CN116390527A

CN116390527A - 发光器件和包括该发光器件的发光显示器

Info

Publication number: CN116390527A
Application number: CN202211650005.XA
Authority: CN
Inventors: 宋旭; 黄珉亨; 赵明宣; 金椿基; S·M·朴; 庾荣埈; 金重根; 金炳秀; 金相范
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-31
Filing date: 2022-12-21
Publication date: 2023-07-04
Also published as: EP4207994A1; JP2023099491A; KR20230103744A; US20230217815A1; JP7449358B2

Abstract

本发明公开了一种发光器件和使用该发光器件的发光显示器，其中可以在不缩短寿命的情况下提高多叠层结构中的蓝光发射效率，并且可以通过减少蓝色荧光叠层的数目来实现白色。所述发光器件包括彼此面对的阳极和阴极；设置在所述阳极与所述阴极之间的第一叠层和第二叠层，第一叠层包括第一电子阻挡层、包含发出波长为430nm至480nm的光的硼基化合物的第一蓝光发射层、和第一电子传输层，第二叠层包括至少两个磷光发射层，所述磷光发射层发射的光的波长比第一蓝光发射层发射的光的波长长；和设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷产生层。第一电子传输层包含具有优异的电子传输性能和效率的材料，并且第一电子阻挡层包含被氘取代的化合物，所述化合物可以防止电子在第一电子阻挡层与第一蓝光发光层之间的界面处积聚。

Description

发光器件和包括该发光器件的发光显示器

本申请要求2021年12月31日提交的韩国专利申请第10-2021-0194800号的权益，该申请通过引用并入本文，如同在本文中完整描述该申请一样。

技术领域

本发明涉及一种发光器件，更具体地，涉及一种包括蓝色荧光叠层(stack)和磷光叠层的发光器件以及包括该发光器件的发光显示器，其中所述发光器件能够提高荧光蓝光发射层的效率而无需增加驱动电压。

背景技术

近来，随着信息时代的到来，基于电信息的用于呈现视觉信号的显示器已经迅速发展。作为响应，已经开发了具有优异特性诸如薄、重量轻和功耗低的各种显示器，并且这些显示器正在迅速地替代现有的阴极射线管(CRTs)。

其中，已经认为这样的发光显示器是有竞争力的应用：不需要单独光源，并且在显示器面板中具有发光器件而不需要单独光源，使显示器紧凑并实现清晰色彩。

同时，发光显示器中目前使用的发光器件需要更高的效率以实现期望的图像质量，并且优选地以多个叠层的形式实现。但是，多个叠层的使用会使驱动电压以与叠层数目成比例的方式增加，并且由于各个叠层之间实现的发射颜色和发射机理的差异，仅通过使用多个叠层就可以提高效率的程度受到限制。另外，当为了提高效率而改变材料时，存在寿命缩短的问题。

发明内容

因此，本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光显示器，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本发明的目的是提供一种发光器件以及包括该发光器件的发光显示器，基于对具有低内量子效率的荧光发射层和与其相邻的结构的改性，所述发光器件能够将驱动电压和寿命二者改进到期望的水平。

本发明的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将在本领域普通技术人员查看以下内容后变得显而易见，或者可以从本发明的实践中学到。本发明的目的和其他优点可以通过所撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和得到。

为了实现这些目的和其他优点并且根据本发明的目的，如本文所体现和广泛描述的，发光器件包括彼此面对的阳极和阴极，设置在阳极与阴极之间的第一叠层和第二叠层，以及设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷产生层，其中第一叠层包括第一电子阻挡层、第一蓝光发射层和第一电子传输层，第一蓝光发射层包含发射波长为430nm至480nm的光的硼基化合物，并且第二叠层包括至少两个磷光发射层，所述磷光发射层发射的光的波长比第一蓝光发射层发射的光的波长长。

第一电子传输层可包含具有高电子传输效率的第一材料。

第一电子阻挡层可以由包含螺芴的化合物形成。

第一电子阻挡层可以与第一蓝光发射层的一个表面接触，第一电子传输层可以与第一蓝光发射层的另一个表面接触，并且第一蓝光发射层的一个表面和另一个表面可以彼此相对，其中介于这两个表面之间的为第一蓝光发射层的厚度。

在本发明的另一方面，发光显示器包括：包括多个亚像素的基板；设置在基板上每个亚像素中的薄膜晶体管；和连接至薄膜晶体管的发光器件。

应当理解，本发明的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

为了提供对本发明的进一步理解而包括了附图，这些附图结合到本申请中并构成本申请的一部分，这些附图说明了本发明的一个或多个实施方案，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1A和图1B是示意性地示出了本发明的发光器件的实施例的截面图；

图2示出了图1A和图1B的第一蓝色叠层；

图3是示出了实验实施例中使用的发光器件的截面图；

图4是示出了实验实施例中使用的发光器件的发射光谱性能的图；

图5是示意性地示出了本发明的发光器件的实施例的截面图；和

图6是示出了使用本发明的发光器件的发光显示器的截面图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的优选实施方案，这些优选实施方案的实例在附图中示出。尽可能地，将在整个附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。在本发明的以下描述中，当结合在本文中的已知功能和构造可能使本发明的主题模糊不清时，将省略对这些功能和构造的详细描述。另外，以下说明中使用的要素名称是考虑到申请文件描述的清楚性而选择的，可能与实际产品的要素名称不同。

附图中示出的用于说明本发明各种实施方案的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅用于说明，并且本发明不限于附图中所示的内容。尽可能地，将在整个附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。在以下描述中，可能省略对与本发明相关的技术或构造的详细描述，以避免不必要地混淆本发明的主题。当在整个申请文件中使用诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语时，除非使用了“仅”，否则可以存在额外的部件。除非另有特别说明，否则以单数形式描述的部件包括其复数形式。

包括在本发明实施方案中的部件应解释为包括误差范围，即使没有对其进行额外的具体描述。

在描述本发明的各种实施方案时，当使用诸如“上”、“上方”、“下”和“相邻”的描述位置关系的术语时，除非使用“紧接地”或“直接地”，否则在两个要素之间可以存在至少一个中间要素。

在描述本发明的各种实施方案时，当使用诸如“之后”、“随后”、“接着”和“之前”的与时间关系相关的术语时，除非使用“马上”或“立即”，否则可包括非连续情况。

在描述本发明的各种实施方案时，可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种部件，但这些术语仅旨在将相同或相似的部件彼此区分开来。因此，在整个申请文件中，除非另有具体说明，否则在本发明的技术概念内，“第一”部件可以与“第二”部件相同。

可以将本公开各种实施方案的特征部分地或完全地彼此联接或组合，并且可以各种方式彼此交互操作并在技术上驱动。本公开的实施方案可以彼此独立地实施，也可以相互关联的方式一起实施。

如本文所用，术语“掺杂”是指，在占层的大部分重量的材料中，具有与所述占层的大部分重量的材料不同物理性质的材料(例如，N-型和P-型材料，或有机和无机物质)。除了性质不同之外，材料与掺杂材料也可以在它们在掺杂层中的量方面不同。例如，占层的大部分重量的材料可以是作为主要组分的主体材料，而掺杂剂材料可以是次要组分。主体材料占掺杂层的大部分重量。基于掺杂层的主体材料的总重量，掺杂剂材料以小于30重量％的量添加。考虑到重量比，“掺杂”层可以是用于区分某层的主体材料和掺杂剂材料的层。例如，如果构成某层的所有材料都是有机材料，构成该层的至少一种材料为n-型且另一种为p-型，当n-型材料的存在量小于30重量％，或当p-型材料的存在量小于30重量％时，则认为该层为“掺杂”层。

另外，术语“未掺杂”是指没有“掺杂”的层。例如，当层包含单一材料，或者当层包含的混合物所包括的材料具有彼此相同的性质时，所述层可以是“未掺杂”层。例如，如果构成某层的至少一种材料是p-型的，并且构成该层的所有材料均不是n-型的，那么认为该层是“未掺杂”层。例如，如果构成层的至少一种材料是有机材料，并且构成该层的所有材料均不是无机材料，那么认为该层是“未掺杂”层。

除非另有说明，否则本文所用所有术语，包括科技术语，具有与本发明构思所属领域技术人员普遍理解的相同含义。进一步理解的是，术语，诸如在常用字典中有定义的术语，应该解释为具有与它们在相关领域语境中的含义相一致的含义，并且不会解释为理想化或者过于正式的意思，除非本文中明确有如此定义。

下文中，将结合附图详细描述本公开的示例实施方案。对每个附图中的元素均添加了附图标记，尽管在其他附图中也说明相同元素，但是相似的附图标记可以表示相似的元素。而且，为了便于描述，附图中表示的每个元素的尺寸可能不同于实际尺寸。因此，被表示的元素不限于它们在附图中被表示的具体尺寸。

在下文中，将参考附图来描述本发明的发光器件和包括该发光器件的发光显示器。

图1A和图1B是示意性地示出了本发明的发光器件的一个实施例的截面图，图2示出了图1A和图1B的第一蓝色叠层。

如图1A和图1B所示，本发明的发光器件包括彼此面对的阳极110和阴极200、设置在阳极110与阴极200之间的第一叠层S1和第二叠层S2、以及设置在第一叠层S1与第二叠层S2之间的第一电荷产生层CGL1，其中第一叠层S1包括第一蓝光发射层BEML1，且第二叠层S2包括至少两个磷光发射层REML和GEML，每个磷光发射层发射的光的波长比第一蓝光发射层BEML1发射的光的波长长。

图1A示出了包括根据本发明的发光器件的一个实施方案的具有两个叠层的构造的发光器件。图1B示出了包括根据另一个实施方案的具有三个或更多个叠层的构造的发光器件，并且该构造的特征在于，所述发光器件还包括根据本公开另一个示例实施方案的叠层Sn(其中在图1B的示例实施方案中，n为3或更大的自然数)。除了第一叠层S1和包括磷光发射层的第二叠层S2之外，图1B的示例实施方案中显示的发光器件的示例实施方案还包括包括发射蓝光的第二蓝光发射层BEML2的叠层。

如图1A所示，与空穴传输和注入有关的第一公共层CML1设置在第一叠层S1的第一蓝光发射层BEML1与阳极110之间。与电子传输有关的第二公共层CML2设置在第一蓝光发射层BEML1与第一电荷产生层CGL1之间。类似地，与空穴传输有关的第三公共层CML3设置在第二叠层S2的红光发射层REML与第一电荷产生层CGL1之间。与电子传输有关的第四公共层CML4设置在绿光发射层GEML与阴极200之间。

如图2的示例实施方案所示，发射蓝光的第一叠层S1包括在阳极110上的空穴注入层121、第一空穴传输层122、第一电子阻挡层123、第一蓝光发射层124和第一电子传输层125。

这里，空穴注入层121是在从阳极110注入空穴之前最初形成的层。空穴注入层121可以起到降低能垒的作用以将空穴从电极部件注入有机材料中。包含芳基或亚芳基的空穴传输材料可包括p-型掺杂剂。p-型掺杂剂可以是具有非常低的HOMO能级的有机材料，诸如HATCN，或包含金属和氟离子的无机化合物，诸如MgF₂。

第一空穴传输层122可以选自具有优异的空穴传输性能的有机材料，以便将通过空穴注入层注入121的空穴传送至第一蓝光发射层124。第一空穴传输层122可以将空穴限制于第一蓝光发射层124。第一空穴传输层122可以由有机材料或多种有机材料的混合物形成，以执行空穴传输功能。

第一蓝光发射层124可包含第一主体和具有430nm至480nm的发射峰的硼基掺杂剂。第一主体可以是能够容易地向硼基掺杂剂传送能量并且顺利地在硼基掺杂剂中诱导激发的材料。第一主体可以选自可以具有电子传输能力的材料，例如具有蒽作为核心的有机材料。

此外，第一电子传输层125可以由以下材料形成或者包含以下材料：至少一种可以具有高电子传输效率的材料，例如下式1表示的第一材料，以将电子限制于第一蓝光发射层124。

[式1]

这里，R₁和R₂各自独立地选自环烷基、芳基和杂芳基。杂芳基可以包括未取代或芳基取代的咔唑基。

X₁、X₂和X₃各自独立地为N或CH。X₄、X₅和X₆中的至少一个为N，且其余为CH。含有X₄、X₅和X₆的两个苯环相对于含有X₁、X₂和X₃的苯环可以为对称的。

构成第一电子传输层125的式1的第一材料连接至两个对称的苯环。由于对称苯环的末端处氮(N)的强电子供体活性，第一材料能够以高效率将电子传送至第一蓝光发射层124。

此外，构成第一电子传输层125的式1的第一材料的实例可以包括如下所示的ETM-01至ETM-60中的至少一种。

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此外，作为式1的代表性材料，ETM-01通过以下制备方法得到。(1)第一化合物的合成：

制备6.0g(49.5mmol)4-乙酰基吡啶和9.0g(48.6mmol)4-溴苯甲醛，并与200ml2％ NaOH水溶液一起置于烧瓶中，然后在室温下搅拌10小时，并观察反应溶液的颜色变化。然后，向其中加入6.0g(49.5mmol)4-乙酰基吡啶，并将NaOH浓度设定为20％，然后在80℃搅拌8小时。在不经纯化的情况下将产物脱水，并在回流条件下，在500mL乙醇中包含多于36.0g乙酸铵的溶液中搅拌5小时。然后，使用乙醇中从所得反应溶液将产物重结晶，以得到第一化合物(11g,60％)。

(2)第二化合物的合成：

1-三甲基甲硅烷基-3,5-二溴苯

将8.1g(48.75mmol)咔唑、6.0g(19.5mmol)1-三甲基甲硅烷基-3,5-二溴苯、0.89g(1.0mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(O)(Pd₂(dba)₃)、0.59g(2.0mmol)四氟硼酸三叔丁基膦和4.7g(48.8mmol)的NaOtBu添加到干燥甲苯(200mL)中，然后在90℃搅拌10小时。反应完成后，过滤NaOtBu残余物，然后用乙酸乙酯萃取产物。所得产物用MgSO₄脱水并通过柱色谱法(己烷:EA＝20:1)纯化以得到第二化合物(6.1g,65％)。

(3)第三化合物的合成：

将第二化合物(4.0g,8.3mmol)溶解在CCl₄(70mL)中，并在0℃向其中滴加一氯化碘溶液(1.0M在二氯甲烷中，8.3mL，8.3mmol)，然后搅拌1小时。然后，将反应溶液添加到5重量％的硫代硫酸钠(Na₂S₂O₃)水溶液中，然后剧烈搅拌直至反应溶液变得透明。用乙酸乙酯萃取反应溶液，经MgSO₄脱水，通过柱色谱法(己烷:EA＝20:1)纯化以得到第三化合物(3.6g,80％)。

(4)第四化合物的合成：

在通过注入氮气形成的惰性气氛下将第三化合物(3g,5.6mmol)、4,4,4’,4’,5,5,5’,5’-八甲基-2,2'-双(1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(2.1g,8.4mmol)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(Pd(dppf)Cl₂)(0.21g,0.28mmol)和乙酸钾(KOAc)(1.65g,16.8mmol)混合，然后向其中加入1,4-二噁烷(30mL)，然后在130℃搅拌12小时。反应完成后，用乙酸乙酯萃取混合物，经MgSO₄脱水，通过柱色谱法(己烷:EA＝7:1(v/v))纯化以得到第四化合物(2.3g,75％)。

(5)ETM-01的合成：

将第一化合物(1.8g,4.6mmol)、第四化合物(2.3g,4.3mmol)、乙酸钯(II)(Pd(OAc)₂)(0.048g,0.2mmol)、三苯基膦(PPh₃)(0.28g,1.0mmol)和碳酸钾(K₂CO₃)(3.0g,21.5mmol)装入形成有惰性气氛的圆底烧瓶中，向其中加入经脱气的THF/H₂O(35mL/5mL)，然后在70℃搅拌10小时。反应完成后，用二氯甲烷萃取反应溶液，经MgSO₄脱水，通过柱色谱法(己烷:EA＝7:1(v/v))纯化以得到ETM-01(2.6g,85％收率)。

上述合成方法可用于合成式1的代表性材料ETM-01。可以通过在(1)中合成第一化合物时改变含氮前体中氮原子的数目，或在(2)中合成第二化合物时改变合成的咔唑和/或苯基的数目，来得到ETM-02至ETM-60。例如，对于ETM-21，在(2)中合成第二化合物时，采用溴苯代替咔唑。

根据本发明的示例实施方案的发光器件可以包括第一电子阻挡层123，第一电子阻挡层123由氘取代材料形成或者包括氘取代材料，这是为了防止由于第一电子传输层125的材料中的快速电子传输能力，而导致电子从第一电子传输层125快速传输至第一蓝光发射层124，然后积聚在第一蓝光发射层124与第一电子阻挡层123之间的界面处。

第一电子阻挡层123可以由包含螺芴的第二材料形成。第一电子阻挡层123可以由下式2表示的化合物形成，或者包括下式2表示的化合物。式2表示的化合物具有这样的结构，其中彼此相对的螺芴部分键合并且螺芴的一侧的端基(氢原子)被氘(D)取代。

在第一电子阻挡层123中，由于氘的稳定性，第二材料排斥积聚在第一电子阻挡层123与第一蓝光发射层124之间的界面处的电子。第一蓝光发射层124发出的光的强度可以增强。可以防止或减少由于积聚的电子导致的第一电子阻挡层123的寿命缩短。

[式2]

R₅至R₁₂各自为氘。

这里，L为单键，或选自氘取代或未取代的亚苯基、以及氘取代或未取代的亚萘基。

R₃和R₄选自未取代或氘取代的苯基、氘取代或未取代的联苯基、氘取代或未取代的二甲基芴基、氘取代或未取代的杂芳基、氘取代或未取代的咔唑基、氘取代或未取代的二苯并呋喃基、氘取代或未取代的二苯并噻吩基。

式2表示的化合物的实例可包括如下的EBM-09至EBM-24。

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这里，第一电子阻挡层123、第一蓝光发射层124和第一电子传输层125为与将电子限制在第一蓝光发射层124有关的层，且称作“电子传输和阻挡单元(ETBU)”。

发光器件还可以在分别远离阴极200和阳极110的第一叠层S1与相邻叠层之间包括第一电荷产生层CGL1，以将电子和空穴供应至第一叠层S1和第二叠层S2。第一电荷产生层CGL1可包括n-型电荷产生层，其产生电子并将所产生的电子供应至第一叠层S1的第一电子传输层125；以及p-型电荷产生层，其产生空穴并将空穴供应至第二叠层S2的空穴传输层。

如图1A的示例实施方案中所示，当发光器件具有双叠层结构时，考虑到视角特征，靠近阳极110的第一叠层S1形成为包括具有发射荧光能力的第一蓝光发射层BEML1 124的蓝色荧光叠层。第二叠层S2形成为至少包括磷光红光发射层和磷光绿光发射层的磷光发射叠层。

在第二叠层S2中使用的磷光发射层例如是红光发射层或绿光发射层。因此，已知长波长磷光材料在寿命和效率方面都得到改进。

理论上，磷光发射层可以具有100％的内量子效率。荧光发射层可以具有25％的内量子效率。包括磷光叠层作为第二叠层S2的原因可以是，荧光发光叠层的内量子效率可以低至25％，从而当使用最少数目的叠层来实现白色时，可能存在驱动电压的增加。如果所有的发光叠层都是荧光发光叠层，则在使用固定数目的叠层时效率可能会非常低。

在根据本公开的示例实施方案的发光器件中，可以通过改变在第一叠层S1的电子传输和阻挡单元ETBU中的第一电子传输层125的材料，来改进从第一蓝光发射层(BEML1,124)发射蓝色荧光的效率。在该实施方案中，当在第一蓝光发射层124中提高发光层的效率时，作为提高效率的主要机理的三重态-三重态湮灭(TTA)的贡献可以大大增加。可以用氘来取代第一电子阻挡层123的材料，以防止或减少三重态激子或电子可能抑制第一蓝光发射层124中其他发光材料的作用，或三重态激子或电子向第一电子阻挡层123的界面移动进而缩短寿命的现象。

根据示例实施方案，本发明的发光器件可以克服蓝光发射叠层中蓝色效率与寿命之间的抵换关系。电子传输层包含可以具有大大提高的电子传输能力的材料。电子阻挡层可以主要通过三重态-三重态湮灭(TTA)劣化，可以包括被氘取代的材料，以提高效率，并且防止或减小寿命缩短。因此，可以保持蓝色荧光材料的寿命。

如图1B的示例实施方案所示，当发光器件除了第二叠层S2之外还包括发射蓝光的叠层时，除了额外的蓝光发射叠层BS之外它还可包括电子传输和阻挡单元。电子传输和阻挡单元包括以下层作为可以与将电子限制在蓝光发射层相关的层：由第二材料形成或者包含第二材料的第二电子阻挡层(其中第二材料包括式2表示的化合物)、包含具有430nm至480nm的发射峰的硼基掺杂剂的蓝光发射层(BEML2)、以及由式1表示的第一材料形成或者包含式1表示的第一材料的第二电子传输层。

根据本发明示例实施方案的发光器件通过从内部叠层OS发射的第一叠层S1的蓝光与从第二叠层S2的磷光发射层发射的长波长光的组合，来发射白光。通过使用透明金属或反射金属形成阳极110和阴极200中的至少一个来发射白光，从磷光发射层发出的长波长光可以与蓝光组合。

在根据本发明示例实施方案的发光器件的蓝光发射叠层中使用荧光蓝光发射层的原因可以是，荧光蓝光发射层可以在寿命方面比磷光材料具有更高的稳定性。

当与第二叠层(例如，磷光叠层)和第一叠层(例如，荧光叠层)相邻的电荷产生层以相同或相似的水平向第二叠层和第一叠层供应空穴和电子时，可以将来自第一蓝光发射层的蓝光发射效率增加到与第二叠层(例如，磷光叠层)的蓝光发射效率相似的水平。因此，可以减少叠层的数目。在根据本发明示例实施方案的发光器件中，包含第二材料的第一电子阻挡层123(其中第二材料包括式2的化合物)可以与第一蓝光发射层124的一个表面接触，并且第一电子传输层125可以与第一蓝光发射层124的另一表面接触。可以通过第一电子传输层125的材料实现快速电子传输。可以将电子和激子限制于第一蓝光发射层124。因此，可以在不减少寿命的情况下改进驱动电压、效率和亮度。此外，可以将蓝色荧光叠层和磷光发射叠层的效率调整到相似的水平，从而仅通过使用图1A的示例实施方案所示的双叠层结构，根据本发明示例实施方案的发光器件就可实现白色。在这种情况下，可以通过减少叠层的数目来降低驱动电压以实现相同的白色。

如图1B的示例实施方案所示，为了高效发射蓝光以实现高色温，根据本发明示例实施方案的发光器件还可包括蓝光发射叠层S_n。因此，根据本发明示例实施方案的发光器件可包括磷光叠层和两个或更多个荧光蓝色叠层，所述磷光叠层发射的光的波长与荧光蓝色叠层发射的光的波长不同。

在一些实施方案中，可以充分提高蓝光发射叠层的效率，并且白色发光器件仅使用一个蓝光发射叠层就可以实现蓝光，如图1A的示例实施方案所示。即使白光发射器件仅包括一个蓝光发射叠层和一个磷光发射叠层，也可以提高效率。可以减少驱动电压的降低。

在实验中研究了效率和寿命随发射蓝光的蓝光发射器件中电子阻挡层和电子传输层的成分的变化。在实验实施例中，在阳极与阴极之间提供单个蓝色荧光叠层。

以下电子阻挡材料EBM-01至EBM-08包含未被氘取代的螺芴。实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)中使用的第一电子阻挡层的材料是未被氘取代的螺芴。

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图3示出了实验实施例中使用的发光器件的截面图。

如图3的示例实施方案中所示，用于第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)的发光器件在由ITO形成的阳极10上具有以下构造。

式3的DNTPD和MgF₂以1:1的重量比在阳极10上混合，并将所得混合物沉积至7.5nm的厚度以形成空穴注入层HIL 11。

[式3]

然后，在空穴注入层11上以80nm的厚度沉积α-NPD以形成空穴传输层(HTL,12)。

然后，使用EBM-01至EBM-08中的任一种材料作为第一实验组(Ex1-1至Ex1-72)中的氘取代材料，在空穴传输层12上形成厚度为20nm的电子阻挡层13。

然后，在电子阻挡层13上，以式5的DABNA-1的硼基掺杂剂掺杂式4的MADN，形成厚度为30nm的蓝光发射层14。在蓝光发射层14中，相对于MADN的总重量，以3重量％掺杂鹏基掺杂剂。

[式4]

然后，在式1的电子传输材料当中，使用ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45和ETM-54中的任一种形成电子传输层15。

然后，在电子传输层15上形成包含掺杂有2重量％Li的式6的Bphen的电子注入层或n-型电荷产生层16。

[式6]

然后，在电子注入层或n-型电荷产生层16上形成由铝(Al)组分制成的阴极20。

首先，在表1-1中列出的第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-9)中，电子阻挡层13的材料为EBM-01，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。在表1-1中的实验实施例中，第一实验实施例组的第五实验实施例(Ex1-5)具有最高的外量子效率(EQE)和寿命，因此相对于第五实验实施例，对其余实验实施例中的每个的寿命进行评估。

[表1-1]

在表1-2中列出的第一实验实施例组(Ex1-10至Ex1-18)中，电子阻挡层13的材料为EBM-02，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-2]

在表1-3中列出的第一实验实施例组(Ex1-19至Ex1-27)中，电子阻挡层13的材料为EBM-03，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-3]

在表1-4中列出的第一实验实施例组(Ex1-28至Ex1-36)中，电子阻挡层13的材料为EBM-04，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-4]

在表1-5中列出的第一实验实施例组(Ex1-37至Ex1-45)中，电子阻挡层13的材料为EBM-05，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-5]

在表1-6中列出的第一实验实施例组(Ex1-46至Ex1-54)中，电子阻挡层13的材料为EBM-06，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-6]

在表1-7中列出的第一实验实施例组(Ex1-55至Ex1-63)中，电子阻挡层13的材料为EBM-07，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-7]

在表1-8中列出的第一实验实施例组(Ex1-64至Ex1-72)中，电子阻挡层13的材料为EBM-08，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-12、ETM-14、ETM-19、ETM-22、ETM-31、ETM-32、ETM-45或ETM-54。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表1-8]

可以看出，在上述第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)中，电流密度10mA/cm²下的驱动电压为3.60V至3.79V，亮度为4.9Cd/A至5.7Cd/A，且外量子效率为7.8％至9.0％。

比较性实施例中具有如图3的示例实施方案中所示的结构，式7的TAPC用作电子阻挡层13的材料，而式8的材料，其具有苯并咪唑基团，用作电子传输层15的材料。

[式7]

/>

在比较性实施例中，在相同电流密度10mA/cm²下的驱动电压为3.95V，亮度为3.9Cd/A，外量子效率为3.9％。

与比较性实施例相比，第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)表现出在外量子效率方面至少两倍的增加、降低的驱动电压和增加的亮度。该改进可以归因于电子传输层材料的变化。

在下文中，将关于第二实验实施例组和第三实验实施例组描述电子阻挡层的有效性与氘取代度的函数关系。

在第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)中，使用图3的示例实施方案所示的结构，电子阻挡层13的材料换成EBM-09至EBM-16之一，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-19、ETM-31或ETM-45。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表2]

/>

在第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)中，使用具有氘取代螺芴的电子阻挡材料(EBM-09至EBM-16)。在第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)中，电子传输材料与第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)中相同，但电子阻挡层中的材料的氘取代状态不同。将第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)与第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)相比，第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)显示效率的轻微变化，但寿命提高约10％。

在第三实验实施例组(Ex3-1至Ex3-32)中，使用图3的示例实施方案中所示的结构，电子阻挡层13的材料换成EBM-17至EBM-27之一，电子传输层15的材料换成ETM-08、ETM-19、ETM-31或ETM-45。在10mA/cm²的电流密度下评估驱动电压、亮度和外量子效率，并在55mA/cm²的高电流密度下比较性地评估寿命以确定在加速条件下的寿命。

[表3]

在第三实验实施例组(Ex3-1至Ex3-32)中，使用电子阻挡材料(EBM-17至EBM-24)，其中芴和苯基以及螺均被氘取代。在第三实验实施例组(Ex3-1至Ex3-32)中，电子传输材料与第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)相同，但电子阻挡层中材料的氘取代状态不同。将第三实验实施例组(Ex3-1至Ex3-32)与第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)对比，第三实验实施例组(Ex3-1至Ex3-32)显示效率的轻微变化，但寿命提高约20％或更多。

可以看出，当具有优异或高效率的电子传输材料用作第二和第三实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32，Ex3-1至Ex3-32)的实验中的电子传输层时，通过用氘取代电子阻挡层的材料，保持或改善了寿命特性。

图4是示出了实验实施例中使用的发光器件的发射光谱性能的图。

第一实验实施例组(Ex1-1至Ex1-72)、第二实验实施例组(Ex2-1至Ex2-32)和第三实验实施例组(Ex3-1至Ex-3-32)都使用了硼基掺杂剂，并且如图4所示，它们都具有大约450nm至455nm的发射峰并且发射在蓝色波长范围内的光。

在上述实验中，式5的材料用作硼基掺杂剂。式9至16中的任一种材料也可用作根据本公开示例实施方案的发光器件中的荧光蓝光发射层的硼基掺杂剂。式9至16中的任一种材料可以发射具有430nm至480nm的发射峰的蓝光。

[式9]

[式10]

[式11]

[式12]

[式13]

[式14]

[式15]

[式16]

在下文中，将详细描述本发明的发光器件的具体实施例和使用该发光器件的发光显示器。

图5是示意性地示出了本发明的发光器件的实施例的截面图。

如图5所示，根据本发明的一个实施方案的发光器件是在阳极110与阴极200之间具有三个叠层S1、S2和S3的实例。这里，第一至第三叠层S1、S2和S3被第一和第二电荷产生层150和170分开。第一叠层S1包括依次堆叠在阳极110与第一电荷产生层150之间的空穴注入层121、第一空穴传输层122、由第二材料形成或者包含第二材料的第一电子阻挡层123(其中第二材料包括式2的化合物)、包含硼基荧光掺杂剂的第一蓝光发射层124、和由式1的第一材料形成或者包括式1的第一材料的第一电子传输层125。

第二叠层S2设置在第一电荷产生层150与第二电荷产生层170之间。第二叠层S2包括磷光发射层(PEML)，所述磷光发射层(PEML)按顺序包括红光发射层132、黄绿光发射层133和绿光发射层134；红光发射层132下的第二空穴传输层131；和绿光发射层134上的第二电子传输层135。

第三叠层S3设置在第二电荷产生层170与阴极200之间。第三叠层S3包括依次堆叠的第三空穴传输层141、第二电子阻挡层142、第二蓝光发射层143和第三电子传输层144。

此外，阴极200可以形成在第二电子传输层144上。在一些实施方案中，电子注入层可以进一步形成在第三电子传输层144与阴极200之间。

在叠层之间的第一电荷产生层150和第二电荷产生层170包括n-型电荷产生层151和171，它们各自用于产生电子并将电子转移到相邻的叠层。第一电荷产生层150和第二电荷产生层170还包括p-型电荷产生层153和173，它们各自用于产生空穴并将空穴转移到相邻的叠层。在一些实施方案中，第一电荷产生层150和第二电荷产生层170也可以通过用n-型掺杂剂和p-型掺杂剂两者掺杂一种或多种主体而形成为单层。

如上所述，第一叠层S1的第一电子阻挡层123、第一蓝光发射层124和第一电子传输层125可以用作图2的示例实施方案中描述的电子传输和阻挡单元。通过改变材料可以提高蓝光发射效率。通过避免激子和电子在第一电子阻挡层123与第一蓝光发射层124之间的界面处积聚，可以更有效地防止或减小寿命缩短。类似地，第三叠层S3的第二电子阻挡层142、第二蓝光发射层143和第三电子传输层144可以用作图2的示例实施方案中描述的电子传输和阻挡单元。通过改变材料可以提高蓝光发射效率。通过避免激子和电子在第二电子阻挡层142与第二蓝光发射层143之间的界面处积聚，可以更有效地防止或减小寿命缩短。

此外，当邻近于阴极200形成电子注入层时，可以进行金属掺杂以提高电子注入效率。在一些实施方案中，可以使用包含式8的苯并咪唑和上述式1的第一材料的混合物，来形成第三电子传输层144。

图6示出了使用根据本发明的示例实施方案的发光器件的发光显示器的截面图。

发光器件可以共同应用于多个亚像素以向发光电极发射白光。

如图6的示例实施方案所示，根据本发明的示例实施方案的发光显示器包括具有多个亚像素R_SP、G_SP、B_SP和W_SP的基板100、共同提供在基板100上的发光器件(也称为“OLED，有机发光二极管”)、提供在每个亚像素中并连接至发光器件(OLED)的阳极110的薄膜晶体管(TFT)、以及提供在至少一个亚像素的阳极110下的滤色器109R、109G或109B。

所示出的示例实施方案涉及包括白色亚像素W_SP的构造，但本发明不限于此。省略白色亚像素W_SP并且仅提供红色亚像素R_SP、绿色亚像素G_SP和蓝色亚像素B_SP的构造也是可能的。在一些实施方案中，能够通过置换红色、绿色和蓝色亚像素来产生白色的青色亚像素、品红色亚像素和黄色亚像素的组合是可能的。

薄膜晶体管TFT包括例如栅电极102、半导体层104以及连接至半导体层104各侧的源电极106a和漏电极106b。此外，为了防止或减少源/漏电极106a和106b与半导体层104之间直接连接，还可以在半导体层104的沟道所在的部分上设置沟道保护层105。

栅绝缘层103提供在栅电极102与半导体层104之间。

半导体层104例如可以由氧化物半导体、非晶硅、多晶硅或其组合形成。例如，当半导体层104为氧化物半导体时，可降低用于形成薄膜晶体管的加热温度。因此，基板100可选自更多种类的可用类型，从而半导体层104可以有利地应用于柔性显示装置。

此外，薄膜晶体管TFT的漏极106b可以经由形成于第一和第二钝化层107和108中的接触孔CT中连接至阳极110。

提供第一钝化层107以主要保护薄膜晶体管TFT。可以在其上提供滤色器109R、109G和109B。

当多个亚像素包括红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素时，滤色器可以在除白色亚像素W_SP之外的各亚像素中包括第一至第三滤色器109R、109G和109B。滤色器109R、109G和109B可以允许针对每个波长使发射的白光通过阳极110。第二钝化层108形成在阳极110下方以覆盖第一至第三滤色器109R、109G和109B。阳极110形成在除接触孔CT之外的第二钝化层108的表面上。

这里，将从基板100到薄膜晶体管TFT，滤色器109R、109G和109B，以及第一和第二钝化层107和108的构造称为“薄膜晶体管阵列基板”1000。

发光器件OLED形成在包括与发光部分BH相邻的堤岸119的薄膜晶体管阵列基板1000上。发光器件OLED例如包括透明阳极110，面对阳极110并由反射电极形成的阴极200，以及设置在阳极110与和阴极200之间的电子传输和阻挡单元ETBU，其中在被第一和第二电荷产生层CGL1和CGL2划分的叠层中，电子传输和阻挡单元ETBU设置在蓝光发射叠层S1和S3中，如图1A至图2和图5的示例实施方案所示。电子传输和阻挡单元ETBU包括由式2的电子阻挡材料形成的电子阻挡层123、包含硼基蓝色掺杂剂的蓝光发射层124、和包含式1的电子传输材料的电子传输层125。

针对每个亚像素划分阳极110。白光发射器件OLED的其余层被整体地提供在整个显示区域中，而不是针对每个亚像素进行划分。

当提供具有电子传输和阻挡单元(ETBU)的蓝光发射叠层时，与荧光蓝光发射层接触的电子传输层的材料可以具有有限内量子效率，并且可以包含式1表示的第一材料。可以通过提高电子传输效率来提高荧光发射层的效率。

此外，当使用能够快速传输电子的材料形成电子传输层时，与荧光蓝光发射层接触的电子阻挡层的材料被氘取代，以便防止或减少电子或激子在荧光蓝光发射层与电子阻挡层之间的界面处积聚。可以在不缩短寿命的情况下实现提高效率、亮度和量子效率的效果。

此外，提高包括荧光蓝光发射层的蓝色荧光叠层的效率可以减少实现白光的发光器件中所需的蓝色叠层的数目。因此，可以减少实现具有相同效率的白光所需的叠层数目。可以基于降低的驱动电压和简化的处理而提高产率。

在本公开的示例实施方案中，发光器件包括彼此面对的阳极和阴极、设置在阳极与阴极之间的第一叠层和第二叠层、以及设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷产生层，其中第一叠层包括第一电子阻挡层、第一蓝光发射层和第一电子传输层，第一蓝光发射层包含发射波长为430nm至480nm的光的硼基化合物，并且第二叠层包括至少两个磷光发射层，所述磷光发射层发射的光的波长比第一蓝光发射层发射的光的波长长。

此外，第一电子传输层可包含式1的第一材料，第一电子阻挡层的第二材料可包括螺芴，并且所述螺芴的至少一侧可以被氘取代。

[式1]

R₁和R₂各自独立地选自环烷基、芳基和杂芳基。X₁、X₂和X₃各自独立地为N或CH。X₄、X₅和X₆中的至少一个可以为N，且其余为CH。

在式1中，含有X₄、X₅和X₆的两个苯环相对于含有X₁、X₂和X₃的苯环是对称的。

此外，第二材料可包含下式2表示的化合物。

[式2]

L为单键，或选自氘取代或未取代的亚苯基、以及氘取代或未取代的亚萘基，R₃和R₄各自独立地选自氘取代的苯基、氘取代或未取代的联苯基、以及氘取代或未取代的杂芳基。R₅至R₁₂各自为氘。

在一些实施方案中，第一电子阻挡层可以与第一蓝光发射层的一个表面接触，第一电子传输层可以与第一蓝光发射层的另一个表面接触，并且第一蓝光发射层的所述一个表面和另一表面可以彼此面对，其间的间隙对应于第一蓝光发射层的厚度。

在一些实施方案中，至少两个磷光发射层可包括与第一叠层相邻的红光发射层和与阴极相邻的绿光发射层。

在一些实施方案中，在红光发射层与绿光发射层之间还可包括黄绿光发射层。

在一些实施方案中，发光器件还可包括至少一个在第二叠层与阴极之间的叠层，其中所述至少一个在第二叠层与阴极之间的叠层包括包含第二材料的第二电子阻挡层、发出与第一蓝光发射层相同颜色的光的第二蓝光发射层、以及包含第一材料的第二电子传输层。

在一些实施方案中，发光器件还可包括在第二电子传输层与阴极之间的电子注入层，并且第二电子传输层还可包含第三材料。

在一些实施方案中，R₁和R₂中的至少一个可以是咔唑基。

在一些实施方案中，咔唑基可以包括苯基作为取代基。

在一些实施方案中，R₁和R₂中的至少一个可以是苯基。

在一些实施方案中，R₁和R₂中的至少一个可以是联苯基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是氘取代或未取代的联苯基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是全氘代联苯基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是氘取代或未取代的二甲基芴基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是全氘代二甲基芴基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是氘取代或未取代的咔唑基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是全氘代咔唑基。

在一些实施方案中，咔唑基可以包括氘取代或未取代的苯基作为取代基。

在一些实施方案中，R₃和R₄中的至少一个可以是氘取代或未取代的二苯并呋喃基。

根据本发明的另一个实施方案的发光显示器包括：包括多个亚像素的基板；设置在基板上每个亚像素中的薄膜晶体管；和连接至薄膜晶体管的发光器件。

本发明的发光器件和包括该发光器件的发光显示器具有以下效果。

首先，在连接至磷光发射叠层和电荷产生层的荧光发射叠层中，改变与荧光蓝光发射层接触的具有有限内量子效率的电子传输层的材料，从而可以提高电子传输效率并因此提高荧光发射层的效率。

第二，当使用能够快速传输电子的材料形成电子传输层时，与荧光蓝光发射层接触的电子阻挡层的材料被氘取代，从而防止电子或激子在荧光蓝光发射层与电子阻挡层之间的界面处积聚，并在不缩短寿命的情况下获得提高效率、亮度和量子效率的效果。

第三，提高包括荧光蓝光发射层的蓝色荧光叠层的效率，可以减少实现白光的发光器件中所需的蓝色叠层的数目，并且因此减少实现相同效率的白色所需的叠层数目，从而在降低驱动电压和简化处理的基础上提高产率。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖这些修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等价物的范围内。

Claims

1.发光器件，其包括：

彼此面对的阳极和阴极；

设置在所述阳极与所述阴极之间的第一叠层和第二叠层，

第一叠层包括：

第一电子阻挡层；

第一蓝光发射层，其包含发射波长为430nm至480nm的光的硼基化合物；和

第一电子传输层，和

第二叠层包括至少两个磷光发射层，所述磷光发射层发射的光的波长比第一蓝光发射层发射的光的波长长；和

设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷产生层，

其中第一电子传输层包含式1的第一材料，第一电子阻挡层的第二材料包含螺芴，并且所述螺芴的至少一侧被氘取代，

[式1]

其中R₁和R₂各自独立地选自环烷基、芳基和杂芳基；

X₁、X₂和X₃各自独立地为N或CH；和

X₄、X₅和X₆中的至少一个是N，且其余为CH。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中第二材料包含下式2表示的化合物：

[式2]

其中L为单键，或选自氘取代或未取代的亚苯基、以及氘取代或未取代的亚萘基；

R₃和R₄各自独立地选自未取代或氘取代的苯基、氘取代或未取代的联苯基、氘取代或未取代的二甲基芴基、以及氘取代或未取代的杂芳基；和

R₅至R₁₂各自为氘。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中第一电子阻挡层与第一蓝光发射层的一个表面接触，第一电子传输层与第一蓝光发射层的另一个表面接触，并且第一蓝光发射层的所述一个表面与所述另一个表面彼此相对，其间的间隙对应于第一蓝光发射层的厚度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中第二叠层的所述至少两个磷光发射层包括：

与第一叠层相邻的红光发射层；和

与所述阴极相邻的绿光发射层。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述至少两个磷光发射层还包括在所述红光发射层与所述绿光发射层之间的黄绿光发射层。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其还包括至少一个在第二叠层与所述阴极之间的叠层，

其中所述至少一个在第二叠层与所述阴极之间的叠层包括：

包含第二材料的第二电子阻挡层；

第二蓝光发射层，其发出的光与第一蓝光发射层发出的光颜色相同；和

包含第一材料的第二电子传输层。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其还包括在第二电子传输层与所述阴极之间的电子注入层，

其中第二电子传输层还包含第三材料。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中含有X₄、X₅和X₆的两个苯环相对于含有X₁、X₂和X₃的苯环是对称的。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中R₁和R₂中的至少一个是咔唑基。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述咔唑基包括苯基作为取代基。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中R₁和R₂中的至少一个是苯基或联苯基。

12.根据权利要求2所述的发光器件，其中R₃和R₄中的至少一个包括联苯基、二甲基芴基、咔唑基和二苯并呋喃基中的至少一个。

13.根据权利要求2所述的发光器件，其中R₃和R₄中的至少一个包括氘取代的联苯基、氘取代的二甲基芴基、氘取代的咔唑基和氘取代的二苯并呋喃基中的至少一个。

14.根据权利要求2所述的发光器件，其中R₃和R₄中的至少一个包括全氘代联苯基、全氘代二甲基芴基或全氘代咔唑基。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述咔唑基包括氘取代或未取代的苯基作为取代基。

16.发光显示器，其包括：

包括多个亚像素的基板；

设置在所述基板上每个亚像素中的薄膜晶体管；和

根据权利要求1-15中任一项所述的发光器件，所述发光器件连接至所述薄膜晶体管。