TWI839986B - 顯示裝置 - Google Patents
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 23
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 162
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007699 photoisomerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000001988 diarylethenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
一種顯示裝置包含具有至少二透射區域以及設置在至少二透射區域之間的非透射區域之基板;位於非透射區域中的子像素,所述子像素包含第一電極、發光層以及第二電極;各自位於至少二透射區域的各者中之至少二間隔物;以及位於至少二間隔物的各者的頂面上之至少二有機圖案。
Description
本發明係關於顯示裝置。
顯示裝置已被設計為藉由將相機嵌入於顯示裝置中以將顯示區域與相機連接來應用於各種用途。在這樣的顯示裝置中,相機可設置於顯示面板下方。如此一來,嵌有相機的顯示裝置可能會在不於重疊於相機的區域中顯示影像,在這個情況下,顯示於顯示裝置上的影像可能不連續且被使用者辨識出。
最近,為了解決此問題,積極進行對於顯示面板的研究,研究中用於顯示影像的顯示區域包含能夠透射外部光的透射區域以及非光透射區域,其中透射區域具有高透光率。
因此,本發明的實施例係針對一種顯示裝置,其實質上消除了因為相關技術的限制以及缺點而產生的一或多個問題。
本發明的一態樣是提供一種顯示裝置,其可於顯示區域中具有高透光率。
本發明的另一態樣是提供一種顯示裝置,其可在製造過程中在不損壞顯示面板的情況下安全地移除保護膜。
額外的特徵以及態樣將於以下敘述中闡述,且部分從敘述來說將為顯而易見的,或可藉由實施本文提供的發明概念而習得。本發明概念的其他特徵及態樣可藉由文字描述中特別指出的結構或從其衍生的結構以及申請專利範圍及所附的圖式來實現及獲得。
為了達成本發明概念的這些以及其他態樣,如於此實施及廣泛地描述,一種顯示裝置包含:具有至少二透射區域以及設置在至少二透射區域之間的非透射區域之基板;位於非透射區域中的子像素,子像素包含第一電極、發光層以及第二電極;各自位於至少二透射區域的各者中之至少二間隔物;以及位於至少二間隔物的各者的頂面上之至少二有機圖案。
將理解的是前述一般描述與以下詳細描述為示例性且解釋性的,並且旨在提供所主張的發明概念之進一步解釋。
本發明的優點及特徵以及其實施方法將透過參考所附圖式描述的以下實施例而明確。然而,本發明可以不同形式實施且不應被解釋為限制於本文所述的實施例。反之,提供這些實施例使本發明徹底且完整並對本領域中具通常知識者完全傳達本發明的範圍。再者,本發明僅由請求項的範圍來界定。
揭露於所附圖式中用於描述本發明的實施例之形狀、尺寸、比例、角度、數量僅為示例。因此,本發明並不限於所繪示的細節。除非另有說明,否則通篇相似的符號表示相似的元件。在以下描述中,當相關習知功能以及構造被認定為會不必要地模糊本發明重點時,可省略這樣的習知功能或構造的詳細描述。在使用用語「包含」、「具有」以及「包括」於描述本說明書的情況下,除非使用例如「僅」之更限制性的用語,否則可增加另一部件。除非另有說明,否則單數形式的用語可包含複數形式。
在解釋元件時,元件被解釋為包含誤差或公差範圍,即使沒有明確描述這樣的誤差或公差範圍。
描述位置關係時,當二部件之間的位置關係被描述為例如「上」、「上方」、「下」或「旁」時,除非使用例如「正」或「直接(地)」之更限制性的用語,否則一或多個其他部件可設置於所述二部件之間。
應理解的是,雖然本文可使用如「第一」、「第二」等用語描述各種元件,但這些元件不應限於這些用語,因其並非用於界定特定順序。這些用語僅用於區分一元件與另一元件。舉例來說,在不偏離本發明的範圍的情況下,第一元件可被稱為第二元件,同樣地,第二元件可被稱為第一元件。
在描述本發明的元件時,可使用如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「(a)」以及「(b)」之用語。這些用語僅用於區分一元件與另一元件,並且對應元件的本質、序列、排序或數量並應被這些用語限制。而且,除非另有說明,否則當元件或層體被描述為「連接」、「耦接」或「附著」於另一元件或層體時,所述元件或層體不僅能直接地連接或附著於所述另一元件或層體,也能間接地連接或附著於所述另一元件或層體同時有一或多個中間元件或層體「設置」於該些元件或層體之間。
本發明的各種實施例的特徵可部分地或整體地彼此耦合或結合,並且可如本領域中具通常知識者能充分理解般以各種方式彼此相互運作且技術性地驅動。本發明的實施例可彼此獨立地實施,或可以相互依賴的關係一起實施。
圖1是繪示根據本發明的示例性實施例的顯示裝置之平面示意圖。
以下,X軸表示平行於掃描線路的線路,Y軸表示平行於資料線路的線路,並且Z軸表示透明的顯示裝置100的高度方向。雖然描述基於根據本發明的一示例性實施例的透明的顯示裝置100實施為有機發光顯示裝置,但透明的顯示裝置100可被實施為液晶顯示裝置、電漿顯示面板(PDP)、量子點發光顯示器(QLED)或電泳顯示裝置。
參考圖1,根據本發明的一示例性實施例的顯示裝置100包含顯示面板110。根據本發明的一實施例的顯示面板110可被歸類成提供有像素以顯示影像的顯示區域DA以及不顯示影像的非顯示區域NDA。顯示區域DA可包含掃描線路、資料線路以及像素P,並且非顯示區域NDA可包含設置有焊墊的焊墊區域PA以及至少一閘極驅動件205。
資料線路可於顯示區域DA中沿第一方向(如Y軸方向)延伸。掃描線路可於顯示區域DA中沿第二方向(如X軸方向)延伸並且可跨接資料線路。像素P包含多個子像素SP1、SP2、SP3,並被提供於資料線路跨接掃描線路的交會區域中以發出預定的光,從而顯示影像。
閘極驅動件205連接於掃描線路以供應掃描訊號。在面板內閘極驅動件(GIP)方法或捲帶式自動接合(TAB)方法中,閘極驅動件205可被提供於位於顯示面板110的顯示區域DA之一側或兩側的外部的非顯示區域NDA中。
圖2是繪示被提供於圖1的區域A中的像素的示例之示意圖,圖3是繪示沿圖2的線段I-I’的示例性結構之剖面圖,圖4是繪示有機圖案材料被曝光的情況以及有機圖案材料不被曝光的情況之示例性圖式,圖5是繪示使用有機圖案材料的金屬圖案的示例之圖式,圖6A是繪示多個有機圖案的變化形狀之圖式,圖6B是繪示多個有機圖案的另一變化形狀之圖式,圖7是繪示當移除保護膜時封裝層與有機圖案分離的示例之圖式,圖8是繪示沿圖2的線段I-I’的另一示例性結構之剖面圖,圖9是繪示沿圖2的線段I-I’的另一示例性結構之剖面圖。
參考圖2至圖9,顯示區域DA包含透射區域TA以及非透射區域NTA。透射區域TA是供大部分的外部入射光通過的區域,非透射區域NTA是無法供大部分的外部入射光透射的區域。舉例來說,透射區域TA可為透光率大於α%(例如約90%)的區域,非透射區域NTA可為透光率小於β%(例如約50%)的區域。此時,α大於β。使用者因為透射區域TA而可看見布置在顯示面板110的背面上方的物體或背景。
非透射區域NTA可設置在透射區域TA之間並包含多個像素P。像素P可被提供於資料線路與掃描線路交錯的區域中並且發出預定的光以顯示影像。發光區域EA可對應於像素P中發出光的區域。
像素P的每一者可包含第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3中的至少一者。第一子像素SP1可包含會發出第一顏色的光之第一發光區域EA1。第二子像素SP2可包含會發出第二顏色的光之第二發光區域EA2。第三子像素SP3可包含會發出第三顏色的光之第三發光區域EA3。在根據本發明的一實施例的顯示面板110中,像素P的每一者可更包含第四子像素,所述第四子像素包含會發出第四顏色的光之第四發光區域。
第一發光區域EA1、第二發光區域EA2、第三發光區域EA3及第四發光區域可發出不同顏色的光。舉例來說,第一發光區域EA1可發出綠色的光。第二發光區域EA2可發出紅色的光。第三發光區域EA3可發出藍色的光。第四發光區域可發出白色的光。然而,這些發光區域不以此示例為限。第一發光區域EA1、第二發光區域EA2、第三發光區域EA3及第四發光區域中的二者可發出相同顏色的光。舉例來說,第一發光區域EA1以及第四發光區域可發出綠光。而且,子像素SP1、SP2、SP3的排列順序可以各種方式改變。
包含電容器、薄膜電晶體等的電路元件以及發光元件可被提供於第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3的每一者中。薄膜電晶體可包含切換電晶體、感測電晶體以及驅動電晶體T。
切換電晶體可根據供應於掃描線路的掃描訊號進行切換以將自資料線路供應的資料電壓充至電容器。感測電晶體可感測驅動電晶體T的臨界電壓偏差,其可能會造成影像品質劣化。
驅動電晶體T會根據充至電容器的資料電壓進行切換以從自像素電源線路供應的電源產生資料電流,以將資料電流供應至子像素SP1、SP2、SP3的第一電極120。驅動電晶體T可包含主動層ACT、閘極電極GE、源極電極SE以及汲極電極DE。
詳細地說,遮光層LS可被提供於第一基板111上方。遮光層LS用於遮蔽入射至提供有驅動電晶體T的區域中的主動層ACT上之外部光。遮光層LS可由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的任一者或它們的合金製成的單層或多層所形成。
緩衝層BF可被提供於遮光層LS上方。緩衝層BF用於保護驅動電晶體T免受由易受水氣滲透的第一基板111所滲透的水分影響,並且可由無機層形成,例如氧化矽層(SiOx)、氮化矽層(SiNx)或SiOx與SiNx的多層。
主動層ACT可被提供於緩衝層BF上方。主動層ACT可由基於矽的半導體材料或基於氧的半導體材料形成。
閘極絕緣層GI可被提供於主動層ACT上方。閘極絕緣層GI可由無機層形成,例如氧化矽層(SiOx)、氮化矽層(SiNx)或SiOx與SiNx的多層。
閘極電極GE可被提供於閘極絕緣層GI上方。閘極電極GE可由包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的至少一者或它們的合金的單層或多層形成。
層間介電層ILD可被提供於閘極電極GE上方。層間介電層ILD可由無機層形成,例如氧化矽層(SiOx)、氮化矽層(SiNx)或SiOx與SiNx的多層。
源極電極SE以及汲極電極DE可被提供於層間介電層ILD上方。源極電極SE以及汲極電極DE中的一者可透過穿過閘極絕緣層GI以及層間介電層ILD的第一接觸孔CH1連接於主動層ACT。源極電極SE以及汲極電極DE可由包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)及銅(Cu)中的至少一者或它們的合金的單層或多層形成。
用以使因為驅動電晶體T而產生的階差平坦化的平坦化層PLN可被提供於源極電極SE以及汲極電極DE上方。平坦化層PLN可由有機層形成,例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
包含第一電極120、有機發光層130以及第二電極140的發光元件、堤部122、多個間隔物124以及多個有機圖案145可被提供於平坦化層PLN上方。
對於子像素SP1、SP2、SP3的每一者,第一電極120可被提供於平坦化層PLN上方。第一電極120可連接於驅動電晶體T。詳細地說,第一電極120可透過穿過平坦化層PLN的第二接觸孔CH2連接於驅動電晶體T的源極電極SE以及汲極電極DE中的一者。
第一電極120可由具有高反射率的金屬材料形成,例如鋁(Al)與鈦(Ti)的堆疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁與氧化銦錫(ITO)的堆疊結構(ITO/Al/ITO)、銀(Ag)合金、銀合金與氧化銦錫的堆疊結構(ITO/Ag合金/ITO)、鉬鈦(MoTi)合金以及鉬鈦合金與氧化銦錫的堆疊結構(ITO/MoTi合金/ITO)。銀合金可為銀(Ag)、鈀(Pd)、銅(Cu)等之合金。鉬鈦合金可為鉬(Mo)與鈦(Ti)之合金。第一電極120可為陽極電極。
堤部122可被提供於平坦化層PLN上方的子像素SP1、SP2、SP3之間。堤部122的至少一部分可重疊於這些透射區域TA。堤部122的另一部分可重疊於非透射區域NTA。堤部122可被形成為至少部分地覆蓋第一電極120的邊緣並曝露出第一電極120的一部分。因此,堤部122可防止因為電流集中在第一電極120的一端而使發光效率劣化的問題。
堤部122可界定子像素SP1、SP2、SP3的發光區域EA1、EA2、EA3。子像素SP1、SP2、SP3各自的發光區域EA1、EA2、EA3表示第一電極120、有機發光層130以及第二電極140依序堆疊且來自第一電極120的電洞與來自第二電極140的電子於有機發光層130中彼此結合以發光的區域。在這個情況下,提供有堤部122的區域因為不會發出光而可成為非發光區域NEA,不提供有堤部122且曝露出第一電極120的區域可成為發光區域EA。堤部122可包含有機層,例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
這些間隔物124可被提供為於堤部122上彼此相隔。這些間隔物124的每一者可被提供於多個透射區域TA的每一者中,並且具有頂面寬於底面的倒錐結構。這些間隔物124的每一者可具有頂面的第一寬度W1,頂面的第一寬度W1大於底面的第二寬度W2。因此,被提供於與這些間隔物124重疊的區域中之堤部122的頂面的一部分可曝露於這些間隔物124的每一者的頂面下方。這些間隔物124可包含有機層,例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂以及聚醯亞胺樹脂。
這些有機圖案145可被提供於這些間隔物124的每一者的頂面上。這些有機圖案145的每一者可與這些間隔物124的每一者的頂面具有相同的形狀。舉例來說,這些間隔物124的每一者的頂面可具有如圖2所示的十字形狀。在這些間隔物124的每一者的頂面上,這些有機圖案145的每一者可與這些間隔物124的每一者的頂面形成為相同的十字形狀。在這個情況下,這些有機圖案145的每一者可與這些間隔物124的每一者形成於相同的區域。在這個情況下,相同的區域可表示實質上相同的區域。
這些間隔物124以及這些有機圖案145的頂面如圖2所示可具有十字形狀,但不限於此。這些間隔物124以及這些有機圖案145的每一者的頂面的形狀可取決於像素P的形狀以及開口率(aperture ratio)而不同。這些間隔物124以及這些有機圖案145的頂面可被提供於這些子像素SP1、SP2、SP3之間,並可如圖6A所示具有線條形狀。或者,這些間隔物124以及這些有機圖案145的每一者的頂面可如圖6B所示具有圓形形狀。
提供有這些間隔物124以及這些有機圖案145的頂面之區域可對應於這些透射區域TA。第二電極140可不被提供於這些有機圖案145上。因此,提供有這些有機圖案145的區域可成為透射區域TA而不會因第二電極140而降低透光率。
有機發光層130可被提供於第一電極120上。有機發光層130可包含電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層。在這個情況下,當電壓被施加於第一電極120以及第二電極140時,電洞以及電子會分別透過電洞傳輸層以及電子傳輸層移動至發光層並在發光層中彼此結合以發光。
在一實施例中,對於子像素SP1、SP2、SP3的每一者,可形成發光層。舉例來說,發出綠光的綠色發光層可被提供於第一子像素SP1中,發出紅光的紅色發光層可被提供於第二子像素SP2中,發出藍光的藍色發光層可被提供於第三子像素SP3中。
第二電極140可被提供於有機發光層130以及堤部122上。第二電極140可被提供於包含發光區域EA的非透射區域NTA中。第二電極140可為通常形成於子像素SP1、SP2、SP3中以施加相同電壓的共用層。
第二電極140可包含半透射導電材料,例如鎂(Mg)、銀(Ag)或鎂(Mg)與銀(Ag)的合金。因此,第二電極140可藉由微共振腔(micro cavity)來提高發光效率。第二電極140可為陰極電極。
第二電極140可包含重疊於這些透射區域TA的開口區域OA。詳細地說,第二電極140不被提供於在這些透射區域TA中所提供的這些有機圖案145上,但可被提供於除了提供有這些有機圖案145以及這些間隔物124的區域之外的區域中。
根據本發明的一實施例的顯示面板110利用構成這些有機圖案145的材料之特性來防止第二電極140形成於這些有機圖案145的每一者的頂面上。
這些有機圖案145可由能夠使金屬材料進行脫附作用(desorption)的材料形成。詳細地說,構成這些有機圖案145的材料可為具有材料本身的低表面能或具有金屬材料之間的高界面能的有機材料。具有上述特性的有機材料因為在金屬材料的沉積期間於表面上的金屬材料脫附而具有低的金屬材料的沉積率。
在一實施例中,這些有機圖案145可由光異構化(photo-isomerization)材料製成。光異構化材料是當曝露於例如紫外線(UV)的光時會變成有另一種物理或化學性質的另一異構物之材料,且可為例如光致變色材料(photo-chromic)。光致變色材料是當曝露於例如紫外線(UV)的光時會改變顏色並且當光被阻擋時顏色會回復成它原本的顏色之材料。舉例來說,光致變色可包含基於二芳基乙烯的化合物(diarylethene-based compound),其包含以下化學式1。
[化學式1]
光異構化材料的特徵在於金屬材料的沉積率取決於曝光與否而不同。詳細地說,如圖4所示,照射紫外線的光異構化材料因為成核作用(nucleation)而具有高的金屬材料的沉積率。舉例來說,金屬材料可良好地沉積於照射紫外線(UV)的光異構化材料上。另一方面,如圖4所示,未照射紫外線(UV)的光異構化材料則因為脫附作用而具有低的金屬材料的沉積率。舉例來說,金屬材料可能不會良好地沉積於未照射紫外線的光異構化材料上。
在根據本發明的一示例性實施例的顯示面板110中,可使用構成這些有機圖案145的材料之特性來將第二電極140選擇性地圖案化。參考圖5,這些有機圖案145可被提供於第一基板111的特定區域中。接著,當第二電極140的金屬材料被沉積於提供有這些有機圖案145的第一基板111上時,金屬材料不會被提供於這些有機圖案145上,而僅可被沉積於未提供有這些有機圖案145的區域上。
因此,第二電極140可被提供有重疊於這些有機圖案145的開口區域OA。因為第二電極140未被提供於這些有機圖案145上,所以提供有這些有機圖案145的區域可為具有高透光率的透射區域TA。
覆蓋層CPL可被提供於發光元件上。詳細地說,覆蓋層CPL可被提供於第二電極140以及這些有機圖案145上以增強光萃取效應(light extraction effect)。覆蓋層CPL可由具有電洞傳輸能力的有機材料製成,但不以此為限。
封裝層160可被提供於覆蓋層CPL上。封裝層160可被提供於覆蓋層CPL上以覆蓋覆蓋層CPL。封裝層160用於防止氧氣或水氣滲透進入有機發光層130以及第二電極140中。為此,封裝層160可包含至少一無機層以及至少一有機層。
在根據本發明的一示例性實施例的顯示面板110中,覆蓋層CPL可被提供於透射區域TA以及非透射區域NTA中。覆蓋層CPL可形成於非透射區域NTA中以至少部分地覆蓋第二電極140。詳細地說,覆蓋層CPL可形成於非透射區域NTA中以至少部分地圍繞第二電極140的頂面以及側面。
此外,覆蓋層CPL可形成於透射區域TA中以至少部分地覆蓋有機圖案145的每一者的頂面以及間隔物124的每一者的側面。詳細地說,覆蓋層CPL可形成於透射區域TA中以至少部分地圍繞有機圖案145的每一者的頂面以及間隔物124的每一者的側面。再者,覆蓋層CPL可被提供於被間隔物124曝露並且未提供有第二電極140的堤部122的頂面上。
覆蓋層CPL可被形成為至少部分地圍繞具有倒錐結構的間隔物124,從而增加覆蓋層CPL與下方元件之間的接合力。詳細地說,因為有機圖案145的材料的表面能低,所以有機圖案與有機材料之間以及與金屬材料之間的附著力可能被弱化。因此,當覆蓋層CPL沉積於這些有機圖案145上時,這些有機圖案145與覆蓋層CPL之間的附著力可能被弱化。因此,這些有機圖案145與覆蓋層CPL可在製造過程中會彼此分離,並且當覆蓋層CPL分離時第二電極140也可能分離或損壞。
一般來說,製造顯示裝置100的製程不會連續地進行。舉例來說,電路元件、發光元件、覆蓋層CPL以及封裝層160可透過連續的製程被提供於第一基板111上。接著,提供有電路元件、發光元件、覆蓋層CPL以及封裝層160的第一基板111可為了進行後續的製程而移動。在這個情況下,為了防止電路元件、發光元件、覆蓋層CPL以及封裝層160被損壞,第一基板111會如圖7所示在保護膜170附接於第一基板111的狀態下移動至進行後續的製程的地點。在從第一基板111移除保護膜170之後,可進行後續的製程。
此時,這些有機圖案145與覆蓋層CPL之間的附著力可小於保護膜170與封裝層160之間的附著力。在這個情況下,當保護膜170被移除時,覆蓋層CPL與這些有機圖案145會分離,且如圖7所示,封裝層160以及覆蓋層CPL可與保護膜170一起被移除。為此,封裝層160以及覆蓋層CPL可s/6於提供有這些有機圖案145的區域中被損壞,設置於封裝層160以及覆蓋層CPL下方的第二電極140可能被曝露於外部的水氣以及氧氣。此外,當覆蓋層CPL分離時第二電極140也可能分離。在覆蓋層CPL與第二電極140分離的區域中光可能無法良好地發出,從而可能產生顯示裝置100的缺陷。
為了解決上述問題,在根據本發明的一實施例的顯示面板110中,具有倒錐結構的間隔物124可被提供於堤部122上,並且有機圖案145可被提供於間隔物124上。因此,覆蓋層CPL可形成於透射區域TA中以至少部分地圍繞具有倒錐結構的間隔物124的每一者的側面以及有機圖案145的每一者的頂面。再者,覆蓋層CPL可形成為至少部分地覆蓋堤部122的頂面。
除了具有弱附著力的有機圖案145的每一者的頂面,覆蓋層CPL還可與間隔物124的每一者的側面以及堤部122的頂面接觸,從而增加下方接合力。因此,覆蓋層CPL與間隔物124之間的附著力以及覆蓋層CPL與堤部122之間的附著力可防止覆蓋層CPL在移除保護膜170時與有機圖案145分離。因此,可改善顯示裝置100的產率以及可靠度。
在圖3中,封裝層160直接形成於覆蓋層CPL上,但不以此為限。在另一實施例中,如圖8所示,第一無機鈍化層150可被更包含於封裝層160與覆蓋層CPL之間。第一無機鈍化層150可形成於透射區域TA以及非透射區域NTA中,並可為例如氧化銦鋅(IZO)的透明無機層。第一無機鈍化層150可透過濺鍍製程來沉積,從而增加與覆蓋層CPL的接合力。覆蓋層CPL可藉由與沉積於其上的第一無機鈍化層150的接合力來減小當移除保護膜170時作用在與有機圖案145的界面上的力。
與此同時,在圖8中,第一無機鈍化層150被提供於封裝層160與覆蓋層CPL之間,但不以此為限。
在另一實施例中,如圖9所示,第二無機鈍化層155可被提供於第二電極140以及這些有機圖案145上。詳細地說,第二無機鈍化層155可被設置於在透射區域TA中的覆蓋層CPL與有機圖案145之間。第二無機鈍化層155可被形成為至少部分地覆蓋有機圖案145的每一者的頂面以及側面。第二無機鈍化層155可為例如氧化銦鋅(IZO)的透明無機層。第二無機鈍化層155可在透過濺鍍製程被沉積之同時被形成為至少部分地圍繞這些有機圖案145。考量到濺鍍製程,與覆蓋層CPL相比,第二無機鈍化層155可與有機圖案145具有較大的接合力。
此外,第二無機鈍化層155可被提供於非透射區域NTA以及透射區域TA中。第二無機鈍化層155可被提供於在非透射區域NTA中的第二電極140與覆蓋層CPL之間,並且可至少部分地覆蓋第二電極140。第二無機鈍化層155可形成於非透射區域NTA中以至少部分地圍繞第二電極140的頂面以及側面。當第二無機鈍化層155由氧化銦鋅(IZO)形成時,與第二電極140接觸的第二無機鈍化層155可與第二電極140一起用作為陰極電極。因此,在圖9所示的顯示面板110中,可減小陰極電極的電阻。
覆蓋層CPL可被提供於第二無機鈍化層155上。此時,因為第二無機鈍化層155會至少部分地圍繞有機圖案145,所以覆蓋層CPL可不與有機圖案145接觸。因此,與如圖3所示的顯示面板110相比,如圖9所示的顯示面板110可更大程度的增加覆蓋層CPL與下方元件之間的接合力。
與此同時,如圖3、圖8及圖9所示的顯示面板110可在保護膜170附接於其的狀態下移動至進行後續的製程的地點。在將保護膜170從第一基板111移除之後,可進行後續的製程。
上述顯示面板110可被應用於包含光學感測器的顯示裝置。圖10是繪示根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置之平面示意圖,圖11是繪示根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置之分解圖。
參考圖10及圖11,根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置100可包含顯示面板110、光學感測器200、電路板300、覆蓋窗400以及框體500。
顯示面板110可被歸類成形成像素以顯示影像的顯示區域DA以及不顯示影像的非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可設置成圍繞顯示區域DA。在非顯示區域NDA中,可形成用於將各種訊號供應至顯示區域DA中的多個訊號線路的驅動件以及用於將驅動件與這些訊號線路連接的連接部分。驅動件可包含用於將閘極訊號供應至閘極線路的閘極驅動件以及用於將資料訊號供應至資料線路的資料驅動件。
顯示區域DA包含第一顯示區域DA1以及第二顯示區域DA2。第一顯示區域DA1是設置有多個第一像素且不論光學感測器200是否運作在發光之同時會顯示影像的區域。第一顯示區域DA1可不包含圖1至圖9所示的透射區域TA,但不以此為限。當未提供透射區域TA時,第一顯示區域DA1可不包含圖1至圖9所示的這些間隔物124以及這些有機圖案145。因此,提供於第一顯示區域DA1中的第二電極140不提供有開口區域OA,並且可形成於整個第一顯示區域DA1中。設置於第一顯示區域DA1中的這些第一像素可不提供有透射區域TA,從而具有高開口率。
第二顯示區域DA2設置成重疊設置有光學感測器200的區域。多個第二像素可設置於第二顯示區域DA2中,且顯示影像與否可取決於光學感測器200是否運作。
詳細地說,當關閉光學感測器200的運作時,這些第二子像素可被啟動。因此,當這些第二子像素發光時可於第二顯示區域DA2上顯示影像。
另一方面,當啟動光學感測器200的運作時,這些第二子像素可被關閉。因此,於第二顯示區域DA2上不會顯示影像,且外部光可被輸入至光學感測器200。
光學感測器200可在週期性地重複開關操作之同時測量外部光。此外,這些第二子像素可在週期性地重複開關操作之同時於第二顯示區域DA2上顯示影像。顯示面板110可以使用者無法辨識的週期啟動或關閉光學感測器200以及這些第二子像素。因此,使用者可辨識到在光學感測器200運作的同時影像會顯示於第二顯示區域DA2以及第一顯示區域DA1上。
如圖1至圖9所示,第二顯示區域DA2應被提供有透射區域TA以使外部光藉由透射顯示面板110進入光學感測器200。因此,圖1至圖9所示的像素可設置於第二顯示區域DA2中。
光學感測器200可設置於顯示面板110的背面上。光學感測器200可被提供為重疊於顯示面板110的顯示區域DA,特別是第二顯示區域DA2。光學感測器200可表示測量透過顯示面板110輸入的外部光並且使用所測量的外部光的所有元件。舉例來說,光學感測器200可為相機,但不以此為限。光學感測器200可為紅外線感測器、亮度感測器、指紋感測器等。
電路板300可設置於顯示面板110的背面上。電路板300可為印刷電路板(PCB)或可撓性印刷電路板(FPCB)。
覆蓋窗400可設置於顯示面板110的正面上。覆蓋窗400可藉由覆蓋顯示面板110的正面來保護顯示面板110免受外部衝擊。覆蓋窗400可包含透明塑膠材料、玻璃材料或強化玻璃材料。
框體500可容置顯示面板110並支撐覆蓋窗400。框體500可包含可容置光學感測器200以及電路板300的容置部分。框體500允許顯示面板110、光學感測器200以及電路板300被固定於顯示裝置100。而且,框體500可用於保護顯示面板110、光學感測器200以及電路板300免受衝擊。
根據本發明,可獲得以下示例性有利功效。
在本發明中,由能夠進行金屬材料的脫附作用的材料形成的有機圖案形成於透射區域中,從而第二電極可不被沉積於透射區域上。因此,本發明可改善透射區域中的透光率。
而且,在本發明中,有機圖案形成於具有倒錐結構的間隔物的頂面上,使覆蓋層可與堤部的頂面以及間隔物的側面接觸。因此,可增加覆蓋層與下方元件之間的接合力。
本發明可防止覆蓋層在移除保護膜時與有機圖案分離。因此,本發明可改善顯示裝置的產率以及可靠度。
將對本領域具通常知識者而言顯而易見的是,在不偏離本發明的技術概念與範圍的前提下,能對本發明的顯示裝置進行各種變化與修改。因此,本發明旨在涵蓋本發明的變化與修改,只要其落入請求項及其同等物之範圍內。
100:顯示裝置
110:顯示面板
DA:顯示區域
NDA:非顯示區域
P:像素
A:區域
SP1:第一子像素
SP2:第二子像素
SP3:第三子像素
PA:焊墊區域
205:閘極驅動件
TA:透射區域
NTA:非透射區域
EA1:第一發光區域
EA2:第二發光區域
EA3:第三發光區域
T:驅動電晶體
120:第一電極
ACT:主動層
GE:閘極電極
SE:源極電極
DE:汲極電極
LS:遮光層
111:第一基板
BF:緩衝層
GI:閘極絕緣層
ILD:層間介電層
CH1:第一接觸孔
PLN:平坦化層
130:有機發光層
140:第二電極
122:堤部
124:間隔物
145:有機圖案
CH2:第二接觸孔
NEA:非發光區域
W1:第一寬度
W2:第二寬度
OA:開口區域
CPL:覆蓋層
160:封裝層
170:保護膜
150:第一無機鈍化層
155:第二無機鈍化層
200:光學感測器
300:電路板
400:覆蓋窗
500:框體
DA1:第一顯示區域
DA2:第二顯示區域
圖式被包含以提供本發明更進一步的理解且併入於本申請並構成本申請的一部分,圖式繪示本發明的實施例,並與描述一起用於解釋本發明的多種原理。在圖式中:
圖1是繪示根據本發明的一示例性實施例的顯示裝置之平面示意圖。圖2是繪示被提供於圖1的區域A中的像素的示例之示意圖。圖3是繪示沿圖2的線段I-I’的示例性結構之剖面圖。圖4是繪示有機圖案材料被曝光的情況以及有機圖案材料不被曝光的情況之示例性圖式。圖5是繪示使用有機圖案材料的金屬圖案的示例之圖式。圖6A是繪示多個有機圖案的變化形狀之圖式。圖6B是繪示多個有機圖案的另一變化形狀之圖式。圖7是繪示當移除保護膜時封裝層與有機圖案分離的示例之圖式。圖8是繪示沿圖2的線段I-I’的另一示例性結構之剖面圖。圖9是繪示沿圖2的線段I-I’的其他示例性結構之剖面圖。圖10是繪示根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置之平面示意圖。圖11是繪示根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置之分解圖。
P:像素
A:區域
SP1:第一子像素
SP2:第二子像素
SP3:第三子像素
TA:透射區域
NTA:非透射區域
EA1:第一發光區域
EA2:第二發光區域
EA3:第三發光區域
120:第一電極
140:第二電極
145:有機圖案
Claims (18)
- 一種顯示裝置,包含一基板,具有至少二透射區域以及設置在該至少二透射區域之間的一非透射區域;一子像素,位於該非透射區域中,該子像素包含一第一電極、一發光層以及一第二電極;至少二間隔物,各自位於該至少二透射區域的各者中;以及至少二有機圖案,各自位於該至少二間隔物的各者的一頂面上,其中該第二電極與該至少二有機圖案間隔開來。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中各該至少二間隔物具有寬於其一底面的一頂面。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案包含能夠使金屬材料脫附的一材料。
- 如請求項3所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案包含一光異構化材料。
- 如請求項1所述的顯示裝置,更包含位於該子像素以及該至少二有機圖案上方的一覆蓋層。
- 如請求項5所述的顯示裝置,更包含位於該覆蓋層上的一封裝層。
- 如請求項5所述的顯示裝置,其中該覆蓋層至少部分地覆蓋該至少二有機圖案的每一者的一頂面以及該至少二間隔物的每一者的一側面。
- 如請求項6所述的顯示裝置,更包含位於該封裝層與該覆蓋層之間的一無機鈍化層。
- 如請求項1所述的顯示裝置,更包含位於該至少二透射區域的每一者中的一堤部,該至少二間隔物的每一者位在各該堤部上。
- 如請求項9所述的顯示裝置,其中各該堤部部分地覆蓋該第一電極的邊緣而使該堤部不存在於各該堤部之間的該第一電極的一部分上。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案的每一者的一頂面與該至少二間隔物的每一者的該頂面具有相同的形狀。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案的每一者的一頂面與該至少二間隔物的每一者的該頂面具有十字形狀。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案的每一者的一頂面與該至少二間隔物的每一者的該頂面具有圓形形狀。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少二有機圖案的每一者的一頂面與該至少二間隔物的每一者的該頂面具有長方形形狀。
- 如請求項1所述的顯示裝置,更包含位於該第二電極以及該至少二有機圖案上的一無機鈍化層而使該無機鈍化層至少部分地覆蓋該至少二有機圖案的頂面以及側面。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該第二電極包含與該透射區域的至少一部分重疊的一開口。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該第二電極包含一半透射金屬材料或一不透明金屬材料。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該第二電極包含金或鎂的至少一者。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0186169 | 2021-12-23 | ||
KR1020210186169A KR20230096570A (ko) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202327142A TW202327142A (zh) | 2023-07-01 |
TWI839986B true TWI839986B (zh) | 2024-04-21 |
Family
ID=
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210202588A1 (en) | 2019-12-31 | 2021-07-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display Device |
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20210202588A1 (en) | 2019-12-31 | 2021-07-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display Device |
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