CN116053376A - 微型发光器件和包括其的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种微型发光器件和包括其的显示装置。该微型发光器件包括：掺有具有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上并掺有具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二杂质的第二半导体层；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层的第一电极；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层的第二电极；以及布置在第一半导体层的下表面上并具有平坦表面的铝氮化物层。

Description

微型发光器件和包括其的显示装置
技术领域
本公开涉及微型发光器件和包括其的显示装置，更具体地，涉及具有适于在流体自组装方法中对准的结构的微型发光器件和包括其的显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)因其具有低功耗和环保的优点而增加了工业需求，用于照明装置或液晶显示器(LCD)背光，也用作显示装置的像素。最近，已经开发了使用微单元LED芯片作为像素的微型LED显示装置。在制造使用微单元LED芯片的显示装置时，激光剥离或拾取和放置方法被用作转移微型LED的方法。然而，在这种方法中，随着微型LED的尺寸减小以及显示装置的尺寸增大，生产率降低。
发明内容
提供了一种微型发光器件，其具有适于在流体自组装方法中对准的结构。
提供了一种显示装置，其可以通过流体自组装方法制造。
附加方面将部分在以下描述中阐述，部分将从描述中明显，或可通过实践本公开的实施方式而了解。
根据本公开的一方面，一种微型发光器件包括：掺有具有第一导电性的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上的第二半导体层，该第二半导体层掺有具有与第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；第一电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层；第二电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层；以及布置在第一半导体层的下表面上的铝氮化物层，该铝氮化物层包括平坦表面。
微型发光器件的宽度可以在约1μm至约100μm的范围内。
第一半导体层的宽度可以大于微型发光器件的厚度。
微型发光器件的厚度可以在约2μm至约10μm的范围内，第一半导体层的宽度可以在约5μm至约50μm的范围内。
第二半导体层的宽度可以大于微型发光器件的厚度。
微型发光器件的侧表面可以倾斜，使得第一半导体层的宽度大于第二半导体层的宽度。
铝氮化物层的表面的表面粗糙度可以为约50nm或更小。
铝氮化物层的表面的表面粗糙度可以为约10nm或更小。
微型发光器件还可以包括分布在第一半导体层内部的不规则光散射结构。
铝氮化物层可以包括多个隔离的凹槽。
所述多个隔离的凹槽中的每个可以具有点形状，且所述多个隔离的凹槽可以二维排列在铝氮化物层的表面中。
所述多个隔离的凹槽中的每个可以具有环形形状，且所述多个隔离的凹槽可以同心地布置在铝氮化物层的表面中。
第二电极可以布置在沿水平方向对应于第二半导体层的中心的位置，第一电极可以布置在沿水平方向对应于第二半导体层的边缘的位置。
第一电极可以具有围绕第二电极的对称形状。
微型发光器件可以进一步包括穿过第二半导体层和发光层的通孔，其中绝缘层延伸以围绕通孔的侧壁，第一电极被配置为通过通孔接触第一半导体层，第二电极可以配置为穿透绝缘层并接触第二半导体层。
微型发光器件可以进一步包括布置在第一电极和第二电极之间的接合扩散防止壁。
接合扩散防止壁可以在绝缘层的上表面上具有突出形状。
接合扩散防止壁可以具有凹槽形状。
在垂直方向上观察，微型发光器件可以具有矩形截面，第一电极可以布置在对角线方向上彼此面对的两个顶点区域中。
微型发光器件可以进一步包括布置在不同于所述两个顶点区域的另外两个顶点区域的每个中的接合焊盘，所述另外两个顶点区域在不同于所述对角线方向的另一对角线方向上彼此面对。
根据本公开的一方面，一种显示装置包括显示基板、以及布置在显示基板上的多个微型发光器件，其中所述多个微型发光器件中的至少一个包括：掺有具有第一导电性的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上的第二半导体层，该第二半导体层掺有具有与第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；第一电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层；第二电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层；以及布置在第一半导体层的下表面上的铝氮化物层，该铝氮化物层包括平坦表面。
显示装置可以进一步包括波长转换层，其配置为转换从所述多个微型发光器件发射的光的波长。
波长转换层可以包括：第一波长转换层，配置为将所述多个微型发光器件发射的光转换成第一波长带的光；以及第二波长转换层，配置为将所述多个微型发光器件发射的光转换成不同于第一波长带的第二波长带的光。
显示装置可以进一步包括滤色器层，该滤色器层包括：第一滤光器，布置为面向第一波长转换层，并配置为透射第一波长带的光；以及第二滤光器，布置为面对第二波长转换层，并配置为透射第二波长带的光。
根据本发明的一方面，一种微型发光器件包括在微型发光器件的第一表面上的第一电极；以及在微型发光器件的与第一表面相反的第二表面上的铝氮化物层，其中铝氮化物层的表面粗糙度为50nm或更小。
第一电极的第一形状可以关于微型发光器件的中心径向对称。
微型发光器件还可以包括在第一表面上的第二电极，其中第二电极的第二形状关于微型发光器件的中心径向对称。
根据本发明的一方面，一种微型发光器件包括：掺有具有第一导电性的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上的第二半导体层，该第二半导体层掺有具有与第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；第一电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层；第二电极，布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层；布置在第一电极和第二电极之间的接合扩散防止壁；布置在绝缘层的上表面上的接合焊盘；以及布置在第一半导体层的下表面上的铝氮化物层，该铝氮化物层包括平坦表面。
附图说明
通过以下接合附图的描述，本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和优点将更加明显，其中：
图1为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图；
图2A至图2C为示出根据实施方式的微型发光器件的各种电极结构的平面图；
图3A至3D为示意性地示出制造图1所示的微型发光器件的过程的截面图；
图4为示出根据一实施方式的使用流体自组装方法对准微型发光器件的示例方法的透视图；
图5示意性地示出根据一实施方式的用于对准微型发光器件的扫描过程；
图6为示出根据一实施方式的转移基板的示意结构的截面图，其中微型发光器件布置在转移基板中；
图7为示意性地示出根据一实施方式的将对准在转移基板上的微型发光器件转移到显示基板上的过程的截面图；
图8为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图；
图9为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图；
图10A和10B为平面图，示出了图9所示的微型发光器件的铝氮化物层中形成的多个凹槽的示例；
图11为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图；
图12为示意性地示出根据一实施方式的显示装置的结构的截面图；
图13为示意性地示出根据一实施方式的显示装置的结构的截面图；
图14为根据一实施方式的电子设备的示意框图；
图15示出了根据实施方式的显示装置应用于移动设备的示例；
图16示出了根据实施方式的显示装置应用于车辆显示装置的示例；
图17示出了根据实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜或虚拟现实眼镜的示例；
图18示出了根据实施方式的显示装置应用于标牌的示例；以及
图19示出了根据实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这点上，实施方式可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施方式，以解释各个方面。如本文所用，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项目的任何和所有组合。当在一列元素之后时，诸如“……中的至少一个”的表述修饰整列元素，而不修饰该列中的个别元素。
在下文中，将参照附图详细描述微型发光器件和包括其的显示装置。在下面的附图中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了描述的清楚和方便，附图中每个部件的尺寸可被放大。此外，下面描述的实施方式仅仅是示例，并且对于这些实施方式的各种修改是可能的。
下文中所述的“上部”或“上”可以不仅包括接触的直接上方，还包括非接触的上方。除非另有说明，单数形式的术语可以包括复数形式。此外，当某个部分“包括”某个部件时，除非另有说明，否则意味着可以进一步包括其他部件，而不是排除其他部件。
术语“该”和类似指示术语的使用可对应于单数和复数两者。如果关于构成该方法的步骤没有明确的顺序或矛盾的陈述，这些步骤可以以适当的顺序执行，并且不必限于所描述的顺序。
此外，说明书中描述的术语，诸如“单元”和“模块”，是指处理至少一种功能或操作的单元，其可以实施为硬件或软件，或可以实施为硬件和软件的组合。
图中所示部件之间的线的连接或连接构件为功能连接和/或物理或电路连接的图示，并且可表示为实际装置中可替换或附加的各种功能连接、物理连接或电路连接。
所有示例或说明性术语的使用仅用于详细描述技术思想，范围不受这些示例或说明性术语的限制，除非受权利要求的限制。
图1为示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图。参照图1，微型发光器件100可以包括第一半导体层103、布置在第一半导体层103的上表面上的发光层104、布置在发光层104的上表面上的第二半导体层105、布置在第二半导体层105的上表面上的绝缘层106、布置在绝缘层106的上表面上的第一电极108使得第一电极108电连接到第一半导体层103、布置在绝缘层106的上表面上的第二电极107使得第二电极107电连接到第二半导体层105、以及布置在第一半导体层103的下表面上并且具有平坦表面的铝氮化物(AlN)层102。第一电极108和第二电极107可以布置在微型发光器件100的上表面(例如，第一表面)上。AlN层102可以布置在微型发光器件100的下表面(例如，第二表面)上。
第一半导体层103和第二半导体层105可以包括例如III-V族或II-VI族化合物半导体。第一半导体层103和第二半导体层105可以向发光层104提供电子和空穴。为此，第一半导体层103和第二半导体层105可以以相反的类型电掺杂。例如，第一半导体层103可以掺有n型杂质(例如，具有第一导电性的第一杂质)，第二半导体层105可以掺有p型杂质(例如，具有第二导电性的第二杂质)，或者第一半导体层103可以掺杂为p型，第二半导体层105可以掺杂为n型。
发光层104具有量子阱结构，其中量子阱布置在势垒之间。当从第一半导体层103和第二半导体层105提供的电子和空穴在发光层104的量子阱中复合时，可以产生光。从发光层104产生的光的波长可以根据在发光层104中形成量子阱的材料的能带隙来确定。发光层104可以仅具有一个量子阱，或者可以具有多量子阱(MQW)结构，其中多个量子阱与多个势垒交替布置。考虑到发光器件的驱动电压和发光效率，可以适当选择发光层104的厚度或发光层104中量子阱的数量。
为了在下述流体自组装方法中容易地对准微型发光器件100，第一电极108和第二电极107两者可以布置在微型发光器件100的一个表面上。例如，参照图1，绝缘层106可以形成在第二半导体层105的上表面上，并且第一电极108和第二电极107两者都可以布置在绝缘层106的上表面上。为了将第一电极108电连接到第一半导体层103，微型发光器件100可以进一步包括穿过第二半导体层105和发光层104的通孔V。绝缘层106可以延伸以围绕通孔V的侧壁。换句话说，第二半导体层105的由通孔V暴露的部分和发光层104的由通孔V暴露的部分可以被绝缘层106覆盖。第一电极108从绝缘层106的上表面延伸到第一半导体层103的通过通孔V暴露的上表面，以通过通孔V接触第一半导体层103。第二电极107可以被配置为穿透绝缘层106并接触第二半导体层105。此外，第二电极107的一部分可以从绝缘层106的上表面进一步横向延伸。
AlN层102可以提供平坦的下表面，以在流体自组装方法中容易地对准微型发光器件100。为此，AlN层102可以具有非常光滑和平坦的下表面。例如，AlN层102的下表面的表面粗糙度的均方根(RMS)可以是约50nm或更小，或者约10nm或更小。
此外，为了在流体自组装方法中容易地对准微型发光器件100，微型发光器件100可以具有其中微型发光器件100的直径或宽度大于微型发光器件100的厚度的形状。特别地，第一半导体层103的直径或宽度W1可以大于微型发光器件100的厚度T。例如，微型发光器件100的厚度T可以小于约20μm，例如在约1μm至约20μm的范围内，或者在约2μm至约10μm的范围内，并且第一半导体层103的直径或宽度W1可以小于约100μm，例如在约1μm至约100μm的范围内，或者在约5μm至约50μm的范围内。例如，第一半导体层103的直径或宽度W1可以大于厚度T，或者大于微型发光器件100的厚度T的两倍或五倍。这里，微型发光器件100的尺寸，即直径或宽度，可以被定义为第一半导体层103的最宽部分的直径或宽度W1。因此，微型发光器件100的尺寸，即直径或宽度，可以例如在约1μm至约100μm的范围内，或者在约5μm至约50μm的范围内。
根据一实施方式，微型发光器件100可以具有倾斜的侧表面，使得AlN层102和第一半导体层103两者的直径或宽度W1大于第二半导体层105和绝缘层106的直径或宽度W2。例如，第二半导体层105的直径或宽度W2可以是第一半导体层103的直径或宽度W1的0.7倍或更大并且小于直径或宽度W1，或者是直径或宽度W1的0.8倍或更大并且是直径或宽度W1的0.95倍或更小。因此，AlN层102和第一半导体层103的面积可以大于第二半导体层105和绝缘层106的面积。此外，微型发光器件100的第二半导体层105的直径或宽度W2也可以大于微型发光器件100的厚度T。
此外，微型发光器件100还可以包括布置在绝缘层106的上表面上的第一电极108和第二电极107之间的接合扩散防止壁109。例如，在制造显示装置的过程中，当将微型发光器件100的第一电极108和第二电极107接合到显示装置的显示基板上的相应电极焊盘时，接合扩散防止壁109防止诸如焊料凸块的接合材料在第一电极108和第二电极107之间扩散，以防止短路。接合扩散防止壁109可以具有突出到绝缘层106的上表面上方的形状。接合扩散防止壁109的厚度可以小于或等于第一电极108和第二电极107的厚度。此外，接合扩散防止壁109可以由电绝缘材料制成。
在制造显示装置的过程中，为了容易地将微型发光器件100的第一电极108和第二电极107接合到显示基板上的相应电极焊盘，第一电极108和第二电极107可以具有对称的形状。换句话说，例如，第一电极108和第二电极107可以分别具有第一形状和第二形状，其每个相对于微型发光器件100的中心径向对称。图2A至图2C是示出微型发光器件100的各种电极结构的平面图。
参照图2A，微型发光器件100的水平截面(例如，沿垂直方向观察时的截面)可具有圆形形状。第二电极107可以布置在第二半导体层105的中心，即，在水平方向(例如，宽度方向)上对应于微型发光器件100的中心的位置。第二电极107可以具有圆形形状。然而，本公开不一定限于此，第二电极107可以具有四边形或另一多边形形状。第一电极108可以布置在微型发光器件100的边缘，即，在水平方向上对应于第二半导体层105的边缘的位置。第一电极108可以具有围绕第二电极107的对称形状。例如，第一电极108可以具有围绕第二电极107的两个分开的半圆环的形式。在图2A中，作为示例，第一电极108被示为具有两个分开的环的形状，但是本公开不限于此。第一电极108可以具有例如三个或更多个分开的环的形状。即使第一电极108具有分开的部分，当它们接合到显示基板上的电极焊盘时，它们也可以彼此电连接。
此外，接合扩散防止壁109可以在第一电极108和第二电极107之间以环形形式布置。接合扩散防止壁109可以具有像第一电极108一样的两个或更多个分开的环的形状，并且可以被布置成完全阻挡第一电极108和第二电极107之间的路径。
参照图2B，第一电极108和接合扩散防止壁109中的每个可以具有一个完整环的形式。
参照图2C，微型发光器件100的截面可具有矩形形状。第二电极107布置在微型发光器件100的中心，并且可以具有圆形或多边形形状。第一电极108可以分别布置在所述矩形形状的沿对角线方向彼此面对的两个顶点区域中。此外，微型发光器件100还可以包括分别布置在沿不同的对角线方向彼此面对的两个不同的顶点区域的接合焊盘110。换句话说，接合焊盘110可以布置在矩形形状的另一对角线方向上彼此面对的在矩形形状的另外两个顶点区域处。接合焊盘110布置在绝缘层106的上表面上，当微型发光器件100的第一电极108和第二电极107接合到显示基板上的电极焊盘时，接合焊盘110接合到显示基板，使得微型发光器件100可以稳定地安装在显示基板上。或者，第一电极108可以布置在所有四个顶点区域中，而没有接合焊盘110。
图3A至图3D为示意性地示出制造图1所示的微型发光器件100的过程的截面图。
参照图3A，AlN层102、第一半导体层103、发光层104和第二半导体层105可以顺序生长在生长基板101上。生长基板101可以是例如硅基板。AlN层102可以用作用于在硅基板上生长化合物半导体的缓冲层。
参照图3B，可以通过部分蚀刻第二半导体层105、发光层104和第一半导体层103到第一半导体层103的一部分以形成通孔V来暴露第一半导体层103。
参照图3C，可以在第二半导体层105上形成绝缘层106。绝缘层106延伸到通孔V的内侧壁，使得第二半导体层105的由通孔V暴露的部分和发光层104的由通孔V暴露的部分可以被绝缘层106覆盖。然后，第一电极108和第二电极107可以形成为分别与第一半导体层103和第二半导体层105接触，并且接合扩散防止壁109可以形成在第一电极108和第二电极107之间。
参照图3D，绝缘层106、第二半导体层105、发光层104、第一半导体层103和AlN层102被部分蚀刻以形成多个微型发光器件100。尽管为了方便起见，在图3D中示出了一个微型发光器件100，但是大量的微型发光器件100可以形成在一个生长基板101上。
此后，可以通过化学剥离法将微型发光器件100与生长基板101分离。当通过化学剥离分离微型发光器件100时，微型发光器件100的下表面，即AlN层102的下表面可以非常光滑。
在被安装到显示装置的显示基板上之前，以这种方式形成的微型发光器件100可以首先使用流体自组装方法在单独的转移基板上对准。图4是示出使用流体自组装方法对准微型发光器件100的示例方法的透视图。
参照图4，可以在具有二维排列的凹槽135的转移基板130的上表面上供应多个微型发光器件100。在将液体供应到转移基板130的凹槽135之后，多个微型发光器件100可以被直接喷射在转移基板130上，或者以被包括在悬浮液中的状态供应在转移基板130上。
供应到凹槽135的液体可以为任何类型的液体，只要该液体不腐蚀或损坏微型发光器件100，并可以通过各种方法(诸如喷射法、分配法、喷墨点法、用于使液体流到转移基板130的方法等)供应到凹槽135。液体可以包括例如水、乙醇、酒精、多元醇、酮、卤代烃、丙酮、助熔剂(flux)和有机溶剂中的任何一种或更多种。有机溶剂可以包括例如异丙醇(IPA)。供应的液体量可以变化以适合凹槽135或从凹槽135溢出。
可以将多个微型发光器件100直接喷射在转移基板130上，而无需另一种液体，或可以以包含在悬浮液中的状态供应在转移基板130上。作为包括在悬浮液中的微型发光器件100的供应方法，可以以各种方式使用喷射方法、用于滴下液体的分配方法、用于排出液体的喷墨点方法(如印刷方法)、用于使悬浮液流到转移基板130的方法等。
图5示意性地示出了用于对准微型发光器件100的扫描过程。参照图5，吸收器10可以扫描转移基板130。当根据扫描经过多个凹槽135并且与转移基板130接触时，吸收器10可以将微型发光器件100移动到凹槽135中，并且还可以吸收凹槽135中的液体L。只要吸收器10是可以吸收液体L的材料，吸收器10就是足够的，并且其形状或结构不受限制。吸收器10可以包括例如织物、薄纸、聚酯纤维、纸或擦拭物。
吸收器10可以单独使用，无需其他辅助器件，但不限于此，并可以联接到支撑件20，以方便扫描转移基板130。支撑件20可以具有适于扫描转移基板130的各种形状和结构。例如，支撑件20可以具有杆、叶片、板、擦拭物等形式。吸收器10可以提供在支撑件20的任一侧，或者围绕支撑件20。支撑件20和吸收器10的形状不限于所示的矩形截面形状，并且可以具有圆形或其他截面形状。
吸收器10可以被扫描同时以适当的压力按压转移基板130。因为转移基板130的分隔壁131包括柔性聚合物材料，所以即使压力被施加到转移基板130，分隔壁131的原始厚度也可以在扫描之后恢复。扫描可以以各种方法进行，例如，吸收器10的滑动方法、旋转方法(rotating method)、平移运动方法、往复运动方法、滚动方法、转动方法(spinningmethod)和/或摩擦方法，并且可以包括规则方式和不规则方式。可以通过移动转移基板130而不是移动吸收器10来执行扫描，并且转移基板130的扫描也可以以诸如滑动、旋转、往复平移、滚动、转动和/或摩擦方法的方式来执行。此外，扫描可以通过吸收器10和转移基板130的协作来执行。
向转移基板130的凹槽135供应液体L的操作和向转移基板130供应微型发光器件100的操作可以按与上述顺序相反的顺序执行。此外，将液体L供应到转移基板130的凹槽135的操作和将微型发光器件100供应到转移基板130的操作可以在一个操作中同时执行。例如，通过将包括微型发光器件100的悬浮液供应到转移基板130，液体L和微型发光器件100可以同时供应到转移基板130。在吸收器10扫描转移基板130之后，保留在转移基板130中而没有进入凹槽135的微型发光器件100可以被移除。可以重复上述过程，直到微型发光器件100位于所有的凹槽135中。如上所述，大量的微型发光器件100可以使用流体自组装方法在大面积转移基板130上对准。
图6为显示根据一实施方式的转移基板130的示意性结构的截面图，其中布置有微型发光器件100。参照图6，转移基板130可以包括布置在转移基板130的上表面上并具有多个凹槽135的分隔壁131。分隔壁131可以由柔性聚合物材料制成。例如，分隔壁131可以包括丙烯酸聚合物、硅树脂基聚合物和环氧树脂基聚合物中的至少一种。此外，分隔壁131可以进一步包括感光材料。当分隔壁131包括感光材料时，可以通过光刻方法形成多个凹槽135。当分隔壁131不包括感光材料时，多个凹槽135可以通过蚀刻和模制形成。分隔壁131的厚度(例如，高度)可以略大于或略小于微型发光器件100的厚度。例如，分隔壁131的厚度可以是微型发光器件100的厚度的0.8至1.2倍。
使用上述流体自组装方法，可以在每个凹槽135中布置一个微型发光器件100。在这种情况下，分隔壁131可以围绕微型发光器件100。微型发光器件100可以被设置为使得第一电极108和第二电极107面朝上，也就是，在凹槽135之外，并且AlN层102接触凹槽135的底表面132。为此，与微型发光器件100的下表面接触的凹槽135的底表面132可以由具有高亲水性的介电材料制成且可以是非常光滑的表面。例如，凹槽135的底表面132的RMS表面粗糙度可以是约50nm或更小，或者约10nm或更小。此外，与凹槽135的底表面132接触的AlN层102也可以具有亲水性以及约50nm或更小的RMS表面粗糙度，或者约10nm或更小的RMS表面粗糙度。
因此，当在流体自组装工艺期间AlN层102与凹槽135的底表面132接触时，由于高表面能，微型发光器件100安置在凹槽135中，而不离开凹槽135。此外，由于微型发光器件100的结构具有比厚度大的直径或宽度，所以当AlN层102与凹槽135的底表面132接触时，接触面积相对较大，使得可以进一步增加表面能。此外，在具有倾斜侧表面的微型发光器件100的结构中，因为AlN层102的面积大于绝缘层106的面积，所以当AlN层102接触凹槽135的底表面132时，表面能可以进一步增加。
另一方面，当第一电极107和第二电极108在凹槽135内接触凹槽135的底表面132时，由于表面能低，即使用较弱的力，微型发光器件100也可以容易地从凹槽135中脱出。因此，当使用流体自组装方法对准微型发光器件100时，第一电极107和第二电极108可以在微型发光器件100固定在凹槽135中时面向凹槽135的外侧。此外，在清洁操作中，第一电极107和第二电极108可以允许没有固定在凹槽135中并且保留在分隔壁131上的微型发光器件100容易地与转移基板130分离。在这点上，所公开的微型发光器件100可以具有适于在流体自组装方法中对准的结构。虽然图中未示出，但是凹凸图案可以进一步形成在分隔壁131的上表面上，使得微型发光器件100可以更容易地与分隔壁131分离。
在转移基板130上对准的多个微型发光器件100可以转移到显示装置的显示基板上，用于制造显示装置。图7是示意性地示出将在转移基板130上对准的微型发光器件100转移到显示基板上的过程的截面图。
参照图7，显示基板210可以包括多个第一电极焊盘211和多个第二电极焊盘212。显示基板210还可以包括驱动电路，该驱动电路包括用于独立控制多个微型发光器件100的多个薄膜晶体管。例如，多个薄膜晶体管布置在显示基板210中的第一电极焊盘211和第二电极焊盘212下方，并且多个薄膜晶体管可以通过布线电连接到第一电极焊盘211和第二电极焊盘212。
转移基板130可以布置成使得微型发光器件100的第一电极108和第二电极107面向显示基板210。然后，可以将转移基板130压到显示基板210上，使得微型发光器件100的第一电极108与显示基板210的第一电极焊盘211接触，并且第二电极107与显示基板210的第二电极焊盘212接触。然后，通过诸如焊料凸块的接合材料，第一电极108可以接合到第一电极焊盘211，第二电极107可以接合到第二电极焊盘212。以这种方式，当微型发光器件100完全固定到显示基板210时，转移基板130可以从微型发光器件100分离。如上所述，通过使用具有适于在流体自组装方法中对准的结构的微型发光器件100，可以通过流体自组装方法相对容易地制造大面积显示装置。
图8为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图。在图1中，接合扩散防止壁109已经被描述为具有在绝缘层106上方突出的凸起结构，但是本公开不限于此。参照图8，微型发光器件100a可以包括具有雕刻结构(例如，凹槽)的接合扩散防止壁109a。例如，当形成通孔V时，可以通过在接合扩散防止壁109a的位置处蚀刻第二半导体层105的一部分、发光层104的一部分和/或第一半导体层103的一部分来形成沟槽。此后，可以形成绝缘层106以预定厚度覆盖沟槽的侧壁和底表面。然后，因为接合材料沿着接合扩散防止壁109a的雕刻凹槽流动，所以可以防止接合材料在第一电极108和第二电极107之间广泛扩散。没有参照图8描述的微型发光器件100a的其他结构可以与图1所示的微型发光器件100的那些相同。
图9为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图。参照图9，微型发光器件100b可以进一步包括形成在AlN层102的下表面中的多个凹槽111。可以通过蚀刻AlN层102来形成多个凹槽111。多个凹槽111可以通过蚀刻到第一半导体层103的一部分来形成。多个凹槽111可以具有彼此隔离的封闭结构。
图10A和图10B为平面图，显示了图9所示的微型发光器件100b的AlN层102中形成的多个凹槽111的示例。参照图10A，多个凹槽111可以具有点形状，并且可以二维地布置在AlN层102的下表面中。此外，参照图10B，多个凹槽111可以具有环形形状，并且可以在AlN层102的下表面中布置成同心圆形状。
当通过参照图4和图5描述的流体自组装方法将微型发光器件100b对准在转移基板130上时，多个凹槽111可以填充有用于流体自组装的液体。当AlN层102接触转移基板130的凹槽135的底表面132时，填充在多个凹槽111中的液体可以进一步增加表面能。因此，微型发光器件100b可以更稳定地安置在转移基板130的凹槽135中。为此，多个凹槽111可以具有隔离的封闭结构，使得填充在多个凹槽111中的液体不会泄漏。例如，多个凹槽111可以布置在AlN层102的下表面中，使得液体不会泄漏到AlN层102的下表面的边缘上。
此外，多个凹槽111可以用作光散射结构，其有助于从微型发光器件100b的发光层104产生的光穿过AlN层102发射到外部。从发光层104产生的光可以相对均匀地发射到AlN层102的外部，同时在多个凹槽111中被折射。为此，多个凹槽111可以不规则地布置。
图11为示意性地示出根据一实施方式的微型发光器件的结构的截面图。参照图11，微型发光器件100c还可以包括分布在第一半导体层103中的光散射结构112。光散射结构112可以由空气、空隙、透明介电材料或与第一半导体层103的半导体材料不同的半导体材料制成。光散射结构112的宽度、厚度、形状或光散射结构112之间的距离可以不规则地分布。因此，从发光层104产生的光可以通过第一半导体层103中的不规则光散射结构112相对均匀地发射到外部。
图12是示意性地示出根据一示例实施方式的显示装置的结构的截面图。参照图12，显示装置200可以包括显示基板210、安装在显示基板210上的多个微型发光器件100、以及布置在多个微型发光器件100上的波长转换层220。此外，显示装置200可以进一步包括布置在波长转换层220上的上基板230。图12示出了使用图1所示的微型发光器件100，但是也可以使用根据其他实施方式的微型发光器件100a、100b和100c。
波长转换层220可以包括：第一波长转换层220R，用于将从微型发光器件100发射的光转换成第一波长带的光；第二波长转换层220G，用于将从微型发光器件100发射的光转换成不同于第一波长带的第二波长带的光；以及第三波长转换层220B，用于将从微型发光器件100发射的光转换成不同于第一和第二波长带的第三波长带的光。例如，第一波长带的光可以是红光，第二波长带的光可以是绿光，第三波长带的光可以是蓝光。第一波长转换层220R、第二波长转换层220G和第三波长转换层220B间隔开地布置，隔膜221布置在它们之间，并且可以布置成分别面对相应的微型发光器件100。
当微型发光器件100发射蓝光时，第三波长转换层220B可以包括透射蓝光的树脂。第二波长转换层220G可以转换从微型发光器件100发射的蓝光以发射绿光。第二波长转换层220G可以包括被蓝光激发以发射绿光的量子点或磷光体。第一波长转换层220R可以将从微型发光器件100发射的蓝光改变成红光以被发射。第一波长转换层220R可以包括被蓝光激发以发射红光的量子点或磷光体。
第一波长转换层220R或第二波长转换层220G中包括的量子点可以具有包含核部分和壳部分的核-壳结构，或可以具有无壳的颗粒结构。核-壳结构可以是单壳或多壳结构，诸如双壳结构。量子点可以包括II-VI族半导体、III-V族半导体、IV-VI族半导体、IV族半导体和/或石墨烯量子点。量子点可以包括例如Cd、Se、Zn、S和/或InP，并且每个量子点可以具有几十nm或更小的直径，例如约10nm或更小的直径。包括在第一波长转换层220R和第二波长转换层220G中的量子点可以具有不同的尺寸。
图13为示意性地示出根据一实施方式的显示装置的结构的截面图。参照图13，显示装置300可以进一步包括布置在波长转换层220上的盖层250和布置在盖层250上的滤色器层240。盖层250和滤色器层240可以布置在图12所示的显示装置200的波长转换层220和上基板230之间。滤色器层240包括第一滤光器240R、第二滤光器240G和第三滤光器240B，其间以黑矩阵241间隔开。第一滤光器240R、第二滤光器240G和第三滤光器240B分别面向第一波长转换层220R、第二波长转换层220G和第三波长转换层220B布置。第一滤光器240R、第二滤光器240G和第三滤光器240B分别透射红光、绿光和蓝光，并吸收不同颜色的光。当提供滤色器层240时，第一滤光器240R和第二滤光器240G可以分别去除在第一波长转换层220R中未经波长转换而发射的光(例如，除了红光之外的光)，或者在第二波长转换层220G中未经波长转换而发射的光(例如，除了绿光之外的光)，从而可以提高显示装置300的色纯度。
上述显示装置可以应用于具有屏幕显示功能的各种电子设备。图14是根据一示例实施方式的电子设备的示意框图。参照图14，电子设备8201可以提供在网络环境8200中。在网络环境8200中，电子设备8201可以通过第一网络8298(诸如短距离无线通信网络等)与另一电子设备8202通信，或者可以通过第二网络8299(诸如远程无线通信网络等)与另一电子设备8204和/或服务器8208通信。电子设备8201可以通过服务器8208与电子设备8204通信。电子设备8201可以包括处理器8220、存储器8230、输入器件8250、音频输出器件8255、显示装置8260、音频模块8270、传感器模块8210、和接口8277、触觉模块8279、相机模块8280、电源管理模块8288、电池8289、通信模块8290、用户识别模块8296和/或天线模块8297。在电子设备8201中，可以省略这些部件中的一些或者可以添加其他部件。这些部件中的一些可以被实现为一个集成电路。例如，传感器模块8210(指纹传感器8211、加速度传感器8212、位置传感器8213、3D传感器8214、虹膜传感器、照度传感器等)可以通过嵌入在显示装置8260(显示器等)中来实现。
处理器8220可以执行软件(程序8240等)以控制电子设备8201的连接到处理器8220的一个或多个其他部件(诸如硬件、软件部件等)并且执行各种数据处理或操作。作为数据处理或操作的部分，处理器8220可以将从其他部件(传感器模块8210、通信模块8290等)接收的命令和/或数据加载在易失性存储器8232中，处理存储在易失性存储器8232中的命令和/或数据，并将结果数据存储在非易失性存储器8234中。非易失性存储器8234可以包括安装在电子设备8201中的内部存储器8236和可移动外部存储器8238。处理器8220可以包括主处理器8221(诸如，中央处理单元、应用处理器等)和辅助处理器8223(诸如，图形处理单元、图像信号处理器、传感器中枢处理器、通信处理器等)，其可以独立地操作或与主处理器8221一起操作。辅助处理器8223可以使用比主处理器8221少的电力并且可以执行专门的功能。
辅助处理器8223可以在主处理器8221处于未激活状态(睡眠状态)时替主处理器8221控制与其他电子设备8201的一些部件(诸如显示装置8260、传感器模块8210、通信模块8290等)相关的功能和/或状态，或在主处理器8221处于激活状态(应用执行状态)时与主处理器8221一起控制与其他电子设备8201的一些部件(诸如显示装置8260、传感器模块8210、通信模块8290等)相关的功能和/或状态。辅助处理器8223(诸如图像信号处理器、通信处理器等)可以被实现为其他的功能相关部件(诸如相机模块8280、通信模块8290等)的部分。
存储器8230可以存储电子设备8201的部件(诸如处理器8220、传感器模块8210等)所需的各种数据。该数据可以包括例如软件(诸如程序8240等)、针对与其相关的命令的输入数据和/或输出数据。存储器8230可以包括易失性存储器8232和/或非易失性存储器8234。
程序8240可以作为软件存储在存储器8230中并且可以包括操作系统8242、中间件8244和/或应用8246。
输入器件8250可以从电子设备8201的外部(用户)接收将用于电子设备8201的部件(诸如处理器8220等)的命令和/或数据。输入器件8250可以包括遥控器、麦克风、鼠标、键盘和/或数字笔(诸如手写笔)。
音频输出器件8255可以将音频信号输出到电子设备8201的外部。音频输出器件8255可以包括扬声器和/或接收器。扬声器可以用于诸如多媒体播放或录音播放的通用目的，接收器可以用于接听来电。接收器可以作为扬声器的部分被组合，或者可以实现为独立的单独器件。
显示装置8260可以在视觉上向电子设备8201的外部提供信息。显示装置8260可以包括显示器、全息器件或投影仪，以及用于控制该器件的控制电路。显示装置8260可以包括上述驱动电路、微型发光器件、侧反射结构、底反射结构等。显示装置8260可以包括设置为感测触摸的触摸电路和/或设置为测量由触摸产生的力的强度的传感器电路(诸如压力传感器)。
音频模块8270可以将声音转换成电信号，或者相反地，可以将电信号转换成声音。音频模块8270可以通过输入器件8250获取声音，或者可以通过音频输出器件8255的扬声器和/或耳机、和/或直接或无线地连接到电子设备8201的其他电子设备(诸如其他电子设备8202)输出声音。
传感器模块8210可以检测电子设备8201的操作状态(诸如功率、温度等)或外部环境状态(诸如用户状态等)，并且可以产生与检测到的状态对应的电信号和/或数据值。传感器模块8210可以包括手势传感器、陀螺仪传感器、气压传感器、磁传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器和/或照度传感器。
接口8277可以支持一个或更多个指定协议，其可以用于将电子设备8201直接地或无线地连接到另一电子设备(诸如其他电子设备8202)。接口8277可以包括高清晰度多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、SD卡接口和/或音频接口。
连接端子8278可以包括连接器，电子设备8201可以通过该连接器物理连接到另一电子设备(诸如，其他电子设备8202)。连接端子8278可以包括HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器和/或音频连接器(诸如耳机连接器)。
触觉模块8279可以将电信号转换成用户可通过触觉或动觉感知的机械刺激(诸如振动、移动等)或电刺激。触觉模块8279可以包括电机、压电元件和/或电刺激器件。
相机模块8280可以捕获静止图像和视频。相机模块8280可以包括透镜组件(该透镜组件包括一个或更多个透镜)、图像传感器、图像信号处理器和/或闪光灯。包括在相机模块8280中的透镜组件可以收集从对象(其是图像捕获的目标)发出的光。
电源管理模块8288可以管理供应给电子设备8201的电力。电源管理模块8288可以实现为电源管理集成电路(PMIC)的部分。
电池8289可以向电子设备8201的部件供电。电池8289可以包括不可再充电的原电池、可再充电的二次电池和/或燃料电池。
通信模块8290可以支持建立直接(有线)通信信道和/或无线通信信道，并通过建立的通信信道在电子设备8201和其他电子设备(诸如其他电子设备8202、其他电子设备8204、服务器8208等)之间进行通信。通信模块8290可以包括一个或更多个通信处理器，其独立于处理器8220(诸如应用处理器)操作并且支持直接通信和/或无线通信。通信模块8290可以包括无线通信模块8292(诸如蜂窝通信模块、短距离无线通信模块、全球导航卫星系统(GNSS)通信模块等)和/或有线通信模块8294(诸如局域网(LAN)通信模块、电力线通信模块等)。在这些通信模块当中，对应的通信模块可以通过第一网络8298(诸如蓝牙、WiFi直连或红外数据协会(IrDA)的短距离通信网络)或第二网络8299(蜂窝网络、互联网或诸如计算机网络(诸如LAN、WAN等)的电信网络)与其他电子设备通信。这些各种类型的通信模块可以集成到一个部件(诸如单个芯片等)中，或者可以实现为多个分离的部件(多个芯片)。无线通信模块8292可以使用存储在用户识别模块8296中的用户信息(诸如国际移动用户标识符(IMSI)等)检验并验证诸如第一网络8298和/或第二网络8299的通信网络中的电子设备8201。
天线模块8297可以向外部(诸如其他电子设备)发送信号和/或电力或者可以从外部接收信号和/或电力。天线可以包括辐射器，该辐射器由形成在基板(诸如印刷电路板(PCB)等)上的导电图案制成。天线模块8297可以包括一个或多个天线。如果包括天线，通信模块8290可以从多个天线选择适合在诸如第一网络8298和/或第二网络8299的通信网络中使用的通信方法的天线。信号/或电力可以通过所选择的天线在通信模块8290和另一电子设备之间发送或接收。除了天线之外，其他部件(诸如射频集成电路(RFIC))可以被包括作为天线模块8297的部分。
一些部件相互连接，并且可以通过外围设备(诸如总线、通用输入和输出(GPIO)、串行外围接口(SPI)、移动工业处理器接口(MIPI)等)之间的通信方法交换信号(诸如命令、数据等)。
可以通过连接到第二网络8299的服务器8208在电子设备8201和其他电子设备8204之间发送或接收命令或数据。其他电子设备8202和8204可以是与电子设备8201相同或不同类型的设备。由电子设备8201执行的所有或一些操作可以由其他电子设备(即，其他电子设备8202和8204以及服务器8208)中的一个或更多个执行。例如，当电子设备8201需要执行某个功能或服务时，电子设备8201可以请求一个或更多个其他电子设备执行该功能或者部分或全部服务，而不是自己执行该功能或服务。接收到请求的一个或更多个其他电子设备可以执行与该请求相关的附加功能或服务，并且可以将执行结果发送到电子设备8201。为此，可以使用云计算、分布式计算和/或客户机-服务器计算技术。
图15示出了根据实施方式的显示装置应用于移动设备的示例。移动设备9100可以包括显示装置9110，并且显示装置9110可以包括以上所述的驱动电路、微型发光器件、侧反射结构、底反射结构等。显示装置9110可以具有可折叠结构，例如，可多次折叠结构。
图16示出了根据实施方式的显示装置应用于车辆显示装置的示例。显示装置可以是车辆平视显示装置9200并且可以包括提供在车辆的一个区域中的显示器9210以及转换光路使得驾驶员可以看到显示器9210上生成的图像的光路改变构件9220。
图17示出了根据实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜或虚拟现实眼镜的示例。增强现实眼镜9300可以包括形成图像的投影系统9310和将图像从投影系统9310引导到用户眼睛中的元件9320。投影系统9310可以包括以上所述的驱动电路、微型发光器件、侧反射结构、底反射结构等。
图18示出了根据实施方式的显示装置应用于标牌的示例。标牌9400可以用于使用数字信息显示器的户外广告，并且可以通过通信网络控制广告内容等。标牌9400可以例如通过参照图14描述的电子设备来实现。
图19示出了根据实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。可穿戴显示器9500可以包括以上所述的驱动电路、微型发光器件、侧反射结构、底反射结构等，并且可以通过参照图14描述的电子设备来实现。
根据示例实施方式的显示装置也可以应用于各种产品，诸如可卷曲的TV和可拉伸的显示器。
应理解，这里描述的实施方式应仅在描述性的意义上被考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在此进行在形式和细节上的各种改变。
本申请基于2021年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0145860号韩国专利申请，并要求其优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

Claims (32)

1.一种微型发光器件，包括：
第一半导体层，掺有具有第一导电性的第一杂质；
发光层，布置在所述第一半导体层的上表面上；
第二半导体层，布置在所述发光层的上表面上，所述第二半导体层掺有具有与所述第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；
绝缘层，布置在所述第二半导体层的上表面上；
第一电极，布置在所述绝缘层的上表面上并电连接到所述第一半导体层；
第二电极，布置在所述绝缘层的所述上表面上并电连接到所述第二半导体层；以及
铝氮化物层，布置在所述第一半导体层的下表面上，所述铝氮化物层包括平坦表面。
2.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的宽度在1μm至100μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述第一半导体层的宽度大于所述微型发光器件的厚度。
4.根据权利要求3所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的所述厚度在2μm至10μm的范围内，并且所述第一半导体层的所述宽度在5μm至50μm的范围内。
5.根据权利要求3所述的微型发光器件，其中所述第二半导体层的宽度大于所述微型发光器件的所述厚度。
6.根据权利要求5所述的微型发光器件，其中所述微型发光器件的侧表面是倾斜的，使得所述第一半导体层的所述宽度大于所述第二半导体层的所述宽度。
7.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层的表面的表面粗糙度为50nm或更小。
8.根据权利要求7所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层的所述表面的所述表面粗糙度为10nm或更小。
9.根据权利要求1所述的微型发光器件，还包括分布在所述第一半导体层内部的不规则光散射结构。
10.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述铝氮化物层包括多个隔离的凹槽。
11.根据权利要求10所述的微型发光器件，其中所述多个隔离的凹槽中的每个具有点形状，以及
其中所述多个隔离的凹槽二维排列在所述铝氮化物层的表面中。
12.根据权利要求10所述的微型发光器件，其中所述多个隔离的凹槽中的每个具有环形形状，以及
其中所述多个隔离的凹槽同心地布置在所述铝氮化物层的表面中。
13.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述第二电极布置在沿水平方向与所述第二半导体层的中心对应的位置，以及
其中所述第一电极布置在沿所述水平方向与所述第二半导体层的边缘对应的位置。
14.根据权利要求13所述的微型发光器件，其中所述第一电极具有围绕所述第二电极的对称形状。
15.根据权利要求13所述的微型发光器件，还包括穿过所述第二半导体层和所述发光层的通孔，
其中所述绝缘层延伸以围绕所述通孔的侧壁，并且所述第一电极被配置为通过所述通孔接触所述第一半导体层，以及
其中所述第二电极被配置为穿透所述绝缘层并接触所述第二半导体层。
16.根据权利要求13所述的微型发光器件，还包括布置在所述第一电极和所述第二电极之间的接合扩散防止壁。
17.根据权利要求16所述的微型发光器件，其中所述接合扩散防止壁在所述绝缘层的所述上表面上具有突出形状。
18.根据权利要求16所述的微型发光器件，其中所述接合扩散防止壁具有凹槽形状。
19.根据权利要求13所述的微型发光器件，其中从垂直方向上观察所述微型发光器件具有矩形截面，以及
其中所述第一电极布置在沿对角线方向彼此面对的两个顶点区域中。
20.根据权利要求19所述的微型发光器件，还包括布置在不同于所述两个顶点区域的两个其他顶点区域的每个中的接合焊盘，所述两个其他顶点区域在不同于所述对角线方向的另一对角线方向上彼此面对。
21.一种显示装置，包括：
包括驱动电路的显示基板；以及
布置在所述显示基板上的多个微型发光器件，
其中所述多个微型发光器件中的至少一个包括：
第一半导体层，掺有具有第一导电性的第一杂质；
发光层，布置在所述第一半导体层的上表面上；
第二半导体层，布置在所述发光层的上表面上，所述第二半导体层掺有具有与所述第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；
绝缘层，布置在所述第二半导体层的上表面上；
第一电极，布置在所述绝缘层的上表面上并电连接到所述第一半导体层；
第二电极，布置在所述绝缘层的所述上表面上并电连接到所述第二半导体层；以及
布置在所述第一半导体层的下表面上的铝氮化物层，所述铝氮化物层包括平坦表面。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述第二电极布置在沿水平方向与所述第二半导体层的中心对应的位置，以及
其中所述第一电极布置在沿所述水平方向与所述第二半导体层的边缘对应的位置。
23.根据权利要求22所述的显示装置，还包括布置在所述第一电极和所述第二电极之间的接合扩散防止壁。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中在垂直方向上观察时所述微型发光器件具有矩形截面，以及
其中所述第一电极布置在对角线方向上彼此面对的两个顶点区域中。
25.根据权利要求24所述的显示装置，还包括布置在不同于所述两个顶点区域的两个其他顶点区域的每个中的接合焊盘，所述两个其他顶点区域在不同于所述对角线方向的另一对角线方向上彼此面对。
26.根据权利要求21所述的显示装置，还包括波长转换层，所述波长转换层被配置为转换从所述多个微型发光器件发射的光的波长。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中所述波长转换层包括：第一波长转换层，配置为将从所述多个微型发光器件发射的光转换为第一波长带的光；以及第二波长转换层，配置为将从所述多个微型发光器件发射的光转换为不同于所述第一波长带的第二波长带的光。
28.根据权利要求27所述的显示装置，还包括滤色器层，所述滤色器层包括：
第一滤光器，布置为面对所述第一波长转换层，并且配置为透射所述第一波长带的所述光；以及
第二滤光器，布置为面对所述第二波长转换层，并且配置为透射所述第二波长带的所述光。
29.一种微型发光器件，包括：
在所述微型发光器件的第一表面上的第一电极；以及
在所述微型发光器件的与所述第一表面相反的第二表面上的铝氮化物层，
其中所述铝氮化物层的表面粗糙度为50nm或更小。
30.根据权利要求29所述的微型发光器件，其中所述第一电极的第一形状关于所述微型发光器件的中心径向对称。
31.根据权利要求30所述的微型发光器件，还包括在所述第一表面上的第二电极，
其中所述第二电极的第二形状关于所述微型发光器件的所述中心径向对称。
32.一种微型发光器件，包括：
第一半导体层，掺有具有第一导电性的第一杂质；
发光层，布置在所述第一半导体层的上表面上；
第二半导体层，布置在所述发光层的上表面上，所述第二半导体层掺有具有与所述第一导电性电相反的第二导电性的第二杂质；
绝缘层，布置在所述第二半导体层的上表面上；
第一电极，布置在所述绝缘层的上表面上并电连接到所述第一半导体层；
第二电极，布置在所述绝缘层的所述上表面上并电连接到所述第二半导体层；
接合扩散防止壁，布置在所述第一电极和所述第二电极之间；
接合焊盘，布置在所述绝缘层的所述上表面上；以及
铝氮化物层，布置在所述第一半导体层的下表面上，所述铝氮化物层包括平坦表面。
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