CN116193952A

CN116193952A - 纳米粒子及包括其的组合物、发光二极管及显示装置

Info

Publication number: CN116193952A
Application number: CN202111414618.9A
Authority: CN
Inventors: 马松; 严怡然; 敖资通; 杨帆; 莫新娣
Original assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Current assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Priority date: 2021-11-25
Filing date: 2021-11-25
Publication date: 2023-05-30

Abstract

本申请公开了一种纳米粒子，包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。本申请的纳米粒子中的二苯基膦配体与量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米粒子的组合物、包括所述纳米粒子的发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。

Description

纳米粒子及包括其的组合物、发光二极管及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米粒子、包括所述纳米粒子的组合物、发光二极管及显示装置。

背景技术

量子点材料为因具有独特的光学特性的纳米粒子，被广泛应用于发光领域，例如量子点发光二极管(QLED)。量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势，而收到广泛关注。量子点发光二极管的结构主要包括阳极、发光层及阴极。在电场的作用下，量子点发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向发光层中注入，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发量子点产生可见光。

然而，目前的量子点发光二极管因为发光效率低、寿命短而还无法商业化量产。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种纳米粒子及包括所述纳米粒子的发光二极管，旨在改善现有的发光二极管寿命短的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种纳米粒子，所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为包含Se的单一结构的量子点，所述包含Se的单一结构的量子点选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点包括量子点核及包覆所述量子点核的至少一壳层，其中，最外层的壳层中包含Se，所述二苯基膦配体连接在所述最外层的壳层表面的Se元素上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述壳层的材料选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、ZnCdSeTe及ZnCdSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为蓝光核壳结构量子点ZnCdSe/ZnSe。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的表面还连接有酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种，所述酸配体选自十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体选自八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述胺配体选自油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述(氧)膦配体选自三辛基膦及三辛基氧膦的至少一种。

相应的，本申请实施例还提供一种组合物，包括溶剂及上述纳米粒子。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米粒子的浓度范围为10～30mg/mL。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述溶剂选自正辛烷。

相应的，本申请实施例还提供一种发光二极管，包括层叠的底电极、发光层及顶电极，所述发光层中包括上述纳米粒子。

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光二极管

本申请的纳米粒子包括量子点及连接在所述量子表面的二苯基膦配体。所述二苯基膦配体与所述量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的又一种发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指器件实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对器件的轮廓而言的。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

本申请实施例提供一种纳米粒子，所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体。所述量子点的表面具有Se(硒)，所述二苯基膦配体与所述量子点表面的Se通过配位键连接。

所述二苯基膦配体与所述量子点表面的Se之间可以形成较强的配位键而将Se覆盖，从而避免量子点表面暴露的Se所可能引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性。

所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。低于所述质量比的范围，会影响纳米粒子的溶解性，高于所述质量比的范围会使纳米粒子的电阻增加而降低纳米粒子的导电性。

在一些实施例中，所述量子点为包含Se的单一结构的量子点。所述包含Se的单一结构的量子点可以选自但不限于ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。所述量子点表面的Se与二苯基膦配体之间可以形成较强的配位键键合而将Se覆盖，从而避免量子点表面裸露的Se所可能引起的非辐射弛豫，从而提升纳米粒子的光稳定性。

在又一些实施例中，所述量子点为核壳结构的量子点。所述核壳结构的量子点包括量子点核及包覆所述量子点核的至少一壳层。其中，最外层的壳层中包含Se，所述二苯基膦配体连接在所述最外层的壳层表面的Se上。

所述壳层的材料可以选自但不限于ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。在至少一实施例中，所述壳层的材料为ZnSe，即所述壳层为ZnSe壳层。ZnSe壳层中的Se与二苯基膦配体之间可以形成较强的配位键键合，将Se覆盖，从而避免壳层表面裸露的Se所引起的非辐射弛豫，从而提升核壳结构量子点的光稳定性。

所述量子点核的材料为本领域已知用于量子点核的材料，例如，可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种。作为举例，所述II-VI族化合物可以选自但不限于CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、ZnCdSeTe及ZnCdSTe中的至少一种；所述III-V族化合物可以选自但不限于InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物可以选自但不限于CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。

作为列举，所述核壳结构的量子点可以选自但不限于ZnCdSe/ZnSe、CdSe/ZnSe、ZnSeTe/ZnSe、CdSe/ZnCdSeS/ZnSe及InP/ZnSe中的至少一种。

在至少一实施例中，所述量子点为蓝光核壳结构量子点ZnCdSe/ZnSe。

可以理解，所述单一结构的量子点的表面及核壳结构的量子点的壳层的表面还可以连接有易溶于极性较低溶剂的配体。所述易溶于极性较低溶剂的配体可以选自但不限于酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种。作为示例，所述酸配体可以选自但不限于十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体可以选自但不限于八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述胺配体可以选自但不限于油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述(氧)膦配体可以选自但不限于三辛基膦及三辛基氧膦的至少一种。

本申请的纳米粒子包括量子点及连接在所述量子表面的二苯基膦配体。所述二苯基膦配体与所述量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免量子点表面暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性。

本申请实施例还提供一种所述纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：

步骤S11：将量子点分散在分散剂中，得到量子点分散液；

步骤S12：向所述量子点分散液中加入二苯基膦，加热反应，然后加入沉淀剂，得到沉淀，所述沉淀即为纳米粒子。

所述步骤S12中，向所述量子点分散液中加入二苯基膦后，分散液中的量子点与二苯基膦的质量比的范围为(0.1:1)～(0.25:1)。

所述分散剂可以为常规用于分散量子点的甲苯等有机溶剂。

所述加热的温度范围为60-150℃。在所述温度范围内可以使二苯基膦快速的连接在量子点的表面，且分散剂不易沸腾或蒸发。

可以理解，所述加热反应的时间没有限制，反应时间依加热温度的变化而变化，温度越高，反应速度越快，所需要的加热时间越短。在一些实施例中，所述加热反应的时间为30～120min。

在一些实施例中，所述加热反应在搅拌下进行，如此可以提升反应效率。

所述沉淀剂为丙酮、乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈等本领域常规使用的沉淀剂。

可以理解，所述步骤S12还可以包括对所述纳米粒子进行清洗的步骤。如此，可以清除物理吸附在量子点表面的二苯基膦，以纯化所述纳米粒子。

所述清洗具体为，将沉淀溶于溶剂中，再加入沉淀剂沉淀，离心分离，即完成一次清洗。可以理解，可以通过多次清洗，得到纯度较高的纳米粒子。

所述量子点的表面连接有所述易溶于极性较低溶剂的配体。在二苯基膦与所述量子点反应过程中，所述易溶于极性较低溶剂的配体会部分或全部被二苯基膦所替换。

本申请实施例还提供一种组合物，所述组合物包括所述纳米粒子及溶剂。

所述溶剂为本领域已知用于分散纳米粒子的溶剂，例如正辛烷等。

所述组合物中，所述纳米粒子的浓度范围为10～30mg/mL。若浓度过低，则容易造成成膜后的发光层不致密而产生漏电等问题；若浓度过高，则会存在组合物容易产生团聚及所形成的膜层过厚等问题。

请参阅图1，本申请实施例提供一种发光二极管100，包括依次层叠的底电极10、发光层20及顶电极30。所述发光层20中包括所述纳米粒子。

在一实施例中，所述底电极10为阳极，所述顶电极30为阴极。在又一实施例中，所述底电极10为阴极，所述顶电极30为阳极。

请参阅图2，在一实施例中，所述发光二极管100还包括空穴注入层40、空穴传输层50及电子传输层60。其中，所述空穴注入层40和空穴传输层50依次层叠在所述底电极10上，所述电子传输层60位于所述发光层20与所述顶电极30之间。可以理解，此时，所述底电极10为阳极，所述顶电极30为阴极。

请参阅图3，在又一实施例中，所述发光二极管100还包括空穴注入层40、空穴传输层50及电子传输层60。其中，所述电子传输层60位于所述底电极10与所述发光层20之间，所述空穴注入层40和空穴传输层50依次层叠在所述发光层20上，且位于发光层20与顶电极30之间。可以理解，此时，所述底电极10为阴极，所述顶电极30为阳极。

所述阳极的材料为本领域已知用于阳极的材料，例如，可以选自但不限于掺杂金属氧化物电极、复合电极等。所述掺杂金属氧化物电极可以选自但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)及铝掺杂氧化镁(AMO)中的至少一种。所述复合电极为掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，如AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS等。

所述阴极为本领域已知用于发光二极管的阴极，例如，可以选自但不限于Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

所述空穴注入层40的材料还可以为本领域已知用于空穴注入层的材料，如可以选自但不限于2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、PEDOT:PSS及PEDOT:PSS掺有s-MoO₃的衍生物(PEDOT:PSS:s-MoO₃)中的至少一种。

所述空穴传输层50的材料还可以为本领域已知用于空穴传输层的材料，例如，可以选自但不限于聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-omeTAD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(NPB)、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(CBP)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)](TFB)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、聚三苯胺(Poly-TPD)、及4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的至少一种。

所述电子传输层60的材料为本领域已知用于电子传输层的材料，例如，可以选自但不限于金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料及1-3-6族半导体材料中的一种或几种。具体的，所述金属氧化物可以选自但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂、Al₂O₃中的一种或几种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物可以选自但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂中的至少一种，掺杂元素可以选自但不限于Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或几种，作为列举，所述掺杂金属氧化物可以为铝氧化锌(AZO)、掺锂氧化锌(LZO)及掺镁氧化锌(MZO)等；所述2-6半导体族材料可以选自但不限于ZnS、ZnSe、CdS中的一种或几种；所述3-5半导体族材料可以选自但不限于InP、GaP中的至少一种；所述1-3-6族半导体材料可以选自但不限于CuInS、CuGaS中的至少一种。

可以理解，所述发光二极管100还可以增设一些常规用于发光二极管的有助于提升发光二极管性能的功能层，例如电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、界面修饰层等。

可以理解，所述发光二极管100的各层的材料可以依据发光二极管100的发光需求进行调整。

可以理解，所述发光二极管100可以为正置发光二极管或倒置发光二极管。

本申请的发光二极管100的发光层20中包括所述纳米粒子，所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子表面的二苯基膦配体，所述二苯基膦配体与所述量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免量子点表面暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管100的效率及寿命。

本申请实施例还提供一种所述发光二极管100的制备方法，包括如下步骤：

步骤S21：提供底电极10；

步骤S22：提供所述组合物，或使用所述组合物的制备方法制备所述组合物；

步骤S23：将所述组合物设置在所述底电极10上，得到发光层20；

步骤S24：在所述发光层20上形成顶电极30。

可以理解，在所述发光二极管100还包括空穴注入层40、空穴传输层50和/或电子传输层60时，所述发光二极管100的制备方法还包括形成所述功能层的步骤。

作为示例，在一实施例中，所述底电极10为阳极，所述顶电极30为阴极，所述发光二极管100还包括空穴注入层40、空穴传输层50和电子传输层60，所述发光二极管100的制备方法包括如下步骤：

提供底电极10；

在所述底电极10上依次形成层叠的空穴注入层40及空穴传输层50；

提供所述组合物，或使用所述组合物的制备方法制备所述组合物；

将所述组合物设置在空穴传输层50上，得到发光层20；

在所述发光层20上形成电子传输层60；

在所述电子传输层60上形成顶电极30。

所述形成发光层20、顶电极30、空穴注入层40、空穴传输层50及电子传输层60的方法可以为化学法或物理法。其中，化学法可以为化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法及共沉淀法等。物理法可以为物理镀膜法或溶液加工法，物理镀膜法可以为热蒸发镀膜法CVD、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法PVD、原子层沉积法及脉冲激光沉积法等；溶液加工法可以为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法及条状涂布法等。

可以理解，在所述发光二极管100还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层和/或界面修饰层等其它功能层时，所述发光二极管100的制备方法还包括形成所述各功能层的步骤。

本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述发光二极管100。

下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。

实施例1

提供厚度为160nm的ITO阳极；

在所述阳极上旋涂PEDOT：PSS材料，150℃热处理20-30min，得到厚度为35nm的空穴注入层40；

在所述空穴注入层40上旋涂TFB材料，140℃热处理20-30min，得到厚度为20nm的空穴传输层50；

将100mg的蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散于甲苯溶剂，然后加入14mg二苯基膦，搅拌使混合均匀，60℃加热搅拌30min，加入适量丙酮进行沉淀，离心得到沉淀，然后将沉淀溶解于甲苯，再加丙酮进行沉淀-离心，重复上述清洗步骤2次，得到纳米粒子，所述纳米粒子包括蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点及连接在所述核壳结构的量子点的表面的二苯基膦配体，且所述二苯基膦配体的含量为12％；

将所述纳米粒子分散在正辛烷中，配制成浓度为20mg/ml的组合物，将所述组合物旋涂在所述空穴传输层50上，得到厚度为25nm的发光层20；

在所述发光层20上旋涂ZnO材料，得到厚度为50nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极；

封装，得到发光二极管100。

实施例2

本实施例与实施例1基本相同，区别在于：

本实施例中，将100mg的蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散于甲苯溶剂，然后加入8mg二苯基膦。

本实施例所制得的纳米粒子中的二苯基膦配体的含量为8％。

实施例3

本实施例与实施例1基本相同，区别在于：

本实施例中，将100mg的蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散于甲苯溶剂，然后加入20mg的二苯基膦。

本实施例所制得的纳米粒子中的二苯基膦配体的含量为15％。

实施例4

本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本实施例中，量子点为CdSe/ZnSe。

对比例1

本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本对比例的发光层的制备为：

将蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散在正辛烷中，配制成浓度为20mg/ml的组合物，将所述组合物旋涂在所述空穴传输层上，得到厚度为25nm的发光层。

对比例2

本对比例与实施例1基本相同，区别在于：

本对比例中，将100mg的蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散于甲苯溶剂，然后加入4mg二苯基膦。

本对比例所制得的纳米粒子中的二苯基膦配体的含量为4％。

对比例3

本对比例与实施例1基本相同，区别在于：

本对比例中，将100mg的蓝光ZnCdSe/ZnSe核壳结构的量子点分散于甲苯溶剂，然后加入40mg的二苯基膦。

本对比例所制得的纳米粒子中的二苯基膦配体的含量范围为30％。

对实施例1-3及对比例1-3的发光二极管进行寿命T95_1knit及外量子效率(EQE)检测。其中，寿命T95_1knit及外量子效率(EQE)检测的驱动电流均为2mA，寿命T95_1knit是指发光二极管在1knit特起始亮度下，亮度衰减至95％的时间；外量子效率(EQE)采用EQE光学测试仪器测定。检测结果参下表一。

表一：

	T95_1knit寿命/(h)	外量子效率(EQE)/(％)
			实施例1	20.09	14.7
实施例2	15.74	11.42
			实施例3	12.39	9.02
实施例4	12.73	9.24
			对比例1	6.55	5.70
对比例2	2.15	1.85
			对比例3	0.88	0.60

由表一可知：

相较于对比例1的表面没有二苯基膦配体的量子点所制备的发光二极管，实施例1-3的表面连接有二苯基膦配体的量子点所制备的发光二极管100的发光效率更高，寿命更长。

相较于二苯基膦配体含量较低的对比例2的量子点所制备的发光二极管及二苯基膦配体含量较高的对比例3的量子点所制备的发光二极管，实施例1-3的表面连接有二苯基膦配体的量子点所制备的发光二极管100的发光效率更高，寿命更长。

以上对本申请实施例所提供的纳米粒子及包括所述纳米粒子的发光二极管进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims

1.一种纳米粒子，其特征在于：所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。

2.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为包含Se的单一结构的量子点，所述包含Se的单一结构的量子点选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

3.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点包括量子点核及包覆所述量子点核的至少一壳层，其中，最外层的壳层中包含Se，所述二苯基膦配体连接在所述最外层的壳层表面的Se元素上。

4.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于：所述壳层的材料选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

5.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点核的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、ZnCdSeTe及ZnCdSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。

6.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为蓝光核壳结构量子点ZnCdSe/ZnSe。

7.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点的表面还连接有酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种，所述酸配体选自十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体选自八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述胺配体选自油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述(氧)膦配体选自三辛基膦及三辛基氧膦的至少一种。

8.一种组合物，包括溶剂，其特征在于：所述组合物还包括权利要求1-7任意一项所述的纳米粒子。

9.如权利要求8所述的组合物，其特征在于：所述纳米粒子的浓度范围为10～30mg/mL。

10.如权利要求8所述的组合物，其特征在于：所述溶剂选自正辛烷。

11.一种发光二极管，包括层叠的底电极、发光层及顶电极，其特征在于：所述发光层中包括权利要求1-7任意一项所述的纳米粒子。

12.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求11所述的发光二极管。