CN116130406B - 一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法 - Google Patents

一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于半导体器件制造技术领域，公开了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，步骤包括：对晶圆浅沟道通过激光扫描测定其几何特征；基于几何特征，在晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；在各沟道交叉处之间的未填充区填充绝缘隔离聚合物，直至使晶圆浅沟道内先后填充的绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用点阵热源对先后填充的绝缘隔离聚合物全部加热固化；重复前述步骤，直至将晶圆浅沟道完全填充平整。本发明能将快速高效地将绝缘隔离填充物质按照规划路径高速直写填充到晶圆浅沟道中，并且在填充过程中能精细控制填充量，节约填充成本。

Description

一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法
技术领域
本发明属于半导体器件制造技术领域，更具体地，涉及一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法。
背景技术
随着集成电路技术的不断发展，半导体器件结构最小特征尺寸不断减小，需要更多的辅助结构来保证器件的基本功能。在半导体制造领域，对于浅晶圆沟道通常需要进行隔离填充绝缘隔离物质，以形成浅沟道隔离(Shallow Trench Isolation，STI)等结构。目前，通常采用具有良好填充能力、较好薄膜沉积特性的等离子体增强化学气相沉积技术(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)完成该工艺过程。
PECVD技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的制备技术。PECVD技术填充晶圆沟道时虽然可以得到填充精准且质量较好的填充沟道，但是其所用设备昂贵，投资成本极高，且该技术的沉积环境要求高，需要后处理尾气，并且填充过程相对缓慢，整体工艺难度高且加工效率较低。同时，晶圆器件的外围沟道填充存在着精度要求相对较低，但填充范围大、填充量多的要求，PECVD技术填充后填充部位容易出现缺陷，较难达到严密平整的填充需求。
因此，急需一种能够加工工艺简单、装备集成难度低的晶圆浅沟道填充方法来补足PECVD应用于晶圆器件外围沟道填充时的技术短板。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，为了解决现有晶圆器件外围沟道填充工艺质量差、速度慢、效率低的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，该方法包括以下步骤：
S1、对晶圆浅沟道进行激光扫描，以测定所述晶圆浅沟道的几何特征；
S2、基于所述几何特征，在所述晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；
S3、在各沟道交叉处之间的未填充区填充所述绝缘隔离聚合物，直至使先后填充的所述绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用所述点阵热源对先后填充的所述绝缘隔离聚合物全部加热固化；
S4、重复步骤S1-S3，直至将所述晶圆浅沟道完全填充平整。
进一步的，步骤S2中，当所述晶圆浅沟道的深宽比不超过3时，各沟道交叉处预先填充的所述绝缘隔离聚合物的高度不超过所述晶圆浅沟道深度的1/5；优选的，当所述深宽比超过3时，各沟道交叉处预填充的所述绝缘隔离聚合物的高度不超过所述晶圆浅沟道深度的1/4。
进一步的，步骤S2中，填充前，先调节气动直写参数，包括直写气压和直写喷头移动速度，将所述直写气压设置为50kPa-160kPa，将所述直写喷头移动速度设置为200mm/s-300mm/s；优选的，步骤S3中，当向任意两个沟道交叉处之间的沟道填充所述绝缘隔离聚合物时，所述直写气压先匀速上升再匀速下降；更优选的，所述直写气压在50kPa-160kPa范围内先匀速上升再匀速下降。
进一步的，步骤S2和步骤S3中，所述点阵热源加热固化的温度为70℃-280℃；优选的，所述点阵热源加热固化的温度在70℃-280℃范围内匀速升高。
更进一步的，步骤S2中，加热固化预先填充在沟道交叉处的所述绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于5℃/min的速率上升；优选的，在步骤S3中，加热固化所述绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于10℃/min的速率上升。
进一步的，所述点阵热源的热源点密度大于等于65个/cm2。
进一步的，所述点阵热源的各个热源点之间的间距小于等于1mm；优选的，所述点阵热源的每个热源点的直径小于等于0.2mm。
进一步的，所述点阵热源加热固化所述绝缘隔离聚合物时，位于所述晶圆浅沟道的沟底正下方；优选的，在干燥氮气环境中加热固化所述绝缘隔离聚合物；更进一步优选的，所述干燥氮气环境中的压强为500torr-1000torr。
进一步的，所述点阵热源的热源点的排列方式为：以所述晶圆浅沟道的各沟道交叉点为中心，并沿各个沟道的延伸方向成排设置。
更进一步的，所述绝缘隔离聚合物为氮化铝-聚酰亚胺复合材料、二氧化硅-聚酰亚胺复合材料或氧化铝-聚酰亚胺复合材料；优选的，所述绝缘隔离聚合物的粘度为180mPa·s-1500mPa·s；更优选的，步骤S1中，对晶圆浅沟道进行激光扫描时所利用的单个激光的脉冲宽度小于0.1s。
通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，主要具备以下优点：
1.本发明对晶圆浅沟道进行激光扫描，以测定沟道的深、宽、长以及沟道分布等几何特征，并根据所扫描的几何特征设置直写装置的直写工艺参数，然后控制直写装置进行高精密移动以将绝缘隔离聚合物分区域填充至晶圆浅沟道中，预先填充后利用点阵式热源对填充物进行加热定形，再次填充后则对整体填充物加热固化；之后再重复对晶圆浅沟道进行扫描、填充和固化的步骤，通过再次扫描为前次填充效果提供反馈，并根据填充后的沟道几何特征不断优化气动直写参数，并进行后续的填充固化步骤，使得填充速度快、填充质量更高，总体上，由于本发明的填充工艺和填充设备相对简单，绝缘隔离聚合物会被直接填充于沟道处，填充效果可以直接实时分析观测，因此能根据填充情况不断调整填充参数，使填充后的晶圆浅沟道平整紧实，避免产生填充缺陷。
2.本发明中，预填充沟道交叉处时，根据晶圆浅沟道的深宽比调节预先填充在沟道交叉处的绝缘隔离聚合物填充厚度，从而使得晶圆浅沟道能重复填充两三次即可快速全部填平，如当晶圆浅沟道的深宽比不超过3时，各沟道交叉处预先填充的绝缘隔离聚合物的厚度不超过晶圆浅沟道深度的1/5；当深宽比超过3时，各沟道交叉处预填充的绝缘隔离聚合物的厚度不超过晶圆浅沟道深度的1/4，这样的话，只需要整体填充二至三次便可将晶圆浅沟道分区域全部填平，并且分梯度完全固化，由于单次填充的速度也很快，因此整体的填充效率更高。
3.本发明采用闭环策略调节直写气压，当向任意两个沟道交叉处之间的沟道填充绝缘隔离聚合物时，使直写气压在50kPa-160kPa的范围内先匀速上升再匀速下降的封闭式调节策略，能够使得挤出的绝缘隔离聚合物受到的压力从小到大、再从大至小变化，由于浆料具有流动性，从而使挤出到沟道内的浆料量跟随压力变化先增多再减小，沟道中部的浆料可向沟道两侧流动，避免一次填充过多浆料，使得填充层加热固化后产生缺陷，每条沟道内均采用相同的气压调节策略能确保整个晶圆的沟道底部均被绝缘隔离聚合物填平。
4.本发明中采用高密度点阵热源来加热固化填充的绝缘隔离聚合物，使其拥有所需物理化特性，发挥隔离功能，且点阵热源加热预先填充的绝缘隔离聚合物时，由于这一步仅仅为了让绝缘隔离聚合物的溶剂蒸发，因此加热固化的温度以小于等于5℃/min的速率上升；当一次直写填充完成后，对填充的所有绝缘隔离聚合物加热固化，其目的是为了让绝缘隔离物改性环化，因此该阶段加热固化的温度以小于等于10℃/min的速率上升，能够让先后填充在不同区域的绝缘隔离聚合物分区域、分梯度的固化，使得固化质量更高。
5.本发明中的高密度点阵热源的各个热源点之间的间距小于等于1mm，点阵热源的每个热源点的直径小于等于0.2mm，热源点密度大于等于65个/cm2，加热能量高，且点阵热源各热源点的排布方式与晶圆浅沟道的沟道形貌相对应，即以晶圆浅沟道的各沟道交叉点为中心，并沿各个沟道的延伸方向成排设置，能实现均匀加热，更好地固化绝缘隔离填充物，使其平整并充分地填充晶圆浅沟道。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法流程示意图；
图2是本发明实施例中点阵热源在沟道下方的分布示意图；
图3是本发明实施例提供的晶圆上器件排列及沟道填充结构示意图。
图中：1-晶圆衬底、2-器件、3-浆料层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
为实现上述目的，本发明提供了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，该方法包括以下步骤：
S1、利用激光脉冲装置对晶圆浅沟道进行激光扫描，以测定晶圆浅沟道的几何特征，几何特征包括沟道的深、宽、长以及沟道分布；
S2、根据测得的几何特征，控制启动直写装置高精密移动至晶圆浅沟道的各沟道交叉处(如十字交叉点处)，并在各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形，使得交叉分布的晶圆浅沟道被隔绝为若干个短沟道；
S3、在各沟道交叉处之间(即相邻交叉点之间)的未填充区，即各个短沟道中填充绝缘隔离聚合物，直至使晶圆浅沟道内后填充的绝缘隔离聚合物的高度与各沟道交叉处预先填充的已经加热固化的绝缘隔离聚合物平齐，然后利用点阵热源对先后填充的绝缘隔离聚合物整体全部加热固化；
S4、重复步骤S1-S3，通过再次扫描前一次填充后的晶圆浅沟道，反馈新的沟道形貌，并根据新沟道的形貌几何特征优化气动直写策略并再次分区域填充，直至将晶圆浅沟道完全填充平整。
优选实施例中，前述的步骤S2中，当晶圆浅沟道的深宽比不超过3时，各沟道交叉处预先填充的绝缘隔离聚合物的高度不超过晶圆浅沟道深度的1/5；当深宽比超过3时，各沟道交叉处预填充的绝缘隔离聚合物的高度不超过晶圆浅沟道深度的1/4，以确保在保证填充工艺质量的前提下，以较少的直写次数便能完整填充晶圆浅沟道。
优选实施例中，前述的步骤S2中，填充前，先调节气动直写参数，包括直写气压和直写喷头移动速度，具体的，将直写气压设置为50kPa-150kPa，如50kPa、70kPa、80kPa、90kPa、100kPa、110kPa、120kPa、150kPa等，将直写喷头移动速度设置为200mm/s-300mm/s，如200mm/s、210mm/s、220mm/s、230mm/s、240mm/s、250mm/s、260mm/s、270mm/s、280mm/s、290mm/s、300mm/s等；
前述的步骤S3中，当向任意两个沟道交叉处之间的沟道填充绝缘隔离聚合物时，将直写气压调节为先匀速上升再匀速下降；具体的，使直写气压先从50kPa匀速上升至180kPa，再从180kPa匀速下降至50kPa。
优选实施例中，步骤S2和步骤S3中，点阵热源加热固化的温度均为70℃-250℃之间，如70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、150℃、180℃、200℃、230℃、250℃等。
更优选实施例中，步骤S2-S3中的点阵热源加热固化的温度在70℃-250℃范围内匀速升高。
更优选实施例中，步骤S2中，局部加热固化预先填充在沟道交叉处的绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于5℃/min的速率上升，使得绝缘隔离聚合物的溶剂加热蒸发；优选的，在步骤S3中，加热固化绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于10℃/min的速率上升，使得绝缘隔离聚合物改性环化。
优选实施例中，点阵热源的热源点密度大于等于65个/cm2，以确保产生足够的热能。
优选实施例中，点阵热源的各个热源点之间的间距小于等于1mm；点阵热源的每个热源点的直径小于等于0.2mm，从而确保热源点的密度满足要求，能产生足够的热能。
优选实施例中，点阵热源加热固化绝缘隔离聚合物时，位于晶圆浅沟道的沟底正下方，不直接对着绝缘隔离聚合物。
更优选的实施例中，点阵热源加热固化绝缘隔离聚合物时，使填充有绝缘隔离聚合物的晶圆处于干燥氮气环境中；并且，干燥氮气环境中的压强为500torr-1000torr，如500torr、600torr、700torr、800torr、900torr、1000torr。
优选实施例中，点阵热源的热源点的排列方式为：以晶圆浅沟道的各沟道交叉点为中心，并沿各个沟道的延伸方向成排设置。
更优选实施例中，绝缘隔离聚合物为高流动性聚合物基复合材料，包括氮化铝-聚酰亚胺复合材料、二氧化硅-聚酰亚胺复合材料或氧化铝-聚酰亚胺复合材料；优选的，前述绝缘隔离聚合物的粘度处于180mPa·s-500mPa·s的范围内，如180mPa·s、200mPa·s、300mPa·s、400mPa·s、500mPa·s，若粘度过大，会导致绝缘隔离聚合物浆料的流动性太差，填充效果变差，若粘度过小，则绝缘隔离聚合物的浆料流动性过大，会导致分区填充时沟道交叉处浆料流动过快，加热定形效果差。
优选实施例中，步骤S1中，对晶圆浅沟道进行激光扫描时所利用的单个激光的脉冲宽度小于0.1s，以确保扫描获得的几何特征更准确。
为了更好的说明本发明，下面通过具体实施例来展开描述本发明的具体实施细节，但是应当了解，以下实施例不代表对本发明保护范围的进一步限制。
实施例1
结合图1所示，本实施例提供的基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法的具体包括以下步骤。
步骤一、扫描获取晶圆浅沟道几何特征
首先利用钕玻璃固体激光脉冲装置搭配超高精度内部时钟，扫描获取晶圆浅沟道的几何特征，包括长、宽、深、沟道交叉情况等，并根据扫描结果判断当前沟道的填充情况。
步骤二、预填充晶圆浅沟道中的各沟道相交处
本实施例中的绝缘隔离聚合物选用粘度为300mPa·s的氮化铝-聚酰亚胺聚合物基复合材料作为填充浆料，调整气动直写装置的移动路径，以闭环控制策略设置气动直写时的相关工艺参数，然后移动气动直写装置以对晶圆浅沟道的沟道交叉处先进行局部填充。
填充时，由于直写填充所使用的浆料具有较高流动性，因此采用在各沟道交叉处预先填充浆料的方式对晶圆浅沟道交叉处的流动损耗进行补偿；具体的，由于本实施例中晶圆浅沟道深宽比为3，因此预先填充到沟道交叉处的浆料厚度为晶圆浅沟道深度的1/5，直写气压为100kPa，直写喷头移动速度为200mm/s。
之后还需对预先填充在沟道交叉处的浆料进行固化，具体的，在沟道交叉处的正下方设置高密度点阵热源进行加热，由于本阶段的加热固化目的为固定浆料形态，因此高密度点阵热源的加热起始温度为70℃，加热时间为15min，在该时间段内，高密度点阵热源的升温速度5℃/min。
步骤三、对各个沟道交叉处之间的所有横向沟道、纵向沟道分别进行直写填充
高精度移动气动直写装置，气动直写装置在任意两个沟道交叉处之间的沟道内沿横向填充各沟道时，其直写气压从50kPa匀速上升至150kPa，然后再从150kPa匀速下降至50kPa；气动直写装置在任意两个沟道交叉处之间的沟道内沿纵向填充各沟道时，其直写气压从50kPa匀速上升至150kPa，然后再从150kPa匀速下降至50kPa。
完成上述所有横向沟道和纵向沟道的填充后，随即对所有填充浆料进行加热固化，具体的，参考图2，图2为晶圆高密度点阵热源分布示意图，由可编程控制器控制各个点热源以沟道相交处为中心，沿沟道走向依次成排布置，且相邻热源点之间的间距均匀，具体的，各个热源点之间的间距1为1mm，且每个热源点的直径尺寸为0.2mm，整个点阵热源的密度约为65个/cm2；加热固化时，由可编程控制器控制点阵光源的加热功率和加热时间具体的，将点阵热源布置在晶圆衬底下方，针对氮化铝-聚酰亚胺聚合物基复合材料，从室温以10℃/min升至70℃，然后保持70℃加热1h，从70℃以8℃/min升温至150℃，150℃保温1h，最后从150℃以6℃/min升温至250℃，保温1h停止加热并在室温下冷却，这样加热后能实现浆料的完全固化，使浆料拥有所需的物理化特性，发挥绝缘隔离功能。
步骤四、重复步骤一至步骤三，每次扫描填充后的晶圆浅沟道，并根据重新扫描得到的沟道几何特征调节启动直写工艺参数，并重复预填充-加热固化-整体填充-整体加热固化的填充流程，直至沟道经过两次到三次填充后完全被填平。
填充后的晶圆浅沟道如图3所示，图3中，1表示晶圆衬底，2表示晶圆上的器件，3表示晶圆器件之间的沟道中重复多次填充后的浆料层。
实施例2
本实施例提供的基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法的步骤与实施例1中基本相同，不同之处在于：
步骤一中，利用钕玻璃固体激光脉冲装置搭配超高精度内部时钟，扫描获取晶圆浅沟道的几何特征，扫描时，激光脉冲装置单个激光脉冲宽度为0.05s。
步骤二中，绝缘隔离聚合物选用粘度为1000mPa·s的氧化铝-聚酰亚胺聚合物基复合材料作为填充浆料，且晶圆浅沟道深宽比为4，因此预先填充到沟道交叉处的浆料厚度为晶圆浅沟道深度的1/4，填充时的直写气压设置为150kPa，直写喷头移动速度为300mm/s；对预填充的浆料的加热固化步骤和加热固化条件均与实施例一相同。
步骤三中，气动直写装置在任意两个沟道交叉处之间的沟道内沿横向填充各沟道时的气压调节策略也为闭环式调节，即在横向移动气动直写装置的时候，将其直写气压从55kPa匀速上升至160kPa，然后再从160kPa匀速下降至55kPa；气动直写装置在任意两个沟道交叉处之间的沟道内沿纵向填充各沟道时，其直写气压从55kPa匀速上升至160kPa，然后再从160kPa匀速下降至55kPa。
加热固化用的点阵光源同前一实施例相同，但是加热温度调节策略有所不同，针对氧化铝-聚酰亚胺聚合物基复合材料，加热时的气氛环境为干燥氮气环境，且氮气环境中的压强为1000torr，加热时，从室温以15℃/min升至70℃，然后保持70℃加热1h，从70℃以10℃/min升温至150℃，150℃保温1h，最后从150℃以6℃/min升温至280℃，保温1h停止加热并在室温下冷却，这样加热后能实现浆料的完全固化，使浆料拥有所需的物理化特性，发挥绝缘隔离功能。
然后重复前述的所有步骤，经过三次填充后，便能将晶圆浅沟道快速填充平整。
本发明提出的晶圆浅沟道聚合物填充及固化方法，能够有效的替代晶圆浅沟道填充时的化学气相沉积方法，降低成本并缩短填充工艺时间。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1、对晶圆浅沟道进行激光扫描，以测定所述晶圆浅沟道的几何特征；
S2、基于所述几何特征，在所述晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；填充前，先调节气动直写参数，包括直写气压和直写喷头移动速度，将所述直写气压设置为50kPa-160kPa，将所述直写喷头移动速度设置为200mm/s-300mm/s；
S3、在各沟道交叉处之间的未填充区填充所述绝缘隔离聚合物，直至使先后填充的所述绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用所述点阵热源对先后填充的所述绝缘隔离聚合物全部加热固化；当向任意两个沟道交叉处之间的沟道填充所述绝缘隔离聚合物时，所述直写气压先匀速上升再匀速下降；
S4、重复步骤S1-S3，直至将所述晶圆浅沟道完全填充平整。
2.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，步骤S2中，当所述晶圆浅沟道的深宽比不超过3时，各沟道交叉处预先填充的所述绝缘隔离聚合物的厚度不超过所述晶圆浅沟道深度的1/5。
3.如权利要求2所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，当所述深宽比超过3时，各沟道交叉处预填充的所述绝缘隔离聚合物的厚度不超过所述晶圆浅沟道深度的1/4。
4.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，步骤S3中，所述直写气压在50kPa-160kPa范围内先匀速上升再匀速下降。
5.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，所述点阵热源加热固化的温度为70℃-280℃。
6.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源加热固化的温度在70℃-280℃范围内匀速升高。
7.如权利要求6所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，步骤S2中，加热固化预先填充在沟道交叉处的所述绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于5℃/min的速率上升。
8.如权利要求7所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，在步骤S3中，加热固化所述绝缘隔离聚合物时，加热固化的温度以小于等于10℃/min的速率上升。
9.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源的热源点密度大于等于65个/cm2。
10.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源的各个热源点之间的间距小于等于1mm。
11.如权利要求10所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源的每个热源点的直径小于等于0.2mm。
12.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源加热固化所述绝缘隔离聚合物时，位于所述晶圆浅沟道的沟底正下方。
13.如权利要求12所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，在干燥氮气环境中加热固化所述绝缘隔离聚合物。
14.如权利要求13所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述干燥氮气环境中的压强为500torr-1000torr。
15.如权利要求1所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述点阵热源的热源点的排列方式为：以所述晶圆浅沟道的各沟道交叉点为中心，并沿各个沟道的延伸方向成排设置。
16.如权利要求1-15任一所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述绝缘隔离聚合物为氮化铝-聚酰亚胺复合材料、二氧化硅-聚酰亚胺复合材料或氧化铝-聚酰亚胺复合材料。
17.如权利要求16所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，所述绝缘隔离聚合物的粘度为180 mPa·s-1500 mPa·s。
18.如权利要求17所述的一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，其特征在于，步骤S1中，对晶圆浅沟道进行激光扫描时所利用的单个激光的脉冲宽度小于0.1s。
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