CN116137933A - 具有多个发光单元的发光二极管 - Google Patents

具有多个发光单元的发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括覆盖发光单元之间的区域的反射金属层，该反射金属层布置于将相邻的发光单元电连接的连接部之间，并与凸起垫电绝缘。

Description

具有多个发光单元的发光二极管
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，更详细而言，涉及一种具有多个发光单元的发光二极管。
背景技术
通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型的能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、汽车前照灯、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。
通常，发光二极管经过封装工序而以封装形态使用。然而，最近对于发光二极管正在进行关于在芯片级别执行封装工序的芯片级(chip scale)封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工序，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及费用。芯片级封装形态的发光二极管大致可以具有倒装芯片形状的电极结构，并且可以利用凸起垫进行散热，因此散热特性良好。尤其，倒装芯片形状的电极结构通过利用反射金属层来反射光，从而提高了光效率。
另外，正在开发将多个发光单元串联连接的发光二极管。这样的发光二极管可以在高电压低电流条件下使一个发光二极管进行操作，从而能够缓解发光二极管的衰减(droop)现象。
但是，由于采用多个发光单元，因而需要在发光单元之间的区域也能够反射光的反射结构。
此外，在多个发光单元串联连接的情况下，凸起垫电连接于一个发光单元，因此在未与凸起垫电连接的发光单元中通过凸起垫的散热可能受到限制。为了改善发光二极管的散热特性，可以经多个发光单元形成凸起垫，但是在凸起垫与发光单元的电极之间可能发生较高的电位差，从而会导致由绝缘击穿或电短路而引起的元件不良。
进而，为了将多个发光单元串联连接，凸起垫与串联连接的发光单元的两侧末端电连接。发光二极管的电特性通常在将探针(probe)连接于凸起垫之后进行测量。为了让探针可靠地接触，探针被加压于凸起垫，据此，凸起垫可能发生损伤。进而，在凸起垫下方的绝缘层可能发生损伤，因此，在凸起垫与布置于其下方的导电性金属层之间可能会诱发电短路。这种电短路会导致发光二极管的故障。
此外，在由于导电性金属层上产生诸如颗粒之类的污染物质等原因而使绝缘层受损的情况下，凸起垫通过绝缘层而与导电性金属层发生电短路，从而可能导致发光二极管的故障。
因此，需要一种在具有较高的光效率的同时能够安全地测量电特性，并且即使在高驱动电压下也能够安全地进行操作的新结构的发光二极管。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于提供一种在具有串联连接的多个发光单元的同时具有较高的可靠性的发光二极管。
本发明所要解决的又一课题在于提供一种提高通过凸起垫的散热性能的芯片级封装形态的倒装芯片结构的发光二极管。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光二极管包括：发光单元，所述发光单元中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，并沿行列排列；欧姆反射层，与各个发光单元的第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及所述欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于将相邻的发光单元电串联来形成发光单元的串联阵列；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；第三垫金属层，布置于所述下部绝缘层上，并与所述连接部、所述第一垫金属层及所述第二垫金属层隔开；上部绝缘层，覆盖所述连接部及所述第一垫金属层、所述第二垫金属层、所述第三垫金属层，并且具有分别使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；以及第一凸起垫及第二凸起垫，分别连接于借由所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，所述第三垫金属层分别覆盖相邻的发光单元之间的单元分离区域，并且位于将相邻的发光单元电连接的连接部之间。
根据本发明的又一实施例的发光二极管包括：多个发光单元，布置于一个行内；欧姆反射层，布置于所述发光单元上；连接部，将彼此相邻的发光单元电连接；凸起垫，电连接于所述发光单元中的一个；以及反射金属层，部分地覆盖彼此相邻的发光单元之间的区域，其中，所述连接部沿着所述发光单元的两侧边缘而排列，所述反射金属层与所述凸起垫电绝缘，并且位于布置在所述发光单元的两侧的连接部之间。
发明效果
根据本发明的实施例，通过在连接部之间布置第三垫金属层，从而可以在发光单元之间的区域反射光来改善发光二极管的光效率，此外，通过使第三垫金属层电浮置，从而能够提高发光二极管的电可靠性。
通过详细说明，本发明的其他优点及效果将更加明确。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图2a是沿图1的截取线A-A'截取的示意性的剖视图。
图2b是沿图1的截取线B-B'截取的示意性的剖视图。
图2c是沿图1的截取线C-C'截取的示意性的剖视图。
图2d是沿图1的截取线D-D'截取的示意性的剖视图。
图3是图1的发光二极管的示意性的电路图。
图4a、图5a、图6a、图7a及图8a是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的制造方法的示意性的平面图。
图4b、图5b、图6b、图7b及图8b分别是沿图4a、图5a、图6a、图7a及图8a的截取线A-A'截取的示意性的剖视图。
图9是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图10a是沿图9的截取线E-E'截取的示意性的剖视图。
图10b是沿图9的截取线F-F'截取的示意性的剖视图。
图11是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图12a是沿图11的截取线G-G'截取的示意性的剖视图。
图12b是沿图11的截取线H-H'截取的示意性的剖视图。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图14是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图15是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
最佳实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了将本发明的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不局限于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。并且，在附图中，会为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载为某个构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分“直接”布置于其他部分的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间插入有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
根据本发明的一实施例的发光二极管包括：发光单元，所述发光单元中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，并沿行列排列；欧姆反射层，与各个所述发光单元的第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及所述欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于将相邻的发光单元电串联来形成发光单元的串联阵列；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；第三垫金属层，布置于所述下部绝缘层上，并与所述连接部、所述第一垫金属层及所述第二垫金属层隔开；上部绝缘层，覆盖所述连接部及所述第一垫金属层、所述第二垫金属层、所述第三垫金属层，并且具有分别使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；以及第一凸起垫及第二凸起垫，分别连接于借由所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，所述第三垫金属层分别覆盖相邻的发光单元之间的单元分离区域，并且位于将相邻的发光单元电连接的连接部之间。
所述第三垫金属层可以从所述第一凸起垫及所述第二凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第一凸起垫及所述第二凸起垫重叠。
进而，所述第三垫金属层可以与所述相邻的发光单元上部的欧姆反射层部分重叠。
所述发光二极管还可以包括：第三凸起垫，分别布置于除了所述第一发光单元及所述最后一个发光单元之外的其他发光单元上。
所述第三垫金属层可以从所述第三凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第三凸起垫重叠。
在一实施例中，所述第三垫金属层可以分别经一个行内的所有发光单元而布置，所述第三凸起垫可以分别与所述第三垫金属层中的一个重叠。
在一实施例中，所述第三凸起垫可以与所述第三垫金属层电绝缘。在另一实施例中，所述第三凸起垫可以连接于所述第三垫金属层。
所述第三垫金属层可以分别经一个行内的所有发光单元而布置，所述第一凸起垫及第二凸起垫可以分别经一个行内的所有发光单元而布置。
所述第一凸起垫及所述第二凸起垫可以分别与所述第三垫金属层重叠，在所述最后一个发光单元上部的所述第一凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域可以小于在相邻的另一个发光单元上部的所述第一凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域，在所述第一发光单元上部的所述第二凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域可以小于在相邻的另一个发光单元上部的所述第二凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域。
所述第一垫金属层可以限定在所述最后一个发光单元的上部区域内而布置，所述第二垫金属层可以限定在所述第一发光单元的上部区域内而布置。
所述发光单元可以包括布置于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面可以包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，所述第一垫金属层可以覆盖所述最后一个发光单元的台面的侧面的一部分。
在一实施例中，所述第二垫金属层可以布置于所述第一发光单元上的欧姆反射层的上部区域内。
在另一实施例中，所述第二垫金属层可以覆盖所述第一发光单元的台面的侧面的一部分。
在所述发光单元中的在一个行内彼此相邻的发光单元可以借由布置于各个发光单元的两侧边缘附近的两个连接部而彼此电连接。
彼此不同的行内的发光单元可以借由一个连接部而彼此电连接。
使所述欧姆接触层暴露的所述下部绝缘层的开口部与使所述第二垫金属层暴露的所述上部绝缘层的开口部可以在横方向上隔开而彼此不重叠。
根据本发明的又一实施例的发光二极管包括：多个发光单元，布置于一个行内；欧姆反射层，布置于所述发光单元上；连接部，将彼此相邻的发光单元电连接；凸起垫，电连接于所述发光单元中的一个；以及反射金属层，部分地覆盖彼此相邻的发光单元之间的区域，其中，所述连接部沿着所述发光单元的两侧边缘而排列，所述反射金属层与所述凸起垫电绝缘，并且位于布置在所述发光单元的两侧的连接部之间。
所述反射金属层可以与彼此相邻的发光单元上的欧姆反射层部分重叠。
在一实施例中，所述反射金属层可以从所述凸起垫沿横向方向隔开而不与所述凸起垫重叠。
在另一实施例中，所述反射金属层可以与所述凸起垫重叠，在电连接有所述凸起垫的发光单元上的所述凸起垫与所述反射金属层重叠的区域可以小于在另一个发光单元上的所述凸起垫与所述反射金属层重叠的区域。
以下，参照附图对本发明的实施例进行具体说明。
图1是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性的平面图，图2a是沿图1的截取线A-A'截取的示意性的剖视图，图2b是沿图1的截取线B-B'截取的示意性的剖视图，图2c是沿图1的截取线C-C'截取的示意性的剖视图，图2d是沿图1的截取线D-D'截取的示意性的剖视图。
参照图1、图2a、图2b、图2c以及图2d，所述发光二极管包括基板21、多个发光单元C1、C2、C3、C4、C4、C6、欧姆反射层31、下部绝缘层33、第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c、连接部35ab、上部绝缘层37、第一凸起垫39a、第二凸起垫39b以及虚设凸起39c。发光单元C1～C6中的每一个包括第一导电型半导体层23、活性层25及第二导电型半导体层27。
基板21只要是能够使氮化镓系半导体层生长的基板不受特别的限制。作为基板21的示例可以有蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板等多种基板，并且可以是图案化的蓝宝石基板。如图1所示的平面图，基板21可以具有矩形或正方形的外形，然而并不一定限定于此。基板21的尺寸不受特别的限制，可以进行多样的选择。
多个发光单元C1～C6在基板21上彼此隔开而布置。发光单元C1～C6可以排列为矩阵形状。虽然在本实施例中图示了六个发光单元C1～C6，但是发光单元的数量可以进行调节。
发光单元C1～C6中的每一个包括第一导电型半导体层23。第一导电型半导体层23布置于基板21上。第一导电型半导体层23作为在基板21上生长的层，可以是掺杂有杂质(例如，Si)的氮化镓系半导体层。
在第一导电型半导体层23上布置有活性层25及第二导电型半导体层27。活性层25布置于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。活性层25及第二导电型半导体层27可以具有小于第一导电型半导体层23的面积。活性层25及第二导电型半导体层27可以通过台面蚀刻而以台面形态位于第一导电型半导体层23上。
在发光单元C1～C6的边缘中的与基板21的边缘相邻的边缘处，第一导电型半导体层23的边缘与台面(例如，活性层25及第二导电型半导体层27)的边缘部位可以彼此隔开。即，第一导电型半导体层23的上表面的一部分暴露于台面的外部。活性层25相比于第一导电型半导体层23与基板21的边缘隔开得更远，因此能够防止活性层25在利用激光进行的基板分离工序中受损。进而，在暴露于台面的外部的第一导电型半导体层23可以形成有后述的接触区域。
发光单元C1～C6中的每一个的发光面积可以实质上相同。尤其，发光单元C1～C6可以具有彼此大致相似的形状。因此，发光单元C1～C6可以在彼此实质上相同的电流密度下驱动。然而，本发明并不局限于此，发光单元C1～C6可以具有彼此不同的发光面积，也可以具有彼此不同的形状。
活性层25可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。活性层25内的阱层的组成及厚度决定所生成的光的波长。尤其，通过调节阱层的组成可以提供生成紫外线、蓝色光或绿色光的活性层。
第二导电型半导体层27可以是掺杂有p型杂质(例如，Mg)的氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23及第二导电型半导体层27可以分别为单层，然而并不局限于此，也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。第一导电型半导体层23、活性层25及第二导电型半导体层27可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD：Metal organic Chemical VaporDeposition)或分子束外延(MBE：Molecular beam epitaxy)等公知方法在腔室内生长在基板21上而形成。
欧姆反射层31布置于第二导电型半导体层27上，并且电连接于第二导电型半导体层27。欧姆反射层31可以在第二导电型半导体层27的上部区域遍布第二导电型半导体层27的几乎全部区域而布置。例如，欧姆反射层31可以覆盖第二导电型半导体层27上部区域的80％以上，进而可以覆盖90％以上。欧姆反射层31的边缘可以相对于第二导电型半导体层27的边缘布置于单元区域的内侧。
欧姆反射层31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以将在活性层25生成而向欧姆反射层31行进的光向基板21侧反射。例如，欧姆反射层31可以形成为单一反射金属层，然而并不局限于此，也可以包括欧姆层及反射层。作为欧姆层可以使用诸如Ni之类的金属层或诸如ITO之类的透明氧化物层，并且作为反射层可以使用诸如Ag或Al之类的反射率高的金属层。
下部绝缘层33覆盖发光单元C1～C6及欧姆反射层31。下部绝缘层33不仅可以覆盖发光单元C1～C6的上表面，还可以沿发光单元C1～C6周围而覆盖发光单元C1～C6的侧面，并且可以局部地覆盖发光单元C1～C6周围的基板21。尤其，下部绝缘层33覆盖发光单元C1～C6之间的单元分离区域。
另外，下部绝缘层33具有使第一导电型半导体层暴露的第一开口部33a以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。第一开口部33a使在发光单元C1～C6中的每一个的两侧暴露于台面周围的第一导电型半导体层暴露。
第二开口部33b位于欧姆反射层31上。如图1所示，除了第一发光单元C1之外的剩余的发光单元C2～C6上的第二开口部33b在各个发光单元的两侧与第一开口部33a相邻并形成在台面上部。尤其，除了第一发光单元C1之外的剩余的发光单元C2～C6上的第二开口部33b可以布置于相邻的发光单元上的第一开口部33a附近。另外，第一发光单元C1上的第二开口部33b可以布置于第一发光单元C1上的第一开口部33a之间。第二开口部33b的位置及形状可以为了发光单元C1～C6的布置及电连接而进行多种变形。
第一开口部33a可以具有相比于第二开口部33a相对较长的形状，各个发光单元上的第一开口部33a可以彼此平行。第一开口部33a可以具有彼此大致相同的尺寸。除了第一发光单元C1之外的剩余的发光单元C2～C6上的第二开口部33b也可以具有彼此大致相同的尺寸。
下部绝缘层33可以形成为SiO2或Si3N4的单层，然而并不局限于此。例如，下部绝缘层33可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括将在SiO2膜、TiO2膜、ZrO2膜、MgF2膜或Nb2O5膜等中折射率互不相同的层交替堆叠的分布式布拉格反射器。并且，下部绝缘层33的所有部分可以是相同的堆叠结构，然而并不局限于此，可以使特定部分相比于其他部分具有更多的叠层。尤其，欧姆反射层31周围的下部绝缘层33也可以相比于欧姆反射层31上部的下部绝缘层33更厚。
第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab布置于所述下部绝缘层33上。第二垫金属层35b位于第一发光单元C1上部，第一垫金属层35b位于最后一个发光单元(即，第六发光单元C6)上部。另外，连接部35ab横跨相邻的两个发光单元上部而布置，并且串联电连接发光单元C1～C6。据此，如图3所示，图1的六个发光单元C1～C6通过连接部35ab串联连接而形成串联阵列。在此，第一发光单元C1位于串联阵列的首端，作为最后一个发光单元的第六发光单元C6位于串联阵列的末端。
再次参照图1，第一垫金属层35a可以布置于最后一个发光单元C6的上部。尤其，第一垫金属层35a可以限定在最后一个发光单元C6的第一导电型半导体层23的上部区域内而设置。第一垫金属层35a也通过下部绝缘层33的第一开口部33a而与最后一个发光单元C6的第一导电型半导体层23电连接。第一垫金属层35a可以通过第一开口部33a直接接触于第一导电型半导体层23。
在第一垫金属层35a延伸至相邻的发光单元(例如，第五发光单元C5的上部区域)且进一步延伸至第四发光单元C4的上部区域的情况下，当进行高电压驱动时，在第四发光单元及第五发光单元的欧姆反射层31与第一垫金属层35a之间被施加高电压，据此，下部绝缘层33可能被绝缘击穿，此外，可能通过针孔等缺陷而引发电短路。因此，第一垫金属层35a被限定在第六发光单元C6区域内提高了发光二极管的可靠性。
此外，第二垫金属层35b可以限定在第一发光单元C1的上部区域内且进一步限定在第一发光单元C1的第二导电型半导体层27的上部区域内而设置。第二垫金属层35b通过下部绝缘层33的第二开口部33b而与第一发光单元C1上的欧姆反射层31电连接。第二垫金属层35b可以通过第二开口部33b而与欧姆反射层31直接接触。在本实施例中，虽然图示了两个第二垫金属层35b彼此隔开而分别通过第二开口部33b与欧姆反射层31连接的情形，但并非必须限定于此。
在第二垫金属层35b延伸至相邻的发光单元(例如，第二发光单元C2的上部区域)且进一步延伸至第三发光单元C3的上部区域的情况下，当进行高电压驱动时，在第二发光单元及第三发光单元的欧姆反射层31与第二垫金属层35b之间被施加高电压，据此，下部绝缘层33可能被绝缘击穿，此外，可能通过针孔等缺陷而引发电短路。因此，第二垫金属层35b限定在第一发光单元C1区域内提高了发光二极管的可靠性。
另外，连接部35ab使相邻的发光单元电连接。各个连接部35ab与一个发光单元的第一导电型半导体层23电连接的同时，与相邻的发光单元的欧姆反射层31，从而与第二导电型半导体层27电连接，以串联连接这些发光单元。具体而言，连接部35ab可以分别与通过下部绝缘层33的第一开口部33a暴露的第一导电型半导体层23电连接，并且可以与通过第二开口部33b暴露的欧姆反射层31电连接。进而，连接部35ab还可以与第一导电型半导体层23及欧姆反射层31直接接触。
在一个行内相邻的发光单元可以借由两个连接部35ab而彼此电连接。两个连接部35ab可以布置于发光单元的两侧，并且可以分别覆盖相邻的第一开口部33a和第二开口部33b。连接部35ab可以相对于横穿排列在一个行的发光单元C1～C3或者C4～C6的中央的面以对称的方式进行排列。通过利用两个连接部35ab而将相邻的发光单元电连接，从而可以提高电连接的可靠性，进而，可以改善电流分散性能。
另外，行与行之间的电连接可以借由一个连接部35ab来执行。例如，第三发光单元C3和第四发光单元C4可以借由一个连接部35ab而彼此连接。
与第一垫金属层53a、第二垫金属层53b以及连接部53ab不同，第三垫金属层53c借由所述下部绝缘层33而与发光单元C1～C6以及欧姆反射层31绝缘。此外，第三垫金属层与第一垫金属层53a、第二垫金属层53b以及连接部53ab隔开。第三垫金属层53c电浮置。即，第三垫金属层53c与发光二极管100内的导电要素绝缘。
第三垫金属层53c布置于相邻的发光单元之间。第三垫金属层53c位于将相邻的发光单元电连接的两个连接部53ab之间，并且覆盖相邻的发光单元之间的单元分离区域。第三垫金属层53c可以部分地覆盖相邻的发光单元上的欧姆反射层31。第三垫金属层53c可以沿单元分离区域具有较长的形状。例如，第三垫金属层53c可以具有超过相邻的发光单元之间的分离区域的长度的1/2的长度。在本实施例中，虽然图示及说明了第三垫金属层53c布置于在各行内相邻的发光单元之间的情形，但是也可以布置于在相邻的行之间相邻的发光单元之间。
第三垫金属层53c反射向相邻的发光单元之间的区域发出的光，从而改善发光二极管的光效率。进而，通过使第三垫金属层53c电浮置，可以解决由于采用第三垫金属层53c而可能发生的电短路问题。
第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab可以在形成下部绝缘层33之后在同一个工序中利用同一种材料而一起形成，因此可以位于相同的水平位置。但是本发明并非必须限定于此，第三垫金属层53c也可以利用与第一垫金属层53a、第二垫金属层53b或者连接部35ab不同的材料通过不同的工序而形成。此外，虽然并非必须限定于此，但是第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab中的每一个可以包括位于下部绝缘层33上的部分。尤其，第三垫金属层35c全部位于下部绝缘层33上而与发光单元及欧姆反射层31隔开。
另外，第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab可以包括诸如Al、Ag、Au、Pt、Ni等的反射层，并且反射层可以在Ti、Cr或Ni等的粘结层上形成。此外，在所述反射层上可以形成有Ni、Cr、Au等的单层或复合层结构的保护层。
上部绝缘层37覆盖第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab。此外，上部绝缘层37可以沿发光单元C1～C6周围覆盖下部绝缘层33。
上部绝缘层37具有使第一垫金属层35a暴露的第一开口部37a以及使第二垫金属层35b暴露的第二开口部37b。第一开口部37a及第二开口部37b分别布置于最后一个发光单元C6及第一发光单元C1的上部区域。除了第一开口部37a及第二开口部37b，发光单元C1～C6的其他区域可以全部被上部绝缘层37覆盖。因此，连接部35ab及第三垫金属层35c的上表面及侧面可以全部被上部绝缘层37覆盖而被密封。
另外，在一实施例中，如图1所示，上部绝缘层37的第二开口部37b可以与下部绝缘层33的第二开口部33b不重叠地沿横向方向隔开而布置。据此，即使焊料通过上部绝缘层37的第二开口部37b渗透，也能够防止焊料向下部绝缘层33的第二开口部33b扩散，从而能够防止焊料污染欧姆反射层31。然而，本发明并不局限于此，也可以布置成上部绝缘层37的第二开口部37b与下部绝缘层33的第二开口部33b重叠。
上部绝缘层37可以形成为SiO2或Si3N4的单层，然而并不限于此。例如，上部绝缘层37可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括将在SiO2膜、TiO2膜、ZrO2膜、MgF2膜或Nb2O5膜等折射率彼此不同的层交替堆叠的分布式布拉格反射器。第一凸起垫39a、第二凸起垫39b及第三凸起垫39c布置于上部绝缘层37上。第一凸起垫39a布置于最后的发光单元(即，第六发光单元C6)上，第二凸起垫39b布置于第一发光单元C1上，第三凸起垫39c分别布置于中间发光单元(例如，第二发光单元C2至第五发光单元C5)上。
第一凸起垫39a可以与通过上部绝缘层37的第一开口部37a暴露的第一垫金属层35a电连接。第一凸起垫39a可以将上部绝缘层37的第一开口部37a全部覆盖而进行密封。此外，从第三垫金属层35c沿横向方向隔开，以便不与第三垫金属层35c重叠。进而，第一凸起垫39a可以从连接部35ab沿横向方向隔开。
第二凸起垫39b与通过第二开口部37b暴露的第二垫金属层35b电连接。第二凸起垫39b可以将上部绝缘层37的第二开口部37b全部覆盖而进行密封。第二凸起垫39b布置于第一发光单元C1的上部区域内，并且从第三垫金属层35c沿横向方向隔开，以便不与第三垫金属层35c重叠。进而，第二凸起垫39b可以从连接部35ab沿横向方向隔开。
第一凸起垫39a及第二凸起垫39b作为将发光二极管安装于基座或印刷电路基板等时焊接的部分，利用适合焊接的材料形成。例如，第一凸起垫39a及第二凸起垫39b可以包括Au层或AuSn层。
为了发光二极管的稳定的安装，第三凸起垫39c可以布置于第二发光单元C2至第五发光单元C5上。进而，第三凸起垫39c可以释放在第二发光单元C2至第五发光单元C5生成的热。第三凸起垫39c可以与第一凸起垫39a及第二凸起垫39b一起利用相同的材料形成。
第三凸起垫39c可以与第一凸起垫39a及第二凸起垫39b电绝缘。第三凸起垫39c可以分别布置于第二发光单元C2至第五发光单元C5的上部区域内，并且可以从第三垫金属层35c沿横向方向隔开。进而，第三凸起垫39c可以从连接部35ab沿横向方向隔开，以便不与连接部35ab重叠。因此，可以防止第三凸起垫39c与连接部35ab的电短路。
根据本实施例，通过采用对电连接没有贡献的第三垫金属层53c可以提供在不发生电短路的同时改善光效率的发光二极管。进而，通过使第一凸起垫39a及第二凸起垫39b从连接部35ab及第三垫金属层35c沿横向方向隔开而进一步提高电可靠性。
此外，可以通过在第二发光单元C2至第五发光单元C5上布置第三凸起垫39c而利用第三凸起垫39c释放在发光单元C2～C5生成的热，从而可以提高发光二极管100的散热性能。
虽然，在本实施例中，对具有六个发光单元C1～C6的发光二极管100进行了说明，但是发光单元的数量可以更多，也可以更少。
以上已经详细说明了发光二极管的结构，并通过以下说明的发光二极管的制造方法将更加明确地理解发光二极管的结构。
图4a、图5a、图6a、图7a及图8a是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的制造方法的示意性的平面图，图4b、图5b、图6b、图7b及图8b分别是沿图4a、图5a、图6a、图7a及图8a的截取线A-A'截取的示意性的剖视图。
首先，参照图4a及图4b，在基板21上生长有包括第一导电型半导体层23、活性层25及第二导电型半导体层27的半导体堆叠体。所述基板21是能够使氮化镓系半导体层生长的基板，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓(GaN)基板、尖晶石基板等。尤其，所述基板可以是图案化的蓝宝石基板等图案化的基板。
例如，第一导电型半导体层23可以包括n型氮化镓系层，第二导电型半导体层27可以包括p型氮化镓系层。并且，活性层25可以是单量子阱结构或多量子阱结构，并且可以包括阱层及阻隔层。并且，阱层可以根据所要求的光的波长选择其组成元素，例如，可以包括AlGaN、GaN或InGaN。
接着，对半导体堆叠体进行图案化而形成多个发光单元C1～C6。例如，用于使第一导电型半导体层23的上表面暴露的台面形成工序及用于形成单元分离区域的单元分离工序可以利用光刻及蚀刻工序来执行。发光单元C1～C6可以借由单元分离区域而彼此隔开，并且可以在基板21上排列为矩阵形态。
借由台面蚀刻工序而使各个发光单元的第一导电型半导体层23的上表面暴露。第一导电型半导体层23的上表面可以沿着台面的周围而暴露。台面可以大致形成为T形状，以使第一导电型半导体层23在台面的两侧相对较宽地暴露。
另外，在各个发光单元C1～C6上形成有欧姆反射层31。例如，欧姆反射层31可以利用剥离技术而形成。欧姆反射层31可以形成为单层或多层，例如，可以包括欧姆层及反射层。例如，这些层可以利用电子束蒸发法而形成。也可以在形成欧姆反射层31之前，在将要形成欧姆反射层31的区域先形成具有开口部的预绝缘层(未图示)。
在本实施例中，虽然对在形成发光单元C1～C6之后形成欧姆反射层31的情形进行了说明，但是并不限于此。例如，也可以先形成欧姆反射层31，然后再形成发光单元C1～C6，此外，也可以在用于欧姆反射层31的金属层沉积于半导体堆叠体上之后，对金属层与半导体堆叠体一同进行图案化而使欧姆反射层31及发光单元C1～C6一同形成。
参照图5a及图5b，形成有覆盖欧姆反射层31及发光单元C1～C6的下部绝缘层33。下部绝缘层33可以利用化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)等技术并利用SiO2等的氧化膜、SiNx等的氮化膜、MgF2的绝缘膜形成。下部绝缘层33可以形成为单层，然而并不限于此，也可以形成为多层。进而，下部绝缘层33可以形成为低折射率物质层与高折射率物质层交替堆叠的分布式布拉格反射器(DBR：distributed Bragg reflector)。例如，可以通过堆叠SiO2/TiO2、SiO2/Nb2O5、SiO2/ZrO2、MgF2/TiO2等层来形成反射率高的绝缘反射层。以上说明的预绝缘层(未图示)可以与下部绝缘层33整合。因此，由于形成于欧姆反射层31周围的预绝缘层导致下部绝缘层33的厚度根据位置而不同。即，欧姆反射层31上的下部绝缘层33可以比欧姆反射层31周围的下部绝缘层33薄。
下部绝缘层33可以通过光刻及蚀刻工序被图案化，据此，可以形成使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部33a以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。第一开口部33a可以在台面周围使第一导电型半导体层23暴露，第二开口部33b可以在各个发光单元上使欧姆反射层31暴露。
参照图6a及图6b，在下部绝缘层33上形成第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab。
连接部35ab电连接第一发光单元C1至第六发光单元C6而形成发光单元C1～C6的串联阵列。第一发光单元C1位于串联阵列的首端，第六发光单元C6位于串联阵列的末端。
连接部35ab分别使一个发光单元的第一导电型半导体层23和与其相邻的发光单元的第二导电型半导体层27电连接。在一个行内相邻的发光单元(例如，第一发光单元C1至第三发光单元C3或者第四发光单元C4至第六发光单元C6)可以分别借由两个连接部35ab而彼此电连接。此外，相邻的行之间的相邻的发光单元(例如，第三发光单元C3和第四发光单元C4)可以借由一个连接部35ab而彼此电连接。
连接部35ab可以布置于发光单元C1～C6各自的两侧附近，并且为了连接相邻的发光单元而经过单元分离区域。连接部35ab可以通过下部绝缘层的第一开口部33a及第二开口部33b而与第一导电型半导体层23及欧姆反射层31电连接。
另外，第一垫金属层35a位于处于发光单元的串联阵列的末端的最后一个发光单元C6上，第二垫金属层35b位于处于首端的第一发光单元C1上。第一垫金属层35a可以限定在最后一个发光单元C6的第一导电型半导体层23的上部区域内而设置，第二垫金属层35b可以限定在第一发光单元C1的欧姆反射层31的上部区域内而设置。然而，本发明并不局限于此，第一垫金属层35a可以延伸至第一导电型半导体层23的侧面，进而也可以延伸至基板21的上表面。此外，第二垫金属层35b可以延伸至第一导电型半导体层23的上表面，进而，也可以延伸至基板21的上表面。
第一垫金属层35a在最后一个发光单元C6上通过下部绝缘层33的第一开口部33a而与第一导电型半导体层23电连接。第一垫金属层35a可以直接接触于第一导电型半导体层23。因此，第一垫金属层35a可以包括欧姆接触于第一导电型半导体层23的欧姆层。
另外，第二垫金属层35b在第一发光单元C1上通过下部绝缘层33的第二开口部33b而与欧姆反射层31电连接。第二垫金属层35b可以直接接触于欧姆反射层31。
第三垫金属层35c可以部分地覆盖相邻的发光单元之间的区域。第三垫金属层35c与第一垫金属层35a、第二垫金属层35b以及连接部35c电绝缘。第三垫金属层35c可以部分地覆盖布置于相邻的发光单元上的欧姆反射层31。
所述第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab可以利用同一种材料在同一工序中一起形成。例如，所述第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab可以包括Ti、Cr、Ni等作为粘结层，并且可以包括Al、Ag、Au、Pt作为金属反射层。进而，所述第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab还可以包括用于防止诸如Sn之类的金属元素扩散的扩散防止层以及用于防止扩散防止层被氧化的氧化防止层。例如，可以将Cr、Ti、Ni、Mo、TiW或W等作为扩散防止层而使用，并且可以将Au作为氧化防止层而使用。
在本实施例中，通过在同一工序中一同形成所述第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab，从而能够简化工艺。然而，本发明并不局限于此，也可以通过单独的工序将第三垫金属层35c形成于下部绝缘层33上。
参照图7a以及图7b，形成覆盖第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c以及连接部35ab的上部绝缘层37。上部绝缘层31可以具有使第一垫金属层35a暴露的开口部37a、使第二垫金属层35b暴露的开口部37b。所述开口部37a、37b可以分别限定在第一垫金属层35a及第二垫金属层35b的区域上部而布置。
在本实施例中，虽然图示了两个第一开口部37a，但并不局限于此，也可以使用一个或三个以上的开口部37a。此外，虽然图示了两个第二开口部37b，但是也可以形成一个或三个以上的开口部37b。
另外，上部绝缘层37的开口部37b可以在横方向上与下部绝缘层33的第二开口部33b隔开而布置。可以通过将上部绝缘层37的开口部37b与下部绝缘层33的第二开口部33b隔开而彼此不重叠而防止欧姆反射层31被焊料等造成污染。然而，本发明并不局限于此，下部绝缘层33的第二开口部33b与上部绝缘层37的开口部37b也可以彼此重叠。
上部绝缘层37可以利用氧化硅膜或氮化硅膜形成，进而也可以利用分布式布拉格反射器形成。
参照图8a及图8b，在上部绝缘层37上形成第一凸起垫39a、第二凸起垫39b及第三凸起垫39c。
第一凸起垫39a通过上部绝缘层37的开口部37a而与第一垫金属层35a电连接，第二凸起垫39b通过上部绝缘层37的开口部37b而与第二垫金属层35b电连接。
第一凸起垫39a可以限定在最后一个发光单元上(例如，第六发光单元C6)而布置。第一凸起垫39a可以与第一垫金属层35a部分重叠，并可以从连接部35ab以及第三垫金属层35c沿横向方向隔开，以便不与其重叠。
第二凸起垫39b可以限定在第一发光单元C1上而布置。第二凸起垫39b可以与第二垫金属层35b部分重叠，并可以从连接部35ab以及第三垫金属层35c沿横向方向隔开，以便不与其重叠。
第三凸起垫39c可以分别布置于第二发光单元C2至第五发光单元C5上。第三凸起垫39c与第一凸起垫39a及第二凸起垫39b隔开，并且，从第一垫金属层35a、第二垫金属层35b、第三垫金属层35c及连接部35ab沿横向方向隔开。
在形成第一凸起垫39a、第二凸起垫39b及第三凸起垫39c之后，可以通过磨削和/或研磨工序将基板21的下表面部分去除，以减小基板21厚度。接着，将基板21以单个芯片单位进行分割，从而提供彼此分离的发光二极管。所述基板21可以利用激光划线技术分离。
图9是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管200的示意性的平面图，图10a是沿图9的截取线E-E'截取的示意性的剖视图，图10b是沿图9的截取线F-F'截取的示意性的剖视图。
参照图9、图10a以及图10b，根据本实施例的发光二极管200与上述的实施例的发光二极管100大致相似，但在第三垫金属层135c的形状及布置位置与第三垫金属层35c的形状及布置位置上存储差异。
即，在一行内，一个第三垫金属层135c经多个发光单元而布置为较长的形状。第三垫金属层135c中的一个与上述的第三垫金属层35c相似地与第一发光单元C1的欧姆反射层31部分重叠，并延伸至第二发光单元C2及第三发光单元C3的上部区域。第三垫金属层135c中的另一个与第六发光单元C6的欧姆反射层31部分重叠，并延伸至第五发光单元C5及第四发光单元C4的上部区域。
第三垫金属层135c从第一凸起垫39a及第二凸起垫39b沿横向方向隔开，因此，防止与第一凸起垫39a及第二凸起垫39b发生电短路。
另外，由于第三凸起垫39c与第一凸起垫39a及第二凸起垫39b电隔离，因此即使与第三垫金属层135c发生电短路，也不会对发光二极管的驱动产生不利影响。
进而，可以通过将第三凸起垫39c布置于第三垫金属层135c上而更好地释放在发光单元C2～C5生成的热。尤其，第三垫金属层139c可以与布置于其上的第三凸起垫39c连接，据此可以进一步改善散热特性。
图11是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管300的示意性的平面图，图12a是沿图11的截取线G-G'截取的示意性的剖视图，图12b是沿图11的截取线H-H'截取的示意性的剖视图。
参照图11、图12a以及图12b，根据本实施例的发光二极管300与参照图9、图10a以及图10b说明的发光二极管200大致相似，但在省略第三凸起垫39c且第一凸起垫239a及第二凸起垫239b经多个发光单元而布置上存在差异。
第一凸起垫239a经第四发光单元C4、第五发光单元C5以及第六发光单元C6而布置，第二凸起垫239b经第一发光单元C1、第二发光单元C2以及第三发光单元C3而布置。第一凸起垫239a及第二凸起垫239b在各个发光单元上C1～C6与第三垫金属层135c重叠。但是，第二凸起垫239b在第一发光单元C1上与第三垫金属层135c重叠的区域小于在另一个发光单元C2、C3上重叠的区域。此外，第一凸起垫239a在第六发光单元C6上与第三垫金属层135c重叠的区域小于在另一个发光单元C4、C5上重叠的区域。因此，在第一凸起垫239a及第二凸起垫239b上利用探针测量电特性时，可以使探针接触于第一发光单元C1及第六发光单元C6上部，即使第一凸起垫239a及第二凸起垫239b受损，也可以防止第一凸起垫239a及第二凸起垫239b与第三垫金属层135c发生电短路。
图13是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管400的示意性的平面图。
参照图13，根据本实施例的发光二极管400与上述实施例的发光二极管100大致相似，但对第一垫电极35a、连接部35ab、台面等进行了变形。以下，对本实施例的发光二极管400中与发光二极管100实质上相同的构成要素省略说明，并详细说明不同之处。
在本实施例中，暴露于台面周围的第一导电型半导体层23的上表面位置受到限制。第一导电型半导体层23及第二导电型半导体层27的侧面可以与上述实施例的发光二极管100同样地倾斜。但是，除了布置有下部绝缘层33的第一开口部33a的第一导电型半导体层23的上表面部分之外，第二导电型半导体层27的侧面可以与第一导电型半导体层23的侧面平行。例如，在图13中，第二导电型半导体层27的左右侧面可以与第一导电型半导体层23的侧面平行。另外，第一导电型半导体层23的上表面在第二导电型半导体层27的上下侧面周围暴露。此外，如图13的第一发光单元C1所示，第二导电型半导体层27的上下侧面周围的第一导电型半导体层23的上表面也可以全部暴露，如图13的第二发光单元C2至第六发光单元C6所示，第二导电型半导体层27的上下侧面中的一部分可以与第一导电型半导体层23的侧面平行。
另外，第一垫金属层35a可以延伸至连接部35ab之间的区域。据此，第一垫金属层35a包括沿上下具有相对较窄的宽度的区域和具有相对较宽的宽度的区域。具有所述相对较窄的宽度的区域位于靠近相邻的发光单元C5的位置。此外，在具有相对较窄的宽度的区域的两侧可以布置有下部绝缘层33的第二开口部33b。
连接部35ab将相邻的发光单元的第一导电型半导体层23和第二导电型半导体层27电连接。连接部35ab可以将通过开口部33a、33b而暴露的第一导电型半导体层23和欧姆电极层31彼此电连接。如图13所示，连接第五发光单元C5和第六发光单元C6的连接部35ab的端部可以向第一垫金属层35a的具有相对较窄的宽度的区域的两侧延伸，从而可以通过第二开口部33b而与第一导电型半导体层23电连接。
连接部35ab经过相邻的发光单元之间的区域。在本实施例中，连接部35ab不具有预定的宽度，在发光单元之间的区域具有相对更宽的宽度。据此，可以防止连接部35ab的断线，从而提高发光二极管的电可靠性。
另外，在本实施例中，下部绝缘层33的第一开口部33a中的形成于第一发光单元C1上的第一开口部33a可以具有与形成于其他发光单元C2～C6上的第一开口部33a不同的形状。即，第一发光单元C1上的第一开口部33a可以形成为具有比第二发光单元C2至第六发光单元C6上的第一开口部33a相对较长的形状。据此，连接部35ab可以更长地连接于第一发光单元C1的第一导电型半导体层23，从而可以有助于第一发光单元C1内的电流扩展。
图14是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管500的示意性的平面图。
参照图14，根据本实施例的发光二极管500与参照图13说明的发光二极管400大致相似，但区别在于仅由两个发光单元C1、C2构成。因此，本实施例的发光单元C1、C2与将发光二极管400的第一发光单元C1和第六发光单元C6连接的情形相似。
图15是用于说明根据本发明的又一实施例的发光二极管600的示意性的平面图。
参照图15，根据本实施例的发光二极管600与参照图14说明的发光二极管500大致相似，但区别在于第二垫金属层135b的形状及布置位置。
第二垫金属层135b经两个发光单元C1、C2而布置。第二垫金属层135b与第一发光单元C1的欧姆反射层31部分重叠，并延伸至第二发光单元C2的上部区域。第二垫金属层135b覆盖第一发光单元C1及第二发光单元C2之间的区域而起到第三垫金属层35c的反射作用。因此，在本实施例中省略第三垫金属层35c。
第二垫金属层35c可以在第一发光单元C1及第二发光单元C2的边界部分具有相对较窄的宽度，以使在第一发光单元C1及第二发光单元C2的边界部分具有相对较宽的宽度。
以上，对本发明的多种实施例进行了说明，然而本发明并不限定于这些实施例。并且，在不脱离本发明的技术思想的限度内，对一个实施例说明的事项或构成要素也可以应用于其他实施例。

Claims (20)

1.一种发光二极管，包括：
发光单元，所述发光单元中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，并沿行列排列；
欧姆反射层，与各个发光单元的第二导电型半导体层欧姆接触；
下部绝缘层，覆盖所述发光单元及所述欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；
连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于将相邻的发光单元电串联来形成发光单元的串联阵列；
第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；
第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；
第三垫金属层，布置于所述下部绝缘层上，并与所述连接部、所述第一垫金属层及所述第二垫金属层隔开；
上部绝缘层，覆盖所述连接部及所述第一垫金属层、所述第二垫金属层、所述第三垫金属层，并且具有分别使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；以及
第一凸起垫及第二凸起垫，分别连接于借由所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，
其中，所述第三垫金属层分别覆盖相邻的发光单元之间的单元分离区域，并且位于将相邻的发光单元电连接的连接部之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述第三垫金属层从所述第一凸起垫及所述第二凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第一凸起垫及所述第二凸起垫重叠。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，
所述第三垫金属层与所述相邻的发光单元上部的欧姆反射层部分重叠。
4.如权利要求2所述的发光二极管，还包括：
第三凸起垫，分别布置于除了所述第一发光单元及所述最后一个发光单元之外的其他发光单元上。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述第三垫金属层从所述第三凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第三凸起垫重叠。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，
所述第三垫金属层分别经一个行内的所有发光单元而布置，
所述第三凸起垫分别与所述第三垫金属层中的一个重叠。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，
所述第三凸起垫连接于所述第三垫金属层。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述第三垫金属层分别经一个行内的所有发光单元而布置，
所述第一凸起垫及第二凸起垫分别经一个行内的所有发光单元而布置。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，
所述第一凸起垫及所述第二凸起垫分别与所述第三垫金属层重叠，
在所述最后一个发光单元上部的所述第一凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域小于在相邻的另一个发光单元的上部所述第一凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域，
在所述第一发光单元上部的所述第二凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域小于在相邻的另一个发光单元上部的所述第二凸起垫与所述第三垫金属层重叠的区域。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述第一垫金属层限定在所述最后一个发光单元的上部区域内而布置，所述第二垫金属层限定在所述第一发光单元的上部区域内而布置。
11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，
所述发光单元包括布置于所述第一导电型半导体层上的台面，
所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，
所述第一垫金属层覆盖所述最后一个发光单元的台面的侧面的一部分。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，
所述第二垫金属层布置于所述第一发光单元上的欧姆反射层的上部区域内。
13.如权利要求11所述的发光二极管，其中，
所述第二垫金属层覆盖所述第一发光单元的台面的侧面的一部分。
14.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
在所述发光单元中的在一个行内彼此相邻的发光单元借由布置于各个发光单元的两侧边缘附近的两个连接部而彼此电连接。
15.如权利要求14所述的发光二极管，其中，
彼此不同的行内的发光单元借由一个连接部而彼此电连接。
16.如权利要求1所述的发光二极管，其中，
使所述欧姆接触层暴露的所述下部绝缘层的开口部与使所述第二垫金属层暴露的所述上部绝缘层的开口部在横向方向上隔开而彼此不重叠。
17.一种发光二极管，包括：
多个发光单元，布置于一个行内；
欧姆反射层，布置于所述发光单元上；
连接部，将彼此相邻的发光单元电连接；
凸起垫，电连接于所述发光单元中的一个；以及
反射金属层，部分地覆盖彼此相邻的发光单元之间的区域，
其中，所述连接部沿着所述发光单元的两侧边缘而排列，
所述反射金属层与所述凸起垫电绝缘，并且位于布置在所述发光单元的两侧的连接部之间。
18.如权利要求17所述的发光二极管，其中，
所述反射金属层与彼此相邻的发光单元上的欧姆反射层部分重叠。
19.如权利要求17所述的发光二极管，其中，
所述反射金属层从所述凸起垫沿横向方向隔开而不与所述凸起垫重叠。
20.如权利要求17所述的发光二极管，其中，
所述反射金属层与所述凸起垫重叠，
在电连接有所述凸起垫的发光单元上的所述凸起垫与所述反射金属层重叠的区域小于在另一个发光单元上的所述凸起垫与所述反射金属层重叠的区域。
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