CN116375455B - 高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及氧化铝陶瓷支撑剂技术领域，且公开了一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，包括以下步骤：对原材料进行配料、对原材料进行加水球磨处理、对球磨处理材料进行喷雾造料处理、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理、烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃‑1580℃，该高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，黄色90％氧化铝陶瓷支撑剂和白色95％氧化铝陶瓷支撑剂在1550‑1580度高温烧成时窑具和产品相互无污染；引进锆基稳定材料，锆基材料分子、氧化钒分子和氧化铝分子相互形成稳定的化合物，没有游离的分子在高温下溢出，所以制品在高温下相互无污染，窑具也没有污染。

Description

高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法
技术领域
本发明涉及氧化铝陶瓷支撑剂技术领域，具体为一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法。
背景技术
氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应用已经越来越广泛，满足于日用和特殊性能的需要。
在现有技术中，90％氧化铝陶瓷支撑剂被广泛用于中石化、中石油作为矿床的支撑和覆盖剂。90％氧化铝陶瓷支撑剂主要是白色最为常见，红色和黄色少见。主要原因是90％氧化铝陶瓷材料烧结温度都在1550度以上，添加色料在高温烧成时，都会有一定的高温挥发，污染窑具，所以白色高温90％氧化铝陶瓷支撑剂与红色及其他颜色的高温90％氧化铝陶瓷支撑剂不能同窑同窑具烧成，较大程度上降低了工厂的生产效率；鉴于此，我们提出了一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，以解决了白色高温90％氧化铝陶瓷支撑剂与红色及其他颜色的高温90％氧化铝陶瓷支撑剂不能同窑同窑具烧成，较大程度上降低了工厂的生产效率的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，所述原材料为锆基稳定材料；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理后进行出窑，制得氧化铝陶瓷支撑剂。
可选的，所述原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化钙3-5份、氧化锆2-3份、氧化钒1-2份、氧化铝88-92.5份。
可选的，所述步骤S2中球磨处理的细度控制300目以下。
可选的，所述步骤S3中喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％。
可选的，所述步骤S5中烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃。
可选的，所述锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化钙、氧化锆、氧化钒、氧化铝。
可选的，所述烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0。
与现有技术相比，本发明提供了一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，具备以下有益效果：
1、该高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，黄色90％氧化铝陶瓷支撑剂和白色95％氧化铝陶瓷支撑剂在1550-1580度高温烧成时窑具和产品无污染，引进锆基稳定材料，锆基材料分子、氧化钒分子和氧化铝分子相互形成稳定的化合物，没有游离的分子在高温下溢出，所以制品在高温下相互无污染，窑具也没有污染。
2、该高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，黄色氧化铝陶瓷支撑剂在1550-1580度以上高温烧结时，挥发系数为0。
附图说明
图1为本发明的流程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，原材料为锆基稳定材料，锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化钙、氧化锆、氧化钒、氧化铝，原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化钙3-5份、氧化锆2-3份、氧化钒1-2份、氧化铝88-92.5份；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料，球磨处理的细度控制300目以下；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理，喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃，烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0，烧制处理后进行出窑，制得黄色90％氧化铝陶瓷支撑剂。
实施例2：
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，原材料为锆基稳定材料，锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化钙、氧化锆、氧化铝，原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化钙3-5份、氧化锆2-3份、氧化铝88-92.5份；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料，球磨处理的细度控制300目以下；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理，喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃，烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0，烧制处理后进行出窑，制得白色90％氧化铝陶瓷支撑剂。
实施例1和实施例2的两种方式中分别制得黄色氧化铝陶瓷支撑剂和白色氧化铝陶瓷支撑剂，两种不同材料的支撑剂在同一个温度下，即1550-1580之间制品相互无污染。
实施例3：
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，原材料为锆基稳定材料，锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化镁、氧化锆、氧化钒、氧化铝，原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化镁3-5份、氧化锆2-3份、氧化钒1-2份、氧化铝88-92.5份；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料，球磨处理的细度控制300目以下；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理，喷雾造料处理的水份控制在0.5-8.0％；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃，烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0，烧制处理后进行出窑，制得黄色90％氧化铝陶瓷支撑剂。
实施例4：
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，原材料为锆基稳定材料，锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化镁、氧化铝，原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化镁3-5份、氧化铝88-92.5份；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料，球磨处理的细度控制300目以下；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理，喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃，烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0，烧制处理后进行出窑，制得黄色90％氧化铝陶瓷支撑剂。
其中，实施例3和实施例4两种不同材料的支撑剂在同一个温度下烧成，即1550-1580之间制品和窑具相互无污染。
实施例5：
如图1所示，本发明提供一种技术方案：一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，原材料为锆基稳定材料，锆基稳定材料包括二氧化硅、氧化镁、氧化铝、氧化铬，原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化镁3-5份、氧化铝88-92.5份、氧化铬1-3份；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料，球磨处理的细度控制300目以下；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理，喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃，烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0，烧制处理后进行出窑，制得红色90％氧化铝陶瓷支撑剂。
值得注意的是，按实施例2和实施例5以及实施例4和实施例5的条件下，可知制品相互之间都有很大污染，窑具也同样有很大的污染。
上文一般性的对本发明做了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之做一些修改或改进，这对于技术领域的一般技术人员是显而易见的。因此，在不脱离本发明思想精神的修改或改进，均在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1、对原材料进行配料，所述原材料为锆基稳定材料；
步骤S2、对步骤S1中的原材料进行加水球磨处理，制得球磨处理材料；
步骤S3、对步骤S2中的球磨处理材料进行喷雾造料处理；
步骤S4、搪制成型处理，搪制成型处理后对材料进行烘干处理；
步骤S5、对步骤S4中烘干处理后的材料进行烧制处理，烧制处理后进行出窑，制得氧化铝陶瓷支撑剂；
所述原材料由如下质量份配比组成：二氧化硅1.5-2份，氧化钙3-5份、氧化锆2-3份、氧化钒1-2份、氧化铝88-92.5份；
所述步骤S2中球磨处理的细度控制300目以下；
所述步骤S5中烧制处理烧成温度控制在1550℃-1580℃。
2.根据权利要求1所述的高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，其特征在于：所述步骤S3中喷雾造料处理的水份控制在0.5％-8.0％。
3.根据权利要求2所述的高温烧成超低挥发系数的氧化铝陶瓷支撑剂制备方法，其特征在于：所述烧制处理中温度在1550℃以上时高温烧成时的挥发系数为0。
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