CN116096115A

CN116096115A - 一种有机电致发光器件

Info

Publication number: CN116096115A
Application number: CN202111286624.0A
Authority: CN
Inventors: 王静; 刘琪; 庞惠卿; 邝志远
Original assignee: Beijing Summer Sprout Technology Co Ltd
Current assignee: Beijing Summer Sprout Technology Co Ltd
Priority date: 2021-11-05
Filing date: 2021-11-05
Publication date: 2023-05-09

Abstract

公开了一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件包括阳极，阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，以及设置在阳极和发光层之间的第一有机层，所述发光层包含第一化合物，所述第一有机层包含第二化合物。本发明的电致发光器件表现出优异的综合器件性能，比如比如更高的效率和更长的寿命。还公开了一种包含该有机电致发光器件的电子组件，以及包含第一化合物和第二化合物的组合物。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电子器件，例如有机电致发光器件。更特别地，涉及一种在发光层中包含第一化合物和在第一有机层中包含第二化合物组成的新型材料组合的有机电致发光器件和包含该有机电致发光器件的电子组件，以及包含第一化合物和第二化合物的组合物。

背景技术

有机电致发光器件是通过在器件两端施加电压，将电能转换成光。通常，有机电致发光器件包括阳极、阴极和在阳极与阴极之间的有机层。所述的有机层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML，包含主体材料和有机发光掺杂材料)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等，其中空穴阻挡层是可选功能层。根据材料功能的不同，组成有机层的材料可以分为空穴注入材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、主体材料、有机发光掺杂材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料等。当施加偏压于器件，空穴从阳极注入至发光层，电子从阴极注入至发光层。空穴和电子在发光层相遇形成激子，激子复合发光。

其中，电子阻挡层和发光层都是影响有机电致发光器件性能的重要功能层之一，其材料的选择和搭配严重影响着有机电致发光器件的效率和寿命等性能参数。商业上期望获得高效率、长使用寿命等特性的有机电致发光器件，开发新型的电子阻挡材料和有机发光掺杂材料固然非常重要，而选择合适的电子阻挡材料和有机发光掺杂材料的搭配组合对于实现上述目的也十分重要。

在有机电致发光器件中，想要获得比较优异的器件性能，EBL材料需要具备以下几个特点：一是具有合适的HOMO能级和LUMO能级，首先，HOMO能级需要介于HTL和EML之间，以便于有机层之间的空穴传输性能，其次，LUMO能级比较浅的EBL材料，其可以有效的阻挡电子从EML进入到HTL中，将载流子限制在EML区域内复合发光，从而提高器件效率和寿命；二是具有合适的空穴迁移率，以调节整个器件中载流子平衡，从而优化器件性能；三是具有比较高的三线态能量，以有效地将激子限制在EML中抑制激子淬灭的发生，从而提高器件效率。

另一方面，对于不同的发光掺杂材料，搭配不同的EBL时，其EML中复合区的位置也不尽相同，而其与器件的性能也有着很重要的关系。当某一个发光层确定后，尤其当发光掺杂材料确定后，对复合区位置影响最大的是电子阻挡层EBL。其中，EBL的能级、空穴迁移率以及三线态能量的高低，对于发光层中电子和空穴的复合效率均有着很重要的影响，进而影响器件的效率和寿命等性能；而对于另外一类发光掺杂材料，可能更换不同的EBL对于器件性能没有太大影响。因此，选择合适的电子阻挡材料和有机发光掺杂材料的搭配组合，是非常重要的。

本申请人在前的专利申请US20200091442A1公开了一种金属配合物，其包含配体

其中，X₁-X₇选自N或CR。该申请研究的是该金属配合物自身性质及其在器件中的应用，其并未公开该金属配合物与具有如本申请中特定空穴迁移率的电子阻挡层材料的特定组合，对该特定组合在器件中的应用性能也未给出任何公开或教导。

本申请人在前的中国专利申请CN2021101651160公开了一种金属配合物，其包含配体

其中，X₁-X₈中至少有一个是CR_x，且所述R_x是氰基或氟；X₁-X₈中至少还有一个是CR_x，且所述R_x为Ar，所述Ar具有

的结构，且环Ar₁和环Ar₂的环原子总数大于等于8。该申请研究的是该金属配合物自身性质及其在器件中的应用，其并未公开该金属配合物与具有如本申请中特定空穴迁移率的电子阻挡层材料的特定组合，对该特定组合在器件中的应用性能也未给出任何公开或教导。

发明内容

本发明旨在提供一种具有新型材料组合的有机电致发光器件来解决至少部分上述问题。所述新型有机电致发光器件包含阳极、阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，以及设置在阳极和发光层之间的第一有机层，所述发光层包含特定的第一化合物，所述第一有机层包含特定的第二化合物。这种新型材料组合在器件中能表现出优异的器件性能，比如更高的效率和更长的寿命。

根据本发明的一个实施例，公开了一种有机电致发光器件，其包括：

阳极，

阴极，

设置在阳极与阴极之间的发光层，以及设置在阳极和发光层之间的第一有机层；

其中，所述发光层至少包含第一化合物，所述第一化合物包含金属M，和与金属M配位的配体L_a，其中金属M选自由Cu，Ag，Au，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，和Pt组成的组；优选的，其中金属M选自Pt或Ir；

其中L_a具有由式1表示的结构：

其中Cy是取代或未取代的具有5-24个芳环原子的碳环基或杂环基；

其中Cy通过金属-碳键或者金属-氮键与M结合；

其中X选自O，S或Se；

其中X₁至X₇各自独立地选自C，CR_x或N；X₁至X₄中至少有一个为C，且与所述Cy相连；

其中R_x每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

X₁，X₂，X₃或X₄通过金属-碳键或者金属-氮键与M连接；

相邻的取代基R_x能任选地连接形成环；

其中，所述第一有机层至少包含第二化合物，所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜27×10^-5cm²/V.s。

根据本发明的另一实施例，还公开了一种电子组件，其包括如上所述的有机电致发光器件。

根据本发明的另一实施例，还公开了一种组合物，其至少包含第一化合物和第二化合物。

本发明公开了一种新型有机电致发光器件，所述新型有机电致发光器件包含阳极、阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，以及设置在阳极和发光层之间的第一有机层，所述发光层包含第一化合物，所述第一有机层包含第二化合物。这种新型有机电致发光器件具有更高的效率和更长的寿命，能提供更好的器件性能。

附图说明

图1是可以含有本文所公开的有机电致发光器件的有机发光装置示意图。

图2是可以含有本文所公开的有机电致发光器件的另一有机发光装置示意图。

具体实施方式

OLED可以在各种基板上制造，例如玻璃，塑料和金属。图1示意性、非限制性的展示了有机发光装置100。图不一定按比例绘制，图中一些层结构也是可以根据需要省略的。装置100可以包括基板101、阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170、电子注入层180和阴极190。装置100可以通过依序沉积所描述的层来制造。各层的性质和功能以及示例性材料在美国专利US7,279,704B2第6-10栏有更详细的描述，上述专利的全部内容通过引用并入本文。

这些层中的每一个有更多实例。举例来说，以全文引用的方式并入的美国专利第5,844,363号中公开柔性并且透明的衬底-阳极组合。经p掺杂的空穴输送层的实例是以50:1的摩尔比率掺杂有F₄-TCNQ的m-MTDATA，如以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2003/0230980号中所公开。以全文引用的方式并入的颁予汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中公开主体材料的实例。经n掺杂的电子输送层的实例是以1:1的摩尔比率掺杂有Li的BPhen，如以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2003/0230980号中所公开。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，其包括具有例如Mg:Ag等金属薄层与上覆的透明、导电、经溅镀沉积的ITO层的复合阴极。以全文引用的方式并入的美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开案第2003/0230980号中更详细地描述阻挡层的原理和使用。以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2004/0174116号中提供注入层的实例。可以在以全文引用的方式并入的美国专利申请公开案第2004/0174116号中找到保护层的描述。

经由非限制性的实施例提供上述分层结构。OLED的功能可以通过组合以上描述的各种层来实现，或者可以完全省略一些层。它还可以包括未明确描述的其它层。在每个层内，可以使用单一材料或多种材料的混合物来实现最佳性能。任何功能层可以包括几个子层。例如，发光层可以具有两层不同的发光材料以实现期望的发光光谱。

在一个实施例中，OLED可以描述为具有设在阴极和阳极之间的“有机层”。该有机层可以包括一层或多层。

OLED也需要封装层，如图2示意性、非限制性的展示了有机发光装置200，其与图1不同的是，阴极190之上还可以包括封装层102，以防止来自环境的有害物质，例如水分和氧气。能够提供封装功能的任何材料都可以用作封装层，例如玻璃或者有机-无机混合层。封装层应直接或间接放置在OLED器件的外部。多层薄膜封装在美国专利US7,968,146B2中进行了描述，其全部内容通过引用并入本文。

根据本发明的实施例制造的器件可以并入具有该器件的一个或多个电子部件模块(或单元)的各种消费产品中。这些消费产品的一些例子包括平板显示器，监视器，医疗监视器，电视机，广告牌，用于室内或室外照明和/或发信号的灯，平视显示器，完全或部分透明的显示器，柔性显示器，智能电话，平板计算机，平板手机，可穿戴设备，智能手表，膝上型计算机，数码相机，便携式摄像机，取景器，微型显示器，3-D显示器，车辆显示器和车尾灯。

本文描述的材料和结构也可以用于前文列出的其它有机电子器件中。

如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指离衬底最近。在将第一层描述为“设置”在第二层“上”的情况下，第一层被设置为距衬底较远。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“设置在”阳极“上”。

如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或输送和/或从液体介质沉积。

当据信配位体直接促成发射材料的光敏性质时，配位体可以称为“光敏性的”。当据信配位体并不促成发射材料的光敏性质时，配位体可以称为“辅助性的”，但辅助性的配位体可以改变光敏性的配位体的性质。

据相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)可以通过延迟荧光超过25％自旋统计限制。延迟荧光一般可以分成两种类型，即P型延迟荧光和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态消灭(TTA)产生。

另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单重激发态之间的转换。能够产生E型延迟荧光的化合物需要具有极小单-三重态间隙以便能态之间的转化。热能可以激活由三重态回到单重态的转变跃迁。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。TADF的显著特征在于，延迟分量随温度升高而增加。如果逆向系间窜越(RISC)速率足够快速从而最小化由三重态的非辐射衰减，那么回填充单重激发态的分率可能达到75％。总单重态分率可以是100％，远超过电致产生的激子的自旋统计的25％。

E型延迟荧光特征可以见于激发复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，相信E型延迟荧光需要发光材料具有小单-三重态能隙(ΔE _S-T)。有机含非金属的供体-受体发光材料可能能够实现这点。这些材料的发射通常表征为供体-受体电荷转移(CT)型发射。这些供体-受体型化合物中HOMO与LUMO的空间分离通常产生小ΔE _S-T。这些状态可以包括CT状态。通常，供体-受体发光材料通过将电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)与电子受体部分(例如含N的六元芳香族环)连接而构建。

关于取代基术语的定义

卤素或卤化物-如本文所用，包括氟，氯，溴和碘。

烷基–如本文所用，包含直链和支链烷基。烷基可以是具有1至20个碳原子的烷基，优选具有1至12个碳原子的烷基，更优选具有1至6个碳原子的烷基。烷基的实例包括甲基，乙基，丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，异丁基，叔丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，正壬基，正癸基，正十一烷基，正十二烷基，正十三烷基，正十四烷基，正十五烷基，正十六烷基，正十七烷基，正十八烷基，新戊基，1-甲基戊基，2-甲基戊基，1-戊基己基，1-丁基戊基，1-庚基辛基，3-甲基戊基。在上述中，优选甲基，乙基，丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，异丁基，叔丁基，正戊基，新戊基和正己基。另外，烷基可以任选被取代。

环烷基-如本文所用包含环状烷基。环烷基可以是具有3至20个环碳原子的环烷基，优选具有4至10个碳原子的环烷基。环烷基的实例包括环丁基，环戊基，环己基，4-甲基环己基，4,4-二甲基环己基，1-金刚烷基，2-金刚烷基，1-降冰片基，2-降冰片基等。在上述中，优选环戊基，环己基，4-甲基环己基，4,4-二甲基环己基。另外，环烷基可以任选被取代。

杂烷基-如本文所用，杂烷基包含烷基链中的一个或多个碳被选自由氮原子，氧原子，硫原子，硒原子，磷原子，硅原子，锗原子和硼原子组成的组的杂原子取代而形成。杂烷基可以是具有1至20个碳原子的杂烷基，优选具有1至10个碳原子的杂烷基，更优选具有1至6个碳原子的杂烷基。杂烷基的实例包括甲氧基甲基，乙氧基甲基，乙氧基乙基，甲基硫基甲基，乙基硫基甲基，乙基硫基乙基，甲氧甲氧甲基，乙氧甲氧甲基，乙氧乙氧乙基，羟基甲基，羟基乙基，羟基丙基，巯基甲基，巯基乙基，巯基丙基，氨基甲基，氨基乙基，氨基丙基，二甲基氨基甲基，三甲基锗基甲基，三甲基锗基乙基，三甲基锗基异丙基，二甲基乙基锗基甲基，二甲基异丙基锗基甲基，叔丁基二甲基锗基甲基，三乙基锗基甲基，三乙基锗基乙基，三异丙基锗基甲基，三异丙基锗基乙基，三甲基硅基甲基，三甲基硅基乙基，三甲基硅基异丙基，三异丙基硅基甲基，三异丙基硅基乙基。另外，杂烷基可以任选被取代。

烯基-如本文所用，涵盖直链、支链以及环状烯烃基团。链烯基可以是包含2至20个碳原子的烯基，优选具有2至10个碳原子的烯基。烯基的例子包括乙烯基，丙烯基，1-丁烯基，2-丁烯基，3-丁烯基，1,3-丁二烯基，1-甲基乙烯基，苯乙烯基，2,2-二苯基乙烯基，1,2-二苯基乙烯基，1-甲基烯丙基，1,1-二甲基烯丙基，2-甲基烯丙基，1-苯基烯丙基，2-苯基烯丙基，3-苯基烯丙基，3,3-二苯基烯丙基，1,2-二甲基烯丙基，1-苯基-1-丁烯基，3-苯基-1-丁烯基，环戊烯基，环戊二烯基，环己烯基，环庚烯基，环庚三烯基，环辛烯基，环辛四烯基和降冰片烯基。另外，烯基可以是任选取代的。

炔基-如本文所用，涵盖直链炔基。炔基可以是包含2至20个碳原子的炔基，优选具有2至10个碳原子的炔基。炔基的实例包括乙炔基，丙炔基，炔丙基，1-丁炔基，2-丁炔基，3-丁炔基，1-戊炔基，2-戊炔基，3,3-二甲基-1-丁炔基，3-乙基-3-甲基-1-戊炔基，3,3-二异丙基1-戊炔基，苯乙炔基，苯丙炔基等。在上述中，优选乙炔基，丙炔基，炔丙基，1-丁炔基，2-丁炔基，3-丁炔基，1-戊炔基，苯乙炔基。另外，炔基可以是任选取代的。

芳基或芳族基-如本文所用，考虑非稠合和稠合体系。芳基可以是具有6至30个碳原子的芳基，优选6至20个碳原子的芳基，更优选具有6至12个碳原子的芳基。芳基的例子包括苯基，联苯，三联苯，三亚苯，四亚苯，萘，蒽，萉，菲，芴，芘，

苝和薁，优选苯基，联苯，三联苯，三亚苯，芴和萘。非稠合芳基的例子包括苯基，联苯-2-基，联苯-3-基，联苯-4-基，对三联苯-4-基，对三联苯-3-基，对三联苯-2-基，间三联苯-4-基，间三联苯-3-基，间三联苯-2-基，邻甲苯基，间甲苯基，对甲苯基，对-(2-苯基丙基)苯基，4'-甲基联二苯基，4″-叔丁基-对三联苯-4-基，邻-枯基，间-枯基，对-枯基，2,3-二甲苯基，3,4-二甲苯基，2,5-二甲苯基，均三甲苯基和间四联苯基。另外，芳基可以任选被取代。

杂环基或杂环-如本文所用，考虑非芳族环状基团。非芳族杂环基包含具有3-20个环原子的饱和杂环基团以及具有3-20个环原子的不饱和非芳族杂环基团，其中至少有一个环原子选自由氮原子，氧原子，硫原子，硒原子，硅原子，磷原子，锗原子和硼原子组成的组，优选的非芳族杂环基是具有3至7个环原子的那些，其包括至少一个杂原子如氮，氧，硅或硫。非芳族杂环基的实例包括环氧乙烷基，氧杂环丁烷基，四氢呋喃基，四氢吡喃基，二氧五环基，二氧六环基，吖丙啶基，二氢吡咯基，四氢吡咯基，哌啶基，恶唑烷基，吗啉基，哌嗪基，氧杂环庚三烯基，硫杂环庚三烯基，氮杂环庚三烯基和四氢噻咯基。另外，杂环基可以任选被取代。

杂芳基-如本文所用，可以包含1至5个杂原子的非稠合和稠合杂芳族基团，其中至少有一个杂原子选自由氮原子，氧原子，硫原子，硒原子，硅原子，磷原子，锗原子和硼原子组成的组。异芳基也指杂芳基。杂芳基可以是具有3至30个碳原子的杂芳基，优选具有3至20个碳原子的杂芳基，更优选具有3至12个碳原子的杂芳基。合适的杂芳基包括二苯并噻吩，二苯并呋喃，二苯并硒吩，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，苯并硒吩，咔唑，吲哚咔唑，吡啶吲哚，吡咯并吡啶，吡唑，咪唑，三唑，恶唑，噻唑，恶二唑，恶三唑，二恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，恶嗪，恶噻嗪，恶二嗪，吲哚，苯并咪唑，吲唑，茚并嗪，苯并恶唑，苯并异恶唑，苯并噻唑，喹啉，异喹啉，噌啉，喹唑啉，喹喔啉，萘啶，酞嗪，蝶啶，呫吨，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，苯并呋喃并吡啶，呋喃并二吡啶，苯并噻吩并吡啶，噻吩并二吡啶，苯并硒吩并吡啶，硒苯并二吡啶，优选二苯并噻吩，二苯并呋喃，二苯并硒吩，咔唑，吲哚并咔唑，咪唑，吡啶，三嗪，苯并咪唑，1,2-氮杂硼烷，1,3-氮杂硼烷，1,4-氮杂硼烷，硼唑和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以任选被取代。

烷氧基-如本文所用，由-O-烷基、-O-环烷基、-O-杂烷基或-O-杂环基表示。烷基、环烷基、杂烷基和杂环基的例子和优选例子与上述相同。烷氧基可以是具有1至20个碳原子的烷氧基，优选具有1至6个碳原子的烷氧基。烷氧基的例子包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基，环丙基氧基，环丁基氧基，环戊基氧基、环己基氧基、四氢呋喃基氧基、四氢吡喃基氧基、甲氧丙基氧基、乙氧乙基氧基、甲氧甲基氧基和乙氧甲基氧基。另外，烷氧基可以任选被取代。

芳氧基-如本文所用，由-O-芳基或-O-杂芳基表示。芳基和杂芳基例子和优选例子与上述相同。芳氧基可以是具有6至30个碳原子的芳氧基，优选具有6-20个碳原子的芳氧基。芳氧基的例子包括苯氧基和联苯氧基。另外，芳氧基可以任选被取代。

芳烷基-如本文所用，涵盖芳基取代的烷基。芳烷基可以是具有7至30个碳原子的芳烷基，优选具有7至20个碳原子的芳烷基，更优选具有7至13个碳原子的芳烷基。芳烷基的例子包括苄基，1-苯基乙基，2-苯基乙基，1-苯基异丙基，2-苯基异丙基，苯基叔丁基，α-萘基甲基，1-α-萘基-乙基，2-α-萘基乙基，1-α-萘基异丙基，2-α-萘基异丙基，β-萘基甲基，1-β-萘基-乙基，2-β-萘基-乙基，1-β-萘基异丙基，2-β-萘基异丙基，对甲基苄基，间甲基苄基，邻甲基苄基，对氯苄基，间氯苄基，邻氯苄基，对溴苄基，间溴苄基，邻溴苄基，对碘苄基，间碘苄基，邻碘苄基，对羟基苄基，间羟基苄基，邻羟基苄基，对氨基苄基，间氨基苄基，邻氨基苄基，对硝基苄基，间硝基苄基，邻硝基苄基，对氰基苄基，间氰基苄基，邻氰基苄基，1-羟基-2-苯基异丙基和1-氯-2-苯基异丙基。在上述中，优选苄基，对氰基苄基，间氰基苄基，邻氰基苄基，1-苯基乙基，2-苯基乙基，1-苯基异丙基和2-苯基异丙基。另外，芳烷基可以任选被取代。

烷硅基–如本文所用，涵盖烷基取代的硅基。烷硅基可以是具有3-20个碳原子的烷硅基，优选具有3至10个碳原子的烷硅基。烷硅基的例子包括三甲基硅基，三乙基硅基，甲基二乙基硅基，乙基二甲基硅基，三丙基硅基，三丁基硅基，三异丙基硅基，甲基二异丙基硅基，二甲基异丙基硅基，三叔丁基硅基，三异丁基硅基，二甲基叔丁基硅基，甲基二叔丁基硅基。另外，烷硅基可以任选被取代。

芳基硅烷基–如本文所用，涵盖至少一个芳基取代的硅基。芳基硅烷基可以是具有6-30个碳原子的芳基硅烷基，优选具有8至20个碳原子的芳基硅烷基。芳基硅烷基的例子包括三苯基硅基，苯基二联苯基硅基，二苯基联苯基硅基，苯基二乙基硅基，二苯基乙基硅基，苯基二甲基硅基，二苯基甲基硅基，苯基二异丙基硅基，二苯基异丙基硅基，二苯基丁基硅基，二苯基异丁基硅基，二苯基叔丁基硅基。另外，芳基硅烷基可以任选被取代。

烷基锗基–如本文所用，涵盖烷基取代的锗基。烷锗基可以是具有3-20个碳原子的烷基锗基，优选具有3至10个碳原子的烷基锗基。烷基锗基的例子包括三甲基锗基，三乙基锗基，甲基二乙基锗基，乙基二甲基锗基，三丙基锗基，三丁基锗基，三异丙基锗基，甲基二异丙基锗基，二甲基异丙基锗基，三叔丁基锗基，三异丁基锗基，二甲基叔丁基锗基，甲基二叔丁基锗基。另外，烷基锗基可以任选被取代。

芳基锗基–如本文所用，涵盖至少一个芳基或杂芳基取代的锗基。芳基锗基可以是具有6-30个碳原子的芳基锗基，优选具有8至20个碳原子的芳基锗基。芳基锗基的例子包括三苯基锗基，苯基二联苯基锗基，二苯基联苯基锗基，苯基二乙基锗基，二苯基乙基锗基，苯基二甲基锗基，二苯基甲基锗基，苯基二异丙基锗基，二苯基异丙基锗基，二苯基丁基锗基，二苯基异丁基锗基，二苯基叔丁基锗基。另外，芳基锗基可以任选被取代。

氮杂二苯并呋喃，氮杂二苯并噻吩等中的术语“氮杂”是指相应芳族片段中的一个或多个C-H基团被氮原子代替。例如，氮杂三亚苯包括二苯并[f,h]喹喔啉，二苯并[f,h]喹啉和在环系中具有两个或更多个氮的其它类似物。本领域普通技术人员可以容易地想到上述的氮杂衍生物的其它氮类似物，并且所有这些类似物被确定为包括在本文所述的术语中。

在本公开中，除另有定义，当使用由以下组成的组中的任意一个术语时：取代的烷基，取代的环烷基，取代的杂烷基，取代的杂环基，取代的芳烷基，取代的烷氧基，取代的芳氧基，取代的烯基，取代的炔基，取代的芳基，取代的杂芳基，取代的烷硅基，取代的芳基硅烷基，取代的烷基锗基，取代的芳基锗基，取代的氨基，取代的酰基，取代的羰基，取代的羧酸基，取代的酯基，取代的亚磺酰基，取代的磺酰基，取代的膦基，是指烷基，环烷基，杂烷基，杂环基，芳烷基，烷氧基，芳氧基，烯基，炔基，芳基，杂芳基，烷硅基，芳基硅烷基，烷基锗基，芳基锗基，氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，亚磺酰基，磺酰基和膦基中的任意一个基团可以被一个或多个选自氘，卤素，未取代的具有1-20个碳原子的烷基，未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，未取代的具有3-20个环原子的杂环基，未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，未取代的具有2-20个碳原子的烯基，未取代的具有2-20个碳原子的炔基，未取代的具有6-30个碳原子的芳基，未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基及其组合所取代。

应当理解，当将分子片段描述为取代基或以其他方式连接到另一部分时，可根据它是否是片段(例如苯基，亚苯基，萘基，二苯并呋喃基)或根据它是否是整个分子(如苯，萘，二苯并呋喃)来书写它的名称。如本文所用，指定取代基或连接片段的这些不同方式被认为是等同的。

在本公开中提到的化合物中，氢原子可以被氘部分或完全替代。其他原子如碳和氮也可以被它们的其他稳定的同位素代替。由于其增强器件的效率和稳定性，化合物中其它稳定同位素的替代可能是优选的。

在本公开中提到的化合物中，多取代指包含二取代在内，直到高达最多的可用取代的范围。当本公开中提到的化合物中某个取代基表示多取代(包括二取代、三取代、四取代等)时，即表示该取代基可以在其连接结构上的多个可用的取代位置上存在，在多个可用的取代位置上均存在的该取代基可以是相同的结构，也可以是不同的结构。

在本公开中提到的化合物中，除非明确限定，例如相邻的取代基能任选地连接形成环，否则所述化合物中相邻的取代基不能连接形成环。在本公开中提到的化合物中，相邻的取代基能任选地连接形成环，既包含相邻的取代基可以连接形成环的情形，也包含相邻的取代基不连接形成环的情形。相邻的取代基能任选地连接形成环时，所形成的环可以是单环或多环(包括螺环、桥环、稠环等)，以及脂环、杂脂环、芳环或杂芳环。在这种表述中，相邻的取代基可以是指键合在同一个原子上的取代基、与彼此直接键合的碳原子键合的取代基、或与进一步远离的碳原子键合的取代基。优选的，相邻的取代基是指键合在同一个碳原子上的取代基以及与彼此直接键合的碳原子键合的取代基。

相邻的取代基能任选地连接形成环的表述也旨在被认为是指键合在同一个碳原子上的两个取代基通过化学键彼此连接形成环，这可以由下式示例：

相邻的取代基能任选地连接形成环的表述也旨在被认为是指与彼此直接键合的碳原子键合的两个取代基通过化学键彼此连接形成环，这可以由下式示例：

相邻的取代基能任选地连接形成环的表述也旨在被认为是指与进一步远离的碳原子键合的两个取代基通过化学键彼此连接形成环，这可以由下式示例：

此外，相邻的取代基能任选地连接形成环的表述也旨在被认为是指，在相邻的两个取代基之一表示氢的情况下，第二取代基键合在氢原子键合至的位置处，从而成环。这由下式示例：

根据本发明的一个实施例，公开一种有机电致发光器件，其包括：

阳极，

阴极，

其中L_a具有由式1表示的结构：

其中Cy通过金属-碳键或者金属-氮键与M结合；

其中X选自O，S或Se；

X₁，X₂，X₃或X₄通过金属-碳键或者金属-氮键与M连接；

相邻的取代基R_x能任选地连接形成环；

在本文中，相邻的取代基R_x能任选地连接形成环，旨在表示其中任意两个相邻的取代基R_x之间能连接形成环。显而易见的，两个相邻的取代基R_x之间也可以不连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中，所述Cy选自由以下组成的组中的任一结构：

其中，

R每次出现时相同或不同地表示单取代，多取代，或无取代；当任一结构中存在多个R时，所述R是相同或不同的；

R每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的炔基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

相邻的取代基R能任选地连接形成环；

其中，“#”表示与金属M连接的位置，

表示与X₁，X₂，X₃或X₄连接的位置。

在本文中，相邻的取代基R能任选地连接形成环，旨在表示其中任意两个相邻的取代基R之间能连接形成环。显而易见的，两个相邻的取代基R之间也可以不连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物具有M(L_a)_m(L_b)_n(L_c)_q的通式，其中L_a，L_b和L_c分别是与金属M配位的第一配体，第二配体和第三配体，L_b和L_c可以是相同或不同的；

L_a，L_b和L_c能任选地连接形成四齿配体或六齿配体；

其中m是1，2或3，n是0，1或2，q是0，1或2，m+n+q等于M的氧化态；当m大于等于2时，多个L_a相同或不同；当n等于2时，两个L_b相同或不同；当q等于2时，两个L_c相同或不同；

其中L_b和L_c每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：

其中，

R_a，R_b和R_c每次出现时相同或不同地表示单取代，多取代，或无取代；

X_b选自由以下组成的组：O，S，Se，NR_N1，CR_C1R_C2；

R_a，R_b，R_c，R_N1，R_C1和R_C2每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

相邻的取代基R_a，R_b，R_c，R_N1，R_C1和R_C2能任选地连接形成环。

在本文中，相邻的取代基R_a，R_b，R_c，R_N1，R_C1和R_C2能任选地连接形成环，旨在表示其中相邻的取代基组，例如，两个取代基R_a之间，两个取代基R_b之间，两个取代基R_c之间，取代基R_a和R_b之间，取代基R_a和R_c之间，取代基R_b和R_c之间，取代基R_a和R_N1之间，取代基R_b和R_N1之间，取代基R_a和R_C1之间，取代基R_a和R_C2之间，取代基R_b和R_C1之间，取代基R_b和R_C2之间，以及R_C1和R_C2之间，这些取代基组中任一个或多个可以连接形成环。显而易见的，这些取代基之间也可以都不连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中X₁至X₇中至少有一个为CR_x，且所述R_x选自氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，氰基，或其组合。

根据本发明的一个实施例，其中X₇为CR_x，且所述R_x选自氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，氰基，或其组合。

根据本发明的一个实施例，其中所述R_x选自氘，氟，取代或未取代的甲基，或取代或未取代的苯基。

根据本发明的一个实施例，其中所述第一化合物具有Ir(L_a)_m(L_b)_3-m的通式，所述Ir(L_a)_m(L_b)_3-m具有由式1-1表示的结构：

其中，

其中X选自O，S或Se；

m选自1，2或3；当m选自1时，两个L_b相同或不同；当m选自2或3时，多个L_a相同或不同；

R₁，R₂，R₃，R_a和R_b各自独立地表示单取代，二取代，三取代或四取代，或无取代；

R₁，R₂，R₃，R_a和R_b每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

相邻的取代基R₁，R₂，R₃，R_a和R_b能任选地连接形成环。

在本文中，相邻的取代基R₁，R₂，R₃，R_a和R_b能任选地连接形成环，旨在表示其中相邻的取代基组，例如，两个取代基R₁之间，两个取代基R₂之间，两个取代基R₃之间，两个取代基R_a之间，两个取代基R_b之间，取代基R₁和R₂之间，取代基R₂和R₃之间，以及R_a和R_b之间，这些取代基组中任一个或多个可以连接形成环。显而易见的，这些取代基之间也可以都不连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中所述第一化合物选自由化合物GD-1至化合物GD-96组成的组，所述化合物GD-1至化合物GD-96的具体结构见权利要求6。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物具有由式2表示的结构：

其中，

L选自单键，取代或未取代的具有6-30个碳原子的亚芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的亚杂芳基，或其组合；

Z₁至Z₈各自独立地选自CR_z或N；Y₁至Y₁₀各自独立地选自C，CR_y或N；

Ar₁和Ar₂每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-10个碳原子的杂芳基，或其组合；

R_z和R_y每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

相邻的取代基R_z和R_y能任选地连接形成环。

在本文中，相邻的取代基R_z和R_y能任选地连接形成环，旨在表示其中相邻的取代基组，例如，两个取代基R_z之间，以及两个取代基R_y之间，这些取代基组中任一个或多个可以连接形成环。显而易见的，这些取代基之间也可以都不连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物具有由式2-1表示的结构：

其中，

Z₁至Z₈各自独立地选自CR_z或N；E₁至E₉各自独立地选自C，CR_e或N；Y₁至Y₈各自独立地选自CR_y或N；V₁至V₅各自独立地选自CR_v或N；W₁至W₅各自独立地选自CR_w或N；

g每次出现时相同或不同地选自0或1；

R_z，R_e，R_y，R_v和R_w每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

相邻的取代基R_z，R_e和R_y能任选地连接形成环

在本文中，相邻的取代基R_z，R_e和R_y能任选地连接形成环，旨在表示其中相邻的取代基组，例如，两个取代基R_z之间，两个取代基R_e之间，以及两个取代基R_y之间，这些取代基组中任一个或多个可以连接形成环。显而易见的，这些取代基之间也可以都不连接形成环。

其中，

Z₁至Z₈各自独立地选自CR_z或N；E₁至E₈各自独立地选自CR_e或N；Y₁至Y₈各自独立地选自CR_y或N；V₁至V₅各自独立地选自CR_v或N；W₁至W₅各自独立地选自CR_w或N；

G每次出现时相同或不同地选自0或1；

相邻的取代基R_z，R_e和R_y能任选地连接形成环。

根据本发明的一个实施例，其中，Z₁至Z₈中至少一个选自CR_z，且所述R_z选自取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，或取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基。

根据本发明的一个实施例，其中，E₁至E₄中至少一个选自CR_e，且所述R_e选自取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，或取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基。

根据本发明的一个实施例，其中，Y₁至Y₈选自CR_y，所述R_y选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合。

根据本发明的一个实施例，其中，V₁至V₅选自CR_v，所述R_v选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合。

根据本发明的一个实施例，其中，W₁至W₅选自CR_w，所述R_w选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物选自由化合物2-1至化合物2-24组成的组，所述化合物2-1至化合物2-24的具体结构见权利要求13。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物的LUMO能级具备以下条件：-2.270eV＜LUMO_{第一化合物}＜-2.120eV。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物的HOMO能级具备以下条件：-5.160eV＜HOMO_{第一化合物}＜-5.125eV。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜25×10^-5cm²/V.s。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜20×10^-5cm²/V.s。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物的HOMO能级具备以下条件：HOMO_{第二化合物}＜-5.150eV。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二化合物的HOMO能级具备以下条件：HOMO_{第二化合物}＜-5.200eV。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一有机层与发光层直接接触。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一有机层是电子阻挡层。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一有机层的厚度在1nm-100nm之间。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一有机层的厚度在1nm-80nm之间。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一有机层的厚度在1nm-60nm之间。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物在发光层中的重量占比不高于10％。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物在发光层中的重量占比不高于8％。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一化合物在发光层中的重量占比不高于6％。

根据本发明的一个实施例，其中，所述有机电致发光器件在电流密度10mA/cm²下的外部量子效率>22％。

根据本发明的一个实施例，其中，所述有机电致发光器件在亮度11500cd/m²下的寿命LT95>1600h。

根据本发明的一个实施例，还公开了一种电子组件，其包含前述任一实施例所述的有机电致发光器件。

根据本发明的一个实施例，其中所述电子组件是显示组件或照明组件。

根据本发明的一个实施例，还公开了一种组合物，其至少包含第一化合物和第二化合物，所述第一化合物和第二化合物如前述任一实施例所述。

与其他材料组合

本发明描述的用于有机发光器件中的特定层的材料可以与器件中存在的各种其它材料组合使用。这些材料的组合在美国专利申请US2016/0359122A1中第0132-0161段有详细描述，其全部内容通过引用并入本文。其中描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且本领域技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

本文描述为可用于有机发光器件中的具体层的材料可以与存在于所述器件中的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的化合物组合可以与多种发光掺杂剂、主体、输送层、阻挡层、注入层、电极和其它可能存在的层结合使用。这些材料的组合在美国专利申请US2015/0349273A1中的第0080-0101段有详细描述，其全部内容通过引用并入本文。其中描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且本领域技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

本发明所使用的第一化合物和第二化合物可以参考现有技术中的制备方法而获得，或者也可以参考US20200091442A1、CN2021101651160等专利申请而制备获得，在此不再赘述。

在本文中，所有化合物HOMO能级(最高已占轨道)和LUMO能级(最低未占轨道)的数值均是通过循环伏安法(CV)测得的。测试使用由武汉科思特仪器股份有限公司生产的型号为CorrTest CS120的电化学工作站，并使用三电极工作体系：铂盘电极作为工作电极，Ag/AgNO3电极为参比电极，铂丝电极为辅助电极。测试温度为25℃，以无水DCM或DMF为溶剂，以0.1mol/L的六氟磷酸四丁铵作为支持电解质，将待测化合物配成10^-3mol/L的溶液，测试前向溶液中通入氮气10min除氧。仪器参数设置：扫描速率为100mV/s，电位间隔0.5mV，测试窗口为1V至-0.5V。在本文中，所有“HOMO能级”“LUMO能级”能级都取负值表示，数值越小(即绝对数值越大)，表示能级越深；数值越大(即绝对数值越小)，表示能级越浅。

在本文中，材料的空穴迁移率μ_h的测试方法是：首先使用0.7mm厚的玻璃基板，其上具有事先图形化的

厚的铟锡氧化物(ITO)作为阳极，用去离子水和洗涤剂水洗基板后用氧等离子体和UV臭氧对ITO表面进行处理。随后，将基板在手套箱中烘干以除去水分，并装入支架上传入真空舱室中。下面指定的有机层，在真空度约为10^-6Torr的情况下以

的速率通过真空热蒸镀依次在阳极层上进行蒸镀：首先，同时蒸镀化合物HTM

和P型导电掺杂材料化合物PD

作为空穴注入层(HIL，70：30，

)，使得阳极与有机层之间形成良好的欧姆接触；在其上蒸镀待测样品X作为空穴传输层(HTL，

)；接着，再次同时蒸镀化合物HTM和P型导电掺杂材料化合物PD作为空穴注入层(HIL，70：30，

)；之后蒸镀金属银作为阴极(Cath，

)。然后将该器件转移回手套箱，并用玻璃盖片封装以完成该器件。并通过Mott-Gurney公式计算出待测样品X的空穴迁移率：

其中，J是电流密度(单位：mA/cm²)，ε是有机材料的相对介电常数，有机材料的相对介电常数都为3，ε₀是有机材料的真空介电常数(8.85×10^-12F/m)，V是外加偏压(单位：V)；d是待测样品的厚度(单位：m)。

表1列出了以下作为EBL材料的LUMO、HOMO能级以及空穴迁移率μ_h的数据，其中测试溶剂为无水DCM。

表1 EBL材料的LUMO、HOMO能级及空穴迁移率μ_h

其中，“/”表示未测到。

由表1可知，化合物2-15、化合物2-3、化合物HT-1、化合物HT-2和化合物HT-3均具有比较浅的LUMO能级，因为较浅超出测量范围未测到，这里未作展示，但也说明这些材料均符合作为良好的EBL材料的特点之一；从空穴迁移率方面看，化合物HT-1、HT-2和HT-3具有更高的空穴迁移率，可以预见其空穴的传输会更快，即空穴进入EML层后更有可能行进到靠近阴极侧的界面，使得整个复合区范围变宽；反之，如化合物2-15、化合物2-3类的材料，空穴迁移率较低，则复合区域有可能更集中在EML靠近阳极侧的界面。利用这一点，再结合适当的有机发光掺杂材料，我们可以获得比较优异的器件性能。尤其地，我们发现使用本发明这类有机发光掺杂材料搭配上述具有较低空穴迁移率的EBL材料，在器件性能上有明显优势。

表2列出了以下有机发光掺杂材料的HOMO能级和LUMO能级及两者差值，其中测试溶剂为无水DMF。

表2有机发光掺杂材料的HOMO、LUMO能级及两者能级差

由表2可知，本发明第一化合物GD-54和化合物GD-76的LUMO和HOMO能级比金属络合物M1、M2更浅，使用本发明这类有机发光掺杂材料搭配上述具有较低空穴迁移率的EBL材料，在器件性能上有优势。

电致发光器件的制备方法不作限制，下述实施例的制备方法只是一个示例，不应理解为限制。本领域技术人员能够依据现有技术对下述实施例的制备方法进行合理改进。示例性的，发光层中各种材料的配比不做特别限定，本领域技术人员能依据现有技术在一定范围内合理选择，例如，以发光层材料总重量为基准，主体材料可以占80％-99％，发光材料可以占1％-20％；或者主体材料可以占90％-99％，发光材料可以占1％-10％；或者主体材料可以占95％-99％，发光材料可以占1％-5％。此外，主体材料中可以是一种或两种材料，其中两种主体材料的占主体材料的比例可以为100：0至1：99；或者，比例可以为80：20至20：80；或者，比例可以为60：40至40：60。在器件的实施例中，器件的特性也是使用本领域常规的设备(包括但不限于Angstrom Engineering生产的蒸镀机，苏州弗士达生产的光学测试系统、寿命测试系统，北京量拓生产的椭偏仪等)，以本领域技术人员熟知的方法进行测试。由于本领域技术人员均知晓上述设备使用、测试方法等相关内容，能够确定地、不受影响地获得样品的固有数据，因此上述相关内容在本发明中不再展开赘述。

器件实施例1-1

首先使用0.7mm厚的玻璃基板，其上具有事先图形化的

的速率通过真空热蒸镀依次在阳极层上进行蒸镀：首先，蒸镀化合物HATCN作为空穴注入层(HIL，

)，蒸镀化合物HT用作空穴传输层(HTL，

)，接着，蒸镀化合物2-15用作电子阻挡层(EBL，

)，其上同时蒸镀化合物H1、化合物H2和化合物GD-76作为发光层(EML，245:123:32，

)，蒸镀化合物HB作为空穴阻挡层(HBL，

)，同时蒸镀化合物ET和Liq作为电子传输层(ETL，140:210，

)，蒸镀

厚度的Liq作为电子注入层(EIL)。最后，蒸镀金属铝作为阴极(Cathode，

)。然后将该器件转移回手套箱，并用玻璃盖片封装以完成该器件。

器件实施例1-2：与实施例1-1的制备方法相同，除了蒸镀化合物2-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件实施例1-3：与实施例1-1的制备方法相同，除了同时蒸镀化合物H1、化合物H2和化合物GD-54作为发光层(EML，245:123:32，

)。

器件比较例1-1：与实施例1-1的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-1用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-2：与实施例1-1的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-2用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-3：与实施例1-1的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-4：与实施例1-1的制备方法相同，除了同时蒸镀化合物H1、化合物H2和化合物M1作为发光层(EML，245:123:32，

)。

器件比较例1-5：与比较例1-4的制备方法相同，除了蒸镀化合物2-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-6：与比较例1-4的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-1用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-7：与比较例1-4的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-2用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-8：与比较例1-4的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-9：与实施例1-1的制备方法相同，除了同时蒸镀化合物H1、化合物H2和化合物M2作为发光层(EML，245:123:32，

)。

器件比较例1-10：与比较例1-9的制备方法相同，除了蒸镀化合物2-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-11：与比较例1-9的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-1用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-12：与比较例1-9的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-2用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-13：与比较例1-9的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-3用作电子阻挡层(EBL，

)。

器件比较例1-14：与实施例1-3的制备方法相同，除了蒸镀化合物HT-2用作电子阻挡层(EBL，

)。

其中所用材料不止一种的层，是不同化合物以其记载的重量比例掺杂得到的。器件实施例和比较例的器件部分结构和厚度如下表3所示。

表3器件实施例1-1至1-3和比较例1-1至1-14的部分器件结构

器件中使用的材料结构如下所示：

表4列出了实施例1-1至1-3和比较例1-1至1-14的器件性能。其中，色坐标、电流效率CE和外量子效率EQE是在电流密度为10mA/cm²下测得，器件寿命(LT95)是11500cd/m²下的寿命，其计算方法是：在80mA/cm²驱动下亮度衰减到初始亮度的95％时的实测寿命，进一步通过加速因子1.8计算所得。

表4实施例1-1至1-3和比较例1-1至1-14的器件性能

讨论：

表4展示了包含不同的有机发光掺杂材料和电子阻挡材料组合使用时的电致发光器件测试结果，从色坐标可以看出，所展示的相同组内实施例与比较例的色坐标基本一致。

实施例1-1和1-2使用了具有本发明特定结构的第一化合物GD-76分别与具有本发明特定空穴迁移率的第二化合物2-15、化合物2-3的组合搭配。比较例1-1中，使用了本发明第一化合物GD-76与不具有本发明特定空穴迁移率的化合物HT-1的组合搭配。与比较例1-1比较，实施例1-1和1-2的CE分别提高了4cd/A、3cd/A，EQE分别提升了4.3％、3.1％，更重要的是，寿命分别提高了500h、662h，最大提高了56.7％。在比较例1-1中，化合物HT-1的HOMO能级为-5.263eV，与实施例1-1和1-2中的化合物2-15和化合物2-3的HOMO能级基本相当，其均可与EML层达到良好的能级搭配，但因为化合物HT-1的空穴迁移率过高，为29.8×10^- ⁵cm²/V.s，这使得EML中载流子平衡变差，从而导致器件效率降低、寿命变差。相似地，比较例1-2和1-3中使用了本发明第一化合物GD-76分别与不具有本发明特定空穴迁移率的电子阻挡层材料化合物HT-2、化合物HT-3的组合搭配。与比较例1-2和1-3比较，实施例1-1和1-2在效率和寿命上表现出了更加优异的器件性能，实施例的CE最大提高了9cd/A，EQE也明显提升，寿命最大延长了495h，最大提升了37％。在比较例1-2和1-3中，HT-2和HT-3的HOMO能级为-5.100eV左右，其明显浅于实施例1-1和1-2中EBL材料的能级，无法与EML层达到良好的能级搭配，EML中载流子平衡遭到破坏；同时化合物HT-2和化合物HT-3的空穴迁移率较高，这使得EML中载流子平衡进一步变差，从而导致器件效率降低，甚至在比较例1-3中表现出寿命大幅变差的现象。由上可知，本发明的发光掺杂材料第一化合物GD-76与本发明第二化合物2-15或化合物2-3的组合，由于第二化合物的空穴迁移率和能级与第一化合物能够很好的搭配，使得器件中载流子平衡，进而提高器件效率和寿命，提高了器件性能，这在商业应用中有较为重要的使用价值。

当采用具有本发明特定结构的第一化合物GD-54时，通过实施例1-3和比较例1-14的对比可知，实施例的CE提高了6cd/A，EQE也明显提升，寿命延长了278h，即表明当本发明第一化合物与低空穴迁移率材料组合搭配时器件性能显著优于与高空穴迁移率材料的组合搭配。

同时，我们研究了其它发光掺杂材料的情况。使用不具有本发明特定结构的发光掺杂材料M1与本发明第二化合物2-15、化合物2-3的比较例1-4和1-5，与使用不具有本发明特定结构的发光掺杂材料M1与不具有本发明特定空穴迁移率的EBL材料化合物HT-1、化合物HT-2和化合物HT-3的比较例1-6至1-8相比较，各个器件在效率和寿命上基本相当；这说明当使用不具有本发明特定的发光掺杂材料时，与具有或不具有本发明特定空穴迁移率的EBL材料进行搭配时基本不影响器件性能，未表现出其对于EBL空穴迁移率较为敏感的特性。而如上所述，使用本发明第一化合物与本发明第二化合物的实施例1-1和1-2，与比较例1-1至1-3相比较，实施例的效率都得到明显提升，寿命也能保持基本相当甚至取得了大幅度的提升。但比较例1-4和1-5，与比较例1-6至1-8比较，其器件的效率和寿命没有明显提升，部分还略有下降。这是由于GD-76的LUMO能级为-2.215eV，比金属络合物M1的LUMO能级(-2.285eV)更浅，相似地，GD-76的HOMO能级也比M1的更浅，其对于与之搭配的EBL材料的空穴迁移率更加敏感，尤其与空穴迁移率低的EBL材料搭配性更好。以上说明，具有本发明特定结构的第一化合物与具有本发明特定空穴迁移率的第二化合物的组合搭配，对于提升器件性能是非常重要的。

同样地，当采用不具有本发明特定结构的发光掺杂材料M2时，其LUMO能级为-2.397eV，通过比较例1-9和1-10，与比较例1-11至1-13的对比可知，其与前述金属络合物M1具有相似的表现，即当金属络合物M2与低空穴迁移率材料化合物2-15、化合物2-3组合搭配时的器件性能与高空穴迁移率材料化合物HT-1、化合物HT-2和化合物HT-3的组合搭配时的器件性能基本相当，未表现出其对于EBL空穴迁移率较为敏感的特性。这也说明了具有本发明特定结构的第一化合物与具有本发明特定空穴迁移率的第二化合物的组合搭配，对于提升器件性能是非常重要的。

综上所述，本发明公开的有机电致发光器件，其包含具有特定结构的发光掺杂材料的第一化合物和与之匹配的具有特定空穴迁移率的电子阻挡层材料的第二化合物。相比使用其他的发光掺杂材料和电子阻挡层化合物，本发明公开的特定组合可以提高器件性能、尤其是可以大幅度提高器件寿命，在产业上具有明显的优势。

应当理解，这里描述的各种实施例仅作为示例，并无意图限制本发明的范围。因此，如本领域技术人员所显而易见的，所要求保护的本发明可以包括本文所述的具体实施例和优选实施例的变化。本文所述的材料和结构中的许多可以用其它材料和结构来取代，而不脱离本发明的精神。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论无意为限制性的。

Claims

1.一种有机电致发光器件，其包括：

阳极，

阴极，

其中L_a具有由式1表示的结构：

其中Cy通过金属-碳键或者金属-氮键与M结合；

其中X选自O，S或Se；

X₁，X₂，X₃或X₄通过金属-碳键或者金属-氮键与M连接；

相邻的取代基R_x能任选地连接形成环；

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述Cy选自由以下组成的组中的任一结构：

其中，

相邻的取代基R能任选地连接形成环；

其中，“#”表示与金属M连接的位置，

表示与X₁，X₂，X₃或X₄连接的位置。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中所述第一化合物具有M(L_a)_m(L_b)_n(L_c)_q的通式，其中L_a，L_b和L_c分别是与金属M配位的第一配体，第二配体和第三配体，L_b和L_c可以是相同或不同的；

L_a，L_b和L_c能任选地连接形成多齿配体；

其中L_b和L_c每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组：

其中，

X_b选自由以下组成的组：O，S，Se，NR_N1，CR_C1R_C2；

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中X₁至X₇中至少有一个为CR_x，且所述R_x选自氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，氰基，或其组合；

优选地，其中X₇为CR_x，且所述R_x选自氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，氰基，或其组合；

更优选地，所述R_x选自氘，氟，取代或未取代的甲基，或取代或未取代的苯基。

5.如权利要求1-4中任一项所述的有机电致发光器件，其中所述第一化合物具有Ir(L_a)_m(L_b)_3-m的通式，所述Ir(L_a)_m(L_b)_3-m具有由式1-1表示的结构：

其中，

其中X选自O，S或Se；

相邻的取代基R₁，R₂，R₃，R_a和R_b能任选地连接形成环。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述第一化合物选自由以下结构组成的组：

7.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物具有由式2表示的结构：

其中，

相邻的取代基R_z和R_y能任选地连接形成环。

8.如权利要求1-6任一项所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物具有由式2-1表示的结构：

其中，

g每次出现时相同或不同地选自0或1；

相邻的取代基R_z，R_e和R_y能任选地连接形成环。

9.如权利要求8所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物具有由式2-2表示的结构：

其中，

g每次出现时相同或不同地选自0或1；

相邻的取代基R_z，R_e和R_y能任选地连接形成环。

10.如权利要求7-9中任一项所述的有机电致发光器件，其中，Z₁至Z₈中至少一个选自CR_z，且所述R_z选自取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，或取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基。

11.如权利要求8或9所述的有机电致发光器件，其中，E₁至E₄中至少一个选自CR_e，且所述R_e选自取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，或取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基。

12.如权利要求8或9所述的有机电致发光器件，其中，Y₁至Y₈选自CR_y，和/或V₁至V₅选自CR_v，和/或W₁至W₅选自CR_w。

13.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物选自由以下结构组成的组：

14.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一化合物的LUMO能级具备以下条件：-2.270eV＜LUMO_{第一化合物}＜-2.120eV。

15.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一化合物的HOMO能级具备以下条件：-5.160eV＜HOMO_{第一化合物}＜-5.125eV。

16.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜25×10^-5cm²/V.s；

优选地，所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜20×10^-5cm²/V.s。

17.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二化合物的HOMO能级具备以下条件：HOMO_{第二化合物}＜-5.150eV；优选地，HOMO_{第二化合物}＜-5.200eV。

18.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一有机层与发光层直接接触。

19.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一有机层的厚度在1nm-100nm之间；优选地，在1nm-80nm之间；更优选地，在1nm-60nm之间。

20.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一化合物在发光层中的重量占比不高于10％；优选的，不高于8％；更优选的，不高于6％。

21.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述有机电致发光器件在电流密度10mA/cm²下的外部量子效率>22％。

22.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述有机电致发光器件在亮度11500cd/m²下的寿命LT95>1600h。

23.一种电子组件，其包含权利要求1-22任一项所述的有机电致发光器件。

24.如权利要求23所述的电子组件，其中所述电子组件是显示组件或照明组件。

25.一种组合物，其至少包含第一化合物和第二化合物，

所述第一化合物包含金属M，和与金属M配位的配体L_a，其中金属M选自由Cu，Ag，Au，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，和Pt组成的组；优选的，其中金属M选自Pt或Ir；

其中L_a具有由式1表示的结构：

其中Cy通过金属-碳键或者金属-氮键与M结合；

其中X选自O，S或Se；

其中X₁至X₇独立地选自C，CR_x或N；X₁至X₄中至少有一个为C，且与所述Cy相连；

其中R_x选自由以下组成的组：氢，氘，卤素，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基，取代或未取代的具有3-20个环碳原子的环烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的杂烷基，取代或未取代的具有3-20个环原子的杂环基，取代或未取代的具有7-30个碳原子的芳烷基，取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷氧基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳氧基，取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基，取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基，取代或未取代的具有3-30个碳原子的杂芳基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷硅基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基硅烷基，取代或未取代的具有3-20个碳原子的烷基锗基，取代或未取代的具有6-20个碳原子的芳基锗基，取代或未取代的具有0-20个碳原子的氨基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，氰基，异氰基，羟基，巯基，亚磺酰基，磺酰基，膦基，及其组合；

X₁，X₂，X₃或X₄通过金属-碳键或者金属-氮键与M连接；

相邻的取代基R_x能任选地连接形成环；

所述第二化合物的空穴迁移率μ_h＜27×10^-5cm²/V.s。