CN116153951A - 背照式图像传感器的形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 184
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 32
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
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Abstract
一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；在所述深沟槽的底部和/或侧壁形成金属层；采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。采用选择性金属沉积工艺形成的所述第一隔离结构，能够减少在所述第一隔离结构内形成空隙，进而减少光学串扰的问题。另外，所述金属层最终也会作为隔离结构应用，且在选择性金属沉积工艺形成所述第一隔离结构的过程中，不需要形成扩散阻挡层，进而不会占用所述深沟槽的横截面。因此，不需要增加所述深沟槽的宽度，使得所述感光区入射面积增加，提高满径容量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器的形成方法。
背景技术
背照式图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。背照式图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)背照式图像传感器和电荷耦合器件(CCD)背照式图像传感器。CMOS背照式图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS背照式图像传感器越来越多地取代CCD背照式图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS背照式图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。
CMOS背照式图像传感器的深沟槽隔离(BDTI)材料通常采用氧化物或其他介质材料，利用入射光在一定角度产生全反射，从而达到防止光串扰的效果。随着技术的不断发展，由于大部分金属的消光系数(K值)都比介质材料高很多，例如波长600nm时，金属钨的K值是6.04，而氧化硅的K值接近于0，所以采用金属作为BDTI深沟槽填充材料，比如金属钨，在任何角度都是不透光的，大大减少了光学串扰的几率。
然而，现有的背照式图像传感器在形成过程中仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种背照式图像传感器的形成方法，以减少光学串扰的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；在所述深沟槽的底部和/或侧壁形成金属层；采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。
可选的，在形成若干所述深沟槽之前，还包括：对所述第二面进行减薄处理。
可选的，对所述第二面进行减薄处理之前，还包括：在所述第一半导体衬底内形成若干第二隔离结构和若干感光区、以及在所述第一面上形成器件层，各所述第二隔离结构自所述第一面延伸入所述第一半导体衬底内，各所述感光区设于所述第一半导体衬底内，且对应设于相邻的所述第二隔离结构之间，所述感光区内具有第一掺杂离子；各所述深沟槽对应各所述第二隔离结构，并自所述第二面向所述第一面延伸，且底部相连对应的所述第二隔离结构。
可选的，所述金属层的形成方法包括：在所述深沟槽的底部、深沟槽的侧壁以及第二面上形成初始金属层；去除所述第二面上形成的所述初始金属层，形成所述金属层。
可选的，所述第一隔离结构的形成方法包括：采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构填充所述深沟槽。
可选的，当所述初始第一隔离结构的顶部表面与所述第二面齐平时，将所述初始第一隔离结构作为所述隔离结构；当所述初始第一隔离结构的顶部表面高于所述第二面时，还包括：对所述初始第一隔离结构进行平坦化处理，直至暴露出所述第二面为止，形成所述第一隔离结构。
可选的，所述深沟槽的深宽比为5:1～40:1。
可选的，在形成所述初始金属层之前，还包括：在所述第二面上、所述深沟槽的侧壁和底部形成优化层；所述初始金属层在所述优化层上形成。
可选的，所述优化层包括：单层结构或双层结构。
可选的，当所述优化层为单层时，所述优化层为：缓冲氧化层。
可选的，当所述优化层为单层时，所述优化层为：HK材料层。
可选的，当所述优化层为双层时，所述优化层为：HK材料层、以及位于所述HK材料层上的缓冲氧化层。
可选的，所述缓冲氧化层的材料包括：SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、La2O3、Pr2O3、CeO2、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3以及Y2O3中的一种或多种。
可选的，所述HK材料层的材料包括：HfO2、TiO2、HfZrO、Ta2O3、HfSiO4、ZrO2以及ZrSiO2中的一种或多种。
可选的，所述第二隔离结构的形成方法包括：向所述第一半导体衬底内注入第二掺杂离子，形成所述第二隔离结构，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的电学类型相反。
可选的，在减薄所述第二面之前，还包括：提供第二半导体衬底；在所述第二半导体衬底表面覆盖键合层；将所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底。
可选的，在形成所述第一隔离结构之后，还包括：在所述第二面上形成若干栅格结构、若干彩色滤光层以及若干微凸透镜层，所述栅格结构位于所述第一隔离结构上，所述彩色滤光层位于相邻的所述栅格结构之间，所述微凸透镜层位于所述彩色滤光层上。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在本发明技术方案的背照式图像传感器的形成方法中，采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。采用选择性金属沉积工艺形成的所述第一隔离结构，能够减少在所述第一隔离结构内形成空隙，进而减少光学串扰的问题。另外，所述金属层最终也会作为隔离结构应用，且在选择性金属沉积工艺形成所述第一隔离结构的过程中，不需要形成扩散阻挡层，进而不会占用所述深沟槽的横截面。因此，不需要增加所述深沟槽的宽度，使得所述感光区入射面积增加，提高满径容量。
进一步，在形成所述初始金属层之前，还包括：在所述第二面上、所述深沟槽的侧壁和底部形成优化层；所述初始金属层在所述优化层上形成。所述优化层包括：单层结构或双层结构；当所述优化层为单层时，所述优化层包括：缓冲氧化层或HK材料层；当所述优化层为双层时，所述优化层包括：HK材料层、以及位于所述HK材料层上的缓冲氧化层。通过所述HK材料层能够作为负电荷捕获，钝化修复所述深沟槽侧壁和底部表面的缺陷，进而提升形成的图像传感器的性能。所述缓冲氧化层能够作为减薄工艺的停止层，保护HK材料层。
附图说明
图1和图2是一种背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图；
图3至图10是本发明实施例中背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的背照式图像传感器在形成过程中仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
请参考图1，提供第一半导体衬底100，所述第一半导体衬底100具有相对的第一面101和第二面102；在所述第一半导体衬底100内形成若干第一隔离结构103和若干感光区104、以及在所述第一面101上形成器件层105，各所述第一隔离结构103自所述第一面101延伸入所述第一半导体衬底100内，各所述感光区104设于所述第一半导体衬底100内，且对应设于相邻的所述第一隔离结构103之间，所述感光区104内具有第一掺杂离子。
请参考图2，在所述第一半导体衬底100内形成若干深沟槽(未标示)，所述深沟槽自所述第二面102向所述第一面101延伸，且暴露出所述第一隔离结构103的底面。
请继续参考图2，在所述深沟槽内形成第二隔离结构106。
在现有技术中，所述第二隔离结构106采用化学气相法金属沉积工艺形成，该方法首先需要在所述深沟槽的表面沉积一层Ti/TiN作为扩散阻挡层(diffusion barrier)。所述扩散阻挡层(未标示)占用了所述深沟槽的横截面，也变相的占用了所述感光区104的感光面积。另外，在所述深沟槽深宽比很大的情况下，所述化学气相法金属沉积工艺会在深沟槽内发生空洞现象，即在所述深沟槽的底部区域没填充满的情况下，上方先封口，然后导致所述深沟槽的底部区域有空隙，所述空隙会导致光学串扰。
在此基础上，本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法，采用选择性金属沉积工艺形成的所述第一隔离结构，能够减少在所述第一隔离结构内形成空隙，进而减少光学串扰的问题。另外，所述金属层最终也会作为隔离结构应用，且在选择性金属沉积工艺形成所述第一隔离结构的过程中，不需要形成扩散阻挡层，进而不会占用所述深沟槽的横截面。因此，不需要增加所述深沟槽的宽度，使得所述感光区入射面积增加，提高满径容量。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图3至图10是本发明实施例中背照式图像传感器的形成方法各步骤结构示意图。
请参考图3，提供第一半导体衬底200，所述第一半导体衬底200具有相对的第一面201和第二面202。
在本实施例中，所述第一半导体衬底200的材料为硅；在其他实施例中，所述第一半导体衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
请继续参考图3，在所述第一半导体衬底200内形成若干第二隔离结构203和若干感光区204、以及在所述第一面201上形成器件层205。
在本实施例中，各所述第二隔离结构203自所述第一面201延伸入所述第一半导体衬底200内，各所述感光区204设于所述第一半导体衬底200内，且对应设于相邻的所述第二隔离结构203之间，所述感光区204内具有第一掺杂离子。
在本实施例中，所述感光区204的形成方法包括：在所述第一面201上形成第一图形化层(未图示)，所述第一图形化层暴露出部分所述第一面201；以所述第一图形化层为掩膜向所述第一半导体衬底200内注入所述第一掺杂离子，形成所述感光区204。
在本实施例中，所述第二隔离结构203的形成方法包括：在所述第一面201上形成第二图形化层(未图示)，所述第二图形化层覆盖所述感光区204且暴露出部分所述第一面201；以所述第二图形化层为掩膜向所述第一半导体衬底200内注入第二掺杂离子，形成所述第二隔离结构203，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的电学类型相反。
在本实施例中，所述第一掺杂离子为N型离子。在其他实施例中，所述第一掺杂离子还可以为P型离子。
在本实施例中，所述第二掺杂离子为P型离子。在其他实施例中，当所述第一掺杂离子为P型离子时，所述第二掺杂离子为N型离子。
所述P型离子包括：硼离子或铟离子。所述N型离子包括：磷离子或砷离子。
在本实施例中，所述第一半导体衬底200内掺杂具有P型阱区(未图示)，由于所述感光区204中掺杂的为N型离子。因此，在所述第一半导体衬底200内，所述感光区204与所述P型阱区的交界处光电二极管结构。后续，通过光线由所述第二面202照射到感光区204上，使感光区激发出电子，所述光电二极管结构用于将激发出的电子形成电信号。
在本实施例中，所述第二隔离结构203通过离子注入工艺形成。在其他实施例中，所述第二隔离结构还可以采用沟槽填充式结构。
通过所述第二隔离结构203隔离相邻的所述感光区204，进而减少所述感光区之间的光学串扰和电学串扰。
在本实施例中，所述器件层205包括：器件结构以及与所述器件结构电连接的电互连层(未图示)。
所述器件结构包括晶体管结构、电容结构、电感结构和电阻结构中的一种或多种。
请参考图4，提供第二半导体衬底300；在所述第二半导体衬底300表面覆盖键合层301；将所述键合层301与所述器件层205相对以键合所述第一半导体衬底200及所述第二半导体衬底300。
在本实施例中，所述第二半导体衬底的材料为硅。在其他实施例中，所述第二半导体衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
在本实施例中，所述键合层301为硅层；在其他实施例中，所述键合层还可以为氧化物层，所述氧化物层的材料包括：二氧化硅、氮氧化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述硅层为额外形成在所述第二半导体衬底300上的膜层；在其他实施例中，所述硅层还可以是所述第二半导体衬底的硅衬底的一部分。
请参考图5，在键合所述第一半导体衬底200和所述第二半导体衬底300之后，对所述第二面202进行减薄处理。
由于所述第一半导体衬底200的初始厚度较大，为了减少自所述第二面202入射的外部光线达到所述感光区204的距离，进而提高背照式图像传感器的灵敏度，需要对所述第一半导体衬底200进行减薄处理。
对所述第二面202进行减薄处理的工艺包括物理机械研磨工艺、化学机械研磨工艺或是湿法刻蚀工艺。在本实施例中，对所述第二面200进行减薄处理的工艺采用化学机械研磨工艺。
请参考图6，在所述第一半导体衬底200内形成若干深沟槽206。
在本实施例中，各所述深沟槽206对应各所述第二隔离结构203，并自所述第二面202向所述第一面201延伸，且底部相连对应的所述第二隔离结构203。
在本实施例中，若干所述深沟槽206的形成方法包括：在所述第二面202上形成第三图形化层(未图示)，所述第三图形化层暴露出部分所述第二面202；以所述第三图形化层为掩膜刻蚀所述第一半导体衬底200，直至暴露出所述第二隔离结构203的表面为止，形成若干所述深沟槽206。
在本实施例中，所述刻蚀工艺采用干法刻蚀工艺；在其他实施例中，所述刻蚀工艺还可以采用湿法刻蚀工艺。
在本实施例中，所述深沟槽206的深宽比为5:1～40:1。
请参考图7，在形成若干所述深沟槽206之后，在所述第二面202上、所述深沟槽206的侧壁和底部形成优化层207。
在本实施例中，所述优化层207采用双层结构，所述优化层207包括：HK材料层、以及位于所述HK材料层上的缓冲氧化层。
通过所述HK材料层能够作为负电荷捕获，钝化修复所述深沟槽206侧壁和底部表面的缺陷，进而提升形成的图像传感器的性能。通过所述缓冲氧化层能够作为减薄停止层，减少对HK材料层的损伤。
在其他实施例中，所述优化层还可以采用单层结构，所述优化层包括：缓冲氧化层或HK材料层。
所述缓冲氧化层的材料包括：SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、La2O3、Pr2O3、CeO2、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3以及Y2O3中的一种或多种。
所述HK材料层的材料包括：HfO2、TiO2、HfZrO、Ta2O3、HfSiO4、ZrO2以及ZrSiO2中的一种或多种。
请参考图8，在形成所述优化层207之后，在所述深沟槽206的底部和/或侧壁形成金属层208。
在本实施例中，所述金属层208的形成方法包括：在所述深沟槽206的底部、深沟槽206的侧壁以及第二面202上形成初始金属层(未图示)；去除所述第二面202上形成的所述初始金属层、以及部分位于所述深沟槽206侧壁的初始金属层，将保留在所述深沟槽206底部和部分侧壁上的初始金属层，作为所述金属层208。
在本实施例中，所述初始金属层具体形成于所述优化层207上。
由于选择性金属沉积工艺只能在金属表面沉积，因此，在本实施例中，所述金属层208的作用是作为种子层，目的是使得选择性金属沉积工艺能够沉积在所述深沟槽206内，而且第二面202上不沉积。
在其他实施例中，在去除所述第二面上形成的所述初始金属层之后，还可以将位于所述深沟槽侧壁上的所述初始金属层全部去除，将保留在所述深沟槽底部表面上的初始金属层作为所述金属层。
在其他实施例中，在去除所述第二面上形成的所述初始金属层之后，还可以去除位于所述深沟槽底部上的所述初始金属层，将保留在所述深沟槽侧壁上的初始金属层作为所述金属层。
所述金属层208的材料包括：钨、钼、铜、钴、钌、钯、铂、铱或银。
请参考图9，采用选择性金属沉积工艺在所述金属层208上形成第一隔离结构209，所述第一隔离结构209填充所述深沟槽206。
在本实施例中，采用选择性金属沉积工艺在所述金属层208上形成第一隔离结构209，所述第一隔离结构209填充所述深沟槽206。采用选择性金属沉积工艺形成的所述第一隔离结构209，能够减少在所述第一隔离结构206内形成空隙，进而减少光学串扰的问题。另外，所述金属层208最终也会作为隔离结构应用，且在选择性金属沉积工艺形成所述第一隔离结构209的过程中，不需要形成扩散阻挡层，进而不会占用所述深沟槽206的横截面。因此，不需要增加所述深沟槽206的宽度，使得所述感光区204入射面积增加，提高满径容量。
在本实施例中，所述第一隔离结构209的形成方法包括：采用选择性金属沉积工艺在所述金属层208上形成初始第一隔离结构(未图示)，所述初始第一隔离结构填充所述深沟槽206。
在本实施例中，所述初始第一隔离结构的顶部表面高于所述第二面202，对所述初始第一隔离结构进行平坦化处理，直至暴露出所述优化层207的表面为止，形成所述第一隔离结构209。
在其他实施例中，当没有形成所述优化层时，所述平坦化处理暴露出所述第二面为止，形成所述第一隔离结构；或者当所述初始第一隔离结构的顶部表面与所述第二面齐平时，则不需要对所述初始第一隔离结构在进行平坦化处理，直接将所述初始第一隔离结构作为所述隔离结构。
在其他实施例中，若形成有所述优化层，且所述初始第一隔离结构的顶部表面与优化层的表面齐平时，则不需要对所述初始第一隔离结构在进行平坦化处理，直接将所述初始第一隔离结构作为所述隔离结构。
在本实施例中，所述金属层208的材料采用钨，对应的所述选择性金属沉积工艺的工艺参数为：沉积气体包括：WF6和H2、或者WF6和SiH4；沉积温度为：25℃～500℃。
在其他实施例中，当所述金属层的材料采用钼时，对应的所述选择性金属沉积工艺的工艺参数为：沉积气体包括：MoF6和Si2H6；沉积温度为：100℃～150℃。
在其他实施例中，当所述金属层的材料采用铜时，对应的所述选择性金属沉积工艺的工艺参数为：沉积气体包括：Cu(thd)2和H2；沉积温度为：100℃～500℃。
在其他实施例中，当所述金属层的材料采用钴时，对应的所述选择性金属沉积工艺的工艺参数为：沉积气体包括：Co(AMD)2或Co(DAD)2；沉积温度为：140℃～265℃。
请参考图10，在形成所述第一隔离结构209之后，在所述第二面202上形成若干栅格结构210、若干彩色滤光层211以及若干微凸透镜层212，所述栅格结构210位于所述第一隔离结构209上，所述彩色滤光层211位于相邻的所述栅格结构210之间，所述微凸透镜层212位于所述彩色滤光层211上。
在本实施例中，所述栅格结构210的形成方法包括：在所述第二面202表面沉积栅格膜(未图示)；在所述栅格膜表面形成第四图形化层(未图示)，所述第四图形化层暴露出部分所述栅格膜表面；以所述第四图形化层为掩膜，刻蚀所述栅格膜，直至暴露出所述第二面202为止，形成若干所述栅格结构210。
在本实施例中，所述栅格结构210的材料包括：钨、钛或者铝。
在本实施例中，所述栅格结构210用于相邻的所述彩色滤光层211之间发生光学串扰。
在本实施例中，所述彩色滤光层211包括：红色滤光层、绿色滤光层或蓝色滤光层，而且一个感光区204上方形成一种颜色的彩色滤光层211。入射的光线经过一种颜色的彩色滤光层211的滤色，成为单色光(红光、绿光或蓝光)再照射到感光区204上，使感光区204激发出电子。
在本实施例中，所述微凸透镜层212用于聚焦入射光线，将入射光汇聚到感光区204上。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (17)
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；
在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；
在所述深沟槽的底部和/或侧壁形成金属层；
采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述深沟槽。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成若干所述深沟槽之前，还包括：对所述第二面进行减薄处理。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述第二面进行减薄处理之前，还包括：在所述第一半导体衬底内形成若干第二隔离结构和若干感光区、以及在所述第一面上形成器件层，各所述第二隔离结构自所述第一面延伸入所述第一半导体衬底内，各所述感光区设于所述第一半导体衬底内，且对应设于相邻的所述第二隔离结构之间，所述感光区内具有第一掺杂离子；
各所述深沟槽对应各所述第二隔离结构，并自所述第二面向所述第一面延伸，且底部相连对应的所述第二隔离结构。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成方法包括：在所述深沟槽的底部、深沟槽的侧壁以及第二面上形成初始金属层；去除所述第二面上形成的所述初始金属层，形成所述金属层。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构的形成方法包括：采用选择性金属沉积工艺在所述金属层上形成初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构填充所述深沟槽。
6.如权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述初始第一隔离结构的顶部表面与所述第二面齐平时，将所述初始第一隔离结构作为所述隔离结构；当所述初始第一隔离结构的顶部表面高于所述第二面时，还包括：对所述初始第一隔离结构进行平坦化处理，直至暴露出所述第二面为止，形成所述第一隔离结构。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述深沟槽的深宽比为5:1～40:1。
8.如权利要求4所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述初始金属层之前，还包括：在所述第二面上、所述深沟槽的侧壁和底部形成优化层；所述初始金属层在所述优化层上形成。
9.如权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述优化层包括：单层结构或双层结构。
10.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为单层时，所述优化层为：缓冲氧化层。
11.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为单层时，所述优化层为：HK材料层。
12.如权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述优化层为双层时，所述优化层为：HK材料层、以及位于所述HK材料层上的缓冲氧化层。
13.如权利要求10或12所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述缓冲氧化层的材料包括：SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、La2O3、Pr2O3、CeO2、Nd2O3、Pm2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3以及Y2O3中的一种或多种。
14.如权利要求11或12所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述HK材料层的材料包括：HfO2、TiO2、HfZrO、Ta2O3、HfSiO4、ZrO2以及ZrSiO2中的一种或多种。
15.如权利要求3所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离结构的形成方法包括：向所述第一半导体衬底内注入第二掺杂离子，形成所述第二隔离结构，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的电学类型相反。
16.如权利要求3所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在减薄所述第二面之前，还包括：提供第二半导体衬底；在所述第二半导体衬底表面覆盖键合层；将所述键合层与所述器件层相对以键合所述第一半导体衬底及所述第二半导体衬底。
17.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一隔离结构之后，还包括：在所述第二面上形成若干栅格结构、若干彩色滤光层以及若干微凸透镜层，所述栅格结构位于所述第一隔离结构上，所述彩色滤光层位于相邻的所述栅格结构之间，所述微凸透镜层位于所述彩色滤光层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN116153951A true CN116153951A (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=86337659
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111389578.7A Pending CN116153951A (zh) | 2021-11-22 | 2021-11-22 | 背照式图像传感器的形成方法 |
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