CN116334546A - 一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 34
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
本发明提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片。
背景技术
随着LED芯片技术的发展，已衍生出较为成熟的倒装技术。倒装LED芯片，主要通过MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀）技术在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。
其中，倒装LED芯片需要设置反射镜，使得外延层发射出的光线全部从衬底面发出，一般反射镜为布拉格反射镜或者Ag反射镜，由于金属的Ag反射镜可以反射任何角度的光线，且Ag金属具有极强的导电性，使得使用Ag反射镜的倒装LED芯片外量子效率高、可靠性强，但是Ag金属与底材GaN或SiO2材料之间的粘附力较差，导致无法单独使用Ag金属作为反射镜，而需要在Ag金属与底材之间设置粘附层Ni金属，但设置粘附层Ni金属后，由于粘附层Ni金属具有一定的厚度，会对出射光进行部分阻挡，从而影响发光效率。
一般的，在Ag金属与底材中间设置的Ni层厚度介于20Å-50Å之间，反射镜的反射率介于80%-85%之间，相对纯Ag金属94%-96%反射率而言，反射率降低10%以上。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，旨在解决现有技术中，通过传统方式制备的Ni层厚度较厚，导致反射镜的反射率低的问题。
根据本发明实施例当中的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，所述方法包括：
提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率；
将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上；
在所述控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率的步骤中：
控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至所述第一预设功率，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s-15s，功率增长1000W，所述第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s-60s。
进一步的，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：
控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段和第五阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段和所述第五阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低1500W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为控制第四阶段中的功率最小值保持20s-30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，功率降低300W-500W，其中，所述第五阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s-60s。
进一步的，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：
控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段、第五阶段以及第六阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段、所述第五阶段以及所述第六阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低1000W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为以2000W的功率保持20s-30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低500W，所述第五阶段中的功率保持子阶段为以1500W的功率保持10s-20s，所述第六阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，功率降低300W-500W，其中，所述第六阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s-60s。
进一步的，所述第一预设功率为3000W，所述第二预设功率为1000W-1200W。
进一步的，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：
对所述Ni金属靶材的预设区域进行所述预融处理，其中，所述预设区域为所述Ni金属靶材的中心区域，所述中心区域的面积为0.6cm²-1.4cm²。
进一步的，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：
预融处理中的真空度为1E6torr-1E7torr。
进一步的，在所述将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上的步骤中：
蒸镀过程中镀锅转速为6s/圈-7s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为900%-999%，蒸镀时间为5s-10s，蒸镀功率为所述第二预设功率。
根据本发明实施例当中的一种倒装LED芯片，包括通过上述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的Ni金属。
进一步的，所述Ni金属的厚度为5Å-10Å。
与现有技术相比：本发明提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的实现流程图；
图2为实施例二至实施例五以及现有技术中的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的倒装LED芯片在各波段下进行反射率测试的曲线图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参考图1，为本发明实施例一提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的实现流程图，具体包括以下步骤：
S100：提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率。
在本实施例当中，将Ni金属靶材放在电子束机台中进行预融处理和蒸镀处理，其中，电子束机台包括Ni金属靶材放置处、位于该Ni金属靶材放置处正上方的盖板，以及位于盖板上方的可旋转的镀锅，具体的，在Ni金属靶材放置处的下方安设有电子束反射器，用于发射电子束，并作用于Ni金属靶材表面，另外，盖板为可打开/关闭的，当盖板处于关闭状态时，用于对部分蒸发的Ni金属靶材进行遮挡。
需要说明的是，对Ni金属靶材的预设区域进行预融处理，其中，预设区域为Ni金属靶材的中心区域，中心区域的面积为0.6cm²-1.4cm²，最优为1cm²，且在预融处理过程中，保证电子束机台中的真空度为1E6torr-1E7torr。预融处理的过程具体可以为，控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至第一预设功率，第一阶段、第二阶段以及第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，第一阶段、第二阶段以及第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s-15s，示例性的，功率增长子阶段的功率增长时间为10s、11s、12s、13s、14s或15s，但不限于此，功率增长子阶段的功率增长为1000W，第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s-30s，示例性的，控制第一阶段中的功率最大值保持20s、22s、24s、25s、26s或30s，但不限于此，第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s-30s，示例性的，控制第二阶段中的功率最大值保持20s、22s、24s、25s、26s或30s，但不限于此，第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s-60s，示例性的，控制第三阶段中的功率最大值保持50s、52s、54s、55s、56s或60s，但不限于此。可以理解的，第三阶段中的功率最大值即为第一预设功率，具体的，第一预设功率为3000W。
进一步的，再控制电子束功率以第一预设功率依次通过第四阶段和第五阶段降低至第二预设功率，第四阶段和第五阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，示例性的，功率降低子阶段的功率降低时间为10s、11s、12s、13s、14s或15s，但不限于此，功率降低子阶段的功率降低为1500W，第四阶段中的功率保持子阶段为控制第四阶段中的功率最小值保持20s-30s，示例性的，控制第四阶段中的功率最小值保持20s、22s、24s、25s、26s或30s，但不限于此，控制第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，示例性的，控制第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s、6s、7s、8s、9s或10s，但不限于此，功率降低300W-500W，示例性的，功率降低300W、400W或500W，但不限于此，其中，第五阶段中的功率保持子阶段为控制功率以第二预设功率保持50s-60s，示例性的，控制功率以第二预设功率保持50s、52s、54s、55s、56s或60s，但不限于此。可以理解的，控制第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低至第二预设功率，并控制功率以第二预设功率保持50s-60s，具体的，第二预设功率为1000W-1200W。
在本实施例当中，具体的预融处理可以为：
第一阶段：将电子束功率在10s内从0W升至1000W，然后保持1000W的功率30s；
第二阶段：在10s内将电子束功率从1000W升到2000W，然后保持2000W功率30s；
第三阶段：在10s内将电子束功率从2000W升到3000W，然后保持3000W功率60s；
第四阶段：在10s内将电子束功率从3000W降到1500W，然后保持1500W功率30s；
第五阶段：在10s内将电子束功率从1500W降到1000W，然后保持1000W的功率60s。
S200：将所述预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上。
其中，当Ni金属靶材预融完成后，打开盖板，即盖板不在Ni金属靶材上方进行遮挡，保持电子束机台中的真空度为1E6torr-1E7torr，具体的，控制镀锅转速为6s/圈-7s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为900%-999%，蒸镀时间为5s-10s，蒸镀功率为1000W-1200W，镀率为0.5Å/s-1Å/s，最终蒸镀的Ni金属的厚度为5Å-10Å，可以理解的，在上述的第五阶段中，最终保持的功率为1000W，则此时蒸镀的功率也为1000W。需要说明的是，Tooling值是为了调节实际镀膜的厚度与设计的误差，Tooling值等于实际蒸镀厚度值除以设计厚度值，可称为比例系数。
在本实施例当中，控制镀锅转速为6s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为990%，蒸镀时间为10s，镀率为0.5Å/s，蒸镀功率为1000W，蒸镀Ni金属的厚度为5Å。
实施例二
本发明实施例二同样提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，该方法与本发明实施例一提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的区别在于，以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤不同，其中：
在本实施例当中，控制电子束功率以第一预设功率依次通过第四阶段、第五阶段以及第六阶段降低至第二预设功率，第四阶段、第五阶段以及第六阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，示例性的，功率降低子阶段的功率降低时间为10s、11s、12s、13s、14s或15s，但不限于此，第四阶段的功率降低子阶段中功率降低1000W，第四阶段中的功率保持子阶段为以2000W的功率保持20s-30s，示例性的，第四阶段中的功率保持子阶段为以2000W的功率保持20s、22s、24s、25s、26s或30s，但不限于此，第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，示例性的，功率降低子阶段的功率降低时间为10s、11s、12s、13s、14s或15s，但不限于此，功率降低500W，第五阶段中的功率保持子阶段为以1500W的功率保持10s-20s，示例性的，第五阶段中的功率保持子阶段为以1500W的功率保持10s、12s、14s、15s、16s或20s，但不限于此，第六阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，示例性的，功率降低子阶段的功率降低时间为5s、6s、7s、8s、9s或10s，但不限于此，第六阶段的功率降低子阶段中功率降低300W-500W，示例性的，功率降低300W、400W或500W，但不限于此，其中，第六阶段中的功率保持子阶段为控制功率以第二预设功率保持50s-60s，示例性的，控制功率以第二预设功率保持50s、52s、54s、55s、56s或60s，但不限于此。可以理解的，控制第六阶段中的功率降低子阶段的功率降低至第二预设功率，并控制功率以第二预设功率保持50s-60s，具体的，第二预设功率为1000W-1200W。
在本实施例当中，具体的预融处理可以为：
第一阶段：将电子束功率在10s内从0W升至1000W，然后保持1000W的功率30s；
第二阶段：在10s内将电子束功率从1000W升到2000W，然后保持2000W功率30s；
第三阶段：在10s内将电子束功率从2000W升到3000W，然后保持3000W功率60s；
第四阶段：在10s内将电子束功率从3000W降到2000W，然后保持2000W功率30s；
第五阶段：在10s内将电子束功率从2000W降到1500W，然后保持1500W功率15s；
第六阶段：在10s内将电子束功率从1500W降到1000W，然后保持1000W的功率60s。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：
实施例三
本发明实施例三同样提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，该方法与本发明实施例二提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的区别在于，以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的工艺参数不同，以及蒸镀的工艺参数不同，其中：
在本实施例当中，具体的预融处理可以为：
第一阶段：将电子束功率在10s内从0W升至1000W，然后保持1000W的功率30s；
第二阶段：在10s内将电子束功率从1000W升到2000W，然后保持2000W功率30s；
第三阶段：在10s内将电子束功率从2000W升到3000W，然后保持3000W功率60s；
第四阶段：在10s内将电子束功率从3000W降到2000W，然后保持2000W功率30s；
第五阶段：在10s内将电子束功率从2000W降到1500W，然后保持1500W功率15s；
第六阶段：在10s内将电子束功率从1500W降到1100W，然后保持1100W的功率60s。
在本实施例当中，控制镀锅转速为6s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为990%，蒸镀时间为10s，镀率为0.5Å/s，蒸镀功率为1100W，蒸镀Ni金属的厚度为5Å。
实施例四
本发明实施例四同样提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，该方法与本发明实施例二提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的区别在于，以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的工艺参数不同，以及蒸镀的工艺参数不同，其中：
在本实施例当中，具体的预融处理可以为：
第一阶段：将电子束功率在10s内从0W升至1000W，然后保持1000W的功率30s；
第二阶段：在10s内将电子束功率从1000W升到2000W，然后保持2000W功率30s；
第三阶段：在10s内将电子束功率从2000W升到3000W，然后保持3000W功率60s；
第四阶段：在10s内将电子束功率从3000W降到2000W，然后保持2000W功率30s；
第五阶段：在10s内将电子束功率从2000W降到1500W，然后保持1500W功率15s；
第六阶段：在10s内将电子束功率从1500W降到1200W，然后保持1200W的功率60s。
在本实施例当中，控制镀锅转速为6s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为990%，蒸镀时间为10s，镀率为0.5Å/s，蒸镀功率为1200W，蒸镀Ni金属的厚度为5Å。
实施例五
本发明实施例五同样提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，该方法与本发明实施例二提供的一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法的区别在于，蒸镀的工艺参数不同，其中：
在本实施例当中，控制镀锅转速为6s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为990%，蒸镀时间为10s，镀率为1Å/s，蒸镀功率为1000W，蒸镀Ni金属的厚度为10Å。
将实施例二至实施例五以及现有技术中的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的倒装LED芯片在450nm下进行反射率测试，具体结果如下：
表1
由表1中可以看出，采用本发明实施例中的方法制备得到的倒装LED芯片在450nm的反射率具有明显提升，另外，采用本发明实施例中的方法制备得到的Ni金属的厚度仅为5Å-10Å，相比于现有技术中20 Å的Ni金属来说，厚度明显减小，具体的，本发明实施例五制备得到的倒装LED芯片在450nm的反射率最佳，为93.453%。
另外，请参阅图2，为实施例二至实施例五以及现有技术中的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的倒装LED芯片在各波段下进行反射率测试的曲线图，从图中可以发现，在各波段下，采用本发明实施例中的方法制备得到的倒装LED芯片的反射率均高于现有技术。
综上，本发明实施例当中的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片，该方法通过提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，预融后的Ni金属靶材用于蒸镀至外延片上，其中，在预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以第一预设功率阶段式降低至第二预设功率，后将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上，以得到附着于衬底上的超薄Ni金属，使得超薄Ni金属作为Ag反射镜的粘附层时，反射镜的反射率大幅提高。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材，其中，在所述预融处理中，控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率，再以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率；
将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上；
在所述控制电子束功率以初始功率先阶段式增长至第一预设功率的步骤中：
控制电子束功率以初始功率依次通过第一阶段、第二阶段以及第三阶段增长至所述第一预设功率，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段均包括功率增长子阶段和功率保持子阶段，所述第一阶段、所述第二阶段以及所述第三阶段中各个阶段中的功率增长子阶段的功率增长时间为10s-15s，功率增长1000W，所述第一阶段中的功率保持子阶段为控制第一阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第二阶段中的功率保持子阶段为控制第二阶段中的功率最大值保持20s-30s，所述第三阶段中的功率保持子阶段为控制第三阶段中的功率最大值保持50s-60s。
2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：
控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段和第五阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段和所述第五阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低1500W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为控制第四阶段中的功率最小值保持20s-30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，功率降低300W-500W，其中，所述第五阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s-60s。
3.根据权利要求1所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述以所述第一预设功率阶段式降低至第二预设功率的步骤中：
控制电子束功率以所述第一预设功率依次通过第四阶段、第五阶段以及第六阶段降低至所述第二预设功率，所述第四阶段、所述第五阶段以及所述第六阶段中各个阶段均包括功率降低子阶段和功率保持子阶段，所述第四阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低1000W，所述第四阶段中的功率保持子阶段为以2000W的功率保持20s-30s，所述第五阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为10s-15s，功率降低500W，所述第五阶段中的功率保持子阶段为以1500W的功率保持10s-20s，所述第六阶段中的功率降低子阶段的功率降低时间为5s-10s，功率降低300W-500W，其中，所述第六阶段中的功率保持子阶段为控制功率以所述第二预设功率保持50s-60s。
4.根据权利要求2或3所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，所述第一预设功率为3000W，所述第二预设功率为1000W-1200W。
5.根据权利要求2或3所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：
对所述Ni金属靶材的预设区域进行所述预融处理，其中，所述预设区域为所述Ni金属靶材的中心区域，所述中心区域的面积为0.6cm²-1.4cm²。
6.根据权利要求2或3所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述提供一Ni金属靶材，并进行预融处理，得到预融后的Ni金属靶材的步骤中：
预融处理中的真空度为1E6torr-1E7torr。
7.根据权利要求4所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法，其特征在于，在所述将预融后的Ni金属靶材按预设条件蒸镀至外延片上的步骤中：
蒸镀过程中镀锅转速为6s/圈-7s/圈，蒸镀温度为常温，蒸镀过程中Tooling值为900%-999%，蒸镀时间为5s-10s，蒸镀功率为所述第二预设功率。
8.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括通过权利要求1至7中任一项所述的电子束蒸镀超薄Ni金属的方法制备得到的Ni金属。
9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述Ni金属的厚度为5Å-10Å。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116334546A true CN116334546A (zh) | 2023-06-27 |
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ID=86889794
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202310603579.XA Active CN116334546B (zh) | 2023-05-26 | 2023-05-26 | 一种电子束蒸镀超薄Ni金属的方法及倒装LED芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN116334546B (zh) |
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- 2023-05-26 CN CN202310603579.XA patent/CN116334546B/zh active Active
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|---|---|
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