CN116387237B - 巨量转移装置和巨量转移方法 - Google Patents
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Abstract
一种巨量转移装置和巨量转移方法，巨量转移装置包括第一基板、多个拾取头、第二基板和多个调节柱；多个拾取头设置在第一基板上，多个拾取头在第一基板上阵列分布；多个调节柱相背的两端分别与第一基板和第二基板连接，多个调节柱在第二基板上阵列分布，多个调节柱为可伸缩结构；拾取头用于拾取和释放微型发光二极管，当部分拾取头未拾取到微型发光二极管而其余部分拾取头已拾取到微型发光二极管时，对应未拾取到微型发光二极管的拾取头的位置的调节柱相对第二基板伸长，以推动未拾取到微型发光二极管的拾取头朝向微型发光二极管移动，以使拾取头拾取微型发光二极管，避免了漏抓取的问题，提高了良率。
Description
技术领域
本申请涉及发光二极管转移技术领域，具体涉及一种巨量转移装置和巨量转移方法。
背景技术
相较于技术成熟且已实现大规模量产的LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）和OLED（Organic Light Emitting Display，有机发光二极管显示器）技术来说，MicroLED（Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管）凭借其在对比度、响应时间、大视角、功耗、器件寿命、色域等技术维度的突出性能，逐渐成为超高清显示的首选，未来或将占据显示技术领域的霸主地位。但是目前Micro LED依然面临着制程技术要求高、生产不良比例大、制造成本降低难等挑战，这都制约着其实现大量生产，大规模商业化的目标。
由于Micro LED的尺寸微小(＜50um)，Micro LED芯片制造完成后需要将微米级的晶粒从生长衬底转移到驱动电路基底上，数量巨大且对转移工艺的精确性和速率要求非常高，因此成为制约Micro LED量产的关键因素。而巨量转移技术（Mass transfer）的出现，给这一难题提供了一条有效地解决途径。目前，巨量转移技术主要分为以下几类：物理吸附（Pick&Place）、选择性释放（Selective Release）、自组装（Self-Assembly）、转印（RollPrinting）。
在物理吸附巨量转移技术中，静电力转移技术是较为常见且已经开始进行批量生产的一种，其在进行Micro LED芯片转移的过程中需要给电极转移头通电来实现Micro LED芯片的拾取（Pick）和放置（Place），但是承载Micro LED芯片蓝宝石衬底基板自身就存在着弯曲度（Bow）、翘曲度（SORI）、厚度偏差（GBIR）等问题，且电极转移头的平整度也无法保证一致，因此在进行巨量转移Micro LED芯片的过程中，转移头与芯片之间可能存在间隙，从而导致漏抓取、良率降低等问题，这将直接影响生产效率和经济效益。
发明内容
本申请的目的是提供一种巨量转移装置和巨量转移方法，解决漏抓取、良率降低的问题。
为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：
第一方面，本申请提供一种巨量转移装置，包括：第一基板；多个拾取头，设置在所述第一基板上，多个所述拾取头在所述第一基板上阵列分布；第二基板；多个调节柱，多个所述调节柱相背的两端分别与所述第一基板和所述第二基板连接，多个所述调节柱在所述第二基板上阵列分布，多个所述调节柱为可伸缩结构；所述拾取头用于拾取和释放微型发光二极管，当部分所述拾取头未拾取到所述微型发光二极管而其余部分所述拾取头已拾取到所述微型发光二极管时，对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱相对所述第二基板伸长，以推动未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头朝向所述微型发光二极管移动，以使所述拾取头拾取所述微型发光二极管。
一种实施方式中，所述第一基板分隔有阵列排布的多个调节区，每个所述调节区设置有至少两个所述拾取头，每个所述调节柱与每个所述调节区一一对应连接，所述调节柱用于推动所述调节区朝向所述微型发光二极管变形。
一种实施方式中，所述调节柱与所述调节区的中心点连接，所述调节区中的每一所述拾取头均与所述中心点具有间隔距离。
一种实施方式中，所述拾取头包括弹性部和拾取部，所述弹性部的一端与所述第一基板连接，另一端连接所述拾取部，所述弹性部用于产生弹性变形。
一种实施方式中，所述第一基板设有阵列电路，所述阵列电路与多个所述拾取头连接，所述阵列电路用于控制任一个所述拾取头的通电与断电。
一种实施方式中，所述巨量转移装置还包括控制器、检测电路和控制电路，所述检测电路与多个所述拾取头连接，并与所述控制器连接，所述控制电路与多个所述调节柱连接，并与所述控制器连接；所述控制器根据所述检测电路传递的信号确定未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置，并通过所述控制电路控制对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱伸长。
一种实施方式中，所述阵列电路与所述检测电路集成为一体，或者，所述阵列电路与所述检测电路电连接。
一种实施方式中，在多个所述拾取头未拾取所述微型发光二极管的情况下，所述第一基板和所述第二基板平行，多个所述调节柱与所述第一基板和所述第二基板垂直。
第二方面，本申请还提供一种巨量转移方法，提供第一方面各种实施方式中任一项所述的巨量转移装置，所述巨量转移方法包括：将多个所述拾取头与多个微型发光二极管对位，并使多个所述拾取头拾取所述微型发光二极管；对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱相对所述第二基板伸长，以推动未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头朝向所述微型发光二极管移动，以使所述拾取头拾取所述微型发光二极管。
一种实施方式中，还包括：根据检测电路传递的信号确定未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置；通过控制电路控制对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱伸长。
通过设置第二基板和可伸缩的多个支撑柱，当第一基板上的多个拾取头中的部分拾取头未拾取到微型发光二极管时，对应的支撑柱伸长以将第一基板的局部朝向微型发光二极管一侧推动，第一基板的局部变形而带动该处的拾取头朝向微型发光二极管移动，实现对该处的微型发光二极管的拾取，避免了漏抓取的问题，提高了转移后的驱动电路基板及其上的微型发光二极管的良率，能提升生产效率和经济效益。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种实施例的巨量转移装置的透视图；
图2是另一种实施例的巨量转移装置的部分结构透视图；
图3是另一种实施例的巨量转移装置的另一部分结构透视图；
图4是另一种实施例的巨量转移装置的透视图；
图5是一种实施例的巨量转移装置的部分结构的侧视图；
图6是一种实施例的巨量转移方法的流程图。
附图标记说明：
10-第一基板，11-横线，12-竖线，13-调节区，14-第一表面，15-第二表面；
20-拾取头，21-弹性部，22-拾取部，23-第一接头；
30-第二基板；
40-调节柱，41-第二接头；
50-控制器；
60-检测电路，61-主走线，62-分支走线；
70-控制电路。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。
除非另有定义，本申请所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本申请中在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本申请所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参考图1，本申请实施例提供一种巨量转移装置，包括第一基板10、多个拾取头20、第二基板30和多个调节柱40。
第一基板10为平板，第一基板10可为玻璃基板、塑胶板、碳化硅基板、蓝宝石基板等。请参考图1和图5，第一基板10包括相背的第一表面14和第二表面15，第一表面14和第二表面15可均为平面，当然，也允许第一表面14和第二表面15的平面度有一定的误差。
多个拾取头20设置在第一基板10上，多个拾取头20在第一基板10上阵列分布。请参考图5，拾取头20的一端与第一基板10连接，且拾取头20从第一表面14一侧伸长第一基板10。拾取头20用于拾取和释放微型发光二极管（未图示）。具体的，拾取头20拾取和释放微型发光二极管可采用任意可行的技术，例如，通过物理吸附（Pick&Place）、选择性释放（Selective Release）、自组装（Self-Assembly）、转印（Roll Printing）等。可以理解的是，微型发光二极管为Micro LED（Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管）。
以通过静电力物理吸附技术进行拾取和释放为例，拾取头20与微型发光二极管接触且拾取头20通电时，能够产生静电力并拾取微型发光二极管，拾取头20断电时，失去静电力，拾取头20释放微型发光二极管。
在理想状态，多个拾取头20还未进行拾取微型发光二极管的动作时，多个拾取头20从第一表面14伸长的长度相等。
微型发光二极管在生长基板（未图示）上生长完成后，需要转移到驱动电路基板上。在理想情况下，生长基板上的多个微型发光二极管的高度相等，通过移动第一基板10以使多个拾取头20与多个微型发光二极管一一对位，便能将多个微型发光二极管从生长基板上拾取并与生长基板脱离，再通过移动生长基板至驱动电路基板上方，并将多个微型发光二极管释放到驱动电路基板上的对应位置，完成微型发光二极管的巨量转移。
然而，生长基板自身存在着弯曲度（Bow）、翘曲度（SORI）、厚度偏差（GBIR）等问题，且多个拾取头20相对第一表面14伸长的长度也难以保证一致，在将多个转移头与多个微型发光二极管对位并接触时，有部分微型发光二极管能够准确的与对应的拾取头20接触，实现静电力吸附，但也还有部分微型发光二极管与对应的拾取头20之间存在间隙，导致不能实现静电力吸附，导致漏抓取、良率的降低等问题。
为解决此问题，本申请进一步进行改进，设置巨量转移装置还包括第二基板30和多个调节柱40。
第二基板30为刚性基板，第二基板30用作施力基础，第二基板30在收到调节柱40的反向作用力时，基本不会产生变形。
多个调节柱40相背的两端分别与第一基板10和第二基板30连接，多个调节柱40在第二基板30上阵列分布，多个调节柱40为可伸缩结构。
其中，调节柱40可以伸入第二基板30内部，也可以与第二基板30的表面连接。调节柱40可以伸入第一基板10内部，也可以与第一基板10的第二表面15连接。如图5所示出的实施例中，调节柱40的一端伸入第二基板30的内部，另一端与第一基板10的第二表面15连接。调节柱40的形状大体为柱状，横截面形状可为圆形、矩形等，不做限定。
当部分拾取头20未拾取到微型发光二极管而其余部分拾取头20已拾取到微型发光二极管时，对应未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置的调节柱40相对第二基板30伸长，以推动未拾取到微型发光二极管的拾取头20朝向微型发光二极管移动，以使拾取头20拾取微型发光二极管。
调节柱40的两端分别与第一基板10和第二基板30连接，调节柱40伸长时，能够撑开第一基板10和第二基板30。其中，第二基板30为刚性基板且其位置是固定的，第一基板10连接的未伸长的调节柱40的部分和第二基板30之间保持间距相等，而对应伸长的调节柱40的第一基板10的局部区域的间距增大，使得该局部区域向微型发光二极管的方向推出，进而带动该局部区域的拾取头20向微型发光二极管移动并接触，从而实现对该处的微型发光二极管的拾取，从而完成全部微型发光二极管的拾取，避免漏抓取的问题。
调节柱40的伸缩可采用任意可行的方式，例如，调节柱40采用液压缸、气压缸、直线电机等驱动结构驱动而实现伸缩，调节柱40也可采用特殊材料，如电致伸缩材料、电活性聚合物材料等，通过通电可实现伸缩的控制。
可选的，第一基板10和第二基板30可固定至支撑架（未图示）等结构上，以实现第一基板10和第二基板30的安装固定。可选的，支撑架又可与移动机构（未图示）连接，移动机构例如机械手、一轴/二轴/三轴移动平台等，通过移动机构带动支撑架移动，带动第一基板10和第二基板30移动，从而将拾取头20拾取的微型发光二极管从生长基板转移到驱动电路基板。
在多个拾取头20未拾取微型发光二极管的情况下，第一基板10和第二基板30平行，多个调节柱40与第一基板10和第二基板30垂直。如此，各调节柱40的高度相等，各调节柱40和各拾取头20均可制作为标准件和通用件，容易制作，成本低，巨量转移装置的结构也较为简单，控制也较为容易。
因此，本申请实施例提供的巨量转移装置，通过设置第二基板30和可伸缩的多个支撑柱，当第一基板10上的多个拾取头20中的部分拾取头20未拾取到微型发光二极管时，对应的支撑柱伸长以将第一基板10的局部朝向微型发光二极管一侧推动，第一基板10的局部变形而带动该处的拾取头20朝向微型发光二极管移动，实现对该处的微型发光二极管的拾取，避免了漏抓取的问题，提高了转移后的驱动电路基板及其上的微型发光二极管的良率，能提升生产效率和经济效益。
一种实施例中，请参考图1，第一基板10分隔有阵列排布的多个调节区13，每个调节区13设置有至少两个拾取头20，每个调节柱40与每个调节区13一一对应连接，调节柱40用于推动调节区13朝向微型发光二极管变形。
多个调节区13可根据需要进行划分，可根据控制的精细程度控制调节区13的面积大小和形状。 可选的，如图1所示，在第一基板10上划出等间距间隔设置的多条横线11和多条竖线12，横线11和竖线12垂直，以划分出多个矩形的调节区13。应当理解的是，多条横线11和多条竖线12既可是实际存在的，也可是虚拟的，不做限制。其他可选的，也可划分出多个其他如圆形、平行四边形等形状的调节区13。
调节区13是第一基板10的一部分，多个调节区13是一体的结构，分隔出多个调节区13是为了方便对不同区域的拾取头20进行调节。调节区13的数量和调节柱40的数量相等，调节柱40伸出时，将对应的调节区13撑开变形而朝向微型发光二极管推出。应当理解的是，拾取头20与微型发光二极管之间产生的间隙是很小的，通常不会超过20μm，因此，调节区13所需的变形量也不会超过20μm，此变形量是很小的，变形的调节区13几乎不会影响到相邻的其他调节区13，从而实现第一基板10上局部区域的拾取头20的调节。
每个调节区13设置至少两个拾取头20，可使得一个调节柱40控制两个拾取头20，不必使用一个调节柱40调节一个拾取头20，可减少调节柱40的数量，降低成本和控制的难度。另外，由于生长基板上的多个微型发光二极管的排布的相当密集的，也就是第一基板10上的多个拾取头20也是相当密集的，如此要在狭窄的可用空间中布置与拾取头20的数量相等的调节柱40也是不太现实的，因此，设置每个调节区13设置至少两个拾取头20。具体的，一个调节区13可设置的拾取头20的数量可为2、3、4、5、6……等，不做限制，如图1示出了一个调节区13设置有4个拾取头20的实施例。
可以理解的是，当第一基板10上的多个拾取头20排布的较为稀疏时，也可一个调节区13设置一个拾取头20。
一种实施例中，请参考图1，调节柱40与调节区13的中心点连接，调节区13中的每一拾取头20均与中心点具有间隔距离。
可以理解的是，在第一基板10的正投影中，调节柱40与调节区13的中心点重合。则调节柱40伸长时，施加给调节区13的力是从中心点向四周传递的，则与中心点均有间隔距离的四周的拾取头20可以有大致相等的变形量，可方便控制拾取头20的移动的距离，同时调节柱40不会与拾取头20接触，从而避免调节柱40破坏拾取头20。
可选的，调节区13中的每一拾取头20与该调节区13的中心点的间隔距离相等。
一种实施例中，请参考图5，拾取头20包括弹性部21和拾取部22，弹性部21的一端与第一基板10连接，另一端连接拾取部22，弹性部21用于产生弹性变形。
弹性部21例如为弹簧、弹片等结构，可在外力下拉伸及压缩而产生弹性变形，并在外力撤去后恢复原状。
在未进行拾取微型发光二极管的动作时，第一基板10大致水平放置，第一表面14朝向地面一侧，弹性部21在拾取头20的重力下呈拉伸状。
第一基板10朝向微型发光二极管一侧移动，以使多个拾取头20与对应的发光二极管接触并完成拾取。
其中与微型发光二极管具有间隙的拾取头20未与微型发光二极管接触，未完成拾取。对应该拾取头20所在的调节区13的调节柱40伸长，以推动该调节区13向微型发光二极管一侧变形，进而带动该调节区13的全部的拾取头20都向微型发光二极管一侧移动，之前未完成拾取的拾取头20与对应的微型发光二极管接触并完成拾取。该调节区13的其他之前已完成拾取的拾取头20的弹性部21由原来的拉伸状逐渐变为拉伸量减少或无弹性变形或压缩状，即调节区13的变形由弹性部21所吸收，不会对已完成拾取的微型发光二极管造成损坏。
一种实施例中，请参考图1和图2，第一基板10设有阵列电路（未图示，可参考图2中的检测电路60），阵列电路与多个拾取头20连接，阵列电路用于控制任一个拾取头20的通电与断电。
阵列电路具体可参考现有的如TFT电路等结构，总之，通过阵列电路可单独控制每一个拾取头20的通电与断电，其具体结构不做限制。本申请实施例中，拾取头20拾取微型发光二极管可采用静电力吸附的方式，结合前文所述，拾取头20通电时进行拾取，拾取头20断电时进行释放。采用静电力吸附的方式实现拾取头20的拾取和释放的原理简单，容易实现。
一种实施例中，请参考图2至图4，巨量转移装置还包括控制器50、检测电路60和控制电路70，检测电路60与多个拾取头20连接，并与控制器50连接，控制电路70与多个调节柱40连接，并与控制器50连接。
控制器50根据检测电路60传递的信号确定未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置，并通过控制电路70控制对应未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置的调节柱40伸长。
控制器50可为驱动IC，其内部设有各种电路，具体不做限制。
检测电路60与多个拾取头20连接，能检测到每一个拾取头20释放有拾取到拾取头20。具体的，如图2所示，检测电路60可包括设置在第一基板10上的多条主走线61和多条分支走线62。多条主走线61的一端与控制器50连接，且主走线61沿着多个拾取头20之间的间隙设置。分支走线62一端连接主走线61，另一端连接拾取头20。参考图5，拾取头20还包括第一接头23，分支走线62与该第一接头23连接，该第一接头23与弹性部21连接，弹性部21、拾取头20均为导电材质。
拾取头20与微型发光二极管接触，即拾取到发光二极管时，由于微型发光二极管内设有金属电极以及半导体层结构等，其与检测电路60之间形成的电位为第一电位；拾取头20未与微型发光二极管接触，拾取头20与微型发光二极管之间形成的电位为第二电位；第一电位和第二电位不同。控制器50可根据检测电路60传输的信号中是第一电位还是第二电位便可判断该拾取头20是否拾取到微型发光二极管，并确定未拾取微型发光二极管的拾取头20的位置。
控制电路70与多个调节柱40连接，能给每一个调节柱40传输控制信号。参考图3，控制电路70包括设置在第二基板30上的多条控制走线，每条控制走线的一端与控制器50连接，另一端与其中一个调节柱40连接。参考图5，调节柱40远离第一基板10的一端连接有第二接头41，控制走线与该第二接头41连接。
得到未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置后，控制器50通过控制电路70给对应位置的调节柱40传输控制信号，调节柱40便可根据控制信号伸长，以将该局部区域的第一基板10撑开向微型发光二极管一侧变形，使得对应的拾取头20拾取到微型发光二极管。
一种实施例中，请参考图2，阵列电路与检测电路60集成为一体，或者，阵列电路与检测电路60电连接。也就是说，拾取头20的通电与断电，以及拾取头20是否拾取到微型发光二极管，均由控制器50控制，并通过检测电路60进行信号传输，如此，可减少一个阵列电路，降低成本。
本申请实施例还提供一种巨量转移方法，请参考图6，并结合图1至图5，提供前述实施例中的巨量转移装置，巨量转移方法包括：
S1、将多个拾取头20与多个微型发光二极管对位，并使多个拾取头20拾取微型发光二极管。
S2、对应未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置的调节柱40相对第二基板30伸长，以推动未拾取到微型发光二极管的拾取头20朝向微型发光二极管移动，以使拾取头20拾取微型发光二极管。
关于上述巨量转移装置的各器件的结构，以及步骤S1、步骤S2的内容，均可参照前述实施例中的论述即可，在此不再赘述。
本申请实施例提供的巨量转移方法，当第一基板10上的多个拾取头20中的部分拾取头20未拾取到微型发光二极管时，对应的支撑柱伸长以将第一基板10的局部朝向微型发光二极管一侧推动，第一基板10的局部变形而带动该处的拾取头20朝向微型发光二极管移动，实现对该处的微型发光二极管的拾取，避免了漏抓取的问题，提高了转移后的驱动电路基板及其上的微型发光二极管的良率，能提升生产效率和经济效益。
可选的，该巨量转移方法还包括：根据检测电路60传递的信号确定未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置；通过控制电路70控制对应未拾取到微型发光二极管的拾取头20的位置的调节柱40伸长。
关于检测电路60、控制电路70以及检测和控制的过程的内容参照前述实施例中的说明即可，此处不再赘述。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指标的方位或位置关系为基于附图所述的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
以上所揭露的仅为本申请一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本申请之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：
第一基板；
多个拾取头，设置在所述第一基板上，多个所述拾取头在所述第一基板上阵列分布；
第二基板；
多个调节柱，多个所述调节柱相背的两端分别与所述第一基板和所述第二基板连接，多个所述调节柱在所述第二基板上阵列分布，多个所述调节柱为可伸缩结构；
所述拾取头用于拾取和释放微型发光二极管，当部分所述拾取头未拾取到所述微型发光二极管而其余部分所述拾取头已拾取到所述微型发光二极管时，对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱相对所述第二基板伸长，以推动未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头朝向所述微型发光二极管移动，以使所述拾取头拾取所述微型发光二极管；
所述第一基板设有阵列电路，所述阵列电路与多个所述拾取头连接，所述阵列电路用于控制任一个所述拾取头的通电与断电；
所述巨量转移装置还包括控制器、检测电路和控制电路，所述检测电路与多个所述拾取头连接，并与所述控制器连接，所述控制电路与多个所述调节柱连接，并与所述控制器连接；
所述控制器根据所述检测电路传递的信号确定未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置，并通过所述控制电路控制对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱伸长。
2.根据权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述第一基板分隔有阵列排布的多个调节区，每个所述调节区设置有至少两个所述拾取头，每个所述调节柱与每个所述调节区一一对应连接，所述调节柱用于推动所述调节区朝向所述微型发光二极管变形。
3.根据权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，所述调节柱与所述调节区的中心点连接，所述调节区中的每一所述拾取头均与所述中心点具有间隔距离。
4.根据权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，所述拾取头包括弹性部和拾取部，所述弹性部的一端与所述第一基板连接，另一端连接所述拾取部，所述弹性部用于产生弹性变形。
5.根据权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述阵列电路与所述检测电路集成为一体，或者，所述阵列电路与所述检测电路电连接。
6.根据权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，在多个所述拾取头未拾取所述微型发光二极管的情况下，所述第一基板和所述第二基板平行，多个所述调节柱与所述第一基板和所述第二基板垂直。
7.一种巨量转移方法，其特征在于，提供如权利要求1至6任一项所述的巨量转移装置，所述巨量转移方法包括：
将多个所述拾取头与多个微型发光二极管对位，并使多个所述拾取头拾取所述微型发光二极管；
对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱相对所述第二基板伸长，以推动未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头朝向所述微型发光二极管移动，以使所述拾取头拾取所述微型发光二极管。
8.根据权利要求7所述的巨量转移方法，其特征在于，还包括：
根据检测电路传递的信号确定未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置；
通过控制电路控制对应未拾取到所述微型发光二极管的所述拾取头的位置的所述调节柱伸长。
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