KR20220060977A - 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법 - Google Patents

마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220060977A
KR20220060977A KR1020210051822A KR20210051822A KR20220060977A KR 20220060977 A KR20220060977 A KR 20220060977A KR 1020210051822 A KR1020210051822 A KR 1020210051822A KR 20210051822 A KR20210051822 A KR 20210051822A KR 20220060977 A KR20220060977 A KR 20220060977A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
micro light
electrode
emitting devices
substrate
Prior art date
Application number
KR1020210051822A
Other languages
English (en)
Inventor
김현준
황경욱
박준용
홍석우
황준식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US17/399,683 priority Critical patent/US20220139887A1/en
Publication of KR20220060977A publication Critical patent/KR20220060977A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

일 실시예는, 제1 면에 형성된 복수 개의 원형 홈을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 기판의 상기 제1 면 상에 복수 개의 마이크로 발광소자를 공급하는 단계 및 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계를 포함하는 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 제공한다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각의 제2 면 상에 적어도 두 개의 전극이 서로 이격되어 마련되고, 상기 적어도 두 개의 전극은, 상기 제2 면의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극과 상기 제2 면의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극을 포함할 수 있다.

Description

마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법{Micro light emitting element array and method of manufacturing the same}
본 개시의 예시적인 실시예는 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로 발광소자에 형성된 전극과 구동 회로 기판에 형성된 전극의 구조에 관한 것이다.
발광소자(Light emitting diode; LED)는 저전력 사용과 친환경적이라는 장점이 있다. 이러한 장점 때문에 산업적인 수요가 증대되고 있다. 발광소자는 조명 장치나 LCD 백라이트용으로 뿐만 아니라 발광소자 디스플레이 장치에도 적용되고 있다. 즉, 마이크로 단위의 발광소자를 사용하는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 마이크로 발광소자 디스플레이 장치를 제작하는데 있어서, 마이크로 발광소자를 기판에 전사하는 것이 필요하다. 마이크로 발광소자를 전사하는 방법으로 픽 앤 플레이스(pick and place) 방법이 많이 사용되고 있다. 하지만, 이러한 방법은 마이크로 발광소자의 크기가 작아지고 디스플레이의 사이즈가 커짐에 따라 생산성이 저하된다. 더욱이, 복수 개의 칼라 광을 발광하는 마이크로 발광소자를 전사하는 것은 칼라의 개수만큼 전사 공정이 더 필요하기 때문에 전사하는데 많은 시간이 소요된다.
또한, 발광소자 디스플레이 장치의 면적이 넓어질수록, 마이크로 발광소자를 전사해야 하는 구동 회로 기판의 면적도 넓어지게 된다. 대면적의 디스플레이 장치를 형성하기 위해, 마이크로 발광소자의 전사 공정이 더 늘어나게 되면, 디스플레이 장치를 제조하는 데에 더 많은 시간과 비용이 발생할 수 있다. 이에 따라, 효율적으로 마이크로 발광소자를 구동 회로 기판에 전사하는 방법이 필요하다.
마이크로 발광소자를 구동 회로 기판에 전사하는 방법으로서, 다양한 방식의 습식 및 건식 전사 기술이 알려져 있다. 예를 들어, 액체의 표면 장력을 이용하여 마이크로 발광소자를 구동 회로 기판 상의 원하는 위치에 전사하는 습식 전사 기술, 용액 펌핑 등을 통한 섭동으로 인해 발생한 층류(Laminar flow)를 이용하는 습식 전사 기술(US10418527), 초음파 진동자, 진동판(Diaphragm)의 진동 등을 이용하거나, 전기장 또는 자기장을 이용하여 마이크로 발광소자를 구동 회로 기판 상의 원하는 위치에 전사하는 건식 전사 기술 등이 알려져 있다. 이러한 다양한 습식 및 건식 전사 기술을 이용하는 경우, 복수 개의 마이크로 발광소자를 몰드 기판에 형성된 복수 개의 홈에 정렬시킬 수 있다. 또한, 몰드 기판 대신에 복수 개의 홈을 포함하는 구동 회로 기판에 직접 마이크로 발광소자를 정렬시킬 수 있다.
마이크로 발광소자를 기판에 대해 정렬시키는 경우, 마이크로 발광소자의 형태와 기판에 형성된 홈의 모양을 동일하게 형성할 수 있다. 또는 기판에 형성된 사각형의 홈에 어느 방향에서도 잘 들어갈 수 있도록 원형의 마이크로 발광소자를 정렬시킬 수도 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자를 기판에 정렬시키는 경우, 보다 효율적인 정렬이 이루어지는 데에 적합한 구조의 전극을 포함하는 마이크로 발광소자 및 구동 회로 기판을 포함하는 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법을 제공한다.
일 실시예는,
제1 면에 형성된 복수 개의 원형 홈을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 기판의 상기 제1 면 상에 복수 개의 마이크로 발광소자를 공급하는 단계 및 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계를 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 제공한다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각의 제2 면 상에 적어도 두 개의 전극이 서로 이격되어 마련될 수 있다.
상기 적어도 두 개의 전극은, 상기 제2 면의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극과 상기 제2 면의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각의 크기는 상기 제1 기판에 포함된 상기 복수 개의 원형 홈의 크기보다 작을 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는, 상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각에 포함된 상기 적어도 두 개의 전극이 상기 복수 개의 원형 홈의 상부 개구를 향하도록 위치시킬 수 있다.
상기 제2 면은 다각형일 수 있다.
상기 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은,
상기 제1 기판의 상기 복수 개의 원형 홈과 대응되도록 형성된 복수 개의 전극 구조가 마련되는 제3 면을 포함하는 제2 기판을 마련하는 단계, 상기 제1 기판의 복수 개의 원형 홈과 상기 제2 기판의 상기 복수 개의 전극 구조가 서로 마주보도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주하도록 배치하는 단계 및 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬된 상기 복수 개의 마이크로 발광소자와 상기 복수 개의 전극 구조를 본딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 기판의 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 고리 모양일 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자와 상기 복수 개의 전극 구조를 본딩하는 단계에서는, 상기 제1 전극과 상기 제1 구동 전극을 전기적으로 서로 연결시키고, 상기 적어도 하나의 제2 전극과 상기 제2 구동 전극을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 복수 개의 원형 홈 각각에 마련된 복수 개의 전극 구조를 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는, 상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각에 형성된 상기 적어도 두 개의 전극이 상기 복수 개의 원형 홈 각각에 마련된 상기 복수 개의 전극 구조 각각을 향하도록 위치시킬 수 있다.
상기 제1 기판의 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제1 구동 전극과 마주하고, 상기 적어도 하나의 제2 전극은 상기 제2 구동 전극과 마주하도록 위치할 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 고리 모양일 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함할 수 있다.
상기 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은, 상기 제1 기판의 복수 개의 원형 홈에 액체를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는, 상기 액체를 흡수할 수 있는 흡수재로 상기 제1 기판을 스캐닝하여 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬할 수 있다.
다른 일 실시예는,
제1 면에 형성된 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함하는 복수 개의 전극 구조를 구비하는 구동 회로 기판 및 상기 복수 개의 전극 구조와 마주하는 제2 면에 마련되며, 상기 복수 개의 전극 구조 각각에 본딩되고, 서로 이격되어 형성되는 적어도 두 개의 전극을 포함하는 복수 개의 마이크로 발광소자를 포함하는 마이크로 발광소자 어레이를 제공한다.
상기 적어도 두 개의 전극은 상기 제2 면의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극과 상기 제2 면의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제2 면의 정중앙에 마련될 수 있다.
상기 제2 면은 다각형일 수 있다.
상기 제2 면의 꼭지점이 형성된 영역은 라운딩 처리될 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제1 구동 전극과 접하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 구동 전극과 접할 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 고리 모양일 수 있다.
상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 전극 구조 중 적어도 두 개에 대한 상기 복수 개의 마이크로 발광소자 중 적어도 두 개의 배열 방향은 서로 다를 수 있다.
상기 구동 회로 기판은, 상기 제1 면에 형성된 복수 개의 원형 홈을 포함하고, 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 상기 복수 개의 원형 홈 각각의 내부에 마련될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자를 기판에 정렬시키는 경우, 보다 효율적인 정렬이 이루어지는 데에 적합한 구조의 전극을 포함하는 마이크로 발광소자 및 구동 회로 기판을 포함하는 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따르면, 기판에 모든 각도에서 회전대칭성을 가지는 모양의 홈을 형성하고, 이 홈에 복수 개의 마이크로 발광소자를 정렬시킴으로써, 마이크로 발광소자의 정렬을 보다 효율적으로 수행할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예의 따른 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법은 방법에 따르면, 마이크로 발광소자를 형성하기 위한 웨이퍼를 보다 효율적으로 사용함으로써 복수 개의 마이크로 발광소자 어레이의 원가를 줄일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 마이크로 발광소자 어레이 제조에 이용되는 제1 기판 및 마이크로 발광소자의 예시적인 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 3은 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 4는 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자를 생성하는 데에 사용되는 웨이퍼의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 5는 비교예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자를 생성하는 데에 사용되는 웨이퍼의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 장치의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 11은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 스캐닝 과정을 나타낸 것이다.
도 12는 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 마이크로 발광소자가 정렬되는 과정을 나타낸 것이다.
도 13은 도 1의 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 포함되는 제2 기판에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자의 본딩 과정을 나타낸 것이다.
도 14는 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 제2 기판에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자의 본딩 과정을 나타낸 것이다.
도 15는 일 실시예에 따른 도 13의 제2 기판에 형성되는 전극 구조의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 16은 다른 일 실시예에 따른 도 13의 제2 기판에 형성되는 전극 구조의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 17은 도 13의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 형성된 마이크로 발광소자 어레이의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 18은 일 실시예에 따른 제2 기판의 전극 구조와 제1 기판의 마이크로 발광소자가 접하고 있는 모습을 간략하게 도시한 것이다.
도 19는 도 18에 도시된 실시예의 구성을 간략하게 도시한 평면도이다.
도 20은 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 복수 개의 마이크로 발광소자를 제1 기판에 정렬시키는 과정을 간략하게 도시한 것이다.
도 21은 도 20의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 의해 형성된 마이크로 발광소자 어레이의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 22는 일 실시예에 따른 제1 기판의 원형 홈에 마련된 전극 구조의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 23은 다른 일 실시예에 따른 제1 기판의 원형 홈에 마련될 수 있는 전극 구조의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 24는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 포함된 복수 개의 원형 홈 중 어느 하나와 및 복수 개의 원형 홈 중 어느 하나의 내부에 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 평면도이다.
도 25는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 26은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 복수 개의 마이크로 발광소자가 복수 개의 원형 홈 중 어느 하나에 마련된 모습을 간략하게 도시한 평면도이다.
도 27은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 28은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 29는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 30은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 31은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 포함하는 전자 장치의 블록도를 나타낸 것이다.
도 32는 일 실시예에 따른 전자 장치가 모바일 장치에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 33은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 자동차에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 34는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 35는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 대형 사이니지에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 36은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한 것이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법이 속하는 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 도면 상에서 각 구성 요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에서 설명되는 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법의 다양한 실시예는 예시적인 것으로서, 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
“상기”의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 모든 예들 또는 예시적인 용어의 사용은 단순히 기술적 사상을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 범위가 한정되는 것은 아니다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
또한, 명세서에 기재된 "...부", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
본 실시예에서 설명하는 특정 실행들은 예시들로서, 어떠한 방법으로도 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어 시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다.
방법을 구성하는 단계들은 설명된 순서대로 행하여야 한다는 명백한 언급이 없다면, 적당한 순서로 행해질 수 있다. 또한, 모든 예시적인 용어(예를 들어, 등등)의 사용은 단순히 기술적 사상을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구항에 의해 한정되지 않는 이상 이러한 용어로 인해 권리 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 2는 마이크로 발광소자 어레이 제조에 이용되는 제1 기판(110) 및 마이크로 발광소자(10)의 예시적인 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 1에 도시된 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 습식 정렬 방법 또는 건식 정렬 방법에 모두 적용될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 습식 정렬 방법 및 건식 정렬 방법 이외의 가능한 다양한 방법에 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 제1 면(110a)에 형성된 복수 개의 원형 홈(F)을 포함하는 제1 기판(110)을 준비하는 단계(S101), 제1 기판(110)의 제1 면(110a) 상에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급하는 단계(S102) 및 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬하는 단계(S103)를 포함할 수 있다.
마이크로 발광소자 어레이를 제조함에 있어, 첫 번째로, 제1 면(110a)에 형성된 복수 개의 원형 홈(F)을 포함하는 제1 기판(110)을 준비한다(S101). 제1 기판(110)은 단일 층으로 구비되거나 복수의 층을 포함할 수 있다. 복수 개의 원형 홈(F)은 적어도 하나의 마이크로 발광소자(10)를 배치하기 위해 구비될 수 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 크기는 제1 기판(110)에 포함된 복수 개의 원형 홈(F)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 마이크로 발광소자(10)의 크기는 복수 개의 원형 홈(F)의 직경보다 작을 수 있다.
두 번째로, 제1 기판(110)의 제1 면(110a) 상에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급한다(S102). 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 공급 방법은 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 현탁액을 제1 기판(110)에 흘려 보내는 방법 등 다양하게 사용될 수 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 제1 기판(110)에 공급하는 방법은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변형될 수 있다.
세 번째로, 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬한다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬하는 방식은 다양할 수 있다. 예를 들어, 습식 정렬 방법 또는 건식 정렬 방법 등을 이용하여 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬시킬 수 있다. 이 경우, 복수 개의 원형 홈(F) 각각에는, 하나의 마이크로 발광소자(10)가 마련될 수 있다. 도 9 내지 도 12를 참조하여, 예시적으로 습식 정렬 방법을 이용하여 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬시키는 방법에 대해 후술한다.
도 3은 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 4는 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 생성하는 데에 사용되는 웨이퍼(WF)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 5는 비교예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자를 생성하는 데에 사용되는 웨이퍼(WF)의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각은 제2 면(10A) 상에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(E1, E2)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(E1, E2)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(E1, E2)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(E1, E2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(E1, E2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)은 정사각형일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(E1, E2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)은 정사각형 이외의 다양한 다각형일 수 있다.
도 4를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10)는 웨이퍼(WF)를 다이싱(dicing)하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(WF)를 복수 개의 40μm × 40μm 크기의 정사각형으로 다이싱하여 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(WF)의 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 다이싱하고 남은 영역(C1)은 정사각형일 수 있다. 도 4에는 37개의 영역(C1)이 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수십 센티미터의 직경을 가지는 원형 웨이퍼(WF)에 대해 다이싱을 실시하여, 무수히 많은 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 형성할 수 있다. 이와 달리, 도 5을 참조하면 비교예에 따른 웨이퍼(WF)의 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 다이싱하고 남은 영역(C2)은 원형일 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼(WF)를 복수 개의 원형으로 다이싱한 경우는, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(WF)를 복수 개의 정사각형으로 다이싱한 경우에 비해, 복수 개의 마이크로 발광소자를 다이싱하고 남은 영역(C2) 사이의 공간이 넓을 수 있다. 이에 따라, 같은 개수의 복수 개의 마이크로 발광소자를 형성하는 데에 더 많은 웨이퍼(WF)가 소모될 수 있고, 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자를 형성하는 데에 더 많은 비용이 들게 된다. 다시 말해, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 다각형의 평면을 가지는 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 형성하게 되면, 웨이퍼(WF)를 효율적으로 사용할 수 있고, 이에 따라 비용을 절약할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 적어도 두 개의 전극(E1, E2)은, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(E1)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(E1)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 제2 전극(E2)이 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)의 코너 영역에 마련될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(E1)의 중심과 제2 전극(E2)의 중심 사이의 거리(d1)는 적어도 두 개의 전극(E1, E2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 제2 면(1A)의 대각선 길이의 1/2보다 약간 짧을 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 6의 복수 개의 마이크로 발광소자(10a)는 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 사용될 수 있다.
도 6을 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각은 제2 면(2A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)은 정사각형일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
적어도 두 개의 전극(CEa, EEa)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEa)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEa)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEa)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)의 정중앙에서 하나의 코너 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 제2 전극(EEa)이 복수 개의 마이크로 발광소자(10a) 각각의 제2 면(2A)의 코너 영역에 마련될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(CEa)의 중심과 제2 전극(EEa)의 중심 사이의 거리(d2)는, 도 5의 제1 전극(E1)의 중심과 제2 전극(E2)의 중심 사이의 거리(d1)보다 멀 수 있다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 7의 복수 개의 마이크로 발광소자(10b)는 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 사용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각은 제2 면(3A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)은 정사각형일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEb)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEb1, EEb2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEb)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 두 개의 제2 전극(EEb1, EEb2)이 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)의 코너 영역에 각각 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEb)과 두 개의 제2 전극(EEb1, EEb2)는 적어도 두 개의 전극(CEb, EEb1, EEb2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 각각의 제2 면(3A)의 대각선 상에 일렬로 마련될 수 있다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 8의 복수 개의 마이크로 발광소자(10c)는 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 사용될 수 있다.
도 8의 복수 개의 마이크로 발광소자(10c)는 도 3의 복수 개의 마이크로 발광소자(10)와 비교하여 제2 면(4A)의 꼭지점이 형성된 영역이 라운딩 처리된 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 도 8을 설명함에 있어, 도 3과 중복되는 내용은 생략한다.
도 8을 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 각각은 제2 면(4A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEc, EEc)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEc, EEc)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 각각의 제2 면(4A)은 다각형에서 꼭지점이 형성된 영역에 대해 라운딩 처리된 모양을 포함할 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEc, EEc)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 각각의 제2 면(4A)은 정사각형에서 꼭지점이 형성된 영역에 대해 라운딩 처리된 모양을 포함할 수 있다. 이에 따라, 적어도 두 개의 전극(CEc, EEc)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 각각의 제2 면(4A)의 코너 영역은 곡선을 포함할 수 있다. 이처럼 곡선의 코너 영역을 포함하는 복수 개의 마이크로 발광소자(10c)를 이용하여 마이크로 발광소자 어레이를 제조하는 경우, 정렬 과정에서 발생할 수 있는 복수 개의 마이크로 발광소자(10c) 사이의 마모를 줄일 수 있다.
도 9는 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 10은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 장치의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 11은 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 스캐닝 과정을 나타낸 것이다. 도 12는 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 마이크로 발광소자가 정렬되는 과정을 나타낸 것이다.
도 9에 도시된 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 습식 정렬 방법이다.
도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 제1 면(110a)에 형성된 복수 개의 원형 홈(F)을 포함하는 제1 기판(110)을 준비하는 단계(S202), 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F)에 액체(L)를 공급하는 단계(S202), 제1 기판(110)의 제1 면(110a) 상에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급하는 단계(S203) 및 액체(L)를 흡수할 수 있는 흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝하여 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 복수 개의 원형 홈(F)에 정렬하는 단계(S204)를 포함할 수 있다. 나아가, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 제1 기판(110)에 마이크로 발광소자(10)가 모두 전사된 후, 제1 기판(110)에 남아 있는 더미 마이크로 발광소자를 제거하는 단계(S205)를 더 포함할 수 있다. 이하에서는, 도 9 내지 도 12를 참조하여 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 대해 설명한다.
제1 면(110a)에 형성된 복수 개의 원형 홈(F)을 포함하는 제1 기판(110)을 준비한다(S201). 제1 기판(110)은 단일 층으로 구비되거나 복수의 층을 포함할 수 있다. 복수 개의 원형 홈(F)은 적어도 하나의 마이크로 발광소자(10)를 배치하기 위해 구비될 수 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 각각의 크기는 제1 기판(110)에 포함된 복수 개의 원형 홈(F)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 마이크로 발광소자(10)의 크기는 복수 개의 원형 홈(F)의 직경보다 작을 수 있다.
복수 개의 원형 홈(F)에 액체를 공급한다(S102). 액체는 마이크로 발광소자(10)를 부식시키거나 손상을 입히지 않는 한 어떠한 종류의 액체라도 사용될 수 있다. 액체는 예를 들어, 물, 에탄올, 알코올, 폴리올, 케톤, 할로카본, 아세톤, 플럭스(flux), 또는 유기 솔벤트(solvent)를 포함하는 그룹 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기 솔벤트는 예를 들어 이소프로필알콜(IPA, Isopropyl Alcohol)을 포함할 수 있다. 액체는 이에 한정되지 않으며 다양한 변경이 가능하다.
복수 개의 원형 홈(F)에 액체를 공급하는 방법은 예를 들어, 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 액체를 제1 기판(110)에 흘려 보내는 방법 등 다양하게 사용될 수 있다.
제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급한다(S103). 복수 개의 마이크로 발광소자(10)는 제1 기판(110)에 액체 없이 직접 뿌려지거나, 액체 이외의 다른 재질을 이용하여 공급될 수 있다. 또는, 복수 개의 마이크로 발광소자(10)가 현탁액(suspension)에 포함된 상태로 제1 기판(110)에 다양한 방법으로 공급될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 공급 방법은 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 현탁액을 제1 기판(110)에 흘려 보내는 방법 등 다양하게 사용될 수 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 제1 기판(110)에 공급하는 방법은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변형될 수 있다. 액체가 복수 개의 원형 홈(F)에 맞게 공급되거나, 액체가 복수 개의 원형 홈(F)에서 넘치도록 공급될 수 있다. 액체의 공급량은 다양하게 조절될 수 있다.
액체를 흡수할 수 있는 흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝한다(S104). 흡수재(140)는 액체를 흡수할 수 있는 재질이면 족하고, 그 형태나 구조는 한정되지 않는다. 흡수재(140)는 예를 들어, 직물, 티슈, 폴리에스테르 섬유, 종이 또는 와이퍼 등을 포함할 수 있다. 흡수재(140)는 다른 보조 기구 없이 단독으로 사용될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝하기 편리하도록 흡수재(140)가 지지대(150)에 결합될 수 있다. 지지대(150)는 제1 기판(110)을 스캐닝하기 적합한 다양한 형태와 구조를 가질 수 있다. 지지대(150)는 예를 들어, 봉(load), 블레이드(blade), 플레이트(plate), 또는 와이퍼(wiper) 등을 포함할 수 있다. 흡수재(140)가 지지대(150)의 어느 한 면에 구비되거나, 흡수재(140)가 지지대(150)의 둘레에 감긴 형태를 가지는 것도 가능하다.
흡수재(140)가 제1 기판(110)을 적절한 압력으로 가압하면서 제1 기판(110)을 스캐닝할 수 있다. 스캐닝은 흡수재(140)가 제1 기판(110)을 접촉하고, 복수 개의 원형 홈(F)을 지나가도록 하는 단계를 포함할 수 있다. 스캐닝 시 흡수재(140)에 액체가 흡수될 수 있다. 스캐닝은 예를 들어, 흡수재(140)의 슬라이딩(sliding) 방식, 회전(rotating) 방식, 병진(translating) 운동 방식, 왕복(reciprocating) 운동 방식, 롤링(rolling) 방식, 스피닝(spinning) 방식 또는 러빙(rubbing) 방식 중 적어도 하나를 포함하는 다양한 방식으로 수행될 수 있으며, 규칙적인 방식 또는 불규칙적인 방식 모두 포함할 수 있다. 또는, 스캐닝은 제1 기판(110)의 회전 운동, 병진 운동, 롤링 운동, 또는 스피닝 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 스캐닝은 흡수재(140)와 제1 기판(110)의 협동에 의해 수행되는 것도 가능하다.
흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝하는 것은 흡수재(140)가 복수 개의 원형 홈(F)을 통과하면서 복수 개의 원형 홈(F)에 있는 액체를 흡수하는 것을 포함할 수 있다. 흡수재(140)가 제1 기판(110)을 스캐닝 시 흡수재(140)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 적어도 하나가 부착될 수 있다. 그리고, 흡수재(140)가 제1 기판(110)과 접촉하여 복수 개의 원형 홈(F)을 지나갈 수 있다.
도 9에서, 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F)에 액체를 공급하는 단계(S102)와 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급하는 단계(S103)는 별개의 단계로 순차적으로 일어나거나 반대의 순서로 진행될 수 있다. 또한, 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F)에 액체를 공급하는 단계(S102)와 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급하는 단계(S103)가 하나의 단계로 동시에 수행되는 것도 가능하다.
다음, 제1 기판(110)에 마이크로 발광소자(10)가 모두 전사된 후, 제1 기판(110)에 남아 있는 더미 마이크로 발광소자를 제거한다(S105).
도 11을 참조하면, 흡수재(140)가 지지대(150) 표면에 구비되고, 흡수재(140)가 제1 기판(110)의 표면에 접촉한 상태로 스캐닝할 수 있다. 흡수재(140)가 스캐닝 시 흡수재(140)의 표면에 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 적어도 일부가 흡착 또는 부착될 수 있다. 흡착 또는 부착된 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 적어도 일부는 흡수재(140)에 의해 밀려 앞으로 이동될 수 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10)는 흡수재(140)와 제1 기판(110) 사이에 위치될 수 있다.
도 12는 복수 개의 원형 홈(F) 중 어느 하나를 확대하여 도시한 것이다. 흡수재(140)에 의해 이동한 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 적어도 어느 하나가 복수 개의 원형 홈(F) 중 어느 하나에 들어갈 수 있다. 여기서, 흡수재(140)가 복수 개의 원형 홈(F) 중 어느 하나에 있는 액체(L)를 흡수하고, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 적어도 어느 하나가 복수 개의 원형 홈(F) 중 어느 하나에 들어갈 수 있다.
다시 도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)가 모두 전사될 때까지 필요에 따라 단계(S102), 단계(S103), 단계(S104) 중 적어도 하나가 반복될 수 있다. 예를 들어, 흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝한 후에, 복수 개의 원형 홈(F)에 액체가 존재하지 않거나 충분하지 않으면, 복수 개의 원형 홈(F)에 액체를 공급하는 단계(S102)를 더 수행할 수 있다. 여기서, 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)가 부족하지 않다면 단계(S103)를 거치지 않고 단계(S102)에서 단계(S104)로 넘어가는 것도 가능하다. 또는, 제1 기판(110)에 액체가 너무 많이 공급된 경우 필요에 따라서 블레이드(미도시)를 이용하여 일부 액체를 제거할 수 있다.
또는, 흡수재(140)로 제1 기판(110)을 스캐닝한 후에, 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)가 부족하면 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)를 공급하는 단계(S103)를 더 수행할 수 있다.
상기와 같은 과정을 통해, 제1 기판(110)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10)가 정렬될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 기판(110)은 예를 들어, 몰드 기판일 수 있다. 제1 기판(110)의 제1 면(110A) 상에 복수 개의 원형 홈(F)이 구비될 수 있다. 제1 기판(110)의 중간에는 산화물층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 산화물층은 예를 들어, SiO2, Al2O3, 또는 NiO2 등을 포함할 수 있다. 제1 기판(110)에 포함된 산화물층은 복수 개의 원형 홈(F)에 의해 외부로 노출될 수 있다. 산화물층은 친수성을 가질 수 있다. 산화물층은 복수 개의 원형 홈(F)에 액체가 충전(filling in)되도록 도울 수 있다. 제1 기판(110)의 상부 표면의 면적은 4인치보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)의 상부 표면의 면적은 8인치보다 크고 9인치보다 작을 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 기판(110)의 상부 표면의 면적은 9인치보다 클 수도 있다.
도 13은 도 1의 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 포함되는 제2 기판(200)에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩 과정을 나타낸 것이다. 도 14는 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 제2 기판(200)에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩 과정을 나타낸 것이다. 도 15는 일 실시예에 따른 도 13의 제2 기판(200)에 형성되는 전극 구조(20)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 16은 다른 일 실시예에 따른 도 13의 제2 기판(200)에 형성되는 전극 구조(20a)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 17은 도 13의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 형성된 마이크로 발광소자 어레이(1000)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 18은 일 실시예에 따른 제2 기판(200)의 전극 구조(20)와 제1 기판(110)의 마이크로 발광소자(10)가 접하고 있는 모습을 간략하게 도시한 것이다. 도 19는 도 18에 도시된 실시예의 구성을 간략하게 도시한 평면도이다.
도 13을 참조하면, 도 1의 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)과 대응되도록 형성된 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)가 마련되는 제3 면(200A)을 포함하는 제2 기판(200)을 마련하는 단계, 제1 기판(110)의 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)과 제2 기판(200)의 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)가 서로 마주보도록 제1 기판(110)과 제2 기판(200)을 마주하도록 배치하는 단계 및 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)에 정렬된 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)를 본딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 1의 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)에 정렬하는 단계(S103)에서는, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각에 포함된 적어도 두 개의 전극(E1, E2, E3, E4, E5, E6)이 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)의 상부 개구를 향하도록 위치시킬 수 있다. 이에 따라, 도 13에 도시된 바와 같이, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각에 포함된 적어도 두 개의 전극(E1, E2, E3, E4, E5, E6)이 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)의 상부 개구를 통해 외부로 노출될 수 있다. 도 13에는 세 개의 원형 홈(F1, F2, F3) 및 세 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)가 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수 개의 원형 홈(F1, F2, F3)과 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 개수는 무수히 많을 수 있다.
일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 준비되는 제2 기판(200)은 제3 면(200A)에 형성된 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)를 포함할 수 있다. 도 13에는 세 개의 전극 구조(20, 21, 22)가 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)의 개수는 무수히 많을 수 있다. 제2 기판(200)은 예를 들어, 구동 회로 기판일 수 있으며, 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)에 대응되는 복수 개의 구동 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 제2 기판(200)에 포함되는 복수 개의 구동 회로 각각은 적어도 하나의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 제1 기판(110)과 제2 기판(200)이 서로 마주하게 배치됨으로써, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 서로 마주할 수 있다.
일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 제1 기판(110)을 제2 기판(200)과 마주한 상태에서, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)를 본딩시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)을 제2 기판(200) 상에 안착시켜 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 복수 개의 구동 회로(20,21,22)와 프리 본딩(pre-bonding)시킬 수 있다. 이후에, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 제2 기판(200) 사이에 압력을 인가하고, 열처리를 하여 최종적으로 본딩을 완료할 수 있다.
그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 사이에 접착 물질을 마련하여 본딩을 완료할 수도 있다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)와 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)의 본딩에 이용될 수 있는 접착 물질은 접착력을 가지는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트(conductive patste), 이방성 도전성 필름(Anistropic conductive film; ACF) 등을 포함할 수 있다.
도 14를 참조하면, 서로 마주하는 제2 기판(200)의 제3 면(200A)과 제1 기판(110)의 제1 면(110A)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(200)의 제3 면(200A)의 면적은 제1 기판(110)의 제1 면(110A)의 면적보다 클 수 있다. 제2 기판(200)의 제3 면(200A)은 제1 기판(110)의 제1 면(110A)에 대응되는 면적을 가지는 복수 개의 서브 표면 영역(SA)을 포함할 수 있다. 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 각각에는 복수 개의 전극 구조(20)가 마련될 수 있다. 도 14에는 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 각각에 9개의 전극 구조(20)가 마련된 것으로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 각각에 마련된 복수 개의 전극 구조(20)의 개수는 무수히 많을 수 있다.
일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 제2 기판(200)의 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 모두에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 중 제1 서브 표면 영역에 포함된 복수 개의 전극 구조(20)에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩이 이루어질 수 있다. 이후에, 복수 개의 서브 표면 영역(SA) 중 제2 서브 표면 영역에 포함된 복수 개의 전극 구조(20)에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩이 이루어질 수 있다. 이 경우, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 기판(200)과 마주하는 제1 기판(110)을 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 순차적으로 이동시키면서, 모든 복수 개의 서브 표면 영역(SA)에 대해 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 본딩할 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제2 기판(200)의 복수 개의 전극 구조(20) 각각은 제1 구동 전극(OE1) 및 제1 구동 전극(OE1)과 이격되어 마련되며 제1 구동 전극(OE1)을 둘러싸는 제2 구동 전극(OE2)을 포함할 수 있다. 제1 구동 전극(OE1) 및 제2 구동 전극(OE2)을 포함하는 전극 구조는 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 구동 전극(OE1)은 원형일 수 있고, 제2 구동 전극(OE2)은 원형의 제1 전극(OE1)을 둘레 방향으로 감싸는 고리 모양일 수 있다. 다만, 제1 구동 전극(OE1)이 원형으로 한정되는 것은 아니다. 제1 구동 전극(OE1)은 정사각형, 삼각형, 직사각형 등의 다각형일 수도 있다. 이 경우, 제2 구동 전극(OE2)은 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가질 수 있으나, 제1 구동 전극(OE1)은 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지지 않을 수 있다.
도 16을 참조하면, 다른 일 실시예에 따른 제2 기판(200)에 형성될 수 있는 복수 개의 전극 구조(20a)는 제1 구동 전극(OE1) 및 제1 구동 전극(OE1)과 이격되어 마련되며 제1 구동 전극(OE1)을 둘러싸며, 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극(OE21, OE22, OE23, OE24)을 포함할 수 있다. 이 경우, 적어도 두 개의 서브 구동 전극(OE21, OE22, OE23, OE24)이 제2 구동 전극으로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 전극 구조(20a)는 4개의 1/4 고리 모양의 서브 구동 전극(OE21, OE22, OE23, OE24)을 포함할 수 있다. 4개의 1/4 고리 모양이 이어질 경우, 고리 모양이 될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 1/4 고리 모양의 서브 구동 전극(OE21, OE22, OE23, OE24)은 서로 소정의 간격만큼 이격되어 형성될 수 있다.
한편, 다시 도 13을 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 제2 기판(200)의 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 모두에 대해 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩이 이루어질 수 있다. 이 경우, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각의 제1 전극(E1, E3, E5)과 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 각각의 제1 구동 전극을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있다. 또한, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각의 적어도 하나의 제2 전극(E2, E4, E6)과 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 각각의 제2 구동 전극을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 여기서, 전극들이 전기적으로 서로 연결된다는 것은 서로 접한다는 것을 의미할 수 있다. 이와 동시에, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각의 제1 전극(E1, E3, E5)은 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 각각의 제2 구동 전극과는 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 또한, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각의 제2 전극(E2, E4, E5)은 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 각각의 제1 구동 전극과는 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
도 17을 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각이 제2 기판(200)의 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 각각에 대해 본딩된 형태의 마이크로 발광소자 어레이(1000)가 형성될 수 있다. 도 17에는 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)가 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22)에 대해 모두 나란하게 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수 개의 전극 구조(20, 21, 22) 중 적어도 두 개에 대한 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 중 적어도 두 개의 배열 방향은 서로 다를 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 따라 제1 기판(110)과 제2 기판(200)을 서로 마주보도록 배치시킬 때, 복수 개의 마이크로 발광소자(10) 중 어느 하나와 복수 개의 전극 구조(20) 중 어느 하나가 서로 살짝 어긋나게 마주할 수 있다. 그러나 이 경우에도, 제1 전극(E1)은 제2 구동 전극(OE2)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있고, 제2 전극(E2)은 제1 구동 전극(OE1)과 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 그 이유는, 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)이 서로 이격되어 있고, 제1 구동 전극(OE1)과 제2 구동 전극(OE2)이 서로 이격되어 있기 때문일 수 있다.
도 20은 다른 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법의 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 제1 기판(120)에 정렬시키는 과정을 간략하게 도시한 것이다. 도 21은 도 20의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법에 의해 형성된 마이크로 발광소자 어레이(1100)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 22는 일 실시예에 따른 제1 기판(120)의 원형 홈(F4)에 마련된 전극 구조(23)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 23은 다른 일 실시예에 따른 제1 기판(120)의 원형 홈(F4)에 마련될 수 있는 전극 구조(23a)의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 20의 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 도 1 내지 도 19을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법과 비교하여, 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25)가 제2 기판(도 13의 200)에 형성되지 않고, 제1 기판(120)에 형성된다는 점, 제1 기판(도 13의 100) 및 제2 기판(200)을 서로 마주보도록 배치시킨 이후에 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)의 본딩을 수행하지 않고, 제1 기판(120)에 바로 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 마련한다는 점, 제1 기판(120)은 몰드 기판이 아니라, 구동 회로 기판이라는 점을 제외하고는 실질적으로 동일할 수 있다. 도 20을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 19와 중복되는 내용은 생략한다.
도 20을 참조하면, 일 실시예에 따른 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법은 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6)을 포함하는 제1 기판(120)에 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 기판(120)은 예를 들어, 구동 회로 기판일 수 있으며, 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25)에 대응되는 복수 개의 구동 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 제1 기판(120)에 포함되는 복수 개의 구동 회로 각각은 적어도 하나의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
이 경우, 제1 기판(120)은 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 각각에 마련된 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25)를 포함할 수 있다. 또한, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12)를 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6)에 정렬하는 단계에서는, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각에 형성된 적어도 두 개의 전극(E1, E2, E3, E4, E5, E6)이 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 각각에 마련된 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25) 각각을 향하도록 위치시킬 수 있다. 이에 따라, 도 21에 도시된 바와 같이, 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 각각이 제1 기판(120)의 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25) 각각에 대해 본딩된 형태의 마이크로 발광소자 어레이(1100)가 형성될 수 있다.
도 22를 참조하면, 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 제1 원형 홈(F4)에 마련된 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25) 중 임의의 어느 하나인 제1 전극 구조(23)는 제1 구동 전극(OE3) 및 제1 구동 전극(OE3)과 이격되어 마련되며 제1 구동 전극(OE3)을 둘러싸는 제2 구동 전극(OE4)을 포함할 수 있다. 제1 구동 전극(OE3) 및 제2 구동 전극(OE4)을 포함하는 제1 전극 구조(23)는 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 구동 전극(OE3)은 원형일 수 있고, 제2 구동 전극(OE4)은 원형의 제1 구동 전극(OE3)을 둘레 방향으로 감싸는 고리 모양일 수 있다. 다만, 제1 구동 전극(OE3)이 원형으로 한정되는 것은 아니다. 제1 구동 전극(OE3)은 정사각형, 삼각형, 직사각형 등의 다각형일 수도 있다. 이 경우, 제2 구동 전극(OE4)은 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가질 수 있으나, 제1 구동 전극(OE3)은 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지지 않을 수 있다. 제1 전극 구조(23)의 형상은 제2 전극 구조(24) 및 제3 전극 구조(25)에도 적용될 수 있다.
도 23을 참조하면, 다른 일 실시예에 따른 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 제1 원형 홈(F4)에 마련될 수 있는 복수 개의 전극 구조(23a) 중 임의의 어느 하나는 제1 구동 전극(OE3) 및 제1 구동 전극(OE3)과 이격되어 마련되며 제1 구동 전극(OE3)을 둘러싸며, 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극(OE41, OE42, OE43, OE44)을 포함할 수 있다. 이 경우, 적어도 두 개의 서브 구동 전극(OE41, OE42, OE43, OE44)이 제2 구동 전극으로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 전극 구조(23a)는 4개의 1/4 고리 모양의 서브 구동 전극(OE41, OE42, OE43, OE44)을 포함할 수 있다. 4개의 1/4 고리 모양이 이어질 경우, 고리 모양이 될 수 있다. 도 23에 도시된 바와 같이, 1/4 고리 모양의 서브 구동 전극(OE41, OE42, OE43, OE44)은 서로 소정의 간격만큼 이격되어 형성될 수 있다. 도 23의 복수 개의 전극 구조(23a)의 형상은 도 21의 복수 개의 전극 구조(23, 24, 25)에 적용될 수 있다
도 24는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 포함된 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 어느 하나와 및 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 어느 하나의 내부에 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 중 어느 하나의 구성을 간략하게 도시한 평면도이다.
도 24를 참조하면, 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 포함된 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 제1 원형 홈(F4) 내부에 제1 구동 전극(OE3)과 제2 구동 전극(OE4)을 포함하는 전극 구조(23)가 마련될 수 있다. 또한, 제1 원형 홈(F4) 내부에 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 11, 12) 중 임의의 제1 마이크로 발광소자(10)가 마련될 수 있다.
제1 마이크로 발광소자(10)의 제1 전극(E1)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 마이크로 발광소자(10)의 제2 전극(E2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 전극 구조(23)가 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지도록 형성될 수 있고, 이에 따라, 제1 마이크로 발광소자(10)가 제1 원형 홈(F4)에 어떤 각도로 배치된다고 하더라도, 제1 전극(E1)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(E2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 24에 도시된 바와 같이, 제1 마이크로 발광소자(10)가 제1 원형 홈(F4)의 중심을 지나는 임의의 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태(좌측에서 첫 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(E1)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(E2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 마이크로 발광소자(10)가 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태에서 시계 방향으로 약 22.5도 회전한 상태(좌측에서 두 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(E1)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(E2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 제1 마이크로 발광소자(10)가 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태에서 시계 방향으로 약 45도 회전한 상태(좌측에서 세 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(E1)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(E2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 25는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(10, 10d)의 구성을 간략하게 도시한 것이다. 도 25의 좌측에 도시된 복수 개의 마이크로 발광소자(10)의 구성은 도 3을 참조하여 설명한 바와 같으므로, 여기에서는 도 25의 우측에 도시된 복수 개의 마이크로 발광소자(10d)에 대해서 설명한다.
도 25를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각은 제2 면(5A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)은 정사각형일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
적어도 두 개의 전극(CEd, EEd)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEd)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEd)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEd)은 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)의 정중앙에서 하나의 코너 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다. 또한, 도 25에 도시된 바와 같이, 하나의 제2 전극(EEd)이 복수 개의 마이크로 발광소자(10d) 각각의 제2 면(5A)의 코너 영역에 마련될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(CEd)의 중심과 제2 전극(EEd)의 중심 사이의 거리(d3)는, 도 3의 제1 전극(E1)의 중심과 제2 전극(E2)의 중심 사이의 거리(d1)보다 짧을 수 있다. 이 경우, 제1 전극(CEd)과 제2 전극(EEd) 사이의 거리가 비교적 줄어들어, 전자의 이동경로가 최소화될 수 있다.
도 26은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 적용될 수 있는 복수 개의 마이크로 발광소자(10b)가 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 어느 하나에 마련된 모습을 간략하게 도시한 평면도이다. 복수 개의 마이크로 발광소자(10b)는 도 7을 참조하여 설명한 바와 같으므로, 여기에서는 복수 개의 마이크로 발광소자(10b)가 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 어느 하나에 마련된 모습에 대해서 설명한다.
도 26을 참조하면, 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 포함된 복수 개의 원형 홈(F4, F5, F6) 중 제1 원형 홈(F4) 내부에 제1 구동 전극(OE3)과 제2 구동 전극(OE4)을 포함하는 전극 구조(23)가 마련될 수 있다. 또한, 제1 원형 홈(F4) 내부에 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나가 마련될 수 있다.
복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나의 제1 전극(CEb)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나의 제2 전극(EEb1, EEb2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 전극 구조(23)가 모든 각도에 대해서 회전대칭성을 가지도록 형성될 수 있고, 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나가 제1 원형 홈(F4)에 어떤 각도로 배치된다고 하더라도, 제1 전극(CEb)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(EEb1, EEb2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 도 26에 도시된 바와 같이, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나가 제1 원형 홈(F4)의 중심을 지나는 임의의 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태(좌측에서 첫 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(CEb)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(EEb1, EEb2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나가 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태에서 시계 방향으로 약 22.5도 회전한 상태(좌측에서 두 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 도 제1 전극(CEb)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(EEb1, EEb2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 복수 개의 마이크로 발광소자(10b) 중 임의의 어느 하나가 기준선(L1)에 대해 대칭인 상태에서 시계 방향으로 약 45도 회전한 상태(좌측에서 세 번째로 도시된 상태)로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(CEb)은 제1 구동 전극(OE3)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(EEb1, EEb2)은 제2 구동 전극(OE4)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 27은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자(13, 13a, 13b)의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 27의 (a)를 참조하면, 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각은 제2 면(6A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)은 직사각형일 수 있다.
적어도 두 개의 전극(CEe1, EEe1, EEe2)은, 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEe1)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEe1, EEe2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 27의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEe1)은 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 27의 (a)에 도시된 바와 같이, 두 개의 제2 전극(EEe1, EEe2)이 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)의 서로 마주하는 모서리 영역에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEe1)과 두 개의 제2 전극(EEe1, EEe2)는 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(6A)의 중심을 지나는 직선 상에 일렬로 마련될 수 있다.
도 27의 (b)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(13a)는 도 25의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(13)와 비교하여, 제2 면(7A) 상에 하나의 제2 전극(EEe1)만을 포함한다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자(13a)의 발광 면적은 도 25의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(13)의 발광 면적보다 비교적 넓어질 수 있다.
도 27의 (c)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(13b)는 도 27의 (b)의 복수 개의 마이크로 발광소자(13a)와 비교하여, 제1 전극(CEe2)과 제2 전극(EEe1) 사이의 거리(d5)가 비교적 짧다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEe2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(13b) 각각의 제2 면(8A)의 정중앙에서 하나의 모서리 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다.
도 28은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자(14, 14a, 14b)의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 28의 (a)를 참조하면, 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각은 제2 면(9A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(14) 각각의 제2 면(9A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(14) 각각의 제2 면(9A)은 정삼각형일 수 있다.
적어도 두 개의 전극(CEf1, EEf1, EEf2, EEf3)은, 복수 개의 마이크로 발광소자(14) 각각의 제2 면(9A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEf1)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(14) 각각의 제2 면(9A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEf1, EEf2, EEf3)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 28의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEf1)은 복수 개의 마이크로 발광소자(13) 각각의 제2 면(9A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 28의 (a)에 도시된 바와 같이, 세 개의 제2 전극(EEf1, EEf2, EEf3)이 복수 개의 마이크로 발광소자(14) 각각의 코너 영역에 각각 마련될 수 있다.
도 28의 (b)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(14a)는 도 28의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(14)와 비교하여, 제2 면(10A) 상에 하나의 제2 전극(EEf1)만을 포함한다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자(14a)의 발광 면적은 도 28의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(14)의 발광 면적보다 비교적 넓어질 수 있다.
도 28의 (c)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(14b)는 도 28의 (b)의 복수 개의 마이크로 발광소자(14a)와 비교하여, 제1 전극(CEf2)과 제2 전극(EEf1) 사이의 거리(d7)가 비교적 짧다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEf2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(14b) 각각의 제2 면(11A)의 정중앙에서 하나의 코너 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다.
도 29는 도 21의 마이크로 발광소자 어레이(1100)에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자(15, 15a, 15b)의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 29의 (a)를 참조하면, 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각은 제2 면(12A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)은 다각형일 수 있다. 예를 들어, 적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)은 정육각형일 수 있다.
적어도 두 개의 전극(CEg1, EEg1, EEg2)은, 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEg1)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEg1, EEg2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 29의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEg1)은 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 29의 (a)에 도시된 바와 같이, 두 개의 제2 전극(EEg1, EEg2)이 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)의 코너 영역에 각각 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEg1)과 두 개의 제2 전극(EEg1, EEg2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(15) 각각의 제2 면(12A)의 중심을 지나는 직선 상에 일렬로 마련될 수 있다.
도 29의 (b)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(15a)는 도 29의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(15)와 비교하여, 제2 면(13A) 상에 하나의 제2 전극(EEg1)만을 포함한다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자(15a)의 발광 면적은 도 29의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(15)의 발광 면적보다 비교적 넓어질 수 있다.
도 29의 (c)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(15b)는 도 29의 (b)의 복수 개의 마이크로 발광소자(15a)와 비교하여, 제1 전극(CEg2)과 제2 전극(EEg1) 사이의 거리(d9)가 비교적 짧다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEg2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(15b) 각각의 제2 면(14A)의 정중앙에서 하나의 코너 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다.
도 30은 도 21의 마이크로 발광소자 어레이에 적용될 수 있는 다양한 실시예에 따른 마이크로 발광소자의 구성을 간략하게 도시한 것이다.
도 30의 (a)를 참조하면, 일 실시예에 따른 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각은 제2 면(15A)에 서로 이격되어 형성된 적어도 두 개의 전극(CEh1, EEh1, EEh2)을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEh1, EEh1, EEh2)은 금속 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 적어도 두 개의 전극(CEh1, EEh1, EEh2)은 금속 이외의 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 전극(CEh1, EEh1, EEh2)이 마련된 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)은 원형일 수 있다.
적어도 두 개의 전극(CEh1, EEh1, EEh2)은, 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극(CEh1)과, 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극(EEh1, EEh2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 30의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(CEh1)은 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)의 정중앙에 마련될 수 있다. 또한, 도 30의 (a)에 도시된 바와 같이, 두 개의 제2 전극(EEh1, EEh2)이 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)의 서로 마주하는 가장자리 영역에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEh1)과 두 개의 제2 전극(EEh1, EEh2)는 복수 개의 마이크로 발광소자(16) 각각의 제2 면(15A)의 중심을 지나는 직선 상에 일렬로 마련될 수 있다.
도 30의 (b)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(16a)는 도 30의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(16)와 비교하여, 제2 면(16A) 상에 하나의 제2 전극(EEh1)만을 포함한다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 마이크로 발광소자(16a)의 발광 면적은 도 30의 (a)의 복수 개의 마이크로 발광소자(16)의 발광 면적보다 비교적 넓어질 수 있다.
도 30의 (c)를 참조하면, 복수 개의 마이크로 발광소자(16b)는 도 30의 (b)의 복수 개의 마이크로 발광소자(16a)와 비교하여, 제1 전극(CEh2)과 제2 전극(EEh1) 사이의 거리(d11)가 비교적 짧다는 점을 제외하고는, 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(CEh2)은 복수 개의 마이크로 발광소자(16b) 각각의 제2 면(17A)의 정중앙에서 가장자리 영역으로 소정의 거리만큼 치우진 지점에 마련될 수 있다.
도 31은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 포함하는 전자 장치의 블록도를 나타낸 것이다.
도 31을 참조하면, 네트워크 환경(8200) 내에 전자 장치(8201)가 구비될 수 있다. 네트워크 환경(8200)에서 전자 장치(8201)는 제1 네트워크(8298)(근거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 다른 전자 장치(8202)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(8299)(원거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 또 다른 전자 장치(8204) 및/또는 서버(8208)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 서버(8208)를 통하여 전자 장치(8204)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 프로세서(8220), 메모리(8230), 입력 장치(8250), 음향 출력 장치(8255), 디스플레이 장치(8260), 오디오 모듈(8270), 센서 모듈(8276), 인터페이스(8277), 햅틱 모듈(8279), 카메라 모듈(8280), 전력 관리 모듈(8288), 배터리(8289), 통신 모듈(8290), 가입자 식별 모듈(8296), 및/또는 안테나 모듈(8297)을 포함할 수 있다. 전자 장치(8201)에는, 이 구성요소들 중 일부가 생략되거나, 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 이 구성 요소들 중 일부는 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(8276)(지문 센서, 홍채 센서, 조도 센서 등)은 디스플레이 장치(8260)(디스플레이 등)에 임베디드되어 구현될 수 있다.
프로세서(8220)는, 소프트웨어(프로그램(8240) 등)를 실행하여 프로세서(8220)에 연결된 전자 장치(8201) 중 하나 또는 복수개의 다른 구성 요소들(하드웨어, 소프트웨어 구성 요소 등)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 데이터 처리 또는 연산의 일부로, 프로세서(8220)는 다른 구성요소(센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)로부터 수신된 명령 및/또는 데이터를 휘발성 메모리(8232)에 로드하고, 휘발성 메모리(8232)에 저장된 명령 및/또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(8234)에 저장할 수 있다. 프로세서(8220)는 메인 프로세서(8221)(중앙 처리 장치, 어플리케이션 프로세서 등) 및 이와 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(8223)(그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)를 포함할 수 있다. 보조 프로세서(8223)는 메인 프로세서(8221)보다 전력을 작게 사용하고, 특화된 기능을 수행할 수 있다.
보조 프로세서(8223)는, 메인 프로세서(8221)가 인액티브 상태(슬립 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(8221)가 액티브 상태(어플리케이션 실행 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)와 함께, 전자 장치(8201)의 구성요소들 중 일부 구성요소(디스플레이 장치(8260), 센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)와 관련된 기능 및/또는 상태를 제어할 수 있다. 보조 프로세서(8223)(이미지 시그널 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(카메라 모듈(8280), 통신 모듈(8290) 등)의 일부로서 구현될 수도 있다.
메모리(8230)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220), 센서모듈(8276) 등)가 필요로 하는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(프로그램(8240) 등) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 및/또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(8230)는, 휘발성 메모리(8232) 및/또는 비휘발성 메모리(8234)를 포함할 수 있다.
프로그램(8240)은 메모리(8230)에 소프트웨어로 저장될 수 있으며, 운영 체제(8242), 미들 웨어(8244) 및/또는 어플리케이션(8246)을 포함할 수 있다.
입력 장치(8250)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220) 등)에 사용될 명령 및/또는 데이터를 전자 장치(8201)의 외부(사용자 등)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(8250)는, 리모트 컨트롤러, 마이크, 마우스, 키보드, 및/또는 디지털 펜(스타일러스 펜 등)을 포함할 수 있다.
음향 출력 장치(8255)는 음향 신호를 전자 장치(8201)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(8255)는, 스피커 및/또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 리시버는 스피커의 일부로 결합되어 있거나 또는 독립된 별도의 장치로 구현될 수 있다.
디스플레이 장치(8260)는 전자 장치(8201)의 외부로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 마이크로 발광소자 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(8260) 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이(1000, 1100)를 포함하는 다양한 형태의 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(Touch Circuitry), 및/또는 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(압력 센서 등)를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(8270)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 오디오 모듈(8270)은, 입력 장치(8250)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(8255), 및/또는 전자 장치(8201)와 직접 또는 무선으로 연결된 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)의 스피커 및/또는 헤드폰을 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(8276)은 전자 장치(8201)의 작동 상태(전력, 온도 등), 또는 외부의 환경 상태(사용자 상태 등)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 및/또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(8276)은, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(Infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 및/또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(8277)는 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 인터페이스(8277)는, HDMI(High Definition Multimedia Interface), USB(Universal Serial Bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(8278)는, 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 연결 단자(8278)는, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 및/또는 오디오 커넥터(헤드폰 커넥터 등)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(8279)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(진동, 움직임 등) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 햅틱 모듈(8279)은, 모터, 압전 소자, 및/또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(8280)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 카메라 모듈(8280)은 하나 이상의 렌즈를 포함하는 렌즈 어셈블리, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 및/또는 플래시들을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(8280)에 포함된 렌즈 어셈블리는 이미지 촬영의 대상인 피사체로부터 방출되는 빛을 수집할 수 있다.
전력 관리 모듈(8288)은 전자 장치(8201)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 전력 관리 모듈(8388)은, PMIC(Power Management Integrated Circuit)의 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(8289)는 전자 장치(8201)의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 배터리(8289)는, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 및/또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(8290)은 전자 장치(8201)와 다른 전자 장치(전자 장치(8102), 전자 장치(8104), 서버(8108) 등)간의 직접(유선) 통신 채널 및/또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 프로세서(8220)(어플리케이션 프로세서 등)와 독립적으로 운영되고, 직접 통신 및/또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 무선 통신 모듈(8292)(셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, GNSS(Global Navigation Satellite System 등) 통신 모듈) 및/또는 유선 통신 모듈(8294)(LAN(Local Area Network) 통신 모듈, 전력선 통신 모듈 등)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(8298)(블루투스, WiFi Direct 또는 IrDA(Infrared Data Association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(8299)(셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(LAN, WAN 등)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 다른 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(단일 칩 등)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(8292)은 가입자 식별 모듈(8296)에 저장된 가입자 정보(국제 모바일 가입자 식별자(IMSI) 등)를 이용하여 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(8201)를 확인 및 인증할 수 있다.
안테나 모듈(8297)은 신호 및/또는 전력을 외부(다른 전자 장치 등)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 안테나는 기판(PCB 등) 위에 형성된 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함할 수 있다. 안테나 모듈(8297)은 하나 또는 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 복수의 안테나가 포함된 경우, 통신 모듈(8290)에 의해 복수의 안테나들 중에서 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 안테나가 선택될 수 있다. 선택된 안테나를 통하여 통신 모듈(8290)과 다른 전자 장치 간에 신호 및/또는 전력이 송신되거나 수신될 수 있다. 안테나 외에 다른 부품(RFIC 등)이 안테나 모듈(8297)의 일부로 포함될 수 있다.
구성 요소들 중 일부는 주변 기기들간 통신 방식(버스, GPIO(General Purpose Input and Output), SPI(Serial Peripheral Interface), MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 등)을 통해 서로 연결되고 신호(명령, 데이터 등)를 상호 교환할 수 있다.
명령 또는 데이터는 제2 네트워크(8299)에 연결된 서버(8108)를 통해서 전자 장치(8201)와 외부의 전자 장치(8204)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 다른 전자 장치들(8202, 8204)은 전자 장치(8201)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 전자 장치(8201)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 다른 전자 장치들(8202, 8204, 8208) 중 하나 이상의 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(8201)가 어떤 기능이나 서비스를 수행해야 할 때, 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 하나 이상의 다른 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 일부 또는 전체를 수행하라고 요청할 수 있다. 요청을 수신한 하나 이상의 다른 전자 장치들은 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(8201)로 전달할 수 있다. 이를 위하여, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 및/또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.
도 32는 일 실시예에 따른 전자 장치가 모바일 장치(9100)에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 32를 참조하면, 모바일 장치(9100)는 예시적인 실시예에 따른 디스플레이 장치(9110)를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(9110)는 마이크로 발광소자 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(9110)는 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이(1000, 1100)를 포함하는 다양한 형태의 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(9110)는 접힐 수 있는 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어, 다중 폴더 디스플레이에 적용될 수 있다. 여기서는 모바일 장치(9100)가 폴더형 디스플레이로 도시되었으나 일반 평판형 디스플레이에도 적용 가능할 수 있다.
도 33은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 자동차에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 33을 참조하면, 디스플레이 장치가 자동차용 헤드업 디스플레이 장치에 적용될 수 있다. 헤드업 디스플레이 장치는 자동차의 일 영역에 구비된 디스플레이 장치(9210)와, 디스플레이 장치(9210)에서 생성된 영상을 운전자가 볼 수 있도록 광의 경로를 변환하는 적어도 하나 이상의 광경로 변경 부재(9220)를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(9210)는 마이크로 발광소자 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(9210)는 도 1 내지 도 33을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이(1000, 1100)를 포함하는 다양한 형태의 디스플레이 장치를 포함할 수 있다.
도 34는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 34를 참조하면, 증강 현실 안경(9300)은 영상을 형성하는 투영 시스템(9310)과, 투영 시스템(9310)으로부터의 영상을 사용자의 눈에 들어가도록 안내하는 적어도 하나의 요소(9320)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(9310)은 마이크로 발광소자 디스플레이 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 투영 시스템(9310)은 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이(1000, 1100)를 포함하는 다양한 형태의 디스플레이 장치를 포함할 수 있다.
도 35는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 대형 사이니지(signage)에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 35를 참조하면, 사이니지(9400)는 디지털 정보 디스플레이를 이용한 옥외 광고에 이용될 수 있으며, 통신망을 통해 광고 내용 등을 제어할 수 있다. 사이니지(9400)는 예를 들어, 도 31을 참조하여 설명한 전자 장치(8201)를 통해 구현될 수 있다.
도 36은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 36을 참조하면, 웨어러블 디스플레이(9500)는 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명한 마이크로 발광소자 어레이(1000, 1100)를 포함할 수 있고, 도 31을 참조하여 설명한 전자 장치(8201)를 통해 구현될 수 있다.
예시적인 실시예에 따른 디스플레이 장치는 이 밖에도 롤러블(rollable) TV, 스트레처블(stretchable) 디스플레이 등 다양한 제품에 적용될 수 있다.
상기한 다양한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 것을 이해할 수 있다. 따라서, 예시적인 다양한 실시예에 따른 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
10, 11, 12, 13, 13a, 13b, 14, 14a, 14b, 15, 15a, 15b: 마이크로 발광소자
20, 20a 21, 22, 23, 23a, 24, 25: 전극 구조
110: 제1 기판
200: 제2 기판
E1, CEa, CEb, CEc, CEd, CEe1, CEe2, CEf1, CEf2, CEg1, CEg2, CEh1, CEh2: 제1 전극
E2, EEa, EEb1, EEb2, EEc, EEd, EEe1, EEe2, EEf1, EEf2, EEg1, EEg2, EEh1, EEh2: 제2 전극
OE1, OE3: 제1 구동 전극
OE2, OE21, OE22, OE23, OE24, OE41, OE42, OE43, OE44: 제2 구동 전극
F1, F2, F3, F4, F5, F6: 원형 홈

Claims (25)

  1. 제1 면에 형성된 복수 개의 원형 홈을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 기판의 상기 제1 면 상에 복수 개의 마이크로 발광소자를 공급하는 단계; 및
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계; 를 포함하며,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각의 제2 면 상에 적어도 두 개의 전극이 서로 이격되어 마련되고,
    상기 적어도 두 개의 전극은, 상기 제2 면의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극과 상기 제2 면의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각의 크기는 상기 제1 기판에 포함된 상기 복수 개의 원형 홈의 크기보다 작은, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각에 포함된 상기 적어도 두 개의 전극이 상기 복수 개의 원형 홈의 상부 개구를 향하도록 위치시키는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 면은 다각형인, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 복수 개의 원형 홈과 대응되도록 형성된 복수 개의 전극 구조가 마련되는 제3 면을 포함하는 제2 기판을 마련하는 단계;
    상기 제1 기판의 복수 개의 원형 홈과 상기 제2 기판의 상기 복수 개의 전극 구조가 서로 마주보도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주하도록 배치하는 단계; 및
    상기 복수 개의 원형 홈에 정렬된 상기 복수 개의 마이크로 발광소자와 상기 복수 개의 전극 구조를 본딩하는 단계; 를 더 포함하는 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 기판의 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 고리 모양인, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자와 상기 복수 개의 전극 구조를 본딩하는 단계에서는,
    상기 제1 전극과 상기 제1 구동 전극을 전기적으로 서로 연결시키고, 상기 적어도 하나의 제2 전극과 상기 제2 구동 전극을 서로 전기적으로 연결시키는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 복수 개의 원형 홈 각각에 마련된 복수 개의 전극 구조를 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자 각각에 형성된 상기 적어도 두 개의 전극이 상기 복수 개의 원형 홈 각각에 마련된 상기 복수 개의 전극 구조 각각을 향하도록 위치시키는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제1 구동 전극과 마주하고, 상기 적어도 하나의 제2 전극은 상기 제2 구동 전극과 마주하도록 위치하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 고리 모양인, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판의 복수 개의 원형 홈에 액체를 공급하는 단계; 를 더 포함하고,
    상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는 단계에서는, 상기 액체를 흡수할 수 있는 흡수재로 상기 제1 기판을 스캐닝하여 상기 복수 개의 마이크로 발광소자를 상기 복수 개의 원형 홈에 정렬하는. 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법.
  17. 제1 면에 형성된 제1 구동 전극 및 상기 제1 구동 전극과 이격되어 마련되며 상기 제1 구동 전극을 둘러싸는 제2 구동 전극을 포함하는 복수 개의 전극 구조를 구비하는 구동 회로 기판; 및
    상기 복수 개의 전극 구조와 마주하는 제2 면에 마련되며, 상기 복수 개의 전극 구조 각각에 본딩되고, 서로 이격되어 형성되는 적어도 두 개의 전극을 포함하는 복수 개의 마이크로 발광소자; 를 포함하며
    상기 적어도 두 개의 전극은 상기 제2 면의 중앙에 비교적 가깝게 마련되는 제1 전극과 상기 제2 면의 가장자리에 마련되는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제2 면의 정중앙에 마련되는, 마이크로 발광소자 어레이.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 면은 다각형인, 마이크로 발광소자 어레이.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 면의 꼭지점이 형성된 영역은 라운딩 처리된, 마이크로 발광소자 어레이.
  21. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제1 구동 전극과 접하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 구동 전극과 접하는, 마이크로 발광소자 어레이.
  22. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 고리 모양인, 마이크로 발광소자 어레이.
  23. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 구동 전극은 서로 이격된 적어도 두 개의 서브 구동 전극을 포함하는, 마이크로 발광소자 어레이.
  24. 제17 항에 있어서,
    상기 복수 개의 전극 구조 중 적어도 두 개에 대한 상기 복수 개의 마이크로 발광소자 중 적어도 두 개의 배열 방향은 서로 다른, 마이크로 발광소자 어레이.
  25. 제17 항에 있어서,
    상기 구동 회로 기판은, 상기 제1 면에 형성된 복수 개의 원형 홈을 포함하고, 상기 복수 개의 전극 구조 각각은 상기 복수 개의 원형 홈 각각의 내부에 마련되는, 마이크로 발광소자 어레이.
KR1020210051822A 2020-11-05 2021-04-21 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법 KR20220060977A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/399,683 US20220139887A1 (en) 2020-11-05 2021-08-11 Micro-light-emitting-diode array and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20200147088 2020-11-05
KR1020200147088 2020-11-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220060977A true KR20220060977A (ko) 2022-05-12

Family

ID=81590622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210051822A KR20220060977A (ko) 2020-11-05 2021-04-21 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220060977A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11676848B2 (en) Method of aligning micro light emitting element and display transferring structure
JP2022016417A (ja) マイクロ半導体チップ湿式整列法及びディスプレイ転写構造物
US11610872B2 (en) Micro light emitting device array and method of manufacturing the same
EP3965155A1 (en) Micro-light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
EP4040485A1 (en) Display transferring structure and display device including the same
US20220139887A1 (en) Micro-light-emitting-diode array and method of manufacturing the same
EP4084094B1 (en) Multi-use transfer mold and method of manufacturing display apparatus
CN115939014A (zh) 半导体器件转移结构、显示装置和制造显示装置的方法
KR20220060977A (ko) 마이크로 발광소자 어레이 및 그 제조 방법
KR20220007500A (ko) 마이크로 반도체 칩 습식 정렬 방법 및 디스플레이 전사 구조물
KR20230048948A (ko) 반도체 발광 소자, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 반도체 발광 소자를 제조하는 방법
KR20230068195A (ko) 소자 정렬용 기판, 소자 어레이 구조물, 및 디스플레이 장치
KR102721081B1 (ko) 다회용 전사 몰드 및 디스플레이 장치 제조 방법
KR102710735B1 (ko) 마이크로 반도체 칩의 전사방법
US20240079385A1 (en) Micro semiconductor chip transferring structure and display device
US20240234219A1 (en) Method of transferring micro semiconductor chip and transferring structure
KR20220147477A (ko) 다회용 전사 몰드 및 디스플레이 장치 제조 방법
US20230377509A1 (en) Driving circuit board, electronic apparatus including driving circuit board, and method of fabricating electronic apparatus
EP4336555A1 (en) Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips
EP4170703A1 (en) Micro semiconductor chip transfer substrate and method of manufacturing display apparatus
US20240234384A1 (en) Method and device for transferring electronic chip
EP4174966A1 (en) Micro light emitting device and display apparatus including the same
US20230402439A1 (en) Micro chip and display apparatus including the same
KR20240143604A (ko) 마이크로 반도체 칩 전사 방법 및 마이크로 반도체 칩 전사 장치
KR20220085687A (ko) 디스플레이 전사 구조물 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination