CN116167247B - 一种基于冯·哈格诺夫方法的gs方程数值计算方法 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明属于数值分析领域,具体涉及一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法。
背景技术
托卡马克反应堆的交流电运行是一种很有吸引力的运行模式,可以在不需要复杂的无感电流驱动系统的情况下连续输出电能。在过去的几十年里,在许多托卡马克装置上进行了交流运行实验。该方法已被证明是可行的,并且性能不会衰减。交流托卡马克运行与反转电流密度的磁平衡有关。众所周知,托卡马克建模和分析的第一步包括MHD平衡和稳定性计算。已经对电流反转平衡位形(CRECS)进行了一些积极的理论研究活动,包括分析和数值。但以往的研究主要集中在CREC的存在、具有有限局部中心区域电流反转的电流剖面,或固定边界CREC上,这对于理解CREC的物理性质很重要,但对于CREC重建计算实验中确定磁分界线和X点位置的实际应用无效。在实际的平衡实验中,等离子体边界的位置由等离子体电流和等离子体平衡控制线圈电流之间的相互作用决定。对于电流反转平衡位形,等离子体磁表面没有嵌套,磁表面函数不适合归一化。因此,当宏观等离子体参数已知时,很难通过Johnson等人采用的迭代方法调整等离子体电流分布。在这种情况下,必须使用非结构化网格的有限元方法,将自由边界问题转换为几个固定边界问题来处理,即Von Hagenow方法。
式中, 是归一化极向磁通量, />为磁通量, />是在/>处真空磁场估计值, />和/> 分别是大半径和小半径; />为归一化的环形电流密度, ,其中 />是环形电流密度, />是自由空间的磁导率;/> ,,/> ,/> ,/>和/>为柱面坐标, />和 />都是 />的一般函数,/>是等离子体压强,/>为极向电流通量函数;/>为线圈个数;/>为是外部线圈的无量纲电流;/>为 />函数(数学意义);/> 、/>为第/>个线圈的坐标值。
当等离子体被真空区包围时, 仅在等离子体内部不为零。假设等离子体在横截面区域内处于平衡状态,将该区域表示为/> 、将其边界表示为为 />;等离子体外部为真空区,将其表示为具有矩形计算边界/>的/>。值得注意的是,对于自由边界电流反转平衡,等离子体区的极向磁通量是非嵌套的和单调的,因此不能通过比较极向磁通量值与给定/>(边界/> 上的磁通量)来确定等离子体大小和真空的边界,这意味着原本的方法在这种情况下不起作用。此外,当需要优化等离子体电流分布以提高方程求解的收敛效率时,原有方法便会失效,此时的极向磁通量无法简单地归一化。然而,本方法扩展了Johnson的方法,并将其与Hagenow的方法相结合,成为了求解无界区域中式(1)的CREC的有效方法。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种自由边界条件下求解GRAD-SHAFRANOV方程的数值方法,能够高效地研究自由边界的电流反转平衡的托卡马克放电,该方法由Hagenow方法改进而来。通过本方法可以获得托卡马克装置中给定等离子体参数的电流反转平衡位形和外部控制线圈电流,其中等离子体表面由给定的理想等离子体形状或环外的X点限定。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法,包括如下步骤:
式中, 是归一化极向磁通量,/> , />为磁通量/> 是在处真空磁场估计值;/>和/>分别是大半径和小半径;/>为极向坐标;/>为归一化的环形电流密度/>,其中/>是环形电流密度,/>是自由空间的磁导率;假设等离子体在横截面区域内处于平衡状态,该区域表示为/>、边界表示为 />;
步骤2:构造G-S算子的格林函数,以求解无界域中的式(1);
步骤3:使用冯·哈格诺夫方法计算等离子体电流部分;
步骤4:确定产生给定等离子体形状的外部线圈电流。
进一步地,所述步骤1包括:
式中,和/>均为 />的一般函数形式,/>是 />的最小值从实际实验测量中得出、/>为偏置量、/>为 />在边界/> 处的值,/>;系数/>,/>由一组实际物理量确定,i=1,2;任意给定其中两个,然后带入环向总电流/>和体积平均值求出另外两个,即由下式经过迭代得到:
进一步地,所述步骤2包括:
应用柱面坐标系下的格林函数,并使用高斯定理将发散转化为无穷远消失的面积分得到下式:
进一步地,所述步骤3包括:
将其带入等式(6),得到:
进一步地,所述步骤4包括:
为了满足磁通量的期望值,设定损失函数为:
与现有的技术相比,本发明具有以下的优点:
本方法可以将自由边界问题转化为一系列固定边界问题,大大提高了在更具一般性的电流剖面下求解GS方程的效率。该程序可用于托卡马克等离子体平衡的更具一般性的自由边界问题的数值模拟,包括电流空穴平衡和电流反转平衡。通过数值模拟研究了交流运行过程中的最关键的等离子体电流过零平衡问题。在交流运行模式下,该代码可以为平衡控制线圈电流的优化、分流板的设计以及相关平衡的稳定性分析和输运研究等提供有用的基本数值分析工具。
附图说明
图1为本发明的一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法的流程图。
图2为使用本发明得到的线圈电流求解出的磁面分布计算结果。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅为本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明中的实施例,本领域的普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
本实例中等离子体参数、分布和相关平衡信息均来自EFIT计算得到的EAST平衡数据文件g070754.003740。
如图1所示,本发明的一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法具体包括如下步骤:
式中, 是归一化极向磁通量,/> ,/> 为磁通量,/> 是在处真空磁场估计值;/>和/>分别是大半径和小半径;/>为极向坐标;/>为归一化的环形电流密度/>,其中/>是环形电流密度,/>是自由空间的磁导率;假设等离子体在横截面区域内处于平衡状态,该区域表示为/>、边界表示为 />;
步骤二、构造Grad-Shafranov算子的Green函数,用以求解无界区域中的方程(1)的空间解;
步骤三、使用Von Hagenow方法计算等离子体电流部分;
步骤四、确定产生给定等离子体形状的外部线圈电流。
具体地,步骤一包括:
式中, 是 />的最小值从实际实验测量中得出、/>为偏置量、/>为 />在边界/> 处的值,/>;系数/>由一组实际物理量确定,可以任意给定其中两个,然后带入环向总电流/>和体积平均值/>求出另外两个,即由下式经过迭代得到:
在与式(1)相同的边界条件下,将环向电流密度与式(10)进行比较,可以得到 />, />为本征值(数学意义),以此进行初值设定,从而使方程快速收敛,得到符合条件的系数。具有嵌套磁通量面/>的平衡解对应于最低本征值和等离子体域内非零的特征函数。许多其他特征函数提供了一系列具有不同磁面拓扑结构的平衡。
步骤二包括:
柱面坐标系下的格林函数如下所示:
其中,G满足:
本发明应用柱面坐标系下的格林(Green)函数,并使用高斯定理将发散转化为无穷远消失的面积分可以得到下式:
步骤三包括:使用Von Hagenow方法计算等离子体电流部分 :
其中,所得通量函数分布可以解释为由等离子体电流引起的场加上无边界域中的虚拟镜像电流的场的总和。为了求解方程(14),我们可以使用插值将/>转换为,并且线性偏微分方程(14)具有较好的收敛性。与步骤2相同,使用格林定理:
将其带入等式(6),得到:
其是公式(1)在计算边界内部一点处的解。
步骤四包括:
为了确定必要的外部电流,解决了在等离子体边界点/>处,由在设定位置/>上/>线圈产生的/>,极向通量中求最小平方误差的超定问题。假设等离子体边界点位于计算边界的内部,使用等式(8)将寻求最小化的函数表示为:
其中:
其中:
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法,其特征在于,包括如下步骤:
式中, 是归一化极向磁通量,/> ,/> 为磁通量,/> 是在处真空磁场估计值;/>和/>分别是大半径和小半径;/>为极向坐标;/>为归一化的环形电流密度/>,其中/>是环形电流密度,/>是自由空间的磁导率;假设等离子体在横截面区域内处于平衡状态,该区域表示为/>、边界表示为 />;
式中,和/>均为 />的一般函数形式,/>是 />的最小值从实际实验测量中得出、/>为偏置量、/>为 />在边界/> 处的值,/>;系数/>,由一组实际物理量确定,i=1,2;任意给定其中两个,然后带入环向总电流/>和体积平均值/>求出另外两个,即由下式经过迭代得到:
步骤2:构造G-S算子的格林函数,以求解无界域中的式(1),包括:
应用柱面坐标系下的格林函数,并使用高斯定理将发散转化为无穷远消失的面积分得到下式:
步骤3:使用冯·哈格诺夫方法计算等离子体电流部分,包括:
将其带入等式(6),得到:
步骤4:确定产生给定等离子体形状的外部线圈电流,包括:
为了满足磁通量的期望值,设定损失函数为:
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