CN116367569A - 有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种红色发光层的主剂材料的组合，其能够降低有机发光二极管的工作电压，并提高有机发光二极管的发光效率和寿命。此外，公开了一种电荷清除剂，其引起极化子淬灭以减少在有机发光二极管中发生的三重态极化子淬灭(TPQ)和滚降。此外，公开了一种包括该电荷清除剂的有机发光二极管。

Description

有机发光器件
技术领域
本公开涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种能够改善有机发光二极管的性能的磷光发光层的主剂材料，以及包括其的有机发光二极管。
背景技术
随着显示装置被应用于各种领域，对显示装置的兴趣正在增加。其中一种显示装置是包括正在迅速发展的有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置。有机发光二极管发光。相比于常规的显示装置，有机发光二极管可以在低电压下工作，消耗相对较少的功率，呈现优异的颜色，并且，可以以多种方式使用，因为柔性基板可以应用于它。另外，有机发光二极管的尺寸可以自由调节。
有机发光二极管(OLED)与液晶显示器(LCD)相比具有优越的视角和对比度，并且是轻量的、超薄的，因为OLED不需要背光。有机发光二极管包括在负极(电子注入电极；阴极)和正极(空穴注入电极；阳极)之间的多个有机层。多个有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴传输辅助层、电子阻挡层以及发光层、电子传输层等。
在这种有机发光二极管结构中，当在两个电极两端施加电压时，电子和空穴分别从负极和正极注入到发光层中，并因此激子产生于发光层中然后落到基态从而发光。
在有机发光二极管中，电荷被注入到形成在阳极与阴极之间的发光层中，使得电子和空穴彼此配对并且彼此复合以产生激子，并且激子的能量被转换为光。
就此而言，激子作为单重态激子和三重态激子存在。当使用荧光发光材料时，作为在发光层中产生的激子的约25％的单重态用于发光，而作为在发光层中产生的激子的75％的三重态的大部分作为热量消散。然而，当使用磷光发光材料时，使用单重态和三重态来发光。因此，尽管近年来，存在使用磷光材料而不是荧光材料用于发光层的趋势，但是通过延长寿命、实现低工作电压和提高发光效率来进一步提高有机发光二极管的性能的材料的开发正在继续。
在包括磷光发光层的有机发光二极管中，三重态激子被在空穴传输层(HTL)与发光层(EML)之间的界面处和发光层(EML)内部的未转化为激子的极化子淬灭的被称为“三重态极化子淬灭(TPQ)”的现象可能会发生，从而损害有机发光二极管的性能。
此外，发光层内部未转换为激子的极化子与发光层的掺杂剂反应从而引起淬灭现象。这种TPQ现象不仅降低了有机发光二极管的效率，而且加剧了基于电流密度引起色移的滚降现象，从而损害了有机发光二极管的性能。
因此，为了解决上述限制和问题，不断地需要研究和开发发光层的有机材料以降低使用磷光发光材料的有机发光二极管的工作电压并提高其发光效率和寿命。
发明内容
本公开的目的是提供一种红色发光层的主剂材料的组合，该组合可以降低有机发光二极管的工作电压，并且可以提高有机发光二极管的发光效率和寿命。
此外，本公开的目的是提供一种电荷清除剂以及包括该电荷清除剂的有机发光二极管，该电荷清除剂与极化子引发淬灭以减少在有机发光二极管中发生的三重态极化子淬灭(TPQ)和滚降现象。
本公开的目的不限于上述目的。本公开未提及的其他目的和优点可以基于以下描述来理解，并且可以基于本公开的实施例来更清楚地理解。另外，将容易理解的是，本公开的目的和优点可以使用权利要求中所示的手段及其组合来实现。
为了实现上述目的，本公开的一个方面提供了一种有机发光器件，包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及发光叠层，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光叠层包括有机层，其中，有机层包括空穴传输层和红色发光层，其中，空穴传输层包括空穴传输材料，其中，红色发光层包括主剂A、主剂B和红色掺杂剂，其中，主剂A和主剂B满足以下关系式(1)和(2)：
[关系式(1)]：|HOMO(主剂A)|≤|HOMO(主剂B)|
[关系式(2)]：|LUMO(主剂A)|≤|LUMO(主剂B)|
其中，在关系式(1)中，|HOMO(主剂A)|和|HOMO(主剂B)|分别表示主剂A和主剂B的HOMO(最高占据分子轨道)能级的绝对值，
其中，在关系式(2)中，|LUMO(主剂A)|和|LUMO(主剂B)|分别表示主剂A和主剂B的LUMO(最低未占据分子轨道)能级的绝对值。
本公开的另一方面提供一种有机发光器件，包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及发光叠层，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光叠层包括有机层，其中，有机层包括红色发光层，红色发光层包括主剂A、主剂B和红色掺杂剂，其中，主剂A是以下至少一种：
NPB：
Figure BDA0003981372450000031
NPB的一种或多种衍生物：/>
Figure BDA0003981372450000032
Figure BDA0003981372450000033
TAPC：/>
Figure BDA0003981372450000034
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mCP：
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TCB：/>
Figure BDA0003981372450000037
CBP：/>
Figure BDA0003981372450000038
TCTA：/>
Figure BDA0003981372450000039
包括
Figure BDA0003981372450000041
Figure BDA0003981372450000042
的叔胺类化合物，并且
其中，主剂B是以下至少一种：
TmPyPB：
Figure BDA0003981372450000043
包括B3PYMPM/>
Figure BDA0003981372450000044
Figure BDA0003981372450000045
的包含嘧啶基的化合物，包括/>
Figure BDA0003981372450000046
的包含三嗪基的化合物，包括/>
Figure BDA0003981372450000047
Figure BDA0003981372450000051
的包含喹唑啉基的化合物。
本公开的主剂材料的组合可以包含在有机发光二极管的发光层中，从而降低有机发光二极管的工作电压，并改善其效率和寿命特性。
本公开的有机金属化合物(电荷清除剂)可以包含在有机发光二极管的发光层中，从而可以减少或抑制在有机发光二极管中发生的三重态极化子淬灭(TPQ)现象和滚降现象。因此，有机发光二极管的工作电压可以进一步降低，并且有机发光二极管的效率和寿命特性可以得到进一步改善。
本公开的效果不限于上述效果，并且未提及的其他效果将由本领域技术人员从以下描述中清楚地理解。
附图说明
图1是示意性地示出本公开的一个实施例的有机发光二极管的剖视图。
图2是示意性地示出本公开的另一实施例的有机发光二极管的剖视图。
图3是示意性地示出本公开的一个实施例的具有两个发光叠层的串联结构(tandem structure)的有机发光二极管的剖视图。
图4是示意性地示出本公开的另一实施例的具有两个发光叠层的串联结构的有机发光二极管的剖视图。
图5是示意性地示出本公开的一个实施例的具有三个发光叠层的串联结构的有机发光二极管的剖视图。
图6是示意性地示出本公开的另一实施例的具有三个发光叠层的串联结构的有机发光二极管的剖视图。
图7是示意性地示出应用了本公开的实施例的有机发光二极管的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考以下结合附图详细描述的实施例而变得显而易见。然而，本公开不限于如下所公开的实施例，而是可以以各种不同的形式实施。因此，阐述这些实施例仅是为了使本公开完整，并且将本公开的范围完全告知本公开所属技术领域的普通技术人员，并且本公开仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是说明性的，本公开不限于此。在本文中，相同的附图标记指代相同的元件。另外，为了描述的简单起见省略了公知步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开的透彻理解。然而，将理解的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他实例中，未详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地模糊本公开的各方面。
本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文所用，除非上下文另有明确指示，否则单数构成“一个”旨在也包括复数构成。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和“包含”时，指定所陈述的特征、整数、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其一部分。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和所有组合。诸如“至少一个”的表达在一列要素之前时可以修饰整列要素并且可以不修饰列表的单个要素。在解释数值时，即使没有明确的描述，其中也可能产生误差或容差。
此外，还将理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上或者可以在第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间的情况下间接设置在第二元件上。将理解，当一个元件或层被称为“连接到”或“结合到”另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、连接到或结合到该另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，还将理解，当一个元件或层被称为处于两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
此外，如本文所用，当一个层、膜、区域、板等被设置在另一个层、膜、区域、板等的“上方”或“顶部”时，前者可以直接接触后者，或者在前者和后者之间还可以设置另一层、膜、区域、板等。如本文所用，当一个层、膜、区域、板等直接设置在另一个层、膜、区域、板等的“上方”或“顶部”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置另一层、膜、区域、板等。此外，如本文所用，当一个层、膜、区域、板等被设置在另一个层、膜、区域、板等的“下”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者在前者和后者之间还可以设置另一层、膜、区域、板等。如本文所用，当一个层、膜、区域、板等直接设置在另一个层、膜、区域、板等的“下”或“下方”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置另一层、膜、区域、板等。
在时间关系，例如两个事件之间的诸如“之后”、“随后”、“之前”等的时间关系的描述中，除非指出“直接(刚好)在～之后”、“直接(刚好)随后”或“直接(刚好)在～之前”，否则该两个事件之间可以发生另一个事件。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，下文所述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此组合，并且可以在技术上彼此关联或彼此操作。实施例可以彼此独立地实施并且可以以关联关系一起实施。
在解释数值时，除非有另有明确描述，否则数值被解释为包括误差范围。
将理解的是，当一个元件或层被称为“连接到”或“结合到”另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、连接到或结合到该另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，还将理解，当一个元件或层被称为处于两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此组合，并且可以在技术上彼此关联或彼此操作。实施例可以彼此独立地实施并且可以以关联关系一起实施。
除非另有定义，否则本文使用的包括技术术语和科学术语在内的所有术语具有与本发明概念所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解，例如在常用词典中定义的术语应被解释为具有与其在相关技术的背景中的含义一致的含义，并且除非在此明确定义，否则不会以理想化或过于形式化的意义来解释。
如本文所用，短语“相邻取代基彼此连接形成环(或环结构)”是指相邻取代基可以彼此结合形成取代或未取代的脂环或芳环。短语某一取代基的“相邻取代基”可以指取代与该某一取代基取代的原子直接连接的取代基、在空间上最接近该某一取代基的取代基或者取代被该某一取代基取代的原子的取代基。例如，取代苯环结构中邻位的两个取代基和取代脂族环中相同碳的两个取代基可以被解释为“相邻取代基”。
在本公开中，HOMO(最高占据分子轨道)能级(eV)和LUMO(最低未占据分子轨道)能级(eV)是基于循环伏安法(CV)的，并且具体地是基于以下条件和公式计算的。
Figure BDA0003981372450000081
在本公开中，如下获得三重态能量(T1)：在77K的环境中测量将待测量材料溶解在2-甲基THF溶剂中的溶液的光致发光以获得PL光谱，并且将获得的PL光谱的第一峰的能级(单位：eV)转换为三重态能量。
在下文中，将描述本公开的有机发光层的材料和包括该有机发光层的有机发光二极管。
常规地，通常使用一种类型的材料作为有机发光二极管的磷光发光层的主剂。本公开的申请人已经进行了深入研究，因此已经实验性地确认了满足特定能级相关条件的两种类型的主剂的混合物会在降低工作电压的同时提高发光效率。因此，本公开已经完成，并且下面将参考附图进行详细描述。
参照本公开的图1，本公开的实施例的有机发光器件100可以包括第一电极110、面对第一电极110的第二电极120以及设置在第一电极110与第二电极120之间的有机层130。有机层130可以实施为通过在第一电极110上依次层叠空穴注入层(HIL)140、空穴传输层(HTL)150、发光层(EML)160、电子传输层(ETL)170和电子注入层(EIL)180而形成的叠层。第二电极120可以形成在电子注入层180上，并且可以在其上形成保护层(未示出)。
本公开的第一电极110、第二电极120和包括在有机层130中的每个层中的每一者的厚度没有特别限制，并且可以根据需要进行调整。例如，第一电极110和第二电极120中的每一个的厚度可以在50nm至200nm的范围内，空穴注入层140的厚度可以在5nm至10nm的范围内，空穴传输层150的厚度可以在5nm至130nm的范围内，发光层160的厚度可以在5nm至50nm的范围内，电子传输层170的厚度可以在5nm至50nm的范围内，并且电子注入层180的厚度可以在5nm至50nm的范围内。
此外，尽管未在图1中示出，在空穴传输层150与红色发光层160之间可以进一步添加空穴传输辅助层。空穴传输辅助层可以包含具有良好空穴传输特性的化合物，并且可以减小空穴传输层150和发光层160的HOMO能级之差，从而调整空穴注入特性。因此，可以减少空穴传输辅助层和发光层160之间的界面处的空穴的累积。因此，可以减少二极管的劣化，并因此可以稳定二极管，从而提高其效率和寿命。
第一电极110可以用作正极，并且可以由作为具有相对大的功函数值的导电材料的ITO、IZO、锡氧化物或锌氧化物制成。然而，本公开不限于此。
第二电极120可以用作负极，并且可以包含作为具有相对小的功函数值的导电材料的铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或银(Ag)，或其合金或它们的组合。然而，本公开不限于此。
空穴注入层140可以位于第一电极110与空穴传输层150之间。空穴注入层140可以具有改善第一电极110与空穴传输层150之间的界面特性的功能，并且可以选自具有适当导电性的材料。空穴注入层140可以包括选自由仲胺类化合物、叔胺类化合物、轴烯类化合物、二戊熳环并苯(indacene)类化合物、金属菁(metal cyanine)类化合物及它们的组合组成的组中的化合物。其具体实例可以包括选自由HATCN、MTDATA、TCTA、CuPc、TDAPB、PEDOT/PSS、N1，N1’-([1，1’-联苯]-4，4’-二基)双(N1,N4,N4-三苯基苯-1，4-二胺)等组成的组中的至少一种。优选地，空穴注入层140可以包括HATCN。然而，本公开不限于此。
空穴传输层150可以布置为与发光层相邻并且在第一电极110与发光层160之间。空穴传输层150的材料可以包括选自由TAPC、TPD、NPB、CBP、N-(联苯-4-基)-9，9-尔甲基-N-(4-(9-苯基-9H-卡唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-卡唑-3-基)苯基)联苯)-4-胺等组成的组中的化合物。优选地，空穴传输层150的材料可以包括TAPC或NPB。然而，本公开不限于此。
另外，电子传输层170和电子注入层180可以依次层叠在红色发光层160与第二电极120之间。电子传输层170的材料需要高电子迁移率，使得电子可以在顺畅的电子转移下稳定地供应到发光层。
例如，电子传输层170的材料可以包括选自由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉)锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯氧基)铝(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium))、SAlq、TPBi(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(2，2′，2-(1，3，5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole))、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑、ZADN(2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(2-(4-(9，10-di(naphthalen-2-y1)anthracen-2-yl)phenyl)-1-pheny1-1H-benzo[d]imidazole))等组成的组中的化合物。优选地，电子传输层170的材料可以包括ZADN。然而，本公开不限于此。
电子注入层180用于促进电子注入。电子注入层的材料可以包括选自由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、SAlq、Bphen等组成的组中的有机化合物或有机金属化合物。然而，本公开不限于此。
可替代地，电子注入层180可以包括有机化合物(或有机金属化合物)和金属材料的混合物，或者可以单独包括金属材料。例如，电子注入层180可以包括Bphen和LiF的混合物。
就此而言，例如，金属材料可以包括选自由Liq、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、RaF2等组成的组中的一种或多种。然而，本公开不限于此。另外，电子注入层180的材料可以包括金属材料和具有低功函数的金属元素的混合物，例如镱(Yb)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镧(La)等。例如，可以使用LiF和镱(Yb)的混合物作为电子注入层180的材料。
本公开的申请人已经进行了深入研究，并因此已经在实验上确认，当红色发光层160包括本公开的两种类型的主剂160’和160”时，可以进一步提高磷光发光层的发光效率，同时进一步降低磷光发光层的工作电压。因此，本公开已经完成。在下文中，将详细描述本公开的两种类型的主剂。
如图1所示，作为本公开的优选实施例，发光层160被实施为包括两种类型的主剂(即主剂A 160’和主剂B 160”)的红色发光层。该两种类型的主剂分别是空穴型主剂(红色空穴型主剂)和电子型主剂(红色电子型主剂)并且分别被称为主剂A 160’和主剂B 160”。
为了使本公开的主剂A 160’和主剂B 160”达到上述效果，本公开的主剂A 160’和主剂B 160”应满足特定的能级关系。满足特定能级关系的主剂材料的组合可以包含在发光层160中。
具体地，作为发光层中的空穴型主剂的主剂A 160’可以主要起接收和传输从空穴传输层传输/注入的空穴的作用，而作为电子型主剂的主剂B 160”可以主要起接收和传输从电子传输层传输/注入的电子的作用。两种类型的主剂的特定能级关系可以被规定为使得主剂A 160’和主剂B 160”中的每一个的主要作用可以被高效地执行以实现本公开的目的。
就此而言，本公开的主剂A 160’的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值应分别等于或小于主剂B 160”的HOMO能级的绝对值和LUMO能级的绝对值。这可以表示为以下关系式(1)和(2)：
[关系式(1)]：|HOMO(主剂A)|≤|HOMO(主剂B)|
[关系式(2)]：|LUMO(主剂A)|≤|LUMO(主剂B)|
其中，在关系式(1)中，|HOMO(主剂A)|和|HOMO(主剂B)|分别表示主剂A和主剂B的HOMO(最高占据分子轨道)能级的绝对值。
其中，在关系式(2)中，|LUMO(主剂A)|和|LUMO(主剂B)|分别表示主剂A和主剂B的LUMO(最低未占据分子轨道)能级的绝对值。
在一个示例中，优选地，|HOMO(主剂A)|可以在5.0至6.0(eV)的范围内，|HOMO(主剂B)|可以在5.2至6.2(eV)的范围内，|LUMO(主剂A)|可以在1.6至2.6(eV)的范围内，|LUMO(主剂B)|可以在2.0至3.0(eV)的范围内。
两种类型的主剂的混合比没有特别限制。主剂A具有空穴传输能力，主剂B具有电子传输能力。因此，主剂A和主剂B的混合物可以使得发光二极管的寿命增加。其工作电压及发光效率可以根据主剂A和主剂B的混合比进行适当调整。因此，主剂A和主剂B的混合比没有特别限制。主剂A和主剂B的混合比(重量)例如可以在1∶9至9∶1的范围内，例如2∶8，例如3∶7，例如4∶6，例如5∶5，例如6∶4，例如7∶3，例如8∶2。
根据本公开的一个优选方面，优选选择具有传输和注入空穴的能力的材料作为主剂A 160’的类型。
例如，主剂A 160’可以包括叔胺类化合物和包含咔唑基的化合物。然而，本公开不限于此。可以采用任何主剂材料作为主剂A，只要其具有空穴传输/注入能力即可。
更具体地，作为主剂A 160’的材料的“叔胺类化合物”的实例可以包括包含螺环结构的叔胺类化合物、NPB及其衍生物、TAPC、TPD等。然而，本公开不限于此。另外，作为主剂A160’的材料的“包含咔唑基的化合物”的实例可以包括mCP、TCB、CBP、TCTA等。然而，本公开不限于此。
主剂A的上述实例化合物的结构以及主剂A的材料的代表性实例的HOMO和LUMO能级表示于下面的表1中。
NPB：
Figure BDA0003981372450000131
NPB的衍生物：
Figure BDA0003981372450000132
TAPC：
Figure BDA0003981372450000133
TPD：/>
Figure BDA0003981372450000134
mCP：
Figure BDA0003981372450000135
TCB：/>
Figure BDA0003981372450000136
CBP：
Figure BDA0003981372450000137
TCTA：/>
Figure BDA0003981372450000138
包括螺环结构的叔胺类化合物：
Figure BDA0003981372450000139
表1
主剂A HOMO能级(eV) LUMO能级(eV)
TAPC -5.4至-5.5 -2.5至-2.7
NPB -5.2至-5.5 -2.4
mCP -5.65 -2.09
TCTA -5.51 -2.71
CBP -5.55 -2.17
TPD -5.5 -2.4
根据本公开的一个优选方面，优选选择具有传输和注入电子的能力的材料作为主剂B的类型。例如，主剂B可以包括包含吡啶基的化合物(例如，TmPyPB等)、包含嘧啶基的化合物(例如，B3PYMPM等)、包含三嗪基的化合物、包含喹唑啉基的化合物等。然而，本公开不限于此。任何具有电子传输/注入能力的主剂材料可以用作本公开的主剂B的材料。
更具体地，作为可用作主剂B的材料的化合物的结构，以及主剂B的材料的代表性实例的HOMO和LUMO能级表示于下面的表2中。
包含吡啶基的化合物：
Figure BDA0003981372450000141
包含嘧啶基的化合物：
Figure BDA0003981372450000142
包含三嗪基的化合物：
Figure BDA0003981372450000151
包含喹唑啉基的化合物：
Figure BDA0003981372450000152
表2
主剂B HOMO能级(eV) LUMO能级(eV)
PXZ-TRZ -3.0 -5.6
DPTPCz -3.08 -6.03
TmPyPB -6.75 -2.75
根据本公开的一个优选方面，磷光发光层包括两种类型的主剂。当其中包括两种类型的主剂的组合时，在电子被注入到发光层中时可能产生激基复合物，因此能量会经由激基复合物传递到磷光掺杂剂。就此而言，在电子注入中产生的激基复合物的能量可被计算为空穴型主剂(主剂A)的HOMO能级与电子型主剂(主剂B)的LUMO能级之差。对于高效的光发射，优选选择磷光掺杂剂，使得激基复合物能量的大小大于所使用的磷光掺杂剂的三重态能量T1的大小。就此而言，优选地，本公开的有机发光二极管的发光掺杂剂进一步满足以下关系式(3)：
[关系式(3)]：E(激基复合物)＜T1(RD)
其中，在关系式(3)中，E(激基复合物)表示激基复合物能级并且被定义为主剂A的HOMO能级与主剂B的LUMO能级之差的绝对值，T1(RD)表示红色掺杂剂的三重态能级。
可以通过将红色掺杂剂160”’掺杂到红色主剂160’和160”的组合而形成本公开的红色发光层160。例如，红色掺杂剂160”’可以包括具有较大原子序数的铱(Ir)或铂(Pt)的金属配合物(有机金属化合物)。铱(Ir)金属配合物是优选的。更具体地，红色掺杂剂160”’可以包括选自Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(2-phq)3、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(bpmp)、Ir(ppz)3、Ir(piq)3、Ir(ppy)2(bpmp)等的红色掺杂剂材料。然而，本公开不限于此。
例如，红色掺杂剂160”’的HOMO能级优选地可以在-5.5至-4.8(eV)的范围内，其T1优选地可以在1.8至2.2(eV)的范围内。然而，本公开不一定限于此。可以采用任何掺杂剂材料，只要其可以应用到红色发光层即可。
如图2所示，作为本公开的另一优选实施例，除主剂A 160’和主剂B 160”以及掺杂到主剂A和B两种类型中的掺杂剂160”’之外，红色发光层160可以进一步包含电荷清除剂160””。
一般来说，发光层通常包含主剂材料和掺杂于其中的掺杂剂材料。然而，根据本公开，与极化子引发淬灭的材料被附加地掺杂到发光层中，从而减少或抑制掺杂剂材料的滚降现象和TPQ现象。就此而言，与极化子引发淬灭以减少或抑制掺杂剂材料的滚降现象和TPQ现象的材料被称为电荷清除剂160””。
也就是说，当发光层160的主剂160’和160”的组合掺杂有掺杂剂160”’和电荷清除剂160””时，可以实现以下效果。
①从空穴传输层150注入到发光层160的掺杂剂160”’中的空穴可以被电荷清除剂160””捕获，从而减少在空穴传输层150与发光层160之间的界面处的空穴的累积，使得可以减少在界面处出现的掺杂剂160”’的TPQ现象，从而提高有机发光二极管的效率和寿命。
②电荷清除剂160””可与发光层160内部的极化子引起淬灭现象，从而减少发光层160内部发生的掺杂剂160”’的TPQ现象。在如下所述的包括串联结构的有机发光二极管中，电荷清除剂160””可以根据电流密度控制色移，使得可以提高有机发光二极管的效率和寿命，并且可以减少滚降现象。
为了使电荷清除剂表现出如上所述的效果，优选地，本公开的有机发光二极管的红色掺杂剂、电荷清除剂和空穴传输层材料满足以下条件(1)。
[条件(1)]：|HOMO(RD)|≤|HOMO(CS)|≤|HOMO(HTL)|
在条件(1)中，|HOMO(RD)|表示红色掺杂剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(CS)|表示电荷清除剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(HTL)|表示空穴传输材料的HOMO能级的绝对值。
当电荷清除剂160””的HOMO能级的绝对值满足条件(1)时，从空穴传输层150注入到发光层160的掺杂剂160”’的空穴被电荷清除剂160””捕获，从而减少TPQ现象。
根据本公开，优选地，有机发光二极管的红色掺杂剂160”’和电荷清除剂160””进一步满足以下条件(2)。
[条件(2)]：T1(RD)＜T1(CS)
在条件(2)中，T1(RD)表示红色掺杂剂的三重态能级，T1(CS)表示电荷清除剂的三重态能级。
电荷清除剂160””被掺杂到发光层160的主剂160’和160”中，并且与红色掺杂剂160”’一起参与光发射，因此将发光层的色坐标移位，从而降低目标显色精度。另外，在这种情况下，难以减少或抑制TPQ现象。为此，期望满足条件(2)使得电荷清除剂160””的三重态能级值高于红色掺杂剂160”’的三重态能级值，因此，可发生从电荷清除剂””到红色掺杂剂160”’的能量转移。
此外，为了在满足条件(2)的同时实现红色发光层160，优选地，T1(RD)可以在1.8eV至2.2eV的范围内，T1(CS)可以低于或等于2.6eV。更优选地，T1(RD)可以在1.8eV至2.0eV的范围内，T1(CS)可以低于或等于2.4eV。最优选地，T1(RD)可以在1.9eV至2.0eV的范围内，T1(CS)可以低于或等于2.3eV。
根据本公开，为了提高二极管的发光效率，可以通过将红色掺杂剂160”’和电荷清除剂160””掺杂到红色主剂160’和160”中来形成红色发光层160。
优选地，基于红色主剂160’和160”的总重量，红色掺杂剂160”’和电荷清除剂160””中的每一个的掺杂浓度可以在1至30重量％的范围内。例如，基于红色主剂160’和160”的总重量，红色掺杂剂160”’和电荷清除剂160””中的每一个的掺杂浓度可以在3至20重量％的范围内，例如5至15重量％，例如5至10重量％，例如3至8重量％，例如3至5重量％。本公开不限于此，并且红色掺杂剂160”’和电荷清除剂160””中的每一个的掺杂浓度可以基于所使用的材料的类型来调节。
此外，在本公开中，基于深入研究的结果在实验上确认了电荷清除剂160””的掺杂浓度可以小于红色掺杂剂160”’的掺杂浓度的两倍。
如上所述，电荷清除剂160””可以掺杂到发光层中并且可以用作发光掺杂剂。因此，当电荷清除剂的掺杂浓度大于或等于红色掺杂剂的掺杂浓度的两倍时，在红色掺杂剂被掺杂在其中时不能实现期望的红色发光层，而是色度坐标系(CIEx，CIEy)可能移位导致发射的光的颜色偏绿。
具体地，将在增加电荷清除剂的掺杂浓度时获得的红色发光层的色度坐标系与未掺杂电荷清除剂的红色发光层的色度坐标系(CIEx，CIEy)进行比较。因此，由于与参考色度坐标系的差异较大，因此难以呈现目标颜色的发射光。例如，当CIEx或CIEy的变化量的绝对值超过0.004至0.005时，从实际制造的二极管发出的光的颜色趋于偏绿。特别地，CIEx可能在红色发光层中充当显色的更重要因素。
因此，电荷清除剂160””可以掺杂到发光层160的主剂中，使得可以抑制或降低TPQ现象和滚降现象，以提高有机发光二极管的效率。然而，当考虑精确显色时，优选将电荷清除剂160””的掺杂浓度调整为小于红色掺杂剂160”’的掺杂浓度的两倍。
根据本公开的一个优选方面，电荷清除剂160””可以包括由本公开的下述化学式1表示的作为有机金属化合物的铱配位化合物。然而，本公开不限于此。
[化学式1]
Ir(LA)m(LB)n
其中，与作为中心配位金属的铱(Ir)连接的主配体和辅助配体可以分别由下述化学式2-1至2-3和3的LA和LB表示。在主配体和辅助配体的每一个中，在2-苯基吡啶部分(moiety)处的虚线表示结合到中心配位金属Ir(铱)。
[化学式2-1]
Figure BDA0003981372450000191
[化学式2-2]
Figure BDA0003981372450000192
[化学式2-3]
Figure BDA0003981372450000193
其中，在化学式2-1至2-3中的每一个中，X可以表示选自由O、S、NR7和C(R8)(R9)组成的组中的一个；
R1-1、R1-2、R1-3、R1-4、a2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的每一个可以独立地表示选自由氢、氘、卤素、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳基烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基、C3-C40杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、巯基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合组成的组中的一个；
Ri-1、R1-2、R1-3、R1-4、R2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的两个相邻取代基可以彼此连接形成一个环结构(选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组)；
R7、R8和R9中的每一个可以独立地表示选自由C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基和C3-C40杂芳基组成的组中的一个。
此外，作为辅助配体的LB可以是双齿配体，并且可以由下述化学式3表示。
[化学式3]
Figure BDA0003981372450000201
其中，在化学式3中，
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的每一个可以独立地表示选自由氢、氘、C1-C5直链烷基和C1-C5支链烷基组成的组中的一个，其中C1-C5直链烷基或C1-C5支链烷基可以被选自氘和卤素中的至少一种取代；
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的两个相邻取代基可以彼此连接以形成一个环结构(选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组)。
在化学式1中，m可以是1、2或3，n可以是0、1或2，并且m和n的总和可以是3。
本公开的一个实施方案的有机金属化合物可以具有杂配或均配结构。例如，本公开的实施例的有机金属化合物可以具有在化学式1中m为1且n为2的杂配结构，或m为2且n为1的杂配结构，或m为3且n为0的均配结构。
由本公开的化学式1表示的化合物的具体实例可以包括选自下述化合物1至20组成的组中的一种。然而，由本公开的化学式1表示的化合物的具体实例不限于此，只要其满足化学式1的上述定义即可。
Figure BDA0003981372450000211
本公开的有机发光二极管可以被实施为具有串联结构的白色发光二极管。本公开的说明性实施例的串联(tandem)有机发光二极管可以以两个以上的发光叠层中的相邻发光叠层经由电荷生成层(CGL)彼此连接的结构形成。有机发光二极管可以包括设置在基板上的至少两个发光叠层，其中，至少两个发光叠层中的每一个包括彼此面对的第一电极和第二电极，以及设置在第一电极与第二电极之间以发射特定波长带的光的发光层。多个发光叠层可以发射相同颜色或不同颜色的光。此外，一个或多个发光层可以包括在一个发光叠层中，并且多个发光层可以发射相同颜色或不同颜色的光。
作为本公开的说明性实施方案，图3和图4是示意性地示出具有两个发光叠层的串联结构的有机发光二极管的剖视图。图4与图3的不同之处仅在于发光层262进一步包括电荷清除剂262””。因此，除电荷清除剂262””之外，下面对图3的描述同样适用于图4。
作为本公开的说明性实施方案，图5和图6是示意性地示出具有三个发光叠层的串联结构的有机发光二极管的剖视图。图6与图5的不同之处仅在于发光层262进一步包括电荷清除剂262””。因此，除电荷清除剂262””之外，下面对图5的描述同样适用于图6。
如图3和图4所示，本公开的有机发光二极管100包括彼此面对的第一电极110和第二电极120，以及位于第一电极110与第二电极120之间的有机层230。有机层230可以位于第一电极110与第二电极120之间，并且可以包括：包括第一发光层261的第一发光叠层ST1，位于第一发光叠层ST1与第二电极120之间并且包括第二发光层262的第二发光叠层ST2，以及位于第一发光叠层ST1与第二发光叠层ST2之间的电荷生成层CGL。电荷生成层CGL可以包括N型电荷生成层291和P型电荷生成层292。第一发光层261和第二发光层262中的至少一个可以是本公开的红色发光层。第一发光叠层ST1可以进一步包括第一HTL 251和第一ETL 271。第二发光叠层ST2可以进一步包括第二HTL 252和第二ETL 272。在一个实施例中，第一HTL251和第二HTL 252可以具有与图1的HTL 150相似或相同的结构和材料。在一个实施例中，第一ETL 271和第二ETL 272可以具有与图1的ETL 170相似或相同的结构和材料。
例如，如图3所示，第二发光叠层ST2的第二发光层262可以包括两种类型的红色主剂，即主剂A262’和主剂B 262”，以及红色掺杂剂262”’。
此外，如图4所示，第二发光层262可以进一步包括两种类型的红色主剂，即主剂A262’和主剂B 262”，和红色掺杂剂262”’，以及电荷清除剂262””。电荷清除剂262””可以包括由本公开的上述化学式1表示的有机金属化合物。
尽管未在图3和图4中示出，除了第一发光层261和第二发光层262中的每一个之外，第一发光叠层ST1和第二发光叠层ST2中的每一个可以进一步包括附加发光层。
如图5和图6所示，本公开的有机发光二极管100包括彼此面对的第一电极110和第二电极120，以及位于第一电极110与第二电极120之间的有机层330。有机层330可以位于第一电极110与第二电极120之间，并且可以包括：包括第一发光层261的第一发光叠层ST1，包括第二发光层262的第二发光叠层ST2，包括第三发光层263的第三发光叠层ST3，位于第一发光叠层ST1与第二发光叠层ST2之间的第一电荷生成层CGL1，以及位于第二发光叠层ST2与第三发光叠层ST3之间的第二电荷生成层CGL2。第一电荷生成层CGL1可以包括N型电荷生成层291和P型电荷生成层292。第二电荷生成层CGL2可以包括N型电荷生成层293和P型电荷生成层294。第一发光叠层ST1可以进一步包括第一HTL 251和第一ETL 271。第二发光叠层ST2可以进一步包括第二HTL 252和第二ETL 272。第三发光叠层ST3可以进一步包括第三HTL 253和第三ETL 273。在一个实施例中，第一HTL 251、第二HTL 252和第三HTL 253可以具有与图1的HTL 150相似或相同的结构和材料。在一个实施例中，第一ETL 271、第二ETL272和第三ETL 273可以具有与图1的ETL 170相似或相同的结构和材料。
例如，如图5所示，第二发光叠层ST2的第二发光层262可以包括两种类型的红色主剂，即主剂A262’和主剂B 262”，以及红色掺杂剂262”’。
此外，如图6所示，第二发光层262可以进一步包括两种类型的红色主剂，即主剂A262’和主剂B 262”，和红色掺杂剂262”’，以及电荷清除剂262””。电荷清除剂262””可以包括由本公开的上述化学式1表示的有机金属化合物。
尽管未在图5和图6中示出，除了第一发光层261至第三发光层263中的每一个之外，第一发光叠层ST1至第三发光叠层ST3中的每一个可以进一步包括附加发光层。
此外，本公开的实施例的有机发光二极管可以包括四个以上的发光叠层和三个以上的电荷生成层设置在第一电极与第二电极之间的串联结构。
本公开的有机发光二极管可以用作有机发光显示装置和照明装置各自的发光元件。在一个实施方案中，图7是示意性地示出包括本公开的一些实施例的有机发光二极管作为其发光元件的有机发光显示装置的剖视图。
如图7所示，有机发光显示装置3000包括基板3010、有机发光二极管4000以及覆盖有机发光二极管4000的封装膜3900。基板3010上设有作为驱动元件的驱动薄膜晶体管Td以及连接到驱动薄膜晶体管Td的有机发光二极管4000。
尽管未在图7中明确示出，在基板3010上进一步形成有彼此相交以限定像素区域的栅极线和数据线、与栅极线和数据线之一平行且间隔开延伸的电源线、连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的一个电极和电源线的存储电容器。
驱动薄膜晶体管Td连接到开关薄膜晶体管，并且包括半导体层3100、栅极3300、源极3520和漏极3540。
半导体层3100可以形成在基板3010上并且可以由氧化物半导体材料或多晶硅制成。当半导体层3100由氧化物半导体材料制成时，可以在半导体层3100下方形成遮光图案(未示出)。遮光图案防止光入射到半导体层3100中，以防止半导体层3100由于光而劣化。可替代地，半导体层3100可以由多晶硅制成。在这种情况下，半导体层3100的两个边缘均可掺杂有杂质。
由绝缘材料制成的栅极绝缘层3200形成在基板3010的整个表面上方且在半导体层3100上。栅极绝缘层3200可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料制成。
由诸如金属的导电材料制成的栅极3300形成在栅极绝缘层3200上并且对应于半导体层3100的中心。栅极3300连接到开关薄膜晶体管。
由绝缘材料制成的层间绝缘层3400形成在基板3010的整个表面上且在栅极3300上。层间绝缘层3400可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，或诸如苯并环丁烯或感光亚克力(photo-acryl)的有机绝缘材料制成。
层间绝缘层3400具有分别限定在其中的暴露半导体层3100的两个相反侧的第一半导体层接触孔3420和第二半导体层接触孔3440。第一半导体层接触孔3420和第二半导体层接触孔3440分别位于栅极3300的两个相反侧上并且与栅极3300间隔开。
由诸如金属的导电材料形成的源极3520和漏极3540形成在层间绝缘层3400上。源极3520和漏极3540位于栅极3300周围，并且彼此间隔开，并分别经由第一半导体层接触孔3420和第二半导体层接触孔3440分别接触半导体层3100的两个相反侧。源极3520连接到电源线(未示出)。
半导体层3100、栅极3300、源极3520和漏极3540构成驱动薄膜晶体管Td。驱动薄膜晶体管Td具有栅极3300、源极3520和漏极3540位于半导体层3100的顶部的共面结构。
可替代地，驱动薄膜晶体管Td可以具有栅极设置在半导体层下方而源极和漏极设置在半导体层上方的反交叠型结构。在这种情况下，半导体层可以由非晶硅制成。在一个示例中，开关薄膜晶体管(未示出)可以具有与驱动薄膜晶体管(Td)的结构基本相同的结构。
在一个示例中，有机发光显示装置3000可以包括吸收从电致发光元件(发光二极管)4000产生的光的滤色器3600。例如，滤色器3600可以吸收红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)光。在这种情况下，可以在不同的像素区域中分别形成吸收光的红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案。这些滤色器图案中的每一个可以被设置成与有机发光二极管4000的每个有机层4300重叠，以发射对应于每个滤色器的波长带的光。采用滤色器3600可以使得有机发光显示装置3000实现全色。
例如，当有机发光显示装置3000是底部发光型时，吸收光的滤色器3600可以位于层间绝缘层3400的与有机发光二极管4000相对应的部分上。在可选实施例中，当有机发光显示装置3000为顶部发光型时，滤色器可以位于有机发光二极管4000的顶部，即第二电极4200的顶部。例如，滤色器3600可以形成为具有2μm至5μm的厚度。
在一个示例中，形成有其中限定有暴露驱动薄膜晶体管Td的漏极3540的漏极接触孔3720的保护层3700以覆盖驱动薄膜晶体管Td。
在保护层3700上，经由漏极接触孔3720连接到驱动薄膜晶体管Td的漏极3540的每个第一电极4100分别地形成在每个像素区域中。
第一电极4100可以用作正极(阳极)，并且可以由具有相对大的功函数值的导电材料制成。例如，第一电极4100可以由诸如ITO、IZO或ZnO的透明导电材料制成。
在一个示例中，当有机发光显示装置3000是顶部发光型时，在第一电极4100下方可以进一步形成有反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、镍(Ni)和铝-钯-铜(APC)合金中的一种制成。
在保护层3700上形成有覆盖第一电极4100的边缘的堤层3800。堤层3800使对应于像素区域的第一电极4100的中心暴露。
在第一电极4100上形成有机层4300。根据需要，有机发光二极管4000可以具有串联结构。关于串联结构，可以参照示出了本公开的一些实施例的图3至图6以及上述描述。
第二电极4200形成在其上已形成有机层4300的基板3010上。第二电极4200设置在显示区域的整个表面上方，并且由具有相对小的功函数值的导电材料制成并且可以用作负极(阴极)。例如，第二电极4200可以由铝(Al)、镁(Mg)和铝-镁合金(Al-Mg)中的一种制成。
第一电极4100、有机层4300和第二电极4200构成有机发光二极管4000。
在第二电极4200上形成封装膜3900，以防止外部水分渗透到有机发光二极管4000中。尽管未在图7中明确示出，封装膜3900可以具有第一无机层、有机层和无机层依次层叠的三层结构。然而，本公开不限于此。
在下文中，将描述本公开的制备例和呈现例。然而，以下呈现例仅是本公开的一个示例。本公开不限于此。
配体的制备例
(1)配体A的制备
步骤1)配体A-3的制备
Figure BDA0003981372450000261
将化合物SM-1(6.12g，20mmol)、化合物SM-2(3.04g，20mmol)、Pd(PPh3)4(1.2g，1mmol)和K2CO3(8.3g，60mmol)在氮气氛下在500m1圆底烧瓶中溶解于200ml甲苯和50ml水的混合物中，将混合溶液在回流下搅拌12小时。用氯仿从中萃取有机层并用水洗涤。用无水硫酸镁从中除去水分，通过过滤器过滤所得产物，并减压蒸馏除去有机溶剂，随后进行柱纯化，从而得到化合物A-3(6.35g，收率：88％)。
步骤2)配体A-2的制备
Figure BDA0003981372450000271
将化合物A-3(7.22g，20mmol)、1M BBr3(46ml，46mmol)和CH2Cl2(300ml)在氮气氛下加入到500ml圆底烧瓶中，并将混合物在0℃下搅拌8小时，在室温下反应过夜。反应完成后，用饱和NaHCO3水溶液中和反应产物。将样品转移到分液漏斗中，用CH2Cl2进行萃取，并使用柱色谱法纯化以制备化合物A-2(5.93g，收率：89％)。
步骤3)配体A-1的制备
Figure BDA0003981372450000272
将化合物A-2(6.66g，20mmol)、K2CO3(6.07g，44mmol)和NMP(200ml)在氮气氛下放入到500ml圆底烧瓶中，并将混合物在150℃下搅拌8小时，然后冷却至室温。将样品转移到分液漏斗中，并向其中加入水(200m1)，并用AcOEt进行萃取。使用柱色谱法纯化样品。由此，制备化合物A-1(5.16g，收率：88％)。
步骤4)配体A的制备
Figure BDA0003981372450000273
将化合物A-1(5.86g，20mmol)、化合物SM(3.98g，20mmol)、Pd(PPh3)4(2.3g，2mmol)、P(t-Bu)3(0.81g，4mmol)和NaOtBu(7.7g，80mmol)在氮气氛下在500m1圆底烧瓶中溶解于200m1甲苯中，将混合溶液在回流下搅拌12小时。用氯仿从中萃取有机层并用水洗涤。用无水硫酸镁从中除去水分，通过过滤器过滤所得产物，并减压蒸馏除去有机溶剂，随后进行柱纯化，从而得到化合物A(7.33g，收率：89％)。
(2)配体B的制备
Figure BDA0003981372450000281
将BB(5.16g，4.8mmol)、三氟甲磺酸银(AgOTf，3.6g，14.3mmol)和二氯甲烷放入1000m1圆底烧瓶中，将混合溶液在室温下搅拌16小时进行反应。反应完成后，通过使用硅藻土过滤从中除去固体。减压蒸馏除去溶剂。由此，得到所得固体化合物B(6.03g，收率：88％)。
(3)配体C的制备
Figure BDA0003981372450000282
将化合物SM-3(6.04g，20mmol)、化合物SM-4(4.68g，20mmol)、Pd(PPh3)4(1.2g，1mmol)和K2CO3(8.3g，60mmol)在氮气氛下溶解于200ml甲苯和50ml水的混合物中，将混合溶液在回流下搅拌12小时。用氯仿从中萃取有机层并用水洗涤。用无水硫酸镁从中除去水分，通过过滤器过滤所得产物，并减压蒸馏除去有机溶剂，随后进行柱纯化，从而得到化合物C(7.48g，收率：91％)。
<有机金属化合物的制备例>
化合物1的制备
Figure BDA0003981372450000283
将铱前体B(2.15g，3.5mmol)和配体A(1.44g，3mmol)在氮气氛下在100m1圆底烧瓶中溶于混合溶剂(2-乙氧基乙醇∶DMF＝40m1∶40m1)中，将混合溶液在130℃下搅拌48小时进行反应。反应完成后，用二氯甲烷和蒸馏水从中萃取有机层，并通过减压蒸馏从中除去溶剂。用甲苯：己烷对粗产物进行柱色谱，得到化合物1(2.57g，收率：94％)。
化合物13的制备
Figure BDA0003981372450000291
将铱前体B(2.15g，3.5mmol)和配体C(1.44g，3mmol)在氮气氛下在100ml圆底烧瓶中溶解于混合溶剂(2-乙氧基乙醇∶DMF＝40m1∶40ml)中，将混合溶液在130℃下搅拌48小时进行反应。反应完成后，用二氯甲烷和蒸馏水从中萃取有机层，并通过减压蒸馏从中除去溶剂。用甲苯：己烷对粗产物进行柱色谱，得到化合物13(2.48g，收率：83％)。
<呈现例>
有机发光二极管的制造
洗涤其上涂覆有厚度为
Figure BDA0003981372450000292
的ITO(氧化铟锡)的薄膜的玻璃基板，随后用溶剂如异丙醇、丙酮和甲醇进行超声清洗。然后，将玻璃基板干燥。由此，形成了ITO透明电极。以热真空沉积方式在ITO透明电极上沉积作为空穴注入材料的HATCN。因此，形成具有10nm厚度的空穴注入层。然后，以热真空沉积方式在空穴注入层上沉积作为空穴传输材料的TAPC。因此，形成具有30nm厚度的空穴传输层。
然后，将作为主剂A的NPB和作为主剂B的DPTPCz以6∶4的(重量)比例彼此混合以产生混合物。然后，将作为掺杂剂的Ir(piq)2(acac)以5％的掺杂浓度掺杂到作为主剂材料的混合物中。将其中掺杂有掺杂剂的混合物以热真空沉积方式沉积在空穴传输层上。因此，形成具有20nm厚度的红色发光层。
然后，将作为电子传输材料的ZADN(厚度：25nm)以热真空沉积方式沉积在红色发光层上。然后，以热真空沉积方式在电子传输层上沉积作为电子注入材料的BPhen+Li(厚度：20nm)。然后，在其上沉积100nm厚度的铝以形成负极。这样，制造了有机发光二极管。
[能级]
用作掺杂剂的Ir(piq)2(acac)的HOMO能级在-5.0(eV)至-5.1(eV)的范围内，其T1为2.00(eV)。
用作空穴传输层的材料的TAPC的HOMO能级为-5.5(eV)。
混合物的两种主剂中的每一种的HOMO能级和LUMO能级描述于本文的上述表1和表2中。
<实验组1>：呈现例1-1和比较例1-1至1-2
将上述<呈现例>制造的有机发光二极管设为呈现例1-1。另外，除了在比较例1-1中仅使用NBP作为主剂A，在比较例1-2中仅使用DPTPCz作为主剂B之外，以与呈现例1-1相同的方式制造有机发光二极管，如下表3所示。
关于比较例1-1至1-2和呈现例1-1中的每一者的有机发光二极管，使用光度计测量了工作电压(V)、在电流密度为10mA/cm2时的外量子效率(EQE，％)以及作为在22.5mA/cm2下加速时的寿命特征值的T95(％)。就此而言，T95涉及一种寿命评估方案，是指有机发光二极管失去其初始亮度的5％所需的时间。
计算呈现例1-1的工作电压与比较例1-1至1-2各自的工作电压之间的差值。将呈现例1-1的EQE和寿命(T95)测量值设定为参考值(100％)。然后，将比较例1-1至1-2的值计算为呈现例1-1的参考值的相对值。计算结果如下表4所示。
表3
主剂 掺杂剂
呈现例1-1 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac)
比较例1-1 NPB(主剂A) Ir(piq)2(acac)
比较例1-2 DPTPCz(主剂B) Ir(piq)2(acac)
表4
工作电压差 EQE 寿命(T95)
呈现例1-1 0.00 100％ 100％
比较例1-1 -0.07 12％ 64％
比较例1-2 0.15 116％ 87％
如可从表3和表4中的结果中确认的，仅使用一种类型的主剂的比较例1-1具有略低于包括本公开的两种主剂的组合的呈现例1-1的工作电压。然而，比较例1-1的发光效率(EQE)降低到呈现例1-1的发光效率(EQE)的几乎1/10，导致效率非常差。比较例1-1的寿命特性与呈现例1-1相比显著降低。
此外，仅使用一种类型的主剂的比较例1-2具有与包括本公开的两种主剂的组合的呈现例1-1相比略微增加的发光效率。然而，比较例1-2的工作电压比呈现例1-1的工作电压高，并且寿命特性与呈现例1-1相比显著降低。
<实验组2>：呈现例2-1至2-3和比较例2-1至2-2
将上述<呈现例>中制造的有机发光二极管设为呈现例2-1(与实验组1的呈现例1-1相同)。
此外，除了如下表5所示分别以3％的掺杂浓度添加作为电荷清除剂的化合物1和化合物13之外，以与呈现例2-1相同的方式制造有机发光二极管。这样得到的有机发光二极管分别设为呈现例2-2和2-3。
此外，除了分别以3％的掺杂浓度添加Ir(ppy)2(acac)和FIrPic来代替化合物1之外，以与呈现例2-2相同的方式制造有机发光二极管。这样得到的有机发光二极管分别设为比较例2-1和2-2。
[能级]
FIrPic的HOMO能级为-5.6(eV)，其T1为2.65(eV)。
化合物1的HOMO能级为-5.12(eV)，其T1为2.25(eV)。
化合物13的HOMO能级为-5.12(eV)，其T1为1.95(eV)。
TAPC的HOMO能级为-5.5(eV)。
关于实验组2的各有机发光二极管的数据如下计算，并示于以下表6。
1)根据CIE1931色度坐标系记录CIEx和CIEy中的每一个。
2)使用亮度计在10mA/cm2的电流密度下测量外量子效率(EQE，％)。
3)在从0.25mA/cm2至100mA/cm2的范围内的电流密度下测量EQE。然后，计算基于在0.25mA/cm2下的EQE的在各电流密度下的归一化EQE。
4)基于分别在0.25mA/cm2和100mA/cm2下的归一化EQE值根据以下公式1计算滚降值。
[公式1]
Figure BDA0003981372450000321
公式1的含义是指在高灰度级(100mA/cm2)处的EQE与在低灰度级(0.25mA/cm2)处的EQE的比率的百分比。滚降值设定为EQE随电流密度值增加而降低的速率。
此外，当每个实验组中的滚降值(％)与参考值相比较大时，这意味着滚降现象减少。
表5
主剂 掺杂剂 电荷清除剂 HTL
呈现例2-1 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) - TAPC
呈现例2-2 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1 TAPC
呈现例2-3 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物13 TAPC
比较例2-1 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) Ir(ppy)2(acac) TAPC
比较例2-2 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) FIrPic TAPC
表6
Figure BDA0003981372450000322
从表5和表6的结果中可确定，当发光层掺杂有满足本公开的条件(1)或条件(1)和(2)两者的电荷清除剂的呈现例2-2和2-3各自与呈现例2-1相比时，呈现例2-2和2-3中的每一者的红色发光层实现为使得呈现例2-2和2-3中的每一者的EQE(％)增加，并且其滚降值增加。反之，发光层掺杂有不满足条件(1)和(2)的电荷清除剂的比较例2-1和2-2各自具有低于发光层未掺杂电荷清除剂的呈现例2-1的EQE(％)，并且具有小于呈现例1-1的滚降值，导致劣化的结果。
<实验组3>：参照实验例1至11
除了如下表7所示使用主剂的材料、掺杂剂的材料、电荷清除剂的材料和HTL的材料之外，以与上述<呈现例>相同的方式制造每个有机发光二极管。也就是说，参照实验例1不包含电荷清除剂。将作为电荷清除剂的化合物1的掺杂浓度以1％依次从1％增加到10％，制造有机发光二极管(参照实验例2至11)。
以与上述<实验组2>的“1)”至“4)”相同的方式进行参照实验例1至11的有机发光二极管中的每一个的有机发光二极管的性能测试。试验结果如下表8所述。在实验组3中，将参照实验例1的试验结果值设定为参照值。
表7
主剂 掺杂剂(5％) 电荷清除剂(掺杂浓度) HTL
参照实验例1 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) - TAPC
参照实验例2 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(1％) TAPC
参照实验例3 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(2％) TAPC
参照实验例4 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(3％) TAPC
参照实验例5 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(4％) TAPC
参照实验例6 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(5％) TAPC
参照实验例7 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(6％) TAPC
参照实验例8 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(7％) TAPC
参照实验例9 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(8％) TAPC
参照实验例10 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(9％) TAPC
参照实验例11 NPB+DPTPCz Ir(piq)2(acac) 化合物1(10％) TAPC
表8
Figure BDA0003981372450000331
Figure BDA0003981372450000341
如从表7和表8的结果可以确认的，当满足本公开的条件(1)和(2)的化合物1用作掺杂到红色发光层中的电荷清除剂时，甚至在其掺杂浓度仅为1％时，参照实验例2的EQE(％)和滚降值也大于未将电荷清除剂掺杂到红色发光层中的参照实验例1。
然而，电荷清除剂的掺杂浓度(10％)是掺杂剂的掺杂浓度(5％)的两倍的参照实验例11与参照实验例1相比，CIEx的差异为0.004，CIEy的差异为0.005。因此，实际上，观察到来自参照实验例11的有机发光二极管的光的颜色被移位为偏绿。因此，确认当电荷清除剂的掺杂浓度大于或等于掺杂剂的掺杂浓度的两倍时，没有呈现精确的目标红色。
本公开的保护范围应由权利要求的范围来解释，并且在与其等同的范围内的所有技术构思应被解释为包括在本公开的范围内。尽管已经参照附图更详细地描述了本公开的实施例，但是本公开不一定限于这些实施例。在不背离本公开的技术构思的范围内，本公开可以以各种修改方式实施。因此，本公开中公开的实施例并不旨在限制本公开的技术构思，而是用于描述本公开。本公开的技术构思的范围不受实施例的限制。因此，应理解，如上所述的实施例在所有方面都是说明性的和非限制性的。本公开的保护范围应由权利要求书来解释，并且本公开范围内的所有技术构思应被解释为包括在本公开的范围内。

Claims (22)

1.一种有机发光器件，包括：
第一电极；
第二电极，所述第二电极面对所述第一电极；以及
发光叠层，所述发光叠层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述发光叠层包括有机层，
其中，所述有机层包括空穴传输层和红色发光层，
其中，所述空穴传输层包含空穴传输材料，
其中，所述红色发光层包含主剂A、主剂B和红色掺杂剂，
其中，所述主剂A和所述主剂B满足以下关系式(1)和(2)：
[关系式(1)]：|HOMO(主剂A)|≤|HOMO(主剂B)|
[关系式(2)]：|LUMO(主剂A)|≤|LUMO(主剂B)|
其中，在关系式(1)中，|HOMO(主剂A)|和|HOMO(主剂B)|分别表示所述主剂A和所述主剂B的HOMO能级即最高占据分子轨道能级的绝对值，其中，在关系式(2)中，|LUMO(主剂A)|和|LUMO(主剂B)|分别表示所述主剂A和所述主剂B的LUMO能级即最低未占据分子轨道能级的绝对值。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，|HOMO(主剂A)|在5.0eV至6.0eV的范围内，|HOMO(主剂B)|在5.2eV至6.2eV的范围内，
其中，|LUMO(主剂A)|在1.6eV至2.6eV的范围内，|LUMO(主剂B)|在2.0eV至3.0eV的范围内。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件进一步满足以下关系式(3)：
[关系式(3)]：E(激基复合物)＜T1(RD)
其中，在关系式(3)中，E(激基复合物)表示激基复合物的能级并且被定义为所述主剂A的所述HOMO能级与所述主剂B的所述LUMO能级之差的绝对值，T1(RD)表示所述红色掺杂剂的三重态能级。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述主剂A包括选自由叔胺类化合物和包含咔唑基的化合物组成的组中的一种。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述主剂B包括选自由包含吡啶基的化合物、包含嘧啶基的化合物、包含三嗪基的化合物和包含喹唑啉基的化合物组成的组中的一种。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述红色发光层还包括电荷清除剂，
其中，所述有机发光器件满足以下条件(1)：
[条件(1)]：|HOMO(RD)|≤|HOMO(CS)|≤|HOMO(HTL)|
其中，在条件(1)中，|HOMO(RD)|表示所述红色掺杂剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(CS)|表示所述电荷清除剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(HTL)|表示所述空穴传输材料的HOMO能级的绝对值。
7.根据权利要求6所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件进一步满足以下条件(2)：
[条件(2)]：T1(RD)＜T1(CS)
其中，在条件(2)中，T1(RD)表示所述红色掺杂剂的三重态能级，T1(CS)表示所述电荷清除剂的三重态能级。
8.根据权利要求6所述的有机发光器件，其中，|HOMO(RD)|在4.8eV至5.5eV的范围内。
9.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，T1(RD)在1.8eV至2.2eV的范围内，T1(CS)等于或低于2.6eV。
10.根据权利要求6所述的有机发光器件，其中，所述电荷清除剂包括由以下化学式1表示的有机金属化合物：
[化学式1]
Ir(LA)m(LB)n
其中，在化学式1中，LA是由选自由以下化学式2-1至化学式2-3组成的组中的一者表示的主配体，LB是由以下化学式3表示的辅助配体：
[化学式2-1]
Figure FDA0003981372440000031
[化学式2-2]
Figure FDA0003981372440000032
[化学式2-3]
Figure FDA0003981372440000033
[化学式3]
Figure FDA0003981372440000034
其中，在化学式2-1至2-3中的每一个中，
X表示选自由O、S、NR7和C(R8)(R9)组成的组中的一个，
R1-1、R1-2、R1-3、R1-4、R2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的每一个独立地表示选自由氢、氘、卤素、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳基烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基、C3-C40杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、巯基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合组成的组中的一个，
R1-1、R1-2、R1-3、Ri-4、R2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的两个相邻取代基彼此连接形成一个环结构，该一个环结构选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组，
R7、R8和R9中的每一个独立地表示选自由C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基和C3-C40杂芳基组成的组中的一个，
其中，在化学式3中，
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的每一个独立地表示选自由氢、氘、C1-C5直链烷基和C1-C5支链烷基组成的组中的一个，其中所述C1-C5直链烷基或所述C1-C5支链烷基可以被选自氘和卤素中的至少一种取代，
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的两个相邻取代基彼此连接形成一个环结构，该一个环结构选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组，并且
m为1、2或3，n为0、1或2，并且m和n的总和为3。
11.根据权利要求10所述的有机发光器件，其中，由所述化学式1表示的化合物包括选自以下化合物1至20组成的组中的一种：
Figure FDA0003981372440000051
12.根据权利要求6所述的有机发光器件，其中，基于红色主剂的总重量，所述红色掺杂剂的掺杂浓度在1至30重量％的范围内，其中，基于所述红色主剂的总重量，所述电荷清除剂的掺杂浓度在1至30重量％的范围内。
13.根据权利要求12所述的有机发光器件，其中，所述电荷清除剂的掺杂浓度小于所述红色掺杂剂的掺杂浓度的两倍。
14.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述有机层还包括空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一者。
15.一种有机发光器件，包括：
第一电极；
第二电极，所述第二电极面对所述第一电极；以及
第一发光叠层和第二发光叠层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第一发光叠层和所述第二发光叠层中的每一个包括至少一个发光层，
其中，所述第一发光叠层和所述第二发光叠层中的至少一个的所述至少一个发光层包括红色发光层，
其中，所述红色发光层包括主剂A、主剂B和红色掺杂剂，其中，所述主剂A和所述主剂B满足以下关系式(1)和(2)：
[关系式(1)]：|HOMO(主剂A)|≤|HOMO(主剂B)|
[关系式(2)]：|LUMO(主剂A)|≤|LUMO(主剂B)|
其中，在关系式(1)中，|HOMO(主剂A)|和|HOMO(主剂B)|分别表示所述主剂A和所述主剂B的HOMO能级即最高占据分子轨道能级的绝对值，
其中，在关系式(2)中，|LUMO(主剂A)|和|LUMO(主剂B)|分别表示所述主剂A和所述主剂B的LUMO能级即最低未占据分子轨道能级的绝对值。
16.根据权利要求15所述的有机发光器件，其中，所述红色发光层还包括电荷清除剂，
其中，所述有机发光器件满足以下条件(1)：
[条件(1)]：|HOMO(RD)|≤|HOMO(CS)|≤|HOMO(HTL)|
其中，在条件(1)中，|HOMO(RD)|表示所述红色掺杂剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(CS)|表示所述电荷清除剂的HOMO能级的绝对值，|HOMO(HTL)|表示所述空穴传输材料的HOMO能级的绝对值。
17.根据权利要求15所述的有机发光器件，还包括第三发光叠层，所述第三发光叠层位于所述第一电极与所述第二电极之间。
18.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
驱动元件，所述驱动元件位于所述基板上；以及
有机发光元件，所述有机发光元件设置在所述基板上并连接到所述驱动元件，其中，所述有机发光元件包括权利要求1所述的有机发光器件。
19.一种有机发光器件，包括：
第一电极；
第二电极，所述第二电极面对所述第一电极；以及
发光叠层，所述发光叠层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述发光叠层包括有机层，
其中，所述有机层包括红色发光层，所述红色发光层包括主剂A、主剂B和红色掺杂剂，
其中，所述主剂A是以下至少一种：
NPB：
Figure FDA0003981372440000071
NPB的一种或多种衍生物：/>
Figure FDA0003981372440000072
Figure FDA0003981372440000073
TAPC：/>
Figure FDA0003981372440000074
TPD：/>
Figure FDA0003981372440000075
mCP：
Figure FDA0003981372440000076
TCB：/>
Figure FDA0003981372440000077
CBP：/>
Figure FDA0003981372440000081
TCTA：/>
Figure FDA0003981372440000082
包括/>
Figure FDA0003981372440000083
Figure FDA0003981372440000084
的叔胺类化合物，并且
其中，所述主剂B是以下至少一种：
TmnPyPB：
Figure FDA0003981372440000085
包括B3PYMPM/>
Figure FDA0003981372440000086
Figure FDA0003981372440000087
的包含嘧啶基的化合物，包括/>
Figure FDA0003981372440000088
的包含三嗪基的化合物，包括/>
Figure FDA0003981372440000091
Figure FDA0003981372440000092
的包含喹唑啉基的化合物。
20.根据权利要求19所述的有机发光器件，其中，所述红色发光层还包括电荷清除剂，所述电荷清除剂包括由以下化学式1表示的有机金属化合物：
[化学式1]
Ir(LA)m(LB)n
其中，在化学式1中，LA是由选自由以下化学式2-1至化学式2-3组成的组中的一者表示的主配体，LB是由以下化学式3表示的辅助配体：
[化学式2-1]
Figure FDA0003981372440000093
[化学式2-2]
Figure FDA0003981372440000101
[化学式2-3]
Figure FDA0003981372440000102
[化学式3]
Figure FDA0003981372440000103
其中，在化学式2-1至2-3中的每一个中，
X表示选自由O、S、NR7和C(R8)(R9)组成的组中的一个，
R1-1、R1-2、R1-3、R1-4、R2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的每一个独立地表示选自由氢、氘、卤素、C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳基烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基、C3-C40杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、巯基、亚磺酰基、磺酰基、膦基以及其组合组成的组中的一个，
R1-1、R1-2、R1-3、R1-4、R2-1、R2-2、R2-3、R2-4、R3-1、R3-2、R3-3、R3-4、R4-1、R4-2和R4-3中的两个相邻取代基彼此连接形成一个环结构，所述一个环结构选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组，
R7、R8和R9中的每一个独立地表示选自由C1-C30烷基、C3-C30环烷基、C1-C30杂烷基、C1-C30芳烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、氨基、硅烷基、C2-C30烯基、C3-C30环烯基、C3-C30杂烯基、C2-C30炔基、C6-C40芳基和C3-C40杂芳基组成的组中的一个，
其中，在化学式3中，
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的每一个独立地表示选自由氢、氘、C1-C5直链烷基和C1-C5支链烷基组成的组中的一个，其中所述C1-C5直链烷基或所述C1-C5支链烷基可以被选自氘和卤素中的至少一种取代，
R5-1、R5-2、R5-3、R5-4、R6-1、R6-2、R6-3和R6-4中的两个相邻取代基彼此连接形成一个环结构，所述一个环结构选自由取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未替代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未替代的C2-C20杂芳烷基、取代或未替代的C3-C20环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基以及取代或未取代的C3-C30杂芳基组成的组，并且
m为1、2或3，n为0、1或2，并且m和n的总和为3。
21.根据权利要求20所述的有机发光器件，其中，由所述化学式1表示的化合物包括选自以下化合物1至20组成的组中的一种：
Figure FDA0003981372440000111
Figure FDA0003981372440000121
22.根据权利要求20所述的有机发光器件，其中，基于红色主剂的总重量，所述红色掺杂剂的掺杂浓度在1至30重量％的范围内，其中，基于所述红色主剂的总重量，所述电荷清除剂的掺杂浓度在1至30重量％的范围内。
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