CN114141800A - 微型发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

微型发光二极管显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114141800A
CN114141800A CN202110783038.0A CN202110783038A CN114141800A CN 114141800 A CN114141800 A CN 114141800A CN 202110783038 A CN202110783038 A CN 202110783038A CN 114141800 A CN114141800 A CN 114141800A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
leds
electrode
display device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110783038.0A
Other languages
English (en)
Inventor
洪硕佑
黄俊式
黄京旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN114141800A publication Critical patent/CN114141800A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本公开提供了微型发光二极管显示装置及其制造方法。提供一种包括多个像素的微型发光二极管(LED)显示装置,该微型LED显示装置包括:驱动电路基板;第一电极,提供在驱动电路基板上;一个或更多个微型发光二极管(LED),提供在第一电极上;绝缘层,提供在所述一个或更多个微型LED上;通孔图案,提供在绝缘层中;电接触,提供在通孔图案中;以及第二电极,提供在电接触上,其中通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分。

Description

微型发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本公开的示例实施方式涉及包括微型发光二极管(LED)的显示装置以及制造包括该微型LED的显示装置的方法。
背景技术
发光二极管(LED)具有诸如低功耗和环境友好特性的益处。由于这些益处,对LED的产业需求已经增加。LED不仅应用于照明装置或液晶显示器(LCD)背光单元,而且应用于LED显示装置。换句话说,已经开发了使用微型单元LED芯片的显示装置。当制造微型LED显示装置时,需要将微型LED转移到基板上。作为转移微型LED的方法,经常使用拾取和放置方法。然而,根据这种方法,当微型LED的尺寸减小并且显示器的尺寸增大时,产率降低。
此外,随着微型LED数量的增加,对高速转移和降低的维修率的需求已经增加。
发明内容
一个或更多个示例实施方式提供一种能够降低维修率的显示装置。
一个或更多个示例实施方式还提供一种制造能够降低维修率的显示装置的方法。
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地将从该描述变得明显,或者可以通过实践本公开的示例实施方式来获知。
根据示例实施方式的一方面,提供一种包括多个像素的微型发光二极管(LED)显示装置,该微型LED显示装置包括:驱动电路基板;提供在驱动电路基板上的第一电极;提供在第一电极上的一个或更多个微型发光二极管(LED);提供在所述一个或更多个微型LED上的绝缘层;提供在绝缘层中的通孔图案(via pattern);提供在通孔图案中的电接触;以及提供在电接触上的第二电极,其中通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分。
绝缘层的厚度可以大于所述一个或更多个微型LED的厚度。
每个电接触的厚度可以对应于绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
电接触的节距可以小于所述一个或更多个微型LED中的每个的宽度。
所述多个像素的每个可以包括多个子像素,并且通孔图案可以提供在所述多个子像素的每个上。
所述多个像素的每个可以包括多个子像素,并且所述一个或更多个微型LED可以提供在所述多个子像素的每个上。
所述一个或更多个微型LED可以被不规则地提供。
所述一个或更多个微型LED可以连接在第一电极和第二电极之间。
电接触可以被提供为点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。
电接触和第二电极可以具有相同的材料。
微型LED显示装置还可以包括提供在所述一个或更多个微型LED与第一电极之间的电极垫。
微型LED显示装置还可以包括提供在所述第二电极上的颜色转换层,该颜色转换层配置为转换从所述一个或更多个微型LED发射的光的颜色。
根据示例实施方式的另一方面,提供一种制造包括多个像素的微型发光二极管(LED)显示装置的方法,该方法包括:在驱动电路基板上提供第一电极;向驱动电路基板提供一个或更多个微型发光二极管(LED),使得所述一个或更多个微型LED的第一电极垫接触第一电极;在所述一个或更多个微型LED上提供绝缘层;在绝缘层中提供通孔图案,该通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分;在通孔图案中提供电接触;以及在电接触和绝缘层上提供第二电极。
绝缘层的厚度可以大于所述一个或更多个微型LED的厚度。
每个电接触的厚度可以对应于绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
电接触的节距可以小于所述一个或更多个微型LED中的每个的宽度。
所述多个像素的每个可以包括多个子像素,并且通孔图案可以提供在所述多个子像素的每个上。
所述多个像素的每个可以包括多个子像素,并且所述一个或更多个微型LED可以提供在所述多个子像素的每个上。
所述一个或更多个微型LED可以被不规则地提供。
所述一个或更多个微型LED可以连接在第一电极和第二电极之间。
电接触可以被提供为点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。
通孔图案的深度可以基于调整蚀刻持续时间或基于感光材料的分辨率和临界尺寸而被选择性地调整。
根据示例实施方式的另一方面,提供一种包括多个像素的微型发光二极管(LED)显示装置,该微型LED显示装置包括:驱动电路基板;提供在驱动电路基板上的第一电极;提供在第一电极上的一个或更多个微型发光二极管(LED);提供在所述一个或更多个微型LED上的绝缘层;提供在绝缘层中的通孔图案;提供在通孔图案中的电接触;以及提供在电接触上的第二电极,其中电接触与第一电极间隔开,并且其中每个电接触的厚度对应于绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
附图说明
从以下结合附图的描述,示例实施方式的以上和/或其它的方面、特征和优点将变得更加明显,附图中:
图1是根据一示例实施方式的微型发光二极管(LED)显示装置的示意性像素图;
图2是根据一示例实施方式的微型LED显示装置的平面图;
图3A是图2的微型LED显示装置沿着线A-A截取的截面图;
图3B是根据另一示例实施方式的微型LED显示装置的截面图;
图4是根据另一示例实施方式的微型LED显示装置的截面图;
图5、图6、图7和图8是根据示例实施方式的关于微型LED显示装置的电极和微型LED的各种布局结构的示例的图;
图9、图10、图11和图12是根据示例实施方式的微型LED显示装置的电接触的各种图案结构的示例的图;
图13、图14和图15是根据示例实施方式的微型LED显示装置的电极和微型LED的各种布局结构的示例的图;
图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22、图23、图24和图25是用于描述根据一实施方式的制造微型LED显示装置的方法的视图;
图26是根据一示例实施方式的电子装置的示意性框图;
图27示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置被应用于移动装置的示例;
图28示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置被应用于车辆显示装置的示例;
图29示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置被应用于增强现实(AR)眼镜的示例;
图30示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置被应用于标识牌的示例;以及
图31示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置被应用于可穿戴显示器的示例。
具体实施方式
现在将详细参考在附图中示出的示例实施方式,其中相同的附图标记始终表示相同的元件。就这点而言,示例实施方式可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此,下面通过参照附图仅描述了示例实施方式以解释多个方面。如这里所用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关列举项目的任何和所有组合。诸如“…中的至少一个”的表述,当在一列元件之后时,修饰整列元件而不是修饰该列表中的个别元件。例如,表述“a、b和c中的至少一个”应当被理解为包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、或a、b和c的全部。
在下文,将参照附图详细描述根据各种示例实施方式的微型发光二极管(LED)显示装置和制造该微型LED显示装置的方法。在附图中,相同的附图标记表示相同的元件,并且为了清楚和便于说明,元件的尺寸可以被夸大。尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件,但是这些术语并不限制部件。这些术语仅用于将一个元件和另一个区别开。
如这里所用的,单数术语“一”和“一个”旨在也包括复数形式,除非上下文另外清楚地指示。还将理解,当一部分“包括”或“包含”一元件时,除非另外地限定,否则该部分还可以包括其它元件,而不排除其它元件。为了清楚和便于说明,附图中的每个元件的尺寸可以被放大。此外,当某一材料层被描述为在基板或另一层上时,该材料层可以通过与其直接接触而在该基板或另一层上,或者第三层可以布置在该材料层与该基板或另一层之间。此外,在下面将描述的实施方式中的多个层的每个中包括的材料仅是示例,并且也可以使用其它材料。
此外,说明书中使用的诸如“单元”、“模块”等的术语表示处理至少一个功能或动作的单元,并且该单元可以通过硬件或软件来实现,或者通过硬件和软件的组合来实现。
在示例实施方式中描述的特定执行是示例,并且不以任何方式限制技术范围。为了简洁起见,可以不描述传统的电子器件、控制系统、软件开发和系统的其它功能方面。此外,在所呈现的各个附图中示出的连接线或连接器旨在表示各个元件之间的示例性功能关系和/或物理或逻辑联接。应当注意,在实际设备中可以存在许多替代或附加的功能关系、物理连接或逻辑连接。
术语“该”和其它等同的限定词可以对应于单数指示物或复数指示物。
除非明确描述方法中包括的操作的顺序或存在相反的描述,否则操作可以根据适当的顺序执行。所有示例术语(例如,等)的使用仅用于详细描述本公开,本公开不限于示例和示例术语,除非它们没有被限定在权利要求的范围内。
图1是根据一示例实施方式的微型发光二极管(LED)显示装置的平面图。
参照图1,微型LED显示装置100可以包括多个像素135。所述多个像素135可以以二维矩阵的形式布置。所述多个像素135的每个可以包括多个子像素1351、1352和1353。
每个像素135可以表示用于在微型LED显示装置100中显示颜色的基本单元。例如,一个像素135可以发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光并可以经由第一至第三颜色光显示颜色光。例如,第一颜色光可以包括红光,第二颜色光可以包括绿光,第三颜色光可以包括蓝光。但是,颜色光不限于此。每个像素135可以包括发射每种颜色光的所述多个子像素。例如,像素135可以包括发射第一颜色光的第一子像素1351、发射第二颜色光的第二子像素1352以及发射第三颜色光的第三子像素1353。第一子像素1351、第二子像素1352和第三子像素1353中的每个可以被分别电驱动。
图2是根据一示例实施方式的微型LED显示装置200的平面图。图3A是图2的微型LED显示装置200的沿着线A-A截取的截面图。图2示出根据一示例实施方式的微型LED显示装置200的一个子像素。
参照图2和图3A,微型LED显示装置200可以包括驱动电路基板210、形成在驱动电路基板210上的第一电极220、形成在第一电极220上的至少一个微型LED 230、形成为覆盖所述至少一个微型LED 230的绝缘层235以及形成在绝缘层235上的第二电极250。
驱动电路基板210可以包括配置为驱动微型LED 230的驱动电路211。驱动电路211可以包括例如至少一个晶体管和至少一个电容器。驱动电路211可以包括例如开关晶体管、驱动晶体管和电容器。然而,驱动电路211不限于此。驱动电路211可以包括一个晶体管和一个电容器。驱动电路基板210可以包括例如互补金属氧化物半导体(CMOS)底板。然而,驱动电路基板210不限于此。
第一电极220可以包括例如p型电极。
微型LED 230可以包括例如p型半导体层2301、有源层2302和n型半导体层2303。p型半导体层2301可以包括p型GaN,n型半导体层2303可以包括例如n型GaN层。有源层2302可以包括例如量子阱结构或多量子阱结构。然而,微型LED 230不限于此。
电极垫225可以进一步形成在第一电极220和微型LED 230之间。
绝缘层235可以形成为覆盖微型LED 230。绝缘层235可以具有比微型LED 230大的厚度。绝缘层235可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。例如,无机绝缘层可以包括硅氧化物(SiO2)、铝氧化物(Al2O3)、铪氧化物(HfO2)和硅氮化物(Si3N4)中的至少一种,有机绝缘层可以包括丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、硅氧烷系列树脂和环氧树脂中的至少一种。通孔图案238可以形成在绝缘层235中。通孔图案238可以具有深度D以暴露微型LED 230。例如,通孔图案238可以具有与绝缘层235的高度和微型LED 230的高度之间的差相对应的深度D。例如,通孔图案238可以具有与绝缘层235的上表面与微型LED 230的n型半导体层2303的上表面之间的距离相对应的深度D。通孔图案238可以具有各种形状。例如,通孔图案238可以包括以预定间隔布置在绝缘层235中的多个凹槽。此外,电接触240可以被提供在通孔图案238中。电接触240可以包括导电材料。电接触240可以具有由通孔图案238限定的结构。通孔图案238可以具有比微型LED 230的宽度W小的节距P。此外,电接触240可以具有比微型LED 230的宽度W小的节距P。电接触240可以以规则的节距布置。然而,电接触240也可以被不规则地布置。当电接触240被不规则地布置时,相邻的电接触240之间的最大距离可以小于微型LED 230的宽度W。图2示出其中电接触240被布置为点状图案的示例。
微型LED 230可以具有例如大于约0且等于或小于约200μm的宽度W。微型LED 230可以具有例如大于约0且等于或小于约100μm的宽度W。可选地,微型LED 230可以具有例如大于约0且等于或小于约1μm的宽度W。这里,微型LED 230的宽度W可以是微型LED 230的最大截面宽度。这里,截面方向可以是与光被发射的方向垂直的方向。
当如上所述布置电接触240时,即使当微型LED 230以不规则的间隔不规则地布置在子像素中时,微型LED 230也可以总是接触电接触240。此外,当转移微型LED时,可能存在其中微型LED未提供或缺失的情况。在图3A中,部分232可以是其中微型LED未提供在子像素中的区域。根据一示例实施方式,电接触240具有与微型LED 230的高度和绝缘层235的高度之间的差相对应的厚度D,因此,即使当微型LED 230未提供时,由于台阶高度也可以防止短路。因此,即使当微型LED 230未提供时,也可以防止微型LED显示装置200的故障。此外,所述多个微型LED 230被提供在子像素中,因此,即使当微型LED 230中的一个或更多个未提供时,也可以不需要维修操作。
可以为每个子像素提供通孔图案238。可选地,每个子像素可以包括多个通孔图案238。
第二电极250可以联接到电接触240。第二电极250可以联接到电接触240,使得第二电极250接触所有的电接触240。电接触240和第二电极250可以包括彼此不同的材料。可选地,电接触240和第二电极250可以包括彼此相同的材料。
在根据一示例实施方式的微型LED显示装置200中,一个子像素可以包括多个第一电极220,并且所述多个微型LED 230可以布置在所述多个第一电极的每个中。此外,第二电极250可以被提供为与第一电极220相对应。然而,第二电极250不限于此。第二电极250可以被提供为完全对应于一个子像素。
根据示例实施方式,微型LED 230可以对于每个子像素发射不同颜色的光。在这种情况下,可以进一步提供配置为过滤来自微型LED 230的颜色光的滤色器。然而,微型LED230可以对于每个子像素辐射相同颜色的光。
图3B示出其中通孔图案238A包括一个凹槽的示例。在图3B中,通过使用与图3A相同的附图标记表示的部件具有与图3A基本上相同的结构和配置,因此这里将省略它们的详细描述。
图3B示出其中通孔图案238A包括一个凹槽的示例,所述一个凹槽配置为覆盖提供在一个子像素中的微型LED 230。电接触240A可以形成在通孔图案238A中。电接触240A可以包括导电材料。通孔图案238A可以具有与绝缘层235的高度和微型LED 230的高度之间的差相对应的深度D。在这种情况下,通孔图案238A可以覆盖子像素的大部分,因此,无论微型LED230位于何处,电接触240A和微型LED 230可以彼此接触。
图4示出其中微型LED 230对于每个子像素辐射相同颜色的光的示例。
图4是与图1的微型LED显示装置200相对应的微型LED显示装置200A的沿着线I-I截取的截面图。微型LED显示装置200A可以包括第一子像素1351、第二子像素1352和第三子像素1353。这里,通过使用与图3A和图3B相同的附图标记表示的部件具有与图3A和图3B基本上相同的结构和配置,因此,这里将省略它们的详细描述。
微型LED显示装置200A还可以包括例如在绝缘层235上的分隔壁270以及在分隔壁270之间的颜色转换层260。分隔壁270可以以预定间隔布置。颜色转换层260可以配置为转换从微型LED 230发射的光的颜色。微型LED230可以发射第一颜色光,例如蓝光。然而,实施方式不限于此。微型LED230可以发射其它波长的光以激发颜色转换层260。
颜色转换层260可以包括配置为透射来自微型LED 230的光的第一颜色转换层261、配置为将来自微型LED 230的光转换为第二颜色光的第二颜色转换层262以及配置为将来自微型LED 230的光转换为第三颜色光的第三颜色转换层263。第二颜色光可以包括例如绿光,第三颜色光可以包括例如红光。
第一颜色转换层261可以包括例如树脂,来自微型LED 230的光透射穿过该树脂。第二颜色转换层262可以使用从微型LED 230发射的蓝光来发射绿光。第二颜色转换层262可以包括预定尺寸的量子点(QD),其被蓝光激发并发射绿光。QD可以具有核-壳结构或者可以具有颗粒结构,该核-壳结构具有核单元和壳单元,该颗粒结构不具有壳。核-壳结构可以包括单壳结构或多壳结构。多壳结构可以包括例如双壳结构。
QD可以包括例如基于II-VI族的半导体、基于III-V族的半导体、基于IV-VI族的半导体、基于IV族的半导体和石墨烯QD中的至少一种。QD可以包括例如镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)和磷化铟(InP)中的至少一种,但是不限于此。每个QD可以具有等于或小于约几十纳米的直径。例如,每个QD可以具有等于或小于约10nm的直径。
可选地,第二颜色转换层262可以包括被从微型LED 230发射的蓝光激发并发射绿光的磷光体。
第三颜色转换层263可以通过将从微型LED 230发射的蓝光改变为红光而发射红光。第三颜色转换层263可以包括预定尺寸的QD,其被蓝光激发并发射红光。可选地,第三颜色转换层263可以包括被从微型LED 230发射的蓝光激发并发射红光的磷光体。
图5至图8是其中微型LED 315、325、335和345布置在与一个子像素相对应的区域中的各种示例的放大图。
参照图5,两个第一电极312可以提供在与一子像素相对应的区域310中,并且微型LED 315可以提供在这两个第一电极312的每个中。微型LED315可以具有例如圆形截面。然而,微型LED 315不限于此,并可以具有各种形状的截面,诸如四边形截面、五边形截面等。微型LED 315可以具有例如垂直芯片结构。
根据示例实施方式,这两个第一电极312可以在区域310中布置在对角线方向上。然而,这两个第一电极312的位置不限于此,并可以进行各种修改。第一电极312的布置可以具有与微型LED 315的转移位置对应的关系。
参照图6,两个第一电极322可以提供在与一子像素相对应的区域320中,并且多个微型LED 325可以提供在这两个第一电极322的每个中。这两个第一电极322的每个可以具有容纳多个微型LED 325的尺寸。这里,这两个第一电极322可以在区域320中布置在对角线方向上。然而,这两个第一电极322的位置不限于此,并可以进行各种修改。
参照图7,一个第一电极332可以提供在与一子像素相对应的区域330中,并且多个微型LED 335可以提供在第一电极332中。
参照图8,八个第一电极342可以提供在与一子像素相对应的区域340中。微型LED345可以提供在这八个第一电极342的每个中。当如上所述在与子像素相对应的区域340中存在多个第一电极342时,即使当没有提供所述多个第一电极342中的一个或更多个的微型LED时,像素也可以正常工作。因此,可以降低像素缺陷率,并可以减少维修操作。部分347指示与缺失的微型LED相对应的区域。
图9至图12示出参照图2、图3A和图3B描述的电接触240和240A的各种图案的示例。
参照图9,电接触415可以包括连接到第二电极410的点状图案。点状图案的节距P可以小于微型LED 230的宽度W(见图3A)。当点状图案被不规则地布置时,点状图案之间的最大节距P可以小于微型LED 230的宽度W。
参照图10,电接触425可以包括连接到第二电极420的条纹图案。条纹图案的节距P可以小于微型LED 230的宽度W。参照图11,电接触435可以包括连接到第二电极430的网格图案。网格图案的节距P可以小于微型LED 230的宽度W。
参照图12,电接触445可以包括连接到第二电极440的同心圆图案。同心圆图案的节距P可以小于微型LED 230的宽度W。可以在其中电接触445可覆盖所有对应的微型LED230的整个区域中提供电接触445。
参照图9至图12描述了电接触415至445的图案。由于电接触由通孔图案限定,所以上述电接触415至445的图案可以类似地应用于通孔图案238和238A(见图3A和图3B)。
图13至图15示出第一电极512、522和532以及第二电极515、525和535的各种布局结构的示例。
参照图13,八个第一电极512可以提供在子像素510中。一个微型LED518可以提供在这八个第一电极512的每个中,并且一个第二电极515可以被提供为对应于这八个第一电极512中的每个。此外,可以提供连接在第二电极515和微型LED 518之间的电接触517。互连线519可以连接到这八个第一电极512中的每个。在图13中,一个微型LED可能没有被提供,并且在其中没有提供微型LED的位置,电接触517可以与第一电极512间隔开。因此,可以防止短路。
参照图14,八个第一电极522可以提供在子像素520中。一个微型LED528可以提供在这八个第一电极522的每个中,并且一个第二电极525可以被提供为对应于四个第一电极522。此外,可以提供连接在第二电极525和微型LED 528之间的电接触527。例如,电接触527可以具有条纹图案。电接触527可以被布置为具有比微型LED 528的宽度小的节距,因此,即使当微型LED 528被不规则地布置时,微型LED 528也可以从任何位置电连接到第二电极525。当多个微型LED布置在一个子像素中时,即使当一个或更多个微型LED没有被提供或缺陷发生到一个或更多个微型LED时,正常操作也可以经由其它正常的微型LED变得可能。因此,可以不需要维修操作。
参照图15,两个第一电极532可以提供在子像素530中。多个微型LED538可以提供在这两个第一电极532的每个中,并且一个第二电极535可以被提供为对应于这两个第一电极532。在这种情况下,一个第二电极535可以提供在子像素530中。此外,可以提供连接在第二电极535和微型LED 538之间的电接触537。例如,电接触537可以以网格图案提供。
如上所述,第一电极和第二电极可以具有1对1对应结构或n对1对应结构,其中n大于1。
接下来,将根据一示例实施方式描述制造微型LED显示装置的方法。
关于制造微型LED显示装置的方法,参照图16,可以制备包括多个凹槽615的转移基板600。图16示出一个子像素。图17是图16的子像素沿着线B-B截取的截面图。转移基板600可以包括单层或多层。所述多个凹槽615的每个可以被提供为包括至少一个微型LED620。微型LED 620可以被转移到所述多个凹槽615上。作为转移微型LED 620的方法,可以采用干式转移法或湿式转移法。
图18示出湿式转移法的示例流程图。湿式转移法可以包括:制备包括多个凹槽615的转移基板600(S101);将液体供应到转移基板600的多个凹槽615(S102);将多个微型LED620供应到转移基板600(S103);以及通过经由能够吸收液体的吸收体扫描转移基板600来吸收液体(S104)。
所述液体的供应可以包括例如喷涂、分配、喷墨点扩散以及将液体洒到转移基板上的方法中的至少一种。液体可以包括例如来自由水、乙醇、醇、多元醇、酮、卤代烃、丙酮、助熔剂和溶剂组成的组中的至少一种。经由吸收体对转移基板600的扫描可以包括使吸收体接触并滑动经过转移基板600。
所述多个微型LED 620可以在没有所述液体的情况下直接散布在转移基板600上,或者可以通过使用除了所述液体之外的其它材料而被供应到转移基板600。可选地,可以使用其它各种方法以将微型LED 620转移到转移基板600。例如,微型LED 620可以在容纳于悬浮液中的同时被提供到转移基板600。在这种情况下,将微型LED 620供应到转移基板600可以包括各种方法,诸如喷涂、分配、喷墨点扩散、将悬浮液洒到转移基板上的方法等。将微型LED 620供应到转移基板600的方法不限于此,并可以进行各种修改。所述液体可以被供应到凹槽615,使得所述液体的量适当地匹配凹槽615,或者使得所述液体溢出凹槽615。所供应的液体的量可以被不同地修改。
用于吸收所述液体的吸收体可以包括能够吸收所述液体的各种类型的材料,并且吸收体的形状或结构不限于特定类型。吸收体可以包括例如织物、纸巾、聚酯纤维、纸、擦拭布等。吸收体可以被单独使用而没有辅助装置,或者可以根据需要与辅助装置一起使用。
电极垫625可以位于微型LED 620的上表面上,该上表面面向凹槽615的开口。至少一个微型LED 620可以提供在凹槽615中。微型LED 620可以被不规则地布置。凹槽615可以具有比微型LED 620大的尺寸。取决于凹槽615的尺寸,转移到凹槽615上的微型LED 620的数量可以变化。
例如,微型LED 620可以具有等于或小于约200μm的尺寸。这里,尺寸可以表示微型LED 620的最大截面直径。这里,截面方向可以表示与从微型LED 620发射光的方向垂直的方向。微型LED 620可以具有各种形状的截面,诸如三角形截面、四边形截面、圆形截面等。凹槽615的尺寸可以例如根据微型LED 620的所需数量来确定。凹槽615可以具有各种形状。例如,凹槽615可以具有三角形截面、四边形截面、圆形截面等。两个凹槽615可以提供在一个子像素中,并且一个微型LED 620可以提供在每个凹槽615中。可选地,两个凹槽615可以提供在一个子像素中,并且多个微型LED 620可以提供在每个凹槽615中。可选地,一个凹槽615可以提供在一个子像素中,并且多个微型LED 620可以提供在该凹槽615中。可选地,八个凹槽615可以提供在一个子像素中,并且一个微型LED 620可以提供在这八个凹槽615的每个中。然而,所提供的多个凹槽615和微型LED 620的数量不限于此,并且实施方式可以具有各种其它布置结构。微型LED 620可以具有例如垂直电极结构。
参照图19,第一电极640可以形成在驱动电路基板630上。图20是图19的驱动电路基板630沿着线C-C截取的截面图。驱动电路基板630可以包括例如至少一个晶体管和至少一个电容器。所述至少一个晶体管可以包括例如开关晶体管和驱动晶体管。第一电极640可以被提供为对应于图16所示的转移基板600的凹槽615。然而,第一电极640不限于此,并可以进行各种修改。第一电极640和另一第一电极640可以经由互连线641彼此连接。第一电极640可以具有各种形状,诸如圆形、四边形等。
参照图21,图19中示出的驱动电路基板630可以对应于图16所示的转移基板600,因此,微型LED 620可以从转移基板600转移到驱动电路基板630以接触第一电极640。微型LED 620可以被接合到第一电极640。
图22是沿着线D-D截取的图21的截面图。参照图22,电极垫625可以提供在第一电极640和微型LED 620之间。图21示出三个微型LED 620布置在一个第一电极640中。然而,图21的示例示出布置在第一电极640中的四个微型LED 620中的一个没有被提供。在图22中,部分622表示缺失微型LED的区域。根据示例实施方式,可以执行正常操作而不用对缺失微型LED执行维修操作。
参照图23,绝缘层650可以沉积在驱动电路基板630上。绝缘层650可以被提供为覆盖微型LED 620。绝缘层650可以具有比微型LED 620大的厚度。例如,在绝缘层650的上表面和微型LED 620的上表面之间的预定厚度可以被限定。通孔图案660可以形成在绝缘层650中。通孔图案660可以具有与绝缘层650的上表面和微型LED 620的上表面之间的距离相对应的深度d。通孔图案660可以具有深度d以暴露微型LED 620。通孔图案660的深度d可以通过调整蚀刻持续时间或使用感光材料的分辨率和临界尺寸而被选择性地形成。
参照图24,电接触670可以形成在通孔图案660中。电接触670可以由通孔图案660限定。例如,通孔图案660可以具有各种图案,诸如点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。例如,电接触670可以具有各种图案,诸如点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。电接触670可以具有与绝缘层650的上表面和微型LED 620的上表面之间的距离相对应的厚度。此外,电接触670可以包括具有比微型LED 620的宽度小的节距的图案,如以上参照图9至图12所描述的。
第二电极675可以形成在电接触670和绝缘层650上。第二电极675可以包括例如透明电极,诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、ITO/Ag/ITO等。当电接触670具有如上所述的厚度和节距时,不管微型LED620的位置如何,电接触670和微型LED 620都可以连接到彼此,并且在缺失微型LED 622的位置可以防止短路。因此,可以防止故障而不用维修操作,并且经由所提供的微型LED 620可以进行正常操作。
参照图25,可以形成连接到第二电极675的互连线680。
根据上述示例实施方式的制造微型LED显示装置的方法,微型LED可以经由自组装方法以高的速度转移到大的区域,并且多个微型LED可以被转移到一子像素,因此,可以降低缺陷率。此外,基于选择性通孔图案结构,从其中提供有微型LED的区域和其中没有提供微型LED的区域,仅包括微型LED的区域可以被电连接。基于选择性通孔图案结构,可以减小反映短路缺陷的工艺裕度,因此,可以增大其中第一电极和第二电极彼此重叠的区域的自由度,以增大接合工艺的对准裕度。因此,即使当微型LED的尺寸减小时,也可以提高工艺产率。
根据示例实施方式的微型LED显示装置100、200、200A可以应用于各种电子装置,诸如微型LED电视(TV)、液晶显示装置、移动装置、车辆显示装置、增强现实(AR)眼镜、虚拟现实(VR)眼镜等。
图26是根据一示例实施方式的包括微型LED显示装置100、200和200A的电子装置8201的框图。
参照图26,电子装置8201可以提供在网络环境8200中。在网络环境8200中,电子装置8201可以经由第一网络8298(短距离无线通信网络等)与另一电子装置8202进行通信,或者经由第二网络8299(远程无线通信网络等)与另一电子装置8204和/或服务器8208进行通信。电子装置8201可以经由服务器8208与电子装置8204进行通信。电子装置8201可以包括处理器8220、存储器8230、输入装置8250、声音输出装置8255、显示装置8260、音频模块8270、传感器模块8276、接口8277、触觉模块8279、相机模块8280、电力管理模块8288、电池8289、通信模块8290、用户识别模块8296和/或天线模块8297。电子装置8201可以省略所述部件中的一个或更多个,或者还可以包括其它部件。所述部件中的一个或更多个可以被实现为集成电路。例如,传感器模块8276(指纹传感器、虹膜传感器、照度传感器等)可以被嵌入在显示装置8260(显示器等)中。
处理器8220可以配置为运行软件(程序8240等)来控制电子装置8201的一个或更多个部件(硬件部件或软件部件)(所述部件连接到处理器8220),并执行各种数据处理或计算。作为所述数据处理或计算的部分,处理器8220可以配置为将从其它部件(传感器模块8276、通信模块8290等)接收到的命令和/或数据加载到易失性存储器8232中,对存储在易失性存储器8232中的命令和/或数据进行处理,并将结果数据存储在非易失性存储器8234中。处理器8220可以包括主处理器8221(中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等)以及可独立地操作或者与主处理器8221一起操作的辅助处理器8223(图形处理单元(GPU)、图像信号处理器、传感器中枢处理器、通信处理器等)。辅助处理器8223可以使用比主处理器8221更少的电力并可以执行指定的功能。
当主处理器8221处于未激活状态(睡眠状态)时,辅助处理器8223可以负责控制与电子装置8201的部件当中的一个或更多个部件(显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能或状态的操作,或者当主处理器8221处于激活状态(应用运行状态)时,辅助处理器8223可与主处理器8221一起执行同一操作。辅助处理器8223(图像信号处理器、通信处理器等)可以被实现为其它在功能上相关的部件(相机模块8280、通信模块8290等)的部分。
存储器8230可以存储由电子装置8201的部件(处理器8220、传感器模块8276等)所需的各种数据。所述数据可以包括例如软件(程序8240等)、与该软件相关的命令的输入数据和/或输出数据。存储器8230可以包括易失性存储器8232和/或非易失性存储器8234。非易失性存储器8234可以包括嵌入存储器8236和/或外部存储器8238。
程序8240可以作为软件存储在存储器8230中,并可以包括操作系统8242、中间件8244和/或应用8246。
输入装置8250可以从电子装置8201的外部接收将由电子装置8201的部件(处理器8220等)使用的命令和/或数据。输入装置8250可以包括远程控制器、麦克风、鼠标、键盘和/或数字笔(触控笔等)。
声音输出装置8255可以将声音信号输出到电子装置8201的外部。声音输出装置8255可以包括扬声器和/或接收器。扬声器可以用于诸如多媒体播放或录音播放的通用目的,接收器可以用于接收呼入电话。接收器可以联接到扬声器作为扬声器的部分,或者可以被实现为单独的器件。
显示装置8260可以向电子装置8201的外部视觉地提供信息。显示装置8260可以包括显示器、全息装置或用于控制投影仪和相应装置的控制电路。显示装置8260可以实现参照图1至图25描述的微型LED显示装置100、200和200A。显示装置8260可以包括配置为感测触摸操作的触摸电路和/或配置为测量由触摸操作产生的力的强度的传感器电路(压力传感器等)。
音频模块8270可以将声音转换为电信号,或将电信号转换为声音。音频模块8270可以经由输入装置8250获得声音,或者经由声音输出装置8255和/或与电子装置8201直接连接或无线连接的电子装置(电子装置8202等)的扬声器和/或耳机输出声音。
传感器模块8276可以检测电子装置8201的操作状态(电力、温度等)或外部环境状态(用户状态等),并产生与检测到的状态相应的电信号或数据值。传感器模块8276可以包括手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器和/或照度传感器。
接口8277可以支持用于使电子装置8201直接连接或无线连接到另一电子装置(电子装置8202等)的一个或更多个特定协议。接口8277可以包括高清晰度多媒体接口(HDMI)接口、通用串行总线(USB)接口、SD卡接口和/或音频接口。
连接端8278可以包括连接器,电子装置8201可以通过该连接器物理连接到另一电子装置(电子装置8202等)。连接端8278可以包括HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器和/或音频连接器(耳机连接器等)。
触觉模块8279可以将电信号转换为可被用户经由触觉或动觉识别的机械刺激(振动、运动等)或电刺激。触觉模块8279可以包括电机、压电器件和/或电刺激器件。
相机模块8280可以捕获静止图像或视频。相机模块8280可以包括透镜组件(包括一个或更多个透镜)、图像传感器、图像信号处理器和/或闪光灯。相机模块8280中包括的透镜组件可以收集从物体发出的光,该物体的图像将被捕获。
电力管理模块8288可以管理被供应到电子装置8201的电力。电力管理模块8288可以被实现为电力管理集成电路(PMIC)的部分。
电池8289可以对电子装置8201的部件供电。电池8289可以包括不可再充电的一次电池、可再充电的二次电池、和/或燃料电池。
通信模块8290可以支持在电子装置8201与其它电子装置(电子装置8202、电子装置8204、服务器8208等)之间建立直接(有线)通信信道和/或无线通信信道以及经由所建立的通信信道的通信性能。通信模块8290可以包括与处理器8220(应用处理器等)分开操作并支持直接通信和/或无线通信的一个或更多个通信处理器。通信模块8290可以包括无线通信模块8292(蜂窝通信模块、短距离无线通信模块、全球导航卫星系统(GNSS)通信模块)和/或有线通信模块8294(局域网(LAN)通信模块、电力线通信模块等)。从这些通信模块,相应的通信模块可以通过第一网络8298(短距离通信网络,诸如蓝牙、Wi-Fi直连或红外数据协会(IrDA))或第二网络8299(远程通信网络,诸如蜂窝网络、互联网、或计算机网络(LAN、WAN等))与其它电子装置进行通信。上述各种类型的通信模块可以被集成为单个部件(单个芯片等),或被实现为多个部件(多个芯片)。无线通信模块8292可以通过使用存储在用户识别模块8296中的用户信息(国际移动用户识别码(IMSI)等)在第一网络8298和/或第二网络8299内识别和验证电子装置8201。
天线模块8297可以将信号和/或电力发送到外部(其它电子装置等)或者从外部接收信号或电力。天线可以包括发射器,该发射器包括形成在基板(印刷电路板(PCB)等)上的导电图案。天线模块8297可以包括一天线或多个天线。当天线模块8297包括多个天线时,可以选择适合于在通信网络(诸如第一网络8298或第二网络8299)中使用的通信方法的适当天线。通过所选择的天线,信号和/或电力可以在通信模块8290和其它电子装置之间发送或接收。除了天线之外,另外的部件(射频集成电路(RFIC)等)可以被包括在天线模块8297中。
电子装置8201的部件中的一个或更多个可以通过在外围装置之间进行的通信方法(总线、通用输入输出(GPIO)、串行外设接口(SPI)、移动工业处理器接口(MIPI)等)而彼此连接并彼此交换信号(命令、数据等)。
命令或数据可以通过与第二网络8299连接的服务器8208而在电子装置8201和另一外部电子装置8204之间发送或接收。其它电子装置8202和8204可以是关于电子装置8201相同类型或不同类型的电子装置。在电子装置8201中执行的操作的全部或部分可以由其它电子装置8202、8204和8208中的一个或更多个执行。例如,当电子装置8201必须执行功能或服务时,代替直接执行该功能或服务,可以请求一个或更多个其它电子装置执行该功能或服务的部分或全部。接收该请求的所述一个或更多个其它电子装置可以执行与该请求有关的附加功能或服务并可以将执行结果发送到电子装置8201。为此,可以使用云计算技术、分布式计算技术或客户机-服务器计算技术。
图27示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置应用于移动装置9100的示例。移动装置9100可以包括根据一示例实施方式的微型LED显示装置9110。微型LED显示装置9110可以包括参照图1至图25描述的微型LED显示装置100、200和200A。微型LED显示装置9110可以具有可折叠结构。例如,微型LED显示装置9110可以包括可多重折叠的显示装置。这里,移动装置9100被示出为包括可折叠的微型LED显示装置。然而,移动装置9100也可以包括平坦显示装置。
图28示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置应用于车辆的示例。微型LED显示装置可以应用于车辆抬头显示装置9200。车辆抬头显示装置9200可以包括:显示器9210,提供在车辆的区域中;以及至少一个光学路径改变构件9220,配置为转变光学路径以使驾驶员观看由显示器9210生成的图像。
图29示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置应用于增强现实(AR)眼镜9300或虚拟现实(VR)眼镜的示例。AR眼镜9300可以包括配置为形成图像的投影系统9310和配置为将图像从投影系统9310引导到用户的眼睛的至少一个部件9320。投影系统9310可以包括参照图1至图25描述的微型LED显示装置100、200和200A。
图30示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置应用于标识牌9400的示例。标识牌9400可以用于使用数字信息显示的户外广告,并可以通过通信网络来控制广告内容。标识牌9400可以例如通过参照图26描述的电子装置来实现。
图31示出其中根据一示例实施方式的微型LED显示装置应用于可穿戴显示器9500的示例。可穿戴显示器9500可以包括参照图1至图25描述的显示装置,或者可以通过参照图26描述的电子装置8201来实现。
此外,根据示例实施方式的微型LED显示装置100、200和200A可以应用于各种装置,诸如可卷曲电视、可拉伸显示器等。
根据示例实施方式的微型LED显示装置可以包括微型LED并降低维修率。根据示例实施方式的微型LED显示装置可以在一个子像素中包括多个微型LED,并且即使当微型LED被不规则地布置时,也可以防止电缺陷。
根据示例实施方式的制造微型LED显示装置的方法可以使得能够方便地制造该微型LED显示装置。
应当理解,这里描述的示例实施方式应当仅以描述性的含义来考虑,而不是出于限制的目的。对每个示例实施方式内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了示例实施方式,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
本申请要求于2020年9月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0113203号的优先权,其公开内容通过引用整体地结合于此。

Claims (23)

1.一种微型发光二极管(LED)显示装置,包括多个像素,所述微型LED显示装置包括:
驱动电路基板;
第一电极,提供在所述驱动电路基板上;
一个或更多个微型发光二极管(LED),提供在所述第一电极上;
绝缘层,提供在所述一个或更多个微型LED上;
通孔图案,提供在所述绝缘层中;
电接触,提供在所述通孔图案中;以及
第二电极,提供在所述电接触上,
其中所述通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述绝缘层的厚度大于所述一个或更多个微型LED的厚度。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中每个所述电接触的厚度对应于所述绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述电接触的节距小于所述一个或更多个微型LED中的每个的宽度。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述多个像素的每个包括多个子像素,并且
其中所述通孔图案提供在所述多个子像素的每个上。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述多个像素的每个包括多个子像素,并且
其中所述一个或更多个微型LED提供在所述多个子像素的每个上。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述一个或更多个微型LED被不规则地提供。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述一个或更多个微型LED连接在所述第一电极和所述第二电极之间。
9.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述电接触被提供为点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,其中所述电接触和所述第二电极具有相同的材料。
11.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,还包括提供在所述一个或更多个微型LED与所述第一电极之间的电极垫。
12.根据权利要求1所述的微型发光二极管(LED)显示装置,还包括提供在所述第二电极上的颜色转换层,所述颜色转换层配置为转换从所述一个或更多个微型LED发射的光的颜色。
13.一种制造微型发光二极管(LED)显示装置的方法,该微型发光二极管(LED)显示装置包括多个像素,该方法包括:
在驱动电路基板上提供第一电极;
向所述驱动电路基板提供一个或更多个微型发光二极管(LED),使得所述一个或更多个微型LED通过电极垫电连接到所述第一电极;
在所述一个或更多个微型LED上提供绝缘层;
在所述绝缘层中提供通孔图案,该通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分;
在所述通孔图案中提供电接触;以及
在所述电接触和所述绝缘层上提供第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述绝缘层的厚度大于所述一个或更多个微型LED的厚度。
15.根据权利要求13所述的方法,其中每个所述电接触的厚度对应于所述绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述电接触的节距小于所述一个或更多个微型LED中的每个的宽度。
17.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个像素的每个包括多个子像素,并且
其中所述通孔图案提供在所述多个子像素的每个上。
18.根据权利要求13所述的方法,其中所述多个像素的每个包括多个子像素,并且
其中所述一个或更多个微型LED提供在所述多个子像素的每个上。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述一个或更多个微型LED被不规则地提供。
20.根据权利要求13所述的方法,其中所述一个或更多个微型LED连接在所述第一电极和所述第二电极之间。
21.根据权利要求13所述的方法,其中所述电接触被提供为点状图案、条纹图案、网格图案或同心圆图案。
22.根据权利要求13所述的方法,其中所述通孔图案的深度基于调整蚀刻持续时间或基于感光材料的分辨率和临界尺寸而被选择性地调整。
23.一种微型发光二极管(LED)显示装置,包括多个像素,所述微型LED显示装置包括:
驱动电路基板;
第一电极,提供在所述驱动电路基板上;
一个或更多个微型发光二极管(LED),提供在所述第一电极上;
绝缘层,提供在所述一个或更多个微型LED上;
通孔图案,提供在所述绝缘层中;
电接触,提供在所述通孔图案中;以及
第二电极,提供在所述电接触上,
其中所述电接触与所述第一电极间隔开,以及
其中每个所述电接触的厚度对应于所述绝缘层的上表面与所述一个或更多个微型LED的上表面之间的距离。
CN202110783038.0A 2020-09-04 2021-07-12 微型发光二极管显示装置及其制造方法 Pending CN114141800A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200113203A KR20220031364A (ko) 2020-09-04 2020-09-04 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR10-2020-0113203 2020-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114141800A true CN114141800A (zh) 2022-03-04

Family

ID=76522908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110783038.0A Pending CN114141800A (zh) 2020-09-04 2021-07-12 微型发光二极管显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11764194B2 (zh)
EP (1) EP3965155A1 (zh)
KR (1) KR20220031364A (zh)
CN (1) CN114141800A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855050B2 (en) 2020-10-08 2023-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-LED displays, micro-led transferring substrates, and methods of transferring micro-LEDs using the micro-LED transferring substrates
US20220285188A1 (en) * 2021-03-02 2022-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display transfer structure including light emitting elements and transferring method of light emitting elements

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4450067B2 (ja) 2007-12-25 2010-04-14 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
JP5237854B2 (ja) * 2009-02-24 2013-07-17 パナソニック株式会社 発光装置
JP4997304B2 (ja) * 2010-03-11 2012-08-08 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5966412B2 (ja) * 2011-04-08 2016-08-10 ソニー株式会社 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
KR102402999B1 (ko) * 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US9472734B1 (en) * 2015-09-07 2016-10-18 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode display
FR3068819B1 (fr) 2017-07-04 2019-11-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage a leds
US10361337B2 (en) 2017-08-18 2019-07-23 Intel Corporation Micro light-emitting diode (LED) display and fluidic self-assembly of same
CN107731863A (zh) 2017-11-06 2018-02-23 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器
US10679911B2 (en) 2017-12-12 2020-06-09 Facebook Technologies, Llc Redundant pixel architecture in ILED displays
US10593852B2 (en) * 2018-06-20 2020-03-17 Innolux Corporation Display device having a plurality of main pads, a plurality of redundant pads, and a light-emitting device
US11121171B2 (en) 2018-11-27 2021-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN116406184A (zh) * 2018-12-31 2023-07-07 乐金显示有限公司 发光二极管显示装置
US11515456B2 (en) 2019-02-21 2022-11-29 Innolux Corporation LED with light adjusting layer extending past the LED
US11764095B2 (en) 2020-07-10 2023-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Also Published As

Publication number Publication date
EP3965155A1 (en) 2022-03-09
US20220077120A1 (en) 2022-03-10
KR20220031364A (ko) 2022-03-11
US20230402435A1 (en) 2023-12-14
US11764194B2 (en) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11676848B2 (en) Method of aligning micro light emitting element and display transferring structure
US20230402435A1 (en) Micro-light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
US20220246584A1 (en) Display transferring structure and display device including the same
US20220285581A1 (en) Display device including reflective structure
US20230261163A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20220045478A (ko) 마이크로 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20230141485A1 (en) Device transfer substrate, device transfer structure, and display apparatus
US20230215979A1 (en) Micro light-emitting element, micro light-emitting element array including the micro light-emitting element, and display device including the micro light-emitting element array
US20230109184A1 (en) Semiconductor light emitting device, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same
EP3975271A1 (en) Micro light emitting device, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same
US20220293669A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220344533A1 (en) Multi-use transfer mold and method of manufacturing display apparatus
EP4170703A1 (en) Micro semiconductor chip transfer substrate and method of manufacturing display apparatus
EP4174966A1 (en) Micro light emitting device and display apparatus including the same
US20240079395A1 (en) Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips
US20230377509A1 (en) Driving circuit board, electronic apparatus including driving circuit board, and method of fabricating electronic apparatus
EP4071809A1 (en) Color conversion structure, display apparatus, and method of manufacturing the display apparatus
KR20220085692A (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조 방법
KR20220147477A (ko) 다회용 전사 몰드 및 디스플레이 장치 제조 방법
CN116344711A (zh) 颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法
KR20240071916A (ko) 멀티폴드 마이크로 발광 소자, 이를 포함한 디스플레이 장치, 멀티폴드 마이크로 발광 소자의 제조 방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
CN115210884A (zh) 微型半导体芯片转移基板、显示转移结构、显示装置及制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination