CN116145101A - 供给装置及成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种抑制规定量以上的电子零件的供给而提高生产性的供给装置及成膜装置。实施方式的供给装置具有：滑槽，具有电子零件能够逐个通过的多个滑槽孔，所述电子零件具有一端与另一端；掩模，具有与滑槽重叠，且供电子零件经由滑槽孔插入，覆盖电子零件的一部分的掩模孔；承受台，保持掩模，与插入至掩模孔的电子零件的一端相接；移动机构，在插入至掩模孔的电子零件的另一端不干涉滑槽的状态下，以滑槽孔的轴与掩模孔的轴偏离的方式，使滑槽与掩模相对移动；以及去除机构，在滑槽孔的轴与掩模孔的轴偏离的状态下，将插入至掩模孔的电子零件以外的电子零件从滑槽去除。

Description

供给装置及成膜装置

技术领域

本发明涉及一种供给装置及成膜装置。

背景技术

目前，作为各种电子电路中使用的芯片状电子零件，在两端形成有外部电极的电子零件非常普遍。例如，芯片电容器通过使将形成有内部电极的介电片材积层而得的块体分割为长方体形状的单片，而形成元件。并且，通过覆盖此长方体形状的元件的两侧面并连接于内部电极的导电性材料形成外部电极。

作为外部电极的形成方法，如专利文献1所示，进行以下工序：通过以电子零件的一端露出的方式，将另一端插入到保持板的保持孔而保持电子零件，使露出的一端附着导电性材料的浆料，形成外部电极。在此情况下，电子零件被供给到排列板上，并逐一投入至形成于排列板的多个排列孔中，根据所述排列孔变更姿势，并被引导落入至保持板的保持孔中，并插入至保持孔中。

此时，供给至排列板上的电子零件并不一定会落入至保持孔中。因此，进行以下工序：为了提高供给于排列板上的电子零件经由排列孔落入至保持孔中的概率，而将数量多于保持孔数量的电子零件投入至排列板上。例如，取出多于保持孔数量的收容于芯片料斗的大量电子零件，而供给到排列板上。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平09-232113号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，如果将此种电子零件的规定量以上的供给，即，将数量多于保持孔数量的电子零件投入到排列板，则排列板上会残留未进入保持孔的电子零件(未保持于保持板的电子零件)。尤其是在已经进入保持孔的电子零件的正上方可能会载有进入了排列孔的电子零件。如此一来，在使排列板脱离保持板时，残留在排列孔的电子零件、甚至残留在排列板上的电子零件经由排列孔落下，而载置于保持板上、或正常保持于保持板的电子零件上，妨碍随后的附着导电性材料的步骤。因此，由于此种数量多于保持孔数量的电子零件的供给，需要对未能进入保持孔的电子零件进行回收的步骤。但是，在通过抽吸装置等回收装置回收未能进入保持孔的电子零件的情况下，有如下疑虑，即，导致连进入了保持孔的电子零件也被回收，需要进行再次供给的步骤，生产性降低。为了防止这种情况，而通过手动作业等一个一个回收未能进入保持孔的电子零件的情况下，花费回收时间，生产性降低。而且，由于作为对象的电子零件是用于各种电子电路的芯片状的小型零件，因此未能进入保持孔的电子零件如果从保持板上进而掉到下方的供给装置的底面，则不易发现且难以回收。如此，在供给了数量多于保持孔数量的电子零件的情况下，未能进入保持孔的电子零件的回收困难，生产性降低。

本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题点而提出的，其目的在于提供一种抑制规定量以上的电子零件的供给而提高生产性的供给装置及成膜装置。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，实施方式的供给装置具有：滑槽，具有电子零件能够逐个通过的多个滑槽孔，所述电子零件具有一端与另一端；掩模，具有与所述滑槽重叠，且供所述电子零件经由所述滑槽孔插入，覆盖所述电子零件的一部分的掩模孔；承受台，保持所述掩模，与插入至所述掩模孔的所述电子零件的一端相接；移动机构，在插入至所述掩模孔的所述电子零件的另一端不干涉所述滑槽的状态下，以所述滑槽孔的轴与所述掩模孔的轴偏离的方式，使所述滑槽与所述掩模相对移动；以及去除机构，在所述滑槽孔的轴与所述掩模孔的轴偏离的状态下，将插入至所述掩模孔的所述电子零件以外的所述电子零件从所述滑槽去除。

而且，实施方式的成膜装置包括所述供给装置、及对所述电子零件进行成膜的成膜处理部。

[发明的效果]

根据本发明，能够提供抑制规定量以上的电子零件的供给而提高生产性的供给装置及成膜装置。

附图说明

图1是实施方式中作为供给对象的电子零件的立体图(A)、剖视图(B)、表示已进入掩模孔的状态的立体图(C)。

图2是表示实施方式的成膜装置的简化结构图。

图3是表示实施方式的供给装置的俯视图(A)、局部剖面侧视图(B)。

图4是表示图3的电子零件的收容时的局部剖面侧视图(A)、表示供给时的局部剖面侧视图(B)。

图5是表示滑槽的俯视图(A)、A-A箭视剖视图(B)。

图6是表示掩模的俯视图(A)、B-B箭视剖视图(B)。

图7是表示承受台的俯视图(A)、C-C箭视剖视图(B)。

图8是表示掩模的待机状态(A)、对滑槽的掩模的安装状态(B)的剖视图。

图9是表示将吸附部定位于掩模上的状态(A)、使电子零件落下的状态(B)的剖视图。

图10是表示使掩模离开滑槽的状态(A)、将滑槽沿水平方向挪动的状态(B)的剖视图。

图11是表示吸附了多余电子零件的状态(A)、使推进器下降而将承受台250保持于保持孔的状态(B)的剖视图。

图12的(A)至图12的(G)是表示对掩模的电子零件的供给顺序的说明图。

图13的(A)至图13的(C)是表示使掩模反转的顺序的说明图。

图14的(A)至图14的(F)是表示将间隔调整部设为升降构件的变形例的说明图。

图15的(A)至图15的(E)是表示将间隔调整部设为间隔件的变形例的说明图。

图16的(A)至图16的(D)是表示未使用间隔调整部的变形例的说明图。

[符号的说明]

1：成膜装置

2：供给装置

3：成膜处理部

4：控制装置

31：腔室

32：搬送部

33：预处理部

34、35：成膜部

210：收容部

211：容器

211a：分区

211b：倾斜面

212：支撑台

212a：脚部

220：滑槽

221：板体

222：滑槽孔

223：间隔壁

225：分区

230：振动机构

231：振动台

231b：收容孔

232：基台

240：掩模

241：板体

242：掩模孔

242a：扩大部

243：限制孔

244：梁部

245：分区

250：承受台

251：板体

252：支撑部

253：限制部

260、500、600：间隔调整部

261：推进器

261a：载置台

261b：轴

261c：支撑部

261d：导件

261e：可动体

262：驱动源

270：移动机构

280：去除机构

281：拾取机构

282：引导机构

283：移动体

284：吸附部

284a：吸附板

284b：支撑板

284c：支柱

285：吸附力赋予部

285a：磁性构件

285b：保持板

285c：相接/分离机构

286：支柱部

287：臂部

288：导引部

290：搬送机构

291：马达

292：旋转台

292a：保持孔

311：排气部

321：旋转台

322：驱动源

323：密封体

324：推进器

331：处理室

341、351：成膜室

342、352：靶

510：驱动部

520：升降构件

Axc、Axs、Axm：轴

C：电子零件

Dx：移动距离

Dv、Dz：间隔

E：电极

En：内部电极

F:面

R：电极形成区域

X、Y、Z：方向。

具体实施方式

关于本发明的实施方式(以下称为本实施方式)，参照附图具体地进行说明。

[电子零件]

如图1的(A)所示，通过本实施方式成膜的电子零件C是两端形成有利用导电性材料的电极E的芯片状电子零件C。如此，电子零件C具有形成电极E的一端与另一端。例如，电容器、电阻、线圈、电感器等元件包含于电子零件C。电子零件C具有长方体形状、立方体形状或薄板状的外形，以呈箱状覆盖包含相反的一对两侧面的区域的方式分别密接形成有电极E。将形成有所述电极E的区域设为电极形成区域R。

图1的(B)是以将形成有内部电极En的介电片材积层而得的积层陶瓷电容器作为电子零件C的情况下的剖视图。形成于电子零件C的外部表面的一对电极E是将多个导电性材料的层重叠的多层结构，与电子零件C的内部电极En电连接。在本实施方式中，在作为用于提高密接性的基础层的钛(Ti)上，使作为电极E的晶种层的铜(Cu)成膜。随后，通过将晶种层作为晶种，利用电解镀覆使铜(Cu)附着于电极形成区域R，完成形成有电极E的电子零件C。由于基础层及晶种层也成为电极E的一部分，因此以下在本实施方式的说明中，这些层的成膜也表达为“使电极E成膜”。

另外，在以下说明中，将通过电极E所覆盖的一对两侧面的中心的直线称为电子零件C的轴Axc。在本实施方式中，例如，作为电子零件C，可以将轴Axc方向的长度为0.6mm，电极E的轴Axc方向的长度为0.2mm，与电极E的轴Axc正交的剖面为0.3mm×0.3mm的矩形的尺寸非常微小的电子零件作为对象。其中，本发明不管是比这个小的电子零件C还是比这个大的电子零件C，都可以应用。

[概要]

如图2所示，本实施方式的成膜装置1具有供给装置2、成膜处理部3及控制装置4。如图1的(C)所示，供给装置2通过将电子零件C插入到掩模孔242，以遮住其中一个电极形成区域R以外的区域的状态供给于成膜处理部3。成膜处理部3在未被遮住而露出的电极形成区域R使电极材料成膜。另外，在以下说明中，将供给装置2与成膜处理部3的水平排列方向设为X方向，将与此正交的水平方向设为Y方向，将铅直方向设为Z方向。电子零件C以轴Axc沿着Z方向的方式插入到掩模孔242。另外，如后所述，掩模孔242被设于掩模240。

[供给装置]

如图3的(A)、图3的(B)、图4的(A)、图4的(B)所示，供给装置2具有收容部210、滑槽220、振动机构230、掩模240、承受台250、间隔调整部260、移动机构270、去除机构280、搬送机构290。

(收容部)

收容部210收容多个形成电极E前、即成膜前的电子零件C。收容部210具有容器211、支撑台212。容器211是上部开口的箱状体，在水平的内底部设有多个作为凹处的分区211a。多个分区211a呈矩阵状配设，在各个分区211a收容预先投入的多个电子零件C。容器211的内侧面的一部分为以下结构，即，成为向内底部倾斜的倾斜面211b，从容器211的上缘投入的电子零件C向内底部滑落。支撑台212是在水平方向上支撑容器211的台，如图3的(B)所示，通过四根脚部212a设置于供给装置2的设置面。

(滑槽)

滑槽220将从收容部210移送来的多个电子零件C分别引导至多个掩模孔242的各个。如图5的(A)、图5的(B)所示，滑槽220具有板体221、滑槽孔222、间隔壁223。板体221为矩形板状体。滑槽孔222是电子零件C能够逐一通过的多个孔。各滑槽孔222在与板体221的表面正交的方向上贯通，将通过的电子零件C引导至掩模孔242。滑槽孔222是朝向供电子零件C插入的侧、即上端侧扩大的四角锥台形状，以使电子零件C容易进入。另外，将通过滑槽孔222的中心的Z方向的直线设为轴Axs。

间隔壁223呈格子状立设于板体221的表面。由间隔壁223包围的多个矩形区域构成呈矩阵状排列的多个分区225。多个滑槽孔222呈矩阵状形成于各分区225内。即，间隔壁223包含多个滑槽孔222，形成供给有电子零件C的分区225。各分区225的位置与收容部210的各分区211a的位置一对一对应。

由于滑槽220的内部被间隔壁223分为多个分区225，因此在将电子零件C引导至掩模孔242时，如后所述，即便滑槽220振动，供给至各分区225的电子零件C也会通过间隔壁223阻止向其他分区225移动，而进入各个分区225内的滑槽孔222。因此，当滑槽220振动时，可以抑制电子零件C向其他区域移动，成为不均匀的分布。

而且，由于一次性大量供给电子零件C并进行排列，因此滑槽220的板体221为大面积，有时会产生挠曲或弯曲、应变。如果产生挠曲或弯曲、应变，则电子零件C偏向移动到板体221的特定部分，无法均等供给到掩模孔242。间隔壁223由于遍及板体221的供给有电子零件C的区域设置，因此发挥梁的功能，提高板体221的强度而防止挠曲或弯曲、应变。

进而，滑槽220的各分区225的位置与收容部210的各分区211a的位置一对一对应。并且，通过预先在收容部210的各分区211a定量分配并收容多个电子零件C，根据各分区211a吸附所收容的电子零件C，移动至滑槽220的对应的分区225，可以在滑槽220的面内均匀地分配多个电子零件C。

(振动机构)

振动机构230通过使滑槽220或后述的掩模240振动，从而促进电子零件C向掩模孔242内的插入。如图3的(A)、图3的(B)所示，振动机构230具有振动台231、基台232。振动台231为水平方向的板状体。基台232设置于供给装置2的设置面，在从滑槽220沿X方向偏移的位置，支撑振动台231。即，与后述的搬送机构290排列设置。并且，振动台231以其一端在俯视时与由搬送机构290所搬送的掩模240重合的方式，而将另一端支撑于基台232。在振动台231的、俯视时与由搬送机构290所搬送的掩模240重叠的部分，设有供掩模240及后述的承受台250插入的收容孔231b。滑槽220以位于所述收容孔231b的上部的方式，沿水平方向支撑于振动台231。

振动台231通过使内置于基台232的振荡体作动而以可振动状态设置。由此，支撑于振动台231的滑槽220与振动台231一起振动。并且，所述振动传递至与滑槽220相接的掩模240及承受台250，进行振动。作为振荡体，例如使用电磁线圈、马达、压电元件。振动方向、振动强度可适当设定。

(掩模)

如图6的(A)、图6的(B)所示，掩模240具有板体241、掩模孔242、限制孔243、梁部244。板体241为圆形的板状构件。掩模孔242是经由重叠于掩模240的滑槽220的滑槽孔222将电子零件C逐一插入，并覆盖电子零件C的一部分的多个孔。各掩模孔242是在与板体241的表面正交的方向上贯通，插入的电子零件C的轴Axc在铅直方向上一致的角柱状。将通过掩模孔242的中心的铅直方向的直线设为轴Axm。掩模孔242的轴Axm方向的长度比电子零件C的轴Axc方向的长度短。更具体而言，掩模孔242的轴Axm方向的长度与电子零件C的其中一个电极形成区域R以外的轴Axc方向的长度相同。即，掩模孔242的轴Axm方向的长度与电子零件C的轴Axc方向的未被溅镀的区域的长度相同(参照图1的(C))。

与掩模孔242的轴Axm正交的剖面的大小只要是如下程度即可，即，电子零件C由于自重而落下并插入，轴Axc成为铅直方向。即，掩模孔242的内径具有电子零件C可通过的内径，且与掩模孔242的轴Axm正交的剖面稍微大于与电子零件C的轴Axc正交的剖面，且小于导致轴Axc相对于铅直方向倾斜插入的大小。但设定得大于需要压入的大小。

进而，在利用后述的溅镀形成电极E的情况下，与掩模孔242的轴Axm正交的剖面的大小优选为小于成膜材料从形成于掩模孔242与电子零件C之间的间隙进入的大小。

本实施方式的掩模孔242通过插入的电子零件C的下端与承受台250相接，而以仅露出上端侧的电极形成区域R的状态，覆盖其他区域(参照图1的(C))。掩模孔242在呈矩阵状排列的多个分区245内，分别呈矩阵状设置多个。各分区245的位置和与其重叠的滑槽220的分区225的位置一致，各分区245中的掩模孔242的位置与各分区225的滑槽孔222的位置一致。即，掩模孔242的轴Axm与滑槽孔222的轴Axs一致，掩模孔242的下端的开口、与滑槽孔222的上端的开口吻合而无水平方向(XY方向、θ方向)的偏移，因此电子零件C可以通过。

限制孔243是用于通过将后述的承受台250的限制部253插入，进行掩模240相对于承受台250的对位并且防止位置偏移的贯通孔。本实施方式的限制孔243是与限制部253的形状对应的圆柱形状。梁部244是在板体241的下表面以分区245以外的区域变得壁厚的方式固定，提高板体241的强度而防止弯曲或应变的薄板。

(承受台)

承受台250是保持掩模240，与插入至掩模孔242中的电子零件C的一端相接的台。本实施方式中，电子零件C沿铅垂方向插入至掩模孔242，因此与承受台250相接的电子零件C的一端成为下方，与其为相反侧的另一端成为上方。以下的说明中，将所述电子零件C的一端以及与其对应的掩模孔242的端部称作下端，将电子零件C的另一端以及与其对应的掩模孔242的端部称作上端，但电子零件C以及掩模孔242的方向并不限定于此。而且，存在电子零件C的两端均为一端(下端)、另一端(上端)的可能性。

如图7的(A)、图7的(B)所示，承受台250具有板体251、支撑部252、限制部253。板体251是与掩模240相同直径的圆形板状构件。支撑部252是固定于板体251的其中一面的矩形板状体。支撑部252在掩模240重叠于承受台250上的情况下，设于各分区245中堵住掩模孔242的下端的位置。另外，支撑部252设于不与掩模240的梁部244重叠的位置。

限制部253是圆柱形状的销。限制部253设于与掩模240的限制孔243对应的位置，通过插入至限制孔243，进行承受台250与掩模240的对位并且防止位置偏移。

(间隔调整部)

间隔调整部260(参照图3的(B))调整滑槽220及掩模240的相互相向的面的间隔。具体而言，如后所述，调整滑槽220与掩模240的间隔，以成为掩模240接触至滑槽220的位置(第一位置)、使滑槽220与掩模240水平地相对移动时的位置(第二位置)、将掩模240以及承受台250保持于保持孔292a的位置(第三位置)。即，本实施方式的间隔调整部260是使承受台250及掩模240在与第一位置、第二位置、第三位置之间升降的升降机构。

而且，第一位置是通过振动使电子零件C从滑槽220插入至掩模240的位置(参照图9的(A)和图9的(B))，第二位置是成为掩模240从滑槽220分离隔开间隔Dz且插入至掩模240的电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态的位置(滑槽220与掩模240可水平地相对移动的位置)(参照图10的(A)和图10的(B))，第三位置是滑槽220以及掩模240分离而待机的位置(参照图11的(B))。

另外，为了设为所述第二位置中的、电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，通过间隔调整部260使滑槽220及掩模240沿铅垂方向(Z方向、滑槽孔222的轴Axs方向)相对移动时的移动距离(间隔Dz量)为电极形成区域R的轴Axc方向的长度以上、电子零件C的轴Axc方向的长度以下(参照图10的(A)、图12的(D))。

电极形成区域R是形成电极E的区域，因此是对应于一对的两极而形成。因此，在一对电极形成区域R之间，需要两个电极E的+与-经分离的区域。因此，电极形成区域R成为保留有达成此种极分离的间隔的区域。例如也可仅在下端的面F(参照图1的(C))形成其中一个电极E，在侧面与面F相连的角的部分设置间隙，将除此以外的部分全部设为另一个电极E。即，若以成膜区域(电极形成区域R)为基准，则间隔Dz不超过电子零件C的轴Axc方向的长度。优选的是，考虑到移动时的定位的误差等，而设定为尽可能接近电极形成区域R的轴Axc方向的长度的位置。另外，优选的是，间隔Dz设为能够成为下述状态的距离，即，在从上方进行抽吸时，已收容于掩模孔242中的电子零件C不会被抽吸。

间隔调整部260具有推进器261、驱动源262。推进器261具有搭载有承受台250的载置台261a、及支撑载置台261a的轴261b。驱动源262是使轴261b升降的马达。

(移动机构)

移动机构270是在电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态下，以滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离的方式，使滑槽220与掩模240沿水平方向相对移动的机构(参照图10的(B)、图12的(E))。本实施方式的移动机构270被设于载置台261a与轴261b之间，通过使载置台261a移动而使承受台250及掩模240沿X方向移动。作为移动机构270，例如可采用气缸。

为了能够进行此种移动，在载置台261a与轴261b之间进而设有支撑部261c、导件261d、可动体261e(参照图8～图11)。支撑部261c是以与载置台261a相向的方式连接于轴261b的板状构件。导件261d是以沿X方向延伸的方式固定于支撑部261c上的棒状构件。可动体261e是具有可滑动移动地嵌入导件261d的凹处的构件。可动体261e的凹处部分嵌入导件261d，与凹处部分为相反侧的部分固定于载置台261a。

作为移动机构270的气缸固定于支撑部261c上可推压可动体261e的位置。通过用移动机构270推压可动体261e，可动体261e及与其连接的载置台261a沿着导件261d移动。例如，移动机构270移动掩模孔242的水平方向的长度的一半左右的移动距离Dx，将滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm错开。

(去除机构)

去除机构280是将插入至掩模孔242的电子零件C以外的电子零件C从滑槽220去除的机构。如图3的(A)、图3的(B)、图4的(A)、图4的(B)所示，去除机构280具有拾取机构281、引导机构282。

拾取机构281是从收容部210或者滑槽220拾取电子零件C的机构。拾取机构281具有移动体283、吸附部284、吸附力赋予部285。移动体283在收容部210与滑槽220之间移动。移动体283是在末端扩宽的角锥台上具有角柱的形状，是搭载吸附部284以及吸附力赋予部285的底座构件。移动体283通过引导机构282在收容部210与滑槽220之间可移动地设置。

吸附部284是用于为了拾取电子零件C而吸附电子零件C的单元部。吸附部284具有吸附板284a、支撑板284b、支柱284c。吸附板284a是吸附电子零件C的构件。吸附板284a是分别配置于与滑槽220的各分区225对应的位置的矩形板状体，通过来自后述的吸附力赋予部285的磁力的赋予来吸附电子零件C。吸附板284a的水平面的大小小于由间隔壁223包围的区域，以能够接近各分区225的滑槽孔222。另外，各吸附板284a的位置亦与容器211的各分区211a对应。

支撑板284b是安装有吸附板284a的矩形板状体。支撑板284b的大小覆盖形成有滑槽220的滑槽孔222的整个区域。吸附板284a及支撑板284b形成为通过磁力的厚度。吸附板284a及支撑板284b的材质无特别限定，可以是金属，也可以是树脂等非金属。例如，使用不锈钢作为吸附板284a及支撑板284b。支柱284c是将支撑板284b固定于移动体283的支柱。支柱284c的上端固定于移动体283的底部，下端固定于支撑板284b。由此，支撑板284b距移动体283的底面隔着距离在水平方向上支撑。

吸附力赋予部285对吸附板284a赋予吸附力。吸附力赋予部285对于隔着支撑板284b而与吸附板284a的收容部210相向的面，赋予用于吸附电子零件C的磁力。吸附力赋予部285具有磁性构件285a、保持板285b、相接/分离机构285c。磁性构件285a例如为永久磁铁。磁性构件285a的水平面的大小与吸附板284a为相同程度。保持板285b的大小与吸附部284的支撑板284b为相同程度，配置于支撑板284b与移动体283的底部之间。在保持板285b，磁性构件285a隔着支撑板284b分别安装于与各吸附板284a对应的位置。

相接/分离机构285c通过使磁性构件285a与吸附板284a相对移动来进行电子零件C的吸附以及吸附解除。本实施方式的相接/分离机构285c设于移动体283的底部，可升降地支撑磁性构件285a。作为相接/分离机构285c，例如使用气缸。相接/分离机构285c在水平方向上支撑保持板285b，通过使磁性构件285a下降并接触支撑板284b，而经由支撑板284b使吸附板284a发挥由磁力带来的吸附力。而且，相接/分离机构285c通过使磁性构件285a上升并离开支撑板284b，而失去吸附板284a中的由磁力带来的吸附力。

引导机构282是使移动体283在收容部210与滑槽220之间移动的机构。引导机构282具有支柱部286、臂部287、导引部288。支柱部286是立设于收容部210的支撑台212的一对角柱构件。臂部287是支撑于支柱部286的水平方向的角柱构件，从容器211上方的位置向振动台231的收容孔231b上方的位置延伸。导引部288是组合X方向及Z方向的线性导轨的二轴移动机构，设于臂部287。在导引部288经由滑块支撑有移动体283。由此，引导机构282可使吸附于吸附部284的电子零件C在收容部210与滑槽220之间移载。

(搬送机构)

如图3的(A)、图3的(B)所示，搬送机构290是在供给装置2与成膜处理部3之间搬送电子零件C已插入至掩模孔242的掩模240的机构。本实施方式的搬送机构290具有通过马达291间歇旋转的旋转台292。在旋转台292以等间隔形成有作为贯通孔的多个保持孔292a。通过所述保持孔292a来保持承受台250。

在保持孔292a的内缘形成有保持载置有掩模240的承受台250的阶差(参照图8的(A)、图8的(B))。保持孔292a每当旋转台292由于间歇旋转而停止时，都来到振动台231的收容孔231b的正下方。间隔调整部260的推进器261在旋转台292的保持孔292a与收容孔231b之间，使搭载有掩模240的承受台250移动。

[成膜处理部]

成膜处理部3是对电子零件C的从掩模孔242露出的部分、即电极形成区域R利用等离子体进行成膜的装置。如图2所示，成膜处理部3具有腔室31、搬送部32、预处理部33、成膜部34、成膜部35。腔室31是可以利用由排气部311产生的排气使内部为真空的容器。排气部311具有连接于排气口的未图示的配管及排气回路。搬送部32具有旋转台321、驱动源322、密封体323、推进器324。

旋转台321是使搬入至腔室31内的承受台250间歇旋转而移动至预处理部33、成膜部34、成膜部35、后述的加载互锁部等的各部的圆形平台。密封体323是用于密封各部，以与腔室31隔离的构件。密封体323载置有承受台250，保持于等间隔地设于旋转台321的保持孔。推进器324使密封体323在与成膜处理部3的各部对应的位置升降。

另外，虽未图示，但成膜处理部3具有将搭载有掩模240的承受台250搬入搬出腔室31的搬入搬出部、可以在维持腔室31内的真空的状态下将搭载有掩模240的承受台250通过搬入搬出部相对于腔室31搬入搬出的加载互锁部。

预处理部33通过等离子体对电极形成区域R进行表面处理。表面处理例如是离子轰击处理，其通过由等离子体在处理气体中产生的离子洗净电极形成区域R的表面。预处理部33具有设于腔室31的顶侧，由上升的密封体323密封，对从掩模240露出的电极形成区域R进行表面处理的处理室331。

成膜部34、成膜部35利用溅镀对电子零件C的电极形成区域R进行成膜处理。溅镀是通过由等离子体在溅镀气体中产生的离子使从靶342、靶352击出的成膜材料堆积于电极形成区域R的表面的处理。成膜部34、成膜部35具有设于腔室31的顶侧，由上升的密封体323密封，对从掩模240露出的电极形成区域R进行成膜处理的成膜室341、成膜室351。

在成膜室341、成膜室351设有包含成膜材料的靶342、靶352。靶342、靶352是由通过溅镀堆积于电子零件C而成为膜的成膜材料形成的构件。靶342、靶352保持于未图示的衬板，经由电极连接于电源。作为基础层的成膜材料，例如使用Ti，作为电极E的晶种层，例如使用Cu、Au、Ag等。其中，只要是可通过溅镀而成膜的材料，便可应用各种材料。另外，在本实施方式中，在成膜部34使基础层成膜，在成膜部35使电极E的晶种层成膜。作为基础层的材料，例如使用钛(Ti)，作为电极E的晶种层的材料，例如使用铜(Cu)。

而且，在本实施方式中，设有两个成膜部34、成膜部35以使基础层及晶种层两层成膜，但如果不需要基础层，也可仅设置一个成膜部。而且，如果需要更多层的成膜，也可设置两个以上成膜部。

[控制装置]

控制装置4是控制成膜装置1的各部的装置(参照图2)。所述控制装置4例如可由按规定程序运作的计算机构成。控制装置4的控制内容被编程，由可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)、或中央处理器(Central Processing Unit，CPU)等处理装置执行。

例如，控制装置4通过如上所述的程序控制由振动机构230进行的振动台231的振动、由间隔调整部260进行的承受台250及掩模240的升降、由移动机构270进行的滑槽220的移动、由去除机构280进行的电子零件C的投入及去除、由搬送机构290进行的承受台250的搬送、由搬入搬出部进行的对承受台250的腔室31的搬入搬出、由预处理部33进行的等离子体处理、由成膜部35进行的成膜处理、由搬送部32进行的承受台250的搬送等。

[动作]

通过以上所述的本实施方式的成膜装置1，除参照所述图1～图7以外，还参照图8～图13的说明图说明在电子零件C成膜的处理。另外，作为说明的前提状态，如图4的(A)所示，预先将多个电子零件C投入至收容部210的容器211，在各分区211a收容多个电子零件C。各分区211a中收容的电子零件C的数量多于滑槽220中的各分区225的滑槽孔222的数量、掩模240中的各分区245的掩模孔242的数量。而且，通过利用平板进行的磨削等，可以平均各分区211a中收容的电子零件C的位置以在各分区211a内均等地接近。

而且，如图8的(A)所示，在推进器261的载置台261a上载置有搭载掩模240的承受台250。此时，通过将承受台250的限制部253插入至掩模240的限制孔243，进行掩模240与承受台250的对位并且防止偏移。并且，如图8的(B)所示，载置台261a通过推进器261上升，从而作为掩模240与滑槽220的下表面相接的第一位置。此时，滑槽孔222的下端与掩模孔242的上端吻合。而且，此时，滑槽孔222与掩模孔242重叠的面积大于与电子零件C的轴Axc正交的方向的面F(参照图1的(C))的面积。

(供给动作)

首先，说明电子零件C的供给动作。如图4的(A)所示，通过引导机构282，拾取机构281的移动体283进行水平移动而定位于容器211的上方。此时，由于保持板285b通过相接/分离机构285c下降，由此磁性构件285a与支撑板284b相接，在吸附板284a经由支撑板284b发挥由磁力带来的吸附力。

接下来，拾取机构281的移动体283通过引导机构282下降，由此各吸附板284a接近容器211的各分区211a。由此，各吸附板284a利用磁力吸附保持多个电子零件C。并且，拾取机构281的移动体283通过引导机构282上升，从容器211拾取电子零件C。随后，移动体283通过引导机构282进行水平移动而定位于滑槽220的上方。进而，如图4的(B)、图9的(A)、图12的(A)所示，移动体283下降，而吸附板284a接近滑槽220的各分区225。

随后，如图9的(B)、图12的(B)所示，通过相接/分离机构285c保持板285b上升，而磁性构件285a离开支撑板284b，由此在各吸附板284a发挥作用的磁力被解除。因此，吸附于各吸附板284a的电子零件C落下到滑槽220的各分区225。并且，移动体283通过引导机构282上升，由此吸附板284a从滑槽220的各分区225撤离。如此，对滑槽220供给电子零件C。随后，通过相接/分离机构285c，保持板285b下降，而磁性构件285a与支撑板284b相接，由此返回磁力在各吸附板284a发挥作用的状态。

并且，通过利用振动机构230使振动台231振动，而使滑槽220、掩模240及承受台250振动。如此一来，如图12的(C)所示，滑槽220的各分区225中收容的电子零件C逐个从滑槽孔222的上端侧进入，在通过滑槽孔222的过程中以轴Axc成为铅直方向的方式被引导，而落到掩模孔242。

已进入掩模孔242的电子零件C通过其下端与承受台250的支撑部252相接，仅上端侧的电极形成区域R从掩模孔242露出。其中，从掩模孔242露出的电极形成区域R进入滑槽孔222。而且，也有在已进入掩模孔242的电子零件C上，会搭载已进入滑槽孔222的电子零件C的情况。

其次，如图10的(A)、图12的(D)所示，通过利用间隔调整部260使载置台261a下降，而使掩模240离开滑槽220的下表面而作为第二位置。此时的离开的间隔Dz与从掩模孔242露出的电极形成区域R的高度相同。由此，已进入滑槽孔222的电子零件C与已进入掩模孔242的电子零件C的边界和滑槽220的下表面成为同一水平面，滑槽220可在水平方向上移动。

并且，如图10的(B)、图12的(E)所示，通过移动机构270使载置有掩模240的承受台250在X方向上移动移动距离Dx。此移动距离Dx为掩模孔242的水平方向的长度的一半左右的距离。如此，通过将滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离，而由已进入掩模孔242的电子零件C防止已进入滑槽孔222的电子零件C落下，并且由滑槽220的底面限制已进入掩模孔242的电子零件C的上下移动。

另外，移动距离Dx并不限于掩模孔242的水平方向的长度的一半左右的距离。只要防止电子零件C从滑槽孔222落下，限制已进入掩模孔242的电子零件C上下移动即可，为了使电子零件C无法在滑槽孔222与掩模孔242之间移动，只要是移动到滑槽孔222与掩模孔242重叠的面的面积小于与电子零件C的轴Axc正交的方向的面F的面积的位置的距离即可。

在此状态下，如图11的(A)、图12的(F)所示，通过利用引导机构282使移动体283向滑槽220的上方移动后下降，从而使吸附板284a下降，接近滑槽220的各分区225。由此，各吸附板284a利用磁力吸附保持各分区225中的电子零件C。此时，欲吸附的磁力不仅作用于已进入滑槽孔222的电子零件C，也作用于已进入掩模孔242的电子零件C。但是，已进入掩模孔242的电子零件C如上所述那样，移动受到限制，因此未被吸附。并且，移动体283通过引导机构282上升，电子零件C从滑槽220被拾取而被去除。随后，移动体283通过引导机构282进行水平移动而向容器211的上方水平移动。进而，移动体283下降，吸附板284a接近容器211的各分区211a(参照图4的(B)、图4的(A))。

随后，通过利用相接/分离机构285c，保持板285b上升，磁性构件285a离开支撑板284b，从而在各吸附板284a发挥作用的磁力被解除。因此，吸附于各吸附板284a的电子零件C下落到容器211的各分区211a。进而，移动体283通过引导机构282上升，由此吸附板284a从容器211的各分区211a撤离。如此，电子零件C从滑槽220中被去除。

其次，如图11的(B)、图12的(G)所示，通过推进器261的载置台261a下降，载置有掩模240的承受台250下降，成为承受台250保持于旋转台292的保持孔292a的第三位置。由此，电子零件C插入至掩模孔242的掩模240与承受台250一同被供给至旋转台292。另外，移动机构270将载置有掩模240的承受台250返回初始位置。

并且，推进器261通过下降而从承受台250及旋转台292撤离。进而，通过旋转台292间歇旋转，保持于保持孔292a的承受台250来到可由搬入搬出部搬入的位置，因此搬入搬出部经由加载互锁部将承受台250搬入到腔室31内，搭载于旋转台321上的密封体323。

如图2所示，旋转台321通过将承受台250搬送到预处理部33，利用推进器324使密封体323上升，而将搭载插入有电子零件C的掩模240的承受台250收容于处理室331并进行密封。在处理室331中，对从掩模孔242露出的电子零件C的电极形成区域R进行表面处理。

进而，旋转台321将承受台250依次搬送到成膜部34、成膜部35，与所述同样地，通过利用推进器324使密封体323上升而密封，在成膜室341、成膜室351内对电极形成区域R进行成膜。在本实施方式中，在成膜部34使钛成膜，在成膜部35使铜成膜。

随后，旋转台321将承受台250搬送到搬入搬出位置，经由加载互锁部，搬入搬出部将承受台250从腔室31搬出。被搬出的承受台250保持于旋转台292的保持孔292a。

接下来，为了对电子零件C的已进行了成膜的电极形成区域R的、相反侧的电极形成区域R进行成膜，而将电子零件C反转。插入有已对电极形成区域R进行了成膜的电子零件C的掩模240与承受台250通过旋转台292而被搬送至进行反转的规定位置。在所述规定位置，如图13的(A)所示，在定位到规定位置的承受台250上的掩模240上重叠另外准备的承受台250，如图13的(B)所示那样进行反转。另外，新重叠的承受台250的限制部253进入掩模240的限制孔243而进行对位，并且防止偏移。而且，重叠的两个承受台250的限制部253相互碰抵，由此来规定两个承受台250的间隔。

重叠的两个承受台250的间隔被设定为与电子零件C的轴方向的长度相同或者稍大。两个承受台250为同形状同尺寸。因此，各个承受台250的限制部253的突出量相同。而且，各个承受台250的支撑部252的突出量相同。因此，限制部253与支撑部252的突出量之差的两倍被设定为与电子零件C的轴方向的长度相同或者稍大。即，限制部253与支撑部252的突出量之差被设定为，成为被设定为与电子零件C的轴方向的长度相同或者稍大的长度的一半。而且，掩模240的板体241的厚度比限制部253与支撑部252的突出量之差厚，且比限制部253与支撑部252的突出量之差的两倍薄。并且为重叠在支撑部252上时，电子零件C的电极形成区域R露出的厚度。由于设定为此种尺寸关系，因此能够将另一个承受台250的限制部253插入至载置于其中一个承受台250上的掩模240的板体241上所设的限制孔243。并且，即便使重叠的两个承受台250一体地反转(也可设为翻转)，一端接触至另一个承受台250上的电子零件C的另一端的电极形成区域R也与反转前的露出量相同。

掩模240也通过此种反转而反转，因此掩模240下降，与变为下侧的承受台250相接。由此，电子零件C中与成膜侧为相反侧的电极形成区域R从掩模孔242的上端露出。并且，如图13的(C)所示，变为上侧的承受台250被取下。在此状态下，与所述同样地，承受台250被搬入成膜处理部3的腔室31，对露出的电极形成区域R进行成膜处理。由此，在电子零件C的两端的电极形成区域R形成电极E。另外，承受台250的重叠或拆卸既可由作业人员进行，也可由机器人等进行。

[效果]

(1)本实施方式的供给装置2具有：滑槽220，具有电子零件C能够逐个通过的多个滑槽孔222，所述电子零件C具有一端与另一端；掩模240，具有与滑槽220重叠，且供电子零件C经由滑槽孔222插入，覆盖电子零件C的一部分的掩模孔242；承受台250，保持掩模240，与插入至掩模孔242的电子零件C的一端相接；移动机构270，在插入至掩模孔242的电子零件C的另一端端不干涉滑槽220的状态下，以滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离的方式，使滑槽220与掩模240相对移动；以及去除机构280，在滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离的状态下，将插入至掩模孔242的电子零件C以外的电子零件C从滑槽220去除。而且，具有对使用此种供给装置2所供给的电子零件C进行成膜的成膜处理部3。

因此，能够设为抑制规定量以上的电子零件C的供给而提高生产性的供给装置2以及成膜装置1。具体而言，通过滑槽220与掩模240的水平方向的相对移动，即便为电子零件C插入至掩模孔242的状态，也能够在滑槽220的滑槽孔222以外的部分(下表面)限制插入至掩模孔242的电子零件C的移动，并且能够限制因电子零件C从滑槽孔222的落下等造成的、多余的电子零件C被供给到掩模240上的情况。

即，在滑槽孔222与掩模孔242一致的状态下，电子零件C经由滑槽孔222而插入至掩模孔242，但因滑槽220与掩模240的水平方向的相对移动，滑槽孔222与掩模孔242偏离，因此无法插入后续的电子零件C。而且，已插入至掩模孔242的电子零件C的移动受到限制，因此不会经由滑槽孔222被吸出。因此，可以通过去除机构280仅将未进入掩模孔242而残留于滑槽220及滑槽孔222的电子零件C去除。由此，使滑槽220自掩模240脱离时，可以抑制对掩模240供给规定量以上的电子零件C。

更详细而言，在将电子零件C插入至掩模孔242时，为了提高插入率，将多于掩模孔242的数量的电子零件C供给至滑槽220。如此一来，当然会产生未进入掩模孔242而多余的电子零件C。多余的电子零件C会残留在滑槽220上。而且，此时也存在下述情况：在掩模孔242中已插入有电子零件C的部位的滑槽孔222中存在电子零件C。此种存在于滑槽孔222中的电子零件C在掩模240与滑槽220分离时，会从滑槽220落下而散落到掩模240上。而且，残留于滑槽220上的电子零件C也有时会经由滑槽孔222从滑槽220落下而散落到掩模240上。这些落下到掩模240上的电子零件C会散布在成膜装置1内而引起故障或者妨碍成膜。

因此，在掩模240与滑槽220分离之前，存在于滑槽孔222中的多余的电子零件C也必须去除。如果为了所述去除而进行抽吸、吸附，则此次已插入至掩模孔242的电子零件C有时也会被去除，从而降低插入率而导致生产性下降。

本实施方式的供给装置2利用移动机构270来使滑槽220与掩模240错开，由此，在通过去除机构280来抽吸(吸附)滑槽220上或者进入到滑槽孔222中的电子零件C时，由于已插入至掩模孔242中的电子零件C偏离滑槽220的孔，因此能够设为不会经由滑槽孔222被吸出的状况。即，掩模孔242内的电子零件C的移动受到限制。因此，已被插入至掩模孔242中的电子零件C仍维持被插入的状态，去除机构280能够切实地仅去除已被插入至掩模孔242中的电子零件C以外的多余的电子零件C。由此，也能够消除散落到掩模240上的电子零件C而不会降低生产性，也不会因多余的电子零件C引起故障或者妨碍成膜。

(2)供给装置2具有间隔调整部260，所述间隔调整部260通过调整滑槽220及掩模240的相互相向的面的间隔，而设为电子零件C的另一端不干涉滑槽220的状态。因此，通过与使滑槽220脱离掩模240的活动共通的动作，可以作为电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态。

更详细而言，当电子零件C被插入至掩模孔242中时，电子零件C的一部分(一端侧)被掩模孔242覆盖，另一端侧(电极形成区域R)露出。为了将电子零件C经由滑槽孔222插入至掩模孔242，滑槽孔222与掩模孔242相接为佳。如此一来，当然已插入至掩模孔242中的电子零件C成为电极形成区域R残留于滑槽孔222的状态。在此状态下，无法使滑槽孔222与掩模孔242错开。如果不使滑槽孔222与掩模孔242错开便欲通过去除机构280来去除电子零件C，则已插入至掩模孔242中的电子零件C也会被去除。

本实施方式中，间隔调整部260对滑槽220以及掩模240的相互相向的面的间隔进行调整，由此成为电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态。因此，在去除电子零件C时，能够使滑槽孔222与掩模孔242错开，由此，电子零件C的移动受到限制，已插入至掩模孔242中的电子零件C不会经由滑槽孔222被去除，因此不会降低生产性。

(3)通过间隔调整部260沿滑槽孔222的轴Axs方向相对移动时的滑槽220以及掩模240的间隔Dz为插入至掩模孔242的电子零件C的电极形成区域R的轴Axc方向的长度以上、电子零件C的轴Axc方向的长度以下。因此，既能使电子零件C的一部分从掩模孔242露出以便形成电极E，又能通过微小的距离移动而设为电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，从而使滑槽孔222与掩模孔242错开。

(4)去除机构280具有吸附保持电子零件C的吸附部284。因此，可以吸附保持残留在滑槽220以及滑槽孔222的电子零件C并去除。

(5)吸附部284具有吸附电子零件C的吸附板284a与对吸附板284a赋予吸附力的吸附力赋予部285，吸附力赋予部285具有磁性构件285a与相接/分离机构285c，所述相接/分离机构285c通过使磁性构件285a与吸附板284a相对移动而进行电子零件C的吸附以及吸附解除。

因此，通过使磁性构件285a相对于吸附板284a而移动，从而能够瞬间切换遍及滑槽220的整面或收容部210的多个分区211a的电子零件C的吸附、释放，能够以简洁的结构降低电子零件C的吸附位置或落下位置的偏倚。

(6)供给装置2具有收容多个电子零件C的收容部210，去除机构280具有在收容部210与滑槽220之间移载电子零件C的引导机构282。因此，可通过共通的机构进行电子零件C的供给及去除。

[变形例]

本实施方式也考虑如下变形例。

(1)移动机构270只要是使掩模240及承受台250与滑槽220相对移动的机构即可。在所述本实施方式中，移动机构270设于间隔调整部260，使掩模240及承受台250移动，但也可以是使滑槽220移动的结构。在此情况下，滑槽220可相对移动地支撑于振动机构230的振动台231。并且，移动机构270被设在振动台231与滑槽220之间。移动机构270例如可使用气缸，通过使滑槽220相对于振动台231而移动，从而使滑槽220沿X方向移动。由此，可构成为，使滑槽220相对于掩模240而移动。

以下所示的图14的(A)至图14的(F)的变形例是使滑槽220移动的示例，图15的(A)至图15的(E)、图16的(A)至图16的(D)是使掩模240移动的示例。其中，在这些变形例中，也可以使滑槽220及掩模240的任一者或两者移动。

(2)所述本实施方式中，相对于支撑于振动台231的滑槽220，通过间隔调整部260使载置有掩模240的承受台250从旋转台292上升，而使掩模240接触至滑槽220(参照图10的(A)和图10的(B))。图14的(A)至图14的(F)所示的变形例是与承受台250独立地使掩模240上升。由此，所述本实施方式中，当将电子零件C插入至掩模孔242时，电子零件C突出至滑槽孔222。因此，在此状态下，无法使滑槽220与掩模240错开。因此，将电子零件C降低所述突出量即电极形成区域R的量(间隔Dz量)，而设为在水平方向上电子零件C的上端不会干涉滑槽220的状态后，使滑槽220与掩模240错开。与此相对，图14的(A)至图14的(F)的变形例中，当将电子零件C插入至掩模孔242时，电子零件C不会突出至滑槽孔222。因此，成为在水平方向上电子零件C的上端不会干涉滑槽220的状态，因此无须进行降低电子零件C的动作便能够使滑槽220与掩模240错开，从而能够缩短节拍时间。

具体而言，如图14的(A)至图14的(F)所示，在推进器261中，也可由驱动部510与升降构件520构成使滑槽220与掩模240朝相接/分离的方向(Z方向)相对移动的间隔调整部500。驱动部510设于推进器261内，利用未图示的汽缸等驱动源升降。升降构件520贯通承受台250，由驱动部510驱动。

升降构件520通过支撑掩模240利用驱动部510升降，而使掩模240在与滑槽220相接的上升位置、和与承受台250的支撑部252相接的下降位置之间移动。本实施方式的升降构件520例如为棒状销。当掩模240处于上升位置时，由于已进入滑槽孔222的电子零件C与已进入掩模孔242的电子零件C的边界和滑槽220的下表面成为同一水平面，因此滑槽220可在水平方向上移动。此时，在承受台250的支撑部252与掩模240之间，与电子零件C的露出的电极形成区域R的高度相同的间隔Dv消失。另外，在图14的(A)至图14的(F)中，设定滑槽220的分区225为一个，但也可如所述形态那样具有多个分区225。

在此情况下，如图14的(A)所示，在掩模240处于上升位置的状态下，与所述同样地在滑槽220的分区225投入电子零件C，通过振动将电子零件C经由滑槽孔222插入至掩模孔242。

在此状态下，如图14的(B)所示，通过移动机构270使滑槽220沿X方向移动。此移动距离Dx与所述相同。如此，通过使滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离，而利用已进入掩模孔242的电子零件C防止已进入滑槽孔222的电子零件C落下，并且由滑槽220的底面限制已进入掩模孔242的电子零件C的上下移动。

并且，如图14的(C)所示，通过利用引导机构282，移动体283向滑槽220的上方移动后下降，从而使吸附板284a下降，接近滑槽220的分区225。如此一来，吸附板284a利用磁力吸附保持分区225中的电子零件C。此时，已进入滑槽孔222的电子零件C也欲被吸附于吸附板284a，但由于已进入掩模孔242的电子零件C如上所述那样上下方向的移动受到限制，因此未被吸附。吸附保持于吸附板284a的电子零件C与所述同样地返回容器211。如此，从滑槽220去除多余的电子零件C。

其次，如图14的(D)所示，通过推进器261的载置台261a下降，从而载置有掩模240的承受台250下降，在旋转台292的保持孔292a保持承受台250(参照图11的(B))。由此，电子零件C插入至掩模孔242的掩模240留在承受台250上。而且，如图14的(E)所示，通过利用驱动部510使升降构件520下降，而作为将掩模240与承受台250的支撑部252相接的下降位置。由此，成为电子零件C的电极形成区域R露出掩模孔242的状态。进而，如图14的(F)所示，推进器261通过下降，而从承受台250及旋转台292撤离。随后的动作与所述形态相同。

(3)而且，如图15的(A)至图15的(E)所示，也可由插入至承受台250与掩模240之间的间隔件构成间隔调整部600。所述间隔调整部600通过作业人员的手动操作或未图示的驱动机构，插入至承受台250与掩模240之间或从中排出。在间隔调整部600被插入的情况下，掩模240处于与滑槽220相接的上升位置，在间隔调整部600未插入的情况下，掩模240处于与承受台250的支撑部252相接的下降位置。

在间隔调整部600被插入的情况下，由于已进入掩模孔242的电子零件C的上表面和滑槽220的下表面成为同一水平面，因此成为在水平方向上电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，滑槽220可在水平方向上移动。此时，在承受台250的支撑部252与掩模240之间，与电子零件C的露出的电极形成区域R的高度相同的间隔Dv消失。另外，在图15的(A)至图15的(E)中，设定滑槽220的分区225为一个，但也可如所述形态那样具有多个分区225。即，在本发明中，滑槽220的分区225及与其对应的收容部210的分区211a、掩模240的分区245可为一个，也可为多个。

在此情况下，如图15的(A)所示，在掩模240处于上升位置的状态下，与所述同样地在滑槽220的分区225投入电子零件C，利用振动将电子零件C经由滑槽孔222插入至掩模孔242。

在此状态下，如图15的(B)所示，通过移动机构270使承受台250及掩模240沿X方向移动。所述移动距离Dx与所述相同。如此，通过使滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离，而利用已进入掩模孔242的电子零件C防止已进入滑槽孔222的电子零件C落下，并且由滑槽220的底面限制已进入掩模孔242的电子零件C的上下移动。

并且，如图15的(C)所示，通过利用引导机构282，移动体283向滑槽220的上方移动后下降，从而使吸附板284a下降，接近滑槽220的分区225。如此一来，吸附板284a利用磁力吸附保持分区225中的电子零件C。此时，已进入滑槽孔222的电子零件C也吸附保持于吸附板284a，但由于已进入掩模孔242的电子零件C如上所述那样移动受到限制，因此未被吸附。保持于吸附板284a的电子零件C与所述同样地返回容器211。

其次，如图15的(D)所示，通过推进器261的载置台261a下降，从而载置有掩模240的承受台250下降，在旋转台292的保持孔292a保持承受台250(参照图11的(B))。由此，电子零件C插入至掩模孔242的掩模240留在承受台250上。进而，推进器261通过下降，而从承受台250及旋转台292撤离。

并且，如图15的(E)所示，通过取下间隔调整部600，而作为将掩模240与承受台250的支撑部252相接的下降位置。由此，成为电子零件C的电极形成区域R露出掩模孔242的状态。随后的动作与所述形态相同。

此种图15的(A)至图15的(E)的变形例中，在将电子零件C插入至掩模孔242时，电子零件C也不会突出至滑槽孔222。因此，成为在水平方向上电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，因此无须进行降低电子零件C的动作便能够使滑槽220与掩模240错开，从而能够缩短节拍时间。

(4)进而，如图16的(A)至图16的(D)所示，掩模孔242的两端可以扩大。例如，在掩模孔242的两端设置以成为阶梯状阶差的方式扩大的扩大部242a。另外，扩大部242a可设为倾斜的锥面，但由于是微小的孔，因此利用蚀刻形成阶差较为容易。掩模孔242的轴Axm方向的长度与电子零件C的轴Axc方向的长度相同。

在此情况下，如图16的(A)所示，与所述同样地，在滑槽220的分区225投入电子零件C，利用振动将电子零件C经由滑槽孔222插入至掩模孔242。此时，已进入掩模孔242的电子零件C的上表面和滑槽220的下表面成为同一水平面，因此成为电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，滑槽220可在水平方向上移动。

在此状态下，如图16的(B)所示，通过移动机构270使承受台250及掩模240沿X方向移动。所述移动距离Dx与所述相同。如此，通过使滑槽孔222的轴Axs与掩模孔242的轴Axm偏离，而利用已进入掩模孔242的电子零件C防止已进入滑槽孔222的电子零件C落下，并且由滑槽220的底面限制已进入掩模孔242的电子零件C的上下移动。

并且，如图16的(C)所示，通过利用引导机构282，移动体283向滑槽220的上方移动后下降，从而使吸附板284a下降，接近滑槽220的分区225。如此一来，吸附板284a利用磁力吸附保持分区225中的电子零件C。此时，已进入滑槽孔222的电子零件C也吸附保持于吸附板284a，但由于已进入掩模孔242的电子零件C如上所述那样上下方向的移动受到限制，因此未被吸附。保持于吸附板284a的电子零件C与所述同样地返回容器211而被去除。

其次，如图16的(D)所示，通过推进器261的载置台261a下降，从而载置有掩模240的承受台250下降，在旋转台292的保持孔292a保持承受台250(参照图11的(B))。由此，电子零件C插入至掩模孔242的掩模240留在承受台250上。进而，推进器261通过下降，而从承受台250及旋转台292撤离。由此，电子零件C的电极形成区域R成为在扩大部242a内露出的状态。随后的动作与所述形态相同。另外，电极形成区域R由于在扩大部252a露出，因此可以成膜。

此种图16的(A)至图16的(D)的变形例中，在将电子零件C插入至掩模孔242时，电子零件C也不会突出至滑槽孔222。因此，成为在水平方向上电子零件C的上端不干涉滑槽220的状态，因此无须进行降低电子零件C的动作便能够使滑槽220与掩模240错开，从而能够缩短节拍时间。而且，由于结构简单，因此能够将装置成本抑制得廉价。

(5)吸附力赋予部285的磁性构件285a在所述形态中设为永久磁铁，但也可以使用电磁铁。在此情况下，无需设置使磁性构件285a相接/分离的机构，可通过电流的通断切换由磁力带来的吸附力的有无。而且，磁性构件285a也可为电磁铁，也可将磁性构件285a与使其相接/分离的机构加以组合。即便在此情况下，也能够通过使磁性构件285a相接/分离的机构来切实地阻断磁力的影响，从而即便是小而轻量的电子零件C，也能够切实地从吸附保持予以解放。

吸附部也可具有通过负压抽吸保持电子零件C的抽吸口与对抽吸口供给负压的抽吸配管。此时，将吸附力赋予部作为通过负压赋予抽吸力的负压产生回路连接于抽吸配管。由此，即便是难以通过磁力来吸附的材料或形状的电子零件C，也能够通过负压来吸附保持，并通过停止负压来解除吸附而供给电子零件C。抽吸口的开口面积设为电子零件C的最小的面的面积以下。抽吸口既可设为形成于吸附板的许多孔，也可利用具有通气性的多孔质材料来覆盖抽吸口。由此，能够减小抽吸口而抑制电子零件C被吸入至抽吸配管内的现象。

(6)作为成膜处理部3，并不限定于利用溅镀进行成膜的装置。可以是通过在从掩模240的掩模孔242露出的电极形成区域R涂布导电性材料而形成电极E的装置，也可以是通过将电极形成区域R浸渍于导电性材料而形成电极E的装置。

滑槽220的分区225只要为至少一个即可。即，既可为一个，也可为多个。掩模240的分区245、收容部210的分区211a只要为至少一个即可。即，既可为一个，也可为多个。

(7)承受台250也可不具有支撑部252，成为平坦的面。而且，掩模240也可仅在板体241不具有梁部244，成为平坦的面。承受台250及掩模240即便固定，也可以一体地形成。限制部253既可为所述的销之类的构件，也可为包围掩模240的壁。

(8)电极形成区域R只要是在电子零件C的外侧表面与内部电极En电连接的区域，是电子零件C的至少一端的区域即可。例如，电极形成区域R可以是电子零件C的轴Axc方向的两端或仅一端的区域。即，成膜处理部3只要能对电子零件C的至少一端进行成膜即可。

而且，电极形成区域R只要是电子零件C的一部分区域即可，例如，可以是包含电子零件C的轴Axc方向的面F的箱状区域，也可仅为电子零件C的轴Axc方向的面F(参照图1的(A)至图1的(C))。即，掩模孔242只要能覆盖电子零件C的一部分即可，尤其包含覆盖电子零件C的侧面(沿着轴Axc的面)的一部分或全部的形态。在掩模孔242覆盖电子零件C的侧面的全部的情况下，电子零件C以仅露出与轴Axc正交的方向的面F的状态，保持于掩模孔242。

[其他实施方式]

以上，对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但此实施方式及各部的变形例是作为一例而提出的，并不意图限定发明的范围。所述这些新颖实施方式可通过其他各种形态实施，在不脱离发明主旨的范围内，可进行各种省略、置换、组合、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及主旨，并且包含于权利要求中所记载的发明。

Claims (8)

1.一种供给装置，具有：

滑槽，具有电子零件能够逐个通过的多个滑槽孔，所述电子零件具有一端与另一端；

掩模，具有与所述滑槽重叠，且供所述电子零件经由所述滑槽孔插入，覆盖所述电子零件的一部分的掩模孔；

承受台，保持所述掩模，与插入至所述掩模孔的所述电子零件的一端相接；

移动机构，在插入至所述掩模孔的所述电子零件的另一端不干涉所述滑槽的状态下，以所述滑槽孔的轴与所述掩模孔的轴偏离的方式，使所述滑槽与所述掩模相对移动；以及

去除机构，在所述滑槽孔的轴与所述掩模孔的轴偏离的状态下，将插入至所述掩模孔的所述电子零件以外的所述电子零件从所述滑槽去除。

2.根据权利要求1所述的供给装置，具有：间隔调整部，通过调整所述滑槽及所述掩模的相互相向的面的间隔，而设为所述电子零件的另一端不干涉所述滑槽的状态。

3.根据权利要求2所述的供给装置，其中，通过所述间隔调整部沿所述滑槽孔的轴方向相对移动时的所述滑槽及所述掩模的间隔为插入至所述掩模孔的所述电子零件的电极形成区域的轴方向的长度以上且所述电子零件的轴方向的长度以下。

4.根据权利要求1所述的供给装置，其中，所述掩模孔的两端扩大。

5.根据权利要求1所述的供给装置，其中所述去除机构具有吸附保持所述电子零件的吸附部。

6.根据权利要求5所述的供给装置，其中所述吸附部具有：

吸附板，吸附所述电子零件；以及

吸附力赋予部，对所述吸附板赋予吸附力，

所述吸附力赋予部具有磁性构件与相接/分离机构，所述相接/分离机构通过使所述磁性构件与所述吸附板相对移动来进行所述电子零件的吸附以及吸附解除。

7.根据权利要求1所述的供给装置，具有收容多个所述电子零件的收容部，

所述去除机构具有在所述收容部与所述滑槽之间移载所述电子零件的引导机构。

8.一种成膜装置，包括：

如权利要求1至7中任一项所述的供给装置；以及

成膜处理部，对所述电子零件进行成膜。

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