1的颜色相对应的第一量子点。
根据实施例，第二波长转换粒子WCP2可以包括用于将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第二颜色的光的第二颜色转换粒子。在示例中，当发光元件LD是发射蓝色的光的蓝光发射元件并且第二子像素SPX2是绿色像素时，第二波长转换粒子WCP2可以包括用于将从蓝光发射元件发射的蓝色的光转换为绿色的光的第二量子点。
例如，第二波长转换粒子WCP2可以包括分散在预定基质材料(诸如，基体树脂)中的多个第二量子点。第二量子点可以吸收蓝光并通过根据能量转换而变换蓝光的波长来发射绿光。同时，当第二子像素SPX2是另一颜色的像素时，第二波长转换粒子WCP2可以包括与第二子像素SPX2的颜色相对应的第二量子点。
同时，第一量子点和第二量子点可以具有诸如球形形状、金字塔形状、多臂形状、立方体纳米粒子、纳米线、纳米织物或纳米板粒子的形状。然而，本公开不一定限于此，并且第一量子点和第二量子点的形状可以进行各种改变。
在实施例中，具有可见光波段中的相对短波长的蓝色的光入射到第一量子点和第二量子点中，使得第一量子点和第二量子点的吸收系数可以提高。因此，可以改善从第一子像素SPX1和第二子像素SPX2最终发射的光的效率，并且可以确保优异的颜色再现。另外，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的像素单元通过使用相同颜色的发光元件LD(例如，蓝光发射元件)配置，使得可以改善显示装置的制造效率。
根据实施例，可以提供光透射粒子LTP以有效地利用从发光元件LD发射的第三颜色的光。例如，当发光元件LD是发射蓝色的光的蓝光发射元件并且第三子像素SPX3是蓝色像素时，光透射粒子LTP可以包括至少一种光散射粒子以有效地利用从发光元件LD发射的光。
例如，光透射粒子LTP可以包括分散在诸如基体树脂的预定基质材料中的多个光散射粒子。在示例中，光透射粒子LTP可以包括诸如二氧化硅的光散射粒子，但是构成光散射粒子的材料不限于此。
同时，光散射粒子将不只设置在第三子像素SPX3的发射区域EMA中。在示例中，光散射粒子可以分散在用于第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的基体树脂中。
光学层OPL可以包括第一覆盖层CAP1、下折射层LRL和第二覆盖层CAP2。光学层OPL可以设置在颜色转换层CCL上。光学层OPL可以设置在显示元件层DPL上。
第一覆盖层CAP1可以密封(或覆盖)波长转换粒子WCP和光透射粒子LTP。第一覆盖层CAP1可以设置在下折射层LRL和显示元件层DPL之间。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供第一覆盖层CAP1。第一覆盖层CAP1可以防止颜色转换层CCL由于外部的杂质(诸如湿气或空气)的渗透而被损坏或污染。
根据实施例，第一覆盖层CAP1可以配置为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)之中的一种绝缘材料的单层或多层。然而，本公开的内容不限于上述示例。
下折射层LRL可以设置在第一覆盖层CAP1和第二覆盖层CAP2之间。下折射层LRL可以设置在颜色转换层CCL和滤色器层CFL之间。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供下折射层LRL。
下折射层LRL可以起到允许从颜色转换层CCL提供的光通过全反射被回收的作用，从而改善光效率。为此，下折射层LRL可以具有比颜色转换层CCL的折射率相对低的折射率。
根据实施例，下折射层LRL可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的中空粒子。中空粒子可以包括中空二氧化硅粒子。另外，中空粒子可以是由致孔剂形成的孔隙，但是本公开不一定限于此。而且，下折射层LRL可以包括氧化锌(ZnO)粒子、二氧化钛(TiO2)粒子和纳米硅酸盐粒子中的至少一种，但是本公开不一定限于此。
第二覆盖层CAP2可以设置在下折射层LRL上。第二覆盖层CAP2可以设置在滤色器层CFL和下折射层LRL之间。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供第二覆盖层CAP2。第二覆盖层CAP2可以防止下折射层LRL由于外部的杂质(诸如湿气或空气)的渗透而被损坏或污染。
根据实施例，第二覆盖层CAP2可以配置为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种绝缘材料的单层或多层。然而，本公开的内容不限于上述示例。
滤色器层CFL可以配置为允许光选择性地通过其透射。滤色器层CFL可以设置在第二覆盖层CAP2上。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供滤色器层CFL。滤色器层CFL可以包括滤色器CF1、CF2和CF3、平坦化层PLA、光阻挡图案LBP和外覆层OC。
根据实施例，滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在第二覆盖层CAP2上。在平面图中，滤色器CF1、CF2和CF3可以与第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的发射区域EMA重叠。
根据实施例，第一滤色器CF1允许第一颜色的光通过其透射，并且可以不允许第二颜色的光和第三颜色的光通过其透射。在实施例中，第一滤色器CF1可以包括第一颜色的着色剂。
根据实施例，第二滤色器CF2允许第二颜色的光通过其透射，并且可以不允许第一颜色的光和第三颜色的光通过其透射。在示例中，第二滤色器CF2可以包括第二颜色的着色剂。
根据实施例，第三滤色器CF3允许第三颜色的光通过其透射，并且可以不允许第一颜色的光和第二颜色的光通过其透射。在示例中，第三滤色器CF3可以包括第三颜色的着色剂。
根据实施例，平坦化层PLA可以提供在滤色器CF1、CF2和CF3上。平坦化层PLA可以覆盖滤色器CF1、CF2和CF3。平坦化层PLA可以对由于滤色器CF1、CF2和CF3而产生的台阶进行平坦化。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供平坦化层PLA。
在示例中，平坦化层PLA可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，本公开不一定限于此，平坦化层PLA可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)的各种无机绝缘材料。
光阻挡图案LBP可以设置在第二覆盖层CAP2上以分隔第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。根据实施例，在平面图中，光阻挡图案LBP可以与堤BNK重叠。在平面图中，光阻挡图案LBP可以与发射区域EMA不重叠，并且可以与非发射区域NEA重叠。
光阻挡图案LBP可以包括光阻挡材料，从而防止光在相邻子像素SPX之间泄漏的漏光缺陷，并且防止分别从相邻子像素SPX发射的光的混合。例如，光阻挡图案LBP可以包括黑矩阵。
同时，在一些实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以在与其中设置光阻挡图案LBP的区域重叠的同时而设置。同样地，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3与该区域重叠，从而防止漏光缺陷并且防止光的混合。
外覆层OC可以设置在平坦化层PLA上。外覆层OC可以设置在上膜层UFL和滤色器层CFL之间。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供外覆层OC。外覆层OC可以覆盖包括滤色器层CFL的下构件。外覆层OC可以防止湿气或空气渗透到上述下构件内。而且，外覆层OC可以保护上述下构件不受诸如灰尘的异物的影响。
根据实施例，外覆层OC可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，本公开不一定限于此，并且外覆层OC可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)的各种无机绝缘材料。
上膜层UFL可以设置在滤色器层CFL上。上膜层UFL可以设置在显示装置100的外部处，以减少对显示装置100的外部影响。可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3提供上膜层UFL。
根据实施例，上膜层UFL可以包括抗反射(AR)涂层。AR涂层可以表示通过在特定组件的一个表面上涂覆具有抗反射功能的材料而形成的组件。涂覆的材料可以具有低反射性并且适当地包括本领域中已知的各种材料。
接下来，将参照图15至图17描述根据本公开的另一实施例的子像素SPX。在图15至图17中，与上文描述的部分重叠的部分的描述将被简化或省略。
图15是示出根据本公开的另一实施例的子像素的示意性平面图。
图16是示出根据本公开的另一实施例的通过其将阳极信号供应到发光元件的路径的框图。
图17是示出根据本公开的另一实施例的子像素的示意性平面图。
参照图15至图17，根据本公开的另一实施例的子像素SPX与根据本公开的实施例的子像素SPX(例如，参见图8)的不同之处在于第一电极ELT1和第一接触电极CNE1构成提供用于允许发光元件LD发射光的阳极信号的阳极电极AE。
根据实施例，阳极连接电极1200可以通过第一接触部分CNT1电连接到第一电极ELT1。另外，第一电极ELT1可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD。即，从阳极连接电极1200提供的阳极信号可以通过经由第一接触部分CNT1连接到阳极连接电极1200的第一电极ELT1和第一接触电极CNE1提供到发光元件LD。因此，在本实施例中，第一电极ELT1和第一接触电极CNE1构成用于发光元件LD的阳极电极AE。
根据实施例，阳极连接电极1200可以通过由穿过缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和保护层PSV形成的第一接触部分CNT1电连接到第一电极ELT1。
根据本公开，可以提供其中可以充分地保障设置发光元件的区域的显示装置。
本文中已经公开了示例实施例，并且尽管采用了具体的术语，但是这些术语仅在通用和描述性的意义上使用并解释，而不是为了限制的目的。正如截至本申请提交时对本领域普通技术人员显而易见的，在某些情况下，除非另有具体说明，否则与特定实施例相关的特征、特性和/或元件可以单独使用或与关于其它实施例描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不背离所附权利要求书中所述的本公开的特征和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
像素，包括发射第一颜色的光的第一子像素和发射第二颜色的光的第二子像素，
其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一者包括：
像素电路层，设置在基底上，所述像素电路层包括像素电路，和
显示元件层，设置在所述像素电路层上，所述显示元件层包括发光单元，所述发光单元具有阳极电极、阴极电极以及连接在所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光元件，
其中，所述像素电路层包括：
第一接触部分，设置在所述基底和所述显示元件层之间，所述阳极电极和所述像素电路通过所述第一接触部分彼此连接以将阳极信号供应到所述发光元件，
并且
其中，包括所述第一子像素中的第一接触部分和所述第二子像素中的第一接触部分的多个第一接触部分沿着第一方向布置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括：第三子像素，发射第三颜色的光并且包括阳极电极、设置在所述基底和所述显示元件层之间的第一接触部分以及发光元件，所述第三子像素的所述阳极电极和所述第三子像素的像素电路通过所述第三子像素中的所述第一接触部分彼此连接，
其中，包括所述第一子像素中的所述第一接触部分、所述第二子像素中的所述第一接触部分和所述第三子像素中的所述第一接触部分的多个第一接触部分沿着所述第一方向布置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者包括发射光的发射区域，
其中，所述多个第一接触部分与所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一者的所述发射区域沿着垂直于所述第一方向的第二方向不重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路层还包括设置在所述基底上的阳极连接电极，
其中，所述阳极电极电连接到所述发光元件的第一端部，并且所述阴极电极电连接到所述发光元件的第二端部，并且
其中，所述阳极连接电极通过所述第一接触部分电连接到所述阳极电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述像素电路层还包括：
阴极连接电极，设置在所述基底上；和
第二接触部分，并且
其中，所述阴极连接电极通过所述第二接触部分电连接到所述阴极电极。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述像素电路包括：
晶体管；和
存储电容器，
其中，所述晶体管包括：
第一晶体管电极；
第二晶体管电极；以及
栅极电极，并且
其中，所述阳极连接电极电连接到所述第一晶体管电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示元件层还包括：
对准电极，包括设置在所述像素电路层上的第一电极和第二电极；
第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；
第一接触电极，设置在所述第一绝缘层上；以及
第二接触电极，设置在所述第一绝缘层上，
其中，所述第一接触电极通过所述第一接触部分电连接到所述阳极连接电极，并且
其中，所述第一接触电极是所述阳极电极，并且所述第二接触电极是所述阴极电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个第一接触部分布置所在的方向与所述第一电极和所述第二电极延伸所在的方向不同。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示元件层还包括：
对准电极，包括设置在所述像素电路层上的第一电极和第二电极；
第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；
第一接触电极，设置在所述第一绝缘层上；以及
第二接触电极，设置在所述第一绝缘层上，
其中，所述第一电极通过所述第一接触部分电连接到所述阳极连接电极，并且所述第一电极电连接到所述第一接触电极，并且
其中，所述第一电极和所述第一接触电极构成所述阳极电极。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一晶体管电极、所述第二晶体管电极和所述栅极电极设置在同一层上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第一接触部分布置所在的方向与所述第一子像素和所述第二子像素布置为彼此相邻所在的方向相对应。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路包括：
第一像素电路，作为用于所述第一子像素的像素电路；和
第二像素电路，作为用于所述第二子像素的像素电路，并且
其中，所述多个第一接触部分布置所在的方向与所述第一像素电路和所述第二像素电路布置为彼此相邻所在的方向不同。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素包括发射光的发射区域，并且
其中，所述多个第一接触部分与所述发射区域间隔开。
14.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述像素包括在与所述第一方向不同的第二方向上设置为彼此相邻的像素，并且
其中，所述多个第一接触部分设置在彼此相邻的所述像素之间。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路包括：
第一像素电路，作为用于所述第一子像素的像素电路；和
第二像素电路，作为用于所述第二子像素的像素电路，并且
其中，所述多个第一接触部分与所述第一像素电路和所述第二像素电路沿着所述第一像素电路和所述第二像素电路布置为彼此相邻所在的第二方向重叠。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括电连接到所述像素电路的数据线，
其中，所述多个第一接触部分布置所在的方向与所述数据线延伸所在的方向不同。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电路层还包括：
阳极连接电极，设置在所述基底上；
阴极连接电极，设置在所述基底上；以及
第二接触部分，
其中，所述显示元件层还包括：
接触电极层，电连接到所述发光元件的至少一部分，
其中，所述发光单元包括：
第一发光单元，包括发光元件；
第二发光单元，包括发光元件；
第三发光单元，包括发光元件；以及
第四发光单元，包括发光元件，并且
其中，所述接触电极层包括：
第一接触电极，电连接到所述第一发光单元的所述发光元件的一端，所述第一接触电极通过所述多个第一接触部分中的一个电连接到所述阳极连接电极；
第二接触电极，电连接到所述第一发光单元的所述发光元件的另一端，所述第二接触电极电连接到所述第二发光单元的所述发光元件的一端；
第三接触电极，电连接到所述第二发光单元的所述发光元件的另一端，所述第三接触电极电连接到所述第三发光单元的所述发光元件的一端；
第四接触电极，电连接到所述第三发光单元的所述发光元件的另一端，所述第四接触电极电连接到所述第四发光单元的所述发光元件的一端；以及
第五接触电极，电连接到所述第四发光单元的所述发光元件的另一端，所述第五接触电极通过所述第二接触部分电连接到所述阴极连接电极。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一者还包括：
颜色转换层，配置为改变光的波长；和
滤色器层，配置为允许光选择性地通过所述滤色器层透射。
19.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
像素，包括多个子像素，所述多个子像素各自包括发光元件，
其中，所述发光元件基于从设置在基底上的阳极电极提供的阳极信号发射光，
其中，所述阳极电极通过穿过设置在所述基底上的绝缘层形成的阳极接触部分电连接到设置在所述基底上的阳极连接电极，并且
其中，所述多个子像素的多个阳极接触部分沿着预定方向设置。
20.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
像素，包括多个子像素，
其中，所述多个子像素中的每一个包括：
像素电路层，设置在基底上，所述像素电路层包括阳极连接电极和像素电路；和
显示元件层，设置在所述像素电路层上，所述显示元件层包括发光元件和电连接到所述发光元件的阳极电极，
其中，所述阳极电极通过穿过所述像素电路层的绝缘层形成的阳极接触部分电连接到所述阳极连接电极，
其中，所述多个子像素的多个阳极接触部分在与所述多个子像素的一侧相邻的同时沿着一个方向布置。
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