CN115249756A - 多次使用转移模具和制造显示装置的方法 - Google Patents

多次使用转移模具和制造显示装置的方法 Download PDF

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CN115249756A CN202210219293.7A CN202210219293A CN115249756A CN 115249756 A CN115249756 A CN 115249756A CN 202210219293 A CN202210219293 A CN 202210219293A CN 115249756 A CN115249756 A CN 115249756A
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Abstract

提供了多次使用转移模具和制造显示装置的方法。该多次使用转移模具包括转移基板和提供在转移基板中的多个凹槽，其中每个凹槽包括用于容纳转移微发光器件的转移区域和用于容纳预备微发光器件的预备区域，其中预备区域连接到转移区域。

Description

多次使用转移模具和制造显示装置的方法
技术领域
本公开涉及用于将微发光器件转移到驱动基板上的多次使用转移模具(multi-use transfer mold)和制造显示装置的方法，该方法使用该多次使用转移模具。
背景技术
作为显示装置，液晶显示器、有机发光二极管(OLED)显示器等已经被广泛使用。近来，通过使用微发光器件来制造高分辨率显示装置的技术已经受到关注。
对于使用微发光器件的显示装置，需要各种技术，例如将微尺寸的发光二极管转移到显示装置的期望像素位置上的技术、修复方法、实现期望颜色的方法等。
发明内容
提供了多次使用转移模具，其被使用多次以将微发光器件转移到驱动基板上。
还提供了制造显示装置的方法，该方法包括通过使用多次使用转移模具来转移微发光器件。
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并将部分地自该描述明显，或者可以通过本公开的实施方式的实践而获知。
根据示例实施方式的一方面，提供了一种多次使用转移模具，其包括：转移基板，包括多个像素以及提供在所述多个像素的每个中的第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽包括配置为容纳转移微发光器件的第一转移区域以及连接到第一转移区域并配置为容纳预备微发光器件的第一预备区域，其中第一预备区域包括第一出口，预备微发光器件通过第一出口进入第一转移区域，其中第二凹槽包括配置为容纳转移微发光器件的第二转移区域以及连接到第二转移区域并配置为容纳预备微发光器件的第二预备区域，以及其中第二预备区域包括第二出口，预备微发光器件通过第二出口进入第二转移区域。
第一转移区域和第二转移区域可以彼此间隔开。
第一预备区域的至少一部分和第二预备区域的至少一部分可以彼此成一体。
第一预备区域的与第一转移区域相邻的部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向第一转移区域减小的宽度，第二预备区域的与第二转移区域相邻的部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向第二转移区域减小的宽度。
第一预备区域的与第一转移区域相邻的部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与第一转移区域的宽度相同的宽度，第二预备区域的与第二转移区域相邻的部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与第二转移区域的宽度相同的宽度。
第一预备区域的与第一转移区域相邻的第一部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与第一转移区域的宽度相同的宽度，第一预备区域的与第一预备区域的第一部分相邻的第二部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向第一预备区域的第一部分减小的宽度，第二预备区域的与第二转移区域相邻的第一部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与第二转移区域的宽度相同的宽度，第二预备区域的与第二预备区域的第一部分相邻的第二部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向第二预备区域的第一部分减小的宽度。
第一转移区域和第二转移区域中的每个可以具有比转移微发光器件的宽度大且比转移微发光器件的宽度的两倍小的宽度。
所述多个像素中的每个可以包括多个子像素，第一转移区域和第二转移区域中的每个可以具有与所述多个子像素的相应子像素中包括的转移微发光器件的数量对应的尺寸。
第一预备区域可以具有等于或大于第一转移区域的宽度的宽度，第二预备区域可以具有等于或大于第二转移区域的宽度的宽度。
根据示例实施方式的一方面，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：制备包括多个像素的转移基板，所述多个像素中的每个包括凹槽，该凹槽包括转移区域和预备区域；将微发光器件供应到所述多个像素中的每个像素的凹槽；将转移微发光器件对准在转移区域上并将预备微发光器件对准在预备区域上；将转移微发光器件接合转移到第一驱动基板的像素，第一驱动基板的该像素对应于转移微发光器件；将预备微发光器件移动到转移区域，该转移区域在转移微发光器件被接合转移到第一驱动基板的像素之后是空的；以及将移动到转移区域的预备微发光器件接合转移到第二驱动基板的像素，第二驱动基板的该像素对应于移动到转移区域的预备微发光器件。
所述多个像素中的每个可以包括多个子像素，所述多个像素中的每个像素的凹槽可以包括第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽被包括在所述多个子像素的相应子像素中，第一凹槽可以包括配置为容纳转移微发光器件的第一转移区域以及连接到第一转移区域并配置为容纳预备微发光器件的第一预备区域，第一预备区域可以包括第一出口，预备微发光器件通过第一出口进入第一转移区域，第二凹槽可以包括配置为容纳转移微发光器件的第二转移区域以及连接到第二转移区域并配置为容纳预备微发光器件的第二预备区域，第二预备区域可以包括第二出口，预备微发光器件通过第二出口进入第二转移区域。
第一转移区域和第二转移区域可以彼此间隔开。
第一预备区域的至少一部分和第二预备区域的至少一部分可以彼此成一体。
预备区域的与转移区域相邻的部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向转移区域减小的宽度。
预备区域的与转移区域相邻的部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与转移区域的宽度相同的宽度。
预备区域的与转移区域相邻的第一部分可以具有笔直形结构，该笔直形结构具有与转移区域的宽度相同的宽度，预备区域的与预备区域的第一部分相邻的第二部分可以具有锥形结构，该锥形结构具有朝向预备区域的第一部分减小的宽度。
转移区域可以具有比转移微发光器件的宽度大且比转移微发光器件的宽度的两倍小的宽度。
所述多个像素中的每个可以包括多个子像素，转移区域可以具有与所述多个子像素的相应子像素中包括的转移微发光器件的数量对应的尺寸。
附图说明
本公开的某些示例实施方式的以上和其它的方面、特征和优点将由以下结合附图的描述更加明显，附图中：
图1示意性示出了根据示例实施方式的多次使用转移模具；
图2示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具；
图3示出了图2所示的多次使用转移模具的放大像素结构；
图4示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具；
图5示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具；
图6示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具；
图7至图10示出了图6所示的多次使用转移模具的修改示例；
图11至图17是用于描述根据示例实施方式的制造显示装置的方法的图，该方法使用多次使用转移模具；
图18是根据示例实施方式的电子装置的示意性框图；
图19示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于移动装置的示例；
图20示出了将根据实施方式的显示装置应用于车辆显示装置的示例；
图21示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于增强现实(AR)眼镜或虚拟现实(VR)眼镜的示例；
图22示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于标牌的示例；以及
图23示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述了实施方式以说明方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列举项目的任何和所有组合。当在一列元素之后时，诸如“中的至少一个”的表述修饰整列元素，而不修饰该列中的个别元素。
在下文中，将参照附图详细描述根据各种实施方式的多次使用转移模具和制造显示装置的方法。在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，并且为了清楚和说明的方便，元件的尺寸可以被夸大。尽管术语第一、第二等可以在这里用于描述各种元件，但是这些术语不限制这些部件。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
如这里所使用的，单数术语“一”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地另行指示。还将理解，当一部分“包括”或“包含”一元件时，除非另外限定，否则该部分还可以包括其它元件，而不排除其它元件。为了清楚和说明的方便，附图中的每个元件的尺寸可以被夸大。此外，当某一材料层被描述为在基板或另一层上时，该材料层可以通过直接接触该基板或该另一层而在该基板或该另一层上，或者第三层可以布置在该材料层与该基板或该另一层之间。此外，下面将描述的实施方式中的每个层中包括的材料仅是示例，其它材料也可以被使用。
此外，说明书中使用的诸如“……单元”、“模块”等的术语指示处理至少一种功能或运动的单元，并且该单元可以通过硬件或软件或者通过硬件和软件的组合来实现。
在实施方式中描述的特定执行是示例，并且不以任何方式限制技术范围。为了简洁起见，可以不描述常规的电子器件、控制系统、软件开发和系统的其它功能方面。此外，在呈现的各种附图中示出的连接线或连接器旨在表示各种元件之间的示例功能关系和/或物理或逻辑联接。应注意，在实际器件中可以存在许多替代的或附加的功能关系、物理连接或逻辑连接。
术语“该”和其它等同限定词可以对应于单数指代物或复数指代物。
除非方法中包括的操作的顺序被具体描述或者存在相反的描述，否则操作可以根据适当的顺序来执行。所有示例术语(例如，等)的使用仅用于详细描述本公开，并且本公开不限于示例和示例术语。
图1是根据示例实施方式的多次使用转移模具的平面图。
多次使用转移模具100可以包括多个像素PX，每个像素PX可以包括多个子像素。图1示出了一个像素PX。所述多个子像素可以包括例如第一子像素SP1和第二子像素SP2。
多次使用转移模具100可以包括转移基板110、提供在转移基板110中的第一凹槽120和第二凹槽130。第一凹槽120和第二凹槽130中的每个可以包括用于容纳微发光器件140的区域。微发光器件140可以包括将要被转移到下面将描述的显示装置的驱动基板上的转移微发光器件141以及等待被转移到驱动基板上的预备微发光器件142。
第一凹槽120包括用于容纳转移微发光器件141的第一转移区域122(例如，端部)以及连接到第一转移区域122并被提供用于容纳预备微发光器件142的第一预备区域125。第一预备区域125可以具有出口124(例如，第一出口)，该出口124被配置为使得预备微发光器件142可以通过出口124进入第一转移区域122。第一转移区域122可以具有用于容纳至少一个转移微发光器件141的尺寸，图1示出了第一转移区域122具有用于容纳一个转移微发光器件141的尺寸的示例。
为了容纳一个转移微发光器件141，第一转移区域122可以具有大于或等于转移微发光器件141的宽度w1且小于转移微发光器件141的宽度w1的两倍的宽度w2。转移微发光器件141的宽度w1可以指示转移微发光器件141的最大截面宽度。图1示出了转移微发光器件141具有圆形截面的示例，在这种情况下，宽度w1可以指示圆形截面的直径。第一预备区域125的宽度w3可以等于或大于第一转移区域122的宽度w2。第一转移区域122的宽度w2和第一预备区域125的宽度w3可以在与从第一转移区域122到第一预备区域125的方向(Y方向)垂直的方向(例如，图1中的X方向)上测量。根据第一预备区域125的形状，第一预备区域125的宽度w3可以不是恒定的。只要第一预备区域125的一部分(第一转移区域122和第一预备区域125在该部分处彼此相遇)(即出口124)具有允许预备微发光器件142通过的尺寸，第一预备区域125的尺寸和形状就不受限制。例如，第一预备区域125可以具有拥有恒定宽度的笔直凹槽形状，使得预备微发光器件142可以按顺序排列。
第一转移区域122可以提供在第一凹槽120的一端处。尽管将在下面描述，但是可以提及的是，因为预备微发光器件142可以被推动到第一转移区域122，所以期望第一转移区域122提供在第一凹槽120的一端处。
第二凹槽130可以包括用于容纳转移微发光器件141的第二转移区域132以及连接到第二转移区域132的第二预备区域135。第二预备区域135可以具有出口134(例如，第二出口)，该出口134被配置为允许预备微发光器件142进入第二转移区域132。第二转移区域132和第二预备区域135可以具有与上述第一转移区域122和第一预备区域125的配置基本上相同的配置，因此，对第二转移区域132和第二预备区域135的详细描述被省略。
下面描述使用多次使用转移模具100的方法。微发光器件140可以被转移到第一凹槽120和第二凹槽130。可以使用拾取放置方法、冲压方法、流体自组装方法等作为转移方法。通过转移，转移微发光器件141可以布置在第一转移区域122和第二转移区域132中，预备微发光器件142可以布置在第一预备区域125和第二预备区域135中。当布置在第一转移区域122和第二转移区域132中的转移微发光器件141被转移到下面将描述的驱动基板上时，第一转移区域122和第二转移区域132可以变空。预备微发光器件142可以移动到已经变空的第一转移区域122和第二转移区域132，然后，预备微发光器件142可以被转移到另一驱动基板上。通过重复地使用此方法，直到耗尽预备微发光器件142，可以多次转移微发光器件140到不同的驱动基板上。
图2是根据另一示例实施方式的多次使用转移模具200的平面图。
多次使用转移模具200可以包括多个像素PX，多个像素PX中的每个可以包括多个子像素SP。像素PX可以指示按其重复排列部件的单元，或者可以是用于显示图像的单元。尽管图像未必显示在多次使用转移模具200上，但是多次使用转移模具200的像素PX和子像素SP将在这里用作与通过使用多次使用转移模具200制造的显示装置的像素和子像素对应的概念。例如，多个像素PX中的每个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
图3示出了多次使用转移模具200的一个像素。
多次使用转移模具200可以包括转移基板210、提供在第一子像素SP1中的第一凹槽220、提供在第二子像素SP2中的第二凹槽230和提供在第三子像素SP3中的第三凹槽240，其中第一子像素SP1至第三子像素SP3布置在转移基板210中。
第一凹槽220可以包括用于容纳转移微发光器件241的第一转移区域222以及连接到第一转移区域222并具有出口224的第一预备区域225，预备微发光器件242可以通过该出口224。第一转移区域222可以具有用于容纳至少一个转移微发光器件241的面积。第一转移区域222的尺寸可以根据将要被转移到下面将描述的驱动基板上的微发光器件的数量而改变。即，第一转移区域222的尺寸可以根据将要布置在显示装置的一个子像素中的微发光器件的数量而改变。图3示出了第一转移区域222可以具有用于容纳一个转移微发光器件241的面积的示例。第一转移区域222可以提供在第一凹槽220的一端处，并且只要第一转移区域222被配置为使得除了转移微发光器件241以外，非预期的预备微发光器件不会进入第一转移区域222，第一转移区域222的形状和尺寸就可以被各种各样地配置。第一转移区域222可以包括与转移微发光器件241的圆形形状对应的弯曲表面222a。
第一预备区域225可以是在等待第一转移区域222变空的同时预备微发光器件242可容纳在其中的区域。第一预备区域225可以被配置为具有用于容纳尽可能多的预备微发光器件242的面积。第一预备区域225可以具有比第一转移区域222的宽度大的宽度，其中第一预备区域225的宽度可以随着到第一转移区域222的距离增大而增大。
第二凹槽230可以包括用于容纳转移微发光器件251的第二转移区域232以及连接到第二转移区域232并具有出口234的第二预备区域235，该出口234被配置为允许预备微发光器件252通过。第三凹槽240可以包括用于容纳转移微发光器件261的第三转移区域262以及连接到第三转移区域262并具有出口265的第三预备区域263，预备微发光器件264可以通过该出口265。第二转移区域232和第三转移区域262可以具有与上述第一转移区域222基本上相同的配置和功能，第二预备区域235和第三预备区域263可以具有与上述第一预备区域225基本上相同的配置和功能。因此，省略对第二转移区域232、第三转移区域262、第二预备区域235和第三预备区域263的详细描述。
图4示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具300。
多次使用转移模具300可以包括转移基板310以及提供在转移基板310中的多个凹槽320、330和340。凹槽320可以包括用于容纳转移微发光器件341的转移区域322以及连接到转移区域322并具有出口324的预备区域325，该出口324被配置为允许预备微发光器件342通过。转移区域322可以具有用于容纳至少一个转移微发光器件341的尺寸，图4示出了转移区域322可以具有用于容纳两个转移微发光器件341的尺寸的示例。转移区域322可以被配置为使得两个转移微发光器件341可以在转移区域322中在图4的X方向上排列。或者，转移区域322可以被配置为使得两个转移微发光器件341可以在转移区域322中在图4的Y方向上排列。
预备区域325可以具有比转移区域322的宽度大的宽度，预备区域325可以从转移区域322延伸为阶梯形状。或者，预备区域325可以从转移区域322延伸为锥形形状。或者，预备区域325可以从转移区域322延伸为笔直形状。
图5是根据另一示例实施方式的多次使用转移模具400的平面图。
多次使用转移模具400可以包括多个像素PX，多个像素PX中的每个可以具有2×2子像素排列结构。像素PX可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4，多次使用转移模具400可以应用于具有包括绿色、蓝色、红色和绿色的所谓拜耳图案的像素排列结构。
多次使用转移模具400可以包括转移基板410和提供在转移基板410中的多个凹槽420，其中多个凹槽420中的每个可以包括用于容纳转移微发光器件441的转移区域422和用于容纳预备微发光器件442的预备区域425。多个凹槽420中的每个可以对应于相应子像素。
图6示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具500。
多次使用转移模具500可以包括多个像素PX，每个像素PX可以包括多个子像素。多个像素PX中的每个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。多次使用转移模具500可以包括转移基板510、提供在第一子像素SP1中的第一凹槽520、提供在第二子像素SP2中的第二凹槽530和提供在第三子像素SP3中的第三凹槽540，其中第一子像素SP1至第三子像素SP3布置在转移基板510中。
第一凹槽520至第三凹槽540中的每个可以包括用于容纳转移微发光器件541的转移区域522和用于容纳预备微发光器件542并具有出口524的预备区域525。第一凹槽520的转移区域522、第二凹槽530的转移区域522和第三凹槽540的转移区域522可以彼此隔开。预备区域525的一部分(该部分与转移区域522相邻)可以具有锥形结构527，该锥形结构527具有朝向转移区域522减小的宽度。锥形结构527可以帮助将预备微发光器件542高效地移动到转移区域522。
根据示例实施方式，预备区域525的一体结构可以形成为使得第一凹槽520至第三凹槽540的每个预备区域525的至少一部分彼此连接。当第一凹槽520至第三凹槽540的每个预备区域525的整体或部分是一体的时，可以相对更宽地获得用于容纳预备微发光器件542的空间，因此，可以增加使用多次使用转移模具500的次数。只要第一凹槽520至第三凹槽540中的每个的转移区域522彼此隔开，第一凹槽520至第三凹槽540中的每个的预备区域525就可以具有关于形状、结构、它们是一体形成还是分开形成等的各种配置。
在多次使用转移模具500中，第一子像素SP1的预备区域525和第三子像素SP3的预备区域525可以具有比第二子像素SP2的预备区域525的面积大的面积。例如，在第一子像素SP1和第三子像素SP3中，预备区域525的锥形结构527可以是非对称的。
图7示出了根据另一示例实施方式的多次使用转移模具500A。除了锥形结构527a以外，多次使用转移模具500A可以具有与图6的多次使用转移模具500的配置基本上相同的配置。附图标记545指示微发光器件的电极。第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的预备区域525可以具有彼此相同的形状，第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每个的锥形结构527a可以是对称的。图8示出了图7所示的多次使用转移模具500A的像素阵列结构，并指示这样的状态：转移微发光器件541和预备微发光器件542被转移在第一子像素SP1至第三子像素SP3的第一凹槽520至第三凹槽540中。
图9示出了图6所示的多次使用转移模具500的修改示例。在图9中，通过使用与图6的部件相同的附图标记而指示的部件可以具有与图6的这些部件基本上相同的结构和功能，因此，其详细描述在这里被省略。
多次使用转移模具500B可以在第一子像素SP1至第三子像素SP3的每个中包括转移区域522和预备区域526。预备区域526的一部分(该部分与转移区域522相邻)可以具有笔直形结构526a，该笔直形结构526a具有与转移区域522的宽度相同的宽度，预备区域526的一部分(该部分与预备区域526的笔直形结构526a相邻)可以具有锥形结构526b，该锥形结构526b具有朝向笔直形结构526a减小的宽度。描述了预备区域526可以具有笔直形结构526a和锥形结构526b。然而，根据需要，预备区域526可以具有锥形结构526b，并且转移区域522可以具有用于容纳三个转移微发光器件541的笔直形结构。
图10示出了图9所示的多次使用转移模具500B的修改示例。
除了其中第一子像素SP1和第三子像素SP3中的每个的转移区域522和预备区域529可以在相应侧具有直线529a的结构以外，多次使用转移模具500C可以具有与图9的多次使用转移模具500B的配置相同的配置。
如上所述，根据实施方式的多次使用转移模具可以具有各种结构、形状和尺寸，只要对于每个子像素单元单独形成用于在每个子像素中容纳转移微发光器件的转移区域。因为可以通过使用多次使用转移模具而多次转移微发光器件到不同的驱动基板上，所以可以降低制造成本并且可以提高产率。
参照图11至图17，将描述根据示例实施方式的制造显示装置的方法。
参照图11，可以制备包括转移基板610和提供在转移基板610中的凹槽620的多次使用转移模具600。对于多次使用转移模具600，可以应用参照图1至图10描述的各种实施方式。可以将微发光器件630供应在转移基板610的凹槽620中。转移基板610可以包括多个凹槽620，每个凹槽620可以包括转移区域621和预备区域622。可以通过使用转移方法将微发光器件630布置在转移基板610上。微发光器件630可以包括布置在转移区域621中的转移微发光器件631和布置在预备区域622中的预备微发光器件632。微发光器件630可以每个包括依次堆叠的第一半导体层6301、发射层6302和第二半导体层6303。例如，第一半导体层6301可以包括n型半导体。第一半导体层6301可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。第一半导体层6301可以具有单层或多层结构。
发射层6302可以提供在第一半导体层6301的上表面上。发射层6302可以经由电子和空穴的结合而发光。发射层6302可以具有多量子阱(MQW)结构或单量子阱(SQW)结构。发射层6302可以包括基于III-V族的半导体，例如GaN。
第二半导体层6303可以布置在发射层6302的上表面上。第二半导体层6303可以包括例如p型半导体。第二半导体层6303可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。第二半导体层6303可以具有单层或多层结构。或者，当第一半导体层6301包括p型半导体时，第二半导体层6303可以包括n型半导体。微发光器件630可以具有水平电极结构，电极640可以提供在第二半导体层6303上。微发光器件630可以具有例如等于或小于200μm的宽度。此外，凹槽620的深度可以小于微发光器件630的厚度，使得微发光器件630的电极640可以从凹槽620向外突出。
可以使用拾取放置方法、冲压方法、流体自组装方法等作为转移方法。
参照图12，描述通过使用流体自组装方法将微发光器件630转移到图11的转移基板610上的方法。为了将微发光器件630转移到凹槽620，可以将液体供应到凹槽620(S101)。液体可以包括不腐蚀或损坏微发光器件630的任何类型的液体。液体可以包括例如由水、乙醇、醇(alcohol)、多元醇、酮、卤代烃、丙酮、助熔剂和有机溶剂构成的组中的一种或组合。有机溶剂可以包括例如异丙醇(IPA)。可用的液体不限于此，并且可以被各种各样地修改。
将液体供应到多个凹槽620的方法可以包括各种方法。例如，可以使用喷洒、分配、喷墨点散布、使液体溢出到转移基板610上的方法等。可以各种各样地调节液体的供应量。例如，液体的量可以被提供为正好填充多个凹槽620或被提供为溢出凹槽620。
可以将多个微发光器件630供应到转移基板610上(S102)。微发光器件630可以被直接撒在转移基板610上而无需其它液体，或者可以通过被包括在悬浮液中而被供应到转移基板610上。供应包括在悬浮液中的微发光器件630的方法可以包括各种方法。例如，可以使用喷洒、滴下液体的分配、像印刷方法一样排出液体的喷墨点散布、使悬浮液溢出到转移基板610上的方法等。此外，转移基板610可以由能够吸收液体的吸收体扫描(S103)。吸收体可以包括能够吸收液体的任何类型的材料，吸收体的形状或结构不受特别限制。吸收体可以包括例如织物、薄纸、聚酯纤维、纸、擦拭物等。
通过经由向转移基板610施加适当的压力对转移基板610加压，吸收体可以扫描转移基板610。扫描可以包括吸收体与转移基板610接触地经过凹槽620来吸收液体。扫描可以基于包括例如以下的各种方法来执行：吸收体的滑动、旋转、平移、往复运动、滚动、自旋和/或摩擦。这里，方法可以包括规则运动和不规则运动两者。扫描可以通过移动转移基板610而非吸收体来执行。转移基板610的扫描也可以基于转移基板610的滑动、旋转、平移、往复运动、滚动、自旋、摩擦等来执行。然而，扫描也可以基于吸收体和转移基板610的协同运动来执行。基于上述方法，可以通过使用流体自组装方法将微发光器件630对准在转移基板610的凹槽620中(S104)。
当微发光器件630对准在凹槽620中时，微发光器件630可以被布置为使得微发光器件630的电极640处于向上的方向。微发光器件630的电极640可以布置在向上的方向上，并且微发光器件630可以具有平坦的下表面，因此，微发光器件630的上部和下部之间的粗糙度可以不同，从而导致表面能的差异。因此，当液体吸收体在吸收液体的同时扫描转移基板610时，微发光器件630的上部位置和下部位置可以受引导。根据在液体吸收体扫描期间的液体流动，微发光器件630的一表面(该表面具有相对较大的粗糙度)可以布置在向上的方向上，微发光器件630的一表面(该表面具有相对较小的粗糙度)可以布置在向下的方向上。
通过将微发光器件630移动到凹槽620，转移微发光器件631可以对准在转移区域621中，预备微发光器件632可以对准在预备区域622中。
参照图13，可以提供第一驱动基板650。第一驱动基板650可以包括配置为驱动微发光器件630的驱动器件652。驱动器件652可以包括晶体管、电容器等，电连接到驱动器件652的电极焊盘651可以提供在第一驱动基板650的表面上。电极焊盘651可以从第一驱动基板650的该表面突出，第一驱动基板650可以包括对准标记655。
参照图14，第一驱动基板650可以被布置为面对转移基板610，电极焊盘651可以被对准为与转移微发光器件631的对应于电极焊盘651的电极640相遇。第一驱动基板650可以基于对准标记655来布置，以将电极焊盘651匹配到对应于电极焊盘651的电极640。
参照图15，可以将电极640和对应于电极640的电极焊盘651彼此接合，可以移动第一驱动基板650以执行转移微发光器件631到第一驱动基板650的像素区域的接合转移，该像素区域对应于转移微发光器件631。当转移微发光器件631被接合转移到第一驱动基板650时，凹槽620的转移区域621可以变成空的空间。
参照图16，通过在转移区域621已经变空之后将第一个预备微发光器件632移动到转移基板610的转移区域621，第一个预备微发光器件成为布置在转移区域621中的另一转移微发光器件631。当预备微发光器件632移动到转移区域621时，剩余的预备微发光器件632可以总体地移位，并且一个预备微发光器件632可以移动到转移区域621。
参照图17，可以提供第二驱动基板660。第二驱动基板660可以包括配置为驱动微发光器件630的驱动器件662。电连接到驱动器件662的电极焊盘661可以提供在第二驱动基板660的表面上，第二驱动基板660可以包括对准标记655。
第二驱动基板660可以被布置为面对转移基板610，电极焊盘661可以被对准为与转移微发光器件631的对应于电极焊盘661的电极640相遇。可以将电极640和对应于电极640的电极焊盘661彼此接合，可以移动第二驱动基板660以执行转移微发光器件631到第二驱动基板660的像素区域的接合转移，该像素区域对应于转移微发光器件631。通过使用此方法，可以将微发光器件630转移到多个驱动基板上，直到完全耗尽留在凹槽620中的预备微发光器件632。
按照根据示例实施方式的制造显示装置的方法，可以通过多次地使用多次使用转移模具600来制造多个显示装置。因为多次使用转移模具600可以被使用多次，所以可以减少转移时间和成本。此外，微发光器件630可以被容易地推入到多次使用转移模具600的转移区域621中，因此，可以降低转移区域621中的转移微发光器件631遗漏的可能性。因此，可以减少显示装置中的像素错误率和修复工艺。
图18是根据示例实施方式的包括显示装置的电子装置8201的框图。
参照图18，电子装置8201可以提供在网络环境8200中。在网络环境8200中，电子装置8201可以通过第一网络8298(短距离无线通信网络等)与另一电子装置8202通信或通过第二网络8299(远距离无线通信网络等)与另一电子装置8204和/或服务器8208通信。电子装置8201可以通过服务器8208与电子装置8204通信。电子装置8201可以包括处理器8220、存储器8230、输入装置8250、声音输出装置8255、显示装置8260、音频模块8270、传感器模块8276、接口8277、触觉模块8279、相机模块8280、电力管理模块8288、电池8289、通信模块8290、用户识别模块8296和/或天线模块8297。电子装置8201可以省略所述部件中的一个或更多个，或者还可以包括其它部件。所述部件中的一个或更多个可以被实现为集成电路。例如，传感器模块8276(指纹传感器、虹膜传感器、照度传感器等)可以被嵌入显示装置8260(显示器等)中。
处理器8220可以被配置为运行软件(程序8240等)来控制电子装置8201的一个或更多个部件(硬件或软件部件)(所述部件连接到处理器8220)，并被配置为执行各种数据处理或计算。作为数据处理或计算的部分，处理器8220可以被配置为将从其它部件(传感器模块8276、通信模块8290等)接收到的命令和/或数据加载到易失性存储器8232中，处理存储在易失性存储器8232中的命令和/或数据，并将结果数据存储在非易失性存储器8234中。非易失性存储器8234可以包括嵌入式存储器8236和外部存储器8238。处理器8220可以包括主处理器8221(中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等)和辅助处理器8223(图形处理单元(GPU)、图像信号处理器、传感器中枢处理器、通信处理器等)，该辅助处理器8223可以独立地操作或与主处理器8221一起操作。辅助处理器8223可以比主处理器8221耗电少并且可以执行专门的功能。
当主处理器8221处于未激活状态(睡眠状态)时，辅助处理器8223可以负责控制与电子装置8201的部件当中的一个或更多个部件(显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能和/或状态的操作，或者当主处理器8221处于激活状态(应用运行状态)时，辅助处理器8223可以与主处理器8221一起执行所述操作。辅助处理器8223(图像信号处理器、通信处理器等)可以被实现为其它功能相关部件(相机模块8280、通信模块8290等)的部分。
存储器8230可以存储电子装置8201的部件(处理器8220、传感器模块8276等)所需的各种数据。数据可以包括例如软件(程序8240等)、与软件相关的命令的输入数据和/或输出数据。存储器8230可以包括易失性存储器8232和/或非易失性存储器8234。
程序8240可以作为软件存储在存储器8230中，并且可以包括操作系统8242、中间件8244和/或应用8246。
输入装置8250可以从电子装置8201的外部接收将由电子装置8201的部件(处理器8220等)使用的命令和/或数据。输入装置8250可以包括遥控器、麦克风、鼠标、键盘和/或数字笔(手写笔等)。
声音输出装置8255可以向电子装置8201的外部输出声音信号。声音输出装置8255可以包括扬声器和/或接收器。扬声器可以用于通用目的，诸如多媒体播放或录音播放，接收器可以用于接收呼入呼叫。接收器可以作为扬声器的部分联接到扬声器，或者可以被实现为单独的器件。
显示装置8260可以向电子装置8201的外部视觉地提供信息。显示装置8260可以包括显示器、全息装置或用于控制投影仪和对应装置的控制电路。显示装置8260可以包括使用参照图1至图10描述的多次使用转移模具制造的显示装置，并且可以通过使用参照图11至图17描述的制造显示装置的方法来制造。显示装置8260可以包括配置为感测触摸操作的触摸电路和/或配置为测量由触摸操作产生的力的强度的传感器电路(压力传感器等)。
音频模块8270可以将声音转换为电信号或将电信号转换为声音。音频模块8270可以经由输入装置8250获得声音，或者可以经由声音输出装置8255和/或直接或无线地连接到电子装置8201的电子装置(电子装置8202等)的扬声器和/或耳机输出声音。
传感器模块8276可以感测电子装置8201的操作状态(功率、温度等)或外部环境状态(用户状态等)并产生与感测到的状态对应的电信号和/或数据值。传感器模块8276可以包括手势传感器、陀螺仪传感器、大气传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器和/或照度传感器。
接口8277可以支持用来使电子装置8201直接或无线地连接到另一电子装置(电子装置8202等)的一个或更多个指定协议。接口8277可以包括高清晰度多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、SD卡接口和/或音频接口。
连接端8278可以包括连接器，电子装置8201可以通过该连接器物理连接到另一电子装置(电子装置8202等)。连接端8278可以包括HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器和/或音频连接器(耳机连接器等)。
触觉模块8279可以将电信号转换为可被用户经由触觉或动觉识别的机械刺激(振动、运动等)或电刺激。触觉模块8279可以包括电机、压电器件和/或电刺激器件。
相机模块8280可以捕获静止图像和视频。相机模块8280可以包括透镜组件(其包括一个或更多个透镜)、图像传感器、图像信号处理器和/或闪光灯。相机模块8280中包括的透镜组件可以收集从对象发射的光，该对象的图像将被捕获。
电力管理模块8288可以管理供应到电子装置8201的电力。电力管理模块8288可以被实现为电力管理集成电路(PMIC)的部分。
电池8289可以向电子装置8201的部件供电。电池8289可以包括不可再充电的一次电池、可再充电的二次电池和/或燃料电池。
通信模块8290可以支持在电子装置8201和其它电子装置(电子装置8202、电子装置8204、服务器8208等)之间建立直接(有线)通信信道和/或无线通信信道并通过所建立的通信信道进行通信。通信模块8290可以包括与处理器8220(应用处理器等)分开操作的一个或更多个通信处理器并支持直接通信和/或无线通信。通信模块8290可以包括无线通信模块8292(蜂窝通信模块、短距离无线通信模块、全球导航卫星系统(GNSS)通信模块)和/或有线通信模块8294(局域网(LAN)通信模块、电力线通信模块等)。这些通信模块中的相应通信模块可以通过第一网络8298(短距离无线通信网络，诸如蓝牙、WiFi直连或红外数据协会(IrDa))或第二网络8299(远距离通信网络，诸如蜂窝网络、互联网或计算机网络(LAN、WAN等))与其它电子装置通信。上述各种类型的通信模块可以被集成为单个部件(单个芯片等)或被实现为多个部件(多个芯片)。无线通信模块8292可以通过使用存储在用户识别模块8296中的用户信息(国际移动用户识别码(IMSI)等)识别并验证第一网络8298和/或第二网络8299内的电子装置8201。
天线模块8297可以向外部(其它电子装置等)发送信号和/或电力或者从外部接收信号和/或电力。天线可以包括发射器，该发射器包括形成在基板(印刷电路板(PCB)等)上的导电图案。天线模块8297可以包括一个天线或多个天线。当天线模块8297包括多个天线时，可以选择适合于在通信网络(诸如第一网络8298和/或第二网络8299)中使用的通信方法的适当天线。通过所选择的天线，信号和/或电力可以在通信模块8290和其它电子装置之间发送或接收。除了天线之外，另外的部件(射频集成电路(RFIC)等)也可以被包括在天线模块8297中。
通过在外围设备之间执行的通信方法(总线、通用输入输出(GPIO)、串行外围接口(SPI)、移动工业处理器接口(MIPI)等)，电子装置8201的部件中的一个或更多个可以彼此连接并彼此交换信号(命令、数据等)。
命令或数据可以通过连接到第二网络8299的服务器8208在电子装置8201和另一外部电子装置8204之间发送或接收。其它电子装置8202和8204可以是相对于电子装置8201同类型或异类型的电子装置。在电子装置8201中执行的全部或部分操作可以由其它电子装置8202、8204和8208中的一个或更多个来执行。例如，当电子装置8201必须执行功能或服务时，可以请求所述一个或更多个其它电子装置执行该功能或服务的部分或全部，而不是直接执行该功能或服务。接收到该请求的所述一个或更多个其它电子装置可以执行与该请求相关的附加功能或服务并且可以向电子装置8201发送执行结果。为此，可以使用云计算技术、分布式计算技术和/或客户机-服务器计算技术。
图19示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于移动装置9100的示例。移动装置9100可以包括显示装置9110，显示装置9110可以包括通过使用参照图11至图17描述的制造显示装置的方法而制造的显示装置。显示装置9110可以具有可折叠结构，例如可多重折叠的结构。
图20示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于车辆的示例。显示装置可以对应于车辆平视显示装置9200，并且可以包括提供在车辆的一区域中的显示器9210以及配置为转换光路以使驾驶员观看由显示器9210生成的图像的光路改变构件9220。
图21示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于增强现实(AR)眼镜或虚拟现实(VR)眼镜9300的示例。AR或VR眼镜9300可以包括配置为形成图像的投影系统9310和配置为将图像从投影系统9310引导到用户眼睛的部件9320。投影系统9310可以包括通过使用参照图11至图17描述的制造显示装置的方法而制造的显示装置。
图22示出了将根据示例实施方式的显示装置应用于大型标牌9400的示例。标牌9400可以用于使用数字信息显示器的户外广告，并且可以通过通信网络来控制广告内容。标牌9400可以例如通过参照图18描述的电子装置来实现。
图23是将根据示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例的图。可穿戴显示器9500可以包括通过使用参照图11至图17描述的制造显示装置的方法而制造的显示装置，或者可以通过参照图18描述的电子装置8201来实现。
根据示例实施方式的显示装置可以应用于其它各种产品，诸如可卷曲电视(TV)、可伸展显示器等。
上述实施方式仅是示例。本领域普通技术人员可以理解，基于这些实施方式，各种修改和等同实施方式是可能的。因此，根据实施方式的真正的技术保护范围应由所附权利要求中陈述的本公开的技术构思来限定。
根据示例实施方式的多次使用转移模具可以将微发光器件高效地转移到驱动基板上并且可以被使用多次。多次使用转移模具可以包括多个凹槽，每个凹槽可以包括用于容纳将要被转移到驱动基板上的微发光器件的转移区域以及用于容纳等待被转移到驱动基板上的微发光器件的预备区域。因此，转移模具可以被使用多次，并且可以提高产率。
按照根据示例实施方式的制造显示装置的方法，可以通过使用多次使用转移模具来将微发光器件高效地转移到驱动基板上，并且该多次使用转移模具可以被使用多次以制造显示装置。
应理解，这里描述的实施方式应仅被认为是描述性的而不是出于限制的目的。对每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
本申请基于2021年4月27日在美国专利商标局提交的第63/180,295号美国临时专利申请和2021年6月24日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0082328号韩国专利申请并要求它们的优先权，它们的公开内容通过引用整体地合并于此。

Claims (18)

1.一种多次使用转移模具，包括：
转移基板，包括多个像素以及提供在所述多个像素的每个中的第一凹槽和第二凹槽，
其中所述第一凹槽包括配置为容纳转移微发光器件的第一转移区域以及连接到所述第一转移区域并配置为容纳预备微发光器件的第一预备区域，
其中所述第一预备区域包括第一出口，所述预备微发光器件通过所述第一出口进入所述第一转移区域，
其中所述第二凹槽包括配置为容纳所述转移微发光器件的第二转移区域以及连接到所述第二转移区域并配置为容纳所述预备微发光器件的第二预备区域，以及
其中所述第二预备区域包括第二出口，所述预备微发光器件通过所述第二出口进入所述第二转移区域。
2.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一转移区域和所述第二转移区域彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一预备区域的至少一部分和所述第二预备区域的至少一部分彼此成一体。
4.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一预备区域的与所述第一转移区域相邻的部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述第一转移区域减小的宽度，以及
其中所述第二预备区域的与所述第二转移区域相邻的部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述第二转移区域减小的宽度。
5.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一预备区域的与所述第一转移区域相邻的部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述第一转移区域的宽度相同的宽度，以及
其中所述第二预备区域的与所述第二转移区域相邻的部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述第二转移区域的宽度相同的宽度。
6.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一预备区域的与所述第一转移区域相邻的第一部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述第一转移区域的宽度相同的宽度，
其中所述第一预备区域的与所述第一预备区域的所述第一部分相邻的第二部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述第一预备区域的所述第一部分减小的宽度，
其中所述第二预备区域的与所述第二转移区域相邻的第一部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述第二转移区域的宽度相同的宽度，以及
其中所述第二预备区域的与所述第二预备区域的所述第一部分相邻的第二部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述第二预备区域的所述第一部分减小的宽度。
7.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一转移区域和所述第二转移区域中的每个具有比所述转移微发光器件的宽度大且比所述转移微发光器件的所述宽度的两倍小的宽度。
8.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述多个像素中的每个包括多个子像素，以及
其中所述第一转移区域和所述第二转移区域中的每个具有与所述多个子像素的相应子像素中包括的转移微发光器件的数量对应的尺寸。
9.根据权利要求1所述的多次使用转移模具，其中所述第一预备区域具有等于或大于所述第一转移区域的宽度的宽度，以及
其中所述第二预备区域具有等于或大于所述第二转移区域的宽度的宽度。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备包括多个像素的转移基板，所述多个像素中的每个包括凹槽，所述凹槽包括转移区域和预备区域；
将微发光器件供应到所述多个像素中的每个像素的所述凹槽；
将转移微发光器件对准在所述转移区域上并将预备微发光器件对准在所述预备区域上；
将所述转移微发光器件接合转移到第一驱动基板的像素，所述第一驱动基板的所述像素对应于所述转移微发光器件；
将所述预备微发光器件移动到所述转移区域，所述转移区域在所述转移微发光器件被接合转移到所述第一驱动基板的所述像素之后是空的；以及
将移动到所述转移区域的所述预备微发光器件接合转移到第二驱动基板的像素，所述第二驱动基板的所述像素对应于移动到所述转移区域的所述预备微发光器件。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个像素中的每个包括多个子像素，
其中所述多个像素中的每个像素的所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽被包括在所述多个子像素的相应子像素中，
其中所述第一凹槽包括配置为容纳所述转移微发光器件的第一转移区域以及连接到所述第一转移区域并配置为容纳所述预备微发光器件的第一预备区域，
其中所述第一预备区域包括第一出口，所述预备微发光器件通过所述第一出口进入所述第一转移区域，
其中所述第二凹槽包括配置为容纳所述转移微发光器件的第二转移区域以及连接到所述第二转移区域并配置为容纳所述预备微发光器件的第二预备区域，以及
其中所述第二预备区域包括第二出口，所述预备微发光器件通过所述第二出口进入所述第二转移区域。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一转移区域和所述第二转移区域彼此间隔开。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一预备区域的至少一部分和所述第二预备区域的至少一部分彼此成一体。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述预备区域的与所述转移区域相邻的部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述转移区域减小的宽度。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述预备区域的与所述转移区域相邻的部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述转移区域的宽度相同的宽度。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述预备区域的与所述转移区域相邻的第一部分具有笔直形结构，该笔直形结构具有与所述转移区域的宽度相同的宽度，以及
其中所述预备区域的与所述预备区域的所述第一部分相邻的第二部分具有锥形结构，该锥形结构具有朝向所述预备区域的所述第一部分减小的宽度。
17.根据权利要求10所述的方法，其中所述转移区域具有比所述转移微发光器件的宽度大且比所述转移微发光器件的所述宽度的两倍小的宽度。
18.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个像素中的每个包括多个子像素，以及
其中所述转移区域具有与所述多个子像素的相应子像素中包括的转移微发光器件的数量对应的尺寸。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20220285188A1 (en) * 2021-03-02 2022-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display transfer structure including light emitting elements and transferring method of light emitting elements

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9969078B2 (en) * 2015-08-03 2018-05-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array and transferring method
US9935136B2 (en) * 2015-11-27 2018-04-03 Innolux Corporation Manufacturing method of display with lighting devices
US11257704B2 (en) * 2018-04-15 2022-02-22 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Device for transferring and integrating micro-devices and method of transfer
CN109148352B (zh) * 2018-08-02 2020-11-27 上海天马微电子有限公司 转移头阵列、转移头和转移无机发光二极管的方法
EP3742477A1 (en) * 2019-05-21 2020-11-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Light induced selective transfer of components using a jet of melted adhesive
US11342213B2 (en) * 2019-08-23 2022-05-24 Nano Ark Co. Apparatus and method of micro-devices transfer
CN111146129B (zh) * 2020-04-03 2020-09-15 Tcl华星光电技术有限公司 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置

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