CN1161768C - 光记录媒体 - Google Patents

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Abstract

一种相变光记录媒体，它使得即使在高速、高密度条件下也能实现最佳的直接重写，而不降低重复耐久性或记录信号的存储稳定性。为此，该相变光记录媒体具有至少由相变材料形成的一个记录层，并且由波长范围在380-420nm之间的激光束进行记录和/或重放。比率Ac/Aa不低于0.9，这里Ac是所述记录层在晶态时的吸收率，Aa是所述记录层在非晶态时的吸收率，并且一个结晶促进层与记录层的至少一个表面接触，结晶促进层用于促进相变材料的结晶。通过组合利用吸收率控制和结晶促进，可以有效地补偿晶相和非晶相的物理特性之间的差异，从而实现最佳的直接重写。

Description

光记录媒体
本发明涉及一种相变光记录媒体。更具体地讲，本发明涉及一种能够高速直接重写(direct overwriting)的相变光记录媒体。
作为采用相变记录材料的可重写光盘的一个实例，通常所说的DVD-RAM成为了商业化产品，其中已实现了6m/s的线速度、0.41μm的位长、0.74μm的记录道间距、约650nm的激光波长、11Mbpa的数据传送速率和2.6GB的记录容量。
为了实现更大的容量和更高的传送速率，降低记录激光的光点尺寸和提高记录线速度是有效的。作为降低记录激光的光点尺寸的实用技术，已有缩短激光波长的方法和增大物镜的数值孔径的方法。
尤其是，如果减小激光波长的方法和增大物镜的数值孔径的方法组合使用，光点尺寸可以比使用一种方法时形成得更小。例如，如果采用波长约为400nm的蓝-紫色激光作为光源并且采用具有0.85的数值孔径NA的物镜，理论上讲可以实现更高的记录密度。
但是，在相变光盘上以高的速度进行直接重写的条件是更严格的，原因如下：
通常，在相变光盘中，高功率的激光照射在上面，以通过使记录层的温度升高至其熔化温度以上而熔化记录层。随后记录层被冷却，从而写入记录标记。通过在处于记录层的结晶起始温度和熔点中间的一个温度范围内维持记录层变成晶态必需的时间，记录标记结晶，即被擦除。
如果采用减小激光波长的方法或增大物镜的数值孔径的方法，和/或在较高的记录线速度的条件下，光盘上一个点处的温度会在比通常情况更短的时间内改变。图24示出了一个例子，它显示出光盘上的一个给定点处的温度如何随时间变化的结果。正如从图24中可以看出的，记录和/或重放波长越短，温度保持高于结晶温度(例如假设为400℃)的时间变得越短。
由此，在具有与常规速度相同的结晶速度的记录材料中，使记录的非晶标记结晶即将其擦除变得困难。
在这样的直接重写(DOW)情况下，即，记录是在暂时控制为单一激光功率级时进行，如果光点尺寸小或者记录线速度高，结果将是标记形状的畸变加重，其原因是作为相变记录的特点的非晶相和晶相之间的物理特性的差异。也就是说，在这种条件下，如果一个标记重叠重写在已经写入的记录标记上，那么记录标记的尺寸将趋于比标记新写在空白的晶态区域中时要大。
这是以下原因造成的：在晶相和非晶相之间，对激光的响应(光学常数)不同，由与激光的反应引起的热传递方式(热导率)不同或者热的使用方式不同。应当指出的是，熔化时的潜热是无用的。同时，如果光点尺寸大以及线速度低，记录膜的暂时温度改变将是缓和的，这样，热传导是在已经存在的标记接触激光之前，以致于结晶温度保持初始水平。于是，实现了与标记实际上不存在的(在先结晶)状态等效的状态，由此避免了前述的问题。
由于这个问题，在通常使用的相变光盘情况下，难以实现更高的记录密度和更高的传送速率，这里所说的通常使用的相变光盘具有四层结构，包括一个ZnS-SiO2层、一个记录层、一个ZnS-SiO2层和一个反射层，其Ac/Aa比率低于0.9，这里Ac是记录层在晶态时的吸收率，Aa是记录层在非晶态时的吸收率。例如，已经试验表明，随着线速度提高，抖动值(jitter value)变差，如图25中例举性示出的。
为了解决这个困难，可以设想提高记录层的结晶温度。即，如果为提高擦除率而缩短结晶所需的时间，使得在先结晶趋于更容易地产生，这就足够了。
但是，实际上不可能找到这样一种材料并将其应用于光盘，即，在这种材料中相变能够可逆地产生并且其结晶温度不低于以前采用的结晶温度。
为此，在日本公开专利H-1-92937、日本公开专利H-6-195747或日本公开专利H-9-532424中提出了一种技术，其中不是采用提高记录材料本身的结晶速度的方案，而是靠近记录层设置能够有效地提高非晶相的结晶速度的结晶促进材料，用以提高记录层的结晶速度。但是，这种技术具有这样的缺点：它在通常使用条件下遇到的温度范围内有降低记录标记的存储稳定性的趋向，并且记录标记会被用于重放的激光擦除。
另一方面，例如在日本公开专利H-8-124218或日本公开专利H-9-91755中还提出了一种技术，其中，通过控制光学薄膜的分层结构，非晶相中吸收率通常高于晶相中的吸收率的状态被颠倒，即，其中结晶部分的温升速率和非晶部分的温升速率彼此相对平衡，从而校正了标记形状的畸变，也就是说，这种技术是控制吸收率以校正标记形状的畸变的技术。
但是，这种技术具有一个缺点：诸如吸收率或反射率之类的光学设计方面的自由度降低了，并且反复重写耐久性不高。
另外，在短波长条件下，温度维持高于结晶温度的时间变短，这导致基本擦除能力降低，基本擦除能力诸如由dc光实现的擦除率，dc光是产生控制吸收率的效果的必需条件。
因此，本发明的目的是要提供一种光记录媒体，这种媒体能够适应与缩短的波长相应的高记录密度和高传送速率，并且能够实现最佳的直接重写，同时不降低反复使用耐久性或记录信号的存储稳定性。
本发明提出了一种光记录媒体，它包括至少由相变材料形成的一个记录层，并且记录和/或重放激光的波长为380-420nm，其中，比率Ac/Aa不低于0.9，这里Ac是所述记录层在晶态时的吸收率，Aa是所述记录层在非晶态时的吸收率，并且，一个结晶促进层与所述记录层的至少一个表面接触，结晶促进层用于促进所述相变材料的结晶。
本发明的基本构思是组合利用吸收率控制和结晶促进。通过这种组合，可以有效地补偿晶相和非晶相的物理特性之间的差异，从而实现最佳的直接重写。
单独的技术即吸收率控制和结晶促进可以如此地被抑制，以致于这些问题不明显，这样反复使用耐久性和记录信号的存储稳定性就不会受到损害。
对于相变材料层而言，吸收率控制和结晶促进代表相反的技术，于是，如果这些技术组合在一起，可能会担心两种技术的优点彼此抵消。由于这个原因，在已有技术中几乎没有尝试过将这两种技术组合起来。
本发明人已经发现产生了这样一个问题：吸收率控制不能降低抖动值，甚至为克服这个问题采取了一些必要的措施，吸收率控制也不能降低抖动值。
本发明人研究了吸收率控制和结晶促进的组合，并且得到了这样的信息：通过合适的设计，各技术的缺点几乎不会显露。
即，通过多层膜结构，吸收率控制降低了记录膜的吸收，结果降低了擦除灵敏度，尽管记录媒体在反复重放和耐久性方面是优异的。
相反，如果通过设置结晶促进层使得能够高速结晶，反复重放和耐久性不是最佳的，虽然擦除灵敏度提高了。
如果两种技术组合在一起，当需要时记录标记被擦除，由此使得能够高速重写。反之，当不需要擦除标记时，记录标记就不被擦除。例如，混写(cross-write)特性改善了，使得存储稳定性达到最佳，同时抖动值伴随重放次数增加而产生的升高只是很小的。
这种发现过去没有考虑到，并且已由本发明人首先获得。
根据本发明，作为实现光盘的高性能的两个主要因素，高速或高传送速率和大容量均可以实现，而且可以同时实现高可靠性，高可靠性与光盘的高速呈折衷的关系。
也就是说，本发明提供了一种技术，该技术以很好的平衡方式实现了高性能和高可靠性，因此所提供的这种技术是激光波长缩短、光盘的多层构造、实现更小的光点尺寸或采用相变记录媒体实现近场(near-field)记录必需的。
图1是一个剖视图，它示出了体现本发明的光盘的基本直观结构的主要部分。
图2是用于定义多层膜中的反射率、透射率和吸收率的示意图。
图3是显示成核速度和晶体生长速度与温度的关系的曲线图。
图4是一个剖视图，它示出了具有一个反射层的光盘的直观结构。
图5是一个剖视图，它示出了具有一个光透射保护层的光盘的直观结构。
图6是一个剖视图，它示出了具有多层反射和记录层的光盘的直观结构。
图7是一个剖视图，它示出了相邻层间具有介电层的光盘的直观结构。
图8是一个剖视图，它示出了具有一个光吸收控制层的光盘的直观结构。
图9是一个曲线图，它显示出记录层的光学常数随记录和/或重放光波长的变化。
图10是采用一个透射型反射层的示例性光盘的示意图。
图11是一个曲线图，它显示出在640nm波长时记录层的Ac、Aa、Rc和Ra的变化。
图12是一个曲线图，它显示出在407nm波长时记录层的Ac、Aa、Rc和Ra的变化。
图13是例1的光盘的示意图。
图14是一个曲线图，它显示出在407nm波长时记录层的Ac、Aa、Rc和Ra的变化。
图15是一个曲线图，它显示出在407nm波长时Ac和Aa的变化。
图16是一个曲线图，它显示出抖动值随直接重写操作次数的变化。
图17是一个剖视图，它显示出根据一个变换的实施例制造的示例性光盘的结构。
图18是一个剖视图，它显示出根据另一变换的实施例制造的光盘的结构。
图19是一个剖视图，它显示出根据再一变换的实施例制造的光盘的结构。
图20是一个剖视图，它显示出根据又一变换的实施例制造的光盘的结构。
图21是一个剖视图，它显示出根据另外的变换实施例制造的光盘的结构。
图22是一个剖视图，它显示出根据其它的变换实施例制造的光盘的结构。
图23是一个曲线图，它显示出在采用以GaN为基础的(GaN based)半导体激光器的情况下抖动值随重写次数的变化。
图24是一个曲线图，它显示出结晶温度保持时间随线速度、数值孔径NA和波长的不同而不同的变化情况。
图25是一个曲线图，它显示出在常规的相变光盘中线速度和抖动值之间的关系。
下面将参照附图，对根据本发明的光记录媒体(光盘)进行详细描述。
图1示出了体现本发明的光盘的基本结构。在厚度不小于0.3mm的透明基片1上，形成有一个记录层2。与记录层2的两表面接触，形成有结晶促进层3、4。
在记录层2的一个或者另一个表面上仅可以形成一个结晶促进层。
在相变光记录媒体中，比率Ac/Aa通常约为0.8，其中Ac为记录层2处于结晶状态时的吸收率，Aa为记录层2处于非晶状态时的吸收率。
根据本发明，通过合适的膜层设计，比率Ac/Aa被设定为不低于0.9，其中Ac为记录层2处于结晶状态时的吸收率，Aa为记录层2处于非晶状态时的吸收率，并且此比率Ac/Aa是对于记录和/或重放激光的波长而言的，此比率Ac/Aa在后面将具有相同的含义。尤其是，当记录层处于非晶状态时，吸收率Aa优选不低于60％。
通过将吸收率比率Ac/Aa设定为不低于0.9，结晶部分趋于相对更容易地被加热，这样在完全结晶状态的部分中写入的记录标记的尺寸就可以做得接近在非晶状态写入的记录标记的尺寸。
但是，如果比率Ac/Aa过分增大，此比率增大的倾向将对反射率设计或热性能设计产生影响从而使光记录媒体的综合平衡变差的可能性就高了。
这自然地设定了前述的吸收率比率的一个允许范围即上限。不过，这个允许范围会随着记录和/或重放激光的波长不同而不同，这样对于380nm-420nm范围内的波长，吸收率比率最好设定为不大于2.5。
同时，对于记录层的结晶状态，吸收率(系数)Ac是结晶状态的记录层中的吸收率对记录和/或重放激光的波长的比率。相似地，对于记录层的非晶状态，吸收率(系数)Aa是非晶状态的记录层中的吸收率对记录和/或重放激光的波长的比率。
这些值不能直接在多层结构中测量。必需计算由多层引起的多路径干涉造成的记录层中吸收的光强，并且用入射光强度除以计算出的光强。
由此，根据本发明，吸收率Ac、Aa如下所述：
在如图2中所示的多层(m层)膜的情况下，该光盘的反射率R、透射率T和吸收率(系数)、I2层(诸如记录层)中的吸收率(系数)AI2、Im-1层(诸如记录层)中的吸收率(系数)AIm-1定义如下：
光盘的反射率R：100×Ir/I(％)
光盘的透射率T：100×It/I(％)
光盘的吸收率(系数)A：100×(I-Ir-It)/I(％)
I2层(例如记录层)中的吸收率AI2：100×II2/I(％)
Im-1层(例如记录层)中的吸收率AIm-1：100×IIm-1/I(％)
假设：光入射仅仅发生在垂直方向上，不考虑斜入射分量；各界面是平面的，不考虑沟纹等的微观不平整性的效果；仅仅考虑多层膜上的多路径干涉，基准入射光强度I为实际入射光强度Ix减去表面上的反射光的强度Iy。
在上述定义中，Ir为来自于多层膜的反射光的强度，It为通过多层膜的透射光强度，II2为由I2层(诸如记录层)吸收的光强度，IIm-1为由Im-1层(诸如记录层)吸收的光强度。
吸收率(系数)Ac或Aa为因多路径干涉而由结晶或非晶态的记录层吸收的光强度除以入射至多层膜的光强度I。
如果激光波长、各层的膜厚和复折射率(n-lk)是已知的，可以通过引入特性矩阵来实现多路径干涉的上述计算。
有许多出版物涉及到计算多路径干涉的方法，例如，由Baifukan出版公司出版的Tatsuo Tsuruta编著的《应用光学I》(1-2-2：光强度)、《应用光学II》(4-3-2：多层膜)和由Kyoritsu出版公司出版的Shiro Fujiwara编著的光学技术系列II《光学薄膜》(第三章，多层膜和四端子电路)。
正如从这些出版物可以看出的，在第J层边界上的电磁场的切向分量与第(J-1)层边界上的电磁场的切向分量之间的关系是可以知道的。
光能I可以由指向矢量S的绝对值的平均值<|S|>表示，而第J层的吸收AJ和吸收率(系数)可以分别由AJ＝IJ-1-IJ和(IJ-1-IJ)/I0表示，这里I0为除去表面反射后的入射光能。
用于这些计算的算法是公知的，这些计算可以采用多种算法完成。“只有在单层中才这样”的描述是指m＝1的情况。
下面描述结晶促进层3、4的工作原理。
通常，非晶相的结晶是按两个阶段进行的，即成核阶段和晶体生长阶段。如果假设晶核的产生是在非晶相内全部格点处随机发生的，则成核速度随温度升高而增大，在稍高于玻璃化转变温度Tg的温度时达到最大值，在稍高于玻璃化转变温度的温度以上时成核速度急速降低。另一方面，生长速度U在接近熔点Tm的温度时变为最大。
在记录材料层2具有两个表面的光盘中，在光盘的非晶标记的情况下，则与上述的假设不同，成核可能发生在记录材料层2与其两侧的各层之间的边界表面上。在这种情况下，边界表面的化学或物理特性会明显地影响成核的发生率。
因此，根据本发明，结晶促进层3、4靠近记录层2设置，以控制晶核的发生率。应当指出的是，只有层3、4之一就足够了。也就是说，通过靠近记录层2提供结晶促进层3、4，可以促进晶核的生长，从而提高结晶速度。即使在高传送速率的情况下，这也可产生足够高的重写擦除率(erasure ratio)，由此保证了令人满意的抖动值。
应当指出的是，结晶促进层3、4可以是与介电层同时工作的相同层。例如，ZnS-SiO2(尤其是摩尔比约为4∶1的ZnS-SiO2)可以用作普通的介电层，或者介电材料本身是由结晶促进材料形成的。即，如果由下面例举的结晶促进材料形成的结晶促进层靠近记录层2设置，是否设置介电层或者何种材料用作介电层都是无关紧要的。还已知道，如果结晶促进层靠近记录层2的至少一个表面设置，记录层2的成核速度要比没有结晶促进层时高。不过，应当指出的是，如果结晶促进层靠近记录层2的两个表面设置，所达到的结晶促进效果更高。
作为能够促进结晶的材料，已经知道，到目前为止用作光记录媒体中的介电材料并且对于记录和/或重放激光波长具有0.3或更低的衰减系数值k的材料除了硫化物之外均可以令人满意地使用。结晶促进层可以只由或主要由诸如Al、Si、Ta、Ti、Zr、Nb、Mg、B、Zn、Pb、Ca、La或Ge等金属或准金属的氮化物、氧化物、碳化物、氟化物、氮氧化物(nitro-oxides)、氮碳化物或者氧碳化物形成。尤其是，只由或主要由以下材料形成的层呈现出促进结晶的功能：AlNx，其中0.5≤x≤1，特别是AlN，Al2O3-x，其中0≤x≤1，特别是Al2O3，Si3N4-x，其中0≤x≤1，特别是Si3N4，SiOx，其中1≤x≤2，特别是SiO2、SiO，MgO，Y2O3，MgAl2O4，TiOx，其中1≤x≤2，特别是TiO2，BaTiO3，StTiO3，Ta2O5-x，其中0≤x≤1，特别是Ta2O5，GaOx，其中1≤x≤2，SiC，Ga-N，Ga-N-O，Si-N-O，CaF2，LaF，MgF2，NaF，ThF4。另外，由以上材料的混合物形成的层，例如由AlN-SiO2形成的层也相似地呈现出促进结晶的功能。
然而，不能说这些材料在结晶促进功能方面就令人满意了，在严格的条件下还不能实现最佳的信号特性。
由此，在具有促进结晶功能的材料中，尤其是下列材料中的一种或多种被优选作为结晶促进层：Si-C、Si-C-O、Si-C-H、Si-C-H-O、Si-N、Si-N-O、Si-N-H、Si-N-H-O、Si-C-N、Si-C-N-O、Si-C-N-H、Si-N-H-O、Si-O、Si-O-H、Al-N和Al-O。
这些材料的例子包括Si-C、Si3N4、SiO2、AlN、Al2O3以及主要由这些化合物构成并且包含氧、氢或氮的材料。
已经证实，这些材料与作为本发明的特征的吸收率比率控制(Ac/Aa≥0.9)结合，呈现出非常好的结晶促进效果，从而正如本发明的例子中所述的，给出了明显的抖动值减小效果和改善的反复重写耐久性。在图示例所展示的结构中，主要由SiC构成并且加入O或H的这样一种材料是很好的。另外，在混写或标记保持稳定性方面实现了最佳特性。另一方面，上述材料作为与记录层接触的材料是很好的，因为这些材料不容易在与记录层的交界面上剥落或合金化并且仅呈现出低的光吸收能力。以上考虑了上述结晶促进材料的优选。
虽然结晶促进层的薄膜厚度没有特别规定，但为了形成均匀薄膜，希望薄膜厚度不低于1nm。对于图示例所展示的结构，不低于2nm的薄膜厚度显示出了抖动值减小效果。
虽然对结晶促进层的制造方法没有限制，但下面给出了几个例子：
首先，SiC可以采用SiC靶和Ar气通过RF溅射方法形成。
Si3N4可以通过采用N2反应溅射Si靶成膜。
SiO2可以通过采用Ar气RF溅射SiO2靶淀积形成。
AlN可以通过采用ArN2反应溅射Al靶形成。
Al2O3可以通过采用例如Al靶反应溅射Al靶形成。
Si-C-H-O可以通过采用包含H2O的Ar气RF溅射SiC靶成膜，Ar气中水含量为例如300ppm。
通过设置结晶促进层3、4，促进了晶核的产生，从而提高了结晶速度。这在直接重写时是极其有益的。
但是，如果结晶速度过高，形成的记录标记(非晶标记)的保持稳定性趋于变差。相反，如果结晶速度过低，则不能期望呈现结晶促进层3、4的独特效果。基于这种考虑，结晶速度需要控制在适当的数值。
上述的结构是体现本发明的光盘的基本结构。不过，层结构可以按需要的方式加以修改。
图4示出了形成反射层5的一个例子。在这种情况下，反射层5和记录层依次形成在基片1上。
由此，为了记录和/或重放，记录和/或重放激光从记录层2侧照射。在这种情况下，最好在记录层2上形成一个光透射保护层(light transmissionprotective layer)6。
图5示出了形成光透射保护层的一个例子。在这个例子中，反射层5、记录层2和光透射保护层6顺序形成，并且结晶促进层毗邻记录层2的两侧形成。
由此，在该光盘中，为了记录层2的记录和/或重放，记录和/或重放光从光透射保护层6侧照射。
光盘的结构不局限于上述的结构。例如，记录层2和反射层5可以顺序形成在基片1上，这样记录和/或重放将从透明基片1侧进行。不过，如果记录和/或重放从光透射保护层6侧进行，物镜的数值孔径可以增大，以在维持变形极限的情况下实现高记录密度，由此实现本发明独有的显著效果。其原因在于，通过减小记录光点的尺寸，光盘的一个给定点上的温度在短的时间内改变，这样基于与线速度增大时相同的方式直接重写变得更困难。
另一种方案是。记录层可以由第一记录层2A和第二记录层2B构成，如图6中所示。另外，反射层可以是由第一反射层5A和第二反射层5B构成的双层膜。通过构成诸如双层结构之类的多层结构的反射层，光学设计方面的自由度提高了。如果反射层由两个或多个层构成，这两个或多个层在材料、组分或复折射率方面是不同的，那么一个或多个介电层可以插入反射层之间的任意位置。所插入的介电层的层数也是任意的。
此外，在光透射保护层6和记录层2之间、在记录层2和反射层5之间以及在反射层5和透明基片1之间可以设置介电层7。按这种方式，介电层至少设置在一个位置处。图7示出了一种示例性结构，其中介电层7(7C、7B、7A)设置在全部这三个位置处。
通过设置这些介电层7和调整它们的膜厚度，可以控制光学特性，从而控制上述的吸收率比率。
介电层7可以各自形成为多层薄膜，例如两层薄膜。还可以设置一个光吸收控制层8，设置位置要比记录层2更靠近记录和/或重放光照射侧，以控制吸收率比率，如图8中所示。在这种情况下，可以相似地设置介电层7(7D、7C、7B、7A)，设置位置为任意位置，包括光吸收控制层8和光透射保护层6之间或者光吸收控制层8和记录层2之间的位置。
光吸收控制层8可以相似地由两个或多个层构成，这两个或多个层在材料类型、组分或复折射率方面是不同的。在这种情况下，一个或多个介电层可以插入反射层之间的任意位置。所插入的介电层的层数也是任意的。
在上述的多种结构中，优选的结构是这样一种结构，它包括一个反射层、第一介电层、第一结晶促进层、一个记录层、第二结晶促进层、第二介电层和一个光透射保护层，这些层顺序设置在一个基片上。
在这种情况下，将基片、反射层、第一介电层、第一结晶促进层、记录层、第二结晶促进层和光透射保护层的厚度优选设定为：1.0-1.2mm、5-200nm、5-70nm、1-20nm、5-25nm、1-20nm和0.5-0.15nm，其中第二介电层为单层或者至少包括厚度为5-100nm的一个介电层的多层膜。
在上述结构的光盘中，从成本角度考虑，用于透明基片的材料优选塑料，诸如聚碳酸酯或丙烯酸类树脂。不过，也可以采用玻璃。对于制造方法而言，可以采用注模方法或光聚合物(2P)方法，其中使用一种UV光可固化树脂。不过，可以采用任何其它合适的方法，这里所说的其它合适的方法可以给出需要的光盘形状和从光学上讲足够的基片表面平整度，需要的光盘形状例如厚度为1.1mm和直径为120mm的光盘形状。
虽然对基片厚度没有特别限制，但厚度不小于0.3mm和不大于1.3mm是特别优选的。如果基片厚度小于0.3mm，盘的强度趋于降低。相反，如果基片厚度大于1.2mm，那么盘厚度要比CD或DVD的1.2mm厚度大，这样有可能导致相同的盘架不能用在适应全部这些盘的商品驱动装置中。
如果记录和/或重放用的激光照射在光透射保护层上，基片材料可以是不透明的材料，诸如金属。相反，如果激光照射在基片上，就要采用对记录和/或重放激光的波长(380-420nm)几乎不呈现吸收能力的材料。总之，基片类型可以是任意的。
同时，如果记录和/或重放光照射在基片上，基片和光透射保护层之间设置的各层的形成顺序则与记录和/或重放光照射在光透射保护层上时的顺序相反。
带有多层记录膜的光盘的表面可以形成有被充填的沟纹式记录道(inundated grooved tracks)。光束可以采用沟纹作为引导移动至光盘上的任意位置。沟纹形状可以是螺旋形的或同心的，或者可以呈凹点串的形式。
光透射保护层优选由对记录和/或重放激光的波长(380-420nm)不具有吸收能力的材料形成。尤其是，光透射保护层由透射率不低于80％的材料形成。光透射保护层的厚度优选为不大于0.3mm。特别是，通过将3-177μm的厚度与诸如0.85的高数值孔径NA结合，可以实现至今未有的高记录密度。
为了防止光透射保护层表面上的灰尘淀积或擦刮，可以形成一个保护层，此保护层由有机或无机材料形成，它最好对于记录和/或重放激光的波长具有可忽略的吸收能力。
用于从光透射保护层侧进行记录和/或重放的光盘的制造方法可大致分为以下两种方法：
第一种方法是，在形成有导引沟纹的基片上布设多层膜并且最后形成一个光滑的光透射保护层。另一方面，第二种方法是，在形成有导引沟纹的光透射保护层上布设多层膜并且最后形成一个光滑的基片。
由于在光透射保护层上形成满充填(inundsations)的工艺步骤或形成多层膜的工艺步骤不一定是简单的，因此，从批量生产的角度讲，第一种方法更为优选。
如果采用第一种方法，可以采用这样的方法，其中一张0.3mm厚的从光学上讲足够光滑的薄片在UV光照射时被粘附，所说的薄片由诸如聚碳酸酯或丙烯酸树脂之类的塑料形成，并且所说粘附是采用UV光可固化树脂作为粘合剂。还可以采用这样一种方法，其中，通过例如旋涂装置将UV光可固化树脂涂敷至不大于0.3mm的所需厚度，随后由UV光照射。
光透射保护层可以是任何合适的结构，或者可以由任何合适的方法形成，只要它具有不低于90％的透射率和不大于0.3mm的厚度。光透射保护层还可以形成有被充填的沟纹记录道。被充填的沟纹记录道还可以通过例如注模方法、光聚合物(2P)方法或以通过压接或加压转换充填的方法形成在光透射保护层中。
在上述每一结构的光盘中，记录层2是由相变材料形成的，即，这种材料在光束照射时经历可逆的相变。尤其是可以采用这样一种材料，它在光束照射时经历可逆的相变。可以采用任何一种已知的合适相变材料作为专用的材料，诸如硫族元素化合物或硫族元素。
这些材料的例子包括这样一些材料，它们包含Te、Se、Ge-Sb-Te、Ge-Te、Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Au-In-Sb-Te、Ge-Sb-Te-Pd、Ge-Sb-Te-Se、In-Sb-Se、Bi-Te、Bi-Se、Sb-Se、Sb-Te、Ge-Sb-Te-Bi、Ge-Sb-Te-Co或Ge-Sb-Te-Au，其中具有或没有诸如氮或氧之类的气体添加剂。在这些材料中，主要由Ge-Sb-Te构成的材料是最优选的。上述材料还可以添加诸如Sb或Pd之类的任意元素或者诸如氯或氧之类的气体元素。
如果采用Ge-Sb-Te材料，具有GexSbyTez组成的材料能给出最佳特性，其中x、y、z表示组成中元素本身的原子比率，它们的取值范围是17≤x≤25、17≤y≤26和45≤z≤65。
这些记录层可以制成根据光束的强度大小经历非晶态和晶态之间的可逆相变。利用由状态变化引起的诸如反射率的变化之类的光学性能变化，可以实现记录、重放、擦除、重写等操作。一般情况下，在膜形成之后进行通常被称为初始化的结晶，而后进行记录和/或重放。
同时，记录层可以由两个或两个以上的连续的层构成，这些层在材料类型、组成或复折射率中的一个方面或多个方面是不同的。
反射层优选由金属、准金属、半导体或其化合物或混合物形成，它对记录和/或重放激光的波长呈现反射能力和具有0.0004J/cm·K·δ-4.5J/cm·K·δ的热导率。大体上讲，可以采用常规光盘中使用的任何合适的反射层。
反射层的材料的例子包括Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Te、W、Mo、Ge，这些材料可单独使用或以主要由这些材料组成的合金使用。其中，从实际效用看，以Al、Ag、Au、Si、Ge为基础的(-based)材料是优选的。可以例举的合金为例如Al-Ti、Al-Cr、Al-Co、Al-Mg-Si、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti和Si-B。这些材料是从光学和热特性的角度选择的。一般情况下，如果材料的膜厚度被设定为一个足够大的值，诸如50nm或更大，以致于不允许光透过，那么反射率会增大，同时热容易散失。尤其是，以Al、Ag为基础的材料是优选的，这些材料在诸如λ＝400nm的短波长范围内呈现出不低于80％的高反射率。一些合金材料也是优选的，诸如Al-Ti、Al-Cr、Al-Co、Al-Mg-Si、Ag-Pd-Cu和Ag-Pd-Ti。
如果采用Ag，恐怕会发生诸如ZnS-SiO2和S的反应之类的硫化反应，这样使Ag形成合金或者引入一种无S介电材料作为中间层是更优选的。
在本说明书中，采用了这样一种结构，其中，通过例如实现吸收率比率控制(Ac/Aa≥0.9)，从光透射保护层入射的光束的一部分透过反射层。在这种情况下所使用的反射层被特别称为透射型反射层。作为另一个例子，采用了这样一种结构，其中，在光透射保护层和记录层的邻近光透射保护层的结晶促进层之间的任意位置设置有一个层，此层被称为吸收控制层，正如下面将描述的。
在采用透射型反射层的前一种结构中，用于反射层的材料类型和结构被限制在较窄的范围内。在采用光吸收控制层的后一种结构中以及诸如具有多层介电层的结构之类的其它结构中，可以采用任何可选的反射层，只要它满足前述的条件即可，这种条件为：反射层由由金属、准金属、半导体、化合物或它们的混合物形成，它对380-420nm的记录和/或重放激光的波长呈现反射能力和具有0.004J/cm·K·δ-4.5J/cm·K·δ的热导率。透射型反射层优选这样的材料，即，它不仅满足对反射层的以下规定：反射层由由金属、准金属、半导体、化合物或它们的混合物形成，它对380-420nm的记录和/或重放激光的波长呈现反射能力和具有0.004J/cm·K·δ-4.5J/cm·K·δ的热导率，而且反射层本身的透射率不低于10％或者采用这个反射层的光盘的透射率不低于1％。如果透射率低于这个值，就不能实现显著的吸收率比率控制效果。作为一个例子，可以采用Si、Au或Ge，或者以它们作为主要成分的化合物或混合物。
不过，应当指出的是，可以采用Al、Ag、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Ta、W或Mo，只要层厚度不大于10nm。透射型反射层还可以由上述的金属(诸如Au)或准金属和介电材料的混合物形成。
不过，虽然采用透射型反射层的结构对于波长约为640nm的激光是特别希望的，但对于具有380-420nm波长的短波长激光而言，不一定获得高的Ac/Aa值。
由此，对于380-420nm波长的短波长激光，具有高反射率的以Al或Ag为基础的材料是特别优选的。
同时，反射层可以由两个或多个层构成，这些层在材料类型、组成或复折射率中的至少一个方面是不同的。这些层可以连续地设置，或者(这些层间)插入一个或多个介电层。
用于介电层7的材料优选对记录和/或重放激光的波长没有吸收能力的材料。具体地讲，优选衰减系数k的值不大于0.3的材料。这种材料可以是例如ZnS-SiO2混合物，特别是具有约4∶1的摩尔比的ZnS-SiO2混合物。此外，还可以采用到目前为止用于光记录媒体的除了ZnS-SiO2混合物之外的材料作为介电层。
例如，可以采用由诸如Al、Si、Ta、Ti、Zr、Nb、Mg、B、Zn、Pb、Ca、La或Ge等金属和准金属的氮化物、氧化物、碳化物、氟化物、硫化物、氮氧化物、氮碳化物或者氧碳化物构成的层，或者主要由这些化合物构成的层。具体的例子包括AlNx(0.5≤x≤1)，特别是AlN，Al2O3-x，其中0≤x≤1，特别是Al2O3，Si3N4-x，其中0≤x≤1，特别是Si3N4，SiOx，其中1≤x≤2，特别是SiO2、SiO，MgO，Y2O3，MgAl2O4，TiOx，其中1≤x≤2，特别是TiO2，BaTiO3，StTiO3，Ta2O6-x，其中0≤x≤1，特别是Ta2O5，G6Ox，其中1≤x≤2，SiC，ZnS，PbS，Ge-N，Ge-N-O，Si-N-O，CaF2，LaF，MgF2，NaF，ThF4。另外，可以采用这些材料的混合物作为介电层，例如由AlN-SiO2形成的层。
同时，介电层可以由两个或多个连续的层构成，这些层至少在材料类型、组成或复折射率方面是不同的。
如果介电层由两个或多个连续的层构成，从光学设计角度讲，更希望两个相邻的介电层的折射率n之差具有较大的幅度。应当指出的是，光学设计参数包括使Ac/Aa比率相对容易地提高，并且对于记录和/或重放激光的复折射率为n-lk。尤其是，折射率差最好不低于0.2。如果采用通常使用的(例如)具有4∶1的摩尔比的ZnS-SiO2，吸收率比率Ac/Aa可以通过以相互邻近关系设置诸如SiO2、光干涉膜MgF2、CaF2、NaF、ZnS或TiO2之类的材料而容易地提高。对于由三个或更多个连续的层构成的介电层，这三个层可以在材料类型、组成或复折射率中的至少一个方面全不相同。或者，相同层可以插入两次或多次，正如在ZnS-SiO2/SiO2/ZnS-SiO2情况中。总之，层数可以是任意的，只要相邻层是由不同材料形成的，所说的不同材料是在材料类型、组成或复折射率中的至少一个方面不相同。层数越多，光学设计方面的自由度越高，并且因此提高Ac/Aa比率变得越容易。虽然多层介电层的位置可以是所示的任何位置，但如果多层介电层设在光透射保护层和反射层之间，光学效果是最大的。
正如结合反射层所描述的，在本说明书中，被称为光吸收控制层的层可被设在光透射保护层和具有结晶促进层的记录层之间的任意位置。光吸收控制层由对记录和/或重放激光的波长呈现吸收能力的金属元素、准金属元素或半导体或者它们的化合物或混合物构成。应当指出的是，光吸收控制层本身的透射率不低于3％。尤其是，如果光吸收控制层本身的吸收率不低于3％并且光吸收控制层本身的透射率不低于20％，吸收率控制效果会变得较高。如果此单层的吸收率低于3％，记录和擦除灵敏度会降低。对于光吸收控制层，可以采用Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo或Ge，或者主要由这些元素构成的合金。这些材料中，从实际效用角度讲，Au、Al、Ag、Si或Ge、主要由这些元素构成的化合物或合金是优选的。如果采用Au、Al或Ag，从光学方面考虑，膜厚度最好设定为3-30nm。
可以采用其它材料，诸如Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Ta、W或Mo，只要膜厚度设定为例如不大于15nm。如果采用例如上述金属或准金属与介电材料的混合物，透射率要比采用Au本身时高，由此使得设计能够增大膜厚度和增大膜厚度设定的自由度。在这种情况下，混合比例可以根据作为设计参数的光学常数和热导率适当调整。所使用的介电材料可以任意选择。
例如，光吸收控制层可以由主要由Au、Al、Ag、Si或Ge构成的一种材料和ZnS-SiO2混合物组成的混合物构成，混合物的两种成分的摩尔比约为4∶1。
同时，光吸收控制层可以由两个或多个连续层构成，这些层在材料类型、组成或复折射率中的至少一个方面是不同的。这些层可以是相互间连续布置的，或者在其间插入一个或多个介电层。为了对具有上述结构的光记录媒体进行记录和/或重放，采用短波长激光作为记录和/或重放激光，这种短波长激光具有380-420nm的波长或者是通常所说的蓝色激光或蓝紫色激光。用于产生这种记录和/或重放激光的光源可以是任何合适的光源，只要它能够发射所说波长的激光即可。光源的例子包括半导体激光器和气体激光器。或者，也可采用使用二次谐波产生元件的所谓SHG激光器。
实施例
下面将参照以试验结果为基础的具体实施例对本发明进行描述。
为适应短波长趋势进行的研究
实施例1
通常，记录层的光学常数随记录和/或重放光的波长显著地改变。图9示出了波长与Ge2Sb2Te5的光学常数的关系。这里，采用光谱仪对一个样品进行了测试，这个样品是在一个硅晶片上形成膜厚度不小于100nm的Ge2Sb2Te5膜而得到的。例如，对于640nm的波长，相应于晶态和非晶态的光学常数n、k分别为(3.72，3.52)和(3.05，1.90)，而对于407nm的波长，相应于晶态和非晶态的光学常数n、k分别为(2.05，3.00)和(3.05，1.90)。
因此，如果采用适于640nm的波长的膜结构，如图10中所示，结果对于407nm的波长不一定是最佳的。这里，介电材料的厚度根据波长的不同进行调整，即，对于640nm和407nm的波长，厚度设定为60nm和30nm，以使结晶时的反射率Rc相等。
图11示出了对应于640nm的波长Si膜厚度与Ac、Aa之间的关系。对于这个波长，在Si膜厚度为40nm时实现了Ac/Aa比率＝1.24。
不过，采用这种类型的光盘结构，对于407nm的波长，Ac和Aa的关系发生了颠倒，以致于即使对于此Si膜厚度Ac/Aa比率约为0.93而不低于0.8，但对于407nm波长，采用这种结构仍然难以实现Ac/Aa比率不低于1.2。
对于380-420nm的短波长范围，光点直径最小，正如参照图22所描述的，这样即使采用相同的线速度，温度维持在不低于结晶温度值的时间也会变短，使得结晶困难。如果可能的话，希望实现不低于1.2的Ac/Aa比率。因此，这种结构不一定是理想的。
由此，现在已决定采用图13中所示的膜结构。这样做，Ac和Aa的差异变大，使得Ac/Aa比率能够设定为不小于1.5，这里为1.53。
同时，对应于λ＝407nm的波长，各种材料的用于计算的复折射率(n-ik)的值如下(其中n为折射率，k为衰减系数)：
聚碳酸酯基片：n＝1.75
聚碳酸酯薄片：n＝1.75
ZnS-SiO2：n＝2.35
SiO2：n＝1.5
SiC-H-O：n＝1.9
Si：n＝5.2，k＝1.7
Ga2Sb2Te6(晶态)：n＝2.05，k＝3.00
Ga2Sb2Te6(非晶态)：n＝3.05，k＝1.90
Al合金：n＝0.5，k＝4.2
Au：n＝2.1，k＝2.6(用于其它实施例)
Ag：n＝0.16，k＝2.05(用于其它实施例)
ZnS：n＝2.4(用于其它实施例)
另一方面，对应于λ＝640nm的波长，各种材料的用于计算的复折射率(n-ik)的值如下(其中n为折射率，k为衰减系数)：
聚碳酸酯基片：n＝1.58
聚碳酸酯薄片：n＝1.58
ZnS-SiO2：n＝2.13
SiC-H-O：n＝1.9
Si：n＝3.86，k＝0.34
Ga2Sb2Te6(晶态)：n＝3.72，k＝3.52
Ga2Sb2Te6(非晶态)：n＝3.70，k＝1.73
对于这个样品，进行了记录和/或重放特性测试。测试了以下项目：评价项目
(1)抖动值随直接重写(DOW)次数的变化
上述评价项目的测试条件如下：
·激光波长：407nm(氪气体激光器)
·物镜(两组式透镜)的数值孔径NA：0.85
·(1，7)解调
·信道时钟：50MHz，55MHz
·线密度：0.135μm/位
·记录道间距：0.33μm(纹间表面沟纹记录)
·纹间表面/沟纹定义：相对于记录和/或重放光的凹陷和凸起侧分别称为纹间表面和沟纹(除非特别规定，数据对应于沟纹)
图16示出了评价结果。即使在1000次DOW之后，抖动值也不会高于10％。
相反，采用如图10中所示的Si反射膜型结构，在1000次DOW之后，抖动值超过了10％。
其它实施例
实施例2
在这个实施例中，制备了如图17中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片21，在基片上淀积有一个反射层22、第一介电层23、一个结晶促进层24、一个记录层25、第二介电层27、第三介电层28、第四介电层29和一个光透射保护层30。各层的材料和厚度如下：
透明基片21：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.2mm厚)
反射层22：Al合金(165nm厚)
记录层25：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层30：UV光可固化树脂(0.1mm厚)
结晶促进层24、26：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层23：ZnS-SiO2(35nm厚)
第二介电层27：ZnS-SiO2(13nm厚)
第三介电层28：SiO2(65nm厚)
第四介电层29：ZnS-SiO2(60nm厚)
在这种结构中，仅仅是光透射保护层由实施例1中的聚碳酸酯薄片变为UV光可固化树脂。
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.53。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于10％。
实施例3
本实施例中制备了与实施例2具有相同膜结构的光盘。
各层的材料和厚度如下：
透明基片21：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层22：Al合金(165nm厚)
记录层25：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层30：UV光可固化树脂(0.1mm厚)
结晶促进层24、26：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层23：ZnS-SiO2(45nm厚)
第二介电层27：ZnS-SiO2(20nm厚)
第三介电层28：SiO2(10nm厚)
第四介电层29：ZnS-SiO2(60nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.47。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于14％。
实施例4
本实施例中制备了与实施例2具有相同膜结构的光盘。
各层的材料和厚度如下：
透明基片21：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层22：Al合金(165nm厚)
记录层25：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层30：UV光可固化树脂(0.1mm厚)
结晶促进层24、26：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层23：ZnS-SiO2(25nm厚)
第二介电层27：ZnS-SiO2(13nm厚)
第三介电层28：SiO2(65nm厚)
第四介电层29：ZnS-SiO2(60nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.56。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于11％。
实施例5
在这个实施例中，制备了如图18中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片41，在基片上淀积有一个反射层42、(第一介电层43、)一个结晶促进层44、一个记录层45、一个结晶促进层46、第二介电层47和一个光透射保护层48。
各层的材料和厚度如下：
透明基片41：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.2mm厚)
反射层42：Al合金(165nm厚)
记录层45：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层48：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层44、46：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层43：ZnS-SiO2(40nm厚)
第二介电层47：ZnS-SiO2(90nm厚)
应当指出的是，在这种结构中，介电层不是象前面的例子中那样的多层，于是Ac/Aa比率较低，但Ac/Aa比率仍然不低于1.2。对于这种简化的结构Ac/Aa比率保持高的原因是第一介电层43具有40nm的较大厚度。
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.31。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例6
本实施例中制备了与实施例5具有相同膜结构的光盘。
各层的材料和厚度如下：
透明基片41：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.2mm厚)
反射层42：Al合金(165nm厚)
记录层45：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层48：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层44、46：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层43：ZnS-SiO2(35nm厚)
第二介电层47：SiO2(90nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.25。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例7
在这个实施例中，制备了如图19中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片51，在基片上淀积有一个反射层52、第一介电层53、一个结晶促进层54、一个记录层55、第二介电层57、第三介电层58和一个光透射保护层59。各层的材料和厚度如下：
透明基片51：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层52：Al合金(165nm厚)
记录层55：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层59：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层54、56：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层53：ZnS-SiO2(36nm厚)
第二介电层57：ZnS-SiO2(13nm厚)
第三介电层58：SiO2(65nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.33。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例8
在这个实施例中，制备了相似的光盘。各层的材料和厚度如下：
透明基片51：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层52：Al合金(165nm厚)
记录层55：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层59：UV光可固化树脂(0.1mm厚)
结晶促进层54、56：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层53：ZnS-SiO2(45nm厚)
第二介电层57：ZnS-SiO2(20nm厚)
第三介电层58：ZnS(50nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.38。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例9
在这个实施例中，制备了如图20中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片61，在基片上淀积有一个反射层62、第一介电层63、一个结晶促进层64、一个记录层65、第二介电层67、一个光吸收控制层68和一个光透射保护层69。各层的材料和厚度如下：
透明基片61：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.2mm厚)
反射层62：Al合金(165nm厚)
记录层65：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光吸收控制层68：Ag(16nm厚)
光透射保护层69：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层64、66：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层63：ZnS-SiO2(20nm厚)
第二介电层67：ZnS-SiO2(30nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.38。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例10
在这个实施例中，制备了如图21中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片71，在基片上淀积有一个反射层72、第一介电层73、一个结晶促进层74、一个记录层75、一个结晶促进层76、第二介电层77、一个光吸收控制层78、第三介电层79和一个光透射保护层80。各层的材料和厚度如下：
透明基片71：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层72：Al合金(165nm厚)
记录层75：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光吸收控制层78：Au(10nm厚)
光透射保护层80：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层74、76：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层73：ZnS-SiO2(35nm厚)
第二介电层77：ZnS-SiO2(50nm厚)
第三介电层79：ZnS-SiO2(10nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.27。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例11
在这个实施例中，制备了如图22中所示结构的光盘。这个光盘包括一个透明基片81，在基片上淀积有一个反射层82、第一介电层83、第二介电层84、第三介电层85、一个结晶促进层86、一个记录层87、一个结晶促进层88、第四介电层89和一个光透射保护层90。
各层的材料和厚度如下：
透明基片81：带沟纹的聚碳酸酯基片(1.1mm厚)
反射层82：Al合金(165nm厚)
记录层87：Ge2Sb2Te5(14nm厚)
光透射保护层90：聚碳酸酯薄片(0.1mm厚)
结晶促进层86、88：SiC-H-O(4nm厚)
第一介电层83：ZnS-SiO2(5nm厚)
第二介电层84：ZnS-SiO2(5nm厚)
第三介电层85：ZnS-SiO2(40nm厚)
第四介电层89：ZnS-SiO2(60nm厚)
这个光盘的Ac/Aa比率的计算值为1.45。
对这个光盘做了相似的评价。发现1000次DOW之后的抖动值不大于15％。
实施例12
在这个实施例中，采用波长为400nm的GaN为基础的半导体激光器作为记录和/或重放激光。在这个实施例中，使用了与实施例2的光盘结构相似的光盘。除了以下参数外，评价条件与前面的实施例相同：
激光波长：400nm(GaN为基础的半导体激光器)
信道时钟：62MHz
线密度：0.130μm/位
评价结果显示在图23中。在1000次DOW之后，抖动值不大于11％。

Claims (24)

1.一种光记录媒体，其记录和/或重放激光的波长为380-420nm，该光记录媒体包括：
一个基片，
一个形成在所述基片上的反射层，
一个形成在所述反射层上的、由至少一种相变材料制成的记录层，其中
比率Ac/Aa不低于0.9，这里Ac是所述记录层在晶态时的吸收率，Aa是所述记录层在非晶态时的吸收率，
一个结晶促进层与所述记录层的至少一个表面接触，所述结晶促进层用于促进所述相变材料的结晶，以及
在所述记录层上形成厚度为3到177μm的光透射保护层且记录和/或重放光从所述光透射保护层侧照射。
2.根据权利要求1的光记录媒体，还包括一个介电层。
3.根据权利要求1的光记录媒体，其中所述光透射保护层是由聚碳酸酯或UV光可固化树脂形成的。
4.根据权利要求1的光记录媒体，其中所述比率Ac/Aa不低于1.2。
5.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述记录层在非晶态时的吸收率Aa不低于60％。
6.根据权利要求1的光记录媒体，其中，结晶促进层是由从下列材料中选择的至少一种制成的：Si-C、Si-C-O、Si-C-H、Si-C-H-O、Si-N、Si-N-O、Si-N-H、Si-C-N、Si-C-N-O、Si-C-N-H、Si-N-H-O、Si-O、Si-O-H、Al-N和Al-O。
7.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述记录层包含作为记录材料的GexSbyTez，其中x、y和z表示各元素的原子比例，17≤x≤25，17≤y≤26，45≤z≤65。
8.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述记录层包含氮和/或氧。
9.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述反射层在所述记录和/或重放激光的波长范围内具有反射能力，并且具有0.0004J/cm·K·S-4.5J/cm·K·S的热导率。
10.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述反射层是从由下列材料组成的材料组中选择的至少一种材料：金属、准金属、半导体、它们的化合物或混合物。
11.根据权利要求1的光记录媒体，其中，对于记录和/或重放激光，所述反射层在单层状态时具有不低于10％的透射率，并且整个光记录媒体的透射率不低于1％。
12.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述反射层由Al、Ag、Au、Si或Ge本身、包含作为主要成分的Al、Ag、Au、Si或Ge的化合物或混合物构成。
13.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述反射层是从由下列材料组成的材料组中选择的至少一种材料和介电材料的混合物：金属、准金属和化合物或混合物。
14.根据权利要求13的光记录媒体，其中，所述介电材料为ZnS-SiO2混合物。
15.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述反射层是由不同材料的多个层层叠在一起形成的。
16.根据权利要求1的光记录媒体，其中，所述记录层是由不同材料的多个层层叠在一起形成的。
17.根据权利要求2的光记录媒体，其中，一个介电层设置在光透射保护层和记录层之间、记录层和反射层之间或反射层和基片之间。
18.根据权利要求2的光记录媒体，其中，所述介电层是由介电材料形成的，所述介电材料在所述记录和/或重放激光的波长范围内具有不大于0.3的衰减系数k。
19.根据权利要求2的光记录媒体，其中，所述介电层是由多个连续的层形成的，并且至少一个层是由不同于其它层的材料形成的。
20.根据权利要求19的光记录媒体，其中，介电层的两个相邻层之间的折射率n之差不小于0.2。
21.根据权利要求19的光记录媒体，其中，所述的多个连续的层包括由ZnS-SiO2混合物和SiOx形成的层，其中1≤x≤2。
22.根据权利要求2的光记录媒体，其中，所述记录层包括以Ge-Sb-Te为基础的材料作为记录材料所述反射层是由以Al或Ag为基础的材料形成的，所述结晶促进材料包括以Si-C为基础的材料，所述介电层是由ZnS-SiO2混合物形成的。
23.根据权利要求22的光记录媒体，其中，反射层、第一介电层、第一结晶促进层、记录层、第二结晶促进层、第二介电层和光透射保护层顺序形成在所述基片上。
24.根据权利要求23的光记录媒体，其中，基片厚度、反射层厚度、第一介电层厚度、第一结晶促进层厚度、记录层厚度、第二结晶促进层厚度和光透射保护层厚度为1.0-1.2mm、5-200nm、5-70nm、1-20nm、5-25nm、1-20nm和3-177μm，并且第二介电层为单层膜或多层膜，所述多层膜包含一个厚度至少为5-100nm的介电层。
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