CN116247120A - 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件 - Google Patents

光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件 Download PDF

Info

Publication number
CN116247120A
CN116247120A CN202111492715.XA CN202111492715A CN116247120A CN 116247120 A CN116247120 A CN 116247120A CN 202111492715 A CN202111492715 A CN 202111492715A CN 116247120 A CN116247120 A CN 116247120A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photovoltaic cell
grid line
layer
main grid
bonding layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111492715.XA
Other languages
English (en)
Inventor
黄品如
黄耀纶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongnengchuang Photoelectric Technology Changzhou Co ltd
Original Assignee
Zhongnengchuang Photoelectric Technology Changzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongnengchuang Photoelectric Technology Changzhou Co ltd filed Critical Zhongnengchuang Photoelectric Technology Changzhou Co ltd
Priority to CN202111492715.XA priority Critical patent/CN116247120A/zh
Priority to PCT/CN2022/089209 priority patent/WO2023103260A1/zh
Priority to US17/882,394 priority patent/US20230178680A1/en
Publication of CN116247120A publication Critical patent/CN116247120A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

本发明涉及一种光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件。该组件的制造方法为：首先进行光伏电池串的制备，使互联主栅线通过连接点初步固定，然后，在互联主栅线上覆盖栅线粘结层和栅线支撑层，最后通过组件层压工艺，将光伏电池封装在光伏组件的封装结构内，并将互联主栅线通过栅线粘结层和栅线支撑层完全固定在光伏电池的表面。该组件的光伏电池和互联主栅线之间具有用于初步固定的连接点，互联主栅线通过栅线粘结层和栅线支撑层完全固定在光伏电池表面。有益效果是：本发明相比通过焊盘对互联主栅线进行机械固定的无主栅光伏电池电连接方案，可大幅降低互联主栅线连接点Ag耗；相比胶膜电极无主栅光伏电池电连接方案，制造方便，成本更低。

Description

光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是一种光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件。
背景技术
近年来光伏新能源的应用发展迅猛。和储能、电动车、充电桩等技术结合，新的模式将实现光伏发电的就地消纳，因此屋顶分布式和建筑一体化光伏(BIPV)，将成为光伏应用的下一个重点。
屋顶光伏以及BIPV由于应用面积有限，因此，需要更加高效的电池和组件。在下一代电池当中，最有潜力的新电池应当是TOPCON和异质结电池。在下一代组件技术当中，组件效率最高的当属叠瓦组件。
目前，这三种技术都存在着成本过高的问题。和主流的PREC技术相比，异质结电池的Ag浆耗量增加了150％，TOPCON电池的银浆耗量增加了50％。当这些电池和叠瓦技术结合进行组件封装的时候，Ag浆耗量还要进一步增加。
如何降低Ag浆耗费量是光伏行业发展和BIPV屋顶光伏发展的核心瓶颈。能不能降低Ag浆耗量，将高效电池组件做到又好又便宜是光伏产业最大的挑战。
目前产业内通用的9BB主栅光伏电池比5BB主栅光伏电池Ag浆耗量低，这是因为9BB主栅光伏电池的电池主栅数量更多，两个电池主栅之间的电流传输距离大幅度降低，从而可以减少电池细栅Ag浆用量。如果仍然采用这一技术路线，继续增加主栅，电池细栅Ag浆用量还能降低，但电池主栅Ag浆却在增加，有主栅光伏电池的电连接方案中电池主栅通过与焊带进行焊接，同时起到机械固定和电流导通的作用。因此，总Ag浆耗量无法进一步降低。
而无主栅光伏电池技术没有电池主栅，可以节省电池主栅Ag浆用量。
现有技术中无主栅光伏电池具有两种电连接方案，第一种是在无主栅光伏电池的表面设置Ag浆焊盘，用于多主栅焊带与无主栅光伏电池的焊接。
因为多主栅焊带存在热胀冷缩现象，在-40度到85度的冷热循环时，会对光伏电池表面有来回切割的效应，从而磨损细栅Ag线(如TOPCON，HJT，PERC电池)或电池绒面上的ITO导电层(如HJT电池)，造成失效。故焊盘的数量不能过少，以保证焊带与光伏电池之间具有可靠的机械固定。
故该第一种这种无主栅光伏电池电连接方案还是存在不少的焊盘Ag浆消耗。
第二种是通过带多主栅焊带的胶膜电极进行无主栅光伏电池的电连接，无主栅光伏电池的表面无需设置Ag浆焊盘，进一步降低光伏组件的总Ag浆耗量。
瑞士梅耶博格公司的中国专利文献CN108419433公开了该第二种无主栅光伏电池电连接方案，通过胶膜电极进行多主栅焊带与无主栅光伏电池的电连接，带多主栅焊带的胶膜电极包括一层胶膜，多主栅焊带粘附并嵌入在胶膜上，再用胶膜将多主栅焊带固定在电池表面，形成多主栅焊带和无主栅光伏电池的良好导电接触，如图12所示。
该第二种这种无主栅光伏电池电连接方案的缺陷在于：制备这种带多主栅焊带的胶膜电极不仅需要把多主栅焊带和胶膜结合到一起，而且需要不断交错调整翻转胶膜的黏胶面，导致这种带多主栅焊带的胶膜电极的价格过高；同时应用带多主栅焊带的胶膜电极的光伏组件的工艺制造成本也高，实际降低组件成本的作用有限。
另一方面，为降低硅片成本，光伏电池的硅片有变薄的市场需求，但是当硅片变薄时，因为焊带即互联主栅线和薄硅片之间的热膨胀的不均匀，造成的应力和应变也容易造成硅片破损。尤其是铜焊带的热膨胀形变在其末端效应最大，根据澳洲新南威尔士大学的研究论文[Solar Energy Materials&Solar Cells 215(2020)110667],铜焊带末端的应力可以积累到150MPa以上，这非常容易造成碎片。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种新的低银耗的光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种光伏电池组件的制造方法，首先进行光伏电池串的制备，使光伏电池串的互联主栅线通过导电或非导电连接点初步固定在光伏电池的表面，然后，在光伏电池表面的互联主栅线上覆盖栅线粘结层和栅线支撑层，栅线粘结层位于栅线支撑层和光伏电池之间，最后通过组件层压工艺，将光伏电池封装在光伏组件的封装结构内，并将互联主栅线通过栅线粘结层和栅线支撑层完全固定在光伏电池的表面。栅线支撑层通过栅线粘结层粘结在光伏电池表面，栅线粘结层的厚度小于互联主栅线的厚度，通过组件层压工艺使栅线粘结层受热流动，互联主栅线嵌入栅线粘结层，栅线支撑层压在互联主栅线上，互联主栅线的表面具有低熔点焊接层，在层压温度下熔化，与光伏电池的表面形成电接触。
本发明的方案中，对互联主栅线进行机械固定的功能主要由栅线粘结层和栅线支撑层提供，保证互联主栅线与光伏电池之间具有良好导电关系的功能主要由熔化后的低熔点焊接层提供，故在光伏电池串的制备过程中，互联主栅线与光伏电池之间的连接点只是起到初步固定作用，方便后续制备步骤，故相比通过Ag浆焊盘对互联主栅线进行机械固定的无主栅光伏电池电连接方案，本发明的方案所需的连接点的数量小，可以做到低连接点Ag耗或无连接点Ag耗。
和瑞士梅耶博格公司的第二种无主栅光伏电池电连接方案相比，本发明的方案的制造成本更低，依托传统现有设备或进行简单改造即可实施。
本发明的方案中，通过栅线粘结层和栅线支撑层对互联主栅线进行机械固定，热膨胀造成的应力被均匀分布到光伏电池表面的100mm左右的整条互联主栅线上，可以将互联主栅线的末端的应力降低100倍左右。因此，采用本发明的方法，可大大降低硅片破损的几率。同时，即使由于其他原因，如电池制造过程中的碰撞问题，导致硅片破损了，也会被栅线粘结层和栅线支撑层粘结在一起，不影响发电。因此，使用本发明有利于硅片薄片化。
本发明普遍适用于各种高效电池，如常见的异质结电池、钝化接触TOPCON电池、IBC背结电池、钙钛矿电池、及其他薄膜和晶体硅的叠层电池等。本发明尤其有利于在异质结电池上实施，拉近异质结电池和常规PERC电池的材料成本差距。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层分别以膜的形式依次进行覆盖；或者，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式进行覆盖；或者，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式进行覆盖；或者，栅线支撑层以膜的形式、栅线粘结层以液态形式依次进行覆盖。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层以至少一个光伏电池为最小覆盖单元进行覆盖。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式进行覆盖，复合膜条沿第一方向或第二方向延伸，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向。
进一步限定，该光伏电池组件的制造方法，由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，栅线粘结层和栅线支撑层在组件排版步骤排版至光伏电池表面的互联主栅线上。
更进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并分别以膜的形式依次覆盖在光伏电池层的表面；或者，栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式覆盖在光伏电池层的表面；或者，栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并且栅线支撑层以膜的形式、栅线粘结层以液态形式依次覆盖在光伏电池层的表面。
进一步限定，该光伏电池组件的制造方法，由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池串为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式贴覆在光伏电池串的表面，复合膜条在光伏电池串的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，贴覆复合膜条的光伏电池串进入组件排版步骤进行排版。
进一步限定，该光伏电池组件的制造方法，由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、光伏电池串排版步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，在光伏电池串排版步骤中，光伏电池串按照组件规格要求整版排布为光伏电池层，栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式贴覆在光伏电池层的表面，复合膜条在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，贴覆复合膜条的光伏电池层进入组件排版步骤进行组件排版。
进一步限定，在光伏电池串的制备步骤中，互联主栅线与光伏电池的连接点通过焊接或粘结方式形成。
焊接方式如电磁焊、合金热焊接、超声焊、摩擦焊、电阻焊、激光焊等。
粘结方式如热熔胶粘结、硅胶粘结、丙烯酸胶粘结、环氧胶粘结等。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式进行覆盖，复合膜为三层复合结构，包括封装粘结层、栅线支撑层和栅线粘结层，封装粘结层用于将栅线支撑层与同侧的封装结构粘结在一起，封装粘结层和栅线粘结层位于栅线支撑层的正反两面。
一种光伏电池组件，包括封装在封装结构内的光伏电池层，光伏电池层内的光伏电池通过互联主栅线导出电流，光伏电池和互联主栅线之间具有与导电或非导电连接点，用于互联主栅线和光伏电池的初步固定，光伏电池表面的互联主栅线上覆盖栅线粘结层和栅线支撑层，用于将互联主栅线完全固定在光伏电池表面，互联主栅线的表面具有低熔点焊接层，互联主栅线通过低熔点焊接层与光伏电池的表面形成电接触，栅线支撑层通过栅线粘结层粘结在光伏电池表面，互联主栅线嵌入栅线粘结层，栅线支撑层压在互联主栅线上，栅线支撑层与同侧的封装结构之间具有封装粘结层，用于将栅线支撑层与同侧的封装结构粘结在一起。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层为膜形式，并以至少一个光伏电池为最小覆盖单元。
进一步限定，栅线粘结层和栅线支撑层为含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条形式，并以至少一个光伏电池为最小覆盖单元。
更进一步限定，复合膜条沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，或者，所述的复合膜条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向。
更进一步限定，复合膜条以光伏电池层为最小覆盖单元，光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池通过互联主栅线进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，复合膜条在光伏电池层的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，复合膜条的宽度大于互联主栅线的宽度，光伏电池表面的每根互联主栅线都通过一条复合膜条进行整根完全固定。
更进一步限定，复合膜条以光伏电池层为最小覆盖单元，光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池通过互联主栅线进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，复合膜条在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，光伏电池表面的每根互联主栅线都通过多条与其相交的复合膜条进行多点固定，固定点为互联主栅线与复合膜条的相交点。
进一步限定，栅线支撑层、栅线粘结层和封装粘结层为高分子材料，栅线支撑层为PET、PVF、PMMA或PC，栅线支撑层的厚度为15um～100um，栅线粘结层为硅胶、POE、EVA或液态硅胶，栅线粘结层的厚度为20um～150um，封装粘结层为EVA、POE、PVB、TPO或液态硅胶，封装粘结层的厚度为200um～600um，光伏电池为无主栅光伏电池，互联主栅线为多主栅焊带。
本发明的有益效果是：本发明相比通过焊盘对互联主栅线进行机械固定的无主栅光伏电池电连接方案，可大幅降低互联主栅线连接点Ag耗；相比胶膜电极无主栅光伏电池电连接方案，本发明制造方便，成本更低。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明的实施例1的光伏电池组件的制造流程图；
图2是本发明的实施例1的光伏电池组件的结构示意图；
图3是本发明的实施例1的复合膜的结构示意图；
图4是本发明的实施例1的互联主栅线通过连接点与无主栅光伏电池进行初步连接的结构示意图；
图5是本发明的实施例1的互联主栅线通过连接点与无主栅光伏电池进行初步连接的另一种结构示意图；
图6是现有技术中互联主栅线通过电池主栅焊盘与光伏电池进行固定的结构示意图；
图7是本发明的实施例2的光伏电池组件的结构示意图；
图8是本发明的实施例2的复合膜的结构示意图；
图9是本发明的实施例4的光伏电池组件的结构示意图；
图10是本发明的实施例5的互联主栅线通过复合膜条进行固定的立体状态结构示意图；
图11是本发明的实施例5的互联主栅线通过复合膜条进行固定的侧面状态结构示意图；
图12是现有技术中光伏电池通过带多主栅焊带的胶膜电极进行串联的结构示意图；
图13是本发明的实施例6的互联主栅线通过复合膜条进行固定的立体状态结构示意图；
图14是本发明的实施例6的互联主栅线通过复合膜条进行固定的侧面状态结构示意图；
图15是本发明的实施例7的互联主栅线通过复合膜进行固定的立体状态结构示意图；
图16是本发明的实施例7的互联主栅线通过复合膜进行固定的侧面状态结构示意图；
图中，1.光伏电池，2.互联主栅线，3.复合膜，3’.复合膜条，3-1.栅线粘结层，3-2.栅线支撑层，3-3.封装粘结层，4.连接点，5.封装面板，6.封装背板，7.带多主栅焊带的胶膜电极。
具体实施方式
实施例1，一种光伏电池组件的制造方法，首先进行组件的光伏电池层内的光伏电池串的制备，使光伏电池串的互联主栅线2通过连接点4初步固定在光伏电池1的表面，然后，在组件的光伏电池1表面的互联主栅线2上覆盖栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2，栅线粘结层3-1位于栅线支撑层3-2和光伏电池层之间，最后通过组件层压工艺，将光伏电池1封装在光伏组件的封装结构内，并将互联主栅线2通过栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2完全固定在光伏电池1的表面。
具体地，栅线粘结层3-1的厚度小于互联主栅线2的厚度，通过组件层压工艺使栅线粘结层3-1受热流动，互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2通过栅线粘结层3-1粘结在光伏电池1表面，并且栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，实现互联主栅线2通过栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2完全固定在光伏电池的表面。互联主栅线2的表面具有低熔点焊接层，在层压温度下熔化，与光伏电池1的表面形成电接触。
栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2以含有栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2的复合膜3的形式进行覆盖。如图3所示，复合膜3为三层复合结构，包括封装粘结层3-3、栅线支撑层3-2和栅线粘结层3-1，封装粘结层3-3用于将栅线支撑层3-2与同侧的封装结构粘结在一起，封装粘结层3-3和栅线粘结层3-1位于栅线支撑层3-2的正反两面。
封装粘结层3-3、栅线支撑层3-2和栅线粘结层3-1为三层不同的材料复合而成，也可为同一种材料，通过不同处理，产生不同的聚合和/或交联程度，得到三层复合结构。
如图2、3和4所示，通过本实施例1的光伏电池组件的制造方法制得的光伏电池组件，包括封装在封装结构内的光伏电池层，光伏电池层内的光伏电池1通过互联主栅线2导出电流，光伏电池1和互联主栅线2之间具有导电的连接点4，用于互联主栅线2和光伏电池1的初步固定，光伏电池表面的互联主栅线上覆盖栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2，用于将互联主栅线2完全固定在光伏电池1表面，互联主栅线2的表面具有低熔点焊接层，互联主栅线2通过低熔点焊接层与光伏电池1的表面形成电接触，栅线支撑层3-2通过栅线粘结层3-1粘结在光伏电池1表面，互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，栅线支撑层3-2与同侧的封装结构之间具有封装粘结层3-3，用于将栅线支撑层3-2与同侧的封装结构粘结在一起。
光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池1通过互联主栅线2进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，。
复合膜3以整个光伏电池层为最小覆盖单元覆盖在光伏电池层的整个表面。
栅线支撑层3-2为在层压温度下不易流动的高分子材料，如PET、PVF、PMMA或PC等，其厚度约为15um～100um，栅线支撑层3-2可做表面处理以增强膜层间的粘结；栅线粘结层3-1为在层压温度下易于流动的高分子粘胶材料，如硅胶、POE、EVA或其他热黏胶等，其厚度为20um～150um；封装粘结层3-3为在层压温度下易于流动的高分子粘胶材料，如EVA、POE、PVB或TPO等常用膜层，其厚度约为200um～600um；光伏电池1为无主栅光伏电池，互联主栅线2为多主栅焊带。
如图1所示，本实施例1的光伏电池组件的制造方法的具体步骤如下：
(a)提前制备好互联主栅线2、光伏电池1和复合膜3，互联主栅线2为高纯、低膨胀系数的、以无氧铜为金属芯的低熔点焊接层的多主栅焊带，低熔点焊接层为掺有Bi、Ag等元素以降低熔点的锡层，如Sn42Bi57Ag1，光伏电池1为无主栅光伏电池，无主栅光伏电池上具有多个焊盘，用于多主栅焊带与无主栅光伏电池的连接。
(b)光伏电池串的制备：
将光伏电池1放置到焊接台上,对光伏电池1进行排版，对焊盘处进行局部能量处理，如局部的红外辐照加热，局部的电磁感应加热，将互联主栅线2焊接在焊盘上，形成多个连接点4，用于将互联主栅线2初步固定在光伏电池1上，光伏电池1通过互联主栅线2串联为光伏电池串。
如图6所示，现有无主栅光伏电池电连接技术中，表面具有18根互联主栅线2的光伏电池1通常需要通过180个连接点4才能满足互联主栅线2与光伏电池1之间具有可靠机械固定的技术要求。
而在本发明中，如图4所示，光伏电池1通过54个连接点4与互联主栅线2连接，制备得到本实施例1所需的光伏电池串，在图5中，光伏电池1通过54个连接点4与互联主栅线2连接，制备得到本实施例1所需的光伏电池串。所需的连接点4的数量大大小于现有的通过焊盘焊接互联主栅线2的无主栅光伏电池电连接技术中对连接点4的数量需求，可节省焊盘Ag浆消耗。
(c)组件排版：
依次铺设封装背板6、复合膜3、光伏电池串、复合膜3、封装面板5，得到进行组件层压的层压件。封装背板6和封装面板5为组件的封装结构。
因为该实施例1的复合膜3为封装粘结层3-3、栅线支撑层3-2和栅线粘结层3-1的三层复合结构，所以可以省略封装粘结层3-3的排版步骤，简化生产流程。
(d)组件层压：
以高于互联主栅线2的低熔点焊接层的熔点的层压温度进行层压,在层压的时候，将互联主栅线2的低熔点焊接层融化，和光伏电池1的表面的Ag细栅线形成良好导电关系。如果光伏电池1是异质结电池，在层压的时候，低熔点焊接层融化，在和光伏电池1的表面的Ag细栅线形成良好导电关系的同时，还和光伏电池1的表面的2um～7um的绒面贴合，形成良好物理接触和一定的导电接触。
在层压的时候，栅线粘结层3-1受热流动，使互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，层压结束并冷却后栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2将互联主栅线2紧紧地压在光伏电池1的表面，限制互联主栅线2的移动，实现互联主栅线2的完全固定，帮助组件抵抗外界环境温度变化。
实施例2，一种光伏电池组件的制造方法，和实施例1相比，基本相同，区别在于：复合膜3为栅线支撑层3-2和栅线粘结层3-1的两层复合结构，如图7和8所示。
本实施例2的具体步骤中的步骤(a)、(b)、(d)与实施例1相同，区别在于步骤(c)。
步骤(c)为：依次铺设封装背板6、封装粘结层3-3、复合膜3、光伏电池串、复合膜3、封装粘结层3-3、封装面板5。
实施例3，和实施例1相比，基本相同，区别在于：光伏电池串的互联主栅线2通过非导电的连接点4初步固定在光伏电池1的表面。非导电的连接点4通常为通过粘胶粘结而成，如热熔胶、硅胶、丙烯酸胶、环氧胶等。部分粘胶需要通过局部的UV光照射固化等方式形成粘结作用。
本实施例3相比如图6所示的现有无主栅光伏电池电连接技术中，焊盘Ag浆消耗为零。
实施例4，如图9所示，一种光伏电池组件的制造方法，和实施例1相比，基本相同，区别在于：栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2分别以膜的形式并以整个光伏电池层为最小覆盖单元依次覆盖在光伏电池层的整个表面。
本实施例2的具体步骤中的步骤(a)、(b)、(d)与实施例1相同，区别在于步骤(a)和(c)。
在步骤(a)，省略栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2的复合制备工序。
步骤(c)为：依次铺设封装背板6、封装粘结层3-3、栅线支撑层3-2、栅线粘结层3-1、光伏电池串、栅线粘结层3-1、栅线支撑层3-2、封装粘结层3-3、封装面板5。
实施例5，一种光伏电池组件的制造方法，和实施例1相比，基本相同，区别在于：栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2以含有栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2的复合膜条3’的形式贴覆在光伏电池串的表面。复合膜条3’为栅线支撑层3-2和栅线粘结层3-1的两层复合结构，如图8所示。复合膜条3’以光伏电池串为最小覆盖单元，复合膜条3’在光伏电池串的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，第一方向为互联主栅线2的延伸方向，第二方向为与互联主栅线2的延伸方向垂直的方向。
本实施例5的光伏电池组件的制造方法的具体步骤如下：
(a)提前制备好互联主栅线2、光伏电池1和复合膜条3’，光伏电池1为无主栅光伏电池，无主栅光伏电池上具有多个焊盘。
(b)光伏电池串的制备：
将光伏电池1放置到焊接台上,对光伏电池1进行排版，并将互联主栅线2焊接在焊盘上，形成多个连接点4，用于将互联主栅线2初步固定在光伏电池1上，光伏电池1通过互联主栅线2串联为光伏电池串。
如图10和11所示，复合膜条3’在光伏电池串的表面以沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布的方式贴覆在光伏电池串的表面。贴覆复合膜条3’的光伏电池串进入组件排版步骤进行排版。复合膜条3’通过少许加热栅线粘结层3-1的方式贴附贴覆在光伏电池串的表面。
(c)组件排版：
依次铺设封装背板6、封装粘结层3-3、贴覆复合膜条3’的光伏电池串、封装粘结层3-3、封装面板5，得到进行组件层压的层压件。
(d)组件层压：
以高于互联主栅线2的低熔点焊接层的熔点的层压温度进行层压,在层压的时候，将互联主栅线2的低熔点焊接层融化，和光伏电池1的表面的Ag细栅线形成良好导电关系。
在层压的时候，栅线粘结层3-1受热流动，使互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，层压结束并冷却后栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2将互联主栅线2紧紧地压在光伏电池1的表面，限制互联主栅线2的移动。
通过本实施例5的光伏电池组件的制造方法制得的光伏电池组件，包括封装在封装结构内的光伏电池层，光伏电池层内的光伏电池1通过互联主栅线2导出电流，光伏电池1和互联主栅线2之间具有导电的连接点4，用于互联主栅线2和光伏电池1的初步固定，光伏电池1表面的互联主栅线2上覆盖栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2，用于将互联主栅线2完全固定在光伏电池1表面，互联主栅线2的表面具有低熔点焊接层，互联主栅线2通过低熔点焊接层与光伏电池1的表面形成电接触，栅线支撑层3-2通过栅线粘结层3-1粘结在光伏电池1表面，互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，栅线支撑层3-2与同侧的封装结构之间具有封装粘结层3-3，用于将栅线支撑层3-2与同侧的封装结构粘结在一起。
光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池1通过互联主栅线2进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布。
栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2以含有栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2的复合膜条3’形式间隔地覆盖在光伏电池层的表面。
因为光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，所以复合膜条3’即可视为以光伏电池串为最小覆盖单元，也可视为以光伏电池层为最小覆盖单元，复合膜条3’在光伏电池层的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，复合膜条3’的宽度大于互联主栅线2的宽度。光伏电池1表面的每根互联主栅线2都通过一条复合膜条3’进行整根固定。在图10中，每根互联主栅线2都对应一条复合膜条3’，但是也不排除，多根互联主栅线2对应一条复合膜条3’。
在本实施例5中，如果互联主栅线2的宽度为0.27mm，互联主栅线2之间的间距为8.75mm，则复合膜条3’的宽度只需要为4mm左右，复合膜条3’之间的间距为4.75mm左右，复合膜条3’的用量为光伏电池层面积的45％左右。
在如图12所示的光伏电池通过带多主栅焊带的胶膜电极7进行串联的现有技术中，胶膜的用量达到光伏电池层面积的90％以上,成本较高，而且有遮光影响。
相比该现有技术，本实施例5的技术方案可以降低复合胶条3’的用量，有成本优势，而且遮光降低，功率会有提升。
实施例6，一种光伏电池组件的制造方法，和实施例5相比，基本相同，区别在于：由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、光伏电池串排版步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，在光伏电池串排版步骤中，光伏电池串按照组件规格要求整版排布为光伏电池层，复合膜条3’以光伏电池层为最小覆盖单元贴覆在光伏电池层的表面，复合膜条3’在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，贴覆复合膜条3’的光伏电池层进入组件排版步骤进行组件排版。复合膜条3’通过少许加热栅线粘结层3-1的方式进行贴覆。
本实施例5的光伏电池组件的制造方法的具体步骤如下：
(a)提前制备好互联主栅线2、光伏电池1和复合膜条3’，光伏电池1为无主栅光伏电池，无主栅光伏电池上具有多个焊盘。
(b)光伏电池串的制备：
将光伏电池1放置到焊接台上,对光伏电池1进行排版，并将互联主栅线2焊接在焊盘上，形成多个连接点4，用于将互联主栅线2初步固定在光伏电池1上，光伏电池1通过互联主栅线2串联为光伏电池串。
(c)光伏电池串排版：
光伏电池串按照组件规格要求整版排布为光伏电池层，复合膜条3’以光伏电池层为最小覆盖单元贴覆在光伏电池层的表面，复合膜条3’在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，贴覆复合膜条3’的光伏电池层进入组件排版步骤进行组件排版。
(d)组件排版：
依次铺设封装背板6、封装粘结层3-3、贴覆复合膜条3’的光伏电池层、封装粘结层3-3、封装面板5，得到进行组件层压的层压件。
(e)组件层压：
以高于互联主栅线2的低熔点焊接层的熔点的层压温度进行层压,在层压的时候，将互联主栅线2的低熔点焊接层融化，和光伏电池1的表面的Ag细栅线形成良好导电关系。
在层压的时候，栅线粘结层3-1受热流动，使互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，层压结束并冷却后栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2将互联主栅线2紧紧地压在光伏电池1的表面，限制互联主栅线2的移动。
如图13和14所示，通过本实施例6的光伏电池组件的制造方法制得的光伏电池组件，和实施例5基本相同，区别在于：复合膜条3’在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，光伏电池1表面的每根互联主栅线2都通过多条与其相交的复合膜条3’进行多点固定，固定点为互联主栅线2与复合膜条3’的相交点。
在本实施例6中，如果互联主栅线2的宽度为0.27mm，互联主栅线2之间的间距为8.75mm，则复合膜条3’的宽度只需要为4mm左右，复合膜条3’之间的间距为8mm左右，复合膜条3’的用量为光伏电池层面积的30％左右。相比实施例5，成本和遮光更有优势。
实施例7，和实施例2相比，基本相同，区别在于：光伏电池1为无主栅IBC背结电池，互联主栅线2都位于光伏电池串的一侧，复合膜3以单个光伏电池为最小覆盖单元进行覆盖，如图15和16所示。
实施例8，和实施例7相比，基本相同，区别在于：复合膜3以整个光伏电池层为最小覆盖单元覆盖在光伏电池层的整个表面。
实施例9，和实施例4相比，基本相同，区别在于:栅线支撑层以膜的形式、栅线粘结层以液态形式依次进行覆盖。
封装粘结层3-3和栅线粘结层3-1为液态硅胶，栅线支撑层3-2为PET、PVF、PMMA或PC。
本实施例9的光伏电池组件的制造方法的具体步骤如下：
(a)提前制备好互联主栅线2和光伏电池1，光伏电池1为无主栅光伏电池，无主栅光伏电池上具有多个焊盘。
(b)光伏电池串的制备：
将光伏电池1放置到焊接台上,对光伏电池1进行排版，并将互联主栅线2焊接在焊盘上，形成多个连接点4，用于将互联主栅线2初步固定在光伏电池1上，光伏电池1通过互联主栅线2串联为光伏电池串。
(c)组件排版：
依次铺设封装背板6、涂覆液态硅胶、铺设栅线支撑层3-2、涂覆液态硅胶、铺设光伏电池串、涂覆液态硅胶、铺设栅线支撑层3-2、涂覆液态硅胶、铺设封装面板5，得到进行组件层压的层压件。
液态硅胶的涂覆方法为：以光伏电池层为最小覆盖单元，将液态硅胶的A/B组分混合后进行涂覆。
(d)组件层压：
以高于互联主栅线2的低熔点焊接层的熔点的层压温度进行层压,在层压的时候，将互联主栅线2的低熔点焊接层融化，和光伏电池1的表面的Ag细栅线形成良好导电关系。
在层压的时候，互联主栅线2嵌入栅线粘结层3-1，栅线支撑层3-2压在互联主栅线2上，栅线粘结层3-1受热成为固态形式，层压结束并冷却后栅线粘结层3-1和栅线支撑层3-2将互联主栅线2紧紧地压在光伏电池1的表面，限制互联主栅线2的移动。

Claims (17)

1.一种光伏电池组件的制造方法，其特征是：首先进行光伏电池串的制备，使光伏电池串的互联主栅线通过导电或非导电连接点初步固定在光伏电池的表面，然后，在光伏电池表面的互联主栅线上覆盖栅线粘结层和栅线支撑层，栅线粘结层位于栅线支撑层和光伏电池之间，最后通过组件层压工艺，将光伏电池封装在光伏组件的封装结构内，并将互联主栅线通过栅线粘结层和栅线支撑层完全固定在光伏电池的表面，
栅线支撑层通过栅线粘结层粘结在光伏电池表面，栅线粘结层的厚度小于互联主栅线的厚度，通过组件层压工艺使栅线粘结层受热流动，互联主栅线嵌入栅线粘结层，栅线支撑层压在互联主栅线上，
互联主栅线的表面具有低熔点焊接层，在层压温度下熔化，与光伏电池的表面形成电接触。
2.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层分别以膜的形式依次进行覆盖；
或者，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式进行覆盖；
或者，栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式进行覆盖；
或者，栅线支撑层以膜的形式、栅线粘结层以液态形式依次进行覆盖。
3.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层以至少一个光伏电池为最小覆盖单元进行覆盖。
4.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式进行覆盖，复合膜条沿第一方向或第二方向延伸，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向。
5.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，栅线粘结层和栅线支撑层在组件排版步骤排版至光伏电池表面的互联主栅线上。
6.根据权利要求5所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并分别以膜的形式依次覆盖在光伏电池层的表面；
或者，所述的栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式覆盖在光伏电池层的表面；
或者，所述的栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并且栅线支撑层以膜的形式、栅线粘结层以液态形式依次覆盖在光伏电池层的表面。
7.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，
栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池串为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式贴覆在光伏电池串的表面，复合膜条在光伏电池串的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，
贴覆复合膜条的光伏电池串进入组件排版步骤进行排版。
8.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：由先至后依次包括光伏电池串的制备步骤、光伏电池串排版步骤、组件排版步骤和组件层压步骤，
在光伏电池串排版步骤中，光伏电池串按照组件规格要求整版排布为光伏电池层，
栅线粘结层和栅线支撑层以光伏电池层为最小覆盖单元，并以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条的形式贴覆在光伏电池层的表面，复合膜条在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，
贴覆复合膜条的光伏电池层进入组件排版步骤进行组件排版。
9.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：在光伏电池串的制备步骤中，互联主栅线与光伏电池的连接点通过焊接或粘结方式形成。
10.根据权利要求1所述的光伏电池组件的制造方法，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层以含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜的形式进行覆盖，复合膜为三层复合结构，包括封装粘结层、栅线支撑层和栅线粘结层，封装粘结层用于将栅线支撑层与同侧的封装结构粘结在一起，封装粘结层和栅线粘结层位于栅线支撑层的正反两面。
11.一种光伏电池组件，包括封装在封装结构内的光伏电池层，光伏电池层内的光伏电池通过互联主栅线导出电流，其特征是：所述的光伏电池和互联主栅线之间具有与导电或非导电连接点，用于互联主栅线和光伏电池的初步固定，光伏电池表面的互联主栅线上覆盖栅线粘结层和栅线支撑层，用于将互联主栅线完全固定在光伏电池表面，互联主栅线的表面具有低熔点焊接层，互联主栅线通过低熔点焊接层与光伏电池的表面形成电接触，
栅线支撑层通过栅线粘结层粘结在光伏电池表面，互联主栅线嵌入栅线粘结层，栅线支撑层压在互联主栅线上，栅线支撑层与同侧的封装结构之间具有封装粘结层，用于将栅线支撑层与同侧的封装结构粘结在一起。
12.根据权利要求11所述的光伏电池组件，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层为膜形式，并以至少一个光伏电池为最小覆盖单元。
13.根据权利要求11所述的光伏电池组件，其特征是：所述的栅线粘结层和栅线支撑层为含有栅线粘结层和栅线支撑层的复合膜条形式，并以至少一个光伏电池为最小覆盖单元。
14.根据权利要求13所述的光伏电池组件，其特征是：所述的复合膜条沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，
或者，所述的复合膜条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，
第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向。
15.根据权利要求13所述的光伏电池组件，其特征是：所述的复合膜条以光伏电池层为最小覆盖单元，
光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池通过互联主栅线进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，
复合膜条在光伏电池层的表面沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，复合膜条的宽度大于互联主栅线的宽度，
光伏电池表面的每根互联主栅线都通过一条复合膜条进行整根完全固定。
16.根据权利要求13所述的光伏电池组件，其特征是：所述的复合膜条以光伏电池层为最小覆盖单元，
光伏电池层由至少一个光伏电池串电连接而成，光伏电池串内的光伏电池通过互联主栅线进行电连接，光伏电池串在光伏电池层中沿第一方向延伸并沿第二方向间隔排布，
复合膜条在光伏电池层的表面沿第二方向延伸并沿第一方向间隔排布，第一方向为互联主栅线的延伸方向，第二方向为与互联主栅线的延伸方向垂直的方向，
光伏电池表面的每根互联主栅线都通过多条与其相交的复合膜条进行多点固定，固定点为互联主栅线与复合膜条的相交点。
17.根据权利要求11所述的光伏电池组件，其特征是：所述的栅线支撑层、栅线粘结层和封装粘结层为高分子材料，
栅线支撑层为PET、PVF、PMMA或PC，栅线支撑层的厚度为15um～100um，
栅线粘结层为硅胶、POE、EVA或液态硅胶，栅线粘结层的厚度为20um～150um，
封装粘结层为EVA、POE、PVB、TPO或液态硅胶，封装粘结层的厚度为200um～600um，
光伏电池为无主栅光伏电池，互联主栅线为多主栅焊带。
CN202111492715.XA 2021-12-08 2021-12-08 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件 Pending CN116247120A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111492715.XA CN116247120A (zh) 2021-12-08 2021-12-08 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件
PCT/CN2022/089209 WO2023103260A1 (zh) 2021-12-08 2022-04-26 光伏电池组件及其制造方法
US17/882,394 US20230178680A1 (en) 2021-12-08 2022-08-05 Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111492715.XA CN116247120A (zh) 2021-12-08 2021-12-08 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116247120A true CN116247120A (zh) 2023-06-09

Family

ID=86633637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111492715.XA Pending CN116247120A (zh) 2021-12-08 2021-12-08 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN116247120A (zh)
WO (1) WO2023103260A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116581171A (zh) * 2023-07-14 2023-08-11 金阳(泉州)新能源科技有限公司 无焊盘超细主栅背接触电池和背接触电池模组及制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117374165A (zh) * 2023-12-04 2024-01-09 正泰新能科技股份有限公司 一种无主栅光伏组件制备方法、无主栅光伏电池及组件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449796B (zh) * 2016-10-25 2019-01-29 陕西众森电能科技有限公司 一种用于太阳电池的电极
US20180198008A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 Solarcity Corporation Photovoltaic structures with segmented busbars for increased thermal cycling reliability
CN107492581B (zh) * 2017-08-04 2019-01-29 泰州中来光电科技有限公司 背接触式太阳能电池组件及其制造方法
CN111403497A (zh) * 2018-12-28 2020-07-10 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池互联结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116581171A (zh) * 2023-07-14 2023-08-11 金阳(泉州)新能源科技有限公司 无焊盘超细主栅背接触电池和背接触电池模组及制备方法
CN116581171B (zh) * 2023-07-14 2023-11-07 金阳(泉州)新能源科技有限公司 无焊盘超细主栅背接触电池和背接触电池模组及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023103260A1 (zh) 2023-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2169725B1 (en) Solar cell module manufacturing method
EP2109150A1 (en) Solar cell module, wiring member for solar cell, and method for manufacturing solar cell module
US20150155398A1 (en) Photovoltaic monolithic solar module connection and fabrication methods
CN116247120A (zh) 光伏电池组件的制造方法及光伏电池组件
KR20160001227A (ko) 태양 전지 모듈
KR102624958B1 (ko) 태양광 발전 어셈블리의 제조 방법 및 배터리 모듈, 배터리 스트링과 태양광 발전 어셈블리
KR20130036326A (ko) 태양 전지 모듈, 태양 전지 모듈의 제조 방법
CN104269462A (zh) 无主栅、高效率背接触太阳能电池背板、组件及制备工艺
CN110707167B (zh) 背接触太阳能电池组件生产方法及背接触太阳能电池组件
KR102243603B1 (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
JP2005191125A (ja) 太陽電池素子接続用接続タブ及び太陽電池モジュール並びに太陽電池モジュールの製造方法
CN111739969B (zh) 一种光伏模组及其串联方法
WO2024012161A1 (zh) 无主栅ibc电池组件单元及制作方法、电池组件、电池组串
WO2024012160A1 (zh) Ibc太阳能电池组件及其制作方法、ibc太阳能电池组串
WO2023207158A1 (zh) 太阳电池互联方法、太阳电池及太阳电池组件
CN101728460B (zh) 用于太阳能手机电池组件的太阳能电池及其制备方法
CN116741860A (zh) 光伏组件及其制备方法
CN116471856A (zh) 一种钙钛矿/晶硅叠层电池光伏组件
CN212934635U (zh) 叠瓦组件的导电互联件及叠瓦组件
CN209981247U (zh) 一种曲面叠瓦光伏组件
CN115966621A (zh) 柔性光伏电池组件及其制造方法
US20230178680A1 (en) Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof
CN115706182A (zh) 光伏电池串及其制备方法、串焊设备和光伏组件
CN208062079U (zh) 一种太阳能电池电极及使用该太阳能电池电极结构的太阳能电池
CN217719626U (zh) 一种低眩光高可靠光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination