CN114639668A - 显示装置及制造其的方法 - Google Patents

显示装置及制造其的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114639668A
CN114639668A CN202111477272.7A CN202111477272A CN114639668A CN 114639668 A CN114639668 A CN 114639668A CN 202111477272 A CN202111477272 A CN 202111477272A CN 114639668 A CN114639668 A CN 114639668A
Authority
CN
China
Prior art keywords
unit
driving
micro
light emitting
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111477272.7A
Other languages
English (en)
Inventor
黄京旭
黄俊式
朴俊勇
洪硕佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020210054629A external-priority patent/KR20220085692A/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN114639668A publication Critical patent/CN114639668A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括转移基板和在转移基板上以子像素为单位彼此间隔开的微显示元件,其中每个微显示元件包括微发光单元和驱动单元,其中驱动单元包括驱动电极并驱动微发光单元。

Description

显示装置及制造其的方法
技术领域
示例实施方式涉及具有增加的发光效率的微发光元件和包括该微发光元件的显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器被广泛用作显示装置。近来,通过使用微发光二极管(LED)制造高分辨率显示装置的技术已经成为人们关注的焦点。在制造包括微LED芯片的显示装置时,取放法作为转移微LED的方法。然而,当使用这种方法时,随着微LED的尺寸减小和显示器的尺寸增大,生产率降低。
相关技术的显示装置包括背板基板,薄膜晶体管(TFT)集成在背板基板上,并且用作发光元件的有机发光二极管(OLED)和液晶显示器(LCD)联接到背板基板。然而,可沉积的TFT的类型取决于背板基板的类型和尺寸而被限制,因此可以改变TFT的设计。相应的微LED被转移到形成TFT的基板上,因此,微LED具有相同的限制。
发明内容
一个或更多个示例实施方式提供包括微显示元件的显示装置。
一个或更多个示例实施方式还提供制造具有大面积的显示装置的方法。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得明显,或者可以通过本公开的实施方式的实践而被了解。
根据一示例实施方式的一方面,一种显示装置包括:转移基板;以及在转移基板上以子像素为单位彼此间隔开的微显示元件,其中每个微显示元件包括微发光单元和驱动单元,其中驱动单元包括驱动电极并驱动微发光单元,其中驱动单元面对微发光单元。
驱动单元可以与微发光单元单片联接。
驱动单元和微发光单元可以具有相同的宽度。
每个微显示元件还可以包括在微发光单元和驱动单元之间并以子像素为单位划分的绝缘层。
驱动电极当中的每个驱动电极可以提供在距驱动单元的中心不同的距离处。
驱动单元可以包括第一象限、第二象限、第三象限和第四象限,其由穿过驱动单元的中心的第一轴线和穿过驱动单元的中心的垂直于第一轴线的第二轴线划分,并且驱动电极可以分别提供在第一象限、第二象限、第三象限和第四象限中。
每个驱动电极可以提供在距驱动单元的中心不同的距离处。
驱动电极可以关于穿过驱动单元的中心的第一轴线和穿过驱动单元的中心的与第一轴线垂直的第二轴线对称布置。
每个驱动电极可以包括同心圆结构、同心四边形结构、同心六边形结构、四分同心圆结构、四分同心四边形结构、四分同心六边形结构和六分同心六边形结构当中的任一种。
驱动单元可以包括两个或更多个晶体管和一个或更多个电容器。
微发光单元可以包括电极,并且微发光单元可以具有其中电极沿一个方向排列的水平电极结构。
每个微显示元件可以具有不对称结构,并且包括在每个微显示元件中的驱动电极可以并排布置。
每个微显示元件还可以包括在微发光单元和驱动单元之间的反射层。
根据一示例实施方式的一方面,一种制造显示装置的方法包括:在生长基板上形成微发光单元;在微发光单元上方形成驱动单元,驱动单元包括驱动电极并且配置为驱动微发光单元;去除生长基板;通过将微发光单元和驱动单元一起以子像素为单位划分而形成微显示元件;以及将微显示元件转移到转移基板上以使其彼此分开。
驱动单元可以单片联接到微发光单元。
驱动单元和微发光单元可以具有相同的宽度。
该方法还可以包括在微发光单元和驱动单元之间形成绝缘层;以及将微发光单元、驱动单元和绝缘层一起以子像素为单位划分。
每个驱动电极可以提供在距驱动单元的中心不同的距离处。
驱动单元可以包括第一象限、第二象限、第三象限和第四象限,其由穿过驱动单元的中心的第一轴线和穿过驱动单元的中心的与第一轴线垂直的第二轴线划分,驱动电极可以分别提供在第一象限、第二象限、第三象限和第四象限中。
每个驱动电极可以提供在距驱动单元的中心不同的距离处。
驱动电极可以关于穿过驱动单元的中心的第一轴线和穿过驱动单元的中心的与第一轴线垂直的第二轴线对称布置。
每个驱动电极可以包括同心圆结构、同心四边形结构、同心六边形结构、四分同心圆结构、四分同心四边形结构、四分同心六边形结构和六分同心六边形结构当中的任一种。
驱动单元可以包括两个或更多个晶体管和一个或更多个电容器。
微发光单元可以包括电极,并且微发光单元可以具有其中电极沿一个方向排列的水平电极结构。
每个微显示元件可以具有不对称结构,并且包括在每个微显示元件中的驱动电极可以并排布置。
显示装置还可以包括在微发光单元和驱动单元之间的反射层。
微显示元件可以通过流体自组装方法转移到转移基板上。
根据本公开的一方面,一种微显示元件包括微发光单元;以及单片形成在微发光单元上的薄膜晶体管(TFT)驱动单元。
TFT驱动单元可以包括在TFT驱动单元的背离微发光单元的一侧上的驱动电极。
驱动电极可以以线对称、点对称和旋转对称当中的至少一种同心地布置在TFT驱动单元的所述侧。
驱动电极可以不对称地布置在TFT的所述侧。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本公开的某些实施方式的以上及其他方面、特征和优点将更加明显,附图中:
图1是根据一示例实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图2示出了根据一示例实施方式的显示装置的微显示元件;
图3至图8是示出根据一示例实施方式的显示装置的驱动单元中包括的驱动电极的示例的视图;
图9示出了显示装置的转移方法的比较例;
图10示出了根据一示例实施方式的显示装置的转移方法;
图11示出了根据一示例实施方式的显示装置的微显示元件的示例;
图12示出了根据一示例实施方式的显示装置;
图13示出了颜色转换层进一步提供在图1所示的显示装置中的示例;
图14是示出根据一示例实施方式的制造显示装置的方法的流程图;
图15示出了通过使用根据一示例实施方式的制造显示装置的方法在生长基板上形成的微发光单元和驱动单元;
图16示出了通过从图15所示的结构去除生长基板而形成的微显示元件;
图17示出了在根据一示例实施方式的制造显示装置的方法中将微显示元件转移到转移基板上;
图18是根据一示例实施方式的电子装置的示意性框图;
图19示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于移动装置的示例;
图20示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于车辆显示装置的示例;
图21示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜的示例;
图22示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于标牌的示例;以及
图23示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式,其示例在附图中示出,其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上,实施方式可以具有不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此,以下仅通过参照附图来描述实施方式以解释方面。当在此使用时,术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述当在一列元素之后时,修饰整列元素而不修饰列中的单独元素。
在下文中,将参照附图详细描述根据各种实施方式的显示装置和制造该显示装置的方法。在附图中,相同的附图标记指代相同的元件,并且为了清楚和便于描述,附图中每个元件的尺寸可以被夸大。术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种构成元件,但构成元件不应受术语限制。术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开。
单数表述包括复数表述,除非上下文另有明确指示。另外,当一部分被描述为“包括”某个构成元件时,意味着该部分还可以包括其他构成元件,而非排除其他构成元件,除非另有说明。另外,在附图中,为了清楚的描述,每个构成元件的尺寸或厚度可以被夸大。另外,当描述某一材料层形成在基板或另一层上时,该材料层也可以形成为与基板或另一层直接接触,或者可以在其间形成第三层。另外,在以下示例中,形成各层的材料是示例,并且可以使用其他材料。
另外,说明书中描述的诸如“单元”、“部分”和“模块”的术语可以表示处理至少一个功能或操作的单元,其可以由硬件、软件或硬件和软件的组合构成。
本公开中描述的具体实施方案是示例并且不以任何方式限制技术范围。为了简要说明,可以省略相关技术的电子配置、控制系统、软件和系统的其他功能方面的描述。另外,图中所示的构成元件之间的线路的连接或连接构件示例性地表示功能连接和/或物理或电路连接,并且在实际装置中可以表示为替代或附加的各种功能连接、物理连接或电路连接。
术语“上述”和类似参照术语的使用可以对应于单数和复数两者。
构成方法的步骤不限于所描述的顺序并且可以以任何合适的顺序执行,除非有明确的声明这些步骤应该以所描述的顺序执行。另外,所有示例术语(“例如”和“等”)的使用仅用于详细描述技术思想,并且权利要求的范围不限于这些术语,除非由权利要求限制。
图1示出了根据一示例实施方式的显示装置。
显示装置100包括多个像素,为方便起见,图1中仅示出了一个像素。像素可以是用于显示图像的单元。每个像素可以包括发射不同颜色的光的子像素。通过控制由每个子像素发射的光的量,可以通过来自子像素的不同颜色来显示图像。例如,每个像素可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
显示装置100包括转移基板110和在转移基板110上以子像素为单位彼此隔开布置的微显示元件120。微显示元件120被转移到转移基板110上,并且转移基板110可以包括单层或多个层。转移基板110可以具有包括多个凹槽105的单个主体或单个模具结构。转移基板110可以包括例如,诸如硅、玻璃、蓝宝石或聚合物的有机材料、无机材料和/或金属,并且可以通过光致抗蚀剂图案化、蚀刻、模制等被制造,但实施方式不限于此。当微显示元件120被转移到转移基板110上时,凹槽105可以引导微显示元件120。
凹槽105可以具有比微显示元件120的面积更宽的剖面面积以容纳微显示元件120。每个凹槽105可以具有其中仅可放置一个微显示元件120的面积或者其中可放置多个微显示元件120的面积。每个凹槽105可以具有类似于每个微显示元件120的剖面的形状,例如圆形剖面或多边形剖面。每个凹槽105可以具有小于或大于每个微显示元件120的厚度的深度d,例如,小于每个微显示元件120的厚度的两倍的深度d,或者在每个微显示元件120的厚度的0.5至1.5倍的范围内的深度Dd。另外,每个凹槽105的底表面可以具有约50nm或更小的粗糙度。
金属层103可以进一步提供在转移基板110的表面上。金属层103可以包括Ag、Au、Pt、Ni、Cr和/或Al,并且可以具有与转移基板110的表面能不同的表面能。聚合物可以进一步联接到金属层103。表面能的差异不仅使微显示元件120能够很好地转移到凹槽105中,而且使未转移到凹槽105中且保留在转移基板110的表面上的微显示元件120能够在清洁步骤中与转移基板110很好地分离。金属层103可以选自疏水材料,凹槽105可以选自亲水材料,使得金属层103具有较大的表面能差异。
图2示出了微显示元件120中的一个。
微显示元件120可以包括微发光单元130和驱动微发光单元130的驱动单元140。例如,微显示元件120可以具有200μm或更小的宽度(w)。微显示元件120可以用作转移元件。
驱动单元140可以被布置为面对微发光单元130。驱动单元140可以具有单片联接到微发光单元130的结构。单片联接结构可以是其中驱动单元140一体地联接到微发光单元130而没有粘合层的结构。在微发光单元130与驱动单元140集成的状态下,微显示元件120可以以子像素为单位切割,并且驱动单元140可以具有与微发光单元130相同的宽度w。
绝缘层139可以在微发光单元130和驱动单元140之间。绝缘层139可以与微发光单元130和驱动单元140一起以子像素为单位划分。因此,绝缘层139可以具有与微发光单元130和驱动单元140相同的宽度w。
驱动单元140可以包括用于驱动微发光单元130的驱动电极150。驱动电极150可以向微发光单元130供应电流并且可以提供在与微发光单元130对应的位置处。也就是,驱动电极150可以在驱动单元140的背离微发光单元130的表面上提供在驱动单元140的与微发光单元130对应的区域中。驱动电极150可以构成晶体管、电容器等。包括驱动单元140的层可以包括低温多晶硅、低温多晶氧化物、非晶硅(a-Si)和氧化物中的一种。
微发光单元130可以包括顺序堆叠的第一半导体层131、发光层132和第二半导体层133。第一半导体层131可以包括第一类型半导体。例如,第一半导体层131可以包括n型半导体。第一半导体层131可以包括基于III-V族的n型半导体,例如n-GaN。第一半导体层131可以具有单层结构或多层结构。
发光层132可以提供在第一半导体层131的上表面上。发光层132中的电子和空穴结合以发射光。发光层132可以具有多量子阱(MQW)结构或单量子阱(SQW)结构。发光层132可以包括基于III-V族的半导体,例如GaN。
第二半导体层133可以提供在发光层132的上表面上。第二半导体层133可以包括例如p型半导体。第二半导体层133可以包括基于III-V族的p型半导体,例如p-GaN。第二半导体层133可以具有单层结构或多层结构。或者,当第一半导体层131包括p型半导体时,第二半导体层133可以包括n型半导体。
可以提供电连接到第一半导体层131的第一电极135,并且可以提供电连接到第二半导体层133的第二电极136。第一电极135可以包括像素电极,第二电极136可以包括公共电极。当第一半导体层131和第二半导体层133分别包括n型半导体和p型半导体时,第一电极135和第二电极136可以分别包括n型电极和p型电极。第一电极135可以通过通路金属137连接到第一半导体层131。微发光单元130可以具有水平电极结构,其中电极在一个方向上排列。
驱动单元140可以电连接到第一电极135和第二电极136,并且驱动单元140可以控制电源的通断。因此,驱动单元140可以选择性地驱动第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的至少一个期望的子像素。
第一电极135和第二电极136的每个可以包括反射材料以反射从发光层132发射的光。第一电极135和第二电极136的每个可以包括例如Ag、Au、Al、Cr或Ni,或其合金。或者,第一电极135和第二电极136可以形成为透明电极以使从发光层132发射的光透过。透明电极可以包括例如铟锡氧化物(ITO)、锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)或铟镓锌氧化物(IGZO)。
驱动单元140可以包括用于电驱动微发光单元130的晶体管、薄膜晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。驱动电极150可以包括例如构成晶体管的源电极、漏电极或栅电极。或者,驱动单元140可以包括电容器。驱动电极150可以构成电容器。驱动单元140可以包括例如两个或更多个晶体管和一个或更多个电容器,但不限于此。这两个晶体管可以包括用于向微发光单元130供应电流的驱动晶体管和用作开关的开关晶体管。
驱动电极150可以连接到微发光单元130的第一电极135和第二电极136。
图3是驱动单元140的驱动电极150的平面图。驱动电极150可以提供在不同的径向位置或距驱动单元140的中心c不同的距离处。驱动电极150可以包括提供在驱动单元140的中心c处的第一驱动电极151,并且还可以包括提供在第一驱动电极151周围的闭环型的第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154。这里,驱动电极150可以仅包括闭环型的第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154,而没有第一驱动电极151。如图3所示,驱动电极150可以具有对称结构。例如,驱动电极150可以具有线对称结构、点对称结构或旋转对称结构,但不限于此。
图3示出了驱动电极150具有同心圆结构的示例。驱动电极150可以包括提供在驱动单元140的中心c处的第一驱动电极151,并且还可以包括提供在第一驱动电极151周围的闭环型的第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154。在以这种方式构造驱动电极150的情况下,当微显示元件120被转移到转移基板110上时,电极焊盘可以连接到驱动电极150而不管微显示元件120的转移方向。例如,当驱动电极150包括第一驱动电极151、第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154并且第一电极焊盘P1、第二电极焊盘P2、第三电极焊盘P3和第四电极焊盘P4被提供时,第一驱动电极151可以连接到第一电极焊盘P1,第二驱动电极152可以连接到第二电极焊盘P2,第三驱动电极153可以连接到第三电极焊盘P3,并且第四驱动电极154可以连接到第四电极焊盘P4。当驱动电极150具有同心圆结构时,无论微显示元件120从哪个方向转移到转移基板110上,第一驱动电极151、第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154都可以分别连接到与其对应的第一电极焊盘P1、第二电极焊盘P2、第三电极焊盘P3和第四电极焊盘P4。因此,驱动电极150可以连接到对应的电极焊盘而不管微显示元件120的转移方向。
图4示出了驱动单元的驱动电极的示例。驱动电极150可以具有同心四边形结构。同心四边形结构可以包括提供在驱动单元140的中心c处的四边形第一驱动电极151,并且还可以包括提供在第一驱动电极151周围的每个具有四边形环形状的第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154。
图5示出了驱动单元的驱动电极的示例。驱动电极150可以具有同心六边形结构。同心六边形结构可以包括提供在驱动单元140的中心c处的六边形第一驱动电极151,并且还可以包括提供在第一驱动电极151周围的每个具有六边形环形状的第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154。
图6示出了驱动单元的驱动电极的示例。驱动电极150可以具有四分的同心四边形结构。这里,四个分割部不限于均等分割部。驱动单元140可以包括由垂直穿过中心c的第一轴线X和第二轴线Y划分的第一象限A1、第二象限A2、第三象限A3和第四象限A4。第一驱动电极151、第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154可以分别提供在第一象限A1、第二象限A2、第三象限A3和第四象限A4的全部中。每个象限可以包括一组第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154或者两组第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154。驱动电极150可以关于第一轴线X和第二轴线Y对称布置。
图7示出了驱动单元的驱动电极的示例。驱动电极150可以具有四分的同心六边形结构。这里,四个分割部不限于均等分割部。图7示出了其中同心六边形结构被分成四个部分的示例,但是也可以被分成六个部分。驱动单元140可以包括由垂直穿过中心c的第一轴线X和第二轴线Y划分的第一象限A1、第二象限A2、第三象限A3和第四象限A4。每个驱动电极150可以提供在第一象限A1、第二象限A2、第三象限A3和第四象限A4的每个中。每个象限可以包括一组驱动电极150或两组驱动电极150。驱动电极150可以关于第一轴线X和第二轴线Y对称布置。驱动电极150可以包括第一驱动电极151、第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154,并且第一驱动电极151、第二驱动电极152、第三驱动电极153和第四驱动电极154不需要具有相同的形状。
图8示出了驱动单元的驱动电极的示例。在一实施方式中,微显示元件220可以具有不对称结构,并且驱动电极250可以并排布置。转移基板210可以包括多个凹槽205,并且多个凹槽205可以具有不对称结构。凹槽205的形状可以对应于微显示元件220的形状。例如,微显示元件220和凹槽205可以具有梯形形状。凹槽205可以具有彼此面对的第一侧205a和第二侧205b,并且微显示元件220可以具有彼此面对的第三侧220a和第四侧220b。第四侧220b的长度d4可以大于第一侧205a的长度d1,使得微显示元件220可以以一定的方向性转移到凹槽205中。因此,微显示元件220可以被转移以对应于凹槽205的形状。另外,驱动电极250可以具有方向性地布置。例如,当驱动电极250包括第一驱动电极251、第二驱动电极252、第三驱动电极253、第四驱动电极254、第五驱动电极255和第六驱动电极256时,第一驱动电极251、第二驱动电极252、第三驱动电极253、第四驱动电极254、第五驱动电极255和第六驱动电极256可以在距驱动单元的任意一点m不同的距离处并排布置。当驱动电极以这种方式布置时,第一驱动电极251、第二驱动电极252、第三驱动电极253、第四驱动电极254、第五驱动电极255和第六驱动电极256可以分别连接到与其对应的电极焊盘。根据一实施方式,当因为所需的电极数量与微显示元件的尺寸相比较大而难以确保面积时,可以减小电极的面积并且可以降低连接到电极焊盘的错误率。
根据上述各种实施方式的显示装置可以通过将微显示元件转移到转移基板来制造。图9示出了其中发光单元L形成在晶片WP上并且与晶片WP分离以被转移到转移基板TB上的比较例。在比较例中,用于驱动发光单元L的驱动单元DD形成在转移基板TB上。分离的发光单元L可以转移到转移基板TB上以联接到驱动单元DD。因此,当驱动单元DD提供在转移基板TB中时,对转移基板TB的类型和材料存在限制。
图10是示出根据一示例实施方式的将微显示元件转移到转移基板上的示例的视图。微显示元件320包括生长在晶片(生长基板)305上的微发光单元330和单片集成在微发光单元330中的驱动单元340两者。微显示元件320以单个芯片为单位划分并转移到转移基板310上。布线线路315可以形成在转移基板310上。仅布线线路形成在转移基板310上,因此,对转移基板310的类型和材料可以没有限制。
如图9所示,当形成在晶片上的微发光单元移动到其上形成有薄膜晶体管(TFT)的转移基板TB上时,TFT的类型可受转移基板TB限制。与此相反,如图10所示,当微显示元件(在其中包括TFT的驱动单元340单片集成在微发光单元330中从而被切割)转移到转移基板310上时,用于形成TFT的基板选择不再受限制,因此,显示器可以形成在各种基板上。当TFT在形成微发光二极管(LED)的普通晶片上通过低温多晶硅(LTPS)工艺形成时,可以减少对TFT选择的许多限制。通过使用流体自组装方法,微LED和TFT在其中组合的微显示元件可以被有效地转移到大面积基板上。
图11示出了在图2所示的微显示元件中进一步提供反射层的示例。图11的具有与图2的部件相同的附图标记的部件具有与参照图2描述的基本相同的功能和构造,因此对其的详细描述被省略。
微显示元件120A还可以包括在微发光单元130和驱动单元140之间的反射层160。反射层160可以是例如分布式布拉格反射层。反射层160可以包括第一层161和第二层162,其具有不同的折射率并且交替堆叠多次。由于折射率的差异,从各层的界面反射的所有波都可以相互干扰。分布式布拉格反射层160可以具有其中包括例如Si、Si3N4、SiO2、TiO2、Ta2O5和ZrO2中的两种的层交替堆叠的结构。分布式布拉格反射层160可以具有其中例如SiO2层和TiO2层交替堆叠的结构。光反射率可以通过反射层160的两层的厚度及其堆叠的数量来调整。反射层160可以反射从微发光单元130发射的光以在向下方向上发射,如图11所示。
图12示出了根据一示例实施方式的显示装置。显示装置300可以包括转移基板310和提供成与转移基板310分开的微显示元件120。微显示元件120与参照图2描述的微显示元件基本相同,因此对其的详细描述被省略。转移基板310可以是平坦基板并且可以被布置为使得驱动单元140面对转移基板310。微显示元件120可以经由在其之间的驱动单元140结合到转移基板310。
图13示出了在参照图1和图2描述的显示装置中进一步提供颜色转换层的示例。图13的具有与图1和图2的部件相同的附图标记的部件具有与参照图1和图2描述的基本相同的功能和构造,因此对其的详细描述被省略。
显示装置300A可以包括以子像素间隔彼此分离的分隔壁371和提供在相邻分隔壁371之间的颜色转换层380。颜色转换层380可以各自转换从微发光单元130发射的光的颜色。微发光单元130可以发射第一颜色的光,例如蓝光。然而,这仅是示例,也可以发射具有能够激发颜色转换层的另一波长的光。平坦化层360可以进一步提供在驱动单元140和颜色转换层380之间。
颜色转换层380包括将来自微发光单元130的光转换成第一颜色光的第一颜色转换层381、将所述光转换成第二颜色光的第二颜色转换层382和将光转换成第三颜色光的第三颜色转换层383。第二颜色光可以是例如绿光,并且第三颜色光可以是例如红光。
当微发光单元130发射蓝光时,第一颜色转换层381可以包括透射蓝光而没有光转换的树脂。第二颜色转换层382可以将从微发光单元130发射的蓝光转换以发射绿光。第二颜色转换层382可以包括被蓝光激发以发射绿光的量子点,并且每个量子点可以具有包括核部分和壳部分的核壳结构或者可以具有颗粒结构而没有壳。核壳结构可以是单壳结构或多壳结构,例如双壳结构。
每个量子点可以包括II-VI族基半导体、III-V族基半导体、IV-VI族基半导体、IV族基半导体和/或石墨烯量子点。量子点可以包括例如Cd、Se、Zn、S和/或InP,并且每个量子点可以具有几十纳米或更小的直径,例如约10nm或更小的直径。
第二颜色转换层382还可以包括被从微发光单元130发射的蓝光激发以发射绿光的磷光体。
第三颜色转换层383可以将从微发光单元130发射的蓝光转换为红光并发射红光。第三颜色转换层383可以包括被蓝光激发以发射红光的特定尺寸的量子点,或者可以包括被从微发光单元130发射的蓝光激发以发射红光的磷光体。
图14是示出根据一示例实施方式的制造显示装置的方法的流程图。
参照图14和图15,制造显示装置的方法包括在生长基板405上形成微发光单元430的步骤(S10)、以及在微发光单元430上形成包括驱动电极450并驱动微发光单元430的驱动单元440的步骤(S20)。微发光单元430包括形成在生长基板405上的第一半导体层431、形成在第一半导体层431上的发光层432和形成在发光层432上的第二半导体层433。第一半导体层431、发光层432和第二半导体层433可以一体地形成在整个像素区域上而不被分成子像素单元。驱动单元440可以单片地形成在第二半导体层433上。驱动单元440的驱动电极450可以各自具有与参照图3至图8描述的相同的结构。绝缘层439可以形成在第二半导体层433和驱动单元440之间。
参照图14和图16,从第一半导体层431去除生长基板405(S30),并且微发光单元430和驱动单元440一起以子像素为单位划分以形成微显示元件420(S40)。在微发光单元430与驱动单元440集成的状态下,微发光单元430和驱动单元440通过以子像素为单位切割或通过使用蚀刻工艺分离,因此,形成微显示元件420。
参照图14和图17,微显示元件520被转移到转移基板510上(S50)。转移基板510包括其中布置微显示元件520的多个凹槽505。液体可以被供应到凹槽505以将微显示元件520转移到凹槽505。可以使用任何种类的液体,只要该液体不腐蚀或损坏微显示元件520。例如,液体可以包括多个组中的一个或组合,每个组包括例如水、乙醇、醇、多元醇、酮、卤代烃、丙酮、助熔剂和有机溶剂。有机溶剂可以包括例如异丙醇(IPA)。可用的液体不限于此,并且可以进行各种修改。
向凹槽505供应液体的方法可以包括各种方法,诸如喷涂法、分配法、喷墨点法和使液体流到转移基板510的方法。供应到凹槽505的液体的量可以被调整以符合凹槽505或从凹槽505溢出。
多个微显示元件520可以被供应到转移基板510。微显示元件520可以直接喷涂到转移基板510上而没有其他液体,或者可以以被包括在悬浮液中的状态供应。供应包括在悬浮液中的微显示元件520的方法可以包括各种方法,诸如喷涂法、滴下液体的分配法、像印刷法那样排出液体的喷墨点法以及使悬浮液流到转移基板510上的方法。另外,转移基板510可以被能够吸收液体的吸收构件540扫描。吸收构件540可以是任何材料,只要该材料能够吸收液体,并且其形状或结构不受限制。吸收构件540可以包括例如织物、棉纸、聚酯纤维、纸或擦拭物。吸收构件540可以单独使用而没有其他辅助工具并且可以联接到支撑件550以便于扫描转移基板510,但不限于此。支撑件550可以具有适合于扫描转移基板510的各种形状和结构。支撑件550可以具有例如棒、叶片、板或擦拭物的形状。吸收构件540可以提供在支撑件550的一侧或可以围绕支撑件550。
吸收构件540可以在以适当的压力按压转移基板510的同时扫描转移基板510。扫描可以包括吸收构件540经过多个凹槽505以在与转移基板510接触的同时吸收液体的步骤。扫描可以以各种方法执行,诸如吸收构件540的滑动法、转动法、平移法、往复法、滚动法、旋转法和/或摩擦法,并且可以包括规则方法和不规则方法。扫描也可以通过移动转移基板510而不是移动吸收构件540来执行,并且转移基板510的扫描可以通过滑动法、转动法、平移法、往复法、滚动法、旋转法和/或摩擦法执行。扫描也可以通过吸收构件540和转移基板510的配合来执行。以这种方式,微显示元件520可以通过使用流体自组装方法转移到转移基板510上。根据一示例实施方式的显示器制造方法,例如图16中所示的驱动电极450中的每个具有图3至图8所示的结构之一,因此,无论微显示元件520沿哪个方向转移,微显示元件520都可以连接到布线线路的电极焊盘。
制造显示装置的示例方法可以包括在微显示元件中形成金属线以将转移的微显示元件彼此电连接的方法,或者将微显示元件接合并转移到其上形成金属线的转移基板上的方法。如上所述,包括彼此单片联接的驱动单元和微发光单元两者的微发光元件被转移到转移基板上,因此,在包括TFT等的驱动单元形成在转移基板上的情况下,转移基板的结构、材料、工艺等可以被自由选择而没有各种限制。例如,转移基板510可以包括各种材料,诸如玻璃、硅和聚合物。
包括TFT、电容器等的背板基板在用途和材料上多样化以应用于各种元件。然而,当背板基板通过使用LTPS工艺制造时,背板基板难以大面积制造。由于真空沉积设备费用高,在大面积背板基板上形成TFT花费较大,且难以保证大面积背板基板的均匀性。另外,取决于TFT材料,可能难以执行高温工艺,因此,诸如氧化物TFT的替代元件可以用于大面积基板。
因此,根据一示例实施方式,流体自组装方法中的驱动单元、其中高性能驱动单元被单片集成到微发光单元中的显示器可以通过以流体自组装方法转移包括微发光单元和驱动单元的微显示元件来制造。在这种情况下,可以制造显示器而不管其基板的面积和类型,因此可以制造各种形状因子的显示器。
图18是根据一示例实施方式的包括显示装置的电子装置的框图。
参照图18,电子装置8201可以提供在网络环境8200中。在网络环境8200中,电子装置8201可以通过第一网络8298(短距离无线通信网络等)与另一电子装置8202通信,或者可以通过第二网络8299(长距离无线通信网络等)与另一电子装置8204和/或服务器8208通信。电子装置8201可以通过服务器8208与电子装置8204通信。电子装置8201可以包括处理器8220、存储器8230、输入器件8250、声音输出器件8255、显示装置8260、音频模块8270、传感器模块8276、接口8277、触觉模块8279、相机模块8280、电源管理模块8288、电池8289、通信模块8290、用户识别模块8296和/或天线模块8297。这些部件中的一些可以从电子装置8201省略或者可以向电子装置8201添加其他部件。这些部件中的一些可以被实现为一个电路。例如,传感器模块8276(指纹传感器、虹膜传感器、照度传感器等)可以嵌入在显示装置8260(显示器等)中。
处理器8220可以执行软件(诸如程序8240)以控制电子装置8201的连接到处理器8220的一个或多个其他部件(硬件、软件部件等)并且可以执行各种数据处理或算数。作为数据处理或算数的部分,处理器8220在易失性存储器8232中存储从其他部件(传感器模块8276、通信模块8290等)接收的命令和/或数据,并且处理存储在易失性存储器8232中的命令和/或数据,并将结果数据存储在非易失性存储器8234中。处理器8220可以包括主处理器8221(中央处理单元、应用处理器等)和协处理器8223(图形处理单元、图像信号处理器、传感器中枢处理器、通信处理器等),其可以独立地操作或与主处理器8221一起操作。协处理器8223可以使用比主处理器8221少的电力并且可以执行专门的功能。
协处理器8223可以在主处理器8221处于未激活状态(睡眠状态)时替主处理器8221控制与电子装置8201的一些部件(显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能和/或状态,或在主处理器8221处于激活状态(应用执行状态)时与主处理器8221一起控制与电子装置8201的一些部件(显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能和/或状态。协处理器8223(图像信号处理器、通信处理器等)可以被实现为与其功能相关的另外的部件(相机模块8280、通信模块8290等)的部分。
存储器8230可以存储电子装置8201的部件(处理器8220、传感器模块8276等)所需的各种数据。该数据可以包括例如针对软件(诸如程序8240)的输入数据和/或输出数据以及与其相关的命令。存储器8230可以包括易失性存储器8232和/或非易失性存储器8234。
程序8240可以作为软件存储在存储器8230中并且可以包括操作系统8242、中间件8244和/或应用8246。
输入器件8250可以从电子装置8201的外部(用户等)接收将在电子装置8201的部件(处理器8220等)中使用的命令和/或数据。输入器件8250可以包括遥控器、麦克风、鼠标、键盘和/或数字笔(手写笔等)。
声音输出器件8255可以将声音信号输出到电子装置8201的外部。声音输出器件8255可以包括扬声器和/或接收器。扬声器可以用于诸如多媒体播放或录音播放的通用目的,接收器可以用于接听来电。接收器可以作为扬声器的部分集成在扬声器中,或者可以实现为独立的单独器件。
显示装置8260可以在视觉上向电子装置8201的外部提供信息。显示装置8260可以包括用于控制显示器、全息装置或投影仪的控制电路以及相应器件。显示装置8260可以包括参照图1至图13描述的显示装置,并且可以由参照图14至图17描述的制造方法制造。显示装置8260可以包括配置为感测触摸的触摸电路和/或配置为测量由触摸产生的力的强度的传感器电路(压力传感器等)。
音频模块8270可以将音频转换成电信号,或者可以将电信号转换成音频。音频模块8270可以通过输入器件8250获取音频,或者可以通过声音输出器件8255的扬声器和/或耳机、和/或直接或无线地连接到电子装置8201的另一电子装置(电子装置8202)输出音频。
传感器模块8276可以检测电子装置8201的操作状态(功率、温度等)或外部环境状态(用户状态等),并且可以产生与检测到的状态对应的电信号和/或数据值。传感器模块8276可以包括手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器和/或照度传感器。
接口8277可以支持一个或更多个指定协议,其可以用于将电子装置8201直接地或无线地连接到另一电子装置(电子装置8202等)。接口8277可以包括高清晰度多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、安全数字(SD)卡接口和/或音频接口。
连接端子8278可以包括连接器,电子装置8201可以通过该连接器物理连接到另一电子装置(例如,电子装置8202)。连接端子8278可以包括HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器和/或音频连接器(耳机连接器等)。
触觉模块8279可以将电信号转换成用户可通过触觉或动觉感知的机械刺激(振动、移动等)或电刺激。触觉模块8279可以包括电机、压电元件和/或电刺激元件。
相机模块8280可以捕获静止图像和视频。相机模块8280可以包括透镜组件(该透镜组件包括一个或更多个透镜)、图像传感器、图像信号处理器和/或闪光灯。包括在相机模块8280中的透镜组件可以收集从要被成像的对象发出的光。
电源管理模块8288可以管理供应给电子装置8201的电力。电源管理模块8288可以实现为电源管理集成电路(PMIC)的部分。
电池8289可以向电子装置8201的构成元件供电。电池8289可以包括不可再充电的原电池、可再充电的二次电池和/或燃料电池。
通信模块8290可以在电子装置8201和另外的电子装置(电子装置8202、电子装置8204、服务器8208等)之间建立直接(有线)通信信道和/或无线通信信道,并且可以支持通过所建立的通信信道的通信。通信模块8290可以独立于处理器8220(应用处理器等)操作并且可以包括支持直接通信和/或无线通信的一个或更多个通信处理器。通信模块8290可以包括无线通信模块8292(蜂窝通信模块、短距离无线通信模块、全球导航卫星系统(GNSS)通信模块等)和/或有线通信模块8294(局域网(LAN)通信模块、电力线通信模块等)。在这些通信模块当中,对应的通信模块可以通过第一网络8298(诸如蓝牙、WiFi直连或红外数据协会(IrDA)的短距离通信网络)或第二网络8299(诸如蜂窝网络、互联网或计算机网络(LAN、广域网(WAN)等)的电信网络)与另一电子装置通信。各种类型的这些通信模块可以集成到一个构成元件(单个芯片等)中,或者可以实现为多个分离的构成元件(多个芯片)。无线通信模块8292可以通过使用存储在用户识别模块8296中的用户信息(国际移动用户标识符(IMSI)等)检验并验证诸如第一网络8298和/或第二网络8299的通信网络中的电子装置8201。
天线模块8297可以向外部(其他电子装置等)发送信号和/或电力或者可以从外部接收信号。天线可以包括辐射器,该辐射器由形成在基板(印刷电路板(PCB)等)上的导电图案制成。天线模块8297可以包括一个或多个天线。当包括多个天线时,通信模块8290可以从多个天线当中选择适合在诸如第一网络8298和/或第二网络8299的通信网络中使用的通信方法的天线。信号/或电力可以通过所选择的天线在通信模块8290和其他电子装置之间发送或接收。除了天线之外,其他部件(射频集成电路(RFIC)等)可以被包括作为一些天线模块8297。
一些构成元件可以通过通信方法(总线、通用输入和输出(BPIO)、串行外围接口(SPI)、移动工业处理器接口(MIPI)等)在外围器件之间彼此连接,并且可以交换信号(命令、数据等)。
可以通过连接到第二网络8299的服务器8208在电子装置8201和电子装置8204(其在外部)之间发送或接收命令或数据。其他电子装置8202和8204可以是与电子装置8201相同的电子装置或不同类型的装置。由电子装置8201执行的所有或一些操作可以由其他电子装置8202、8204和8208中的一个或更多个执行。例如,当电子装置8201需要执行功能或服务时,电子装置可以请求一个或更多个其他电子装置执行功能或者部分或全部服务,而不是自己执行功能或服务。接收到请求的一个或更多个其他电子装置可以执行与该请求相关的附加功能或服务,并且可以将执行结果发送到电子装置8201。为此,可以使用云计算技术、分布式计算技术和/或客户机-服务器计算技术。
图19示出了根据一示例实施方式的电子装置应用于移动装置的示例。移动装置9100可以包括显示装置9110,并且显示装置9110可以包括参照图1至图13描述的显示装置。显示装置9110可以具有可折叠结构,例如,多-可折叠结构。
图20示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于车辆的示例。显示装置可以包括用于车辆的平视显示装置9200并且可以包括提供在车辆的一个区域中的显示器9210以及转换光路使得驾驶员可以看到由显示器9210生成的图像的光路改变构件9220。
图21示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜或虚拟现实眼镜的示例。增强现实眼镜9300可以包括形成图像的投影系统9310和将图像从投影系统9310引导到用户眼睛中的元件9320。投影系统9310可以包括参照图1至图13描述的显示装置。
图22示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于大型标牌的示例。标牌9400可以用于使用数字信息显示器的户外广告,并且可以通过通信网络控制广告内容等。标牌9400可以通过例如参照图18描述的电子装置来实现。
图23示出了根据一示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。可穿戴显示器9500可以包括参照图1至图13描述的显示装置,并且可以通过参照图18描述的电子装置来实现。
根据示例实施方式的显示装置可以应用于各种产品,诸如可卷曲的电视机和可拉伸的显示器。
根据示例实施方式的显示装置可以包括微发光元件,其中包括驱动电极的驱动单元被一体地提供在微发光单元中,因此,高性能和大面积的显示装置可以被提供而不限制用于制造驱动单元的基板。
应理解,这里描述的实施方式应仅在描述性的意义上被考虑,而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施方式,但是本领域的普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以进行在形式和细节上的各种改变。
本申请基于2020年12月15日在美国专利商标局提交的美国临时申请第63/125,621号以及2021年4月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0054629号并要求其优先权,其公开内容通过引用其全文在此合并。

Claims (27)

1.一种显示装置,包括:
转移基板;以及
微显示元件,在所述转移基板上以子像素为单位彼此间隔开,
其中每个所述微显示元件包括微发光单元和面对所述微发光单元的驱动单元,以及
其中所述驱动单元包括驱动电极并且配置为驱动所述微发光单元。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动单元与所述微发光单元单片联接。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动单元的宽度与所述微发光单元的宽度相同。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中每个所述微显示元件还包括提供在所述微发光单元和所述驱动单元之间并以所述子像素为单位划分的绝缘层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动电极提供在距所述驱动单元的中心不同的距离处。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动单元还包括第一象限、第二象限、第三象限和第四象限,其由穿过所述驱动单元的中心的第一轴线和穿过所述驱动单元的所述中心并垂直于所述第一轴线的第二轴线划分,以及
其中所述驱动电极分别提供在所述第一象限、所述第二象限、所述第三象限和所述第四象限中。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中所述驱动电极提供在距所述驱动单元的所述中心不同的距离处。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动电极关于穿过所述驱动单元的中心的第一轴线和穿过所述驱动单元的所述中心并垂直于所述第一轴线的第二轴线对称布置。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中每个所述驱动电极包括同心圆结构、同心四边形结构、同心六边形结构、四分同心圆结构、四分同心四边形结构、四分同心六边形结构和六分同心六边形结构中的任一种。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动单元包括至少两个晶体管和至少一个电容器。
11.如权利要求1所述的显示装置,其中所述微发光单元包括电极,以及
其中所述微发光单元具有水平电极结构,在所述水平电极结构中所述电极沿一个方向排列。
12.如权利要求1所述的显示装置,其中每个所述微显示元件具有不对称结构,并且包括在每个所述微显示元件中的所述驱动电极并排布置。
13.如权利要求1所述的显示装置,其中每个所述微显示元件还包括提供在所述微发光单元和所述驱动单元之间的反射层。
14.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在生长基板上形成微发光单元;
在所述微发光单元上方形成驱动单元,所述驱动单元包括驱动电极并且配置为驱动所述微发光单元;
去除所述生长基板;
通过将所述微发光单元和所述驱动单元一起以子像素为单位划分来形成微显示元件;以及
将所述微显示元件转移到转移基板上以使其彼此分开。
15.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动单元单片联接到所述微发光单元。
16.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动单元的宽度与所述微发光单元的宽度相同。
17.如权利要求14所述的方法,还包括:
在所述微发光单元与所述驱动单元之间形成绝缘层;以及
将所述微发光单元、所述驱动单元和所述绝缘层一起以所述子像素为单位划分。
18.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动电极提供在距所述驱动单元的中心不同的距离处。
19.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动单元包括第一象限、第二象限、第三象限和第四象限,其由穿过所述驱动单元的中心的第一轴线和穿过所述驱动单元的所述中心并垂直于所述第一轴线的第二轴线划分,以及
其中所述驱动电极分别提供在所述第一象限、所述第二象限、所述第三象限和所述第四象限中。
20.如权利要求19所述的方法,其中所述驱动电极提供在距所述驱动单元的所述中心不同的距离处。
21.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动电极关于穿过所述驱动单元的中心的第一轴线和穿过所述驱动单元的所述中心并垂直于所述第一轴线的第二轴线对称布置。
22.如权利要求14所述的方法,其中每个所述驱动电极包括同心圆结构、同心四边形结构、同心六边形结构、四分同心圆结构、四分同心四边形结构、四分同心六边形结构和六分同心六边形结构中的任一种。
23.如权利要求14所述的方法,其中所述驱动单元包括至少两个晶体管和至少一个电容器。
24.如权利要求14所述的方法,其中所述微发光单元包括电极,以及
其中所述微发光单元具有水平电极结构,在所述水平电极结构中所述电极沿一个方向排列。
25.如权利要求14所述的方法,其中每个所述微显示元件具有不对称结构,并且包括在每个所述微显示元件中的所述驱动电极并排布置。
26.如权利要求14所述的方法,其中所述显示装置还包括提供在所述微发光单元和所述驱动单元之间的反射层。
27.如权利要求14所述的方法,其中所述微显示元件通过流体自组装方法转移到所述转移基板上。
CN202111477272.7A 2020-12-15 2021-12-06 显示装置及制造其的方法 Pending CN114639668A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063125621P 2020-12-15 2020-12-15
US63/125,621 2020-12-15
KR1020210054629A KR20220085692A (ko) 2020-12-15 2021-04-27 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조 방법
KR10-2021-0054629 2021-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114639668A true CN114639668A (zh) 2022-06-17

Family

ID=78827538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111477272.7A Pending CN114639668A (zh) 2020-12-15 2021-12-06 显示装置及制造其的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20220190223A1 (zh)
EP (1) EP4016631A1 (zh)
CN (1) CN114639668A (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106129028B (zh) * 2016-07-13 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备
US10763249B2 (en) * 2018-05-31 2020-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device
KR20200062863A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
CN111029360B (zh) * 2019-11-19 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示器件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4016631A1 (en) 2022-06-22
US20220190223A1 (en) 2022-06-16
US20230261163A1 (en) 2023-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3937263A1 (en) Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure
US20220285581A1 (en) Display device including reflective structure
US20230064207A1 (en) Hybrid element substrate and method of fabricating the same
US20230215979A1 (en) Micro light-emitting element, micro light-emitting element array including the micro light-emitting element, and display device including the micro light-emitting element array
US20220262784A1 (en) Hybrid element and method of fabricating the same
US20230109184A1 (en) Semiconductor light emitting device, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same
US20220189931A1 (en) Display transferring structure and display device including the same
US20220093824A1 (en) Light-emitting diode display device and manufacturing method thereof
US20230261163A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN115249756A (zh) 多次使用转移模具和制造显示装置的方法
KR20220117104A (ko) 하이브리드 전사 구조물 및 그 제조방법
CN114141800A (zh) 微型发光二极管显示装置及其制造方法
KR20220085692A (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조 방법
US20230128165A1 (en) Micro semiconductor chip transfer substrate and method of manufacturing display apparatus
EP3975271A1 (en) Micro light emitting device, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same
US20240162403A1 (en) Multifold micro emitting device, display apparatus having the same, method of manufacturing the multifold micro emitting device, and method of manufacturing the display apparatus
US20230106525A1 (en) Semiconductor device transfer structure, display apparatus, and method of manufacturing display apparatus
US20230402439A1 (en) Micro chip and display apparatus including the same
US20230133466A1 (en) Micro light emitting device and display apparatus including the same
KR20220007500A (ko) 마이크로 반도체 칩 습식 정렬 방법 및 디스플레이 전사 구조물
KR20220117114A (ko) 하이브리드 소자 및 그 제조방법
CN116344711A (zh) 颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法
KR20230082436A (ko) 마이크로 발광 반도체 소자, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20220147477A (ko) 다회용 전사 몰드 및 디스플레이 장치 제조 방법
CN115210884A (zh) 微型半导体芯片转移基板、显示转移结构、显示装置及制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination