CN116322153A - 显示模组、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示模组、显示面板和显示装置，显示模组包括：基板，基板设有发光单元以及用于驱动发光单元的TFT，TFT包括有源层、栅极、与有源层电连接的源漏层，源漏层设置于发光单元与有源层之间，源漏层在基板上的正投影覆盖有源层的半导体区在基板上的正投影；源漏层包括第一区域部与第二区域部，第二区域部沿着第一区域部的外周边沿延伸，第二区域部在基板上的正投影围绕第一区域部在基板上的正投影设置，第二区域部与第一区域部之间的夹角为钝角或直角。通过第二区域部可以遮挡环境光，减少照射到有源层的半导体区的环境光，减少光线对于有源层的半导体区的影响，防止由于环境光照射半导体区引起粉色显示不良的问题，提高显示效果。

Description

显示模组、显示面板和显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示模组、显示面板和显示装置。

背景技术

随着电子产品的发展，越来越多的电子设备具有显示功能，电子设备上的显示屏成为了重要部件。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示具有色域高、亮度高、功耗低、清晰度高、柔性好、发光效率高等优点，因此受到广泛的关注。但是，现有的OLED显示屏在使用过程中，环境中的光照射到显示屏上，显示屏的部分区域会出现粉色，引起显示不良，影响使用效果。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种显示模组、显示面板和显示装置，用以及解决环境光照射时显示屏易出现粉色显示不良的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示模组，包括：

基板，所述基板设有发光单元以及用于驱动所述发光单元的TFT，所述TFT包括有源层、栅极、与所述有源层电连接的源漏层，所述源漏层设置于所述发光单元与所述有源层之间，所述源漏层在所述基板上的正投影覆盖所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影；

所述源漏层包括第一区域部与第二区域部，所述第二区域部沿着所述第一区域部的外周边沿延伸，所述第二区域部在所述基板上的正投影围绕所述第一区域部在所述基板上的正投影设置，所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角为钝角或直角。

可选地，所述第二区域部设置于所述第一区域部靠近所述基板的一侧。

可选地，所述第二区域部设置于所述第一区域部远离所述基板的一侧。

可选地，所述第二区域部的数量为多个，至少一个所述第二区域部设置于所述第一区域部远离所述基板的一侧，至少一个所述第二区域部设置于所述第一区域部靠近所述基板的一侧。

可选地，所述第一区域部在所述基板上的正投影覆盖所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影。

可选地，所述第二区域部在所述基板上的正投影围绕所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影设置。

可选地，所述第二区域部在所述基板上的正投影与所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影间隔设置。

可选地，所述夹角为110～155度。

可选地，所述第二区域部在垂直于所述基板上的高度为0.5-2um。

可选地，所述第二区域部的数量为多个，多个所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角相同。

可选地，所述显示模组还包括：

屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述基板，所述TFT设置于所述屏蔽层远离所述基板的一侧。

可选地，所述有源层与所述屏蔽层之间设有第一衬层。

可选地，所述显示模组还包括：

第二衬层，所述第二衬层设置于所述源漏层与所述有源层之间。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括上述实施例中所述的显示模组。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例中所述的显示面板。

本发明实施例的显示模组中，所述基板设有发光单元以及用于驱动所述发光单元的TFT，所述TFT包括有源层、栅极、与所述有源层电连接的源漏层，所述源漏层设置于所述发光单元与所述有源层之间，所述源漏层在所述基板上的正投影覆盖所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影；所述源漏层包括第一区域部与第二区域部，所述第二区域部沿着所述第一区域部的外周边沿延伸，所述第二区域部在所述基板上的正投影围绕所述第一区域部在所述基板上的正投影设置，所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角为钝角或直角。通过第二区域部可以遮挡环境光，减少照射到有源层的半导体区的环境光，减少光线对于有源层的半导体区的影响，防止由于环境光照射有源层的半导体区引起出现粉色显示不良的问题，提高显示效果。另外，所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角为钝角或直角可以减少源漏层在基板上的正投影的面积，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。

附图说明

图1为在第一平坦层上形成源漏层的一个流程示意图；

图2为本发明一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图3为光线在具有本发明实施例中源漏层时的一个光路示意图；

图4为在第一平坦层上形成源漏层的另一个流程示意图；

图5为本发明另一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图6为在第一平坦层上形成源漏层的又一个流程示意图；

图7为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图8为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图9为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图10为现有显示模组中源漏层的一个结构示意图；

图11为显示模组中源漏层增加面积后的一个结构示意图；

图12为本发明一实施例的显示模组中源漏层的一个结构示意图；

图13为图12中局部A的一个放大示意图；

图14为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图15为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图16为在第二平坦层上形成第一电极的一个流程示意图；

图17为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图18为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图19为在第二平坦层上形成第一电极的另一个流程示意图；

图20为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图21为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图22为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图23为本发明又一实施例中显示模组的一个结构示意图；

图24为在第二平坦层上形成第一电极的又一个流程示意图；

图25为光线在具有本发明实施例中第一电极时的一个光路示意图；

图26为现有显示模组中第一电极的一个结构示意图；

图27为显示模组中第一电极增加面积后的一个结构示意图；

图28为本发明一实施例的显示模组中第一电极的一个结构示意图；

图29为图28中局部B的一个放大示意图。

附图标记

基板10；衬底11；覆盖层12；第一沉积层13；第二沉积层14；

第一平坦层15；第二平坦层16；像素界定层17；封装层18；

发光单元20；第一电极21；发光层23；第二电极22；

第三区域部211；第四区域部212；有源层30；

源漏层40；第一区域部41；第二区域部42；源漏层43；

屏蔽层50；第一衬层61；第二衬层62。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图1至图29所示，通过具体的实施例及其应用场景对本发明实施例提供的显示模组、显示面板和显示装置进行详细地说明。

如图1至图9所示，本发明实施例的显示模组，包括：基板10，基板10设有发光单元20以及用于驱动发光单元20的TFT，基板10可以为玻璃基板或聚酰亚胺基板。TFT包括有源层30、栅极、与有源层30电连接的源漏层40，有源层30可以包括半导体区与导体区，半导体区可以位于有源层30的中间区域，导体区可以位于有源层30的边缘区域，源漏层40可以与导体区电连接。源漏层40可以设置于发光单元20与有源层30之间，源漏层40和发光单元20、有源层30间隔设置。源漏层40在基板10上的正投影覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，源漏层40在基板10上的正投影可以覆盖有源层30在基板10上的正投影。源漏层40包括第一区域部41与第二区域部42，第二区域部42沿着第一区域部41的外周边沿延伸，第二区域部42在基板10上的正投影围绕第一区域部41在基板10上的正投影设置，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为钝角或直角，第二区域部42与第一区域部41不处于同一平面。TFT可以包括驱动晶体管和补偿晶体管中的至少一种，比如，TFT可以为驱动晶体管或者补偿晶体管，具体的晶体管也可以根据实际情况合理选择。

第二区域部42的数量可以为一个或多个，比如，第二区域部42的数量可以为两个，两个第二区域部42可以间隔设置或接触连接设置。在第二区域部42的数量为多个的情况下，多个第二区域部42与第一区域部41之间的夹角可以相同或不同，比如，多个第二区域部42与第一区域部41之间的夹角可以相同，有利于对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在第一区域部41的外周边沿设置第二区域部42，第二区域部42处于倾斜状态，通过第二区域部42可以有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。如图3所示，源漏层40可以对斜视角的光照进行遮挡，相比于直接扩大源漏层44面积的方式，在产生相同遮光作用的情况下，本实施例的源漏层40的正投影面积可以显著减小，从而减少OLED正视角透过率的损失。

发光单元20与TFT的数量可以均为多个，每个TFT可以用于驱动一个发光单元20。发光单元20可以包括第一电极21、发光层23与第二电极22，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极，通过第一电极21与第二电极22驱动发光层发光。发光单元20的数量可以为多个，至少一个发光单元20可以发出具有第一波长的光，至少一个发光单元20可以发出具有第二波长的光，至少一个发光单元20可以发出具有第三波长的光，第一波长、第二波长与第三波长可以不同，比如，第一波长的光可以为红光，第二波长的光可以为绿光，第三波长的光可以为蓝光，通过不同的发光单元20可以发出所需波长的光。

本发明实施例的显示模组中，源漏层40在基板10上的正投影覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，源漏层40的第二区域部42沿着第一区域部41的外周边沿延伸，第二区域部42在基板10上的正投影围绕第一区域部41在基板10上的正投影设置，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为钝角或直角，通过第二区域部42可以遮挡环境光，减少照射到有源层的半导体区的环境光，减少光线对于有源层的半导体区的影响，防止由于环境光照射有源层的半导体区引起出现粉色显示不良的问题，提高显示效果。另外，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为钝角或直角可以减少源漏层在基板上的正投影的面积，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。

在一些实施例中，如图2、图14所示，第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧，第二区域部42可以设置于第一区域部41的同一侧。第二区域部42的数量可以为多个，比如，第二区域部42的数量可以为两个，两个第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧，两个第二区域部42可以对称设置，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图1所示在制备源漏层40之前，可以在利用曝光工艺在和源漏层40对应的第一平坦层15上制备凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凸起的高度可以为0.5～2um，在凸起上制备源漏层40，然后可以形成第二平坦层16，然后完成后续的工艺。

在另一些实施例中，如图5、图17所示，第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧。第二区域部42可以设置于第一区域部41的同一侧。第二区域部42的数量可以为多个，比如，第二区域部42的数量可以为两个，两个第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧，两个第二区域部42可以对称设置，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图4所示，在制备源漏层40之前，可以在利用曝光工艺在和源漏层40对应的第一平坦层15上制备凹槽与凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凹槽的深度与凸起的高度可以为0.5～2um，在凹槽内壁上制备源漏层40，然后完成后续的工艺。

可选地，如图7、图9、图22所示，第二区域部42的数量可以为多个，至少一个第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧，至少一个第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧。比如，第二区域部42的数量可以为两个，一个第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧，另一个第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图6所示，在制备源漏层40之前，可以在利用曝光工艺在和源漏层40对应的第一平坦层15上制备凹槽与凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凹槽的深度与凸起的高度可以为0.5～2um，在凹槽内壁上制备源漏层40，然后完成后续的工艺。图8与图9中源漏层40的制备可以参照上述制备过程。

发光单元20与TFT的数量可以均为多个，每个TFT可以用于驱动一个发光单元20，每个发光单元20所连接的TFT可以对应设置于发光单元20靠近基板10的一侧。多个TFT中源漏层40的形状可以相同或不同，多个TFT中源漏层40的形状可以相同，便于加工制造，简化工艺。比如，发光单元20与TFT的数量可以均为四个，四个TFT中源漏层40的形状可以相同或不同，四个TFT中源漏层40的形状可以相同，便于加工制造，简化工艺。

如图2所示，四个TFT中源漏层40的第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧。如图5所示，四个TFT中源漏层40的第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧。如图7、图9所示，四个TFT中，每个TFT的源漏层40具有两个第二区域部42，源漏层40的一个第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧，源漏层40的另一个第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧。如图8所示，两个TFT中源漏层40的第二区域部42可以设置于第一区域部41靠近基板10的一侧，另外两个TFT中源漏层40的第二区域部42可以设置于第一区域部41远离基板10的一侧。

在一些实施例中，第一区域部41在基板10上的正投影覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，第一区域部41在基板10上的正投影覆盖有源层30在基板10上的正投影，可以增大第一区域部41的覆盖面积，使得第一区域部41可以阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，使得设置于第一区域部41外周边沿的第二区域部42可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在本发明的实施例中，第二区域部42在基板10上的正投影围绕有源层30的半导体区在基板10上的正投影设置，第二区域部42在基板10上的正投影也可以围绕有源层30在基板10上的正投影设置，第二区域部42在基板10上的正投影的内边沿与有源层30的半导体区在基板10上的正投影的外边沿可以接触相连，使得第二区域部42可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在一些实施例中，第二区域部42在基板10上的正投影与有源层30的半导体区在基板10上的正投影可以间隔设置，第二区域部42在基板10上的正投影与有源层30在基板10上的正投影也可以间隔设置，第二区域部42在基板10上的正投影的内边沿与有源层30的半导体区在基板10上的正投影的外边眼可以间隔设置，使得第二区域部42可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在本发明的实施例中，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为110～155度，比如，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为135度。第二区域部42与第一区域部41之间的夹角较小时，不能有效地阻挡环境光；第二区域部42与第一区域部41之间的夹角较大时，第二区域部42与第一区域部41之间接近处于同一平面，在实现阻挡环境光的情况下第二区域部42的面积较大，第二区域部42在基板10上的正投影的面积较大，容易阻挡在垂直于基板10方向上的环境光，不利于保证环境光的透过率，影响环境光传感器和指纹孔的正常使用。因此，第二区域部42与第一区域部41之间的夹角为110～155度，具体的角度可以根据实际情况选择，使得第二区域部42可以有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响，同时还可以减少第二区域部42在基板上的正投影的面积，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。

在一些实施例中，第二区域部42在垂直于基板10上的高度可以为0.5-2um，比如，第二区域部42在垂直于基板10上的高度可以为0.5um或2um，如果第二区域部42在垂直于基板10上的高度较小不能有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，如果第二区域部42在垂直于基板10上的高度较大，虽然可以有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，但是较大的面积浪费材料，也增加制备工艺难度，因此，第二区域部42在垂直于基板10上的高度可以为0.5-2um，使得第二区域部42能有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，又减小制备难度。在本发明的实施例中，第二区域部42的数量可以为多个，多个第二区域部42与第一区域部41之间的夹角可以相同，比如，多个第二区域部42与第一区域部41之间的夹角可以为135度，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。

在一些实施例中，显示模组还可以包括：屏蔽层50，屏蔽层50的材料可以为导电材料，屏蔽层50可以为金属材料，比如屏蔽层50可以为钼、铝等材料。屏蔽层50可以设置于基板10，TFT可以设置于屏蔽层50远离基板10的一侧。有源层30与屏蔽层50之间可以间隔设置，通过屏蔽层50可以具有屏蔽作用，可以屏蔽外部的电磁信号，减少对于模组的影响。可选地，有源层30与屏蔽层50之间可以设有第一衬层61，第一衬层61可以为绝缘层，通过第一衬层61可以支撑有源层30，可以将有源层30与屏蔽层50之间隔离开。

可选地，显示模组还可以包括：第二衬层62，第二衬层62可以设置于源漏层40与有源层30之间。第二衬层62可以为绝缘层，源漏层40与有源层30之间可以通过第二衬层62上的过孔连接，通过第二衬层62可以将有源层30与屏蔽层50之间隔离开。在显示模组中还可以设置源漏层43，源漏层43可以与源漏层40并连连接，通过源漏层43可以有利于降低信号电压。源漏层43可以设置于源漏层40与有源层30之间，源漏层40在基板10上的正投影可以覆盖源漏层43在基板10上的正投影，源漏层43的面积可以小于源漏层40的面积，源漏层43在基板10上的正投影可以覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，通过源漏层43也可以有利于阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减小环境光对有源层30的半导体区的影响。

如图2、图5、图7至图9所示，在基板10上可以设置衬底11，在衬底层11上可以设置屏蔽层50，在屏蔽层50上可以设置第一衬层61，在第一衬层61上可以设置有源层30，在第一衬层61上可以设置覆盖有源层30的覆盖层12，覆盖层12可以为绝缘层，在覆盖层12上可以设置第二衬层62，在第二衬层62上可以设置源漏层43，在第二衬层62上可以设置覆盖源漏层43的第一沉积层13，在第一沉积层13上可以设置第二沉积层14，第一沉积层13与第二沉积层14可以为绝缘层，在第二沉积层14上可以设置第一平坦层15，在第一平坦层15上可以设置源漏层40，源漏层40可以通过过孔与有源层30电连接。在第一平坦层15上可以设置覆盖源漏层40的第二平坦层16，在第二平坦层16上可以设置像素界定层17，在像素界定层17的开口中可以设置发光单元20，发光单元包括层叠设置的第一电极21、发光层23与第二电极22，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极。在发光单元20上方可以设置封装层18，以保护发光单元与膜层。

如图10所示，现有显示模组中的源漏层的结构示意图，如图11所示为增大源漏层面积后的示意图，如图12所示为在本发明实施例中的源漏层的结构示意图。将具有图10中源漏层的显示模组作为比较例1，将具有图11中源漏层的显示模组作为比较例2，将具有图12中源漏层的显示模组作为实施例，以倾斜角度45度的光线光照，测试光的透过率以及显示模组的发粉情况，具体如表1所示。

表1不同显示模组的透过率与发粉情况

从表1可知，本发明中的显示模组的无发粉色情况，透光率可以满足要求，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。可以看到，在达到相同的遮光效果的情况下，实施例1的透过率较比较例2中直接扩大源漏层的面积的方案明显提升。

在本发明的实施例中，发光单元20可以包括第一电极21、发光层23与第二电极22，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极，通过第一电极21与第二电极22驱动发光层发光。如图14至图25所示，第一电极21包括第三区域部211与第四区域部212，第四区域部212沿着第三区域部211的外周边沿延伸，第四区域部212在基板10上的正投影围绕第三区域部211在基板10上的正投影设置，第三区域部211与第四区域部212之间的夹角为钝角或直角，第三区域部211与第四区域部212不处于同一平面。

第四区域部212的数量可以为一个或多个，比如，第四区域部212的数量可以为两个，两个第四区域部212可以间隔设置或接触连接设置。在第四区域部212的数量为多个的情况下，多个第四区域部212与第三区域部211之间的夹角可以相同或不同，比如，多个第四区域部212与第三区域部211之间的夹角可以相同，有利于对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在第三区域部211的外周边沿设置第四区域部212，第四区域部212处于倾斜状态，通过第四区域部212可以有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。如图25所示，第一电极21可以对斜视角的光照进行遮挡，相比于直接扩大第一电极24面积的方式，在产生相同遮光作用的情况下，本实施例的第一电极21的正投影面积可以显著减小，从而减少OLED正视角透过率的损失。

本发明实施例的显示模组中，第一电极21在基板10上的正投影覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，第一电极21的第四区域部212沿着第三区域部211的外周边沿延伸，第四区域部212在基板10上的正投影围绕第三区域部211在基板10上的正投影设置，第四区域部212与第三区域部211之间的夹角为钝角或直角，通过第四区域部212可以遮挡环境光，减少照射到有源层的半导体区的环境光，减少光线对于有源层的半导体区的影响，防止由于环境光照射有源层的半导体区引起出现粉色显示不良的问题，提高显示效果。另外，第四区域部212与第三区域部211之间的夹角为钝角或直角可以减少源漏层在基板上的正投影的面积，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。

在一些实施例中，如图14和图15所示，第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧，第四区域部212可以设置于第三区域部211的同一侧。第四区域部212的数量可以为多个，比如，第四区域部212的数量可以为两个，两个第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧，两个第四区域部212可以对称设置，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图16所示在制备第一电极21之前，可以在利用曝光工艺在和第一电极21对应的第二平坦层16上制备凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凸起的高度可以为0.5～2um，在凸起上制备第一电极21，然后完成后续的工艺。

在另一些实施例中，如图17和图18所示，第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧。第四区域部212可以设置于第三区域部211的同一侧。第四区域部212的数量可以为多个，比如，第四区域部212的数量可以为两个，两个第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧，两个第四区域部212可以对称设置，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图19所示，在制备第一电极21之前，可以在利用曝光工艺在和第一电极21对应的第二平坦层16上制备凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凸起的高度可以为0.5～2um，在凸起上制备第一电极21，然后完成后续的工艺。

可选地，如图22和图23所示，第四区域部212的数量可以为多个，至少一个第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧，至少一个第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧。比如，第四区域部212的数量可以为两个，一个第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧，另一个第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。在制备过程中，如图24所示，在制备第一电极21之前，可以在利用曝光工艺在和第一电极21对应的第二平坦层16上制备凸起，凸起倾斜边的坡度角可以为25～70度，优选45度，凸起的高度可以为0.5～2um，在凸起上制备第一电极21，然后完成后续的工艺。发光单元20与TFT的数量可以均为多个，每个TFT可以用于驱动一个发光单元20。多个发光单元20中第一电极21的形状可以相同或不同，多个发光单元20中第一电极21的形状可以相同，便于加工制造，简化工艺。比如，发光单元20与TFT的数量可以均为四个，四个发光单元20中第一电极21的形状可以相同或不同，四个发光单元20中第一电极21的形状可以相同，便于加工制造，简化工艺。

如图14和图15所示，四个发光单元20中第一电极21的第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧。如图17和图18所示，四个发光单元20中源漏层40的第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧。如图22和图23所示，四个发光单元20中，每个发光单元20的第一电极21具有两个第四区域部212，第一电极21的一个第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧，第一电极21的另一个第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧。如图20和图21所示，两个发光单元20中第一电极21的第四区域部212可以设置于第三区域部211靠近基板10的一侧，另外两个发光单元20中第一电极21的第四区域部212可以设置于第三区域部211远离基板10的一侧。

在一些实施例中，第三区域部211在基板10上的正投影覆盖有源层30的半导体区在基板10上的正投影，第三区域部211在基板10上的正投影覆盖有源层30在基板10上的正投影，可以增大第三区域部211的覆盖面积，使得第三区域部211可以阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，使得设置于第三区域部211外周边沿的第四区域部212可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在本发明的实施例中，第四区域部212在基板10上的正投影围绕有源层30的半导体区在基板10上的正投影设置，第四区域部212在基板10上的正投影也可以围绕有源层30在基板10上的正投影设置，第四区域部212在基板10上的正投影的内边沿与有源层30的半导体区在基板10上的正投影的外边沿可以接触相连，使得第四区域部212可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在一些实施例中，第四区域部212在基板10上的正投影与有源层30的半导体区在基板10上的正投影可以间隔设置，第四区域部212在基板10上的正投影与有源层30在基板10上的正投影也可以间隔设置，第四区域部212在基板10上的正投影的内边沿与有源层30的半导体区在基板10上的正投影的外边眼可以间隔设置，使得第四区域部212可以更加有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响。

在本发明的实施例中，第四区域部212与第三区域部211之间的夹角为110～155度，比如，第四区域部212与第三区域部211之间的夹角为135度。第四区域部212与第三区域部211之间的夹角较小时，不能有效地阻挡环境光；第四区域部212与第三区域部211之间的夹角较大时，第四区域部212与第三区域部211之间接近处于同一平面，在实现阻挡环境光的情况下第四区域部212的面积较大，第四区域部212在基板10上的正投影的面积较大，容易阻挡在垂直于基板10方向上的环境光，不利于保证环境光的透过率，影响环境光传感器和指纹孔的正常使用。因此，第四区域部212与第三区域部211之间的夹角为110～155度，具体的角度可以根据实际情况选择，使得第四区域部212可以有效地阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，减少环境光对有源层30的半导体区的影响，同时还可以减少第四区域部212在基板上的正投影的面积，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。

在一些实施例中，第四区域部212在垂直于基板10上的高度可以为0.5-2um，比如，第四区域部212在垂直于基板10上的高度可以为0.5um或2um，如果第四区域部212在垂直于基板10上的高度较小不能有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，如果第四区域部212在垂直于基板10上的高度较大，虽然可以有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，但是较大的面积浪费材料，也增加制备工艺难度，因此，第四区域部212在垂直于基板10上的高度可以为0.5-2um，使得第四区域部212能有效阻挡环境光照射到有源层30的半导体区，又减小制备难度。

在本发明的实施例中，第四区域部212的数量可以为多个，多个第四区域部212与第三区域部211之间的夹角可以相同，比如，多个第四区域部212与第三区域部211之间的夹角可以为135度，以便对有源层的半导体区具有相同的遮光效果。如图26所示，现有显示模组中第一电极的结构示意图，如图27所示为增大第一电极面积后的示意图，如图28所示为在本发明实施例中的第一电极的结构示意图。将具有图26中第一电极的显示模组作为比较例3，将具有图27中第一电极的显示模组作为比较例4，将具有图28中第一电极的显示模组作为实施例2，以倾斜角度45度的光线光照，测试光的透过率以及显示模组的发粉情况，具体如表2所示。

表2不同显示模组的透过率与发粉情况

从表2可知，本发明中的显示模组的无发粉色情况，透光率可以满足要求，有利于保证环境光的透过率，保证环境光传感器和指纹孔的正常使用。可以看到，在达到相同的遮光效果的情况下，实施例2的透过率较比较例4中直接扩大第一电极的面积的方案明显提升。

在本发明的实施例中，源漏层40可以包括第一区域部41与第二区域部42，可以将源漏层40设置为上述实施例中的源漏层的结构。第一电极21可以包括第三区域部211与第四区域部212，可以将第一电极21设置为上述实施例中的第一电极的结构。也可以同时将源漏层40设置为上述实施例中的结构，将第一电极21设置为上述实施例中的结构。

本发明实施例提供一种显示面板，包括上述实施例中所述的显示模组。具有上述实施例中所述的显示模组的显示面板，可以防止由于环境光照射有源层的半导体区引起出现粉色显示不良的问题，提高显示效果。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述实施例中所述的显示面板。具有上述实施例中所述的显示面板的显示装置，可以防止由于环境光照射有源层的半导体区引起出现粉色显示不良的问题，提高显示效果。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (15)

1.一种显示模组，其特征在于，包括：

基板，所述基板设有发光单元以及用于驱动所述发光单元的TFT，所述TFT包括有源层、栅极、与所述有源层电连接的源漏层，所述源漏层设置于所述发光单元与所述有源层之间，所述源漏层在所述基板上的正投影覆盖所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影；

所述源漏层包括第一区域部与第二区域部，所述第二区域部沿着所述第一区域部的外周边沿延伸，所述第二区域部在所述基板上的正投影围绕所述第一区域部在所述基板上的正投影设置，所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角为钝角或直角。

2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部设置于所述第一区域部靠近所述基板的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部设置于所述第一区域部远离所述基板的一侧。

4.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部的数量为多个，至少一个所述第二区域部设置于所述第一区域部远离所述基板的一侧，至少一个所述第二区域部设置于所述第一区域部靠近所述基板的一侧。

5.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第一区域部在所述基板上的正投影覆盖所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影。

6.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部在所述基板上的正投影围绕所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影设置。

7.根据权利要求6所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部在所述基板上的正投影与所述有源层的半导体区在所述基板上的正投影间隔设置。

8.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述夹角为110～155度。

9.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部在垂直于所述基板上的高度为0.5-2um。

10.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二区域部的数量为多个，多个所述第二区域部与所述第一区域部之间的夹角相同。

11.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，还包括：

屏蔽层，所述屏蔽层设置于所述基板，所述TFT设置于所述屏蔽层远离所述基板的一侧。

12.根据权利要求11所述的显示模组，其特征在于，所述有源层与所述屏蔽层之间设有第一衬层。

13.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，还包括：

第二衬层，所述第二衬层设置于所述源漏层与所述有源层之间。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-13中任一项所述的显示模组。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。

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