CN116231319A - 电子装置 - Google Patents

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金基栖
成银眞
尹相渌
千承煜
许眞命
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Samsung Display Co Ltd
UNIST Academy Industry Research Corp
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Abstract

本发明的一实施例涉及的电子装置可以包括：显示层，定义有有源区域以及与所述有源区域相邻的周边区域，并且包括基底层；传感器层，配置在所述显示层上，包括多个感知电极，并且定义有多个第一槽；以及下部部件层，配置在所述显示层的下方，在所述基底层和所述下部部件层中定义有多个第一贯通孔，在平面上观察时，所述多个第一贯通孔在其间夹着所述多个第一槽而彼此间隔开。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及提高了频率信号辐射性能的电子装置。
背景技术
电子装置可以包括电子模块。例如，电子装置可以是便携式终端机或可穿戴装置，电子模块可以包括天线模块、相机模块或电池模块。随着便携式终端机的薄型化和可穿戴装置的小型化，安装电子模块的空间逐渐减小。此外，随着电子装置变得高性能化并且发展成高规格，电子装置所包括的电子模块的数量正在增加。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种提高了频率信号辐射性能的电子装置。
本发明的一实施例涉及的电子装置可以包括：显示层，定义有有源区域以及与所述有源区域相邻的周边区域，并且包括基底层；传感器层，配置在所述显示层上，包括多个感知电极，并且定义有多个第一槽；以及下部部件层，配置在所述显示层的下方，在所述基底层和所述下部部件层中定义有多个第一贯通孔，在平面上观察时，所述多个第一贯通孔在其间夹着所述多个第一槽而彼此间隔开。
可以是，在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔和所述多个第一槽与所述有源区域重叠。
可以是，在所述多个第一贯通孔各自的侧面配置有金属。
可以是，所述电子装置还包括：覆盖层，配置在所述下部部件层的下方，并且具有导电性。
可以是，在所述平面上观察时，所述覆盖层与所述多个第一贯通孔及所述多个第一槽重叠。
可以是，所述显示层还包括配置在所述基底层上的公共电极，在所述公共电极中定义有分别与所述多个第一槽重叠的多个第二槽。
可以是，在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔与所述多个感知电极重叠。
可以是，在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔不与所述多个感知电极重叠。
可以是，所述显示层还包括配置在所述周边区域中的柔性电路膜。
可以是，所述柔性电路膜与所述显示层的侧面相向。
可以是，所述柔性电路膜包括：第一金属层；电介质层，配置在所述第一金属层上；以及第二金属层，配置在所述电介质层上，在所述电介质层中定义有多个第二贯通孔。
可以是，在所述第二金属层中定义有多个辅助槽，在侧面上观察时，所述多个第二贯通孔在其间夹着所述多个辅助槽而彼此间隔开。
可以是，所述多个第一槽包括：多个第一行槽，排列在第一方向上；以及多个第二行槽，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多个第一行槽间隔开，并且排列在所述第一方向上。
可以是，所述下部部件层包括：保护层，配置在所述基底层的下方；以及散热片，配置在所述保护层的下方。
可以是，所述多个第一槽定义在与所述多个感知电极相同的层中。
本发明的一实施例涉及的电子装置可以包括：显示层，定义有有源区域以及与所述有源区域相邻的周边区域，并且包括基底层；传感器层，配置在所述显示层上，并且包括定义有多个第一槽的多个感知电极；下部部件层，配置在所述显示层的下方；以及覆盖层，配置在所述下部部件层的下方，并且具有导电性，在所述基底层和所述下部部件层中定义有各自一体地贯通的多个第一贯通孔，在平面上观察时，所述多个第一槽配置在所述多个第一贯通孔之间，在所述平面上观察时，所述多个第一槽和所述多个第一贯通孔与所述覆盖层重叠。
可以是，在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔和所述多个第一槽与所述有源区域重叠。
可以是，在所述多个第一贯通孔各自的表面涂敷有金属。
可以是，所述显示层还包括配置在所述基底层上的公共电极，在所述公共电极中定义有分别与所述多个第一槽重叠的多个第二槽。
可以是，所述多个第一槽包括：多个第一行槽，排列在第一方向上；以及多个第二行槽，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多个第一行槽间隔开，并且排列在所述第一方向上。
(发明效果)
如上所述，定义在多个感知电极中的多个第一槽可以工作为缝隙天线。天线可以在频带中在第三方向上辐射信号。可以称为天线在频带中在第三方向上具有指向性。天线可以提高天线增益的集中度。因此，可以提供一种提高了信号的传送性能的电子装置。
附图说明
图1是本发明的一实施例涉及的电子装置的立体图。
图2是本发明的一实施例涉及的电子装置的示意性剖视图。
图3是本发明的一实施例涉及的显示层的平面图。
图4a是本发明的一实施例涉及的传感器层的平面图。
图4b是本发明的一实施例涉及的传感器层的平面图。
图5是本发明的一实施例涉及的电子装置的一部分的剖视图。
图6是放大示出本发明的一实施例涉及的图4a的AA′区域的电子装置的立体图。
图7是本发明的一实施例涉及的沿着图6的II-II′截取的剖视图。
图8是示出本发明的一实施例涉及的与频率相关的S参数的曲线图。
图9示出了本发明的一实施例涉及的天线的辐射方向图。
图10a至图10c示出了本发明的一实施例涉及的天线的按各频率的辐射方向图。
图11是本发明的一实施例涉及的电子装置的剖视图。
图12是本发明的一实施例涉及的柔性电路膜的剖视图。
图13是示出本发明的一实施例涉及的天线的与频率相关的总增益的曲线图。
图14示出了本发明的一实施例涉及的天线的辐射方向图。
符号说明：
DD：电子装置；DP：显示层；IS：传感器层；CU：覆盖层；SL1、SL2：多个槽；TH1、TH2：多个第一贯通孔。
具体实施方式
在本说明书中，在提及某一构成要素(或者区域、层、部分等)位于其他构成要素上、与其连接或者结合的情况下，表示可以直接配置/连接/结合在其他构成要素上，或者在其间还可以配置有第三构成要素。
相同的符号指代相同的构成要素。此外，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了技术内容的有效说明而有所夸张。“和/或”包括所有可以定义相关的构成要素的一个以上的组合。
第一、第二等用语可以用于说明各种构成要素，但所述的构成要素不应限于所述的用语。所述的用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。例如，在不超出本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。
此外，“在下方”、“在下侧”、“在上方”、“在上侧”等用语为了说明图示的构成要素的连接关系而使用。所述的用语是相对的概念，以图示的方向为基准进行说明。
“包括”或者“具有”等用语应理解为是指代说明书上记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在，并不是事先排除一个或者其以上的其他特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在或附加可能性。
只要没有不同的定义，在本说明书中使用的所有用语(包括技术用语以及科学用语)具有与本领域技术人员通常所理解的意思相同的意思。此外，如在通常使用的字典中定义的用语这样的用语应解释为具有与相关技术脉络上的含义一致的含义，并且除非在本申请中明确定义，否则不应解释为过于理想化或过于形式化的含义。
以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。
图1是本发明的一实施例涉及的电子装置的立体图。
参照图1，电子装置DD可以是根据电信号而被激活的装置。例如，电子装置DD可以是移动电话、平板计算机、汽车导航仪、游戏机或者可穿戴装置，但是并不限于此。在图1中例示性地示出了电子装置DD为移动电话的情况。
电子装置DD可以通过显示面DD-IS显示图像IM。显示面DD-IS可以包括有源区域DD-AA以及与有源区域DD-AA相邻的周边区域DD-NAA。有源区域DD-AA可以是显示图像IM的区域。周边区域DD-NAA可以是不显示图像IM的区域。图像IM可以包括动态图像和静态图像。在图1中作为图像IM的一例示出了时钟窗和图标图像。
有源区域DD-AA可以平行于由第一方向DR1及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2定义的面。有源区域DD-AA的法线方向(即，电子装置DD的厚度方向)可以指示第三方向DR3。
以下说明的各部件或单元的前表面(或上表面)和背面(或下表面)可以通过第三方向DR3来区分。第三方向DR3可以是与第一方向DR1及第二方向DR2交叉的方向。例如，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此正交。
在本说明书中，可以将由第一方向DR1和第二方向DR2定义的面定义为平面，“在平面上观察”可以被定义为在第三方向DR3上进行观察。
此外，在本说明书中，可以将由第一方向DR1或第二方向DR2与第三方向DR3定义的面定义为侧面，“在侧面上观察”可以被定义为在第一方向DR1或第二方向DR2上进行观察。
图2是本发明的一实施例涉及的电子装置的示意性剖视图。
参照图2，电子装置DD可以包括窗WP、粘接层OCA1、OCA2、防反射层RPP、传感器层IS、显示层DP、下部部件层CP和覆盖层CU。
窗WP可以构成电子装置DD的外观。窗WP可以是保护电子装置DD的内部构成免受外部冲击的影响并且实质上提供电子装置DD的有源区域DD-AA(参照图1)的构成。例如，窗WP可以包括玻璃基板、蓝宝石基板或塑料膜。窗WP可以具有多层或单层的结构。例如，窗WP可以具有通过粘接剂结合的多个塑料膜的层叠结构，或者可以具有通过粘接剂结合的玻璃基板与塑料膜的层叠结构。
粘接层OCA1可以配置在窗WP的下方。可以通过粘接层OCA1结合窗WP和防反射层RPP。粘接层OCA1可以包括通常的粘接剂或粘合剂。例如，粘接层OCA1可以是光学透明粘接膜(Optically Clear Adhesive film)、光学透明粘接树脂(Optically Clear Resin)或者压敏粘接膜(Pressure Sensitive Adhesive film)。
防反射层RPP可以配置在窗WP的下方。防反射层RPP可以减少从窗WP的上方入射的自然光(或太阳光)的反射率。
本发明的一实施例涉及的防反射层RPP可以包括相位延迟器(retarder)和偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是膜类型或液晶涂敷类型，可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器可以是膜类型或液晶涂敷类型。膜类型可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂敷类型可以包括排列成预定排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。相位延迟器(retarder)和偏振器(polarizer)自身或者保护膜可以被定义为防反射层RPP的基底层。
粘接层OCA2可以配置在防反射层RPP的下方。可以通过粘接层OCA2结合防反射层RPP和传感器层IS。粘接层OCA2可以包括与粘接层OCA1实质上相同的物质。
传感器层IS可以获得外部输入的坐标信息。本发明的一实施例涉及的传感器层IS可以直接配置在显示层DP的一面。例如，传感器层IS可以通过On-Cell方式与显示层DP实现一体化。传感器层IS可以通过与显示层DP连续的工序制造。但是，并不限于此，传感器层IS也可以通过单独的工序制造而粘接到显示层DP。传感器层IS可以包括触摸面板。
传感器层IS可以发送、接收或者收发无线通信信号(例如，无线频率信号(radiofrequency signal))。传感器层IS可以包括多个天线区域。多个天线区域可以发送、接收或收发彼此相同的频带、或者可以发送、接收或收发彼此不同的频带。对于所述多个天线区域将后述。
显示层DP可以配置在传感器层IS的下方。显示层DP可以是实质上生成图像IM(参照图1)的构成。显示层DP可以是发光型显示层，没有特别限制。例如，显示层DP可以包括有机发光显示层、量子点显示层、微型LED显示层或纳米LED显示层。显示层DP可以包括基底层SUB、显示电路层DP-CL、图像实现层DP-OLED和薄膜封装层TFL。对此将后述。
在显示层DP的下方可以配置下部部件层CP。下部部件层CP可以包括保护层PF、压印层EB、垫层CSH和散热片GP。
在显示层DP的下方可以配置保护层PF。保护层PF可以保护显示层DP的下表面。保护层PF可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)。但是，保护层PF的物质并不特别限于此。
压印层EB可以配置在保护层PF的下方。压印层EB可以是有色的。例如，压印层EB可以是黑色。压印层EB可以吸收入射到压印层EB的光。压印层EB可以是在两面具有粘接性的层。压印层EB可以包括通常的粘接剂或粘合剂。可以通过压印层EB结合保护层PF与垫层CSH。
垫层CSH可以配置在压印层EB的下方。垫层CSH可以具有缓和从外部施加的压力的功能。垫层CSH可以包括海绵、发泡泡沫或氨基甲酸乙酯树脂等。垫层CSH的厚度可以比压印层EB的厚度厚。
散热片GP可以配置在垫层CSH的下方。散热片GP可以引导在显示层DP中产生的热的散热。例如，散热片GP可以是石墨(graphite)片。在本发明的一实施例中，在垫层CSH与散热片GP之间还可以配置膜层。所述膜层可以包括聚酰亚胺(polyimide，PI)。
覆盖层CU可以配置在散热片GP的下方。覆盖层CU可以具有导电性。例如，覆盖层CU可以包括铜(Cu)。例如，覆盖层CU可以是铜带(Cu tape)。但是，并不限于此。向覆盖层CU可以施加地电压。但是，这是例示，覆盖层CU也可以被浮置。
图3是本发明的一实施例涉及的显示层的平面图。
参照图3，在显示层DP中可以定义有有源区域DP-AA以及与有源区域DP-AA相邻的周边区域DP-NAA。有源区域DP-AA可以是显示图像的区域。在有源区域DP-AA中可以配置多个像素PX。在周边区域DP-NAA中可以配置驱动电路或驱动布线等。在平面上观察时，有源区域DP-AA可以与电子装置DD(参照图1)的有源区域DD-AA(参照图1)重叠，周边区域DP-NAA可以与电子装置DD(参照图1)的周边区域DD-NAA(参照图1)重叠。
显示层DP可以包括基底层SUB、多个像素PX、多个信号布线GL、DL、PL、EL、显示焊盘PDD和感知焊盘PDT。
多个像素PX分别可以显示原色(primary color)中的一种或者混色中的一种。所述原色可以包括红色、绿色和蓝色。所述混色可以包括白色、黄色、青色或品红色等各种颜色。但是，各个像素PX所显示的颜色并不限于此。
多个信号布线GL、DL、PL、EL可以配置在基底层SUB上。多个信号布线GL、DL、PL、EL可以连接到多个像素PX，从而将电信号传递到多个像素PX。多个信号布线GL、DL、PL、EL可以包括多个扫描布线GL、多个数据布线DL、多个电源布线PL和多个发光控制布线EL。但是，这是例示，本发明的一实施例涉及的多个信号布线GL、DL、PL、EL的构成并不限于此。例如，本发明的一实施例涉及的多个信号布线GL、DL、PL、EL还可以包括初始化电压布线。
电源图案VDD可以配置在周边区域DP-NAA中。电源图案VDD可以与多个电源布线PL相接。显示层DP可以包括电源图案VDD，从而将相同的电源信号提供给多个像素PX。
显示焊盘PDD可以配置在周边区域DP-NAA中。显示焊盘PDD可以包括第一焊盘PD1和第二焊盘PD2。可以提供多个第一焊盘PD1。多个第一焊盘PD1可以分别连接到多个数据布线DL。第二焊盘PD2可以连接到电源图案VDD而与多个电源布线PL电连接。显示层DP可以通过显示焊盘PDD而将从外部提供的电信号提供给多个像素PX。另一方面，显示焊盘PDD除了第一焊盘PD1和第二焊盘PD2以外还可以包括用于接收其他电信号的焊盘，并不限于任一实施例。
驱动电路DIC可以安装在周边区域DP-NAA中。驱动电路DIC可以是芯片形态的时序控制电路。多个数据布线DL可以经由驱动电路DIC而分别电连接到多个第一焊盘PD1。但是，这是例示，本发明的一实施例涉及的驱动电路DIC也可以安装在与显示层DP分开的膜上。在该情况下，驱动电路DIC可以通过所述膜而与显示焊盘PDD电连接。
感知焊盘PDT可以配置在周边区域DP-NAA中。感知焊盘PDT可以与后述的传感器层IS(参照图4a)的多个感知电极分别电连接。感知焊盘PDT可以包括多个第一感知焊盘TD1和多个第二感知焊盘TD2。
图4a是本发明的一实施例涉及的传感器层的平面图。
参照图4a，在传感器层IS中可以定义有源区域IS-AA和包围有源区域IS-AA的周边区域IS-NAA。有源区域IS-AA可以是根据电信号被激活的区域。有源区域IS-AA可以包括感知输入的区域以及发送、接收或收发无线通信信号(例如，无线频率信号(radio frequencysignal))的至少一个天线区域AP1、AP2。在平面上观察时，有源区域IS-AA可以与显示层DP(参照图3)的有源区域DP-AA(参照图3)重叠，周边区域IS-NAA可以与显示层DP(参照图3)的周边区域DP-NAA(参照图3)重叠。
传感器层IS可以包括基底绝缘层IS-IL0、多个第一感知电极TE1、多个第二感知电极TE2以及多个感知线TL1、TL2。多个第一感知电极TE1和多个第二感知电极TE2可以配置在有源区域IS-AA中。多个感知线TL1、TL2可以配置在周边区域IS-NAA中。
天线区域AP1、AP2可以配置在有源区域IS-AA中。天线区域AP1、AP2可以配置在与周边区域IS-NAA相邻的区域中。天线区域AP1、AP2可以与多个第一感知电极TE1及多个第二感知电极TE2重叠。
天线区域AP1、AP2可以由基板一体型波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)构成。对此将后述。
可以通过第一端口PO1和第二端口PO2向天线区域AP1、AP2提供信号。即，第一端口PO1和第二端口PO2可以是用于供电的构成。多个槽SL1、SL2可以根据通过第一端口PO1和第二端口PO2供电的电力来调节波束指向，在特定方向上集中频率信号来提高能量。例如，通过第一端口PO1供电的电力可以通过所述基板一体型波导被传递而传递至第二端口PO2。
在天线区域AP1、AP2中可以定义多个槽SL1、SL2。通过第一端口PO1供电的电力可以在被传递到第二端口PO2的同时通过多个槽SL1、SL2而辐射到空气中。即，在天线区域AP1、AP2中，信号可以通过行波辐射。
多个槽SL1、SL2可以在预定频带中工作。所述频带可以包括谐振频率。所述谐振频率可以是23GHz(千兆赫)。但是，这是例示，本发明的一实施例涉及的所述谐振频率并不限于此。例如，本发明的一实施例涉及的所述谐振频率可以根据欲进行通信的信号的频带而变更。
多个槽SL1、SL2可以沿着第二方向DR2被排列成锯齿形形状。多个槽SL1、SL2可以与有源区域IS-AA重叠。
在平面上观察时，多个第一贯通孔TH可以与多个感知电极TE1、TE2重叠。
天线区域AP1、AP2可以包括第一天线区域AP1和第二天线区域AP2。第一天线区域AP1可以在第一方向DR1上与第二天线区域AP2间隔开。
基底绝缘层IS-IL0可以是包括硅氮化物、硅氮氧化物和硅氧化物中的任一种的无机层。或者，基底绝缘层IS-IL0可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺系树脂的有机层。基底绝缘层IS-IL0可以直接形成在显示层DP(参照图3)上。或者，基底绝缘层IS-IL0可以通过粘接部件而与显示层DP(参照图3)彼此结合。
传感器层IS可以通过多个第一感知电极TE1与多个第二感知电极TE2之间的电容的变化来获得对于外部输入的信息。
多个第一感知电极TE1分别可以沿着第一方向DR1延伸，可以沿着第二方向DR2排列多个第一感知电极TE1。多个第一感知电极TE1分别可以包括多个第一部分SP1和多个第二部分BP1。多个第二部分BP1分别可以电连接彼此相邻的两个第一部分SP1。多个第一部分SP1和多个第二部分BP1可以具有网格结构。
多个第二感知电极TE2分别可以沿着第二方向DR2延伸，可以沿着第一方向DR1排列多个第二感知电极TE2。多个第二感知电极TE2分别可以包括多个感知图案SP2和多个桥接图案BP2。多个桥接图案BP2分别可以电连接彼此相邻的两个感知图案SP2。多个感知图案SP2可以具有网格结构。
在图4a中作为例示示出了一个桥接图案BP2连接到彼此相邻的两个感知图案SP2的情况，但是本发明的一实施例涉及的多个桥接图案BP2和多个感知图案SP2的连接关系并不限于此。例如，彼此相邻的两个感知图案SP2也可以通过两个桥接图案BP2而被连接。
多个第二部分BP1可以配置在与多个桥接图案BP2不同的层。多个桥接图案BP2可以与多个第一感知电极TE1绝缘交叉。例如，多个第二部分BP1可以分别与多个桥接图案BP2绝缘交叉。
多个感知线TL1、TL2可以包括多个第一感知线TL1和多个第二感知线TL2。多个第一感知线TL1可以分别电连接到多个第一感知电极TE1。多个第二感知线TL2可以分别电连接到多个第二感知电极TE2。多个感知线TL1、TL2分别可以具有网格结构。
多个第一感知焊盘TD1(参照图3)可以分别通过接触孔而电连接到多个第一感知线TL1。多个第二感知焊盘TD2(参照图3)可以分别通过接触孔而电连接到多个第二感知线TL2。
图4b是本发明的一实施例涉及的传感器层的平面图。在对图4b进行说明时，对于在图4a中说明过的构成要素赋予相同的符号并省略对其的说明。
参照图4b，在传感器层IS-1中可以定义有源区域IS-AA和周边区域IS-NAA。天线区域AP1-1可以与有源区域IS-AA重叠。天线区域AP1-1可以在第一方向DR1上与多个感知电极TE1、TE2间隔开。
可以通过第一端口PO1-1和第二端口PO2-1向天线区域AP1-1提供信号。
在天线区域AP1-1中可以定义多个槽SL1a、SL2a。多个槽SL1a、SL2a可以沿着第二方向DR2被排列成锯齿形形状。
在平面上观察时，多个第一贯通孔TH-1可以不与多个感知电极TE1、TE2重叠。
图5是本发明的一实施例涉及的电子装置的一部分的剖视图。
参照图5，在基底层SUB的上表面可以形成至少一个无机层。无机层可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。无机层可以形成为多层。多层的无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。在本实施例中示出了显示层DP包括缓冲层BFL的情况。
缓冲层BFL可以提高基底层SUB与半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括硅氧化物层和硅氮化物层，可以交替地层叠硅氧化物层与硅氮化物层。
半导体图案可以配置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。但是，并不限于此，半导体图案也可以包括非晶硅、低温多晶硅或氧化物半导体。
图5仅示出了一部分半导体图案，还可以在其他区域中配置半导体图案。半导体图案可以遍及多个像素PX而按照特定规则排列。半导体图案可以根据掺杂与否而表现出不同的电性质。半导体图案可以包括传导率高的第一区域以及传导率低的第二区域。第一区域可以用N型掺杂剂或P型掺杂剂进行掺杂。P型晶体管可以包括用P型掺杂剂进行了掺杂的掺杂区域，N型晶体管可以包括用N型掺杂剂进行了掺杂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域或者以比第一区域低的浓度被掺杂。
第一区域的传导性可以大于第二区域，实质上可以起到电极或信号线的作用。第二区域实质上可以相当于晶体管的有源(或者，沟道)区域。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，还有一部分可以是连接电极或连接信号线。
各个像素PX可以具有包括七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，像素PX的等效电路可以变形为各种形态。在图5中例示性地示出了像素PX所包括的一个晶体管T1和发光元件100PE。
晶体管T1可以包括源极SC1、有源区域A1、漏极D1和栅极G1。源极SC1、有源区域A1和漏极D1可以由半导体图案形成。源极SC1和漏极D1在截面上可以从有源区域A1开始在相反方向上延伸。在图5中示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。虽然未单独示出，但是连接信号线SCL可以在平面上与晶体管T1的漏极D1电连接。
第一绝缘层10可以配置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以与多个像素PX共同地重叠且覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，可以具有单层或多层的结构。第一绝缘层10可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层的硅氧化物层。不仅是第一绝缘层10可以为无机层和/或有机层，后述的显示电路层DP-CL的绝缘层也可以是无机层和/或有机层，可以具有单层或多层的结构。无机层可以包括上述的物质中的至少一种，但是并不限于此。
栅极G1配置在第一绝缘层10上。栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1与有源区域A1重叠。在掺杂半导体图案的工序中，栅极G1可以起到掩模的功能。
第二绝缘层20可以配置在第一绝缘层10上且覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以与多个像素PX共同地重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，可以具有单层或多层的结构。第二绝缘层20可以包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的至少一种。在本实施例中，第二绝缘层20可以具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。
第三绝缘层30可以配置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层或多层的结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。
第一连接电极CNE1可以配置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以通过贯通第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CNT-1而与连接信号线SCL相接。
第四绝缘层40可以配置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是单层的硅氧化物层。第五绝缘层50可以配置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
第二连接电极CNE2可以配置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过贯通第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2而与第一连接电极CNE1相接。
第六绝缘层60可以配置在第五绝缘层50上且覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。
图像实现层DP-OLED可以配置在显示电路层DP-CL上。图像实现层DP-OLED可以包括发光元件100PE。例如，图像实现层DP-OLED可以包括有机发光物质、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。以下，以发光元件100PE为有机发光元件的情况为例进行说明，但是并不特别限于此。
发光元件100PE可以包括第一电极AE、发光层OL和第二电极CE。第一电极AE可以配置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过贯通第六绝缘层60的接触孔CNT-3而与第二连接电极CNE2相接。
像素定义膜70可以配置在第六绝缘层60上且覆盖第一电极AE的一部分。在像素定义膜70中定义有开口部70-OP。像素定义膜70的开口部70-OP使第一电极AE的至少一部分露出。
有源区域DP-AA(参照图3)可以包括发光区域PXA以及与发光区域PXA相邻的不发光区域NPXA。不发光区域NPXA可以包围发光区域PXA。在本实施例中，与被开口部70-OP露出的第一电极AE的一部分区域对应地定义了发光区域PXA。
发光层OL可以配置在第一电极AE上。发光层OL可以配置在与开口部70-OP对应的区域中。即，可以在各个像素PX中分离地形成发光层OL。在各个像素PX中分离地形成发光层OL的情况下，各个发光层OL可以发出蓝色、红色和绿色中的至少一种颜色的光。但是，并不限于此，也可以在多个像素PX中连接而共同地提供发光层OL。在该情况下，发光层OL可以提供蓝色光或者也可以提供白色光。
第二电极CE可以配置在发光层OL上。第二电极CE可以具有一体的形状且共同地配置在多个像素PX中。可以将第二电极CE称为公共电极CE。
虽然未图示，但是在第一电极AE与发光层OL之间可以配置空穴控制层。空穴控制层可以共同地配置在发光区域PXA和不发光区域NPXA中。空穴控制层可以包括空穴传输层，还可以包括空穴注入层。在发光层OL与第二电极CE之间可以配置电子控制层。电子控制层可以包括电子传输层，还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以利用开放掩模而共同地形成在多个像素PX中。
薄膜封装层TFL可以配置在图像实现层DP-OLED上。薄膜封装层TFL可以包括依次层叠的无机层、有机层和无机层，但是构成薄膜封装层TFL的层并不限于此。
无机层可以保护图像实现层DP-OLED免受水分和氧的影响，有机层可以保护图像实现层DP-OLED免受如灰尘粒子这样的异物质的影响。无机层可以包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层等。有机层可以包括丙烯酸系有机层，并不限于此。
传感器层IS可以通过连续的工序形成在显示层DP上。在该情况下，可以表述为传感器层IS直接配置在显示层DP上。直接配置可以表示在传感器层IS与显示层DP之间不配置第三构成要素的情况。即，在传感器层IS与显示层DP之间可以不配置单独的粘接部件。或者，传感器层IS可以通过粘接部件而结合到显示层DP。粘接部件可以包括通常的粘接剂或粘合剂。
传感器层IS可以包括基底绝缘层201、第一导电层202、感知绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。
基底绝缘层201可以是包括硅氮化物、硅氮氧化物和硅氧化物中的至少任一种的无机层。或者，基底绝缘层201也可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺系树脂的有机层。基底绝缘层201可以具有单层结构或者具有沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
第一导电层202和第二导电层204分别可以具有单层结构或者具有沿着第三方向DR3层叠的多层结构。
单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可以包括如铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)或铟锌锡氧化物(indium zinc tinoxide，IZTO)等这样的透明的传导性氧化物。此外，透明导电层可以包括如PEDOT这样的传导性高分子、金属纳米线、石墨烯等。
多层结构的导电层可以包括金属层。金属层例如可以具有钛/铝/钛的三层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层以及至少一个透明导电层。
感知绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少任一个可以包括无机膜。无机膜可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。
感知绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少任一个可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯系树脂、乙烯系树脂、环氧系树脂、氨基甲酸乙酯系树脂、纤维素系树脂、硅氧烷系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂和苝系树脂中的至少任一种。
图6是放大示出本发明的一实施例涉及的图4a的AA′区域的电子装置的立体图，图7是本发明的一实施例涉及的沿着图6的II-II′截取的剖视图。
参照图6和图7，在天线区域AP1、AP2(参照图4a)中可以定义天线ANT。天线ANT可以包括金属层CTL、电介质层DE和覆盖层CU。
第一天线区域AP1(参照图4a)可以由基板一体型波导(Substrate IntegratedWaveguide，SIW)构成。所述基板一体型波导可以表示密集地排列连接基板的上部金属板和下部金属板的金属化的多个第一贯通孔TH1、TH2而形成在电介质层DE中的合成矩形电磁波导。此时，多个第一贯通孔TH1、TH2可以防止行波泄漏。所述上部金属板可以是金属层CTL。所述下部金属板可以是覆盖层CU。
在金属层CTL可以定义多个槽SL1、SL2。多个槽SL1、SL2分别可以在第二方向DR2上具有第一宽度LS。第一宽度LS可以与天线ANT的谐振频率成反比。第一宽度LS可以是3mm(毫米)至4mm。例如，第一宽度LS可以是3.5mm。
多个槽SL1、SL2分别可以在第一方向DR1上具有第二宽度WS。第二宽度WS可以根据天线ANT的阻抗匹配来计算出。第二宽度WS可以是0.25mm至0.35mm。例如，第二宽度WS可以是0.3mm。
多个槽SL1、SL2可以包括多个第一行槽SL1和多个第二行槽SL2。
可以在第二方向DR2上并排多个第一行槽SL1。多个第一行槽SL1分别可以在第二方向DR2上延伸。
多个第二行槽SL2可以在第一方向DR1上与多个第一行槽SL1间隔开。可以在第二方向DR2上并排多个第二行槽SL2。多个第二行槽SL2分别可以在第二方向DR2上延伸。
根据本发明，在天线区域AP1、AP2(参照图4a)中可以配置多个槽SL1、SL2。多个槽SL1、SL2可以包括多个第一行槽SL1和多个第二行槽SL2。多个第一行槽SL1和多个第二行槽SL2分别可以在第二方向DR2上延伸且排列成锯齿形形状。即，通过在有限的天线区域AP1、AP2(参照图4a)内形成多个槽SL1、SL2，从而可以提高天线ANT的辐射性能。
在从侧面观察时，一个第一行槽SL1的中心与相邻于所述一个第一行槽SL1的一个第二行槽SL2的中心之间在第二方向DR2上的距离WD1可以是3.5mm。所述距离WD1可以与第一宽度LS的值相同。
金属层CTL可以包括第一导电层202、第二导电层204、公共电极CE和显示电路层DP-CL。
多个槽SL1可以包括第一槽SL1-1、第二槽SL1-2和第三槽SL1-3。
在第一导电层202和/或第二导电层204中可以定义多个第一槽SL1-1。
第一导电层202和第二导电层204分别可以具有钛/铝/钛的三层结构。第一导电层202和第二导电层204分别可以具有网格结构。第一导电层202和第二导电层204的厚度可以是0.20μm(微米)至0.30μm。例如，第一导电层202和第二导电层204的厚度可以是0.25μm。
在公共电极CE中可以定义分别与多个第一槽SL1-1重叠的多个第二槽SL1-2。多个第二槽SL1-2可以对应于多个第一槽SL1-1。
公共电极CE可以包括由银(Ag)-镁(Mg)合金制成的电极。公共电极CE的厚度可以是0.005μm至0.015μm。例如，公共电极CE的厚度可以是0.01μm。
在显示电路层DP-CL中可以定义分别与多个第二槽SL1-2重叠的多个第三槽SL1-3。多个第三槽SL1-3可以对应于多个第二槽SL1-2。
显示电路层DP-CL可以包括多个信号布线GL、DL、PL、EL(参照图3)。显示电路层DP-CL的厚度可以是0.20μm(微米)至0.30μm。例如，显示电路层DP-CL的厚度可以是0.25μm。
电介质层DE可以配置在金属层CTL的下方。电介质层DE可以包括基底层SUB和下部部件层CP。
在电介质层DE中可以定义多个第一贯通孔TH1、TH2。多个第一贯通孔TH1、TH2分别可以一体地贯通基底层SUB和下部部件层CP而形成。多个第一贯通孔TH1、TH2分别可以在第三方向DR3上被贯通。
在多个第一贯通孔TH1、TH2各自的侧面TH1-S、TH2-S可以配置金属。例如，在多个第一贯通孔TH1、TH2各自的侧面TH1-S、TH2-S可以涂敷铜(Cu)。但是，这是例示，本发明的一实施例涉及的多个第一贯通孔TH1、TH2各自的内部也可以填充有金属。
通过第一端口PO1(参照图4a)或第二端口PO2(参照图4a)提供的电磁波可以被困在多个第一贯通孔TH1、TH2之间而移动。
多个第一贯通孔TH1、TH2可以包括多个第一列贯通孔TH1以及在第一方向DR1上与多个第一列贯通孔TH1间隔开的多个第二列贯通孔TH2。
多个第一列贯通孔TH1分别可以在第二方向DR2上平行。
多个第二列贯通孔TH2分别可以在第二方向DR2上平行。
在平面上观察时，多个第一列贯通孔TH1和多个第二列贯通孔TH2可以在其间夹着多个槽SL1、SL2而彼此间隔开。
多个第一列贯通孔TH1和多个第二列贯通孔TH2之间的在第一方向DR1上延伸的宽度WD2可以决定截止频率。所述截止频率可以通过光的速度除以在所述宽度WD2的两倍上相乘有效介电常数的平方根而得到的值来计算出。
所述宽度WD2可以是4mm至6mm。例如，所述宽度WD2可以是5mm。此时的截止频率可以是19GHz(千兆赫)。
电介质层DE可以配置在金属层CTL的下方。电介质层DE可以包括基底层SUB、保护层PF、压印层EB、垫层CSH和散热片GP。基底层SUB的厚度可以是14μm至18μm。例如，基底层SUB的厚度可以是16μm。保护层PF的厚度可以是90μm至110μm。例如，保护层PF的厚度可以是100μm。散热片GP的厚度可以是250μm至300μm。例如，散热片GP的厚度可以是275μm。
电介质层DE的厚度的两倍值可以大于所述宽度WD2。由此，天线ANT可以工作为基板一体型波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)。
覆盖层CU可以配置在电介质层DE的下方。覆盖层CU可以包括金属。例如，覆盖层CU可以包括铜(Cu)。
在平面上观察时，覆盖层CU可以与多个第一贯通孔TH1、TH2及多个槽SL1、SL2重叠。
图8是示出本发明的一实施例涉及的与频率相关的S参数的曲线图。
参照图6和图8，S11可以是S参数(S-Parameter)之一。S11可以是用比率表示了输入信号被反射而返回的信号的大小对比输入信号的大小的值。例如，输入信号可以是通过第一端口PO1(参照图4a)提供的信号。例如，S11可以是天线ANT的反射系数。在判断天线ANT的工作时，可以以S11值为-10dB的情况为基准来进行判断。-10dB可以是输入信号被反射而返回的信号的大小相对于输入信号的大小为10％的情况。在S11小于-10dB的情况下，可以判断天线ANT在相应频带中工作。
天线ANT可以在A至B之间工作。A可以是20.9GHz。B可以是30.2GHz。即，天线ANT可以在频带BW中工作。
S21可以是用比率表示了输出信号的大小对比输入信号的大小的值。例如，输出信号可以是通过第二端口PO2(参照图4a)接收的信号。S21可以判断天线ANT是否工作为基板一体型波导。例如，在以通过多个第一贯通孔TH1、TH2之间的所述宽度WD2计算出的截止频率以下的频率工作的情况下，天线ANT可以不工作。即，参照S21，可以确认为天线ANT在频带BW中工作。
图9示出了本发明的一实施例涉及的天线的辐射方向图，图10a至图10c示出了本发明的一实施例涉及的天线的按各频率的辐射方向图。
图9可以是沿着第一方向DR1截取天线ANT的截面的辐射方向图。在图9中，90°可以指代第一方向DR1。图10a示出了天线ANT在25GHz下的辐射方向图。图10b示出了天线ANT在27GHz下的辐射方向图。图10c示出了天线ANT在29GHz下的辐射方向图。
在图10a至图10c中利用灰度图示出了天线增益。例如，浅黑色可以示出0dB至10dB的天线增益，最浅的灰色可以示出-10dB至0dB的天线增益，稍暗的灰色可以示出-20dB至-10dB的天线增益，最暗的灰色可以示出-30dB至-20dB的天线增益，比最暗的灰色稍亮一点的灰色可以示出-40dB至-30dB的天线增益，深黑色可以示出-50dB至-40dB的天线增益。
在辐射方向图中，当天线增益在0dB以上的情况下，可以表示信号在相应方向上辐射。在所述方向上，0°可以指代第三方向DR3。
参照图6、图9和图10a，第一曲线GP1示出了天线ANT在第一频率下的辐射方向图。所述第一频率可以是25GHz(千兆赫)。
可以设计成天线ANT在第一频率下工作。天线ANT可以发送、接收或收发具有所述第一频率的信号。
在第一频率下，波束可以倾斜(tilt)第一角度AG1。第一角度AG1可以是-35°。可以称为天线ANT在第一频率下在第一辐射方向DRa上具有指向性。在第一频率下，天线ANT可以在第一辐射方向DRa上具有8.1dB的天线增益。
参照图6、图9和图10b，第二曲线GP2示出了天线ANT在第二频率下的辐射方向图。所述第二频率可以是27GHz。
可以设计成天线ANT在第二频率下工作。天线ANT可以发送、接收或收发具有所述第二频率的信号。
在第二频率下，波束可以倾斜第二角度AG2。第二角度AG2可以是-23°。可以称为天线ANT在第二辐射方向DRb上具有指向性。在第二频率下，天线ANT可以在第二辐射方向DRb上具有11.3dB的天线增益。
参照图6、图9和图10c，第三曲线GP3示出了天线ANT在第三频率下的辐射方向图。所述第三频率可以是29GHz。
可以设计成天线ANT在第三频率下工作。天线ANT可以发送、接收或收发具有所述第三频率的信号。
在第三频率下，波束可以倾斜第三角度AG3。第三角度AG3可以是-14°。可以称为天线ANT在第三辐射方向DRc上具有指向性。在第三频率下，天线ANT可以在第三辐射方向DRc上具有13.0dB的天线增益。
在具有高频带的超高频(super high frequency，SHF)或极高频(extremely highfrequency，EHF)的情况下，根据传送距离，信号的损失可以大。但是，根据本发明，天线ANT可以在频带BW中在第三方向DR3上辐射信号。可以称为天线ANT在频带BW中在第三方向DR3上具有指向性。天线ANT可以提高天线增益的集中度。因此，可以提供提高了信号的传送距离的电子装置DD(参照图1)。
此外，根据本发明，天线ANT所工作的频带BW可以是宽频带。因此，可以提供提高了频带宽度的电子装置DD(参照图1)。
图11是本发明的一实施例涉及的电子装置的剖视图，图12是本发明的一实施例涉及的柔性电路膜的剖视图。在对图11进行说明时，对于通过图2说明过的构成要素赋予相同的符号并省略对其的说明。
参照图11和图12，电子装置DDa中可以包括有源区域DD-AA以及与有源区域DD-AA相邻的周边区域DD-NAA。
电子装置DDa还可以包括柔性电路膜FF。
柔性电路膜FF可以配置在周边区域DD-NAA中。柔性电路膜FF可以电连接到传感器层IS。柔性电路膜FF可以被弯曲而与显示层DP的侧面DP-S相向。在柔性电路膜FF可以安装驱动芯片IC。柔性电路膜FF可以将由驱动芯片IC生成的信号传递到天线ANT。
驱动芯片IC可以通过第一端口PO1(参照图4a)和第二端口PO2(参照图4a)将信号提供到天线ANT。驱动芯片IC可以控制天线ANT的工作。例如，驱动芯片IC可以调节分别供电到多个天线ANT的电力来调节天线ANT的波束指向，可以在特定的方向上集中频率信号来提高能量。此外，可以形成期望的辐射方向图，从而可以提高辐射效率。在本发明的一实施例中，驱动芯片IC也可以被称为波束成形芯片IC。
柔性电路膜FF的辅助天线ANTa可以由基板一体型波导构成。辅助天线ANTa可以包括第一金属层301、电介质层302和第二金属层303。
第一金属层301可以包括导电性物质。例如，第一金属层301可以包括铜(Cu)。第一金属层301的厚度可以是15μm至20μm。例如，第一金属层301的厚度可以是18μm。
电介质层302可以配置在第一金属层301上。电介质层302的厚度可以是40μm至60μm。例如，电介质层302的厚度可以是50μm。在电介质层302中可以定义多个第二贯通孔TH3、TH4。
第二金属层303可以配置在电介质层302上。第二金属层303可以包括导电性物质。例如，第二金属层303可以包括铜(Cu)。第二金属层303的厚度可以是15μm至20μm。例如，第二金属层303的厚度可以是18μm。
在第二金属层303中可以定义多个辅助槽SL3、SL4。多个辅助槽SL3、SL4可以沿着第二方向DR2排列成锯齿形形状。
在侧面上观察时，多个第二贯通孔TH3、TH4可以在其间夹着多个辅助槽SL3、SL4而彼此间隔开。
图13是示出本发明的一实施例涉及的天线的与频率相关的总增益的曲线图，图14示出了本发明的一实施例涉及的天线的辐射方向图。
参照图13和图14，天线可以包括天线ANT和柔性电路膜FF(参照图12)的辅助天线ANTa。
参照曲线GPa，可以设计成天线ANT和辅助天线ANTa发送、接收或收发具有频带BWa的信号。
天线ANT和辅助天线ANTa可以在Aa至Ba之间工作。Aa可以是26.7GHz。Ba可以是29.8GHz。天线ANT和辅助天线ANTa可以在频带BWa中工作。频带BWa可以是2.1GHz，此时的最大辐射增益可以在6dB以上。
天线ANT可以在频带BWa中在第三方向DR3上辐射信号。辅助天线ANTa可以在频带BWa中在第一方向DR1上辐射信号。
根据本发明，作为天线可以包括在第三方向DR3上辐射信号的天线ANT以及在第一方向DR1上辐射信号的辅助天线ANTa。
根据本发明，可以称为天线ANT和辅助天线ANTa在频带BW中在第三方向DR3和第一方向DR1上具有指向性。天线ANT可以提高天线增益的集中度。因此，可以提供提高了信号的传送距离的电子装置DDa。
此外，根据本发明，天线ANT和辅助天线ANTa工作的频带BWa可以是宽频带。因此，可以提供提高了频带宽度的电子装置DDa。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本领域的熟练技术人员或本领域的普通技术人员应当能够理解在不超出权利要求书所记载的本发明的思想和技术领域的范围内可以对本发明进行各种修正以及变更。因此，本发明的技术范围并不限于说明书的详细说明所记载的内容，应仅通过权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种电子装置，包括：
显示层，定义有有源区域以及与所述有源区域相邻的周边区域，并且包括基底层；
传感器层，配置在所述显示层上，包括多个感知电极，并且定义有多个第一槽；以及
下部部件层，配置在所述显示层的下方，
在所述基底层和所述下部部件层中定义有多个第一贯通孔，
在平面上观察时，所述多个第一贯通孔在其间夹着所述多个第一槽而彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔和所述多个第一槽与所述有源区域重叠。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
在所述多个第一贯通孔各自的侧面配置有金属。
4.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
覆盖层，配置在所述下部部件层的下方，并且具有导电性。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，
在所述平面上观察时，所述覆盖层与所述多个第一贯通孔及所述多个第一槽重叠。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述显示层还包括配置在所述基底层上的公共电极，
在所述公共电极中定义有分别与所述多个第一槽重叠的多个第二槽。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔与所述多个感知电极重叠。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔不与所述多个感知电极重叠。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述显示层还包括配置在所述周边区域中的柔性电路膜。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，
所述柔性电路膜与所述显示层的侧面相向。
11.根据权利要求9所述的电子装置，其中，
所述柔性电路膜包括：第一金属层；电介质层，配置在所述第一金属层上；以及第二金属层，配置在所述电介质层上，
在所述电介质层中定义有多个第二贯通孔。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中，
在所述第二金属层中定义有多个辅助槽，
在侧面上观察时，所述多个第二贯通孔在其间夹着所述多个辅助槽而彼此间隔开。
13.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述多个第一槽包括：多个第一行槽，排列在第一方向上；以及多个第二行槽，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多个第一行槽间隔开，并且排列在所述第一方向上。
14.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述下部部件层包括：
保护层，配置在所述基底层的下方；以及
散热片，配置在所述保护层的下方。
15.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述多个第一槽定义在与所述多个感知电极相同的层中。
16.一种电子装置，包括：
显示层，定义有有源区域以及与所述有源区域相邻的周边区域，并且包括基底层；
传感器层，配置在所述显示层上，并且包括定义有多个第一槽的多个感知电极；
下部部件层，配置在所述显示层的下方；以及
覆盖层，配置在所述下部部件层的下方，并且具有导电性，
在所述基底层和所述下部部件层中定义有各自一体地贯通的多个第一贯通孔，
在平面上观察时，所述多个第一槽配置在所述多个第一贯通孔之间，
在所述平面上观察时，所述多个第一槽和所述多个第一贯通孔与所述覆盖层重叠。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，
在所述平面上观察时，所述多个第一贯通孔和所述多个第一槽与所述有源区域重叠。
18.根据权利要求16所述的电子装置，其中，
在所述多个第一贯通孔各自的表面涂敷有金属。
19.根据权利要求16所述的电子装置，其中，
所述显示层还包括配置在所述基底层上的公共电极，
在所述公共电极中定义有分别与所述多个第一槽重叠的多个第二槽。
20.根据权利要求16所述的电子装置，其中，
所述多个第一槽包括：多个第一行槽，排列在第一方向上；以及多个第二行槽，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多个第一行槽间隔开，并且排列在所述第一方向上。
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