CN116337118A - 行程传感器和使用其的制动系统 - Google Patents

Abstract

一种行程传感器，其能提高磁场的朝向的测定精度。行程传感器(1)具有：检测磁场的磁场检测元件(2)；产生磁场检测元件(2)所检测的磁场且相对于磁场检测元件(2)在第一方向移动的磁铁(3)；相对于磁场检测元件(2)的相对位置固定的第一软磁性体(4A)。磁场检测元件(2)和第一软磁性体(4A)在与第一方向正交的第二方向上离开磁铁(3)。从第二方向看，第一软磁性体(4A)位于第一方向的磁场检测元件(2)的侧方。将与第一及第二方向正交的方向设为第三方向；将第一软磁性体(4A)的第一方向上的尺寸设为L1；将第一软磁性体(4A)的第二方向上的尺寸设为D1；将第一软磁性体(4A)的第三方向上的尺寸设为W1时，L1＞D1且L1＞W1。

Description

行程传感器和使用其的制动系统

技术领域

本发明涉及行程传感器和使用该行程传感器的制动系统。

背景技术

通常，行程传感器探测磁场的朝向，检测作为测定对象的物体的移动的有无、移动距离。在专利文献1中公开有一种行程传感器，其具有检测磁场的磁场检测元件和产生供磁场检测元件检测的磁场且相对于磁场检测元件相对移动的磁铁。专利文献1中公开的行程传感器在磁场检测元件的相对移动方向两侧具有软磁性体。根据专利文献1记载，通过设置软磁性体从而磁通密度能提高，并能够增加行程。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-95615号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

在行程传感器中，提高磁场检测元件检测的磁通密度很重要，但提高磁场的朝向的测定精度也很重要。

本发明的目的在于提供一种能够提高磁场的朝向的测定精度的行程传感器。

用于解决技术问题的技术方案

本发明提供一种行程传感器，其具有：磁场检测元件，其检测磁场；磁铁，其产生磁场检测元件所检测的磁场且相对于磁场检测元件在第一方向上相对移动；以及第一软磁性体，其相对于磁场检测元件的相对位置被固定。磁场检测元件和第一软磁性体在与第一方向正交的第二方向上离开磁铁。从第二方向观察，第一软磁性体位于第一方向上的磁场检测元件的侧方。在将与第一及第二方向正交的方向设为第三方向；将第一软磁性体的第一方向上的尺寸设为L1；将第一软磁性体的第二方向上的尺寸设为D1；并将第一软磁性体的第三方向上的尺寸设为W1时，L1＞D1且L1＞W1。

发明效果

根据本发明，可以提供一种能够提高磁场的朝向的测定精度的行程传感器。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的行程传感器的概略图。

图2是表示磁铁的结构的概念图。

图3是对磁通线的角度θB和误差θBerror的概念进行说明的图。

图4是表示磁铁的相对位置和磁通线的朝向的概念图。

图5是表示实施例1、2和比较例中的行程传感器的特性的图。

图6是磁铁和磁场检测元件的附近的磁通的解析例。

图7是表示软磁性体配置长度T与误差θerror的关系的图。

图8是表示软磁性体的尺寸D1、D2与误差θerror的关系的图。

图9是表示软磁性体的尺寸W1、W2与误差θerror的关系的图。

图10是表示软磁性体的离开距离G1、G2与误差θerror的关系的图。

图11是表示软磁性体的中心和磁场检测元件的磁感应部的中心的间隔H1、H2与误差θerror的关系的图。

图12是本发明的第二实施方式的行程传感器的概略图。

图13是表示第二实施方式和比较例中的行程传感器的特性的图。

图14是参考方式所涉及的行程传感器的概略图。

图15是表示参考方式和比较例中的行程传感器的特性的图。

图16是本发明的第三实施方式的行程传感器的概略图。

图17是本发明的第四实施方式的制动系统的概略图。

附图标记说明

1……行程传感器

2……磁场检测元件

3……磁铁

4A……第一软磁性体

4B……第二软磁性体

11……制动系统

12……制动踏板

13……可动构件

44……凹部

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的行程传感器和使用该行程传感器的制动系统的实施方式进行说明。在以下的说明中，将磁铁3相对于磁场检测元件2相对移动的方向称为第一方向X，将与第一方向X正交且磁场检测元件2、第一软磁性体4A及第二软磁性体4B离开磁铁3的方向称为第二方向Z，将与第一方向X及第二方向Z正交的方向称为第三方向Y。

(第一实施方式)

图1示出本发明的第一实施方式的行程传感器1的概略图。图1的(a)示出行程传感器1的立体图，图1的(b)示出从第三方向Y观察的行程传感器1的侧视图，图1的(c)示出从第二方向Z观察的行程传感器1的俯视图。行程传感器1具有检测磁场的磁场检测元件2和产生磁场检测元件2所检测的磁场的磁铁3。磁铁3安装于在第一方向X上可移动的可动构件13，与可动构件13一起在第一方向X上移动。磁场检测元件2安装于固定构件(未图示)。因此，磁铁3相对于磁场检测元件2在第一方向X上相对移动。也可以将磁铁3安装于固定构件，将磁场检测元件2安装于可动构件13。

磁场检测元件2具有检测第一方向X上的磁通密度Bx的第一元件(未图示)和检测第二方向Z上的磁通密度Bz的第二元件(未图示)。元件的种类没有限定，除了霍尔元件以外，还可以使用AMR元件、TMR元件等磁阻效应元件。行程传感器1的运算部(未图示)根据第一元件和第二元件检测出的磁通密度计算合成磁场(Bx和Bz的矢量和)的角度。由于预先求出磁铁3的周围的磁场分布，所以能够根据合成磁场的朝向检测磁铁3的相对位移，即可动构件13的第一方向X上的移动量。

磁铁3由钕等磁性材料形成。磁铁3在第一方向X上被磁化。图2示出磁铁3的结构例。本实施方式的磁铁3的形状如图1的(a)、图2的(a)所示是具有与第一方向X平行的中心轴C的圆筒形。可动构件13是圆柱或杆状的构件，其中心轴C与磁铁3的中心轴C一致。可动构件13插入磁铁3的中央孔31，磁铁3在可动构件13的规定位置通过粘接剂、螺钉等适当的方式固定于可动构件13。如图2(b)所示，磁铁3的形状也可以是具有与第一方向X平行的中心轴C的圆柱形。在该情况下，磁铁3通过粘接剂、螺钉等适当的方式固定于可动构件13的端部。如图2(c)所示，磁铁3也可以安装于可动构件13的周向上的一部分的面上。在该情况下，优选可动构件13具有长方形截面且磁铁3为长方体。圆筒形或圆柱形的磁铁3在可动构件13绕中心轴C旋转时，在磁铁3的周围产生的磁通分布不变。因此，在可动构件13能够绕中心轴C旋转的情况下，图2的(a)、(b)所示的结构是有利的。另一方面，在可动构件13的绕中心轴C的旋转被限制的情况下，从加工费等观点出发，也可以选择图2的(c)所示的结构。

在磁场检测元件2的第一方向X上的两侧设置有第一软磁性体4A和第二软磁性体4B。更详细地说，从第二方向Z观察，第一软磁性体4A位于第一方向X上的磁场检测元件2的侧方，从第二方向Z观察，第二软磁性体4B位于第一方向X上的磁场检测元件2的侧方，即，关于磁场检测元件2位于第一软磁性体4A的相反侧。第一软磁性体4A和第二软磁性体4B相对于磁场检测元件2的相对位置被固定。第一软磁性体4A和第二软磁性体4B为长方体，长方体的各边与第一方向X、第二方向Z、第三方向Y中的任一者平行。第一软磁性体4A和第二软磁性体4B由一般的钢铁材料等软磁性体形成。第一软磁性体4A和第二软磁性体4B优选由相同材料形成。磁场检测元件2、第一软磁性体4A以及第二软磁性体4B在第二方向Z上离开磁铁3。第一软磁性体4A及第二软磁性体4B在第一方向X上离开磁场检测元件2。第一软磁性体4A和第二软磁性体4B关于通过磁场检测元件2的磁感应部的中心21且与第二方向Z及第三方向Y平行的面镜面对称。关于磁场检测元件2的磁感应部的中心21，在为霍尔元件的情况下，是指构成霍尔元件的半导体薄膜(InSb薄膜、GaAs薄膜等)的中心，在为AMR元件的情况下，是指构成AMR元件的铁磁性金属薄膜的中心，在为TMR元件、GMR元件的情况下，是指自由层的中心。

在此，对以下的说明中使用的尺寸的定义进行叙述(也参照图1的(b))。

L1：第一软磁性体4A的第一方向X上的尺寸(长度)

D1：第一软磁性体4A的第二方向Z上的尺寸(厚度)

W1：第一软磁性体4A的第三方向Y上的尺寸(宽度)

L2：第二软磁性体4B的第一方向X上的尺寸(长度)

D2：第二软磁性体4B的第二方向Z上的尺寸(厚度)

W2：第二软磁性体4B的第三方向Y上的尺寸(宽度)

G1：磁场检测元件2和第一软磁性体4A的第一方向X上的离开距离

G2：磁场检测元件2和第二软磁性体4B的第一方向X上的离开距离

H1：第一软磁性体4A的中心41和磁场检测元件2的磁感应部的中心21的第二方向Z上的间隔(以第一软磁性体4A及磁场检测元件2远离磁铁3的方向为正、并以靠近磁铁3的方向为负)

H2：第二软磁性体4B的中心42和磁场检测元件2的磁感应部的中心21的第二方向Z上的间隔(以第二软磁性体4B及磁场检测元件2远离磁铁3的方向为正、并以靠近磁铁3的方向为负)

S：磁铁3的中心(重心)31能够相对于磁场检测元件2的磁感应部的中心21相对移动的范围、或者可相对移动的距离的最大值(也称为行程)

S1：磁铁3能够从基准位置R向第一软磁性体4A侧相对移动的距离

S2：磁铁3能够从基准位置R向第二软磁性体4B侧相对移动的距离

T：在第一方向X上，包含第一软磁性体4A和第二软磁性体4B的最小区间的长度(也称为软磁性体配置长度)

T1：在第一方向X上，包含第一软磁性体4A和基准位置的最小区间的长度

T2：在第一方向X上，包含第二软磁性体4B和基准位置的最小区间的长度

磁铁3以基准位置R为中心相对于磁场检测元件2相对移动。基准位置R是磁铁3相对于磁场检测元件2的相对位置(以下，有时称为磁铁3的相对位置)，是在第一方向X上磁铁3的中心31与磁场检测元件2的磁感应部的中心21一致的位置。

在本实施方式中，L1＝L2＝17mm，D1＝D2＝1mm，W1＝W2＝5mm，L1＞D1，L1＞W1，且L2＞D2，L2＞W2成立。即，第一软磁性体4A和第二软磁性体4B具有在第一方向X上细长的形状。关于D1和W1的关系，D1≤W1，优选为D1＜W1。同样，关于D2和W2的关系，D2≤W2，优选为D2＜W2。即，第一软磁性体4A和第二软磁性体4B具有在第二方向Z上扁平的形状。基准位置R位于行程S的中央，S1＝S2＝S/2。另外，S＝T，且S1＝T1、S2＝T2。即，当磁铁3的中心31位于行程S的一端时，磁铁3的中心31和第一软磁性体4A的外侧端部在第一方向X上一致，在磁铁3的中心31位于行程S的另一端时，磁铁3的中心31和第二软磁性体4B的外侧端部在第一方向X上一致。

通过设置这样的第一软磁性体4A和第二软磁性体4B，能够修正由磁铁3发生的磁通的朝向，从而能够更高精度地测定磁场的朝向。在此，参照图3对磁场的朝向及其测定误差进行说明。图3的上图示出处于基准位置R的磁铁3(用实线表示)和处于行程S的两端的磁铁3(用虚线表示)。箭头概略地表示磁通的朝向。图3的中图示出磁铁3的相对位置和磁场检测元件2的磁感应部的中心21处的磁通线(磁力线)的角度之间的关系。角度如图3所示将时针的9点定义为0度，将逆时针旋转定义为正。

如上所述，行程传感器1根据磁场检测元件2检测出的合成磁场(Bx与Bz的矢量和)的角度即磁通线的角度来检测磁铁3的第一方向X上的移动量。因此，为了更高精度地检测第一方向X的移动量，期望磁铁3的相对位置和磁场检测元件2的磁感应部的中心21处的磁通线的角度之间的线性高(图3的中图的坐标图的直线性高)。如果线性低，则在磁通线的角度变化小的区域测定精度降低。而且，如果线性降低，则在多个相对位置上磁通线的角度成为相同值，测定本身变得困难。在此，将磁铁3的相对位置和磁场检测元件2的磁感应部的中心21处的磁通线的角度θB之间的关系在实际的磁通线的角度的最小值θB1和最大值θB2之间利用最小二乘法进行线性近似。在将实际的磁通线的角度θB和线性近似线上的磁通线的角度θBo的差分设为ΔθB＝θB-θBo时，将误差θBerror作为ΔθB/(θB2-θB1)求出。图3的下图示出磁铁3的相对位置和误差θBerror的关系。在本实施方式中，能够降低这样求出的误差θBerror。下面，通过实施例和比较例进一步对本实施方式进行说明。

在实施例1的行程传感器1中，磁铁3在基准位置R的两侧23mm的范围内相对移动。在以下的说明中，将磁铁3的相对位移在基准位置R设为0；在基准位置R的左侧设为负；在基准位置R的右侧设为正。图4的(a)～(d)概念性地示出当磁铁3相对于基准位置R位于几个相对位置(-23mm、-16mm、-8mm、0mm)时的磁通线的朝向。图5的(a)示出磁铁3的相对位置和磁场检测元件2的磁感应部的中心21处的磁通线的角度θB的关系，图5的(b)示出磁铁3的相对位置和误差θBerror的关系。实线为实施例1，虚线为从实施例1除去第一软磁性体4A和第二软磁性体4B的比较例。实施例1中磁铁3的相对位置和磁通线的角度θB的线性高，可获得大致直线状的坐标图。与之相对，在比较例中，特别是在相对位置B(-16mm)处的误差θerror大。参照与相对位置B对应的图4的(b)可知，在比较例中，磁通线向逆时针方向的弯曲方式(θB的变化)缓慢，这成为误差θerror的原因。与之相对，在实施例1中，磁通线平滑地弯曲，θB的变化能够良好地追随相对位置的变化。

图6示出磁铁3和磁场检测元件2的附近的磁通的解析例。图6的(a)为实施例1，虽未图示，但也设置有第二软磁性体4B。图6的(b)为比较例。用四边形表示与第一软磁性体4A对应的位置。磁铁3的相对位置与图4的(b)对应。在比较例中，磁通成为大致正弦波状，与之相对，在实施例1中，磁通的一部分被第一软磁性体4A牵引而被吸入。由此，认为磁通在磁场检测元件2的附近绕逆时针大幅地旋转。

图5的(c)示出磁铁3的相对位置和磁通密度(绝对值)的关系。磁通密度在磁铁3位于基准位置R的附近时变大。关于磁通密度，在基准位置R的附近，实施例1比比较例稍大，但在远离基准位置R的位置，比较例比实施例1稍大，没有大的差异。可知，第一及第二软磁性体4A、4B几乎没有提高磁通密度的效果，主要起到降低误差θBerror的作用。

如上所述，在本实施方式中，第一软磁性体4A和第二软磁性体4B具有在第一方向X上细长的形状。在图5中，实施例2也用虚线表示。在实施例2中，第一软磁性体4A和第二软磁性体4B的尺寸为L1＝L2＝5.5mm、D1＝D2＝1mm、W1＝W2＝5mm，L1＞D1、L1＞W1且L2＞D2、L2＞W2成立。如图5的(a)、(b)所示，实施例2中，角度θB的线性、误差θerror比实施例1差。这被认为是因为在第一软磁性体4A和第二软磁性体4B的第一方向X上的尺寸L1、L2小的情况下，牵引磁通、改变磁通的方向的效果小。但是，实施例2的角度θB的线性、误差θerror与比较例相比得到了改善。由此，可以理解，如果L1＞D1、L1＞W1且L2＞D2、L2＞W2的话则误差θerror降低。另一方面，关于磁铁3位于基准位置R的附近时的磁通密度，实施例2比实施例1和比较例大。因此，能够在更广泛的移动范围内确保行程传感器1工作所需的磁通密度。例如，在图5的(c)中，关于能够获得50mT以上的磁通密度的磁铁3的位置的范围，在实施例1中为A，在实施例2中为B，实施例2能够确保比实施例1大的行程。认为在1＜L1/W1≤1.2、1＜L2/W2≤1.2成立的范围内能够获得大致与实施例2同样的效果。另外，认为在3≤L1/W1≤4、3≤L2/W2≤4成立的范围内能够获得大致与实施例1同样的效果。

为了进一步降低误差θerror，优选使行程S与软磁性体配置长度T的比尽可能地接近1(作为一例，0.95≤T/S≤1.05)。在图7中，示出将行程S设为固定(46mm)时的软磁性体配置长度T和误差θerror的关系。如果软磁性体配置长度T比行程S大，则在行程S的范围外，磁通线被第一软磁性体4A和第二软磁性体4B吸收，磁通线的朝向杂乱。相反，如果软磁性体配置长度T比行程S小，则在行程S的端部附近，第一软磁性体4A和第二软磁性体4B牵引磁通，不能获得改变磁通的方向的效果。误差θerror在行程S和软磁性体配置长度T相等时被最小化。软磁性体配置长度T为32mm以上且69mm以下，即0.69≤T/S≤1.5则误差θerror成为2％以下。软磁性体配置长度T为40mm以上且56mm以下，即0.89≤T/S≤1.22则误差θerror成为1％以下。

图8示出第一及第二软磁性体4A、4B的尺寸D1、D2与误差θerror的关系。0.56mm≤D1≤3mm、0.56mm≤D2≤3mm则误差θerror成为2％以下。0.81mm≤D1≤2.39mm、0.81mm≤D2≤2.39mm则误差θerror成为1％以下。

图9示出第一及第二软磁性体4A、4B的尺寸W1、W2与误差θerror的关系。2.51mm≤W1≤10mm、2.51mm≤W2≤10mm则误差θerror成为2％以下。3.53mm≤W1≤10mm、3.53mm≤W2≤10mm则误差θerror成为1％以下。

图10示出磁场检测元件2和第一及第二软磁性体4A、4B的离开距离G1、G2与误差θerror的关系。4.1mm≤G1≤7.6mm、4.1mm≤G2≤7.6mm则误差θerror成为2％以下。5.1mm≤G1≤6.7mm、5.1mm≤G2≤6.7mm则误差θerror成为1％以下。

图11示出第一及第二软磁性体4A、4B的中心42和磁场检测元件2的磁感应部的中心21的第二方向Z上的间隔H1、H2与误差θerror的关系。-3.5mm≤H1≤1.0mm、-3.5mm≤H2≤1.0mm则误差θerror成为1％以下。在第二方向Z上，优选磁场检测元件2的磁感应部的中心21与第一及第二软磁性体4A、4B重叠。

(第二实施方式)

图12示出本发明的第二实施方式的行程传感器1的概略图。下面，对与第一实施方式的差异进行说明。省略说明的结构及效果与第一实施方式相同。在本实施方式中，第一软磁性体4A的第一方向X上的长度L1比第二软磁性体4B的第一方向X上的长度L2小(L1＜L2)，为S1＝T1。在图13的(a)中，示出T1＝17mm(L1＝11mm)的情况下的磁铁3的相对位置和误差θBerror的关系，在图13的(b)中，示出T1＝12mm(L1＝6mm)的情况下的磁铁3的相对位置和误差θBerror的关系，在图13的(c)中，示出T1＝0mm(L1＝0mm)的情况下的磁铁3的相对位置和误差θBerror的关系。在任一情况下都为T2＝23mm(L2＝17mm)。在各图中也一并示出实施例和比较例。误差θBerror在图13的(a)中是在磁铁位置为-17mm～+23mm的范围内计算的，在图13的(b)中是在磁铁位置为-12mm～+23mm的范围内计算的，在图13的(c)中是在磁铁位置为0mm～+23mm的范围内计算的。实施例3-1～3-3与实施例1相比，角度θB的线性和误差θBerror降低，但与比较例相比，角度θB的线性和误差θBerror得到改善。本实施方式在行程S被限制的情况下有效。

图14示出参考方式的行程传感器1的概略图。参考方式与第二实施方式同样，为L1＜L2，但与第二实施方式不同，为S1＝S2。换言之，在第一实施方式中，仅变更了第一软磁性体4A的第一方向X上的长度L1。在图15的(a)中，示出T1与磁场检测元件2的磁感应部的中心21处的磁通线的角度θB的关系，在图15的(b)中示出T1与误差θBerror的关系，在图15的(c)中示出T1与磁通密度(绝对值)的关系。T1＝0相当于没有第一软磁性体4A的情况。随着T1减少，角度θB的线性和误差θBerror降低。随着T1减少，磁通密度增加，但没有因T1引起的大的差。参考方式与第二实施方式相比，改善角度θB的线性和误差θBerror的效果小。

(第三实施方式)

图16的(a)示出本发明的第三实施方式的行程传感器1的俯视图。第一软磁性体4A及第二软磁性体4B具有朝向第三方向Y且相互相对的两个面43，两个面43具有凹部44。行程传感器1通过镶嵌成型制造。图16的(b)示出未设置凹部44的第一软磁性体4A及第二软磁性体4B。在第一软磁性体4A、第二软磁性体4B及磁场检测元件2的周围设置有树脂45。设置树脂45的范围由模具(未图示)限制。在模具的内部对第一软磁性体4A和第二软磁性体4B进行定位，因此第一～第三夹具46A～46C设置于第一及第二软磁性体4A、4B的各三面上。图16的(c)示出设置凹部44的第一软磁性体4A及第二软磁性体4B，是与图16的(b)同样的图。第一～第二夹具46A～46B设置于凹部44。通过凹部44的三个面与第一～第二夹具46A～46B抵接，从而能够进行X方向和Y方向上的定位。其结果，变得不需要第三夹具46C，第一软磁性体4A及第二软磁性体4B和磁场检测元件2之间的X方向上的间隔的自由度增加。如图16的(d)所示，也可以设置凸部47来代替凹部44。在该情况下，通过以包围凸部的方式设置第一及第二夹具48A、48B，能够获得同样的效果。

(第四实施方式)

上述的行程传感器1例如能够在制动系统11中利用。图17示出制动系统11的概念图。制动系统11具有行程传感器1、制动踏板12以及与制动踏板12联动而在第一方向X上移动的可动构件13。制动踏板12通过驾驶员的操作而绕第一支轴14逆时针转动。由此，与制动踏板12连结的油压回路(hydraulic circuit)工作。可动构件13与制动踏板12的远离第一支轴14的第二支轴15连结，通过未图示的引导机构，制动踏板12的转动运动转变为与第一方向X平行的直线运动。在可动构件13的与第二支轴15相反侧的端部安装有弹簧16的一端，弹簧16的另一端安装在车辆上。通过弹簧16的作用力，制动踏板12在非操作时被保持在规定的位置上，在操作时克服弹簧16的作用力而转动。上述的磁铁3被保持在可动构件13上，上述的磁场检测元件2和第一及第二软磁性体4A、4B被保持在车辆上。

Claims (15)

1.一种行程传感器，其中，

具有：

磁场检测元件，其检测磁场；

磁铁，其产生所述磁场检测元件所检测的磁场，且相对于所述磁场检测元件在第一方向上相对移动；以及

第一软磁性体，其相对于所述磁场检测元件的相对位置被固定，

所述磁场检测元件和所述第一软磁性体在与所述第一方向正交的第二方向上离开所述磁铁，

从所述第二方向观察，所述第一软磁性体位于所述第一方向上的所述磁场检测元件的侧方，

在将与所述第一及第二方向正交的方向设为第三方向；

将所述第一软磁性体的所述第一方向上的尺寸设为L1；

将所述第一软磁性体的所述第二方向上的尺寸设为D1；并

将所述第一软磁性体的所述第三方向上的尺寸设为W1时，

L1＞D1且L1＞W1。

2.根据权利要求1所述的行程传感器，其中，

所述第一软磁性体在所述第一方向上离开所述磁场检测元件。

3.根据权利要求2所述的行程传感器，其中，

所述第一软磁性体从所述磁场检测元件离开4.1mm以上且7.6mm以下。

4.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

0.56mm≤D1≤3mm。

5.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

2.51mm≤W1≤10mm。

6.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

以所述第一软磁性体及所述磁场检测元件远离所述磁铁的方向为正、以靠近所述磁铁的方向为负，所述第一软磁性体的中心和所述磁场检测元件的磁感应部的中心在所述第二方向上的间隔为-3.5mm以上且+1.0mm以下。

7.根据权利要求6所述的行程传感器，其中，

所述磁场检测元件的所述磁感应部的中心在所述第二方向上与所述第一软磁性体重叠。

8.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

具有第二软磁性体，其相对于所述磁场检测元件的相对位置被固定，且关于所述磁场检测元件位于所述第一软磁性体的相反侧，

在将所述第二软磁性体的所述第一方向上的尺寸设为L2；

将所述第二软磁性体的所述第二方向上的尺寸设为D2；并

将所述第二软磁性体的所述第三方向上的尺寸设为W2时，

L2＞D2且L2＞W2。

9.根据权利要求8所述的行程传感器，其中，

所述第一软磁性体和所述第二软磁性体关于通过所述磁场检测元件的磁感应部的中心且与所述第二方向和所述第三方向平行的面呈镜面对称。

10.根据权利要求9所述的行程传感器，其中，

在将所述磁铁的可相对移动的距离的最大值设为S；并

将所述第一方向上包含所述第一软磁性体和所述第二软磁性体的最小区间的长度设为T时，

0.69≤T/S≤1.5。

11.根据权利要求10所述的行程传感器，其中，

0.89≤T/S≤1.22。

12.根据权利要求8所述的行程传感器，其中，

L1＜L2。

13.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

所述磁铁的形状是具有与所述第一方向平行的中心轴的圆筒形或圆柱形。

14.根据权利要求1或2所述的行程传感器，其中，

所述第一软磁性体具有朝向所述第三方向且相互相对的两个面，所述两个面具有凹部或凸部。

15.一种制动系统，其中，

具有：

权利要求1～14中任一项所述的行程传感器、

制动踏板、以及

与所述制动踏板联动且在所述第一方向上移动的可动构件，

所述磁铁保持于所述可动构件。

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