CN116131763B - 一种yto驱动系统及电流补偿方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种YTO驱动系统及电流补偿方法，YTO驱动系统包括YTO，其中还包括H桥驱动模块、控制模块和温度传感器；H桥驱动模块用于驱动YTO；控制模块用于调节H桥驱动模块的输出电压或输出电流；温度传感器用于采集YTO温度信息，并将YTO温度信息传递至控制模块。电流补偿方法则通过设置的温度传感器，在使用中能够读取YTO外表的温度，从而可以配合YTO驱动系统电流补偿方法，对YTO的磁滞以及温度引起的非线性误差进行补偿修正，通过使用H桥驱动模块来驱动YTO，相较与传统的YTO驱动电路，电流精度更高。

Description

一种YTO驱动系统及电流补偿方法
技术领域
本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种YTO驱动系统及电流补偿方法。
背景技术
YIG调谐振荡器(简称YTO)，是一种能调谐工作的微波固态信号源。这种振荡器具有很高的Q值，在微波频段可达1000-8000，并且无载Q值随频率的增加而增加，而普通振荡器在频率升高条件下，Q值反而降低，这使得它具有优良的噪声分布曲线，且具有调谐频带宽、线形度好、频谱纯等特点，成为现代多种军事电子装备和微波仪器的核心部件。
在宽带频谱仪扫描过程中，常常需要YIG调谐滤波器(简称YTF)与YTO进行同步扫描和跟踪，使得频谱仪输入的信号通过YTF调谐后与YTO调谐的频率保持固定中频，因此当YTF与YTO跟踪效果不理想时，就会使得宽带频谱仪无法工作。由于YTF是开环控制，进而调谐速度可以很快，而YTO往往是采用开环与锁相环结合的方式，因此调谐速度会比较慢。
现有文献“韩尧.YTO驱动电路设计及优化[J].电子世界,2014(06):41-42”公开了一种YTO驱动电路结构，其基于YIG小球的特点，通过外加偏置磁场，实现宽频带内快速调谐。
同时，现有文献“钱立正. 频谱分析仪中YTO控制模块设计与实现[D].电子科技大学,2016.15页”其中通过预置频率数据在DA中转换为预置电压，然后电压通过压流转换成电流，形成驱动电流。
两篇文献所使用的YTO驱动电路均与图1相似，在使用中，YTO作为主振时要考虑到扫描时可能出现的非线性现象，非锁相的YTO工作方式是先将控制电压转变为控制电流，电流驱动YTO中的调谐线圈，调谐线圈产生磁场，磁场控制内部的YIG材料发生谐振，驱动电流与振荡频率呈线性相关，但是随着驱动电流增大，YTO本身的磁滞效应、磁路饱和使得频率特性会偏离线性规律，使得调谐复杂度增大，调谐速度变慢以及调谐效率变低。
使用YTO作为主振时要考虑到扫描时可能出现的非线性现象，因为YTO属于电流型器件，故而工作温度的变化以及电路中任何电流性干扰均会恶化振荡器的输出频谱。
公开号为CN104849547A的中国专利公开了一种提高YTO预置准确度的校准方法及系统，其中，采用频率测量技术，实现了YTO 预置的快速准确校准，适应当时的工作条件，并且可以避免温漂和老化对环路锁定的影响。
但是其整体电路结构复杂，需要搭配可编程逻辑、鉴相器、频谱分离器等等设备才能实现其应有的功能。
发明内容
本发明针对以上问题，提供一种YTO驱动系统及电流补偿方法。
采用的技术方案是，一种YTO驱动系统，还包括H桥驱动模块、控制模块和温度传感器；
H桥驱动模块的输出端分别与YTO输入端、控制模块输入端连通；
控制模块的输出端与H桥驱动模块输入端连通；
温度传感器设于YTO上，温度传感器的输出端与控制模块输入端连通。
进一步的，控制模块包括微处理器和电流传感器，微处理器内设置有ROM、可以输出PWM波的TIM、具备IIC协议的接口以及ADC接口。
可选的，微处理器内设置有ROM、可以输出PWM波的TIM、具备IIC协议的接口以及ADC接口。
进一步的，H桥驱动模块的第一输出端和第二输出端与YTO输入端连通，H桥驱动模块的第三输出端经由电流传感器与微处理器的ADC接口连通；
微处理器内的TIM分别与H桥驱动模块的第一输入端和第二输入端连通；
温度传感器的输出端与微处理器具备IIC协议的接口连通。
可选的，H桥驱动模块包括四个开关机构。
可选的，四个开关机构均为MOS管。
可选的，MOS管分别为MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4。
进一步的，H桥驱动模块还包括四个续流二极管和两个栅极驱动器。
进一步的，四个续流二极管分别与四个MOS管的源极和漏极连接。
进一步的，续流二极管的阴极接MOS管的漏极，续流二极管的阳极接MOS管的源极，MOS管的栅极与栅极驱动器连接。
可选的，H桥驱动模块型号为DRV8878，微处理器型号为STM32F103RCT6，温度传感器型号为TMP100。
可选的，YTO包括介质基板、YIG薄膜、GGG基片和激励机构，YIG薄膜设于介质基板上，GGG基片覆盖在YIG薄膜上表面，激励机构设于介质基板下方。
进一步的，激励机构包括铁磁体和调谐线圈，调谐线圈缠绕在铁磁体上，调谐线圈两端分别与H桥驱动模块的输出端连接。
本申请还提供了一种YTO驱动系统电流补偿方法，包括以下步骤：
S1.获取YTO驱动系统的电流补偿值，并将电流补偿值存储在控制模块内；
S2.在YTO工作时，通过控制模块设置其工作频率，通过电流传感器获取工作频率下的电流值；
S3.通过温度传感器采集YTO工作温度，并基于控制模块内电流补偿值，将电流传感器获取的工作频率下的电流值与控制模块内电流补偿值相加，得到电流值；
S4.进行电流补偿。
进一步的，S1中包括以下子步骤：
A1.通过温度传感器和电流传感器分别采集YTO工作在中心频率处的工作温度和电流值，并存储在控制模块内；
A2.采集不同工作温度下让YTO工作在中心频率所需电流值，并将不同温度下所需的电流补偿值存储在控制模块内；
A3.选取YTO工作频率中的频率工作点，采集不同温度下所需的电流补偿值存储在控制模块内。
本发明的有益效果至少包括以下之一；
1、通过设置的温度传感器，在使用中能够读取YTO外表的温度，从而可以配合YTO驱动系统电流补偿方法，对YTO的磁滞以及温度引起的非线性误差进行补偿修正；
2、使用H桥驱动模块来驱动YTO，相较于传统的YTO驱动电路，电流精度更高；
3、通过设置的控制模块来控制H桥驱动模块输出的电流，具有过流保护、过压保护的效果；
4、通过设置的控制模块搭配H桥驱动模块，能够实现电流反向，使得YTO瞬态响应更快。
附图说明
图1为现有YTO驱动电路结构示意图；
图2为本申请YTO驱动系统示意图；
图3为本申请YTO驱动系统电路结构示意图；
图4为YTO结构示意图；
图5为实施例结构示意图；
图6为MOS管结构示意图；
图7为YTO驱动系统电流补偿方法流程图；
图8为YTO不同工作频率点下，不同温度频率偏移情况图；
图9为YTO不同工作频率点下，不同温度输入电流传感器的电流情况图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2和图3所示，一种YTO驱动系统，包括YTO，其特征在于，还包括H桥驱动模块、控制模块和温度传感器；
H桥驱动模块的输出端分别与YTO输入端、控制模块输入端连通；
控制模块的输出端与H桥驱动模块输入端连通；
温度传感器设于YTO上，温度传感器的输出端与控制模块输入端连通。
这样设计的目的在于，通过设置的温度传感器，在使用中能够读取YTO外表的温度，从而便于现场工作人员进行温度补偿电流值。使用H桥驱动模块来驱动YTO，相较于传统的YTO驱动电路，电流精度更高。
在具体使用中，H桥驱动模块包括四个开关机构，控制模块包括微处理器和电流传感器，并且微处理器内设置有ROM、可以输出PWM波的TIM、具备IIC协议的接口以及ADC接口。
H桥驱动模块的第一输出端和第二输出端与YTO输入端连通，H桥驱动模块的第三输出端经由电流传感器与微处理器的ADC接口连通；
微处理器内的TIM分别与H桥驱动模块的第一输入端和第二输入端连通；
温度传感器的输出端与微处理器具备IIC协议的接口连通。
同时，四个所示开关机构均为MOS管，MOS管分别为MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4，续流二极管分别与四个MOS管的源极和漏极连接，续流二极管的阴极接MOS管的漏极，续流二极管的阳极接MOS管的源极，MOS管的栅极与栅极驱动器连接。
这样设计的目的在于，通过设置的控制模块来控制H桥驱动模块输出的电流，具有过流保护、过压保护的效果。通过设置的控制模块搭配H桥驱动模块，能够实现电流反向，使得YTO瞬态响应更快。
而关于H桥驱动模块部分，主要包含四个MOS管构成的H桥电路以及栅极驱动电路，H桥电路可以使输出的电压反向或者电流反向，同时可以根据控制器的控制信号调节电流大小，H桥驱动电路主要由四个N沟道的MOS管和四个续流二极管以及栅极驱动器构成，四个MOS管分别用M1,M2,M3和M4标识，连接部分如图6所示，四个续流二极管分别接四个MOS管的源极和漏极，续流二极管的阴极接MOS管的漏极，续流二极管的阳极接MOS管的源极，MOS管的栅极连接栅极驱动器，通过外部信号控制栅极驱动器，就可以进而控制MOS管的栅极电压，进而控制MOS管的导通，也就是电流从源极流向漏极。
例如当OUT1和OUT2连接调谐线圈或者负载时，当M1与M3导通时，电流先通过M1的漏极，然后到达M1的源极，通过OUT1流出，之后进入负载，再然后流出负载进入OUT2，最后依次通过M3的漏极和源极，最终从OUT3流出。
同理，如果M2和M4导通，则电流流向相反，电流首先会通过M2的漏极，然后到达M2的源极，通过OUT2流出，之后进入负载，再然后流出负载进入OUT1，最后依次通过M4的漏极和源极，最终从OUT3流出。如果在OUT3输出端接一个采样电阻到地，则可以通过采样电阻上面的电压来判断流过的电流。
同时，栅极驱动器会将输入IN1和IN2的控制信号通过内部控制变成两路互补的信号进入MOS管的栅极，例如当输入IN1为高电平时，则会导通M1，关闭M4，同理M3导通的时候,M2必须关闭。这样当M1和M3导通的时候，M2和M4必须关闭，防止短路烧坏器件。
需要指出的是，在一部分使用场景中可以使用内部包含分立的MOS管、续流二极管以及栅极驱动器的集成芯片代替H桥驱动模块，但是其实际实现方式与H桥驱动模块相同。
关于电路连接部分，如图3所示，H桥驱动模块的第一输出端OUT1和第二输出端OUT2与YTO输入端连通，H桥驱动模块的第三输出端OUT3与微处理器内ADC接口连通，微处理器内可以输出PWM波的TIM分别H桥驱动模块的第一输入端IN1和第二输入端IN2连通，温度传感器的输出端与微处理器内具备IIC协议的接口连通。
需要指出的是，本实施例提供的技术方案在搭配以下操作方法时，能够实现进行温度补偿电流值。
首先，通过温度传感器读取YTO的工作温度，同时通过激励让YTO工作在中心频率处，通过电流传感器记录不同温度下让YTO工作在中心频率处所需要的电流值，然后通过建立表格将不同温度下所需的电流补偿值记录到微处理器内的ROM中。
以同样的方法，在YTO工作的频率中平均选取几个频率工作点，记录不同温度下所需的电流补偿值并同时记录到微处理器内的ROM中。在YTO工作时，首先通过微处理器设置所需要的频率，此频率对应一个电流值，将电流值设置后，通过YTO上的温度传感器读取外界的温度，同时通过ROM表中不同温度下所对应的电流补偿数据，将设置电流与补偿电流进行相加就会得到实际所需要的电流值。
温度传感器需要靠近YTO工作，实时将YTO工作的温度转化为数字信号输入给微处理器, 微处理器通过读取当前温度调取内部ROM中所对应的温度补偿电流值，同时将所设置的频率对应的电流值与温度补偿的电流值进行相加，即成为设定值,而微处理器的输出端连接H桥驱动模块，H桥驱动模块将微处理器的控制电压转化为电流，H桥驱动模块的输出端连接YTO,同时控制YTO中激励机构的电流值会通过外部电流传感器采集。
在电流传输部分，一般是将采样电压加载到驱动电路的电流输出端，通过采样电阻将电流转化为电压，即电流传感器U4会将采集的电流值A’转化为电压输出给控制模块U2，控制模块U2通过内部设定值A与电流传感器采集到的电流值A’进行比较，当A’<A时，增大控制模块U2的控制电压，进而增大H桥驱动模块U1的输出电压，进而增大YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器U4采集到的电流值A’增大，直到A’=A时，说明此时电流设定值A等于电流传感器采集到的电流值A’，此时A电流值所对应的YTO频率值也就达到了设定要求。
同理，当A’>A时，减小控制模块U2的控制电压，进而减小H桥驱动模块U1的输出电压，进而减小YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器U4采集到的电流值A’减小，直到A’=A时，说明此时电流设定值A等于电流传感器采集到的电流值A’，此时A电流值所对应的YTO频率值也就达到了设定要求。这个过程可以通过控制模块U2输出PWM以及通过PID算法实现闭环控制，自动控制改变PWM的占空比，调整YTO的电流与设置电流一样，完成了YTO电流闭环控制，这个过程是动态的，会时刻将采集的电流值与设置值以及温度补偿数据的电流值进行比较，完成动态平衡。
如图4所示，YTO包括介质基板、YIG薄膜、GGG基片和激励机构，YIG薄膜设于介质基板上，GGG基片覆盖在YIG薄膜上表面，激励机构设于介质基板下方，一般情况下激励机构包括铁磁体和调谐线圈，调谐线圈缠绕在铁磁体上，调谐线圈两端分别与H桥驱动模块的输出端连接。
在一些使用场景中，激励机构也可以为微波共面波导。
在实际使用中，通过施加调谐线圈的电流，调谐线圈产生磁场，磁场控制内部的YIG材料发生谐振，其磁场频率越强，谐振频率越高，驱动电流与振荡频率呈线性相关。
同时采用YIG薄膜代替现有YIG小球，制备难度上得到降低，并且不需要进行谐振器晶向调节。
如图5所示，在具体实施中，H桥驱动模块采用TI公司的H桥电机驱动器DRV8876,工作电压范围可以高达37V，最大输出电流为3.5A，集成式保护，包括欠压锁定、过流保护、热关断等。
控制模块选用ST公司的STM32F103RCT6，内部集成定时器，可以输出PWM波，同时拥有ADC以及DAC功能。
YTO模块选用Omniyig公司的薄膜调谐振荡器YOM1518，频率输出范围为1到4GHz,调谐灵敏度为14MHz/mA,最小输出功率为10mW。温度传感器选用TI公司的TMP100，具有IIC接口协议，检测温度范围为-55℃～125℃。电流传感器则采用采样电阻，采样电阻值为5R，驱动电路中输出的电流也就是YTO线圈流过的电流为I，通过欧姆定律可以知道VS=I*R,由于R=5Ω，即控制模块内部的ADC读取到的电压VS=5*I，之后通过控制模块内部计算I=VS/5实现电流计算。
本实施例中还提供了一种YTO驱动系统电流补偿方法，如图7所示，包括以下步骤：
S1.获取YTO驱动系统的电流补偿值，并将电流补偿值存储在控制模块内；
S2.在YTO工作时，通过控制模块设置其工作频率，通过电流传感器获取工作频率下的电流值；
S3.通过温度传感器采集YTO工作温度，并基于控制模块内电流补偿值，将电流传感器获取的工作频率下的电流值与控制模块内电流补偿值相加，得到所需电流值；
S4.进行电流补偿。
同时，在S1中包括以下子步骤：
A1.通过温度传感器和电流传感器分别采集YTO工作在中心频率处的工作温度和电流值，并存储在控制模块内；
A2.采集不同工作温度下让YTO工作在中心频率所需电流值，并将不同温度下所需的电流补偿值存储在控制模块内；
A3.选取YTO工作频率中的频率工作点，采集不同温度下所需的电流补偿值存储在控制模块内。
在具体实施中，首先需要对整个YTO驱动系统进行温度校准，即将YTO的磁滞以及温度引起的非线性误差进行补偿修正，将误差存入到控制模块U2的ROM中。工作时，首先温度传感器U3需要靠近YTO工作，实时将YTO工作的温度转化为数字信号输入给控制模块U2,控制模块U2通过读取当前温度调取内部ROM中所对应的温度补偿电流值，同时将所设置的频率对应的电流值与温度补偿的电流值进行相加，即成为设定值A,而控制模块U2的输出端连接H桥驱动模块U1，H桥驱动模块U1将控制模块U2的控制电压转化为电流，H桥驱动模块U1的输出端连接YTO,同时控制YTO线圈的电流值会通过外部电流传感器U4采集，采集时通过采样电阻将电流转化为电压，即电流传感器U4会将采集的电流值A’转化为电压输出给控制模块U2，控制模块U2通过内部设定值A与电流传感器采集到的电流值A’进行比较，当A’<A时，增大控制模块U2的控制电压，进而增大H桥驱动模块U1的输出电压，进而增大YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器U4采集到的电流值A’增大，直到A’=A时，说明此时电流设定值A等于电流传感器采集到的电流值A’，此时A电流值所对应的YTO频率值也就达到了设定要求。
同理，当A’>A时，减小控制模块U2的控制电压，进而减小H桥驱动模块U1的输出电压，进而减小YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器U4采集到的电流值A’减小，直到A’=A时，说明此时电流设定值A等于电流传感器采集到的电流值A’，此时A电流值所对应的YTO频率值也就达到了设定要求。这个过程可以通过控制模块U2输出PWM以及通过PID算法实现闭环控制，自动控制改变PWM的占空比，调整YTO的电流与设置电流一样，完成了YTO电流闭环控制，这个过程是动态的，会时刻将采集的电流值与设置值以及温度补偿数据的电流值进行比较，完成动态平衡。
在实际使用场景下，通过采集相同频率点下，不同温度频率偏移量和电流大小，如图8和图9所示：
其中图8使用本实施例提供的YTO驱动系统，表示YTO不同工作频率点下，不同温度频率偏移情况；
图9使用本实施例提供的YTO驱动系统，表示YTO不同工作频率点下，不同温度输入电流传感器的电流情况。
那么基于图8和图9的情况，在温度传感器显示温度为0℃，输出1GHz频率信号时，此时输入控制模块中电流传感器的电流为198mA，将198mA这个电流值存储在控制模块的ROM中，此时对应的频率为1GHz，温度为0℃。
通过开环测试，在不同温度下需要不同的电流值才能产生1GHz频率信号，此时电流补偿值也记录到ROM中，在温度传感器显示为20℃，输出1 GHz频率信号时，输入控制模块中电流传感器的电流为181mA，此时补偿数据181mA-198mA=-18mA就存储在了ROM中，通过线性拟合的方式，将0℃-20℃分成20份，则对应不同温度下的1GHz频率补偿值就可以计算出来,例如X℃的电流补偿值就是-18mA/(20-0)*X。
同时再根据相同温度下，不同频率下需要的电流不同，将不同频率的电流值存储在ROM中，在温度传感器显示0℃时，输出1GHz频率信号时，此时输入控制模块中电流传感器的电流为198mA，在此温度下开环测试相同温度下不同频率所对应的电流值，在温度传感器显示0℃时，输出1.5GHz频率信号时，电流需要为210mA，此时电流补偿数据也记录到ROM中，例如0℃的1.5GHz频率电流为210mA，此时补偿数据210-198=12mA就存储在了ROM中，通过线性拟合的方式，将1GHz-1.5GHz分成500份，则对应不同频率下的补偿值就可以计算出来，例如F，以MHz为单位1GHz=1000MHz频率补偿值就是12mA/500*(F-1000)。电路工作时，首先通过传感器测量环境温度，之后根据所需要的频率查找对应的ROM表中的温度补偿数据以及频率补偿数据，之后将补偿数据的电流值转化为实际的控制电路中的PWM波，通过电流传感器读取所设定的电流值与否，使用闭环反馈的方式使得设置的电流值与电流传感器读取的电流值一样，此时达到稳定控制。
需要指出的时根据PID算法，也可以使得响应不同，例如可以实现快速的电流设置，达到频率的快速跳变。根据ROM表划分的温度补偿数据的步进以及频率补偿数据的步进可以提高频率准确度，可以根据需要提高。
最后应说明的是：以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种YTO驱动系统，包括YTO，其特征在于，还包括H桥驱动模块、控制模块和温度传感器；
所述H桥驱动模块的输出端分别与YTO输入端、控制模块输入端连通；
所述控制模块的输出端与H桥驱动模块输入端连通；
所述温度传感器设于YTO上，温度传感器的输出端与控制模块输入端连通；
所述控制模块包括微处理器和电流传感器，所述微处理器内设置有ROM、可以输出PWM波的TIM、具备IIC协议的接口以及ADC接口；
所述H桥驱动模块的第一输出端和第二输出端与YTO输入端连通，所述H桥驱动模块的第三输出端经由电流传感器与微处理器的ADC接口连通；
所述微处理器内的TIM分别与H桥驱动模块的第一输入端和第二输入端连通；
所述温度传感器的输出端与微处理器具备IIC协议的接口连通。
2.根据权利要求1所述的一种YTO驱动系统，其特征在于，所述H桥驱动模块包括四个开关机构。
3.根据权利要求2所述的一种YTO驱动系统，其特征在于，四个所述开关机构均为MOS管，且分别为MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4。
4.根据权利要求3所述的一种YTO驱动系统，其特征在于，所述H桥驱动模块还包括四个续流二极管和两个栅极驱动器，四个所述续流二极管分别与四个所述MOS管的源极和漏极连接，续流二极管的阴极接MOS管的漏极，续流二极管的阳极接MOS管的源极，所述MOS管的栅极与栅极驱动器连接。
5.根据权利要求1所述的一种YTO驱动系统，其特征在于，所述YTO包括介质基板、YIG薄膜、GGG基片和激励机构，所述YIG薄膜设于介质基板上，所述GGG基片覆盖在YIG薄膜上表面，所述激励机构设于介质基板下方。
6.根据权利要求5 所述的一种YTO驱动系统，其特征在于，所述激励机构包括铁磁体和调谐线圈，所述调谐线圈缠绕在铁磁体上，调谐线圈两端分别与H桥驱动模块的输出端连接。
7.一种YTO驱动系统电流补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
B1.对YTO驱动系统进行温度校准，将YTO的磁滞以及温度引起的非线性误差进行补偿修正，将误差存入到控制模块的ROM中； B2.温度传感器需要靠近YTO工作，实时将YTO工作的温度转化为数字信号输入给控制模块,控制模块通过读取当前温度调取内部ROM中所对应的温度补偿电流值； B3.控制模块将所设置的频率对应的电流值与温度补偿的电流值进行相加，即成为设定值A； B4.控制模块的输出端连接H桥驱动模块，H桥驱动模块将控制模块的控制电压转化为电流，H桥驱动模块的输出端连接YTO并控制YTO线圈的电流值，通过外部电流传感器采集，采集时通过采样电阻将电流转化为电压，电流传感器将采集的电流值A’转化为电压输出给控制模块； B5. 控制模块通过内部设定值A与电流传感器采集到的电流值A’进行比较； B6.完成电流补偿。
8.根据权利要求7所述的一种YTO驱动系统电流补偿方法，其特征在于，所述B6中，当A’<A时，增大控制模块的控制电压，进而增大H桥驱动模块的输出电压，进而增大YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器采集到的电流值A’增大，直到A’=A，完成电流补偿；当A’>A时，减小控制模块的控制电压，进而减小H桥驱动模块的输出电压，进而减小YTO调谐线圈中的电流，使得电流传感器采集到的电流值A’减小，直到A’=A，完成电流补偿。
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