CN1162874C - 铁磁材料、不可逆设备及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

一种不可逆设备，包括至少一个铁磁部件(21或22)。通过控制铁磁部件(21和22)的FMR行距ΔH，控制互调失真。

Description

铁磁材料、不可逆设备及其控制方法
技术领域
本发明涉及一种控制不可逆设备的互调失真的方法，用于实施这种方法的铁磁材料，以及使用这种铁磁材料的不可逆设备。
背景技术
全世界范围内码分多路访问(CDMA)方法已经被广泛地应用在诸如蜂窝电话和个人手提电话的移动通信领域中。由于这种趋势，诸如隔离器和循环器的不可逆设备的互调失真(此后称为IMD)已经引起人们对它的注意，而这些在模拟通信机制中是不必要考虑的。IMD代表在两个或多个信号被提供给不可逆设备中使用的非线性设备时出现的不需要的信号。
例如，当一个频率为f1和另一个频率为f2的两个信号被同时输入到不可逆设备时，就会出现除频率f1和f2之外的频率成份，如具有(2f1-f2)频率成份的边带和具有(2f2-f1)频率成分的边带。这些边带将引起串扰和噪声，应该进行抑制。
IMD可通过把足够强的直流(以下简称为d.c.)磁场应用于铁磁部件而被抑制，这个磁场来自在不可逆设备处提供的磁体。但是，应用d.c.磁场会产生的副作用，即，分配给不可逆设备的频带会向高频侧移动，同时感兴趣的频带变窄，导致不可逆设备的性能降低。另外，对更致密更薄的不可逆设备的需求阻碍了把足够强的d.c.磁场应用于更致密更薄的不可逆设备中。
而且，由于致密移动通信设备是电池供电的，使用低损耗的设备对于实现致密移动通信设备的长时间工作是必不可少的。当致密移动通信设备配备有这种不可逆设备时，期望这种致密通信设备具有低损耗特性。不仅是做为‘终端站’的致密移动通信设备，做为‘基站’的设备也提供了较小的覆盖面积，因此在该设备中使用了小功率的放大器，而且，也希望要用作基站的不可逆设备也具有这种低能耗特性。
而且，在不可逆设备中使用的铁磁材料要有足够低的铁磁共振行距(linewidth)(此后称为“FMR行距”并以ΔH表示)，该行距作为磁损耗项。
在不可逆设备中，由于铁磁材料与磁体组合来使用，因此形成该铁磁部件的铁磁材料的磁化强度在假定温度系数可以补偿该磁体的温度特性时是理想的。饱和磁化强度的温度系数与居里温度(Tc)之间有密切的对应关系，通常要求相应于其温度没有大的改变的磁体要有较高的居里温度Tc。
日本专利特许公开No.31288/1981(Kokoku 56-31288)公开一种技术，通过该技术，通过改变由铟(In)和铝(Al)代替的钇-钙-钒-铁石榴石铁氧体(在此称为或表示为‘Y-CaV-Fe石榴石铁氧体’)的组成比例，就可以任意改变饱合磁化强度值。
但是，上述材料即Y-CaV-Fe石榴石铁氧体的居里温度低至于160℃或160℃以下，因此由Y-CaV-Fe石榴石铁氧体形成的不可逆设备遇到了一个实际问题，不可逆设备必须限定在某一温度或以下使用。另外，由于(In)是稀少资源，使用(In)而得到的铁氧体必然昂贵。
发明内容
相应地，本发明致力于：
一个互调失真控制方法，它能够在即使不能施加足够强的d.c.磁场给磁性材料时降低互调失真；
用于实施该互调失真控制方法的铁磁材料；
由其形成的不可逆设备。
本发明还致力于：
在制作更致密、更薄的不可逆设备方面更有效的互调失真控制方法；
用于实施该互调失真控制方法的铁磁材料；
由其形成的不可逆设备。
本发明还致力于：
具有优越的温度特性的低成本的铁磁材料；
由其形成的不可逆设备。
为此，根据本发明，控制包含在不可逆设备中的铁磁材料的铁磁共振行距以便控制不可逆设备的互调失真。按照该控制方法，即使在不能向铁磁材料施加足够强的d.c.磁场时，也可改善不可逆设备的互调失真，由此足以满足对更致密、更薄的不可逆设备的需求。
附图说明
图1表示由在不可逆设备中使用的磁体d.c.磁场的强度与IMD之间的关系；
图2表示Y-Al-Fe石榴石铁氧体的孔隙度与FMR行距ΔH之间的关系；
图3表示增量ΔHp与IMD之间的关系；
图4是表示使用不同的Zr替代量的样品的IMD功率依赖性的特性图；
图5表示隔离器中温度改变与插入损耗之间的关系的数据；
图6表示在隔离器中IMD的功率依赖性；
图7表示隔离器中温度改变与插入损耗之间的关系的数据；
图8表示隔离器中的IMD的功率依赖性另一幅图；
图9是根据本发明的表示分解状态的不可逆设备的透视图；
图10是图9所示的不可逆设备的截面图；
图11是表示图9和10所示的隔离器的等价电路图，其作为在使用隔离器时的不可逆设备的一个示例。
具体实施方式
不可逆设备包括一个铁磁部件和一个把d.c.磁场应用于铁磁部件的磁体。图1图示出由该磁体施加的d.c.磁场强度与IMD之间的关系。如图1所示，当d.c.磁场强度越大时，MD越低。这样，通过把足够强的d.c.磁场应用于铁磁部件，可抑制IMD的发生。
产生上面的效果，即随着施加给该铁磁部件的d.c.磁场强度的增加而IMD减小，其原因在于：
在把强d.c.磁场施加给铁磁部件时，在形成该铁磁部件的铁磁材料的非磁相附近的退磁场的影响以及晶磁的各向异性或类似的特性的影响比起所施加的磁场的影响要弱得多，在磁性材料中产生的旋转前进运动均一排列成一个方向，因此导致了环形运动。
实际上，不可逆设备的操作性能的降低以及需要实现更致密、更薄的不可逆设备，阻碍了对足够强的DC磁场的使用。
为了解决这个问题，本发明通过控制形成包括在不可逆设备中铁磁部件的铁磁材料或铁磁部件的FMR行距ΔH来控制IMD。
一般地，多晶体的FMR行距ΔH如下表示：
ΔH＝ΔHi+ΔHp+ΔHa....(1)
这里，
ΔHi代表具有相同成分的单晶体的行距；
ΔHp代表在样品中出现的非磁性相导致的增量(在此记为‘增量ΔHp”)；
ΔHa代表磁晶各向异性导致的增量(在此记为‘增量Δha”)；
单晶体的FMR行距ΔH(是单晶体的正常值)，据说假定为0.5(Oe)，当在讨论多晶体的FMR行距时可不予考虑。这样，增量ΔHp和ΔHa如下讨论(在此ΔHp尤其是指孔隙导致的增量)。
<孔隙周围退磁场的影响>
在增量ΔHp方面，E.Shlomann提出下面的等式(2)。
ΔHp＝1.47(4Ms)p             (2)
这里，p表示孔隙度。
图2表示针对钇-铝-铁-石榴铁氧体(在此称为Y-Al-Fe石榴石铁氧体)的孔隙度(p)与FMR行距ΔH之间的关系。由于在孔隙度p为0％时FMR行距ΔH对应(ΔHi+ΔHa)，增量ΔHp可通过从FMR行距ΔH中减去(ΔHi+Δha)来得到。
图3表示增量ΔHp与IMD之间的关系。通过使用分布式参数隔离器来确定IMD。两种类型的信号，即具有1960.0MHz的频率的一个信号和具有1960.1MHz的频率的一个信号，输入到隔离器。输入功率达到每个波36dBm。而且，用Y-Al-Fe石榴铁氧体来构成隔离器的铁磁部件。
如图3所示，IMD随增量ΔHp的增加而简单地增加。换言之，通过控制增量ΔHp，可控制IMD。
<增量ΔHa>
增量ΔHa表示为：
ΔHa∝(K1)2/(Ms)3....(3)
这里
K表示磁晶各向异性常数，及
Ms代表饱和磁化强度值。
表1表示使用不同数量的锆来替代的钇-钙-钒-锆-铁石榴石铁氧体(以下称为Y-CaV-Zr-Fe石榴石铁氧体)的特性值，其条件是饱和磁化强度在1250高斯附近。
                            表I
       成分                            4πMs         居里点          孔隙度       ΔH
                                       (Gs)           (℃)            (％)        (Oe)
Y2.42Ca0.6Fe4.68V0.2O12             1243           278             0.3         34
Y2.3Ca0.72Fe4.59V0.33Zr0.06O12      1252           264             0.3         30
Y2.22Ca0.8Fe4.53V0.35Zr0.1O12       1214           259             0.3         20
Y2.06Ca0.96Fe4.4V0.38Zr0.2O12       1215           233             0.3         10或更小
Machida等报告用(Zr)取代对于降低磁各向异性是有效的。在表1中，所有样品在饱和磁化强度和孔隙度方面几乎彼此相等。使用上述提到的等式(2)，当孔隙度是0.3％并且饱和磁化强度是1250Gs(高斯)时，增量ΔHp计算值大约为6(Oe)。所有样本均是相等的，且假定其贡献为6[Oe]。因此，在表1提供的样品中的FMR行距ΔH的差别可归因于样品的ΔHa的差异，该差异是由于用于替代的(Zr)的替代量的不同引起的磁各向异性的变化造成的。
图4是表示具有不同的ΔHa的样品的IMD功率依赖性的特性图。通过输入以下两个信号，使用集总参数隔离器来测定IMD：
具有960.0MHz输入频率的一个信号；以及
具有960.1MHz输入频率的另一个信号。
输入功率被表示为每个波的值。一个具有较小Δha的样本；即具有较小磁晶各向异性的样品在整个功率范围上会导致较小的IMD。换言之，通过改变形成铁磁部件的材料并控制磁各向异性程度，增量ΔHa可被改变来实现IMD控制。
如上解释的那样，通过控制铁磁材料的磁各向异性和非磁相，可控制IMD。换言之，对降低IMD的需求就是降低FMR行距ΔH，即降低铁磁材料的磁各向异性或非磁相。
在非磁相和磁的各相异性中，都是与FMR行距相关的，磁的各相异性是通过铁磁材料的特性来定义的，因此通过改变铁磁材料的成份就可以控制FMR行距，由此来控制IMD。
接着，解释适合于抑制IMD产生的铁磁部件的成分。优选的铁磁材料具有以下面的通式表示的成份：
(Y3-2x-z+wCa2x+z)(Fe5-x-y-z-wVxAlyZrz)O12其中，
0≤x≤0.7，0≤y≤0.7，0.05≤z≤0.3，及0.01≤w≤0.03。
具有上述成分的铁磁材料具有小于15(Oe)的FMR行距ΔH，并且有效地抑制IMD的产生。另外，铁磁材料的饱和磁化强度值可自由地调整，并且该铁磁材料具有相对高的居里温度Tc。在假定FMR行距ΔH小于15(Oe)的范围上，IMD被降低到-75(dBc)或更小，其在使用隔离器时不会出现问题。
通过根据本发明具有上述成分的铁磁材料可在代表相对于温度变化的磁稳定性的居里温度与FMR行距之间实现平衡，并且可以同时满足居里温度与FMR行距间的实际要求。
在通用表达式中，Zr具有类似于In的特性，但它却要比In便宜得多。替代元素V、Al和Zr，以便因替代这些元素引起的优点和缺点可以相互补偿，从而损耗特性和温度特性可设置在优化值。
在上面的化学表达式中的(w)项的范围内，可获得仅具有石榴石结构的带有15μm或更大的粒子尺寸的致密晶体。而在上面的化学表达式中的(w)项的范围外会在晶体中产生不希望的不同族相。
另外，用作替代元素的V、Al和Zr的替代量与在室温下的饱和磁化强度之间的关系可从下面的经验公式大致推断出来(在0≤z≤0.3的范围内误差为±7％)。
4πMs＝1780-1750x-1400y+1000z-1200z2
这样，基于各个替代元素的替代量与饱和磁化强度4πMs之间的关系，可以把一个成份的材料特性与具有类似数量的饱和磁化强度的另一成分的材料特性进行对比，这可通过参照示例来进行描述
例1
在经过烧结后，原材料(Y2O3)、(CaCO3)、(Fe2O3)、(ZrO2)、(V2O5)和(Al)(OH)3进行称重以达到目标成份(Y3-2x-z+wCa2x+z)(Fe5-x-y-z-wVxAlyZrz)O12。
在通过球磨机中进行20小时的湿混合后，然后在空气中在1100℃到1200℃进行4小时的煅烧。在对该材料进行20小时的湿磨后，该材料再放到球磨机中对它进行压模处理。进行这样压模的优化温度范围是从1250℃到1450℃，以确保对于每个成分实现最小FMR行距ΔH和获得15μm或更大的粒子尺寸。该压模然后在空气中进行六小时的煅烧。经这种煅烧、紧压(煅烧材料)处理得到的烧结物质的X射线衍射指示该烧结致密件具有单一相的石榴石。
因此按照粘结方法，具有1.0mm直径的球状样品(SAMPLE)是由烧结致密件的的碎块形成的。然后，按照反射方法，在10GHz处确定SAMPLE的FMR行距。另外，SAMPLE的饱和磁化强度和居里温度Tc通过使用振动磁强计来确定。通过使用上面提到的经验公式计算的成份的结果示于表2中，其饱和磁化强度4πMs为1250Gs或附近。在表2中，No.s.1到18指定给用于确定的SAMPLE。注意(w)被设置在0.01≤w≤0.03的范围内。
                                    表2
 No.  x  Y  z  x+y  4πMs(Gs) Tc(℃) ΔH(Oe)
 1  0  0.38  0  0.38  1230  224   45
 2  0.1  0.3  0.5  0.4  1280  62 ＜15
 3  0  0.5  0.4  0.5  1235  141 ＜15
 4  0.12  0.38  0.4  0.4  1230  148 ＜15
 5  0.24  0.25  0.4  0.49  1230  156 ＜15
 6  0.35  0.13  0.4  0.48  1219  163 ＜15
 7  0.47  0  0.4  0.47  1220  169 ＜15
 8  0.1  0.3  0.3  0.4  1220  180 ＜15
 9  0  0.44  0.2  0.44  1280  191 ＜15
 10  0.1  0.33  0.2  0.43  1286  199 ＜15
 11  0.21  0.22  0.2  0.43  1279  207 ＜15
 12  0.31  0.11  0.2  0.42  1275  217 ＜15
 13  0.42  0  0.2  0.42  1269  225 ＜15
 14  0  0.4  0.08  0.4  1250  223 ＜15
 15  0.09  0.3  0.08  0.39  1238  233 ＜15
 16  0.19  0.2  0.08  0.39  1230  239 ＜15
 17  0.29  0.1  0.08  0.39  1215  252 ＜15
 18  0.38  0  0.08  0.38  1210  259 ＜15
材料No.1是常规的Y-Al-Fe石榴石铁氧体材料，具有大约1230Gs的饱和磁化强度4πMs。材料No.2到No.18都具有1250Gs或附近的饱和磁化强度4πMs值(在1210到1286Gs范围内)。
对于与IMD相关的FMR行距ΔH，在材料No.1中是45(Oe)，在材料No.2到No.18中其值小于15(Oe)。这样，在考虑IMD的情况下，材料No.2到No.18都表现出比常规的No.1有所提高。
关于与温度特性相关的居里温度Tc，假定材料No.1具有224℃的居里温度Tc，而材料No.8到No.18(每一个具有用通用表达式表示的成份)假定其范围是180℃到259℃。与常规的材料No.1相比，可以看到这样一种成份，它抑制了由FMR行距表示的IMD并改善了温度特性，它满足下列要求：
0.08≤z≤0.2
0≤x≤0.42以及
0≤y≤0.44。
最好把(x)和(y)设置为使得(x+y)落入0.38到0.44的范围内。
例2
对于具有饱和磁化强度4πMs为1750Gs或附近的烧结致密件，以与例1中同样的方式制作一个SAMPLE，并且确定其特性，其结果表示在表3中。
在表3中，材料No.s.21表示已有技术中的没有被Zr进行任何替代的钇-铁石榴石铁氧体(在此称作且表示为‘Y-Fe石榴石铁氧体’)，材料No.22到26表示在例2中使用的材料。
对于与IMD相关的FMR行距ΔH，在材料No.21中假定其是25(Oe)，而在在材料No.22到No.26中FMR行距ΔH的值小于15(Oe)。与常规的材料No.21相比，材料No.22到No.26在考虑IMD方面都表现出比No.21有所提高。
关于居里温度Tc，假定材料No.21具有275℃的居里温度Tc，而材料No.22到No.26的温度值要小于275℃。在材料No.22到No.26中，材料No.22和No.26具有261℃的居里温度Tc，它表现出与材料No.21基本相同的温度依赖性。
与常规材料No.21的情况相对比，表3中提供的数据总汇表明抑制了IMD的产生，同时能够实现的相当的温度依赖性的优化成份满足下列要求：
z＝0.1
0≤x≤0.1及
0≤y≤0.1。
最好把(x)和(y)设置为使得(x+y)落入0.05到0.06的范围内。
                                 表3
 No.  x  y  Z  x+y  4πMs(Gs) Tc(℃) ΔH(Oe)
 21  0  0  0  0  1780  275   25
 22  0.05  0  0.1  0.05  1740  261 ＜15
 23  0.12  0  0.2  0.12  1700  238 ＜15
 24  0.14  0  0.3  0.14  1720  215 ＜15
 25  0.15  0  0.4  0.15  1715  196 ＜15
 26  0  0.06  0.1  0.06  1800  261 ＜15
例3
对于具有饱和磁化强度为750Gs或附近的烧结致密件以与例1中同样的方式制作SAMPLE，并且测量其特性。其结果表示在表4中。材料No.s.31表示常规的Y-Al-Fe石榴石铁氧体，它是由具有750Gs的饱和磁化强度4πMs的材料形成的。材料No.s.32到43是由具有饱和磁化强度4πMs为740到780Gs的材料形成的。
对于与IMD相关的的FMR行距ΔH，材料No.31假定其值是30(Oe)，相对比，材料No.33以及材料No.38到No.43假定值为小于15(Oe)。
对于居里温度Tc，材料No.31的假定值为175℃，材料No.34的假定值是179℃，材料No.s.40到42的假定值高于175℃，处于177℃到196℃的范围内。
与常规材料N0.31相比，具有饱和磁化强度4πMs为750Gs或附近的材料可以抑制IMD的产生同时取得相当可优越的温度特性，只要该材料满足下列要求：
0.2≤z≤0.3
0.3≤x≤0.7以及
0≤y≤0.42。
最好把(x)和(y)设置为使得(x+y)落入0.70到0.75的范围内。
                               表4
 No.  X  y  z  x+y  4πMs(G) Tc(℃) ΔH(Oe)
 31  0  0.68  0  0.68  750  175   30
 32  0.59  0  0  0.59  765  273   60
 33  0  0.79  0.1  0.79  765  164 ＜15
 34  0.16  0.59  0.1  0.75  760  179   18
 35  0.32  0.39  0.1  0.71  755  207   30
 36  0.48  0.19  0.1  0.67  758  226   39
 37  0.63  0  0.1  0.63  740  246   45
 38  0  0.84  0.2  0.84  760  135 ＜15
 39  0.17  0.63  0.2  0.80  770  155 ＜15
 40  0.33  0.42  0.2  0.75  780  177 ＜15
 41  0.5  0.21  0.2  0.71  775  196   15
 42  0.70  0  0.3  0.70  740  188 ＜15
 43  0.71  0  0.4  0.71  752  159 ＜15
例4
下面，描述其中使用了具有成分(Y2.58Ca0.46)(Fe4.49V0.19Zr0.08Al0.2)O12(x＝0.19)、(y＝0.2)、(z＝0.08)、(w＝0.02)的铁磁材料来构成隔离器的一个应用示例。为了更具体，在该应用示例中，在隔离器中使用的铁磁部件是由铁磁材料形成的，该铁磁材料具有下列特性：
饱和磁化强度4πMs为1230Gs；
居里温度Tc为239℃；以及
FMR行距ΔH等于或低于15(Oe)。
由该铁磁材料形成一个铁磁部件(FM-MEMBER A)，然后，使用FM-MEMBER A来制作一个1.9-GHz的分布式参数隔离器(在此称为隔离器A)，也就是说，隔离器A是本发明的一个例子。
为了比较，由常规的Y-Al-Fe石榴石铁氧体(FM-MEMBER B)材料形成另一个铁磁部件，并且使用FM-MEMBER B来制造另一个隔离器(在此称为隔离器B)。也就是说，隔离器B是先有技术的一个例子。
在此，Y-Al-Fe石榴石铁氧体具有下列特性：
1250Gs的饱和磁化强度；
240℃的居里温度Tc；
45(Oe)或更小的FMR行距ΔH。
图5示出了对于隔离器A和B的温度变化与插入损耗之间的关系。曲线A1和B1分别表示隔离器A和B的插入损耗。
从图5可以清楚地看出，在该温度范围内的任意温度下，隔离器A要比隔离器B插入损耗小得多，由此看出隔离器A具有优越的温度特性。
图6图示出对于隔离器A和B的每一信号的IMD与输入功率之间的关系。曲线A2和B2分别表示隔离器A和B的IMD特性。
从图6可以清楚地看出，对于相同的输入功率，隔离器A的IMD要比隔离器B的低17到18(dBc)。而且，隔离器A中IMD被抑制在极低的值，大约在-80(dBc)。
例5
下面描述其中使用具有成分(Y2.82Ca0.2)(Fe4.83V0.05Zr0.1)O12(x＝0.05)、(y＝0)、(z＝0.1)、(w＝0.02)的铁磁材料来构成隔离器的一个应用示例。为了更具体，在该应用示例中，在该隔离器所用的铁磁部件是由该铁磁材料形成的。该铁磁材料具有下列特性：
饱和磁化强度为1740Gs；
居里温度Tc为260℃；以及
FMR行距ΔH低于15(Oe)。
由该铁磁材料(FM-MEMBER C)形成一个铁磁部件，使用FM-MEMBER C来制作一个2.0-GHz的分布式参数隔离器C(在此称为隔离器C)。换句话说，隔离器C也是本发明的一个例子。
为了比较，使用常规的非替代的Y-Fe石榴石铁氧体来制造另一个铁磁部件(FM-MEMBER D)，然后利用该FM-MEMBER D来制作另一个隔离器(在此称为隔离器D)。换句话说，隔离器C是先有技术的一个例子。在此，Y-Fe石榴石铁氧体具有下列特性：
1770Gs的饱和磁化强度；
287℃的居里温度Tc；
23(Oe)的FMR行距ΔH。
图7图示出隔离器C和D中的温度变化与插入损耗之间的关系的数据。曲线C1和D1分别表示隔离器C和D的插入损耗。
从图7可以清楚地看出，隔离器C在-20℃或更高的温度上要比隔离器D插入损耗低得多，隔离器C表现出优越的温度特性。
图8图示出对于隔离器C和D的每一信号的IMD与输入功率之间的关系。曲线C2和D2分别表示隔离器C和D的IMD特性。
从图8可以清楚地看出，在相同的输入功率处，隔离器C的IMD要比隔离器D的IMD低8到10(dBc)。而且隔离器C中IMD被抑制在极低的值，大约在-76[dBc]到-78[dBc]。
图9表示不可逆设备分解状态的透视图，并且图10是图9所示的不可逆设备的截面图。图中的不可逆设备是分布式参数隔离器，包括：
中央导体1，是由条状导体构成；
磁体4；以及
铁磁部件21和22，由根据本发明的铁磁材料构成。
在图9或图10中，在中央导体1上面放置铁磁部件21和22的其中之一，而另一个铁磁部件则放置在中央导体的下面。可选地，也可以使用一个单一的铁磁部件，它可以放置在中央导体的上面或下面。
磁体4向铁磁部件21和22及中央导体1施加d.c.磁场。可以有两个磁体4，被提供到铁磁部件21和22的侧面。轭部5和6被磁性耦合于磁体4。在图中所示的例子中，轭部5和6还用作外壳，用来覆盖铁磁部件21和22、中央导体1、接地导体31和32以及磁体4。
分布式参数隔离器的衬底7提供有电容器、电阻器，用于使不可逆设备的运行更有效。衬底7形成有孔71，铁磁部件22设置在该孔中。参考序号8、9、10、11分别表示如下：
8：磁性并联(shunt)板；
9和11表示磁极板；以及
10表示隔离件。
本例表示一个分布式参数不可逆电路，但是本发明也可采用集总型的参数隔离器或衬底型的不可逆设备。集总型参数隔离器或衬底型不可逆设备的特定结构对于熟悉本领域的人员是已知的。
图11是表示当使用图9和10所示的隔离器的不可逆设备的等价电路图。在图11中，
把端子间电容器C11连接在端子“a”和“b”之间；
把端子间电容器C12连接在端子“b”和“c”之间；以及
把端子间电容器C13连接在端子“c”和“a”之间。
并且，
把接地电容器C01，连接到端子“a”；
把接地电容器C02连接到端子“b”；
把接地电容器C03连接到端子“c”。
图9到11所示的不可逆设备仅是表示本发明可被采用的一个示例。本发明也可被采用其它类型的不可逆设备；也就是，隔离器和环形器，由此，可以降低不可逆设备中的IMD并改善它们的温度特性。
工业适用性
如上面所提到的，本发明可具有下面的优点：
(a)本发明可提供一
一种互调失真的控制方法，能够在甚至不能应用足够强的DC磁场到一个铁磁部件时也能把互调失真抑制到一个较低值；
一种用于实施该互调失真控制方法的铁磁材料；以及
一种使用该铁磁材料的不可逆设备。
(b)本发明可提供-
一种互调失真控制方法，有效地实现了更小更薄的不可逆设备；
一种用于实施该互调失真控制方法的铁磁材料；以及
一种使用该铁磁材料的不可逆设备。
(c)本发明可提供-
一种具有优越的温度特性的廉价的铁磁材料；以及
一种具有优越的温度特性的廉价的不可逆设备。

Claims (21)

1.一种用于控制具有至少一个铁磁部件的不可逆设备的互调失真的方法，其中：
通过控制所述铁磁部件的铁磁共振行距来控制所述互调失真；以及
所述铁磁部件具有通常以下式表达的成分：
(Y3-2x-z+wCa2x+z)(Fe5-x-y-z-wVxAlyZrz)O12
其中，(x)、(y)、(z)和(w)代表的值分别满足：
0≤x≤0.7，
0≤y≤0.7，
0.05≤z≤0.4，
及0.01≤w≤0.03。
2.根据权利要求1的方法，其中：
通过控制所述铁磁部件的孔隙度来控制所述铁磁共振行距。
3.根据权利要求1的方法，其中：
通过控制所述铁磁部件的磁各向异性来控制所述铁磁共振行距。
4.根据权利要求1的方法，其中：
所述铁磁共振行距被设置在小于15(Oe)的值。
5.根据权利要求1的方法，其中：
所述互调失真被设置为-75(dBc)或更小的值。
6.根据权利要求1到5的任何一项的方法，其中：
代表饱和磁化强度的值处于1250Gs附近时，满足
0≤x≤0.42
0≤y≤0.44及
0.08≤z≤0.2。
7.根据权利要求1到5的任何一项的方法，其中：
代表饱和磁化强度的值处于1750Gs附近时，满足
0≤x≤0.1
0≤y≤0.1及
z＝0.1。
8.根据权利要求1到5的任何一项的方法，其中：
代表饱和磁化强度的值处于750Gs附近时，满足
0.3≤x≤0.7
0≤y≤0.42及
0.2≤z≤0.3。
9.一种铁磁材料，具有下面的通式表示的成分：
(Y3-2x-z+wCa2x+z)(Fe5-x-y-z-wVxAlyZrz)O12
其中，(x)、(y)、(z)和(w)代表的值分别满足：
0≤x≤0.7
0≤y≤0.7
0.05≤z≤0.3以及
及0.01≤w≤0.03。
10.根据权利要求9的铁磁材料，其中：
代表饱和磁化强度的值处于1250Gs附近，满足
0≤x≤0.42
0≤y≤0.44及
0.08≤z≤0.2。
11.根据权利要求9的铁磁材料，其中：
代表饱和磁化强度的值处于1750Gs附近时，满足
0≤x≤0.1
0≤y≤0.1及
z＝0.1。
12.根据权利要求9的铁磁材料，其中：
代表饱和磁化强度的值处于750Gs附近时，满足
0.3≤x≤0.7
0≤y≤0.42及
0.2≤z≤0.3。
13.根据权利要求9到12的任何一项的铁磁材料，其中：
所述铁磁共振行距被设置在小于15(Oe)的值。
14.一种不可逆设备，具有一个中央导体、至少一个磁体和至少一个铁磁部件；
所述中央导体和所述铁磁部件互相面对而设置；
设置所述磁体向所述中央导体和所述铁磁部件施加一个DC.磁场；及
所述铁磁部件具有通常以下式表达的成分：
(Y3-2x-z+wCa2x+z)(Fe5-x-y-z-wVxAlyZrz)O12
其中，(x)、(y)、(z)和(w)代表的值分别满足：
0≤x≤0.7，
0≤y≤0.7，
0.05≤z≤0.4，
及0.01≤w≤0.03。
15.根据权利要求14的不可逆设备，其中：
代表饱和磁通强度的值处于1250Gs附近，满足
0≤x≤0.42
0≤y≤0.44及
0.08≤z≤0.2。
16.根据权利要求14的不可逆设备，其中：
代表饱和磁通强度的值处于1750Gs附近时，满足
0≤x≤0.1
0≤y≤0.1及
z＝0.1。
17.根据权利要求14的不可逆设备，其中：
代表饱和磁通强度的值处于750Gs附近时，满足
0.3≤x≤0.7
0≤y≤0.42及
0.2≤z≤0.3。
18.根据权利要求14的不可逆设备，其中：
所述铁磁共振行距被设置在小于15(Oe)的值。
19.根据权利要求14到18中任何一个的不可逆设备，其中：
该互调失真假定一个等于-75dBc或更小的值。
20.根据权利要求14到18中任何一个的不可逆设备，其中：
该设备是分布式参数型不可逆设备、集总型参数型不可逆设备或衬底型的不可逆设备。
21.根据权利要求19的不可逆设备，其中：
该设备是分布式参数型不可逆设备、集总型参数型不可逆设备或衬底型的不可逆设备。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5402629B2 (ja) * 2007-04-17 2014-01-29 日立金属株式会社 非可逆回路素子
US9214712B2 (en) 2011-05-06 2015-12-15 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods related to ferrite based circulators
WO2013173639A2 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods related to junction ferrite devices having improved insertion loss performance
US9552917B2 (en) * 2013-09-20 2017-01-24 Skyworks Solutions, Inc. Materials, devices and methods related to below-resonance radio-frequency circulators and isolators
CN112018479B (zh) * 2020-08-31 2022-03-01 中国电子科技集团公司第九研究所 通讯用环行器无源交调抑制方法
CN114031389A (zh) * 2021-11-02 2022-02-11 横店集团东磁股份有限公司 一种三阶互调环形器用微波铁氧体材料及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3006854A (en) * 1959-04-29 1961-10-31 Bell Telephone Labor Inc Ferrimagnetic garnet
US3563898A (en) * 1967-08-22 1971-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Mg-mn-al ferrite body for microwave application
NL155393B (nl) * 1970-03-20 1977-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Werkwijze ter bereiding van ferriet, alsmede gevormde voortbrengselen bestaande uit een ferriet verkregen onder toepassing van deze werkwijze.
CA988705A (en) * 1971-11-19 1976-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sintered ferrite having a carnet type crystal structure
JPS4929498A (zh) * 1972-07-17 1974-03-15
FR2354643A1 (fr) * 1976-06-11 1978-01-06 Thomson Csf Dispositif de transmission non reciproque a tres faibles pertes d'insertion en hyperfrequences et circulateurs a jonction utilisant ledit dispositif
FR2434495A1 (fr) * 1978-07-10 1980-03-21 Lignes Telegraph Telephon Circulateur de puissance a large bande pour ondes a tres haute et ultra haute frequence
JPS5631288A (en) 1979-08-22 1981-03-30 Hitachi Ltd Beam index type color television receiver
JPS6278195A (ja) * 1985-09-30 1987-04-10 Toshiba Corp ガ−ネツトフエライト単結晶の育成方法
JPS63260892A (ja) * 1987-04-17 1988-10-27 Toshiba Corp ガ−ネツトフエライト単結晶の育成方法
JP2504273B2 (ja) * 1990-04-04 1996-06-05 株式会社村田製作所 マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物
JPH0761821A (ja) * 1993-08-19 1995-03-07 Taiyo Yuden Co Ltd ガーネット型磁性材料の製造方法
JPH07157313A (ja) * 1993-12-10 1995-06-20 Murata Mfg Co Ltd カルシウム−バナジウム系フェリ磁性ガーネットの製造方法
JP3523363B2 (ja) * 1995-04-11 2004-04-26 松下電器産業株式会社 多結晶セラミックス磁性焼結体の製造方法及びこれにより得られる磁性体を用いた高周波回路部品

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