CN116234365A - 发射型显示装置 - Google Patents

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Abstract

根据实施例的一种发射型显示装置，包括：基底；晶体管，设置在所述基底上；绝缘层，设置在所述晶体管上；像素电极，设置在所述绝缘层上并且电连接到所述晶体管；以及分隔件，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述像素电极的至少边缘以形成暴露所述像素电极的中心的开口。所述分隔件包括与所述像素电极的侧表面接触的第一分隔件和与所述像素电极的上表面接触的第二分隔件。

Description

发射型显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月2日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0170938号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括发光二极管的发射型显示装置及其制造方法。
背景技术
发射型显示装置可以包括对应于像素的发光二极管，并且可以通过控制发光二极管中的每一个的亮度来显示图像。与诸如液晶显示器的光接收型显示装置不同，发射型显示装置可以不需要单独的光源，因此可以减小发射型显示装置的厚度和重量。另外，发射型显示装置具有诸如高亮度、高对比度、高色彩再现和高响应速度等特性，以显示高质量的图像。
由于这些优点，发射型显示装置被应用于各种电子装置，包括诸如智能电话和平板计算机的移动装置、监视器和电视机等，并且作为用于车辆的显示装置已经受到关注。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景的理解，并且因此可能包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一种发射型显示装置可以包括限定像素区的分隔件。对于发射型显示装置，可以使用包括黑色颜料和/或黑色染料的黑色分隔件来改善光学特性，诸如，对比度。在形成黑色分隔件的工艺中或后续工艺中，用于形成黑色分隔件的材料可能残留在像素电极上或金属颗粒可能在像素电极上方迁移，从而导致诸如暗点等缺陷。
已经做出实施例以努力提供一种能够在改善图像质量的同时防止缺陷发生的发射型显示装置和制造方法。
根据实施例的一种发射型显示装置，包括：基底；晶体管，设置在所述基底上；绝缘层，设置在所述晶体管上；像素电极，设置在所述绝缘层上并且电连接到所述晶体管；以及分隔件，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述像素电极的至少边缘以形成暴露所述像素电极的中心的开口。所述分隔件包括与所述像素电极的侧表面接触的第一分隔件和与所述像素电极的上表面接触的第二分隔件。
所述第一分隔件和所述像素电极可以与所述绝缘层接触，并且所述第二分隔件可以与所述绝缘层不接触。
所述第二分隔件的下表面的一部分可以与所述像素电极接触，并且所述第二分隔件的所述下表面的一部分可以与所述第一分隔件接触。
所述第二分隔件可以从所述像素电极的边缘横向突出。
所述开口可以包括由所述第一分隔件限定的第一开口和由所述第二分隔件限定的第二开口，并且所述第一开口和所述第二开口可以基本上具有相同的平面形状。
所述第一分隔件的限定所述第一开口的侧表面和所述第二分隔件的限定所述第二开口的侧表面可以形成基本上无缝的线。
所述第一分隔件可以覆盖所述第二分隔件的限定所述第二开口的侧表面的至少一部分。
所述第一分隔件可以在覆盖所述第二分隔件的限定所述第二开口的整个侧表面的同时，与所述像素电极的上表面接触。
所述发射型显示装置，还可以包括：发射层，设置在所述像素电极上。所述第二分隔件的厚度可以大于所述发射层的厚度。
所述发射型显示装置，还可以包括：公共电极，设置在所述发射层上。所述第二分隔件的厚度可以大于所述发射层的厚度和所述公共电极的厚度之和。
所述第一分隔件可以是包括黑色颜料或黑色染料的黑色分隔件，并且所述第二分隔件可以是透明分隔件。
所述发射型显示装置，还可以包括：延伸部，从所述像素电极延伸并且连接到所述晶体管或经由连接电极连接到所述晶体管。所述第一分隔件可以与所述延伸部的侧表面接触，并且所述第二分隔件可以与所述延伸部的上表面接触。
根据实施例的一种发射型显示装置，包括：基底；晶体管，设置在所述基底上；绝缘层，设置在所述晶体管上；像素电极，设置在所述绝缘层上，接触所述绝缘层并且电连接到所述晶体管；分隔件，设置在所述绝缘层上，所述分隔件覆盖所述像素电极的至少边缘以形成暴露所述像素电极的中心的开口；发射层，设置在所述像素电极上以与所述开口重叠；以及公共电极，设置在所述发射层上。所述分隔件可以包括与所述绝缘层接触并且与所述像素电极的上表面不接触的第一分隔件和与所述像素电极的所述上表面接触并且与所述绝缘层不接触的第二分隔件。
所述第一分隔件可以与所述像素电极的侧表面接触，并且所述第二分隔件可以与所述像素电极的所述侧表面不接触。
所述第二分隔件可以与所述绝缘层间隔开所述像素电极的厚度。
所述第一分隔件可以填充所述第二分隔件和所述绝缘层之间的间隙。
所述发射型显示装置还可以包括设置在所述分隔件和所述公共电极之间的间隔件。所述间隔件可以与所述第一分隔件接触并且可以与所述第二分隔件不接触。
所述发射型显示装置还可以包括：延伸部，从所述像素电极延伸以通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述晶体管或经由连接电极连接到所述晶体管。所述延伸部可以通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述晶体管或所述连接电极。所述第一分隔件可以与所述延伸部的侧表面接触，并且所述第二分隔件可以与所述延伸部的上表面接触。
所述第二分隔件的厚度可以大于所述发射层的厚度和所述公共电极的厚度之和。
根据实施例的一种发射型显示装置，包括：基底；晶体管，设置在所述基底上；绝缘层，设置在所述晶体管上；像素电极，设置在所述绝缘层上并且电连接到所述晶体管；以及分隔件，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述像素电极的至少边缘以暴露所述像素电极的中心。所述分隔件可以包括第一分隔件和至少部分被所述第一分隔件覆盖的第二分隔件，所述第二分隔件的上表面和侧表面可以与所述第一分隔件接触，并且所述第二分隔件的下表面可以与所述像素电极和所述第一分隔件接触。
根据实施例，可以在改善发射型显示装置的图像质量的同时防止出现诸如暗点的缺陷。此外，根据实施例，还有可以在整个说明书中认识到的其他有利效果。
附图说明
图1示出表示根据实施例的发射型显示装置的示意性透视图。
图2示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
图3示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11示出表示根据实施例的发射型显示装置的制造方法的工艺截面图。
图12示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
图13示出根据实施例的发射型显示装置的像素的电路图。
具体实施方式
下文将参照其中表示实施例的附图更全面地描述本发明构思。
应当理解，当元件(诸如层、膜、区域或基底)被称为“在”另一元件(诸如层、膜、区域或基底)“上”时，该元件可以直接“在”另一元件“上”或者也可以存在居间元件(诸如层、膜、区域或基底)。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
另外，除非明确相反地描述，否则词语“包括”和诸如“含有”或“包含”的变体将被理解为暗示包含所述元件而不是排除任何其他元件。
另外，在说明书中，“连接”是指两个或更多个组件不仅直接连接，而且两个或更多个组件可以通过其他组件间接连接、物理连接以及电连接，或者可以取决于位置或功能以不同的名称来指代，但是可以包括连接基本上彼此成一体的部件中的每一个。
在附图中，符号“x”、“y”和“z”用于指示方向，其中x用于指示第一方向，y用于指示与第一方向垂直的第二方向，并且z用于指示与第一方向和第二方向垂直的第三方向。
图1示出示出了根据实施例的发射型显示装置的示意性透视图。
参照图1，发射型显示装置(以下简称为“显示装置”)可以包括显示面板10、接合到显示面板10的柔性印刷电路膜20和包括集成电路芯片30的驱动装置等。
显示面板10可以包括对应于在其上显示图像的屏幕的显示区域DA和非显示区域NA，并且用于产生和/或传送施加到显示区域DA上的各种信号和电压的电路和/或信号线设置在非显示区域NA中。非显示区域NA可以设置为围绕显示区域DA的外围。在图1中，虚线矩形的内部和外部分别对应于显示区域DA和非显示区域NA。
像素PX以矩阵形式设置在显示面板10的显示区域DA中。另外，诸如栅极线(也称为扫描线)、数据线和驱动电压线的信号线可以设置在显示区域DA中。栅极线、数据线、驱动电压线等连接到每个像素PX，并且每个像素PX可以从这些信号线接收栅极信号(也称为扫描信号)、数据电压和驱动电压(也称为第一电源电压或高电位电源电压)。像素PX可以实现为发光装置，诸如发光二极管。
用于检测用户的触摸和/或非接触触摸的触摸传感器可以设置在显示区域DA中。尽管示出了具有基本上矩形形状的显示区域DA，但是显示区域DA可以具有各种形状，诸如多边形形状、圆形形状和椭圆形形状等。
包括用于接收来自显示面板10外部的信号的焊盘的焊盘部分PP可以设置在显示面板10的非显示区域NA中。焊盘部分PP可以设置为沿着显示面板10的一个边缘在第一方向x上延伸。柔性印刷电路膜20接合到焊盘部分PP，并且柔性印刷电路膜20的焊盘可以电连接到焊盘部分PP的焊盘。
面板驱动器可以设置在显示面板10的非显示区域NA中以生成和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号。面板驱动器可以包括用于将数据电压施加到数据线的数据驱动器、用于将栅极信号施加到栅极线的栅极驱动器以及用于控制数据驱动器和栅极驱动器的信号控制器。取决于由栅极驱动器产生的栅极信号，像素PX可以以预定时序接收数据电压。栅极驱动器可以集成在显示面板10中并且可以设置在显示区域DA的至少一侧上。数据驱动器和信号控制器可以提供为集成电路芯片(也称为驱动IC芯片)30，并且集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域NA中。集成电路芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20等上以电连接到显示面板10。
图2示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
参照图2，显示面板10可以基本上包括基底110、定位于基底110上的晶体管TR以及连接到晶体管TR的发光二极管LED。发光二极管LED可以对应于像素PX。
基底110可以是包括玻璃的刚性基底。基底110可以是包括由例如聚酰亚胺、聚酰胺和聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的聚合物层的柔性基底。
缓冲层120可以设置在基底110上。当形成半导体层AL时缓冲层120可以通过阻挡来自基底110的杂质来改善半导体层AL的特性，并且可以使基底110的表面平坦以减轻半导体层AL的应力。缓冲层120可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)。缓冲层120可以包括非晶硅。
半导体层AL可以设置在缓冲层120上。半导体层AL可以包括第一区和第二区以及设置在第一区和第二区之间的沟道区。半导体层AL可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
第一栅极绝缘层141可以设置在半导体层AL上。第一栅极绝缘层141可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
可以包括栅极电极GE、存储电容器CS的第一电极C1和旁路控制线158等的第一栅极导电层可以定位于第一栅极绝缘层141上。第一栅极导电层可以通过使用相同的材料在相同的工艺中形成。栅极电极GE可以与半导体层AL的沟道区重叠。第一栅极导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)或钨(W)等，并且可以是单层或多层。
第二栅极绝缘层142可以设置在第一栅极导电层上。第二栅极绝缘层142可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
可以包括存储电容器CS的第二电极C2等的第二栅极导电层可以设置在第二栅极绝缘层142上。第二电极C2可以与第一电极C1重叠，并且第一电极C1、第二电极C2和设置在第一电极C1和第二电极C2之间的第二栅极绝缘层142可以构成存储电容器CS。第二栅极导电层可以通过使用相同的材料在相同的工艺中形成。第二栅极导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)或钨(W)等，并且可以是单层或多层。
层间绝缘层160可以设置在第二栅极导电层上。层间绝缘层160可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。当层间绝缘层160包括多层时，层间绝缘层160的下层可以包括氮化硅，并且层间绝缘层160的上层可以包括氧化硅。
可以包括晶体管TR的第一电极SE和第二电极DE、初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152和发射控制线153等的第一数据导电层可以设置在层间绝缘层160上。第一电极SE和第二电极DE中的一个可以用作晶体管TR的源极电极，并且第一电极SE和第二电极DE中的另一个可以用作晶体管TR的漏极电极。初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152和发射控制线153中的至少一个可以包括在第一栅极导电层或第二栅极导电层中。第一数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等，并且可以是单层或多层。例如，第一数据导电层可以具有包括例如钛(Ti)-铝(Al)-钛(Ti)的三层结构，或者包括例如钛(Ti)-铜(Cu)的双层结构。
钝化层181可以设置在第一数据导电层上。钝化层181可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅或氮化硅。
第一平坦化层182可以设置在钝化层181上。第一平坦化层182可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物(例如，聚酰亚胺)或硅氧烷类聚合物。
可以包括数据线171、驱动电压线172、连接电极179等的第二数据导电层可以设置在第一平坦化层182上。连接电极179可以通过形成在第一平坦化层182和钝化层181中的接触孔连接到晶体管TR的第二电极DE。第二数据导电层还可以包括初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152和发射控制线153中的至少一者。数据线171和驱动电压线172中的至少一者可以包括在第一数据导线层中。第二数据导电层可以通过使用相同的材料在相同的工艺中形成。第二数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等，并且可以是单层或多层。例如，第二数据导电层可以具有包括例如钛(Ti)-铝(Al)-钛(Ti)的三层结构，或者包括例如钛(Ti)-铜(Cu)的双层结构。
第二平坦化层183可以设置在第二数据导电层上。第二平坦化层183可以包含有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)或聚苯乙烯)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物(例如，聚酰亚胺)或硅氧烷类聚合物。
发光二极管LED的像素电极E1和延伸部ET可以定位于第二平坦化层183上。延伸部ET可以从像素电极E1延伸，可以是被分隔件200覆盖的一部分，并且可以通过形成在第二平坦化层183中的接触孔H连接到连接电极179。延伸部ET可以包括定位于接触孔H中的一部分和定位于第二平坦化层183上的一部分。延伸部ET可以与像素电极E1一体形成。由于连接电极179连接到第二电极DE，像素电极E1可以通过延伸部ET和连接电极179电连接到第二电极DE。像素电极E1和延伸部ET可以各自由反射导电材料或半透明导电材料形成，或者可以由透明导电材料形成。像素电极E1可以包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素电极E1可以包括金属，诸如锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)。像素电极E1可以具有多层结构，例如，可以具有包括例如ITO-银(Ag)-ITO的三层结构。
具有暴露像素电极E1的第一开口OP1和第二开口OP2的分隔件200(也称为像素限定层或堤)可以定位于第二平坦化层183上。分隔件200可以限定发射区域。分隔件200可以覆盖像素电极E1的边缘。即，像素电极E1的边缘可以被分隔件200覆盖，并且被分隔件200覆盖的宽度可以是大约3μm或更小。分隔件200可以覆盖整个延伸部ET。
分隔件200可以包括第一分隔件201和第二分隔件202。在分隔件200的开口OP1和OP2之中，第一开口OP1可以由第一分隔件201限定并且第二开口OP2可以由第二分隔件202限定。第一开口OP1和第二开口OP2可以具有基本上相同的平面形状。在截面图中，第一开口OP1可以定位于第二开口OP2上方。
第二分隔件202可以设置在延伸部ET上以完全覆盖延伸部ET。第二分隔件202可以围绕像素电极E1和/或延伸部ET的边缘。第二分隔件202可以定位成在覆盖像素电极E1和/或延伸部ET的边缘的同时，比像素电极E1和/或延伸部ET的边缘轻微横向突出。例如，延伸部ET和/或像素电极E1可以具有其中延伸部ET和像素电极E1的边缘从第二分隔件202的边缘缩回的底切部分。第二分隔件202可以与延伸部ET和/或像素电极E1的上表面接触，但是可以与延伸部ET和/或像素电极E1的侧表面不接触。第二分隔件202可以定位成与第二平坦化层183间隔开大约像素电极E1的厚度。第二分隔件202的至少一部分可以被第一分隔件201覆盖。第二分隔件202的上表面可以与第一分隔件201直接接触并且可以被第一分隔件201覆盖。第二分隔件202的下表面的一部分可以直接接触像素电极E1和/或延伸部ET，并且第二分隔件202的一部分可以直接接触第一分隔件201。第二分隔件202的不限定第二开口OP2的侧表面可以直接接触第一分隔件201并且可以被第一分隔件201覆盖。第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面可以不被第一分隔件201覆盖。第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面和第一分隔件201的限定第一开口OP1的侧表面可以形成基本上无缝的线。第二分隔件202可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物或酰胺类聚合物。例如，第二分隔件202可以包括聚酰亚胺。第二分隔件202可以是不包括有色颜料和/或有色染料的透明分隔件。
第一分隔件201可以设置在第二分隔件202上。第一分隔件201可以围绕像素电极E1的边缘并且与第二分隔件202的上表面直接接触。第一分隔件201可以与像素电极E1和/或延伸部ET的边缘重叠。第一分隔件201可以填充底切部分并且直接接触像素电极E1和/或第二分隔件202的侧表面。第一分隔件201与延伸部ET重叠并且可以与延伸部ET和第二分隔件202的侧表面直接接触，但是可以与延伸部ET的上表面和/或像素电极E1的上表面不直接接触。第一分隔件201的下表面可以与第二平坦化层183的上表面直接接触。第一分隔件201可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物(例如，聚酰亚胺)或酰胺类聚合物(例如，聚酰胺)。第一分隔件201可以是包括诸如黑色颜料或蓝色颜料的有色颜料的黑色分隔件。例如，第一分隔件201可以包括聚酰亚胺粘合剂以及红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料。例如，第一分隔件201可以包括卡多(cardo)粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。第一分隔件201可以包括炭黑。黑色分隔件可以改善对比度，并且可以防止被设置在分隔件下方的金属层反射。
在显示面板10的制造或使用期间，可能从像素电极E1洗脱的材料(例如，银(Ag))可能移动并聚集，并且聚集的材料可能导致像素电极E1和公共电极E2之间的短路，并且因此可能出现暗点。特别地，可以是黑色分隔件的第一分隔件201可以促进材料移动和聚集，而可以是透明分隔件的第二分隔件202可以抑制材料移动和聚集。由于第二分隔件202覆盖像素电极E1的边缘，因此通过抑制从像素电极E1洗脱的材料的移动和聚集可以防止或减少诸如暗点的缺陷。
发射层EL可以设置在像素电极E1上。发射层EL可以与第一开口OP1和第二开口OP2重叠。发射层EL的至少一部分可以定位于第二开口OP2内。发射层EL的厚度可以比第二分隔件202的厚度薄，并且发射层EL的中心部分的高度可以低于第二分隔件202的高度。发射层EL可以包括独特地发射诸如红色、绿色和蓝色的原色光的材料层。发射层EL可以具有其中发射不同颜色的光的材料层堆叠的结构。空穴注入层和空穴传输层中的至少一者可以设置在像素电极E1和发射层EL之间，电子传输层和电子注入层中的至少一者可以设置在发射层EL上。
间隔件205可以定位于分隔件200上。间隔件205可以接触第一分隔件201并且可以不接触第二分隔件202。间隔件205可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物或酰胺类聚合物。
公共电极E2(也称为对电极)可以定位于发射层EL和分隔件200上。公共电极E2可以定位于多个像素PX上方。公共电极E2的与发射层EL的中心部分重叠的一部分的高度可以低于第二分隔件202的高度。公共电极E2和发射层EL的厚度之和可以比第二分隔件202的厚度更薄。公共电极E2可以包括金属，诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或锂(Li)。公共电极E2可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
像素电极E1、发射层EL和公共电极E2构成可以是有机发光二极管的发光二极管LED。像素电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极E2可以是作为电子注入电极的阴极，并且反之亦然。分隔件200的第一开口OP1和第二开口OP2可以对应于发光二极管LED的发射区域。
封装层210可以设置在公共电极E2上。封装层210可以封装发光二极管LED并且可以防止湿气或氧气从外部渗透。封装层210可以是包括堆叠在公共电极E2上的一层或多层无机层和一层或多层有机层的薄膜封装层。例如，封装层210可以具有第一无机层211、有机层212和第二无机层213的三层结构。封装层210可以以基底的形式提供。
第一绝缘层220可以设置在封装层210上。第一绝缘层220可以覆盖封装层210以保护封装层210并防止湿气渗透。第一绝缘层220可以减小公共电极E2和设置在公共电极E2上的触摸电极TE之间的寄生电容。
包括桥BR的第一触摸导电层可以设置在第一绝缘层220上。第二绝缘层230可以定位于第一触摸导电层上。包括触摸电极TE的第二触摸导电层可以定位于第二绝缘层230上。钝化层240可以定位于第二触摸导电层上。
触摸电极TE可以包括构成互感电容器的第一触摸电极和第二触摸电极。桥BR可以电连接第一触摸电极或第二触摸电极。例如，彼此相邻地分离的第一触摸电极可以通过形成在第二绝缘层230中的接触孔连接到桥BR，并且可以通过桥BR电连接。
第一绝缘层220和第二绝缘层230可以各自包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅，并且可以是单层或多层。钝化层240可以包括有机绝缘材料(诸如丙烯酸类聚合物或酰亚胺类聚合物)，或无机绝缘材料(诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅)。
第一触摸导电层和第二触摸导电层可以各自具有网格形状，该网格形状具有与发光二极管LED的发射区域重叠的开口。第一触摸导电层和第二触摸导电层各自可以包括金属，诸如铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、银(Ag)、铬(Cr)或镍(Ni)，并且可以是单层或多层。例如，第一触摸导电层和/或第二触摸导电层可以具有包括例如钛(Ti)-铝(Al)-钛(Ti)的三层结构。
光阻挡构件250可以设置在钝化层240上。光阻挡构件250可以包含黑色颜料和/或黑色染料，并且可以减少或防止由显示面板10等的金属层引起的光反射。光阻挡构件250可以定位成与作为发射区域的第一开口OP1和第二开口OP2不重叠。光阻挡构件250可以被称为黑色矩阵。
滤色器260可以定位于钝化层240和光阻挡构件250上。滤色器260可以透射例如红光、绿光和蓝光中的任何一种。表示不同颜色的滤色器260可以在与光阻挡构件250重叠的区中重叠。
滤色器260和光阻挡构件250可以组合以用作抗反射层。在这种结构中，可以不需要偏振层作为抗反射层，并且因此可以提高光输出效率，并且可以减小显示面板10的厚度。滤色器260可以包括量子点或磷光粉并且可以将从发光二极管LED发射的光转换成红光或绿光。外涂层270可以设置在滤色器260上。显示面板10还可以包括偏振层作为抗反射层。
图3示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
图3中示出的实施例与图2中示出的实施例的不同之处在于分隔件200的结构。具体地，分隔件200可以包括第一分隔件201和第二分隔件202。第二分隔件202的布置和形状可以与图2的实施例基本上相同。第一分隔件201可以覆盖整个第二分隔件202。第一分隔件201可以覆盖第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面，并且可以接触像素电极E1的上表面。第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面可以与第一分隔件201接触。在第一开口OP1和第二开口OP2中，因为第一分隔件201覆盖第二分隔件202的侧表面，所以在平面图中第一开口OP1的宽度可以小于第二开口OP2的宽度。第一开口OP1可以定位于第二开口OP2中。可以通过在图案化第二分隔件202之后图案化第一分隔件201来形成上述结构，或者在使用相同掩模同时图案化用于形成第一分隔件201和第二分隔件202的材料之后通过将第一分隔件201回流来形成上述结构。与附图不同，第一分隔件201可以部分地覆盖第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面。
在下文中，将描述根据实施例的发射型显示装置(具体地，显示面板)的制造方法。
图4至图11示出表示根据实施例的发射型显示装置的制造方法的工艺截面图。
参照图4，可以在基底110上形成缓冲层120。在缓冲层120上形成半导体材料层并且图案化之后，可以形成晶体管TR的半导体层AL。在本文中，图案化可以指经由通过光刻工艺等去除层的一部分来形成预定图案。第一栅极绝缘层141可以形成在半导体层AL上。导电材料层可以形成在第一栅极绝缘层141上，并且然后被图案化以形成第一栅极导电层，该第一栅极导电层可以包括晶体管TR的栅极电极GE、存储电容器CS的第一电极C1和旁路控制线158等。第二栅极绝缘层142可以形成在第一栅极导电层上。可以包括存储电容器CS的第二电极C2等的第二栅极导电层可以形成在第二栅极绝缘层142上。层间绝缘层160可以形成在第二栅极导电层上。导电材料层可以形成在层间绝缘层160上，并且然后被图案化以形成第一数据导电层，该第一数据导电层可以包括晶体管TR的第一电极SE和第二电极DE、初始化电压线127、扫描线151、前阶扫描线152和发射控制线153等。钝化层181可以形成在第一数据导电层上。第一平坦化层182可以形成在钝化层181上。导电材料层可以形成在第一平坦化层182上，并且然后被图案化以形成第二数据导电层，该第二数据导电层可以包括数据线171、驱动电压线172和连接电极179等。第二平坦化层183可以形成在第二数据导电层上。可以通过图案化第二平坦化层183来形成与连接电极179重叠的接触孔H。
参照图5，可以在第二平坦化层183上形成导电材料层190。导电材料层190可以通过接触孔H连接到连接电极179。导电材料层190可以包括依次形成的第一导电层、第二导电层和第三导电层。第一导电层和第三导电层可以包括透明导电氧化物(例如，ITO)，并且第二导电层可以包括金属(例如，银(Ag))。
参照图6，像素电极E1和延伸部ET可以通过图案化导电材料层190来形成。导电材料层190的图案化可以通过蚀刻导电材料层190来进行。例如，在将光致抗蚀剂施加(例如，涂覆)到导电材料层190上之后，可以使用光掩模形成感光膜图案PR，并且可以通过使用感光膜图案PR作为掩模对导电材料层190进行湿法蚀刻来形成像素电极E1和延伸部ET。由于湿法蚀刻是各向同性的，因此可能发生底切，在底切中，不仅导电材料层190的未被感光膜图案PR覆盖的一部分在水平方向上被蚀刻，而且在感光膜图案PR下方的一部分在水平方向上被蚀刻。因此，在平面图中，像素电极E1和延伸部ET的边缘可以定位于感光膜图案PR的边缘内部。用于形成感光膜图案PR的光致抗蚀剂可以是正性感光树脂组合物。感光树脂组合物可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物或酰胺类聚合物。例如，感光树脂组合物可以包括感光聚酰亚胺。
参照图7，在形成像素电极E1和延伸部ET之后，可以在不去除感光膜图案PR的情况下施加用于形成第一分隔件201的黑色光致抗蚀剂BP。黑色光致抗蚀剂BP可以是负性感光树脂组合物。感光树脂组合物可以包含有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物或酰胺类聚合物。黑色光致抗蚀剂BP可以是负性光致抗蚀剂。黑色光致抗蚀剂BP可以完全覆盖感光膜图案PR，并且可以填充感光膜图案PR和由于导电材料层190的底切而形成的第二平坦化层183之间的间隙或空间。
参照图8，可以通过图案化黑色光致抗蚀剂BP来形成具有第一开口OP1的第一分隔件201。第一开口OP1可以通过例如涂覆黑色光致抗蚀剂BP并且然后使用光掩模选择性地照射光(例如，UV)并且对其进行显影来形成。可以使用显影剂去除涂覆的黑色光致抗蚀剂BP的未照射光的一部分，并且去除的部分可以对应于第一开口OP1。第一开口OP1可以对应于发光二极管LED的发射区域。感光膜图案PR可以通过第一开口OP1暴露。感光膜图案PR的与像素电极E1和延伸部ET的边缘重叠的一部分可以被第一分隔件201覆盖。当形成第一分隔件201时，像素电极E1被感光膜图案PR覆盖，可以防止形成第一分隔件201的材料接触或粘附到像素电极E1的上表面。另外，可以防止在导电材料层190被图案化之后可能残留的诸如银(Ag)的金属颗粒移动到像素电极E1的上表面。因此，可以防止此类残留物可能导致的诸如暗点的缺陷。
在形成第一分隔件201之后，可以用光照射感光膜图案PR并显影以形成具有如图9中所示的第二开口OP2的第二分隔件202。在这种情况下，即使在不使用光掩模完全曝光的情况下，也可以选择性地曝光感光膜图案PR的未被第一分隔件201覆盖的一部分(即，与第一开口OP1重叠的一部分)。可以使用显影液去除用光照射的感光膜图案PR的一部分，并且去除的部分可以对应于第二开口OP2。可以使用负性感光树脂组合物形成第一分隔件201，并且可以使用正性感光树脂组合物形成第二分隔件202，以在不使用光掩模的情况下形成第二开口OP2。由于使用第一开口OP1形成第二开口OP2，因此第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面和第一分隔件201的限定第一开口OP1的侧表面可以形成基本上无缝的线。随着形成第二开口OP2，可以暴露像素电极E1中的发光二极管LED的发射区域的对应部分。当形成第二开口OP2时，可以一起去除可能残留在感光膜图案PR上的形成第一分隔件201的材料和/或金属颗粒。形成第一分隔件201的材料和/或金属颗粒的此类残留物可能导致例如像素电极E1和公共电极E2之间的短路，从而产生暗点。当去除感光膜图案PR时，可以一起去除这些残留物，使得可以防止诸如暗点的缺陷。
同时，当图案化用于形成像素电极E1的导电材料层190时，靠近像素电极E1的边缘的第三导电层可能损坏。当第三导电层损坏时，包括例如银(Ag)的第二导电层的材料可能在随后的工艺(例如，分隔件200的固化)中通过第三导电层被洗脱。被洗脱的材料可能聚集并导致像素电极E1和公共电极E2之间的短路，这可能导致暗点。与作为黑色分隔件的第一分隔件201不同，第二分隔件202可以抑制洗脱材料的移动和聚集。因此，如在本实施例中，其中第二分隔件202覆盖像素电极E1的边缘的结构可以有利于防止诸如暗点的缺陷。
参照图10，可以在分隔件200上形成间隔件205。间隔件205可以被形成为接触精细金属掩模，以防止由当发射层EL沉积时使用的精细金属掩模损坏预形成的结构。间隔件205可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物或酰胺类聚合物。间隔件205可以具有各种平面形状，诸如多边形(例如三角形)或圆形。在形成间隔件205之后，可以在像素电极E1上形成发射层EL。可以使用精细金属掩模来沉积发射层EL。
参照图11，公共电极E2可以形成在发射层EL上。可以使用开放掩模来沉积公共电极E2。之后，可以通过形成封装层210等来制造具有如图2中所示的截面结构的显示面板10。
同时，在形成分隔件200之后，可以进行固化。在固化期间，由于高温，可能在第一分隔件201的边缘进行回流。因此，取决于第一分隔件201的回流程度，第一分隔件201可以不覆盖如在图2的实施例中的第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面，并且第一分隔件201可以覆盖如在图3的实施例中的第二分隔件202的限定第二开口OP2的侧表面。
图12示出根据实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性截面图。
图12中示出的显示面板10与图2中示出的显示面板10的不同之处在于图12中示出的显示面板10不包括第二导电层。具体地，平坦化层180可以定位于包括晶体管TR的第一电极SE和第二电极DE的第一数据导电层上，并且像素电极E1的延伸部ET可以通过形成在平坦化层180中的接触孔H连接到TR晶体管的第二电极DE。因此，像素电极E1可以通过延伸部ET连接到晶体管TR的第二电极DE。同时，在图2的实施例中描述的诸如初始化电压线127、扫描线151、前一扫描线152、发射控制线153、旁路控制线158、数据线171和驱动电压线的信号线可以包括在第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层或任何其他可能的导电层中。
图13示出根据实施例的发射型显示装置的像素的电路图。
参照图13，像素PX可以包括连接到信号线127、151、152、153、158、171和172的晶体管T1至T7、存储电容器CS和发光二极管LED。
晶体管T1至T7包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
信号线127、151、152、153、158、171和172可以包括初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152、发射控制线153、旁路控制线158、数据线171和驱动电压线172。
扫描线151可以将扫描信号GW传输到开关晶体管T2和补偿晶体管T3。前级扫描线152可以将前级扫描信号GI传输到初始化晶体管T4。发射控制线153可以将发射控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6。旁路控制线158可以将旁路信号GB传输到旁路晶体管T7。旁路控制线158可以连接到前级扫描线152。
数据线171可以接收数据电压VDAT，并且驱动电压线172和初始化电压线127可以分别接收驱动电压ELVDD和初始化电压VINT。初始化电压VINT可以初始化驱动晶体管T1。
晶体管T1至T7中的每一个包括栅极电极G1至G7(即，G1、G2、G3、G4、G5、G6和G7)、第一电极S1至S7(即，S1、S2、S3、S4、S5、S6和S7)和第二电极D1至D7(即，D1、D2、D3、D4、D5、D6和D7)，并且存储电容器CS包括第一电极C1和第二电极C2。晶体管T1至T7的电极和存储电容器CS可以如图13中所示的连接。发光二极管LED的阳极可以通过发射控制晶体管T6连接到驱动晶体管T1的第二电极D1，以接收驱动电流ID。发光二极管LED的阴极可以接收公共电压ELVSS(也称为第二电源电压或低电位电源电压)。
在像素PX的电路结构中，可以对晶体管的数量、电容器的数量以及晶体管和电容器之间的连接进行各种修改。
虽然已经结合目前被认为是实际的实施例描述了本公开，但是应当理解，本发明构思不限于公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改以及等效布置。

Claims (10)

1.一种发射型显示装置，其中，所述发射型显示装置包括：
基底；
晶体管，设置在所述基底上；
绝缘层，设置在所述晶体管上；
像素电极，设置在所述绝缘层上并且电连接到所述晶体管；以及
分隔件，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述像素电极的至少边缘以形成暴露所述像素电极的中心的开口，
其中，所述分隔件包括与所述像素电极的侧表面接触的第一分隔件和与所述像素电极的上表面接触的第二分隔件。
2.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，所述第一分隔件和所述像素电极与所述绝缘层接触，并且所述第二分隔件与所述绝缘层不接触。
3.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，所述第二分隔件的下表面的一部分与所述像素电极接触，并且所述第二分隔件的所述下表面的一部分与所述第一分隔件接触。
4.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，所述第二分隔件从所述像素电极的边缘横向突出。
5.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，所述开口包括由所述第一分隔件限定的第一开口和由所述第二分隔件限定的第二开口，并且所述第一开口和所述第二开口具有相同的平面形状。
6.根据权利要求5所述的发射型显示装置，其中，所述第一分隔件的限定所述第一开口的侧表面和所述第二分隔件的限定所述第二开口的侧表面形成无缝的线。
7.根据权利要求5所述的发射型显示装置，其中，所述第一分隔件覆盖所述第二分隔件的限定所述第二开口的侧表面的至少一部分，或者所述第一分隔件在覆盖所述第二分隔件的限定所述第二开口的整个侧表面的同时，与所述像素电极的上表面接触。
8.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，发射型显示装置还包括：
发射层，设置在所述像素电极上，
其中，所述第二分隔件的厚度大于所述发射层的厚度。
9.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，所述第一分隔件是包括黑色颜料或黑色染料的黑色分隔件，并且所述第二分隔件是透明分隔件。
10.根据权利要求1所述的发射型显示装置，其中，发射型显示装置还包括：
延伸部，从所述像素电极延伸并且连接到所述晶体管或经由连接电极连接到所述晶体管，
其中，所述第一分隔件与所述延伸部的侧表面接触，并且所述第二分隔件与所述延伸部的上表面接触。
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