CN116096149A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。根据实施例的显示装置包括：晶体管，位于基板上；第一电极，电连接到晶体管；发射层，位于第一电极上；第二电极，位于发射层上；以及图案部分，与第一电极间隔开。图案部分包括由感光树脂制成的感光图案层。

Description

显示装置和显示装置的制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年10月29日提交至韩国知识产权局(KIPO)的第10-2021-0146701号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及显示装置和该显示装置的制造方法。

背景技术

显示装置是用于显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器等。显示装置在诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中被使用。

有机发光二极管(OLED)显示器包括两个电极和介于两个电极之间的有机发射层。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发射层中复合，以产生激子。所产生的激子从激发态被改变为基态，释放能量以发光。

有机发光二极管显示器包括包含有机发光二极管作为自发射元件的像素，并且用于驱动有机发光二极管的晶体管和至少一个电容器可以形成在每个像素中。

由于有机发射层的侧向泄漏，可能发生低灰度中的颜色改变。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此，以上信息可能包含不形成本领域普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。

发明内容

实施例提供一种能够改善低灰度中的颜色改变的显示装置。

实施例还提供一种制造显示装置的方法。

然而，本公开的实施例不限于在本文中阐述的实施例。通过参考以下给出的本公开的详细描述，以上和其它实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。

根据实施例的显示装置包括：晶体管，位于基板上；第一电极，电连接到晶体管；发射层，位于第一电极上；第二电极，位于发射层上；以及图案部分，与第一电极间隔开，其中，图案部分包括由感光树脂制成的感光图案层。

图案部分可以进一步包括电极图案层。电极图案层和第一电极可以由相同的材料制成并且位于同一层上。

感光图案层可以直接位于电极图案层上。

根据实施例的显示装置可以进一步包括：堤层，位于第一电极的边缘上。图案部分可以进一步包括无机图案层。无机图案层和堤层可以由相同的材料制成并且位于同一层上。

感光图案层可以直接位于无机图案层上。

图案部分可以与堤层分离。

感光图案层的侧部可以具有倒锥形形状。

基板可以包括多个像素。图案部分可以位于多个像素之间。

多个像素中的每个像素可以是在平面图中包括在第一方向上延伸的边和在与第一方向垂直的第二方向上延伸的边的多边形。在平面图中，图案部分可以被形成为在第一方向或第二方向上延伸的条形形状。

至少一个图案部分可以位于多个像素中的邻近的像素之间。

发射层可以包括多个发光部分以及位于多个发光部分之间的电荷产生层。

发射层和第二电极可以完全位于基板上。发射层和第二电极的位于第一电极之上的部分可以与发射层和第二电极的位于图案部分之上的部分分离。

显示装置可以具有显示区域、位于显示区域内的开口区域以及位于开口区域与显示区域之间的外围区域。显示装置可以进一步包括：坝，位于外围区域中；以及辅助图案部分，位于坝周围并且与坝间隔开。辅助图案部分可以包括由感光树脂制成的感光辅助图案层。

感光辅助图案层和感光图案层可以由相同的材料制成并且位于同一层上。

根据实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成晶体管；在晶体管上形成导电层；在导电层上形成包括具有第一厚度的第一部分以及具有比第一厚度厚的第二厚度的第二部分的光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模来图案化导电层，以形成电连接到晶体管的第一电极以及与第一电极间隔开的电极图案层；灰化光致抗蚀剂图案以去除位于第一电极上的第一部分，并且形成位于电极图案层上的感光图案层；在第一电极上形成发射层；并且在发射层上形成第二电极。

感光图案层的侧部可以具有倒锥形形状。

发射层可以包括多个发光部分以及位于多个发光部分之间的电荷产生层。发射层和第二电极可以完全位于基板上。发射层和第二电极的位于第一电极之上的部分可以与发射层和第二电极的位于感光图案层之上的部分分离。

根据实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成晶体管；形成电连接到晶体管的第一电极；在第一电极上形成无机绝缘层；在无机绝缘层上形成包括具有第一厚度的第一部分和具有比第一厚度厚的第二厚度的第二部分的光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模来图案化无机绝缘层，以形成位于第一电极的边缘上的堤层以及与堤层间隔开的无机图案层；灰化光致抗蚀剂图案以去除位于堤层上的第一部分，并且形成位于无机图案层上的感光图案层；在第一电极上形成发射层；并且在发射层上形成第二电极。

感光图案层的侧部可以具有倒锥形形状。

发射层可以包括多个发光部分和位于多个发光部分之间的电荷产生层。发射层和第二电极可以完全位于基板上。发射层和第二电极的位于第一电极之上的部分可以与发射层和第二电极的位于感光图案层之上的部分分离。

根据实施例，发射层可以在至少部分区域中被分离，并且侧向泄漏路径可以被缩短。因此，在低灰度中，颜色改变可以被减轻(或防止)。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的实施例，根据本公开的实施例的另外的理解将变得更显而易见，在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图2是示出根据实施例的显示装置的一些层的示意性平面图；

图3是示出图1的一些层中包括的层的示意图；

图4是根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图；

图5至图11是示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意性截面图；

图12是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图13是示出根据实施例的显示装置的一些层的示意性平面图；

图14是根据实施例的显示装置的示意性分解透视图；

图15是根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图16是示出根据实施例的显示装置的一些元件的示意性平面图；

图17是图14和图16的区域A的示意性放大平面图；

图18是根据实施例的显示装置的显示区域和外围区域的示意性截面图；

图19是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图20是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图21至图26是示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意性截面图；并且

图27是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节以便提供对本公开的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施例”和“实施方式”是作为本文中公开的装置或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者以一个或多个等同布置来实践各种实施例。这里，各种实施例不必是排他的，也不限制本公开。例如，实施例的特定形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实现。

除非另外指明，否则图示的实施例应被理解为提供本公开的示例性特征。因此，除非另外指明，否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独地或共同地称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置，而不脱离本发明构思。

当实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件和相似的元件。

尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。

为了描述的目的，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并且由此描述如附图中图示的一个元件相对于另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可以被以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它方位定向)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。

在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明邻近元件之间的边界。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步地，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。

当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在该另一元件或层上、连接到或耦接到该另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理的、电的和/或流体的连接。此外，在本说明书中，词语“上”或“上方”意味着位于对象部分上或下方，并且不必意味着位于对象部分的基于重力方向的上侧。

考虑讨论中的测量和与具体量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，如本文中使用的术语“约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

为了短语“……中的至少一个”的含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以被理解为意味着“A、B或者A和B”。

除非本文中另外定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。

本文中使用的术语用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且因此被利用以考虑本领域普通技术人员公认的测量的、计算的和/或提供的值的固有偏差。

本文中参照是实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差而导致的结果的图示的形状的变化。因此，本文中公开的实施例不必被解释为限于区的具体图示的形状，而应包括由于例如制造而导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中图示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且因此不必旨在限制。

如本领域中的惯例，从功能块、单元和/或模块的角度描述并在附图中图示了一些实施例。本领域技术人员将领会，这些块、单元和/或模块由可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬布线电路、存储器元件和布线连接等)物理地实现。在块、单元和/或模块由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对块、单元和/或模块进行编程和控制，以执行本文中讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。还预期每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者被实现为执行一些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和关联的电路)的组合。此外，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。进一步地，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合为更加复杂的块、单元和/或模块，而不脱离本发明构思的范围。

进一步地，在说明书中，术语“在平面图中”意味着当从上方观察对象部分时，并且术语“在截面图中”意味着当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的截面时。

参考图1至图3描述根据实施例的显示装置。

图1是根据实施例的显示装置的示意性截面图。图2是示出根据实施例的显示装置的一些层的示意性平面图。图3是示出图1的一些层中包括的层的示意图。图2示出了根据实施例的显示装置的第一电极和图案部分，并且图3示出了根据实施例的显示装置的发射层中包括的层。

参考图1，根据实施例的显示装置可以包括基板110、半导体130、栅电极151、源电极173和漏电极175。半导体130、栅电极151、源电极173和漏电极175可以设置在基板110上。

基板110可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。基板110可以包括能够弯曲或折叠的柔性材料并且可以具有单层或多层结构。

缓冲层111可以位于基板110上。缓冲层111可以具有单层或多层结构。缓冲层111可以包括包含氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)中的至少一种的无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料。在其它实施例中，缓冲层111可以被省略。阻挡层可以进一步位于基板110与缓冲层111之间。阻挡层可以具有单层或多层结构。阻挡层可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

半导体130可以位于缓冲层111上。半导体130可以包括第一区域131、沟道132和第二区域133。第一区域131和第二区域133可以分别位于半导体130的沟道132的侧面(例如，两侧)。半导体130可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种半导体材料。

第一栅绝缘层141可以位于半导体130上。第一栅绝缘层141可以具有单层或多层结构。第一栅绝缘层141可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

栅电极151可以位于第一栅绝缘层141上。在平面图中，栅电极151可以与半导体130的沟道132重叠。栅电极151可以具有单层或多层结构。栅电极151可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的金属材料。栅电极151可以包括以上描述的金属材料的合金。在形成栅电极151之后，可以在栅电极151上执行掺杂工艺或等离子体处理。半导体130的被栅电极151覆盖的部分可以不被掺杂或不被等离子体处理，并且半导体130的不被栅电极151覆盖的部分可以被掺杂或被等离子体处理，以具有导电性(例如，与导体相同的特性)。

第二栅绝缘层142可以位于栅电极151上。第二栅绝缘层142可以具有单层或多层结构。第二栅绝缘层142可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

第一存储电极153可以位于第二栅绝缘层142上。第一存储电极153可以具有单层或多层结构。第一存储电极153可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的金属材料。第一存储电极153可以包括以上描述的金属材料的合金。第一存储电极153可以在平面图中与栅电极151重叠，以形成存储电容器。

层间绝缘层160可以位于第一存储电极153上。层间绝缘层160可以具有单层或多层结构。层间绝缘层160可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。

源电极173和漏电极175可以位于层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175可以具有单层或多层结构。源电极173和漏电极175可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。例如，源电极173和漏电极175可以包括以上描述的材料的合金。例如，源电极173和漏电极175可以包括下层、中间层和上层。源电极173和漏电极175的中间层可以由铝(Al)制成，并且源电极173和漏电极175的下层和上层可以由钛(Ti)制成。

层间绝缘层160可以包括在平面图中与源电极173和半导体130的第一区域131重叠的开口。源电极173可以通过该开口电连接到半导体130的第一区域131。层间绝缘层160可以包括在平面图中与漏电极175和半导体130的第二区域133重叠的开口。漏电极175可以通过该开口电连接到半导体130的第二区域133。

半导体130、栅电极151、源电极173和漏电极175可以构成(或形成)晶体管TFT。根据实施例，晶体管TFT可以仅包括半导体130的源区和漏区，而不包括源电极173和漏电极175。

钝化层180可以位于源电极173和漏电极175上。钝化层180可以包括诸如通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。钝化层180的通用聚合物可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)或其组合。

第一电极191可以位于钝化层180上。第一电极191也可以被称为阳极，并且可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层或者包括以上描述的材料的多层组成。第一电极191的透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ITO)、多晶-ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。第一电极191的金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)中的至少一种。例如，第一电极191可以包括下层191a、中间层191b和上层191c。第一电极191的下层191a可以位于(例如，直接位于)钝化层180上。中间层191b可以位于下层191a上。上层191c可以位于中间层191b上。第一电极191的中间层191b可以由与下层191a和/或上层191c的材料不同的材料制成。例如，中间层191b可以由银(Ag)制成，并且下层191a和上层191c可以由ITO制成。

钝化层180可以包括在平面图中与漏电极175和第一电极191重叠的开口181。第一电极191可以通过开口181电连接到漏电极175。例如，漏电极175可以与第一电极191的下层191a的底表面接触。相应地，第一电极191可以接收从漏电极175传递到发射层370的输出电流。

图案部分700可以位于钝化层180上。图案部分700可以与第一电极191间隔开。图案部分700可以包括电极图案层195和感光图案层520。

电极图案层195和第一电极191可以由相同的材料制成(或包括相同的材料)并且可以位于同一层上。电极图案层195可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层或者包括以上描述的材料的多层组成。例如，电极图案层195可以包括下层195a、中间层195b和上层195c。电极图案层195的下层195a可以位于(例如，直接位于)钝化层180上。中间层195b可以位于下层195a上。上层195c可以位于中间层195b上。电极图案层195的下层195a和第一电极191的下层191a可以由相同的材料制成并且位于同一层上。电极图案层195的中间层195b和第一电极191的中间层191b可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。电极图案层195的上层195c和第一电极191的上层191c可以由相同的材料制成并且位于同一层上。电极图案层195的中间层195b可以由与下层195a和/或上层195c的材料不同的材料制成。例如，中间层195b可以由银(Ag)制成，并且下层195a和上层195c可以由ITO制成。

感光图案层520可以由感光树脂制成，并且可以位于电极图案层195上。感光图案层520的感光树脂可以是由通过光化学反应被改变为溶解或不溶解的状态的聚合物组成的树脂。感光图案层520和在图案化第一电极191的工艺中使用的光致抗蚀剂可以由相同的材料制成。感光图案层520可以位于(例如，直接位于)电极图案层195上。感光图案层520可以与电极图案层195的上层195c的上表面接触。感光图案层520的侧表面可以在截面图中具有倒锥形形状。例如，感光图案层520的顶表面(例如，上表面)的宽度可以比感光图案层520的底表面(例如，下表面)的宽度宽。感光图案层520的宽度可以从感光图案层520的顶表面(例如，上表面)到底表面(例如，下表面)逐渐变窄。

参考图2，基板110可以包括像素R、G和B。在平面图中，图案部分700可以位于像素R、G和B之间。

像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一像素R可以显示红色。第二像素G可以显示绿色。第三像素B可以显示蓝色。然而，这仅是示例，并且像素可以进一步包括显示除红色、绿色和蓝色之外的其它颜色的像素。例如，像素可以进一步包括白色像素。作为另一示例，像素可以包括显示青色的像素、显示品红色的像素和显示黄色的像素。

像素R、G和B中的每个可以由包括在第一方向DR1上延伸的边和在与第一方向DR1相交(例如，垂直)的第二方向DR2上延伸的边的多边形形成。第一方向DR1可以是显示装置的行方向，并且第二方向DR2可以是显示装置的列方向。例如，像素R、G和B中的每个可以被形成为矩形。像素R、G和B中的每个的第一电极191的平面形状可以是矩形。

像素R、G和B可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此邻近。例如，第一像素R和第二像素G可以在第二方向DR2上交替布置。第一像素R和第二像素G可以在第二方向DR2上彼此邻近。多个第三像素B可以设置在第二方向DR2上。第三像素B可以在第一方向DR1上与第一像素R和第二像素G邻近。

图案部分700可以具有在第一方向DR1或第二方向DR2上延伸的条形形状。在第一方向DR1上延伸的图案部分700可以位于在第二方向DR2上彼此邻近的像素R、G和B之间。例如，在第一方向DR1上延伸的图案部分700可以位于第一像素R与第二像素G之间或者位于第三像素B之间。在第二方向DR2上延伸的图案部分700可以位于在第一方向DR1上彼此邻近的像素R、G和B之间。例如，在第二方向DR2上延伸的图案部分700可以位于第一像素R与第三像素B之间或者位于第二像素G与第三像素B之间。然而，这仅是示例，并且图案部分700的形状和延伸方向可以被不同地改变。

图案部分700可以与像素R、G和B的第一电极191分离。例如，图案部分700可以以一定间隔与像素R、G和B的第一电极191间隔开。至少一个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间。例如，如图示的，一个、两个或四个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间。例如，图案部分700可以彼此间隔开。然而，这仅是示例，并且位于邻近的像素R、G和B之间的图案部分700的数量可以被不同地改变。可以根据像素R、G和B之间的间距来选择图案部分700的数量。

堤层350可以位于第一电极191和钝化层180上。堤层350也可以被称为像素限定层(PDL)，并且包括在平面图中与第一电极191重叠的像素开口351。在平面图中，像素开口351可以与第一电极191的中心部分重叠并且可以不与第一电极191的边缘重叠。例如，堤层350可以位于第一电极191的边缘上。像素开口351的尺寸可以小于第一电极191的尺寸。堤层350可以是包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料的有机绝缘体。根据实施例，堤层350可以由具有黑色的黑色PDL(像素限定层)形成。

堤层350可以进一步包括在平面图中与图案部分700重叠的开口353。在平面图中，堤层350的开口353可以与图案部分700和图案部分700的外围区域重叠。因此，堤层350可以不位于图案部分700上。图案部分700可以与堤层350间隔开。

发射层370可以位于第一电极191上。参考图3，发射层370(例如，参考图1)可以包括发光部分1370和2370以及位于发光部分1370和2370之间的电荷产生层375。

发光部分1370和2370可以包括第一发光部分1370和第二发光部分2370。第一发光部分1370和第二发光部分2370中的每个可以包括多层。第一发光部分1370可以包括空穴注入层1370a、空穴传输层1370b、有机发射层1370c、电子传输层1370d和电子注入层1370e。第二发光部分2370可以包括空穴注入层2370a、空穴传输层2370b、有机发射层2370c、电子传输层2370d和电子注入层2370e。有机发射层1370c和2370c中的每个可以包括发射诸如红光、绿光和蓝光的光的低分子量或高分子量有机材料。空穴注入层1370a和2370a、空穴传输层1370b和2370b、电子传输层1370d和2370d以及电子注入层1370e和2370e中的至少一部分可以被省略。第一发光部分1370的空穴注入层1370a可以与第一电极191接触。第二发光部分2370的电子注入层2370e可以与第二电极270接触。

电荷产生层375可以位于第一发光部分1370和第二发光部分2370之间。电荷产生层375可以是产生电子以充当彼此邻近的两个发光部分1370和2370当中的一个发光部分的阴极并且产生空穴以充当另一发光部分的阳极的层。例如，电荷产生层375可以用作第一发光部分1370的阴极以及第二发光部分2370的阳极。

电荷产生层375可以包括N型电荷产生层375a和P型电荷产生层375b。N型电荷产生层375a和P型电荷产生层375b可以彼此接合以形成NP结。电子和空穴可以由NP结在N型电荷产生层375a与P型电荷产生层375b之间同时产生。所产生的电子可以通过N型电荷产生层375a被传送到彼此邻近的两个发光部分1370和2370中的一个。所产生的空穴可以通过P型电荷产生层375b被传输到彼此邻近的两个发光部分1370和2370中的另一个。

以上已经描述了发射层370包括两个发光部分1370和2370，但是不限于此。发射层370可以包括三个或更多个发光部分。例如，发射层370可以包括三个发光部分以及位于发光部分之间的两个电荷产生层。

发射层370不仅可以位于第一电极191之上，而且可以作为一个整体位于基板110上的其它区域中。发射层370的有机发射层1370c和2370c可以被图案化并且仅位于像素开口351内。除了有机发射层1370c和2370c之外，其余层(例如，空穴注入层1370a/2370a、空穴传输层1370b/2370b、电子传输层1370d/2370d和电子注入层1370e/2370e)可以完全位于基板110上。空穴注入层1370a/2370a、空穴传输层1370b/2370b、电子传输层1370d/2370d、电子注入层1370e/2370e和电荷产生层375可以完全位于基板110上。

第二电极270可以位于发射层370上。第二电极270可以完全位于基板110上。第二电极270也可以被称为阴极，并且可以由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种的透明导电膜形成。第二电极270可以具有半透明特性，并且可以与第一电极191一起构成微腔。第一电极191、发射层370和第二电极270可以构成发光二极管LED。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以与发射层370和第二电极270的其余区域分离。发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分700上的部分分离。在根据实施例的显示装置中，发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分700上的部分分离，使得尽管在电荷产生层375中发生泄漏，但是泄漏的传输路径可以被阻断，并且低灰度中的颜色改变(例如，颜色改变的光学特性)可以被改善。第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与第二电极270的位于图案部分700上的部分分离。发射层370和第二电极270可以与图案部分700的边缘分离。发射层370和第二电极270的位于图案部分700上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于图案部分700外侧的部分分离。构成发射层370的层中的一些层可以不分离，而是可以被连接为一个整体。例如，第一发光部分1370和电荷产生层375可以在图案部分700的边缘处具有分离的形式，并且第二发光部分2370可以在图案部分700的边缘处具有连接的形式。同样地，第二电极270可以被连接为一个整体。例如，第二电极270可以在图案部分700的边缘处具有连接的形式。

尽管未示出，但是封装层可以进一步位于第二电极270上。封装层可以保护发光二极管LED免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响，并且封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，封装层可以具有在其中第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层被堆叠的结构。然而，这仅是示例，并且构成封装层的无机层和有机层的数量可以被不同地改变。

尽管以上已经描述了在其中一个晶体管电连接到发光二极管LED的结构，但是每个发光二极管LED可以电连接到多个晶体管。在下文中，参考图4提供根据实施例的显示装置的像素的示例。

图4是根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。

参考图4，根据实施例的显示装置可以包括能够显示图像的像素PX以及信号线127、150、152、154、155、171和172。一个像素PX可以包括电容器Cst、至少一个发光二极管LED以及电连接到信号线127、150、152、154、155、171和172的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7。在实施例中，主要描述在其中一个像素PX包括一个发光二极管LED的示例。

信号线127、150、152、154、155、171和172可以包括初始化电压线127、扫描线150、152和154、发光控制线155、数据线171以及驱动电压线172。

初始化电压线127可以传输初始化电压Vint。扫描线150、152和154可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输可以使像素PX中包括的晶体管T2、T3、T4和T7导通/截止的栅导通电压和栅截止电压。

电连接到一个像素PX的扫描线150、152和154可以包括第一扫描线150、第二扫描线152和第三扫描线154。第一扫描线150可以传输扫描信号GWn。第二扫描线152可以以与第一扫描线150的时序不同的时序传输具有栅导通电压的扫描信号GIn。第三扫描线154可以传输扫描信号GI(n+1)。在实施例中，主要描述在其中第二扫描线152以比第一扫描线150早的时序传输栅导通电压的示例。例如，在扫描信号GWn是在一帧期间施加的扫描信号当中的第n扫描信号Sn(n是1或更大的自然数)的情况下，扫描信号GIn可以是诸如第n-1扫描信号S(n-1)的先前的扫描信号，并且扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。然而，实施例不限于此，并且扫描信号GI(n+1)可以是与第n扫描信号Sn不同的扫描信号。

发光控制线155可以传输控制信号，并且可以传输控制像素PX中包括的发光二极管LED的发射的发光控制信号EM。由发光控制线155传输的发光控制信号EM可以传输栅导通电压和栅截止电压，并且可以具有与由扫描线150、152和154传输的扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)的波形不同的波形。

数据线171可以传输数据信号Dm，并且驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。数据信号Dm可以根据输入到显示装置的图像信号而具有不同的电压电平。驱动电压ELVDD可以具有基本上恒定的电平。

尽管未示出，但是显示装置可以进一步包括将信号传输到信号线127、150、152、154、155、171和172的驱动器。

一个像素PX中包括的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。

第一扫描线150可以将扫描信号GWn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3。第二扫描线152可以将扫描信号GIn传输到第四晶体管T4。第三扫描线154可以将扫描信号GI(n+1)传输到第七晶体管T7。发光控制线155可以将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。

第一晶体管T1的栅电极G1可以通过驱动栅节点GN电连接到电容器Cst的端子。第一晶体管T1的第一电极Ea1可以经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线172。第一晶体管T1的第二电极Eb1可以经由第六晶体管T6电连接到发光二极管LED的阳极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收从数据线171传输的数据信号Dm，并且将驱动电流Id供应给发光二极管LED。

第二晶体管T2的栅电极G2可以电连接到第一扫描线150。第二晶体管T2的第一电极Ea2可以电连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极Eb2可以电连接到第一晶体管T1的第一电极Ea1并且经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线172。第二晶体管T2可以根据通过第一扫描线150传输的扫描信号GWn而导通，并且将从数据线171传输的数据信号Dm传输到第一晶体管T1的第一电极Ea1。

第三晶体管T3的栅电极G3可以电连接到第一扫描线150。第三晶体管T3的第一电极Ea3可以电连接到第一晶体管T1的第二电极Eb1并且通过第六晶体管T6电连接到发光二极管LED的阳极。第三晶体管T3的第二电极Eb3可以电连接到第四晶体管T4的第二电极Eb4、电容器Cst的端子和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3可以根据通过第一扫描线150接收的扫描信号GWn而导通，并且第一晶体管T1的栅电极G1和第二电极Eb1可以彼此电连接以将第一晶体管T1二极管连接。

第四晶体管T4的栅电极G4可以电连接到第二扫描线152。第四晶体管T4的第一电极Ea4可以电连接到初始化电压Vint的端子。第四晶体管T4的第二电极Eb4可以经由第三晶体管T3的第二电极Eb3电连接到电容器Cst的端子和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线152接收的扫描信号GIn而导通，并且初始化电压Vint可以被传输到第一晶体管T1的栅电极G1，从而执行初始化第一晶体管T1的栅电极G1的电压的初始化操作。

第五晶体管T5的栅电极G5可以电连接到发光控制线155。第五晶体管T5的第一电极Ea5可以电连接到驱动电压线172。第五晶体管T5的第二电极Eb5可以电连接到第一晶体管T1的第一电极Ea1和第二晶体管T2的第二电极Eb2。

第六晶体管T6的栅电极G6可以电连接到发光控制线155。第六晶体管T6的第一电极Ea6可以电连接到第一晶体管T1的第二电极Eb1和第三晶体管T3的第一电极Ea3。第六晶体管T6的第二电极Eb6可以电连接到发光二极管LED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以取决于通过发光控制线155传输的发光控制信号EM而同时导通，从而通过被二极管连接的第一晶体管T1将驱动电压ELVDD传输到发光二极管LED。

第七晶体管T7的栅电极G7可以电连接到第三扫描线154。第七晶体管T7的第一电极Ea7可以电连接到第六晶体管T6的第二电极Eb6和发光二极管LED的阳极。第七晶体管T7的第二电极Eb7可以电连接到初始化电压Vint的端子和第四晶体管T4的第一电极Ea4。

晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以各自是诸如PMOS的P型沟道晶体管，然而晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7不限于此，并且晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个可以是N型沟道晶体管。

如以上描述的，电容器Cst的端子可以电连接到第一晶体管T1的栅电极G1，并且电容器Cst的另一端子可以电连接到驱动电压线172。发光二极管LED的阴极可以电连接到传输公共电压ELVSS的公共电压ELVSS的端子，从而接收公共电压ELVSS。

尽管以上已经描述了一个像素PX包括七个晶体管(例如，晶体管T1至T7)、一个存储电容器Cst和一个发光二极管LED，但是这只是示例，并且晶体管的数量、电容器的数量、发光二极管LED的数量及其连接关系可以被不同地改变。

以下参考图5至图11提供根据实施例的制造显示装置的方法的描述。

图5至图11是依次示出根据实施例的显示装置的制造工艺的示意性截面图。

参考图5，可以通过使用无机绝缘材料或有机绝缘材料在基板110上形成缓冲层111。可以通过使用半导体材料在缓冲层111上形成半导体130。半导体130的半导体材料可以由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等制成。可以使用无机绝缘材料在半导体130和缓冲层111上形成第一栅绝缘层141。

可以在第一栅绝缘层141上沉积和图案化金属材料，以形成栅电极151。在平面图中，栅电极151可以与半导体130重叠。在形成栅电极151之后，对半导体130的在平面图中不与栅电极151重叠的部分执行掺杂工艺或等离子体处理。相应地，半导体130的与栅电极151重叠的部分可以变成沟道132，并且半导体130的不与栅电极151重叠的部分可以变成具有导电性的第一区域131和第二区域133。第一区域131和第二区域133可以分别位于半导体130的沟道132的侧面(例如，两侧)。可以通过使用无机绝缘材料在栅电极151和第一栅绝缘层141上形成第二栅绝缘层142。

可以在第二栅绝缘层142上沉积和图案化金属材料，以形成第一存储电极153。在平面图中，第一存储电极153可以与栅电极151重叠。可以通过使用无机绝缘材料或有机绝缘材料在第一存储电极153和第二栅绝缘层142上形成层间绝缘层160。可以通过图案化层间绝缘层160来形成暴露半导体130的第一区域131和第二区域133的至少一部分的开口。

可以通过在层间绝缘层160上沉积和图案化金属材料来形成源电极173和漏电极175。源电极173可以通过开口电连接到半导体130的第一区域131。漏电极175可以通过开口电连接到半导体130的第二区域133。源电极173和漏电极175的金属材料可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)等中的至少一种。

参考图6，可以通过使用有机绝缘材料在源电极173和漏电极175上形成钝化层180。可以通过图案化钝化层180形成开口181。漏电极175的至少一部分可以被开口181暴露。

可以在钝化层180上形成导电层(或导电材料层)190。导电层190可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层或者包括以上描述的材料的多层组成。例如，导电层190可以包括第一导电层190a、第二导电层190b和第三导电层190c。第一导电层190a可以由ITO制成。第二导电层190b可以由银(Ag)制成。第三导电层190c可以由ITO制成。

导电层190可以位于(例如，直接位于)钝化层180上方。导电层190也可以形成在钝化层180的开口181中。导电层190可以通过开口181电连接到漏电极175。例如，第一导电层190a的底表面可以与漏电极175接触。

参考图7，可以通过在导电层190上涂覆感光树脂、在基板110上对准掩模600并且执行光处理来形成光致抗蚀剂图案510。感光树脂可以是由通过光化学反应被改变为溶解或不溶解的状态的聚合物组成的树脂。

掩模600可以包括透射入射在掩模600上的光(例如，大部分光)的透射部分TR、仅透射一些光的半透射部分HR和阻挡光(例如，大部分光)的非透射部分NR。光致抗蚀剂图案510可以由负性光致抗蚀剂形成。在显影过程期间，感光树脂的与掩模600的透射部分TR相对应的部分(例如，第二部分512)可以保留在导电层190上，感光树脂的与半透射部分HR相对应的部分(例如，第一部分511)的厚度可以被减小，并且感光树脂的与非透射部分NR相对应的部分可以被去除。相应地，光致抗蚀剂图案510可以包括具有第一厚度的第一部分511和具有第二厚度的第二部分512。第二厚度可以比第一厚度厚。光致抗蚀剂图案510的第一部分511可以是与掩模600的半透射部分HR相对应的部分。光致抗蚀剂图案510的第二部分512可以是与掩模600的透射部分TR相对应的部分。光致抗蚀剂图案510(例如，第一部分511和第二部分512)的侧部可以被图案化为具有倒锥形形状。

参考图8，导电层190(例如，参考图7)可以使用光致抗蚀剂图案510(例如，第一部分511和第二部分512)作为掩模(例如，蚀刻掩模)被蚀刻。通过图案化导电材料层190，第一电极191和电极图案层195可以被形成。导电层190的位于光致抗蚀剂图案510的第一部分511之下的部分可以是第一电极191。第一电极191可以通过钝化层180的开口181电连接到晶体管TFT的漏电极175。第一电极191可以包括下层191a、中间层191b和上层191c。第一电极191的下层191a可以与漏电极175接触。导电层190的位于光致抗蚀剂图案510的第二部分512之下的部分可以是电极图案层195。电极图案层195可以与第一电极191间隔开。电极图案层195可以包括下层195a、中间层195b和上层195c。电极图案层195和第一电极191可以由相同的材料制成并且位于同一层上。电极图案层195和第一电极191可以在同一工艺中形成。

参考图9，光致抗蚀剂图案510可以被灰化以去除光致抗蚀剂图案510的位于第一电极191上的第一部分511，并且在电极图案层195上形成感光图案层520。光致抗蚀剂图案510的位于电极图案层195上的第二部分512的厚度可以被减小，以形成感光图案层520。感光图案层520可以位于(例如，直接位于)电极图案层195上。感光图案层520可以与电极图案层195的上层195c接触。感光图案层520的侧表面可以具有倒锥形形状。感光图案层520和电极图案层195可以形成图案部分700。图案部分700可以与第一电极191间隔开。

参考图10，可以通过使用有机绝缘材料在第一电极191和钝化层180上形成堤层350。通过图案化堤层350，像素开口351和开口353可以被形成。在平面图中，像素开口351可以与第一电极191重叠。在平面图中，像素开口351可以与第一电极191的中心部分重叠。第一电极191的中心部分可以被像素开口351暴露。相应地，堤层350可以位于第一电极191的边缘上。在平面图中，开口353可以与图案部分700和图案部分700的外围区域重叠。因此，堤层350可以不位于图案部分700上。图案部分700可以与堤层350间隔开。

参考图11，可以在第一电极191上形成发射层370。发射层370可以完全位于基板110之上。相应地，发射层370也可以位于堤层350和图案部分700上。此外，发射层370可以位于图案部分700(例如，邻近的图案部分700)之间。发射层370可以位于(例如，直接位于)图案部分700之间的钝化层180上方。

可以通过顺序地沉积多层来形成发射层370。如图3中所示，发射层370可以包括发光部分1370和2370以及位于发光部分1370和2370之间的电荷产生层375。发射层370的层中的一些层可以仅位于像素开口351内，并且发射层370的层中的其余层可以完全形成在基板110上。然而，本公开不限于此，并且多层可以完全形成在基板110上。

可以通过使用导电材料在发射层370上形成第二电极270。第二电极270可以由透明导电氧化物膜或半透明导电材料等形成。第二电极270可以位于(例如，直接位于)发射层370上并且可以完全形成在基板110上。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以具有与发射层370和第二电极270的其余区域分离的形状。发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分700上的部分分离。在根据实施例的显示装置中，发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分700上的部分分离，使得即使在发射层370的电荷产生层375中发生泄漏，泄漏的传输路径也可以被阻断，并且低灰度中的颜色改变可以被改善。第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与第二电极270的位于图案部分700上的部分分离。发射层370和第二电极270可以通过图案部分700与图案部分700的外围之间的台阶差与图案部分700的边缘分离。发射层370和第二电极270的位于图案部分700上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于图案部分700外侧的部分分离。构成发射层370的层中的一些层可以不分离，而是可以被连接为一个整体。例如，第一发光部分1370和电荷产生层375可以在图案部分700的边缘处具有分离的形式，并且第二发光部分2370可以在图案部分700的边缘处具有连接的形式。同样地，第二电极270可以被连接为一个整体。例如，第二电极270可以在图案部分700的边缘处具有连接的形式。

参考图12和图13提供根据实施例的显示装置的描述。

根据图12和图13中示出的实施例的显示装置与根据图1至图3中示出的实施例的显示装置的不同之处至少在于，位于两个邻近的像素之间的图案部分的数量被减少。因此，省略相同元件的详细描述。

图12是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。图13是示出根据实施例的显示装置的一些层的示意性平面图。图13示出了根据实施例的显示装置的第一电极和图案部分。

参考图12和图13，根据实施例的显示装置包括基板110、位于基板110上的晶体管TFT、电连接到晶体管TFT的第一电极191、设置在第一电极191上的发射层370、位于发射层370上的第二电极270以及与第一电极191分离的图案部分700。图案部分700可以包括电极图案层195和感光图案层520。

至少一个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间。在先前的实施例中，一个、两个或四个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间，而在本实施例中，一个或两个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间。在大多数区域中，单个图案部分700可以位于邻近的像素R、G和B之间。本实施例中的图案部分700的宽度可以比先前的实施例中的图案部分700的宽度宽。例如，本实施例中的图案部分700的宽度可以比先前的实施例中的两个图案部分700的宽度宽。然而，这仅是示例，并且位于邻近的像素R、G和B之间的图案部分700的数量以及每个图案部分700的宽度可以被不同地改变。图案部分700的宽度可以是恒定的或彼此不同。

参考图14至图18提供根据实施例的显示装置的描述。

根据图14至图18中示出的实施例的显示装置与根据图1至图3中示出的实施例的显示装置的不同之处至少在于，基板包括开口区域。因此，省略相同元件的详细描述。

图14是根据实施例的显示装置的示意性分解透视图。图15是根据实施例的显示装置的示意性截面图。图16是示出根据实施例的显示装置的一些元件的示意性平面图。

参考图14和图15，显示装置1000可以在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上朝向第三方向DR3显示图像。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或底表面)可以通过第三方向DR3被区分。由第一至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向可以是相对概念，并且可以被转换为其它方向。

显示装置1000可以包括覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM。在实施例中，覆盖窗WU、显示面板DP和外壳构件HM可以被结合以配置显示装置1000。

覆盖窗WU可以设置在显示面板DP上，并且保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明区域并且可以是透射入射光的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以表现一颜色。阻挡区域BA可以在平面图中与显示面板DP的非显示区域PA重叠，以阻止非显示区域PA从外部被看到。

覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个可以在平面图中与电子模块EMD重叠。以下提供电子模块EMD的描述。

电子模块EMD可以接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号，并且可以被外部信号操作。

根据实施例，第一孔区域HA1可以位于透射区域TA中。第二孔区域HA2可以位于阻挡区域BA中。然而，这仅是示例性的，并且第一孔区域HA1可以位于阻挡区域BA中，而第二孔区域HA2可以位于透射区域TA中。在其它实施例中，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以位于透射区域TA或阻挡区域BA中。此外，孔区域的数量不限于两个，并且三个或更多个孔区域可以形成在透射区域TA或阻挡区域BA中。第一孔区域HA1可以是或可以不是物理形成的孔。例如，可以不在第一孔区域HA1中形成有形的孔，而是可以形成具有高透射率的区域。位于第一孔区域HA1中的像素的密度可以不同于其它区域中的像素的密度。

在第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个中，可以限定从覆盖窗WU的后表面凹进的凹陷。凹陷可以包括具有比覆盖窗WU的厚度低的深度的凹槽或开口。

第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有不同的形状。第一孔区域HA1可以在平面图中具有圆形形状，并且第二孔区域HA2可以在平面图中具有椭圆形形状，该椭圆形形状具有在第一方向DR1上延伸的长轴。然而，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状不限于此，并且第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的尺寸或形状可以被不同地修改。

显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板或柔性显示面板，但是不限于此。根据实施例的显示面板DP可以是发光显示面板，但是不限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光面板或量子点发光显示面板。有机发光面板的发射层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点或量子棒等。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光面板。

显示面板DP可以在显示面板DP的前表面上显示图像。显示面板DP的前表面可以包括显示区域DA和非显示区域PA。图像可以显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。

显示面板DP可以包括位于显示区域DA中的像素PX。像素PX可以响应于电信号而发光。由像素PX发射的光可以实现图像。每个像素PX中包括的晶体管和电容器的数量及其连接关系可以以不同的方式被改变。

根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以位于显示区域DA中。稍后描述开口区域DTA所在的区域A。在平面图中，开口区域DTA可以与覆盖窗WU的第一孔区域HA1重叠。像素PX中的一些像素PX可以设置在开口区域DTA周围。因此，图像也可以显示在与开口区域DTA邻近的区域中。

显示面板DP可以包括从显示区域DA延伸并且包括信号线和焊盘部分的非显示区域PA。数据驱动器50可以位于非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的焊盘部分可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB。参考图16提供焊盘部分的描述。

参考图15，将显示面板DP和覆盖窗WU附接的粘合层AD可以位于显示面板DP与覆盖窗WU之间。尽管在本说明书中未示出，但是可以进一步包括位于显示面板DP与覆盖窗WU之间的触摸部分。触摸部分可以设置在显示面板DP上以用于显示装置1000的触摸屏功能。触摸部分可以包括各种图案的触摸电极，并且可以是电阻膜类型或电容类型。

电子模块EMD(例如，参考图14)可以包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。电子模块EMD可以通过未示出的连接器电连接到显示面板DP。例如，电子模块EMD可以是相机、扬声器或者用于检测光或热的传感器。

电子模块EMD(例如，参考图14)可以包括第一电子模块EM1(例如，参考图14)和第二电子模块EM2(例如，参考图14)。第一电子模块EM1可以检测通过开口区域DTA和第一孔区域HA1接收的外部对象。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传输的外部输入(例如，输入信号)或者可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出(例如，输出信号)。

例如，第一电子模块EM1(例如，参考图14)可以是发光模块、光感测模块和拍摄模块中的至少一个。例如，第一电子模块EM1可以包括输出红外光的发光模块、用于红外检测的CMOS传感器和拍摄外部主题的相机模块中的至少一个。

第二电子模块EM2(例如，参考图14)可以通过第二孔区域HA2收集诸如语音的声音信号或者将诸如处理后的语音的声音信号提供到外部。例如，第二电子模块EM2可以包括声学输入模块和声学输出模块中的至少一个。声学输入模块可以包括能够接收声学信号的麦克风。声学输出模块可以包括将声音数据作为声音信号输出的扬声器。

然而，这以示例的方式被图示，并且电子模块EMD可以由单个模块组成。电子模块EMD可以进一步包括更多数量的电子模块。在其它实施例中，电子模块EMD可以以各种布置关系被布置。然而，本公开不限于任何一个实施例。

外壳构件HM可以设置在显示面板DP之下。外壳构件HM可以与覆盖窗WU结合，以形成显示装置1000的外观。外壳构件HM可以包含具有相对高的刚性的材料。例如，外壳构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属中的至少一种制成(或包括玻璃、塑料和金属中的至少一种)的框架和/或板。

外壳构件HM可以提供容纳空间。显示面板DP可以被容纳在该容纳空间中，并且被保护免受外部冲击。

参考图16，显示面板DP可以包括包含显示区域DA和非显示区域PA的基板SUB(其可对应于上述的基板110)。非显示区域PA可以沿显示区域DA的边界被限定。例如，非显示区域PA可以围绕显示区域DA。

显示面板DP可以包括像素PX。像素PX在基板SUB上可以设置在显示区域DA中。每个像素PX可以包括发光元件和电连接到发光元件的驱动电路部分。每个像素PX可以发射一颜色(例如，红色、绿色、蓝色或白色)的光，并且作为示例可以包括有机发光元件(例如，有机发光二极管)。

显示面板DP可以包括信号线和焊盘部分。信号线可以包括扫描线SL、数据线DL和驱动电压线PL等。扫描线SL可以在第一方向DR1上延伸。数据线DL和驱动电压线PL可以在第二方向DR2上延伸。

扫描驱动器20可以生成扫描信号并且通过扫描线SL将扫描信号传输到每个像素PX。根据实施例，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧和右侧。本说明书示出了在其中扫描驱动器20设置在基板SUB的侧面(例如，两侧)的结构，但是在另一实施例中，扫描驱动器可以仅设置在基板SUB的一侧。

焊盘部分PAD可以设置在显示面板DP的端部并且包括端子P1、P2、P3和P4。焊盘部分PAD可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板PCB。焊盘部分PAD可以电连接到印刷电路板PCB的焊盘部分PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片(例如，IC驱动芯片)80的信号或电力传输到焊盘部分PAD。

控制器可以将从外部传输的图像信号转换为图像数据信号，并且通过端子P1将转换后的信号传输到数据驱动器50。控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，并且生成用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的驱动的控制信号。因此，控制器可以通过端子P3和P1分别传输控制信号(例如，垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号)。控制器可以通过端子P2将驱动电压ELVDD(例如，参考图4)传输到驱动电压供应布线60。控制器可以通过端子P4将公共电压ELVSS(例如，参考图4)传输到公共电压供应布线70。

数据驱动器50可以设置在非显示区域PA中，并且生成数据信号并将数据信号传输到每个像素PX。例如，数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧，并且可以设置在焊盘部分PAD与显示区域DA之间。

驱动电压供应布线60可以设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60可以将驱动电压ELVDD提供到像素PX。驱动电压供应布线60可以设置在第一方向DR1上，并且可以电连接到设置在第二方向DR2上的驱动电压线PL。

公共电压供应布线70可以设置在非显示区域PA中。公共电压供应布线70可以具有围绕基板SUB的形状。公共电压供应布线70可以将公共电压ELVSS传输到像素PX中包括的发光元件的电极(例如，第二电极)。

参考图17描述包括图16中示出的开口区域DTA的区域A。图17是图14和图16的区域A的示意性放大平面图。

参考图17和以上描述的附图，显示面板DP可以包括设置在基板SUB上的信号线SL和DL以及像素PX。像素PX中的每个可以电连接到信号线SL和DL。图17描述了信号线当中的扫描线SL和数据线DL作为示例。然而，这被图示为示例，并且根据实施例的每个像素PX可以附加地连接到各种信号线并且不限于任何一个实施例。

显示面板DP中包括的孔区域HA可以包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的外围区域LA。

外围区域LA可以是围绕开口区域DTA的外围的区域。外围区域LA可以位于开口区域DTA与显示区域DA之间。在照射激光以形成开口区域DTA的情况下，外围区域LA可以防止对布线的损坏。外围区域LA需要被保持在最小恒定宽度。

坝800和辅助图案部分710可以位于外围区域LA中。例如，辅助图案部分710可以被放置为围绕坝800，并且可以与坝800间隔开。辅助图案部分710可以位于坝800的侧面(例如，两侧)。

扫描线SL和数据线DL可以具有半圆形结构，在平面图中与外围区域LA重叠，并且可以绕过开口区域DTA。扫描线SL可以沿开口区域DTA的外围在水平方向上延伸。根据信号，扫描线SL可以包括扫描线、发光控制线或初始化电压线等。数据线DL可以沿开口区域DTA的外围在垂直方向上延伸。根据信号，数据线DL可以包括驱动电压线或数据线。根据实施例，扫描线SL和数据线DL可以被改变。

在下文中，进一步参考图18提供围绕开口区域DTA的部分的描述。

图18是根据实施例的显示装置的显示区域和外围区域的示意性截面图。

参考图18，根据实施例的显示装置包括基板110、位于基板110的显示区域DA上的晶体管TFT、电连接到晶体管TFT的第一电极191、位于第一电极191上的发射层370和位于发射层370上的第二电极270。

缓冲层111可以位于基板110的显示区域DA上并且延伸到外围区域LA。第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层160、钝化层180和堤层350可以位于显示区域DA上并且位于显示区域DA与外围区域LA之间的边界处。钝化层180可以覆盖第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160的端部的侧表面。

坝800可以位于基板110的外围区域LA上。辅助图案部分710可以位于坝800周围。坝800和辅助图案部分710可以放置在缓冲层111上。尽管在图18中示出了一个坝800和两个辅助图案部分710，但是坝800和辅助图案部分710的数量不限于此，并且可以被不同地改变。例如，可以形成多个坝800，并且辅助图案部分710可以位于显示区域DA与坝800之间。辅助图案部分710可以位于坝800与开口区域(例如，图17的开口区域DTA)之间。例如，四个到八个辅助图案部分710可以形成在坝800与开口区域之间，并且一些辅助图案部分710可以在形成开口区域的工艺中被去除。

坝800可以包括第一层810和第二层820，并且第二层820可以位于第一层810上。第一层810和钝化层180可以由相同的材料制成并且位于同一层上。第二层820和堤层350可以由相同的材料制成并且位于同一层上。然而，这仅是示例，并且坝800可以由单个层形成或者可以由三个层或更多个层形成。构成坝800的层的材料可以被不同地改变。

辅助图案部分710可以位于坝800周围，并且与坝800间隔开。辅助图案部分710可以包括电极辅助图案层197和感光辅助图案层530。

电极辅助图案层197和第一电极191可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。电极辅助图案层197可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单个层组成。在其它实施例中，电极辅助图案层197可以包括包含以上描述的材料的多层。例如，电极辅助图案层197可以包括下层197a、中间层197b和上层197c。电极辅助图案层197的下层197a可以位于(例如，直接位于)缓冲层111上。中间层197b可以位于下层197a上。上层197c可以位于中间层197b上。电极辅助图案层197的下层197a和第一电极191的下层191a可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。电极辅助图案层197的中间层197b和第一电极191的中间层191b可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。电极辅助图案层197的上层197c和第一电极191的上层191c可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。电极辅助图案层197的中间层197b可以由与下层197a和/或上层197c不同的材料制成。例如，中间层197b可以由银(Ag)制成，并且下层197a和上层197c可以由ITO制成。

感光辅助图案层530可以由感光树脂制成，并且可以放置在电极辅助图案层197上。感光辅助图案层530和在图案化第一电极191的过程中使用的光致抗蚀剂可以由相同的材料制成。感光辅助图案层530可以放置(例如，直接放置)在电极辅助图案层197上方。感光辅助图案层530可以与电极辅助图案层197的上层197c的上表面接触。感光辅助图案层530的侧部可以在截面图中具有倒锥形形状。例如，感光辅助图案层530的顶表面(例如，上表面)的宽度可以比感光辅助图案层530的底表面(例如，下表面)的宽度宽。感光辅助图案层530的宽度可以从感光辅助图案层530的顶表面(例如，上表面)到底表面(例如，下表面)逐渐变窄。

此外，与先前的实施例中一样，根据实施例的显示装置可以进一步包括与第一电极191间隔开的图案部分(例如，图12的图案部分700)。辅助图案部分710和图案部分可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。辅助图案部分710的电极辅助图案层197和图案部分的电极图案层可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。辅助图案部分710的感光辅助图案层530和图案部分的感光图案层可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。然而，本公开不限于此，并且图案部分可以被省略。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以具有与发射层370和第二电极270的其余区域分离的形状。发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于辅助图案部分710上的部分分离。例如，发射层370的位于显示区域DA上的部分可以与发射层370的位于外围区域LA上的部分分离。在根据实施例的显示装置中，发射层370的位于显示区域DA上的部分可以与发射层370的位于外围区域LA上的部分分离，使得侧向泄漏的传输路径可以被缩短，并且在低灰度中，颜色改变(例如，颜色改变的光学特性)可以被改善。第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与第二电极270的位于辅助图案部分710上的部分分离。发射层370和第二电极270可以与辅助图案部分710的边缘分离。发射层370和第二电极270的位于辅助图案部分710上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于辅助图案部分710外侧的部分分离。构成发射层370的层中的一些层可以不分离，而是可以被连接为一个整体。同样地，第二电极270可以被连接为一个整体。例如，第二电极270可以在辅助图案部分710的边缘处具有连接的形式。

尽管未示出，但是封装层可以进一步位于第二电极270上。

以下参考图19描述根据实施例的显示装置。

根据图19中示出的实施例的显示装置与根据图14至图18中示出的实施例的显示装置的不同之处至少在于，第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间绝缘层进一步位于坝之下。因此，省略相同元件的详细描述。

图19是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。

参考图19，根据实施例的显示装置包括基板110、位于基板110的显示区域DA上的晶体管TFT、电连接到晶体管TFT的第一电极191、位于第一电极191上的发射层370和位于发射层370上的第二电极270。

缓冲层111和第一栅绝缘层141可以位于基板110的显示区域DA上，并且延伸到外围区域LA。第二栅绝缘层142、层间绝缘层160、钝化层180和堤层350可以位于显示区域DA上并且位于显示区域DA和外围区域LA的边界处。外围区域LA上的第二栅绝缘层142和层间绝缘层160的侧部可以不被钝化层180覆盖。

坝800可以位于基板110的外围区域LA上。辅助图案部分710可以位于坝800周围。坝800和辅助图案部分710可以位于第一栅绝缘层141上。

第二栅绝缘层142和层间绝缘层160可以位于坝800之下。第二栅绝缘层142和层间绝缘层160可以不位于辅助图案部分710之下。

辅助图案部分710可以位于坝800周围，并且与坝800间隔开。辅助图案部分710可以包括电极辅助图案层197和感光辅助图案层530。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以与发射层370和第二电极270的其余区域分离。发射层370和第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于辅助图案部分710上的部分分离。

参考图20描述根据实施例的显示装置。

根据图20中示出的实施例的显示装置与根据图1至图3中示出的实施例的显示装置的不同之处至少在于，图案部分包括无机图案层。因此，省略相同元件的详细描述。

图20是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。

参考图20，根据实施例的显示装置包括基板110、位于基板110上的晶体管TFT、电连接到晶体管TFT的第一电极191、设置在第一电极191上的发射层370、位于发射层370上的第二电极270以及与第一电极191分离的图案部分730。图案部分730可以包括无机图案层355和感光图案层550。

堤层350可以位于第一电极191和钝化层180上。在实施例中，堤层350可以由无机绝缘材料制成。然而，不限于此，并且堤层350可以由有机绝缘材料制成。堤层350可以与图案部分730间隔开。例如，图案部分730可以与堤层350分离。

图案部分730的无机图案层355和堤层350可以由相同的材料制成并且可以位于同一层上。无机图案层355可以由无机绝缘材料制成。无机图案层355可以与堤层350间隔开。无机图案层355可以位于(例如，直接位于)钝化层180上方。然而，本公开不限于此，并且与在先前的实施例中一样，图案部分730可以进一步包括电极图案层。无机图案层355可以位于电极图案层上。

图案部分730的感光图案层550可以由感光树脂制成，并且可以位于无机图案层355上。感光图案层550和在图案化堤层350的工艺中使用的光致抗蚀剂可以由相同的材料制成。感光图案层550可以位于(例如，直接位于)无机图案层355上方。感光图案层550的侧部可以在截面图中具有倒锥形形状。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以与发射层370和第二电极270的其余区域分离。发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分730上的部分分离。在根据实施例的显示装置中，发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分730上的部分分离，使得侧向泄漏的传输路径可以被缩短，并且在低灰度中，颜色改变(例如，颜色改变的光学特性)可以被改善。第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与第二电极270的位于图案部分730上的部分分离。发射层370和第二电极270可以与图案部分730的边缘分离。发射层370和第二电极270的位于图案部分730上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于图案部分730外侧的部分分离。构成发射层370的层中的一些层可以不分离，而是可以被连接为一个整体。同样地，第二电极270可以被连接为一个整体。例如，第二电极270可以在图案部分730的边缘处具有连接的形状。

尽管未示出，但是封装层可以进一步位于第二电极270上。

根据实施例的制造显示装置的方法参考图21至图26被描述如下。

图21至图26是依次示出根据实施例的显示装置的制造工艺的示意性截面图。

参考图21，可以在基板110上形成包括半导体130、栅电极151、源电极173和漏电极175的晶体管TFT。可以通过使用有机绝缘材料在晶体管TFT上形成钝化层180。通过图案化钝化层180形成开口181，并且在钝化层180上形成第一电极191。第一电极191可以通过开口181电连接到漏电极175。

参考图22，可以通过使用无机绝缘材料在第一电极191上形成无机绝缘层(或无机绝缘材料层)360。无机绝缘层360可以位于钝化层180上。

参考图23，可以在无机绝缘层360上涂覆感光树脂。可以在基板110上对准掩模600。可以使用掩模600对所涂覆的感光树脂执行光学处理。因此，可以形成光致抗蚀剂图案530。

掩模600可以包括透射部分TR、半透射部分HR和非透射部分NR。光致抗蚀剂图案530可以由负性光致抗蚀剂形成。光致抗蚀剂图案530可以包括具有第一厚度的第一部分531和具有第二厚度的第二部分532。第二厚度可以比第一厚度厚。光致抗蚀剂图案530的第一部分531可以是与掩模600的半透射部分HR相对应的部分。光致抗蚀剂图案530的第二部分532可以是与掩模600的透射部分TR相对应的部分。光致抗蚀剂图案530的侧部可以被图案化为具有倒锥形形状。

参考图24，可以通过使用光致抗蚀剂图案530作为掩模(例如，蚀刻掩模)来蚀刻无机绝缘层360。通过图案化无机绝缘层360，可以形成堤层350和无机图案层355。无机绝缘层360的位于光致抗蚀剂图案530的第一部分531之下的部分可以是堤层350。堤层350可以位于第一电极191的边缘之上。堤层350可以包括像素开口351，并且像素开口351可以在平面图中与第一电极191的中心部分重叠。无机绝缘层360的位于光致抗蚀剂图案530的第二部分532之下的部分可以是无机图案层355。无机图案层355可以与堤层350间隔开。无机图案层355和堤层350可以在同一工艺中形成。

参考图25，通过灰化光致抗蚀剂图案530，可以去除光致抗蚀剂图案530的位于堤层350上的第一部分531，并且可以在无机图案层355上形成感光图案层550。光致抗蚀剂图案530的位于无机图案层355上的第二部分532的厚度可以被减小，以形成感光图案层550。感光图案层550的侧表面可以具有倒锥形形状。感光图案层550和无机图案层355可以形成图案部分730。图案部分730可以与堤层350间隔开。此外，图案部分730可以与第一电极191间隔开。

参考图26，可以在第一电极191上形成发射层370。发射层370可以完全位于基板110之上。相应地，发射层370也可以位于堤层350和图案部分730上。发射层370可以位于图案部分730之间。

可以通过顺序地沉积多层来形成发射层370。发射层370可以包括发光部分和位于发光部分之间的电荷产生层。

可以通过使用导电材料在发射层370上形成第二电极270。第二电极270可以由透明导电氧化物膜或半透明导电材料等形成。第二电极270可以位于(例如，直接位于)发射层370上并且可以完全形成在基板110上。

发射层370和第二电极270可以完全位于基板110上。发射层370和第二电极270的至少一些区域可以具有与发射层370和第二电极270的其余区域分离的形状。发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分730上的部分分离。在根据实施例的显示装置中，发射层370的位于第一电极191上的部分可以与发射层370的位于图案部分730上的部分分离，使得侧向泄漏的传输路径可以被缩短，并且在低灰度中，颜色改变(例如，颜色改变的光学特性)可以被改善。第二电极270的位于第一电极191上的部分可以与第二电极270的位于图案部分730上的部分分离。发射层370和第二电极270可以与图案部分730的边缘分离。发射层370和第二电极270的位于图案部分730上的部分可以与发射层370和第二电极270的位于图案部分730外侧的部分分离。构成发射层370的层中的一些层可以不分离，而是可以被连接为一个整体。同样地，第二电极270可以被连接为一个整体。例如，第二电极270可以在图案部分730的边缘处具有连接的形状。

以下参考图27描述根据实施例的显示装置。

根据图27中示出的实施例的显示装置与根据图20中示出的实施例的显示装置的不同之处至少在于，图案部分的数量被减少。因此，省略相同元件的详细描述。

图27是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。

参考图27，根据实施例的显示装置包括基板110、位于基板110上的晶体管TFT、电连接到晶体管TFT的第一电极191、设置在第一电极191上的发射层370、位于发射层370上的第二电极270以及与第一电极191分离的图案部分730。图案部分730可以包括无机图案层355和感光图案层550。

堤层350可以位于第一电极191和钝化层180上。堤层350可以由无机绝缘材料制成。堤层350可以与图案部分730间隔开。例如，图案部分730可以与堤层350分离。

图案部分730的无机图案层355和堤层350可以由相同的材料制成并且位于同一层上。无机图案层355可以与堤层350间隔开。图案部分730的感光图案层550可以由感光树脂制成，并且可以位于无机图案层355上。

在先前的实施例中，两个图案部分730可以位于堤层350中的邻近的堤层350之间并且与堤层350间隔开。在本实施例中，单个图案部分730可以位于邻近的像素之间。本实施例中的图案部分730的宽度可以比先前的实施例中的图案部分730的宽度宽。例如，可以使本实施例中的图案部分730的宽度比先前的实施例中的两个图案部分730的宽度宽。然而，这仅是示例，并且位于邻近的像素之间的图案部分730的数量以及每个图案部分730的宽度可以被不同地改变。图案部分730的宽度可以是恒定的或彼此不同。

以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和改变。因此，以上描述的本公开的实施例可以单独实施或者彼此结合实施。

因此，本公开中公开的实施例不旨在限制本公开的技术精神，而是描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施例的限制。本公开的保护范围应由所附权利要求书解释，并且应理解，等同范围内的所有技术精神都被包括在本公开的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

晶体管，位于基板上；

第一电极，电连接到所述晶体管；

发射层，位于所述第一电极上；

第二电极，位于所述发射层上；以及

图案部分，与所述第一电极间隔开，

其中，所述图案部分包括由感光树脂制成的感光图案层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述图案部分进一步包括电极图案层，并且

所述电极图案层和所述第一电极由相同的材料制成并且位于同一层上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述感光图案层直接位于所述电极图案层上。

4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

堤层，位于所述第一电极的边缘上，

所述图案部分进一步包括无机图案层，并且

所述无机图案层和所述堤层由相同的材料制成并且位于同一层上。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述感光图案层直接位于所述无机图案层上。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述图案部分与所述堤层分离。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述感光图案层的侧部具有倒锥形形状。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述基板包括多个像素，并且

所述图案部分位于所述多个像素之间。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述多个像素中的每个像素是在平面图中包括在第一方向上延伸的边和在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的边的多边形，并且

所述图案部分在所述平面图中以在所述第一方向或所述第二方向上延伸的条形形状被形成。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，至少一个所述图案部分位于所述多个像素中的邻近的像素之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示装置，其中，所述发射层包括：

多个发光部分；以及

电荷产生层，位于所述多个发光部分之间。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，

所述发射层和所述第二电极完全位于所述基板上，并且

所述发射层和所述第二电极的位于所述第一电极之上的部分与所述发射层和所述第二电极的位于所述图案部分之上的部分分离。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有显示区域、位于所述显示区域内的开口区域以及位于所述开口区域与所述显示区域之间的外围区域，

所述显示装置进一步包括：

坝，位于所述外围区域中；以及

辅助图案部分，位于所述坝周围，并且与所述坝间隔开，并且

所述辅助图案部分包括由感光树脂制成的感光辅助图案层。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述感光辅助图案层和所述感光图案层由相同的材料制成并且位于同一层上。

15.一种显示装置的制造方法，包括：

在基板上形成晶体管；

在所述晶体管上形成导电层；

形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括：在所述导电层上的具有第一厚度的第一部分以及在所述导电层上的具有比所述第一厚度厚的第二厚度的第二部分；

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来图案化所述导电层，以形成电连接到所述晶体管的第一电极以及与所述第一电极间隔开的电极图案层；

灰化所述光致抗蚀剂图案以去除位于所述第一电极上的所述第一部分，并且形成位于所述电极图案层上的感光图案层；

在所述第一电极上形成发射层；并且

在所述发射层上形成第二电极。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述感光图案层的侧部具有倒锥形形状。

17.根据权利要求15或16所述的制造方法，其中，

所述发射层包括：

多个发光部分；以及

电荷产生层，位于所述多个发光部分之间，

所述发射层和所述第二电极完全位于所述基板上，并且

所述发射层和所述第二电极的位于所述第一电极之上的部分与所述发射层和所述第二电极的位于所述感光图案层之上的部分分离。

18.一种显示装置的制造方法，包括：

在基板上形成晶体管；

形成电连接到所述晶体管的第一电极；

在所述第一电极上形成无机绝缘层；

形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括：在所述无机绝缘层上的具有第一厚度的第一部分以及在所述无机绝缘层上的具有比所述第一厚度厚的第二厚度的第二部分；

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来图案化所述无机绝缘层，以形成位于所述第一电极的边缘上的堤层以及与所述堤层间隔开的无机图案层；

灰化所述光致抗蚀剂图案以去除位于所述堤层上的所述第一部分，并且形成位于所述无机图案层上的感光图案层；

在所述第一电极上形成发射层；并且

在所述发射层上形成第二电极。

19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述感光图案层的侧部具有倒锥形形状。

20.根据权利要求18或19所述的制造方法，其中，

所述发射层包括：

多个发光部分；以及

电荷产生层，位于所述多个发光部分之间，

所述发射层和所述第二电极完全位于所述基板上，并且

所述发射层和所述第二电极的位于所述第一电极之上的部分与所述发射层和所述第二电极的位于所述感光图案层之上的部分分离。

Images