CN116149149A - 套刻标记、半导体结构及光掩膜 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种套刻标记、半导体结构及光掩膜，其中，所述套刻标记包括：使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，所述第一标记与所述第二标记位于同一水平面；所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案的内侧；所述多边形至少有八条边。

Description

套刻标记、半导体结构及光掩膜

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种套刻标记、半导体结构及光掩膜。

背景技术

光刻工艺是半导体集成电路制造中的关键步骤，光刻的套刻精度(overlay)是衡量光刻工艺的关键参数之一，它是指晶圆的上下两层图形之间的偏移量，也即套刻误差。通常通过测量上下两层图形套刻标记之间的偏移量来测量套刻误差以评估套刻精度。

目前，由于尺寸限制，中介层使用的光掩膜包括多个小的光掩膜，通过每一个小的光掩膜在中介层中预设位置形成图案，直至形成最终所需的图案。例如，在片上晶圆基板(Chip-on-Wafer-on-Substrate，CoWoS)设计中，50*55平方毫米(mm²)的大型中介层需要4合1掩膜缝合来扩展26*33mm²的光罩尺寸限制，因此，相关技术中的套刻标记不能实现量测多个小光掩膜之间的偏移量。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种套刻标记、半导体结构及光掩膜。

第一方面，本公开实施例提供一种套刻标记，所述套刻标记包括：

所述套刻标记包括使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，所述第一标记与所述第二标记位于同一水平面；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案的内侧；所述多边形至少有八条边。

在一些实施例中，所述第一标记图案包括至少八个第一子图案；所述第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；

所述第二标记图案和所述第三标记图案分别位于每一所述第一子图案的外侧，且所述第一标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个所述第二标记图案和一个所述第三标记图案；所述第一方向与所述第二方向垂直。

在一些实施例中，所述第四标记图案至少包括八个第四子图案；所述第二标记还包括沿所述第一方向定位的第五标记图案、以及沿所述第二方向定位的第六标记图案；

所述第五标记图案和所述第六标记图案分别位于每一所述第四子图案的外侧，且所述第四标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个所述第五标记图案和一个所述第六标记图案；

所述第五标记图案和所述第六标记图案均位于所述第一标记图案的外侧。

在一些实施例中，所述第一标记图案和所述第四标记图案的对称轴线分别沿所述第一方向或所述第二方向、以及与所述第一方向或所述第二方向呈预设角度方向延伸；

位于所述预设角度方向的对称轴线两端的所述第二标记图案、所述第三标记图案、所述第五标记图案和所述第六标记图案用于确定所述第一光掩膜和所述第二光掩膜在所述预设角度方向上的偏移量；所述预设角度至少包括45°。

在一些实施例中，所述第二标记图案包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二子图案；每一所述第二子图案包括沿所述第一方向的第一端和第二端；连接多个所述第二子图案的第二端所形成的第一虚设连接线与所述第二方向具有第一夹角。

在一些实施例中，所述第五标记图案包括沿所述第二方向间隔排布的多个第五子图案；每一所述第五子图案包括沿所述第一方向的第一端和第二端；连接多个所述第五子图案的第一端所形成的第二虚设连接线与所述第二方向具有第二夹角；

所述第一夹角与所述第二夹角相等，且所述第一虚设连接线与所述第二虚设连接线相交。

在一些实施例中，每一所述第二子图案与对应的所述第五子图案在所述第一方向具有预设偏移量；

所述预设偏移量包括正偏移量、0和负偏移量，且所述预设偏移量沿所述第二方向依次增大或者依次减小；

所述第二子图案和所述第五子图案用于确定所述第一光掩膜与所述第二光掩膜在所述第一方向上的偏移量。

在一些实施例中，所述第三标记图案包括沿所述第二方向等间隔排列的多个第三子图案，相邻的所述第三子图案之间具有第一预设距离；

所述第六标记图案包括沿所述第二方向间隔排列的多个第六子图案，相邻的所述第六子图案之间具有第二预设距离；

所述第二预设距离大于所述第一预设距离，且所述第二预设距离沿所述第二方向以相同的递增距离依次增大。

在一些实施例中，一个所述第三子图案与一个所述第六子图案对准；

所述第三子图案和所述第六子图案用于确定所述第一光掩膜与所述第二光掩膜在所述第二方向上的偏移量。

第二方面，本公开实施例提供一种半导体结构，包括：

中介层、以及位于所述中介层光刻缝合区域中的套刻标记；所述光刻缝合区域包括第一光掩膜和第二光掩膜的缝合区域；

所述套刻标记包括：利用所述第一光掩膜光刻出的第一标记、以及利用所述第二光掩膜光刻出的第二标记；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案内；所述多边形至少有八条边。

在一些实施例中，所述光刻缝合区域还包括所述第二光掩膜和第三光掩膜的缝合区域、以及所述第三光掩膜和第四光掩膜的缝合区域；

所述第二光掩膜与所述第三光掩膜的缝合区域、以及所述第三光掩膜与所述第四光掩膜的缝合区域中均具有所述套刻标记。

在一些实施例中，所述套刻标记不位于所述第一光掩膜、所述第二光掩膜、所述第三光掩膜以及所述第四光掩膜共同的光刻缝合区域中。

第三方面，本公开实施例提供一种光掩膜，至少包括：第一光掩膜和第二光掩膜；其中，所述第一光掩膜包括第一标记，所述第二光掩膜包括第二标记；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案在第三方向上的投影区域位于所述第一标记图案在所述第三方向上的投影区域的内侧；所述多边形至少有八条边；所述第三方向垂直于所述第一光掩膜所在的平面。

在一些实施例中，所述第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；所述第二标记还包括沿所述第一方向定位的第五标记图案、以及沿所述第二方向定位的第六标记图案；

其中，所述第二标记图案沿所述第三方向的投影区域与所述第五标记图案沿所述第三方向的投影区域部分重合；所述第三标记图案沿所述第三方向的投影区域与所述第六标记图案沿所述第三方向的投影区域相接。

在一些实施例中，还包括：与所述第二光掩膜部分重合的第三光掩膜、以及与所述第三光掩膜和所述第一光掩膜部分重合的第四光掩膜；

所述第二光掩膜还包括位于所述第二光掩膜和所述第三光掩膜重合区域中的第一标记；

所述第三光掩膜包括位于所述第二光掩膜和所述第三光掩膜重合区域中的第二标记、以及位于所述第三光掩膜和所述第四光掩膜重合区域中的第一标记；

所述第四光掩膜包括位于所述第三光掩膜和所述第四光掩膜重合区域中的第二标记。

本公开实施例提供的套刻标记、半导体结构及光掩膜，其中，套刻标记包括使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，第一标记与第二标记位于同一水平面；第一标记至少包括第一标记图案，第二标记至少包括第四标记图案；第一标记图案和第四标记图案为相似多边形，且第四标记图案位于第一标记图案的内侧。由于可以通过第一标记中的第一标记图案和第二标记中的第四标记图案确定出第一光掩膜和第二光掩膜的对准或者偏移情况，如此，本公开实施例提供的套刻标记可以对第一光掩膜和第二光掩膜缝合区域的对准情况进行测量。

附图说明

在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。

图1为本公开实施例提供的套刻标记的一种结构示意图；

图2为本公开实施例提供的套刻标记的另一种结构示意图；

图3为本公开实施例提供的第二标记图案和第五标记图案的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的第三标记图案和第六标记图案的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的半导体结构的结构示意图；

图6为本公开实施例提供的光掩膜的结构示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其它的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本公开必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

本公开实施例提供一种套刻标记，图1为本公开实施例提供的套刻标记的一种结构示意图，如图1所示，套刻标记100包括使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，第一标记与第二标记位于同一水平面。第一标记至少包括第一标记图案101，第二标记至少包括第四标记图案201；第一标记图案101和第四标记图案201为相似多边形，且第四标记图案201位于第一标记图案101的内侧；多边形至少有八条边。

本公开实施例中，第一标记图案101和第四标记图案201均为八边形。在其它实施例中，第一标记图案101和第四标记图案201还可以均为n边形，n为大于8的偶数，例如为十边形、十二边形或者十六边形。

在一些实施例中，请继续参见图1，第一标记图案101具有八条边，即第一标记图案101包括八个第一子图案101a；第四标记图案201具有八条边，即第四标记图案201包括八个第四子图案201a；第一子图案101a与第四子图案201a一一对应，且每一第一子图案101a与对应的第四子图案201a之间具有预设距离d1。本公开实施例中，将第一光掩膜中的第一标记图案和第二光掩膜中的第四标记图案形成在同一层中，当第一标记图案101中第一子图案101a与对应的第四标记图案201中的第四子图案201a之间的距离等于d1时，说明第一光掩膜和第二光掩膜的对准情况良好，当第一标记图案101中第一子图案101a与对应的第四标记图案201中的第四子图案201a之间的距离不等于d1时，说明第一光掩膜和第二光掩膜之间发生了偏移，此时，需要通过电子显微镜等技术手段来确定出第一光掩膜和第二光掩膜的偏移量。

本公开实施例中，通过第一标记图案和第四标记图案可以确定出第一光掩膜和第二光掩膜的对准或者偏移情况，从而可以使得本公开实施例提供的套刻标记对第一光掩膜和第二光掩膜的偏移情况进行量测。

图2为本公开实施例提供的套刻标记的另一种结构示意图，套刻标记100包括使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，第一标记与第二标记位于同一水平面。第一标记包括第一标记图案101、用于沿第一方向定位的第二标记图案102、以及用于沿第二方向定位的第三标记图案103；第二标记包括第四标记图案201、用于沿第一方向定位的第五标记图案202、以及用于沿第二方向定位的第六标记图案203。

其中，第一标记图案101和第四标记图案201为相似八多边形，且第四标记图案201位于第一标记图案101的内侧。

在一些实施例中，请继续参见图1，第一标记图案101包括八个第一子图案101a；第四标记图案201包括八个第四子图案201a；每一第一子图案101a与一个第四子图案201a一一对应。

本公开实施例中，在第一光掩膜或者第二光掩膜所在的平面内，定义任意垂直的两个方向为第一方向和第二方向，例如，第一方向可以为图2中的X轴方向、第二方向可以为图2中的Y轴方向。

本公开实施例中，第二标记图案102用于在X轴方向上定位，第三标记图案103用于在Y轴方向上定位。第二标记图案102和第三标记图案103分别位于每一第一子图案101a的外侧，且第一标记图案101的每个对称轴线的两侧分别设置有一个第二标记图案102和一个第三标记图案103。

请继续参见图2，第一标记图案101包括沿X轴方向的对称轴线、沿Y轴方向的对称轴线、以及与X轴方向和Y轴方向均呈45°方向的对称轴线。本公开实施例中，在第一标记图案101沿X轴方向的对称轴线、沿Y轴方向的对称轴线、以及沿与X轴方向和Y轴方向均呈45°方向的对称轴线的两侧均设置有一个第二标记图案102和一个第三标记图案103。

本公开实施例中，第五标记图案202用于在X轴方向上定位，第六标记图案203用于在Y轴方向上定位。第五标记图案202和第六标记图案203分别位于每一第四子图案201a的外侧，且第四标记图案201的每个对称轴线的两侧分别设置有一个第五标记图案202和一个第六标记图案203。

请继续参见图2，第四标记图案201包括沿X轴方向的对称轴线、沿Y轴方向的对称轴线、以及与X轴方向和Y轴方向呈45°方向的对称轴线。本公开实施例中，在第四标记图案201沿X轴方向的对称轴线、沿Y轴方向的对称轴线、以及沿与X轴方向和Y轴方向均呈45°方向的对称轴线的两侧均设置有一个第五标记图案202和一个第六标记图案203。

在一些实施例中，第五标记图案202和第六标记图案203均位于第一标记图案101的外侧。

本公开实施例中，第一标记图案101和第四标记图案201用于粗略地确定第一光掩膜和第二光掩膜的偏移或者对准情况，第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203用于进一步确定第一光掩膜和第二光掩膜的偏移或者对准情况。通过第一标记图案101第二标记图案102、第三标记图案103、第四标记图案201、第五标记图案202和第六标记图案203可以共同准确地确定出第一光掩膜和第二光掩膜的对准或者偏移情况。因此，本公开实施例提供的套刻标记可以实现对第一光掩膜和第二光掩膜的偏移情况进行量测。

在一些实施例中，第一标记图案101和第四标记图案201的对称轴线分别沿第一方向或第二方向、以及与第一方向或第二方向呈预设角度方向延伸。

本公开实施例中，预设角度与第一标记图案101和第四标记图案201的边数相关，当第一标记图案101和第四标记图案201为n边形时，预设角度为m倍的(360/n)度，其中，n为大于等于8的偶数，m为小于(4/n)+1的正整数。例如，当第一标记图案101和第四标记图案201均为相似八边形时，预设角度为45°或者90°；当第一标记图案101和第四标记图案201均为相似十边形时，预设角度为36°、72°或者108°；当第一标记图案101和第四标记图案201均为相似十二边形时，预设角度为30°、60°或者90°。

在一些实施例中，位于沿预设角度方向的对称轴线两端的第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203用于确定第一光掩膜和第二光掩膜在预设角度方向上的偏移量。

例如，请继续参见图2，本公开实施例中，沿与Y轴方向呈45°方向的对称轴线两端的第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203用于确定第一光掩膜和第二光掩膜在与Y轴方向呈45°方向上的偏移量。

在其它实施例中，当第一标记图案101和第四标记图案201为十边形时，位于沿Y轴方向呈36°方向的对称轴线两端的第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203用于确定第一光掩膜和第二光掩膜在与Y轴方向呈36°方向上的偏移量。当第一标记图案101和第四标记图案201为十二边形时，位于沿与Y轴方向呈30°方向的对称轴线两端的第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203用于确定第一光掩膜和第二光掩膜在与Y轴方向呈30°方向上的偏移量。

本公开实施例中，通过将第二标记图案102和第三标记图案103设置在第一标记图案101的对称轴线两侧，并将第五标记图案202和第六标记图案203设置在第四标记图案201的对称轴线两侧，即将第二标记图案102、第三标记图案103、第五标记图案202和第六标记图案203设置在不同的方向上，可以实现对第一光掩膜和第二光掩膜在不同方向上的偏移量的量测，提高了第一光掩膜和第二光掩膜的偏移量量测的准确性。

需要说明的是，在通过本公开实施例中的光刻标记对第一光掩膜和第二光掩膜的偏移量进行量测时，可以测量多个不同方向上的偏移量，并进行合理的运算，得到最准确的偏移量。

图3为本公开实施例提供的第二标记图案和第五标记图案的结构示意图，如图3所示，第二标记图案包括沿Y轴方向间隔排布的多个第二子图案102a；每一第二子图案102a包括沿X轴方向的第一端c和第二端d；连接多个第二子图案102a的第二端d所形成的第一虚设连接线b-b’与Y轴方向具有第一夹角u。

在一些实施例中，请继续参见图3，第五标记图案202包括沿Y轴方向间隔排布的多个第五子图案202a；每一第五子图案202a包括沿X轴方向的第一端e和第二端f；连接多个第五子图案202a的第一端e所形成的第二虚设连接线g-g’与Y轴方向具有第二夹角v。

在一些实施例中，第一夹角u与第二夹角v相等，且第一虚设连接线b-b’与第二虚设连接线g-g’相交。

在一些实施例中，每一第二子图案102a与对应的第五子图案202a在X轴方向具有预设偏移量；预设偏移量包括正偏移量、0和负偏移量，且预设偏移量沿Y轴方向依次增大或者依次减小。

请继续参见图3，当第一光掩膜和第二光掩膜缝合区域中的图案没有偏移时，第二标记图案102和第五标记图案202呈现如图3所示的位置关系，此时，沿Y轴方向从下至上(或者从上至下)，每一第二子图案102a与对应的第五子图案202a在X轴方向上的偏移量依次增大(或者依次减小)，分别为-1.3M、-1.2M、-1.1M、-M、0、M、1.1M、1.2M和1.3M，其中，M为预先设置的一个值，例如M可以为0.04～0.4微米(μm)。第二子图案102a和第五子图案202a用于确定第一光掩膜与第二光掩膜在X轴方向上的偏移量。

请继续参见图3，当第二子图案102a与对应的第五子图案202a在X轴方向上的偏移量为0时，表示第二子图案102a与第五子图案相接触，也就是说，当第一光掩膜和第二光掩膜没有偏移时，本公开实施例中第二标记图案中处于最中间的第二子图案102a(即第二标记图案中沿Y轴方向从下至上第五个第二子图案)与第五标记图案中的处于最中间的第五子图案202a(即第五标记图案中沿Y轴方向从下至上第五个第五子图案)相接触。当通过第一光掩膜和第二光掩膜形成本公开实施例中的套刻标记后，若不是最中间的第二子图案102a与最中间的第五子图案202a相接触，则说明第一光掩膜和第二光掩发生了偏移。当第二标记图案中沿Y轴方向从下至上第四个第二子图案102a与第五标记图案中沿Y轴方向从下至上第四个第五子图案202a相接触时，则说明第一光掩膜与第二光掩膜之间沿X轴方向的偏移量为M。当第二标记图案中沿Y轴方向从下至上第7个第二子图案102a与第五标记图案中沿Y轴方向从下至上第七个第五子图案202a相接触时，则说明第一光掩膜与第二光掩膜之间沿X轴方向的偏移量为1.1M。

图4为本公开实施例提供的第三标记图案和第六标记图案的结构示意图，第三标记图案包括沿Y轴方向等间隔排列的多个第三子图案103a，相邻的第三子图案103a之间具有第一预设距离N，N为预先设置的一个值，例如N可以为0.04～0.4μm。第六标记图案包括沿Y轴方向间隔排列的多个第六子图案203a，相邻的第六子图案203a之间具有第二预设距离。

其中，第二预设距离大于第一预设距离N，且第二预设距离沿Y轴方向以相同的递增距离依次增大。例如，第二预设距离可以是1.1N、1.2N、1.3N、1.4N、1.5N、1.6N等。

本公开实施例中，一个第三子图案103a与一个第六子图案203a对准；第三子图案103a和第六子图案203a用于确定第一光掩膜与第二光掩膜在Y轴方向上的偏移量。

请继续参见图4，当第一光掩膜和第二光掩膜没有偏移时，第三标记图案103和第六标记图案203呈现如图4所示的位置关系，此时，沿Y轴方向从上至下的第一个第三子图案103a与第一个第六子图案203a相接触，其它第三子图案103a与第六子图案203a均错位排布。当通过第一光掩膜和第二光掩膜形成本公开实施例中的套刻标记后，若沿Y轴方向从上至下的第一个第三子图案103a与第一个第六子图案203a不相接触，则说明第一光掩膜和第二光掩膜发生了偏移。若沿Y轴方向从上至下的第三个第三子图案103a与第三个第六子图案203a相接触时，则说明第一光掩膜和第二光掩膜之间沿Y轴方向的偏移量为0.6N。若沿Y轴方向从上至下的第六个第三子图案103a与第六个第六子图案203a相接触时，则说明第一光掩膜和第二光掩膜之间沿Y轴方向的偏移量为2.1N。

本公开实施例提供的套刻标记，使得45°角上的第一光掩膜和第二光掩膜的偏移量更加容易计算。具体地，图4中的第三标记图案和第六标记图案是理想的图形，第三标记图案中的每一第三子图案103a和第六标记图案中的一个第六子图案203a挨着(即相接触)但不会重叠，因此，不会多次曝光。当第一光掩膜和第二光掩膜在X轴方向有偏移时，第三子图案103a和第六子图案203a会有重叠，重叠的部分会重复曝光，造成套刻标记对应位置的图案变粗，如此，将会影响Y方向的偏移量的读数以及测量。此时，采用与第三标记图案和第六标记图案位于同一对称轴线两侧的第二标记图案和第五标记图案、以及位于45°(或者预设角度)对称轴线两侧的第二标记图案、第三标记图案、第五标记图案和第六标记图案进一步辅助测量，可以提高第一光掩膜和第二光掩膜偏移量检测的准确性。

在一些实施例中，第二标记图案、第三标记图案、第五标记图案和第六标记图案分布在第一标记图案和第四标记图案的对称轴线的两侧，如此，可以对对称轴线延伸方向上的偏移量进行量测，从而可以提高第一光掩膜和第二光掩膜偏移量的测量准确度。

本公开实施例提供一种半导体结构，图5为本公开实施例提供的半导体结构的结构示意图，如图5所示，半导体结构600包括：中介层601、以及位于中介层601光刻缝合区域中的套刻标记100；光刻缝合区域包括第一光掩膜和第二光掩膜的缝合区域601a；套刻标记100包括：利用第一光掩膜光刻出的第一标记100a、以及利用第二光掩膜光刻出的第二标记100b；第一标记100a至少包括第一标记图案(图5中未示出)，第二标记100b至少包括第四标记图案(图5中未示出)；第一标记图案和第四标记图案为相似多边形，且第四标记图案位于第一标记图案内；多边形至少有八条边。

在一些实施例中，第一标记图案包括至少八个第一子图案；第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；第二标记图案和第三标记图案分别位于每一第一子图案的外侧，且第一标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个第二标记图案和一个第三标记图案。

在一些实施例中，第四标记图案至少包括八个第四子图案；第二标记还包括沿第一方向定位的第五标记图案、以及沿第二方向定位的第六标记图案；第五标记图案和第六标记图案分别位于每一第四子图案的外侧，且第四标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个第五标记图案和一个第六标记图案。

在一些实施例中，第五标记图案和第六标记图案均位于第一标记图案的外侧。

在一些实施例中，第二标记图案包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二子图案；每一第二子图案包括沿第一方向的第一端和第二端；连接多个第二子图案的第二端所形成的第一虚设连接线与第二方向具有第一夹角。

在一些实施例中，第五标记图案包括沿第二方向间隔排布的多个第五子图案；每一第五子图案包括沿第一方向的第一端和第二端；连接多个第五子图案的第一端所形成的第二虚设连接线与第二方向具有第二夹角。

在一些实施例中，第一夹角与第二夹角相等，且第一虚设连接线与第二虚设连接线相交。

需要说明的是，图5中未示出套刻标记100的详细结构，具体请参考上述实施例进行理解。

在一些实施例中，请继续参见图5，光刻缝合区域还包括第二光掩膜和第三光掩膜的缝合区域601b、以及第三光掩膜和第四光掩膜的缝合区域601c；第二光掩膜与第三光掩膜的缝合区域601b、以及第三光掩膜与第四光掩膜的缝合区域601c中均具有套刻标记100。

在一些实施例中，请继续参见图5，套刻标记100不位于第一光掩膜、第二光掩膜、第三光掩膜以及第四光掩膜共同的光刻缝合区域H中。

在一些实施例中，请继续参见图5，光刻缝合区域601a的宽度w1和光刻缝合区域601b的宽度w2可以相同也可以不同，光刻缝合区域601a和光刻缝合区域601c的宽度相同。光刻缝合区域601a的宽度w1和光刻缝合区域601b的宽度w2均可以为5～50μm，例如可以为5μm、10μm、30μm或者50μm。

本公开实施例中的套刻标记与上述实施例中的套刻标记类似，对于本公开实施例未详尽披露的技术特征请参照上述实施例进行理解，这里，不再赘述。

除此之外，本公开实施例还提供一种光掩膜，图6为本公开实施例提供的光掩膜的结构示意图，如图6所示，光掩膜700至少包括：第一光掩膜701和第二光掩膜702；其中，第一光掩膜701包括第一标记100a，第二光掩膜702包括第二标记100b；第一标记100a至少包括第一标记图案(图6中未示出)，第二标记100b至少包括第四标记图案(图6中未示出)；第一标记图案和第四标记图案为相似多边形，且第四标记图案在第三方向上的投影区域位于第一标记图案在第三方向上的投影区域的内侧；多边形至少有八条边；第三方向垂直于第一光掩膜所在的平面。

需要说明的是，本公开实施例中的第一光掩膜和第二光掩膜部分重合，第一标记和第二标记均位于第一光掩膜和第二光掩膜的重合区域中。

在一些实施例中，第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；第二标记还包括沿第一方向定位的第五标记图案、以及沿第二方向定位的第六标记图案；其中，第二标记图案沿第三方向的投影区域与第五标记图案沿第三方向的投影区域部分重合；第三标记图案沿第三方向的投影区域与第六标记图案沿第三方向的投影区域相接。

需要说明的是，本公开实施例中未示出第一标记和第二标记的详细结构，对于第一标记和第二标记的具体结构请参照上述实施例进行理解。

在一些实施例中，请继续参见图6，光掩膜700还包括：与第二光掩膜702部分重合的第三光掩膜703、以及与第三光掩膜703和第一光掩膜701部分重合的第四光掩膜704；第二光掩膜702还包括位于第二光掩膜702和第三光掩膜703重合区域中的第一标记100a，第三光掩膜703还包括位于第二光掩膜702和第三光掩膜703重合区域中的第二标记100b、以及位于第三光掩膜703和第四光掩膜704重合区域中的第一标记100a，第四光掩膜704还包括位于第三光掩膜703和第四光掩膜704重合区域中的第二标记100b。通过第一光掩膜701中的第一标记100a和第二光掩膜702中的第二标记100b实现量测第一光掩膜701和第二光掩膜702偏移量，通过第二光掩膜702中的第一标记100a和第三光掩膜703中的第二标记100b实现量测第二光掩膜702和第三光掩膜703偏移量，并通过第三光掩膜703中的第一标记100a和第四光掩膜704中的第二标记100b实现量测第三光掩膜703和第四光掩膜704偏移量，从而也可以得到第一光掩膜701和第四光掩膜704偏移量，进而实现确定本公开实施例中的光掩膜的对准情况。

本公开实施例提供的光掩膜至少包括位于第一光掩膜和第二光掩膜重合区域中的第一标记和第二标记，通过第一标记和第二标记能够实现量测第一光掩膜和第二光掩膜的偏移情况。

以上所述，仅为本公开的一些实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种套刻标记，其特征在于，所述套刻标记包括：使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，所述第一标记与所述第二标记位于同一水平面；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案的内侧；所述多边形至少有八条边。

2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述第一标记图案包括至少八个第一子图案；所述第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；

所述第二标记图案和所述第三标记图案分别位于每一所述第一子图案的外侧，且所述第一标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个所述第二标记图案和一个所述第三标记图案；所述第一方向与所述第二方向垂直。

3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第四标记图案至少包括八个第四子图案；所述第二标记还包括沿所述第一方向定位的第五标记图案、以及沿所述第二方向定位的第六标记图案；

所述第五标记图案和所述第六标记图案分别位于每一所述第四子图案的外侧，且所述第四标记图案的每个对称轴线的两侧分别设置有一个所述第五标记图案和一个所述第六标记图案；

所述第五标记图案和所述第六标记图案均位于所述第一标记图案的外侧。

4.根据权利要求3所述的套刻标记，其特征在于，所述第一标记图案和所述第四标记图案的对称轴线分别沿所述第一方向或所述第二方向、以及与所述第一方向或所述第二方向呈预设角度方向延伸；

位于所述预设角度方向的对称轴线两端的所述第二标记图案、所述第三标记图案、所述第五标记图案和所述第六标记图案用于确定所述第一光掩膜和所述第二光掩膜在所述预设角度方向上的偏移量；所述预设角度至少包括45°。

5.根据权利要求3或4所述的套刻标记，其特征在于，所述第二标记图案包括沿所述第二方向间隔排布的多个第二子图案；每一所述第二子图案包括沿所述第一方向的第一端和第二端；连接多个所述第二子图案的第二端所形成的第一虚设连接线与所述第二方向具有第一夹角。

6.根据权利要求5所述的套刻标记，其特征在于，所述第五标记图案包括沿所述第二方向间隔排布的多个第五子图案；每一所述第五子图案包括沿所述第一方向的第一端和第二端；连接多个所述第五子图案的第一端所形成的第二虚设连接线与所述第二方向具有第二夹角；

所述第一夹角与所述第二夹角相等，且所述第一虚设连接线与所述第二虚设连接线相交。

7.根据权利要求6所述的套刻标记，其特征在于，每一所述第二子图案与对应的所述第五子图案在所述第一方向具有预设偏移量；

所述预设偏移量包括正偏移量、0和负偏移量，且所述预设偏移量沿所述第二方向依次增大或者依次减小；

所述第二子图案和所述第五子图案用于确定所述第一光掩膜与所述第二光掩膜在所述第一方向上的偏移量。

8.根据权利要求3或4所述的套刻标记，其特征在于，所述第三标记图案包括沿所述第二方向等间隔排列的多个第三子图案，相邻的所述第三子图案之间具有第一预设距离；

所述第六标记图案包括沿所述第二方向间隔排列的多个第六子图案，相邻的所述第六子图案之间具有第二预设距离；

所述第二预设距离大于所述第一预设距离，且所述第二预设距离沿所述第二方向以相同的递增距离依次增大。

9.根据权利要求8所述的套刻标记，其特征在于，一个所述第三子图案与一个所述第六子图案对准；

所述第三子图案和所述第六子图案用于确定所述第一光掩膜与所述第二光掩膜在所述第二方向上的偏移量。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：中介层、以及位于所述中介层光刻缝合区域中的套刻标记；所述光刻缝合区域包括第一光掩膜和第二光掩膜的缝合区域；

所述套刻标记包括：利用所述第一光掩膜光刻出的第一标记、以及利用所述第二光掩膜光刻出的第二标记；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案内；所述多边形至少有八条边。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述光刻缝合区域还包括所述第二光掩膜和第三光掩膜的缝合区域、以及所述第三光掩膜和第四光掩膜的缝合区域；

所述第二光掩膜与所述第三光掩膜的缝合区域、以及所述第三光掩膜与所述第四光掩膜的缝合区域中均具有所述套刻标记。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述套刻标记不位于所述第一光掩膜、所述第二光掩膜、所述第三光掩膜以及所述第四光掩膜共同的缝合区域中。

13.一种光掩膜，其特征在于，至少包括：第一光掩膜和第二光掩膜；其中，所述第一光掩膜包括第一标记，所述第二光掩膜包括第二标记；

所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案在第三方向上的投影区域位于所述第一标记图案在所述第三方向上的投影区域的内侧；所述多边形至少有八条边；所述第三方向垂直于所述第一光掩膜所在的平面。

14.根据权利要求13所述的光掩膜，其特征在于，所述第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案；所述第二标记还包括沿所述第一方向定位的第五标记图案、以及沿所述第二方向定位的第六标记图案；

其中，所述第二标记图案沿所述第三方向的投影区域与所述第五标记图案沿所述第三方向的投影区域部分重合；所述第三标记图案沿所述第三方向的投影区域与所述第六标记图案沿所述第三方向的投影区域相接。

15.根据权利要求14所述的光掩膜，其特征在于，还包括：与所述第二光掩膜部分重合的第三光掩膜、以及与所述第三光掩膜和所述第一光掩膜部分重合的第四光掩膜；

所述第二光掩膜还包括位于所述第二光掩膜和所述第三光掩膜重合区域中的第一标记；

所述第三光掩膜包括位于所述第二光掩膜和所述第三光掩膜重合区域中的第二标记、以及位于所述第三光掩膜和所述第四光掩膜重合区域中的第一标记；

所述第四光掩膜包括位于所述第三光掩膜和所述第四光掩膜重合区域中的第二标记。

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