CN116399466A - 温度确定装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供的温度确定装置，温度确定装置包括微机电系统谐振器、振荡电路、耦合单元以及温度确定单元，微机电系统谐振器、振荡电路以及温度确定单元均与耦合单元电连接。本申请实施例不直接进行温度的测量，而是获取耦合值，根据耦合值与温度的对应关系来获取微机电系统振荡器的实时温度。因此，采用本申请实施例提供的温度确定装置来测量微机电系统振荡器的温度，不仅简单快捷效率高，而且精准度高，从而能够实现高精度的温度测量，实现对微机电系统振荡器由于温度偏差引起的频率偏差的补偿，进而输出具有期望频率的信号。
Description
技术领域
本申请涉及微机电系统技术领域，具体涉及一种温度确定装置。
背景技术
晶体振荡器作为电子系统的重要单元之一，其应用范围非常广泛。晶体振荡器的频率度、时钟抖动以及功耗是衡量晶体振荡器性能的主要参数。而微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)振荡器具有尺寸小，抗冲击、耐冲击能力强，且无起振问题等优点，已成为晶体振荡器的替代技术。
与石英晶体振荡器相比，MEMS振荡器是基于硅工艺形成，而硅具有高度负的弹性温度系数(temperature coefficient elasticity，TCE)，因此MEMS振荡器的谐振频率与温度强相关，MEMS振荡器的频率温度系数(temperature coefficient frequency，TCF)较大。因此，温度变化导致的测量差异是微机电系统振荡器面临的重大挑战之一。
研究人员已尝试使用不同的技术来降低温度对输出频率的影响，对温度进行补偿。这些技术可以分为两大类，无源补偿或有源补偿。无源补偿包括使用不同温度系数的材料制造微机电系统振荡器，以及使用不同的掺杂材料或者不同掺杂浓度来降低温度依赖性。而有源补偿包括根据当前温度对微机电系统振荡器施加受控电压以改变其结构体中的物理特性，最终对微机电系统振荡器的谐振频率进行补偿。有源补偿虽然可以达到更宽的温度补偿范围，但需要高精度的温度测量。而现有的MEMS振荡器的测温效率不高且功耗大，无法实现高精度的温度测量。
因此，如何实现高精度的温度测量，以提高温度补偿的效果是现有MEMS振荡器厂家亟需解决的难题。
发明内容
本申请提供一种温度确定装置，可以实现高精度的温度测量，以提高温度补偿的效果。
第一方面，本申请提供一种温度确定装置，包括：
微机电系统谐振器，用于输出第一频率；
振荡电路，用于输出第二频率，所述振荡电路与所述微机电系统谐振器具有不同的温度系数；
耦合单元，分别与所述微机电系统谐振器和所述振荡电路电连接，所述耦合单元用于接收所述第一频率以及所述第二频率，并将所述第一频率和所述第二频率耦合，以获取所述第一频率和第二频率的耦合值，所述耦合值与微机电系统振荡器的温度成比例；
温度确定单元，与所述耦合单元电连接，所述温度确定单元用于接收所述耦合值，并基于所述耦合值确定所述微机电系统振荡器的温度。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述耦合值根据所述第二频率与第一频率的比值、和值或差值得到。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，还包括存储单元，所述存储单元与所述温度确定单元电连接，用于存储所述耦合值与温度的对应关系。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，还包括输出单元，所述输出单元和所述温度确定单元电连接，用于从所述温度确定单元获取所述微机电系统谐振器的温度数据并输出。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述微机电系统谐振器包括电连接的微机电系统裸片以及互补金属氧化物半导体裸片。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述互补金属氧化物半导体裸片上设有多个第一触点，所述微机电系统裸片上设有多个第二触点，所述第一触点和所述第二触点对应设置，且所述第一触点与对应的所述第二触点通过金属引线键合或焊接。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述微机电系统裸片和所述互补金属氧化物半导体裸片堆叠设置、并列设置或交错设置。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述振荡电路、所述耦合单元以及所述温度确定单元集成于所述微机电系统裸片和/或所述互补金属氧化物半导体裸片上。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述微机电系统裸片包括工作区域和非工作区域，所述工作区域设有谐振子。
在本申请实施例提供的温度确定装置中，所述振荡电路包括电容、电感和振荡控制电路，所述电容和所述电感均与所述振荡器电路电连接，所述电容和/或电感位于所述非工作区域。
在本申请提供的温度确定装置中，温度确定装置包括微机电系统谐振器、振荡电路、耦合单元以及温度确定单元，微机电系统谐振器、振荡电路以及温度确定单元均与耦合单元电连接。其中，在本申请实施例中，先通过耦合单元计算出微机电系统谐振器输出的第一频率和振荡电路输出的第二频率的耦合值，然后通过温度确定单元依照耦合值即可得到微机电系统振荡器的实时温度。本申请实施例不直接进行温度的测量，而是获取耦合值，根据耦合值与温度的对应关系来获取微机电系统振荡器的实时温度。因此，采用本申请实施例提供的温度确定装置来测量微机电系统振荡器的温度，不仅简单快捷效率高，而且精准度高，从而能够实现高精度的温度测量，实现对微机电系统振荡器由于温度偏差引起的频率偏差的补偿，进而输出具有期望频率的信号。
附图说明
图1为本申请实施例提供的温度确定装置的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的温度确定装置的第一温度系数图；
图3为本申请实施例提供的温度确定装置的第二温度系数图；
图4为本申请实施例提供的温度确定装置的第二结构示意图；
图5为本申请实施例提供的温度确定装置的第三结构示意图；
图6为本申请实施例提供的温度确定装置的第四结构示意图；
图7为本申请实施例提供的温度确定装置的第五结构示意图；
图8为本申请实施例提供的温度确定装置的第六结构示意图；
图9为本申请实施例提供的温度确定装置的第七结构示意图；
图10为本申请实施例提供的温度确定装置的第八结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，在本申请的描述中，“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的温度确定装置的第一结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的温度确定装置1包括微机电系统谐振器10、振荡电路11、耦合单元12以及温度确定单元13。微机电系统谐振器10、振荡电路11以及温度确定单元13均与耦合单元12电连接。
其中，需要说明的是，微机电系统谐振器10用于输出第一频率f1。振荡电路11用于输出第二频率f2。耦合单元12用于接收第一频率f1以及第二频率f2，并将第一频率f1和第二频率f2耦合，以获取第一频率f1和第二频率f2的耦合值f3。温度确定单元13用于接收所述耦合值f3，并基于耦合值f3确定微机电系统振荡器的温度。耦合值f3与微机电系统振荡器的温度T成比例。
其中，在本申请实施例中，先通过耦合单元12计算出微机电系统谐振器10输出的第一频率f1和振荡电路11输出的第二频率f2的耦合值f2，通过温度确定单元13依照耦合值f3即可得到微机电系统振荡器的实时温度。需要说明的是，本申请实施例不直接进行温度的测量，而是获取耦合值，根据耦合值与温度的对应关系来获取微机电系统振荡器的实时温度。因此，采用本申请实施例提供的温度确定装置来测量微机电系统振荡器的温度，不仅简单快捷效率高，而且精准度高，从而能够实现高精度的温度测量，实现对微机电系统振荡器由于温度偏差引起的频率偏差的补偿，进而输出具有期望频率的信号。
其中，需要说明的是，耦合值f3可通过多种方式获得，只不过采用不同方式获取的耦合值f3与温度的对应关系不同。
其一，在耦合单元30的耦合期间，将第二频率f2与第一频率f1的比值作为耦合值f3，即耦合值f3＝f2/f1。其二，在耦合单元30的耦合期间，将第一频率f1与第二频率f2的比值作为耦合值f3，即耦合值f3＝f1/f2，其三，在耦合单元30的耦合期间，将第二频率f2与和值的比值作为耦合值f3，和值为第一频率f1与第二频率f2两者之和作为耦合值f3，即耦合值f3＝f2/(f1+f2)。其四，在耦合单元30的耦合期间，将从第二频率f2减去第一频率f1的差值作为耦合值f3，即耦合值f3＝(f2-f1)。其五，在耦合单元30的耦合期间，将从第一频率f1减去第二频率f2的差值作为耦合值f3，即耦合值f3＝(f1-f2)。其六，在耦合单元30的耦合期间，将第一频率f1与第二频率f2的和值作为耦合值f3，即耦合值f3＝(f1+f2)。
其中，需要说明的是，在本申请实施例中，振荡电路11可为LC振荡电路。
请参阅图2以及图3，图2为本申请实施例提供的温度确定装置的第一温度系数图。图3为本申请实施例提供的温度确定装置的第二温度系数图。如图2以及图3所示，在本申请实施例提供的温度确定装置1中，微机电系统谐振器10与振荡电路11具有不同的温度系数。
其中，需要说明的是，微机电系统振荡器包括微机电系统谐振器10以及振荡电路11，微机电系统谐振器10以及振荡电路11均能够影响微机电系统振荡器的温度。而微机电系统谐振器10与振荡电路11具有不同的温度系数，因此，需要提前获取耦合值f3与温度的对应关系来获取微机电系统振荡器的实时温度。
其中，耦合值f3与温度的对应关系可以在实时检测微机电系统振荡器的温度前由实验数据获取。
其一，可以将本申请实施例提供的温度确定装置1放置于一温度可测的环境中，然后获取多组第一频率f1以及第二频率f2，并耦合获取耦合值f3，从而得到多个耦合值f3与温度的对应坐标点，进而多个对应坐标点可以构成一查找表。当实时检测微机电系统振荡器的温度时，可以通过查找表来查找实时耦合值f3对应的温度值，此温度值即为检测微机电系统振荡器的实时温度。
其二，可以将本申请实施例提供的温度确定装置1放置于一温度可测的环境中，然后获取多组第一频率f1以及第二频率f2，并耦合获取耦合值f3，从而得到多个耦合值f3与温度的对应坐标点，然后根据多个坐标点进行多项式拟合计算，从而获取一耦合值f3与温度的对应斜线，即如图3所示的斜线。当实时检测微机电系统振荡器的温度时，可以直接将实时耦合值f3代入到此斜线的方程式中，获取到的值即为微机电系统振荡器的实时温度。
其三，可以将根据微机电系统谐振器10的温度系数与振荡电路11的温度系数进行多项式拟合计算，从而获取一耦合值f3与温度的对应斜线，即如图3所示的斜线。当实时检测微机电系统振荡器的温度时，可以直接将实时耦合值f3代入到此斜线的方程式中，获取到的值即为微机电系统振荡器的实时温度。
其中，需要说明的是，微机电系统谐振器10的温度系数与振荡电路11的温度系数具有较大差异。具体地，微机电系统谐振器10输出的第一频率f1随着温度变化为0.9～1.1ppm/℃，即微机电系统谐振器10的温度系数为0.9～1.1ppm/℃。具体地，微机电系统谐振器10的温度系数为0.9ppm/℃、0.95ppm/℃、1.0ppm/℃或1.1ppm/℃。振荡电路11输出的第二频率f2随着温度变化为95～105ppm/℃，即振荡电路11的温度系数为95～105ppm/℃。具体地，振荡电路11的温度系数为95ppm/℃、97ppm/℃、100ppm/℃或105ppm/℃。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的温度确定装置的第二结构示意图。如图4所示，图4所示的温度确定装置1与图1所示的温度确定装置1的区别在于：本申请实施例提供的温度确定装置1还包括存储单元14，存储单元14用于存储耦合值f3与温度的对应关系。
其中，需要说明的是，耦合值f3与温度的对应关系是在实时检测微机电系统振荡器的温度前由实验数据获取，将耦合值f3与温度的对应关系提前存储至存储单元14中，当采用本申请实施例提供的温度确定装置1测量微机电系统振荡器的实时温度时，可以直接依据耦合值f3来获取微机电系统振荡器的实时温度，从而可以提高温度检测的速率。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的温度确定装置的第三结构示意图。如图5所示，图5所示的温度确定装置1与图1所示的温度确定装置1的区别在于：本申请实施例提供的温度确定装置1还包括输出单元15，输出单元15和温度确定单元13电连接。输出单元15用于从温度确定单元13获取微机电系统谐振器的温度数据并输出。
其中，需要说明的是，输出单元15将微机电系统谐振器的温度数据输出至后续逻辑电路，可以便于后续利用该温度，从而能够输出高精准的温度信号，而根据高精准的温度信号进行的补偿效果好，有助于输出具有期望频率的信号。由此，能够实现对微机电系统振荡器由于温度偏差引起的频率偏差的补偿。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的温度确定装置的第四结构示意图。如图6所示，在本申请实施例提供的温度确定装置1中，微机电系统谐振器10包括微机电系统裸片101以及互补金属氧化物半导体裸片102。微机电系统裸片101和互补金属氧化物半导体裸片102电连接。振荡电路11包括电容111、电感112和振荡控制电路113。电容111和电感112均与振荡控制电路113电连接。其中，微机电系统裸片101上集成有谐振子1011以及电容111。互补金属氧化物半导体裸片102上集成有振荡器电路1021、电感112、振荡控制电路113、耦合单元12、温度确定单元13以及输出单元15。
其中，需要说明的是，振荡控制电路113用于控制电容111和电感112输出与温度相关的第二频率f2。
其中，振荡电路11、耦合单元12以及温度确定单元13集成于微机电系统裸片101和/或互补金属氧化物半导体裸片102上。具体地，耦合单元12、温度确定单元13、输出单元15以及振荡电路11的部分构件集成于补金属氧化物半导体裸片102上，振荡电路11的部分构件集成于微机电系统裸片101上，本申请实施例将温度确定装置1的各模块集成在一起，从而可以有效地减小温度确定装置1的体积，从而使温度确定装置1可以在狭窄空间使用，提高了温度确定装置1的泛用性，便于采用温度确定装置1进行温度测量。
其中，需要说明的是，位于微机电系统裸片101上的振荡电路11的部分构件，不仅可以单独制成，并采用粘附的方式集成在微机电系统裸片101上；还可以直接采用光刻、剥离等微机电系统工艺直接在微机电系统裸片101上形成。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的温度确定装置的第五结构示意图。如图7所示，在本申请实施例提供的温度确定装置1中，微机电系统裸片101上集成有谐振子1011以及电感112。互补金属氧化物半导体裸片102上集成有振荡器电路1021、电容111、振荡控制电路113、耦合单元12、温度确定单元13以及输出单元15。
其中，耦合单元12、温度确定单元13、输出单元15以及振荡电路11的部分构件集成于补金属氧化物半导体裸片102上，振荡电路11的部分构件集成于微机电系统裸片101上，本申请实施例将温度确定装置1的各模块集成在一起，从而可以有效地减小温度确定装置1的体积，从而使温度确定装置1可以在狭窄空间使用，提高了温度确定装置1的泛用性，便于采用温度确定装置1进行温度测量。
请参阅图8，图8为本申请实施例提供的温度确定装置的第六结构示意图。如图8所示，在本申请实施例提供的温度确定装置1中，微机电系统裸片101上集成有谐振子1011、电容111以及电感112。互补金属氧化物半导体裸片102上集成有振荡器电路1021、振荡控制电路113、耦合单元12、温度确定单元13以及输出单元15。电容111以及电感112电连接
其中，耦合单元12、温度确定单元13、输出单元15以及振荡电路11的部分构件集成于补金属氧化物半导体裸片102上，振荡电路11的部分构件集成于微机电系统裸片101上，本申请实施例将温度确定装置1的各模块集成在一起，从而可以有效地减小温度确定装置1的体积，从而使温度确定装置1可以在狭窄空间使用，提高了温度确定装置1的泛用性，便于采用温度确定装置1进行温度测量。
其中，振荡控制电路113用于控制电容111和电感112输出与温度相关的第二频率f2，因此将电容111以及电感112集成于同一裸片上，可以便于电容111以及电感112电连接，有助于振荡电路11输出稳定的第二频率f2。
请参阅图9，图9为本申请实施例提供的温度确定装置的第七结构示意图。如图9所示，在本申请实施例提供的温度确定装置1中，互补金属氧化物半导体裸片102上设有多个第一触点1022，微机电系统裸片101上设有多个第二触点1012，第一触点1022和第二触点1012对应设置，且第一触点1022和第二触点1012经金属引线键合，以使微机电系统裸片101上的部件与互补金属氧化物半导体裸片102上的部件电连接，从而使微机电系统谐振器10正常工作，稳定输出第一频率f1。
其中，第一触点1022位于互补金属氧化物半导体裸片102靠近微机电系统裸片101的一侧面上。第一触点1022呈规则排列，从而有助于信号的传递。当然，第一触点1022也可以呈不规则排列，第一触点1022的具体排列方式由本申请实施例提供的温度确定装置1的具体需求所确定，在此不作具体限定。
其中，微机电系统裸片101中空设置，微机电系统裸片101内设有多个用于振动的谐振子1011。互补金属氧化物半导体裸片102上设有各种各样基于晶体管的振荡器电路1021。比如，用于控制微机电系统裸片101上的谐振子1011工作的控制电路、各种类型的数字电路、锁相环以及时钟分频器等。
其中，微机电系统裸片101包括工作区域以及非工作区域，谐振子1011设置于工作区域。另外，微机电系统裸片101也可以包括电路元件，只要其他电路元件设置于非工作区域即可。
其中，第一触点1022和对应的第二触点1012经金属引线键合。需要说明的是，引线键合采用的金属引线可以为金线、铜线或其他可实现电连接的金属导线。换句话说，只要金属引线能够使第一触点1022和第二触点1012实现电连接即可，本申请实施例提供的温度确定装置1对比不作具体限定。
其中，微机电系统裸片101和互补金属氧化物半导体裸片102堆叠设置。需要说明的是，采用上述设置，有利于第一触点1022和第二触点1012实现电连接，避免金属引线糅杂，能够实现良好的信号传输。当然，微机电系统裸片101和互补金属氧化物半导体裸片102还可以并列设置，也可以交错设置，本申请实施例提供的温度确定装置1对比不作具体限定。
其中，需要说明的是，当微机电系统裸片101和互补金属氧化物半导体裸片102堆叠设置时，微机电系统裸片101和互补金属氧化物半导体裸片102可以采用粘接或焊接的方式堆叠在一起。
其中，微机电系统裸片101位于互补金属氧化物半导体裸片102的中心位置。需要说明的是，由于微机电系统裸片101与互补金属氧化物半导体裸片102经金属引线键合实现电连接，而微机电系统裸片101位于互补金属氧化物半导体裸片102上方，且微机电系统裸片101左右两侧均设有金属引线，因此，采用上述设置可以给金属引线预留足够空间，避免金属引线糅杂，能够实现良好的信号传输。
其中，微机电系统裸片101远离互补金属氧化物半导体裸片102的一面上设有接地层16。接地层16远离互补金属氧化物半导体裸片102的一面上设有氮化硅层17。氮化硅层17远离互补金属氧化物半导体裸片102的一面上设有电容111。
其中，需要说明的是，微机电系统裸片101远离互补金属氧化物半导体裸片102的一面为微机电系统裸片101的非工作区域，因此，上述电路元件可以设置于微机电系统裸片101上。
其中，氮化硅层17上设有第一凹槽，第二触点1012位于第一凹槽以及电容111远离互补金属氧化物半导体裸片102的一面上。需要说明的是，采用上述设置是为了便于使设置在互补金属氧化物半导体裸片102的电感112和振动控制电路113与电容111连接，从而形成振荡电路11。
请参阅图10，图10为本申请实施例提供的温度确定装置的第八结构示意图。如图10所示，互补金属氧化物半导体裸片102上设有多个第一触点1022，微机电系统裸片101上设有多个第二触点1012，第一触点1022和第二触点1012对应设置，且第一触点1022和对应的第二触点1012焊接，以使微机电系统裸片101上的部件与互补金属氧化物半导体裸片102上的部件电连接，从而使微机电系统谐振器10正常工作，稳定输出第一频率f1。
其中，微机电系统裸片101靠近互补金属氧化物半导体裸片102的一面设有第二凹槽，电容111设置在第二凹槽中。需要说明的是，在本申请实施例中，互补金属氧化物半导体裸片102和微机电系统裸片101采用倒装焊接的方式连接。具体地，直接通过第一触点1022与第二触点1012焊接并连通互补金属氧化物半导体裸片102和微机电系统裸片101，无需设置引线。因此，采用上述设置，可以有利于使设置在互补金属氧化物半导体裸片102的电感112和振动控制电路113与电容111连接，从而形成振荡电路11。
其中，电容111靠近互补金属氧化物半导体裸片102的一面与微机电系统裸片101靠近互补金属氧化物半导体裸片102的一面齐平。需要说明的是，采用上述设置，可以同时焊接连通电容111与谐振子1011，一次成型，从而达到降低成本，提高效率的效果。
其中，在本申请实施例提供的温度确定装置中，温度确定装置包括微机电系统谐振器、振荡电路、耦合单元以及温度确定单元，微机电系统谐振器、振荡电路以及温度确定单元均与耦合单元电连接。其中，在本申请实施例中，先通过耦合单元计算出微机电系统谐振器输出的第一频率和振荡电路输出的第二频率的耦合值，然后通过温度确定单元依照耦合值即可得到微机电系统振荡器的实时温度。本申请实施例不直接进行温度的测量，而是获取耦合值，根据耦合值与温度的对应关系来获取微机电系统振荡器的实时温度。因此，采用本申请实施例提供的温度确定装置来测量微机电系统振荡器的温度，不仅简单快捷效率高，而且精准度高，从而能够实现高精度的温度测量，实现对微机电系统振荡器由于温度偏差引起的频率偏差的补偿，进而输出具有期望频率的信号。
以上对本申请实施例所提供的一种温度确定装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种温度确定装置，其特征在于，包括：
微机电系统谐振器，用于输出第一频率；
振荡电路，用于输出第二频率，所述振荡电路与所述微机电系统谐振器具有不同的温度系数；
耦合单元，分别与所述微机电系统谐振器和所述振荡电路电连接，所述耦合单元用于接收所述第一频率以及所述第二频率，并将所述第一频率和所述第二频率耦合，以获取所述第一频率和第二频率的耦合值，所述耦合值与微机电系统振荡器的温度成比例；
温度确定单元，与所述耦合单元电连接，所述温度确定单元用于接收所述耦合值，并基于所述耦合值确定所述微机电系统振荡器的温度。
2.根据权利要求1所述的温度确定装置，其特征在于，所述耦合值根据所述第二频率与第一频率的比值、和值或差值得到。
3.根据权利要求1所述的温度确定装置，其特征在于，还包括存储单元，所述存储单元与所述温度确定单元电连接，用于存储所述耦合值与温度的对应关系。
4.根据权利要求1所述的温度确定装置，其特征在于，还包括输出单元，所述输出单元与所述温度确定单元电连接，用于从所述温度确定单元获取所述微机电系统谐振器的温度数据并输出。
5.根据权利要求1所述的温度确定装置，其特征在于，所述微机电系统谐振器包括电连接的微机电系统裸片以及互补金属氧化物半导体裸片。
6.根据权利要求5所述的温度确定装置，其特征在于，所述互补金属氧化物半导体裸片上设有多个第一触点，所述微机电系统裸片上设有多个第二触点，所述第一触点和所述第二触点对应设置，且所述第一触点与对应的所述第二触点通过金属引线键合或焊接。
7.根据权利要求5所述的温度确定装置，其特征在于，所述微机电系统裸片和所述互补金属氧化物半导体裸片堆叠设置、并列设置或交错设置。
8.根据权利要求5所述的温度确定装置，其特征在于，所述振荡电路、所述耦合单元以及所述温度确定单元集成于所述微机电系统裸片和/或所述互补金属氧化物半导体裸片上。
9.根据权利要求6所述的温度确定装置，其特征在于，所述微机电系统裸片包括工作区域和非工作区域，所述工作区域设有谐振子。
10.根据权利要求9所述的温度确定装置，其特征在于，所述振荡电路包括电容、电感和振荡控制电路，所述电容和所述电感均与所述振荡控制电路电连接，所述电容和/或电感位于所述非工作区域。
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN116577596A (zh) * | 2023-07-13 | 2023-08-11 | 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 | 振荡器的测量方法、测量系统 |
-
2023
- 2023-03-17 CN CN202310294111.7A patent/CN116399466A/zh active Pending
Cited By (2)
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| CN116577596A (zh) * | 2023-07-13 | 2023-08-11 | 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 | 振荡器的测量方法、测量系统 |
| CN116577596B (zh) * | 2023-07-13 | 2024-05-07 | 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 | 振荡器的测量方法、测量系统 |
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