CN116367593A - 具有发光器件的显示设备 - Google Patents

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CN116367593A CN202211650020.4A CN202211650020A CN116367593A CN 116367593 A CN116367593 A CN 116367593A CN 202211650020 A CN202211650020 A CN 202211650020A CN 116367593 A CN116367593 A CN 116367593A
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方熙晳
申珠焕
梁锡
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Abstract

提供了一种包括发光器件的显示设备。发光器件可包括依次堆叠在器件基板的显示区域上的第一电极、发光层和第二电极。在器件基板和发光器件之间可设置上部涂覆层。发光层、第二电极和上部涂覆层可在器件基板的边框区域上延伸。穿透边框区域的上部涂覆层的湿气阻挡孔可包括具有正锥形形状的第一阻挡侧和具有负锥形形状的第二阻挡侧。器件基板和上部涂覆层之间的下部钝化层可包括被设置在第一阻挡侧和第二阻挡侧之间的下部穿透孔。与第二阻挡侧重叠的反射图案可被设置在器件基板和下部钝化层之间。阻挡图案可被设置在湿气阻挡孔的第一阻挡侧上。阻挡图案可延伸到下部穿透孔内。因此，在该显示设备中，可有效防止由于外部湿气渗透而导致的发光层劣化。

Description

具有发光器件的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2021年12月29日提交的韩国专利申请第10-2021-0191748号的权益，在此通过引用将其并入，如同在本文完全阐述。
技术领域
本公开涉及一种显示设备，其中发光器件被设置在器件基板的显示区域上。
背景技术
一般来说，显示设备向用户提供图像。例如，显示设备可包括像素区域。每个像素区域可实现特定的颜色。例如，每个像素区域包括一个发光器件。发光器件可发出显示特定颜色的光。例如，发光器件可包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
与发光器件电连接的像素驱动电路可被设置在每个像素区域内。像素驱动电路可根据栅极信号向发光器件提供与数据信号相对应的驱动电流。例如，像素驱动电路可包括至少一个薄膜晶体管。用于独立控制每个像素区域的多个绝缘层可被堆叠在器件基板上。
发光层可能易受湿气影响。例如，在显示设备中，第二电极可覆盖发光层的端部部分。发光层可通过沉积工艺形成。例如，发光层可包括尾部部分，在尾部部分中厚度逐渐减小。然而，在显示设备中，第二电极所占的尺寸可通过发光层的尾部部分而增加。因此，在显示设备中，非发射区域可增加。也就是说，在显示设备中，发射区域可相对减少，并且图像的质量可被降低。
发明内容
因此，本公开涉及一种显示设备，该显示设备基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本公开的一个目的是提供一种能够防止发光层因外部湿气而劣化且不增加边框区域的显示设备。
本公开的另一个目的是提供一种能够可靠地防止外部湿气通过发光层的尾部部分渗透且不减少显示区域的显示设备。
本公开的其他优点、目的和特征将部分地在下面的描述中给出，并且部分地对于本领域普通技术人员来说在审视以下内容之后是明显的，或者可以从本公开的实践中了解。本公开的目的和其他优点可以通过书面的说明书和权利要求书以及附图中具体地给出的结构来实现和达到。
为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和宽泛地描述的，提供了一种包括器件基板的显示设备。器件基板包括显示区域和边框区域。在器件基板的边框区域上设置有反射图案。在反射图案上设置有分隔部。分隔部包括具有负锥形形状的第一分离侧。在器件基板上设置有上部涂覆层。上部涂覆层包括具有第一上部侧和第二上部侧的上部穿透孔。第一上部侧与第一分离侧间隔开。第二上部侧与分隔部重叠。下部钝化层被设置在反射图案和分隔部之间。下部钝化层包括下部穿透孔。下部穿透孔被设置在第一上部侧和第一分离侧之间。发光器件被设置在显示区域的上部涂覆层上。发光器件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极。在上部穿透孔的第一上部侧上设置有阻挡图案。阻挡图案延伸到下部穿透孔内。发光层和第二电极在阻挡图案上延伸。
发光层的端部部分可被阻挡图案和第二电极包围。
阻挡图案可包括与发光器件的第一电极相同的材料。
覆盖第一电极的边缘的堤部绝缘层可在器件基板的边框区域上延伸。阻挡图案的端部部分可被设置在边框区域的上部涂覆层和堤部绝缘层之间。
薄膜晶体管可被设置在器件基板的显示区域和下部钝化层之间。反射图案可包括与薄膜晶体管的栅电极相同的材料。
薄膜晶体管的栅极绝缘层可在器件基板和反射图案之间延伸。
器件缓冲层可被设置在器件基板和薄膜晶体管之间。器件缓冲层可在器件基板和反射图案之间延伸。连接图案可被设置在器件基板和器件缓冲层之间。连接图案可包括与反射图案重叠的区域。信号线可被设置在器件缓冲层和下部钝化层之间。信号线可穿过边框区域。信号线可被连接到位于反射图案外部的连接图案。
阻光图案可被设置在器件基板和器件缓冲层之间。阻光图案可与薄膜晶体管的半导体图案重叠。连接图案可包括与阻光图案相同的材料。
滤色器可被设置在下部钝化层和上部涂覆层之间。滤色器可与发光器件重叠。分隔部可包括与滤色器相同的材料。
滤色器的一侧可具有正锥形形状。
在另一个实施例中，提供了一种包括器件基板的显示设备。发光器件被设置在器件基板的显示区域上。发光器件包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极。在器件基板和发光器件之间设置有上部涂覆层。上部涂覆层在器件基板的边框区域上延伸。穿透边框区域的上部涂覆层的第一湿气阻挡孔包括第一阻挡侧和第二阻挡侧。第一阻挡侧具有正锥形形状。第二阻挡侧具有负锥形形状。第一反射图案被设置在器件基板的边框区域和上部涂覆层之间。第一反射图案与第一湿气阻挡孔的第二阻挡侧重叠。下部钝化层被设置在第一反射图案和上部涂覆层之间。下部钝化层包括第一下部穿透孔。第一下部穿透孔被设置在第一阻挡侧和第二阻挡侧之间。第一阻挡图案被设置在第一湿气阻挡孔的第一阻挡侧。第一阻挡图案延伸到第一下部穿透孔内。发光层和第二电极在第一湿气阻挡孔的第一阻挡侧上延伸。
第一反射图案可与第一湿气阻挡孔的第一阻挡侧间隔开。
第二湿气阻挡孔可被设置在器件基板的边框区域上。第二湿气阻挡孔可包括第三阻挡侧和第四阻挡侧。第三阻挡侧可具有正锥形形状。第四阻挡侧可具有负锥形形状。第二湿气阻挡孔可与第一湿气阻挡孔间隔开。第二反射图案可被设置在器件基板的边框区域和上部涂覆层之间。第二反射图案可与第一反射图案间隔开。第二反射图案可与第二湿气阻挡孔的第四阻挡侧重叠。下部钝化层可包括被设置在第三阻挡侧和第四阻挡侧之间的第二下部穿透孔。
第二阻挡图案可被设置在第二湿气阻挡孔的第三阻挡侧上。第二阻挡图案可延伸到第二下部穿透孔内。
第二阻挡图案可包括与第一阻挡图案相同的材料。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且并入本申请中而构成本申请的一部分的附图，例示了本公开的实施例，并且与描述一起用来解释本公开的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的一实施例的显示设备的视图；
图2是示出根据本公开的实施例的显示设备中的像素区域的电路的视图；
图3A是示出根据本公开的实施例的显示设备中的像素区域的截面的视图；
图3B是沿图1的线I-I'截取的视图；
图4是图3B中的K区域的放大视图；
图5A和图5B至图13A和图13B是依次示出形成根据本公开的实施例的显示设备的方法的视图；
图14是示出根据本公开的另一实施例的显示设备的视图；以及
图15和图16是依次示出形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法的视图。
具体实施方式
在下文中，与本公开的实施例的上述目的、技术配置和操作效果有关的细节将通过以下参考示出了本公开的一些实施例的附图的详细描述而被清楚地理解。在此，提供本公开的实施例是为了使本公开的技术精神能够令人满意地传递给本领域技术人员，因此本公开可以以其他形式体现，并且不限于以下描述的实施例。
此外，相同或极其相似的元件可在整个说明书中用相同的附图标记来标示，且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应理解的是，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可被设置在第二元件上，以便与第二元件接触，但第三元件可被插置在第一元件和第二元件之间。
在此，诸如“第一”和“第二”等术语可被用于区分任何一个元件与另一个元件。然而，第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的方便而任意命名，而不偏离本公开的技术精神。
本公开的说明书中使用的术语只是为了描述特定的实施例，而不是为了限制本公开的范围。例如，以单数形式描述的元件旨在包括多个元素，除非上下文以其他方式明确指出。此外，在本公开的说明书中，应进一步理解，术语“包括”和“包含”指定存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组合。
而且，除非使用“直接”，否则术语“连接”和“联接”可包括两个部件通过位于这两个部件之间的一个或多个其他部件“连接”或“联接”。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例性实施例所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语，例如那些在常用字典中定义的术语，应被解释为具有与其在相关技术背景中的含义相一致的含义，并且不应被解释为理想化或过于正式的含义，除非在本文中明确如此定义。
(实施例)
图1是示意性地示出根据本公开的一实施例的显示设备的视图。图2是示出根据本公开的实施例的显示设备中的像素区域的电路的视图。图3A是示出根据本公开的实施例的显示设备中的像素区域的截面的视图。图3B是沿图1的线I-I'截取的视图。图4是图3B中的K区域的放大视图。
参考图1至图4，根据本公开的实施例的显示设备可包括显示面板DP、数据驱动器DD、栅极驱动器GD、时序控制器TC和电源单元PU。
显示面板DP可生成被提供给用户的图像。例如，显示面板DP可包括多个像素区域PA。数据驱动器DD、栅极驱动器GD、时序控制器TC和电源单元PU可通过信号线为每个像素区域PA的操作提供信号。信号线可包括数据线DL、栅极线GL和电源电压供应线PL。例如，数据驱动器DD可通过数据线DL向每个像素区域PA施加数据信号，栅极驱动器GD可通过栅极线GL向每个像素区域PA施加栅极信号，而电源单元PU可通过电源电压供应线PL向每个像素区域PA提供电源电压。时序控制器TC可控制数据驱动器DD和栅极驱动器GD。例如，数据驱动器DD可从时序控制器TC接收数字视频数据和源时序控制信号，而栅极驱动器GD可从时序控制器TC接收时钟信号、复位时钟信号和启动信号。
每个像素区域PA可实现特定的颜色。例如，在每个像素区域PA内可设置一个发光器件300。发光器件300可发射显示特定颜色的光。例如，发光器件300可包括依次堆叠在器件基板100上的第一电极310、发光层320和第二电极330。器件基板100可包括绝缘材料。器件基板100可包括透明材料。例如，器件基板100可包括玻璃或塑料。
第一电极310可包括导电材料。第一电极310可具有高透光率。例如，第一电极310可以是由透明导电材料(例如ITO和IZO)制成的透明电极。
发光层320可生成具有对应于第一电极310和第二电极330之间的电压差的亮度的光。例如，发光层320可包括具有发射材料的发射材料层(EML)。发射材料可包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开的实施例的显示设备可以是包括有机发射材料的有机发光显示设备。
发光层320可具有多层结构。例如，发光层320还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，发光层320的发射效率可得到改善。
第二电极330可包括导电材料。第二电极330可包括不同于第一电极310的材料。第二电极330的反射率可以比第一电极310的反射率高。例如，第二电极330可包括金属，如铝(Al)和银(Ag)。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，由发光层320生成的光可穿过第一电极310和器件基板100向外发射。
与发光器件300电连接的像素驱动电路DC可被设置在每个像素区域PA内。每个像素区域PA内的发光器件300的操作可以由相应的像素区域PA的像素驱动电路DC来控制。每个像素区域PA的像素驱动电路DC可以与数据线DL之一、栅极线GL之一和电源电压供应线PL之一电连接。例如，每个像素区域PA的像素驱动电路DC可根据栅极信号向相应的像素区域PA的发光器件300提供与数据信号相对应的驱动电流。由每个像素区域PA的像素驱动电路DC生成的驱动电流可施加于相应的像素区域PA的发光器件300并持续一帧。例如，每个像素区域PA的像素驱动电路DC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1可包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第二薄膜晶体管T2可具有与第一薄膜晶体管T1相同的结构。例如，第二薄膜晶体管T2可包括第二半导体图案221、第二栅电极223、第二源电极225和第二漏电极227。
第一半导体图案和第二半导体图案221可包括半导体材料。例如，第一半导体图案和第二半导体图案221可包括氧化物半导体，例如IGZO。第二半导体图案221可包括与第一半导体图案相同的材料。例如，第二半导体图案221可被设置在与第一半导体图案相同的层上。第二半导体图案221可以与第一半导体图案同时形成。
第一半导体图案和第二半导体图案221中的每一个可包括源极区域、漏极区域和沟道区域。沟道区域可被设置在源极区域和漏极区域之间。源极区域和漏极区域可以具有比沟道区域低的电阻。例如，源极区域和漏极区域可包括由氧化物半导体形成的导体化区域。沟道区域可以是由氧化物半导体形成的区域，该区域可以不是导体化的。
第一栅电极和第二栅电极223可包括导电材料。例如，第一栅电极和第二栅电极223可包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)。第二栅电极223可包括与第一栅电极相同的材料。例如，第二栅电极223可被设置在与第一栅电极相同的层上。第二栅电极223可以与第一栅电极同时形成。
第一栅电极可被设置在第一半导体图案上。例如，第一栅电极可以与第一半导体图案的沟道区域重叠。第一栅电极可以与第一半导体图案绝缘。例如，第一半导体图案的沟道区域可具有与施加到第一栅电极上的电压相对应的电导率。第二栅电极223可被设置在第二半导体图案221上。例如，第二栅电极223可以与第二半导体图案221的沟道区域重叠。第二栅电极223可以与第二半导体图案221绝缘。第二半导体图案221的沟道区域可具有与施加到第二栅电极223上的电压相对应的电导率。
第一源电极、第一漏电极、第二源电极225和第二漏电极227可包括导电材料。例如，第一源电极、第一漏电极、第二源电极225和第二漏电极227可包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)。第一漏电极可包括与第一源电极相同的材料。例如，第一漏电极可被设置在与第一源电极相同的层上。第一漏电极可以与第一源电极同时形成。第二漏电极227可包括与第二源电极225相同的材料。例如，第二漏电极227可被设置在与第二源电极225相同的层上。第二漏电极227可以与第二源电极225同时形成。
第一源电极和第一漏电极可包括与第一栅电极相同的材料。例如，第一源电极和第一漏电极可被设置在与第一栅电极相同的层上。第一源电极和第一漏电极可以与第一栅电极同时形成。第一源电极和第一漏电极可以与第一栅电极绝缘。例如，第一源电极和第一漏电极可与第一栅电极间隔开。
第二源电极225和第二漏电极227可包括与第二栅电极223相同的材料。例如，第二源电极225和第二漏电极227可被设置在与第二栅电极223相同的层上。第二源电极225和第二漏电极227可以与第二栅电极223同时形成。第二源电极225和第二漏电极227可以与第二栅电极223绝缘。例如，第二源电极225和第二漏电极227可与第二栅电极223间隔开。
第一源极可被电连接到第一半导体图案的源极区域。第一漏电极可被电连接到第一半导体图案的漏极区域。第二源电极225可被电连接到第二半导体图案221的源极区域。第二漏电极227可被电连接到第二半导体图案221的漏极区域。第二源电极225和第二漏电极227可包括与第一源电极和第一漏电极相同的材料。例如，第二源电极225和第二漏电极227可被设置在与第一源电极和第一漏电极相同的层上。第二源电极225和第二漏电极227可以与第一源电极和第一漏电极同时形成。第一源电极、第一漏电极、第二源电极225和第二漏电极227可被彼此间隔开。
每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可被设置在器件基板100和相应的像素区域PA的发光器件300之间。例如，绝缘层中的至少一个可被设置在器件基板100上。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2与每个像素区域PA的发光器件300之间的不必要的连接。例如，器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、上部涂覆层(over-coat layer)140和堤部绝缘层150可被依次堆叠在器件基板100上。
器件缓冲层110可包括绝缘材料。例如，器件缓冲层110可包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN)。器件缓冲层110可包括多层结构。例如，器件缓冲层110可具有由氮化硅(SiN)制成的层和由氧化硅(SiO)制成的层形成的堆叠结构。
器件缓冲层110可被设置在器件基板100和每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2之间。器件缓冲层110可防止在形成第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的工艺中由于器件基板100而导致的污染。例如，器件基板100朝向每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的整个表面可被器件缓冲层110覆盖。每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可被设置在器件缓冲层110上。
栅极绝缘层120可包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层120可包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN)。栅极绝缘层120可包括具有高介电常数的材料。例如，栅极绝缘层120可包括高K材料，如氧化铪(HfO)。栅极绝缘层120可具有多层结构。
栅极绝缘层120可被设置在器件缓冲层110上。栅极绝缘层120可在第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的半导体图案与栅电极之间延伸。例如，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的栅电极可通过栅极绝缘层120与相应的薄膜晶体管的半导体图案绝缘。栅极绝缘层120可覆盖每个像素区域PA的第一半导体图案和第二半导体图案221。每个像素区域PA的第一栅电极和第二栅电极223可被设置在栅极绝缘层120上。
每个像素区域PA的第一源电极、第一漏电极、第二源电极225和第二漏电极227可被设置在栅极绝缘层120上。例如，每个像素区域PA的栅极绝缘层120可包括暴露第一半导体图案的源极区域的第一源极接触孔、暴露第一半导体图案的漏极区域的第一漏极接触孔、暴露第二半导体图案221的源极区域的第二源极接触孔以及暴露第二半导体图案221的漏极区域的第二漏极接触孔。
下部钝化层130可包括绝缘材料。例如，下部钝化层130可包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN)。
下部钝化层130可被设置在栅极绝缘层120上。下部钝化层130可防止第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个由于外部冲击和湿气而损坏。例如，每个像素区域PA的第一栅电极、第一源电极、第一漏电极、第二栅电极223、第二源电极225和第二漏电极227可被下部钝化层130覆盖。下部钝化层130可沿着第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的与器件基板100相反的表面延伸。下部钝化层130可以在每个像素区域PA内的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的外部与栅极绝缘层120直接接触。
上部涂覆层140可包括绝缘材料。上部涂覆层140可包括不同于下部钝化层130的材料。例如，上部涂覆层140可包括有机绝缘材料。
上部涂覆层140可被设置在下部钝化层130上。上部涂覆层140可以去除由于每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导致的厚度差异。例如，上部涂覆层140的与器件基板100相反的上表面可以是平坦表面。每个像素区域PA的第一电极310、发光层320和第二电极330可被依次堆叠在上部涂覆层140的上表面上。例如，每个像素区域PA的第一电极310可通过穿透上部涂覆层140的电极接触孔之一与相应的像素区域PA的第二薄膜晶体管T2电连接。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止由于通过器件基板100向外发射的光的生成位置差异而导致的特性偏差。
堤部绝缘层150可包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层150可包括有机绝缘材料。堤部绝缘层150可包括不同于上部涂覆层140的材料。
堤部绝缘层150可被设置在上部涂覆层140上。每个发光器件300的第一电极310可通过堤部绝缘层150与相邻的发光器件300的第一电极310绝缘。例如，堤部绝缘层150可覆盖位于每个像素区域PA内的第一电极310的边缘。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，每个像素区域PA的发光器件300可通过堤部绝缘层150来独立地控制。每个发光器件300的发光层320和第二电极330可被堆叠在相应的第一电极310的由堤部绝缘层150暴露的一部分上。例如，堤部绝缘层150可在每个像素区域PA内限定发射区域EA。
由堤部绝缘层150限定的每个像素区域PA的发射区域EA可以不与相应的像素区域PA的像素驱动电路DC重叠。例如，每个像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可被设置在相应的像素区域PA的发射区域EA之外。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，从每个像素区域PA的发光器件300发射的光可不被相应的像素区域PA的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2阻挡。
每个发光器件300的发光层320可被连接到相邻的发光器件300的发光层320。例如，每个发光器件300的发光层320可延伸到堤部绝缘层150上。从每个像素区域PA的发光器件300发射的光可以显示与从相邻的像素区域PA的发光器件300发射的光相同的颜色。例如，每个像素区域PA的发光层320可生成白光。
每个像素区域PA可实现与相邻的像素区域PA不同的颜色。例如，每个像素区域PA可包括与相应的像素区域PA的发射区域EA重叠的滤色器410。滤色器410可以利用通过其的光实现特定的颜色。例如，每个像素区域PA的滤色器410可被设置在从相应的像素区域PA的发光器件300发射的光的路径上。每个像素区域PA的滤色器410可被设置在器件基板100和相应的像素区域PA的发光器件300之间。例如，每个像素区域PA的滤色器410可被设置在器件钝化层130和上部涂覆层140之间。由于每个像素区域PA的滤色器410导致的厚度差异可以通过上部涂覆层140去除。
施加到每个发光器件300的第二电极330的电压可以与施加到相邻的发光器件300的第二电极330的电压相同。例如，每个发光器件300的第二电极330可被电连接到相邻的发光器件300的第二电极330。每个发光器件300的第二电极330可包括与相邻的发光器件300的第二电极330相同的材料。例如，每个发光器件300的第二电极330可以与相邻的发光器件300的第二电极330同时形成。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以简化形成每个发光器件300的第二电极330的过程。
阻光图案250可被设置在器件基板100与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个之间。例如，阻光图案250可被设置在器件基板100和器件缓冲层110之间。阻光图案250可包括能够吸收或反射光的材料。阻光图案250可包括导电材料。例如，阻光图案250可包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钨(W)。
在第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的半导体图案的方向上行进的外部光可被阻光图案250阻挡。例如，阻光图案250可包括与每个半导体图案的沟道区域重叠的区域。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个由于外部光线而导致的特性变化。
每个像素驱动电路DC的第一薄膜晶体管T1可根据栅极信号将数据信号传送到相应的像素驱动电路DC的第二薄膜晶体管T2。例如，每个像素驱动电路DC的第一栅电极可被电连接到栅极线GL中的一个，每个像素驱动电路DC的第一源电极可被电连接到数据线DL中的一个。每个像素驱动电路DC的第二薄膜晶体管T2可生成对应于数据信号的驱动电流。例如，每个像素驱动电路DC的第二栅电极223可被电连接到相应的像素驱动电路DC的第一漏电极，每个像素驱动电路DC的第二源电极225可被电连接到电源电压供应线线PL中的一个。由每个像素区域PA的第二薄膜晶体管T2生成的驱动电流可被提供给相应的像素区域PA的发光器件300。例如，每个像素区域PA的第一电极310可被电连接到相应的像素区域PA的第二漏电极227。
栅极线GL可被设置在与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的栅电极223相同的层上。例如，栅极线GL可被设置在栅极绝缘层120和下部钝化层130之间。栅极线GL可包括与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的栅电极相同的材料。例如，栅极线GL可以与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个的栅电极同时形成。每个像素区域PA的第一栅电极可以与相应的栅极线GL直接接触。
数据线DL可与栅极线GL相交。数据线DL可被设置在与栅极线GL不同的层上。例如，数据线DL可被设置在器件基板100和器件缓冲层110之间。数据线DL可包括与阻光图案250相同的材料。例如，数据线DL可以与阻光图案250同时形成。器件缓冲层110和栅极绝缘层120可包括数据接触孔，其暴露出每条数据线DL的一部分。每个像素区域PA的第一源电极可通过数据接触孔中的一个被连接到相应的数据线DL。
电源电压供应线PL可平行于数据线DL延伸。例如，电源电压供应线PL可与栅极线GL相交。电源电压供应线PL可被设置在与数据线DL相同的层上。例如，电源电压供应线PL可被设置在器件基板100和器件缓冲层110之间。电源电压供应线PL可包括与数据线DL相同的材料。例如，电源电压供应线PL可以与数据线DL同时形成。器件缓冲层110和栅极绝缘层120可包括暴露每个电源电压供应线PL的一部分的电源接触孔。每个像素区域PA的第二源电极225可通过电源接触孔中的一个被连接到相应的电源电压供应线PL。
每个像素驱动电路DC的存储电容器Cst可将施加到相应的像素驱动电路DC的第二栅电极223的信号保持持续一帧。例如，每个像素驱动电路DC的存储电容器Cst可被电连接在相应的像素驱动电路DC的第二栅电极223和第二漏电极227之间。每个像素驱动电路DC的存储电容器Cst可具有其中至少有两个电容器电极231和232被堆叠的结构。例如，每个像素驱动电路DC的存储电容器Cst可具有由第一电容器电极231和第二电容器电极232形成的堆叠结构。每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可被设置在相应的像素驱动电路DC的第一电容器电极231上。每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可以与相应的像素驱动电路DC的第一电容器电极231绝缘。每个像素驱动电路DC的存储电容器Cst可使用被设置在器件基板100和上部涂覆层140之间的导电层来形成。例如，每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可被设置在器件基板100和器件缓冲层110之间，并且每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可被设置在栅极绝缘层120和下部钝化层130之间。
每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可包括与阻光图案250相同的材料。例如，每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)。每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可以与阻光图案250同时形成。例如，每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可以与被设置在相应的像素区域PA内的阻光图案250直接接触。
每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可被电连接到相应的像素驱动电路DC的第二漏电极227。例如，每个像素驱动电路DC的第一电容器电极231可通过被设置在相应的像素区域PA内的阻光图案250和第二半导体图案221的漏极区域被连接到相应的像素驱动电路DC的第二漏电极227。每个像素区域PA内的第二半导体图案221的漏极区域可被电连接到相应的像素区域PA内的阻光图案250。例如，器件缓冲层110可包括被设置在阻光图案250和每个像素区域PA内的第二半导体图案221的漏极区域之间的存储接触孔。每个像素区域PA内的第二半导体图案221的漏极区域可通过存储接触孔中的一个被连接到相应的像素区域PA内的阻光图案250。
每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可包括与相应的像素驱动电路DC的栅电极相同的材料。例如，每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)。每个像素驱动电路DC的第二电容器电极232可以与相应的像素驱动电路DC的栅电极同时形成。
显示面板DP的器件基板100可包括显示区域AA以及被设置在显示区域AA之外的边框区域BZ，其中像素区域PA被设置在显示区域AA内。例如，发光器件300可被设置在显示区域AA的上部涂覆层140上。边框区域BZ可围绕显示区域AA。信号线(例如，DL、GL和PL)可以跨越边框区域BZ被连接到每个像素区域PA的像素驱动电路DC。例如，与每个像素区域PA的像素驱动电路DC电连接的数据线DL、栅极线GL和电源电压供应线PL可在器件基板100的边框区域BZ上延伸。
用于在信号线(例如DL、GL和PL)之间进行绝缘的绝缘层(例如110、120、130、140和150)中的至少一个可被设置在器件基板100的边框区域BZ上。例如，器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、上部涂覆层140和堤部绝缘层150可在器件基板100的边框区域BZ上延伸。器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、上部涂覆层140和堤部绝缘层150可被依次堆叠在器件基板100的边框区域BZ上。
上部涂覆层140可包括被设置在器件基板100的边框区域BZ上的至少一个上部穿透孔140h。上部穿透孔140h可穿透边框区域BZ的上部涂覆层140。例如，上部穿透孔140h可包括朝向显示区域AA的第一上部侧141s以及与第一上部侧141s相对的第二上部侧142s。第一上部侧141s和第二上部侧142s可具有正锥形形状(positive tapered shape)。例如，上部穿透孔140h的宽度可以随着与器件基板100的距离的减小而减小。
至少一个分隔部(separating partition)420可被设置在下部钝化层130和边框区域BZ的上部涂覆层140之间。分隔部420可包括绝缘材料。例如，分隔部420可包括与滤色器410相同的材料。分隔部420可包括朝向显示区域AA的第一分离侧421s，以及与第一分离侧421s相反的第二分离侧422s。第一分离侧421s和第二分离侧422s可具有负锥形形状(negative tapered shape)。例如，分隔部420的宽度可随着与器件基板100的距离的减小而减小。
分隔部420可包括被设置在上部穿透孔140h内的区域。例如，分隔部420的第一分离侧421s可被设置在上部穿透孔140h内。分隔部420的第二分离侧422s可被设置在边框区域BZ的下部钝化层130和上部涂覆层140之间。例如，上部穿透孔140h的第二上部侧142s可以与分隔部420重叠。
边框区域BZ的上部涂覆层140和分隔部420可限定至少一个湿气阻挡孔BH。例如，湿气阻挡孔BH可被设置在上部穿透孔140h的第一上部侧141s和分隔部420的第一分离侧421s之间。上部穿透孔140h的第一上部侧141s可被定义为湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧。分隔部420的第一分离侧421s可被定义为湿气阻挡孔BH的第二阻挡侧。也就是说，在根据本公开的实施例的显示设备中，由边框区域BZ的上部涂覆层140和分隔部420限定的湿气阻挡孔BH可包括具有正锥形形状的第一阻挡侧(即，第一上部侧141s)和具有负锥形形状的第二阻挡侧(即，第一分离侧421s)。湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧可面对显示区域AA。湿气阻挡孔BH可穿透边框区域BZ的上部涂覆层140。
反射图案500可被设置在边框区域BZ的栅极绝缘层120和下部钝化层130之间。反射图案500可包括具有高反射率的材料。例如，反射图案500可包括金属。反射图案500可使用在每个像素区域PA内形成像素驱动电路DC的工艺来形成。例如，反射图案500可包括与每个像素区域PA内的第二薄膜晶体管T2的第二栅电极223相同的材料。
反射图案500可与湿气阻挡孔BH和分隔部420重叠。例如，上部穿透孔140h的第一上部侧141s和第二上部侧142s可被设置在反射图案500上。上部穿透孔140h可与反射图案500重叠。反射图案500可以延伸超过上部穿透孔140h和分隔部420。例如，分隔部420的第二分离侧422s可被设置在反射图案500上。
下部钝化层130可包括与湿气阻挡孔BH重叠的下部穿透孔130h。例如，下部穿透孔130h可被设置在湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧和第二阻挡侧之间。下部穿透孔130h可穿透下部钝化层130。例如，反射图案500的一部分可通过下部穿透孔130h和湿气阻挡孔BH而被暴露。
阻挡图案315可被设置在湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧上。阻挡图案315可包括能够防止外部湿气渗透的材料。阻挡图案315可使用形成发光器件300的工艺来形成。例如，阻挡图案315可包括与每个像素区域PA内的第一电极310相同的材料。阻挡图案315可与上部涂覆层140直接接触。例如，湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧可与阻挡图案315直接接触。
阻挡图案315可延伸到下部穿透孔130h内。例如，反射图案500的通过下部穿透孔130h暴露的部分可被阻挡图案315覆盖。阻挡图案315可与位于下部穿透孔130h内的反射图案500直接接触。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，外部湿气通过湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧的渗透可被阻挡图案315阻止。
每个发光器件300的发光层320和第二电极330可以在器件基板100的边框区域BZ上延伸。例如，发光层320和第二电极330可被堆叠在阻挡图案315上。边框区域BZ的堤部绝缘层150可包括与上部穿透孔140h和分隔部420重叠的开口150h。发光层320和第二电极330可延伸到下部穿透孔130h内。发光层320和第二电极330可被分隔部420的第一分离侧421s部分地分离。例如，发光层320可包括被设置在湿气阻挡孔BH内的端部部分320e。发光层320的端部部分320e可被设置在阻挡图案315上。第二电极330可在发光层320的外部与阻挡图案315直接接触。例如，阻挡图案315和第二电极330可围绕位于湿气阻挡孔BH内的发光层320的端部部分320e。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止外部湿气通过发光层320的渗透，而不管发光层320的尾部部分。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止由于外部湿气导致的发光层320的劣化，且不增加边框区域BZ。
而且，湿气阻挡孔BH可被设置在显示区域AA和分隔部420之间。也就是说，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止外部湿气通过分隔部420的渗透。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以改善分隔部420的材料的自由度。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以有效地防止外部湿气的渗透。
连接图案290可被设置在器件基板100的边框区域BZ和器件缓冲层110之间。连接图案290可包括导电材料。例如，连接图案290可包括与阻光图案250相同的材料。连接图案290可与反射图案500重叠。栅极绝缘层120和下部钝化层130之间的信号线(例如DL、GL和PL)可使用连接图案290穿过边框区域BZ。例如，被设置在与反射图案500相同的层上的每个栅极线GL可使用连接图案290穿过湿气阻挡孔BH。每个栅极线GL可在反射图案500的外部被电连接到连接图案290。也就是说，在根据本公开的实施例的显示设备中，被设置在与反射图案500相同的层上的每个信号线(例如DL、GL和PL)可利用连接图案290绕过反射图案500。每个栅极线GL可穿透器件缓冲层110和栅极绝缘层120。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，通过器件缓冲层110和栅极绝缘层120之间的界面渗透的外部水分可被栅极线GL阻挡。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止信号线(例如，DL、GL和PL)的断开，并且可以有效地防止由于外部湿气导致的发光层320的劣化。
封装基板700可通过全表面粘合剂层600而被附接在每个发光器件300的第二电极330上。例如，全表面粘合剂层600可包括粘合剂材料。封装基板700可防止发光器件300因外部湿气和冲击而损坏。例如，封装基板700可包括具有特定硬度或更高硬度的材料。封装基板700可包括具有相对高的热导率的材料。例如，封装基板700可包括金属，如铝(Al)、镍(Ni)和铁(Fe)。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，由每个像素区域PA的像素驱动电路DC和发光器件300生成的热量可通过封装基板700散去。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以有效地防止每个像素区域PA内的发光层320的劣化。
全表面粘合剂层600和封装基板700可在器件基板100的边框区域BZ上延伸。例如，湿气阻挡孔BH可由全表面粘合剂层600填充。封装基板700可以与器件基板100的显示区域AA和边框区域BZ重叠。
图5A和图5B至图13A和图13B是依次示出形成根据本公开的实施例的显示设备的方法的视图。
将参考图3A、图3B、图4、图5A和图5B至图13A和图13B来描述形成根据本公开的实施例的显示设备的方法。首先，形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括提供器件基板100的步骤，该器件基板100包括显示区域AA以及被设置在显示区域AA外部的边框区域BZ，其中像素区域PA被设置在显示区域AA内；在器件基板100的像素区域PA上形成阻光图案250的步骤；在器件基板100的边框区域BZ上形成连接图案290的步骤；在其中形成了阻光图案250和连接图案290的器件基板100上形成器件缓冲层110的步骤；在像素区域PA的器件缓冲层110上形成半导体图案(例如，第二半导体图案221)的步骤；在其中形成了半导体图案的器件基板100上形成栅极绝缘层120的步骤；在像素区域PA的栅极绝缘层120上形成栅电极(例如，第二栅电极223)、源电极(例如，第二源电极225)、漏电极(例如，第二漏电极227)和第二电容器电极232的步骤；在边框区域BZ的栅极绝缘层120上形成栅极线GL的步骤；以及在边框区域BZ的栅极绝缘层120上形成反射图案500的步骤，如图5A和图5B所示。
阻光图案250可由具有高反射率的材料形成。连接图案290可由导电材料形成。连接图案290可与阻光图案250同时形成。例如，形成阻光图案250和连接图案290的步骤可包括在器件基板100上形成具有高反射率的金属层的步骤，以及对金属层进行图案化的步骤。连接图案290可包括与阻光图案250相同的材料。
栅电极(例如，第二栅电极223)、源电极(例如，第二源电极225)、漏电极(例如，第二漏电极227)和第二电容器电极232可包括导电材料。栅极线GL可包括导电材料。反射图案500可包括具有高反射率的材料。栅极线GL和反射图案500可与栅电极、源电极、漏电极和第二电容器电极232同时形成。例如，形成栅极线GL、反射图案500、栅电极、源电极、漏电极和第二电容器电极232的步骤可包括在器件基板100上形成具有高反射率的金属层的步骤，以及对金属层进行图案化的步骤。栅极线GL可包括与反射图案500相同的材料。栅极线GL和反射图案500可包括与栅电极、源电极、漏电极和第二电容器电极232相同的材料。
栅极线GL可在反射图案500的外部被电连接到连接图案290。例如，形成栅极线GL的步骤可包括通过对器件缓冲层110和栅极绝缘层120进行图案化而暴露连接图案290的端部部分的步骤。反射图案500可与连接图案290的中心区域重叠。栅极线GL可与反射图案500间隔开。例如，栅极线GL可使用连接图案290绕过其中形成反射图案500的区域。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，可以防止由于反射图案500而导致的栅极线GL的断开。而且，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，可通过栅极线GL防止外部湿气通过器件缓冲层110和栅极绝缘层120之间的界面的渗透。
第二半导体图案221、第二栅电极223、第二源电极225和第二漏电极227可构成第二薄膜晶体管T2，例如。阻光图案250的一部分可构成存储电容器Cst。例如，阻光图案250的与第二电容器电极232重叠的一部分可作为第一电容器电极231。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在器件基板100上形成覆盖栅极线GL、反射图案500、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst的下部钝化层130的步骤，以及在下部钝化层130上形成过滤材料层400的步骤，如图6A和图6B中所示。
下部钝化层130可由绝缘材料形成。例如，下部钝化层130可由无机绝缘材料形成，例如氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN)。例如，形成下部钝化层130的步骤可包括将无机绝缘材料沉积在器件基板100上的步骤。
过滤材料层400可包括能够利用通过其的光来实现特定颜色的材料。例如，过滤材料层400可包括染料。过滤材料层400可包括光敏材料。例如，过滤材料层400可由具有负特性的材料形成，其中通过曝光工艺进行曝光的区域被固化。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在过滤材料层400上布置包括第一开口P1和至少一个第二开口P2的掩模图案MA的步骤，以及使用掩模图案MA对过滤材料层400的一部分进行曝光的步骤，如图7A和图7B所示。
第一开口P1可与其中通过后续工艺形成滤色器的区域重叠。第一开口P1可被设置在像素区域PA内。第一开口P1可不与阻光图案250、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst重叠。例如，第一开口P1可被设置在阻光图案250、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst的外部。
第二开口P2可与其中通过后续工艺形成分隔部的区域重叠。例如，第二开口P2可被设置在边框区域BZ上。第二开口P2可与反射图案500重叠。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，通过第二开口P2的光可以在曝光工艺中被反射图案500沿过滤材料层400的方向反射。也就是说，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，被反射图案500反射的光可对与第二开口P2重叠的过滤材料层400的下端进行曝光。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，被第二开口P2暴露的第二区域400b的侧部分可能比被第一开口P1暴露的第一区域400a的侧部分更硬。在曝光工艺中，光可不被照射到与掩模图案MA重叠的过滤材料层400的第三区域400c。也就是说，过滤材料层400的第三区域400c可在曝光工艺中不进行曝光。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在下部钝化层130上形成滤色器410和至少一个分隔部420的步骤，如图8A和图8B所示。
形成滤色器410和分隔部420的步骤可包括去除过滤材料层400的未被掩模图案MA暴露的第三区域400c的步骤。滤色器410可被形成在像素区域PA的下部钝化层130上。分隔部420可被形成在边框区域BZ的下部钝化层130上。例如，滤色器410可使用过滤材料层400的被第一开口P1暴露的第一区域400a来形成，并且分隔部420可使用过滤材料层400的被第二开口P2暴露的第二区域400b来形成。滤色器410的一侧可以与第一区域400a的一侧相同，而分隔部420的一侧可以与第二区域400b的一侧相同。例如，分隔部420的朝向显示区域AA的第一分离侧421s和与第一分离侧421s相反的第二分离侧422s可具有负锥形形状。分隔部420的第一分离侧421s和第二分离侧422s可具有比滤色器410的侧部更大的倾斜角。分隔部420可具有与滤色器410相同的厚度。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括固化滤色器410和分隔部420的步骤，如图9A和图9B所示。
滤色器410的具有平缓坡度的侧部分通过固化工艺可沿下部钝化层130的方向向下流动。例如，滤色器410的侧部可通过固化工艺而具有正锥形形状。分隔部420的具有陡峭坡度的第一分离侧421s和第二分离侧422s通过固化工艺可不向下流动。例如，在固化工艺完成之后，分隔部420的第一分离侧421s和第二分离侧422s可保持负锥形形状。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在其中形成了滤色器410和分隔部420的器件基板100上形成包括电极接触孔和至少一个上部穿透孔140h的上部涂覆层140的步骤，以及在下部钝化层130中形成下部穿透孔130h的步骤，如图10A和图10B所示。
电极接触孔可穿透显示区域AA的上部涂覆层140。例如，电极接触孔可部分地暴露第二薄膜晶体管T2的第二漏电极227。上部穿透孔140h可穿透边框区域BZ的上部涂覆层140。例如，上部穿透孔140h可与反射图案500重叠。
上部穿透孔140h可具有正锥形形状。例如，上部穿透孔140h可包括朝向显示区域AA的第一上部侧141s和与第一上部侧141s相对的第二上部侧142s。上部穿透孔140h的第二上部侧142s可与分隔部420重叠。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，可由上部穿透孔140h的第一上部侧141s和分隔部420的第一分离侧421s限定湿气阻挡孔BH。例如，上部穿透孔140h的第一上部侧141s可以是湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧，而分隔部420的第一分离侧421s可以是湿气阻挡孔BH的第二阻挡侧。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，由上部穿透孔140h的第一上部侧141s和分隔部420的第一分离侧421s限定的湿气阻挡孔BH可包括具有正锥形形状的第一阻挡侧(即第一上部侧141s)和具有与第一阻挡侧相对的负锥形形状的第二阻挡侧(即第一分离侧421s)。
下部穿透孔130h可与湿气阻挡孔BH重叠。例如，下部穿透孔130h可被形成在上部穿透孔140h的第一上部侧141s和分隔部420的第一分离侧421s之间。下部穿透孔130h可穿透下部钝化层130。被设置在上部穿透孔140h的第一上部侧141s和分隔部420的第一分离侧421s之间的反射图案500的一部分可被下部穿透孔130h暴露。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在像素区域PA的上部涂覆层140上形成第一电极310的步骤，以及在第一上部侧141s上形成阻挡图案315的步骤，如图11A和图11B所示。
第一电极310可通过电极接触孔与第二薄膜晶体管T2的第二漏电极227电连接。第一电极310可包括导电材料。阻挡图案315可包括导电材料。阻挡图案315可以与第一电极310同时形成。例如，形成第一电极310和阻挡图案315的步骤可包括在其中形成了电极接触孔和湿气阻挡孔BH的器件基板100上形成导电材料层的步骤，以及对导电材料层进行图案化的步骤。
导电材料层可被分隔部420的第一分离侧421s部分地分离，该第一分离侧421s被设置在上部穿透孔140h内。例如，分隔部420的第一分离侧421s可不被导电材料层覆盖。阻挡图案315的端部部分可被设置在湿气阻挡孔BH内。阻挡图案315的另一端部部分可被设置在边框区域BZ的上部涂覆层140上。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在其中形成了第一电极310和阻挡图案315的器件基板100上形成堤部绝缘层150的步骤，以及在其中形成了堤部绝缘层150的器件基板100上形成发光层320的步骤，如图12A和图12B中所示。
堤部绝缘层150可暴露出第一电极310的一部分。发光层320可与第一电极310的被堤部绝缘层150暴露的一部分接触。例如，堤部绝缘层150可在像素区域PA内限定出发射区域EA。第一电极310的边缘可被堤部绝缘层150覆盖。
堤部绝缘层150可暴露湿气阻挡孔BH和分隔部420。例如，发光层320可部分地被分隔部420的第一分离侧421s分离。发光层320可包括被设置在湿气阻挡孔BH内的端部部分。例如，发光层320的端部部分可被设置在阻挡图案315上。发光层320可与位于湿气阻挡孔BH内的阻挡图案315直接接触。发光层320的端部部分可由于厚度差异而通过下部穿透孔130h与分隔部420分离。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在发光层320上形成第二电极330的步骤，如图13A和图13B中所示。
形成在发射区域EA上的第二电极330的一部分可以与第一电极310的被堤部绝缘层150暴露的一部分以及位于第一电极310的该一部分上的发光层320的一部分一起构成发光器件300。
形成在边框区域BZ上的第二电极330可通过分隔部420的第一分离侧421s被部分地分离。例如，第二电极320可包括被设置在湿气阻挡孔BH内的端部部分。第二电极330可由具有比发光层320更好的台阶覆盖性的材料和工艺形成。例如，第二电极330可在发光层320的外部与阻挡图案315直接接触。发光层320的端部部分可被阻挡图案315和第二电极330包围。因此，在形成根据本公开的实施例的显示设备的方法中，可以防止外部湿气通过发光层320的渗透。
形成根据本公开的实施例的显示设备的方法可包括在第二电极330上使用全表面粘合剂层600附接封装基板700的步骤，如图3A和图3B所示。
附接封装基板700的步骤可包括在封装基板700上形成全表面粘合剂层600的步骤。例如，湿气阻挡孔BH可被全表面粘合剂层600填充。其中未形成发光层320和第二电极330的分隔部420的第一分离侧421s可与全表面粘合剂层800直接接触。
因此，根据本公开的实施例的显示设备和形成该显示设备的方法可包括使用反射图案500在边框区域BZ上形成具有负锥形侧的分隔部420的步骤，形成与由分隔部420和穿透边框区域BZ的上部涂覆层140的上部穿透孔140h限定的湿气阻挡孔BH重叠的下部穿透孔130h的步骤，以及利用形成第一电极310的工艺形成覆盖湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧的阻挡图案315的步骤。因此，在根据本公开的实施例的显示设备和形成该显示设备的方法中，发光层320的端部部分320e可被阻挡图案315和第二电极330包围。因此，在根据本公开的实施例的显示设备和形成该显示设备的方法中，可以有效地防止由于外部湿气的渗透而导致的发光层320的劣化。
在根据本公开的实施例的显示设备中，可以在边框区域BZ上形成多个阻挡湿气孔BH和多个阻挡图案315。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以有效地防止外部湿气通过堆叠在边框区域BZ上的绝缘层(例如，110、120、130、140和150)的渗透。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以有效地防止由于外部湿气而降低图像的质量。
根据本公开的实施例的显示设备被描述为，湿气阻挡孔BH由包括与滤色器410相同的材料的分隔部420来限定。然而，在根据本公开的另一实施例的显示设备中，湿气阻挡孔BH可以以各种方式来形成。例如，在根据本公开的另一实施例的显示设备中，包括具有正锥形形状的第一阻挡侧S1和具有负锥形形状的第二阻挡侧S2的湿气阻挡孔BH可由边框区域BZ的上部涂覆层130形成，如图14所示。与第二阻挡侧S2重叠的反射图案500可与第一阻挡侧S1间隔开。例如，与湿气阻挡孔BH重叠的下部穿透孔130h可暴露出反射图案500的端部部分。
图15和图16是依次示出形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法的视图。
形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法将参考图14至图16进行描述。首先，形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法可包括与栅极线GL同时形成反射图案500的步骤，在其中形成了反射图案500的器件基板100上形成下部钝化层130和过滤材料层400的步骤，在过滤材料层400上布置包括与每个反射图案500的端部部分重叠的开口P3的掩模图案MA的步骤，以及使用掩模图案MA对过滤材料层400的一部分进行曝光的步骤，如图15所示。
过滤材料层400可包括光敏材料。例如，过滤材料层400可由具有正特性的材料形成，其中通过曝光工艺被曝光的区域被移除。
反射图案500可被彼此间隔开。每个开口P3可与反射图案500中的一个重叠。例如，每个反射图案500的端部部分可与掩模图案MA重叠，并且每个反射图案500的另一端可与开口P3之一重叠。因此，在根据本公开的另一实施例的显示设备中，只有与每个开口P3重叠的过滤材料层400的区域的下端可通过被反射图案500反射的光进行曝光。例如，在根据本公开的另一实施例的显示设备中，通过使用掩模图案MA实现的曝光工艺，过滤材料层400的每个被曝光区域400d可具有平行的侧部。
形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法可包括通过移除过滤材料层400的被曝光区域400d形成湿气阻挡孔BH的步骤，如图16所示。
湿气阻挡孔BH可具有与被曝光区域400d相同的形状。例如，每个湿气阻挡孔BH可包括具有正锥形形状的第一阻挡侧S1和具有负锥形形状的第二阻挡侧S2。每个湿气阻挡孔BH的第一阻挡侧S1可面对显示区域AA。每个湿气阻挡孔BH的第二阻挡侧S2可与显示区域AA相反。
形成根据本公开的另一实施例的显示设备的方法可包括去除被每个湿气阻挡孔BH暴露的下部钝化层130的步骤，以及在其中形成了湿气阻挡孔BH的器件基板100上形成堤部绝缘层150、阻挡图案315、发光器件300、全表面粘合剂层600和封装基板700的步骤，如图14所示。因此，在根据本公开的另一实施例的显示设备以及形成该显示设备的方法中，利用每个湿气阻挡孔BH可以有效地防止外部湿气的渗透，而不需要形成分隔部。因此，在根据本公开的另一实施例的显示设备和形成该显示设备的方法中，可以改善工艺效率。也就是说，在根据本公开的另一实施例的显示设备和形成该显示设备的方法中，可以改善形成湿气阻挡孔BH的工艺的自由度。
在根据本公开的另一实施例的显示设备中，可以形成具有各种尺寸的湿气阻挡孔BH。因此，根据本公开的另一实施例的显示设备可使湿气阻挡孔BH对被设置在边框区域BZ上的信号线的影响最小化，并且可以有效地防止外部湿气的渗透。
结果，根据本公开的实施例的显示设备可包括被设置在器件基板的显示区域和边框区域上的上部涂覆层、位于显示区域的上部涂覆层上的发光器件、穿透边框区域的上部涂覆层的湿气阻挡孔、被设置在器件基板和上部涂覆层之间的下部钝化层以及被设置在湿气阻挡孔的具有正锥形形状的第一阻挡侧上的阻挡图案，其中下部钝化层可包括与湿气阻挡孔重叠的下部穿透孔，其中阻挡图案可在下部穿透孔内延伸，并且发光器件的发光层和第二电极可在阻挡图案上延伸。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止外部湿气通过上部涂覆层和发光层的渗透，且不增加边框区域。因此，在根据本公开的实施例的显示设备中，可以防止由于外部湿气导致的发光层的劣化，且不减少显示区域。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
器件基板，其包括显示区域和边框区域；
被设置在所述器件基板的所述边框区域上的反射图案；
被设置在所述反射图案上的分隔部，所述分隔部包括具有负锥形形状的第一分离侧；
被设置在所述器件基板上的上部涂覆层，所述上部涂覆层包括上部穿透孔，所述上部穿透孔具有与所述第一分离侧间隔开的第一上部侧以及与所述分隔部重叠的第二上部侧；
被设置在所述反射图案和所述分隔部之间的下部钝化层，所述下部钝化层包括被设置在所述第一上部侧和所述第一分离侧之间的下部穿透孔；
发光器件，其包括第一电极、发光层和第二电极，所述第一电极、所述发光层和所述第二电极被彼此堆叠且被堆叠在位于所述显示区域内的所述上部涂覆层上；以及
被设置在所述上部穿透孔的所述第一上部侧上的阻挡图案，所述阻挡图案延伸到所述下部穿透孔内，
其中，所述发光层和所述第二电极在所述阻挡图案上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光层的端部部分被所述阻挡图案和所述第二电极包围。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述阻挡图案包括与所述发光器件的所述第一电极相同的材料。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括覆盖所述第一电极的边缘的堤部绝缘层，所述堤部绝缘层在所述器件基板的所述边框区域上延伸，
其中，所述阻挡图案的端部部分被设置在所述边框区域的所述上部涂覆层和所述堤部绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括被设置在所述器件基板的所述显示区域和所述下部钝化层之间的薄膜晶体管，
其中，所述反射图案包括与所述薄膜晶体管的栅电极相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管的栅极绝缘层在所述器件基板和所述反射图案之间延伸。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
被设置在所述器件基板和所述薄膜晶体管之间的器件缓冲层，所述器件缓冲层在所述器件基板和所述反射图案之间延伸；
被设置在所述器件基板和所述器件缓冲层之间的连接图案，所述连接图案包括与所述反射图案重叠的区域；及
被设置在所述器件缓冲层和所述下部钝化层之间的信号线，所述信号线穿过所述边框区域，
其中，所述信号线被连接到位于所述反射图案外部的连接图案。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括被设置在所述器件基板和所述器件缓冲层之间的阻光图案，所述阻光图案与所述薄膜晶体管的半导体图案重叠，
其中，所述连接图案包括与所述阻光图案相同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括被设置在所述下部钝化层和所述上部涂覆层之间的滤色器，所述滤色器与所述发光器件重叠，
其中，所述分隔部包括与所述滤色器相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述滤色器的一侧具有正锥形形状。
11.一种显示设备，包括：
发光器件，其包括第一电极、发光层和第二电极，所述第一电极、所述发光层和所述第二电极被彼此堆叠且被堆叠在器件基板的显示区域上；
被设置在所述器件基板和所述发光器件之间的上部涂覆层，所述上部涂覆层在所述器件基板的边框区域上延伸；
穿透所述边框区域的所述上部涂覆层的第一湿气阻挡孔，所述第一湿气阻挡孔包括具有正锥形形状的第一阻挡侧和具有负锥形形状的第二阻挡侧；
被设置在所述器件基板的所述边框区域和所述上部涂覆层之间的第一反射图案，所述第一反射图案与所述第一湿气阻挡孔的所述第二阻挡侧重叠；
被设置在所述第一反射图案和所述上部涂覆层之间的下部钝化层，所述下部钝化层包括被设置在所述第一阻挡侧和所述第二阻挡侧之间的第一下部穿透孔；及
被设置在所述第一湿气阻挡孔的所述第一阻挡侧上的第一阻挡图案，所述第一阻挡图案延伸到所述第一下部穿透孔内，
其中，所述发光层和所述第二电极在所述第一湿气阻挡孔的所述第一阻挡侧上延伸。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一反射图案与所述第一湿气阻挡孔的所述第一阻挡侧间隔开。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
被设置在所述器件基板的所述边框区域上的第二湿气阻挡孔，所述第二湿气阻挡孔与所述第一湿气阻挡孔间隔开；及
被设置在所述器件基板的所述边框区域和所述上部涂覆层之间的第二反射图案，所述第二反射图案与所述第一反射图案间隔开，
其中，所述第二湿气阻挡孔包括具有正锥形形状的第三阻挡侧和具有负锥形形状的第四阻挡侧，
其中，所述第二反射图案与所述第二湿气阻挡孔的所述第四阻挡侧重叠，以及
其中，所述下部钝化层包括被设置在所述第三阻挡侧和所述第四阻挡侧之间的第二下部穿透孔。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括被设置在所述第二湿气阻挡孔的所述第三阻挡侧上的第二阻挡图案，所述第二阻挡图案延伸到所述第二下部穿透孔内。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第二阻挡图案包括与所述第一阻挡图案相同的材料。
16.一种显示设备，包括：
基板，其包括显示区域和边框区域；
被设置在所述基板的所述边框区域上的反射图案；
被设置在所述基板上的分隔部；
被设置在所述基板上的上部涂覆层，所述上部涂覆层包括第一孔，所述分隔部的至少一部分被从所述第一孔中暴露出；
被设置在所述基板和所述分隔部之间的下部钝化层，所述下部钝化层包括与所述第一孔重叠的第二孔；
被设置在所述上部涂覆层上并延伸到所述第一孔内的阻挡图案层；以及
发光器件，其包括第一电极、发光层和第二电极，所述第一电极、所述发光层和所述第二电极被彼此堆叠且被堆叠在位于所述显示区域内的所述上部涂覆层上。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述阻挡图案延伸到所述第二孔内。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述分隔部的侧壁的至少一部分被从位于所述第一孔内的所述阻挡图案中暴露出。
19.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第一孔包括与所述分隔部重叠的第一侧壁部分和相对于所述分隔部偏移的第二侧壁部分。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述反射图案与所述第一孔的所述第一侧壁部分重叠并相对于所述第一孔的所述第二侧壁部分偏移。
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