CN118053960A - 多重微型发射器件及其制造方法以及显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了多重微型发光器件、显示装置、制造多重微型发光器件的方法以及制造显示装置的方法。多重微型发光器件包括：多个子发光器件；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一施加电压；配置为向所述多个子发光器件施加公共电压的第二电极；以及配置为将所述多个子发光器件彼此分隔的分隔件，并且所述多个子发光器件配置为单个芯片。

Description

多重微型发射器件及其制造方法以及显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种包括配置为单个芯片的多个子发光器件的多重微型发光器件、具有该多重微型发光器件的显示装置、制造该多重微型发光器件的方法以及制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器被广泛应用。最近，已经引入了使用微型发光器件制造高分辨率显示装置的技术。
为使用微型发光半导体器件制造显示装置，需要多种技术，诸如将微型尺寸的发光器件移动到期望的显示像素位置的转移技术、修复工艺以及使期望颜色实现到微型尺寸发光器件的方法。
发明内容
提供一种多重微型发光器件，其包括配置为单个芯片的多个子发光器件。
提供一种显示装置，其包括多重微型发光器件，该多重微型发光器件包括配置为单个芯片的多个子发光器件。
提供一种制造多重微型发光器件的方法，该多重微型发光器件包括配置为单个芯片的多个子发光器件。
提供一种制造显示装置的方法，该显示装置包括多重微型发光器件，该多重微型发光器件包括配置为单个芯片的多个子发光器件。
附加方面将部分地在以下描述中阐述，部分地将从该描述变得明显，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施方式而获知。
根据本公开的一方面，提供一种微型发光器件，该微型发光器件包括：多个子发光器件，包括第一类型半导体层、提供在第一类型半导体层上的有源层以及提供在有源层上的第二类型半导体层，有源层配置为发射光；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加电压；第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加公共电压；以及分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，其中所述多个子发光器件配置为单个芯片。
分隔件可以配置为将所述多个子发光器件电分隔和光学分隔。
分隔件可以包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。
分隔件可以被提供为将第二电极分隔成多个部分。
分隔件可以包括十字形阻挡肋结构。
根据本公开的另一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：包含驱动电路的驱动基板；以及接合到驱动基板的微型发光器件，其中微型发光器件包括：多个子发光器件，包括第一类型半导体层、提供在第一类型半导体层上的有源层和提供在有源层上的第二类型半导体层，有源层配置为发射光；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加电压；第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加公共电压；以及分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，其中所述多个子发光器件配置为单个芯片。
显示装置可以包括提供在所述多个子发光器件中的每个的上部上的颜色转换层。
显示装置可以包括多个像素，所述多个像素中的每个包括配置为显示蓝色的蓝色子像素、配置为显示绿色的绿色子像素和配置为显示红色的红色子像素，其中所述多个子发光器件中的每个配置为发射蓝光，绿色转换层提供在绿色子像素中的子发光器件的上部上，红色转换层提供在红色子像素中的子发光器件的上部上。
根据本公开的另一方面，提供一种制造微型发光器件的方法，该方法包括：在基板上沉积第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；通过蚀刻第二类型半导体层和有源层来形成隔离图案、第一电极图案和分隔件图案；在第二类型半导体层、隔离图案、第一电极图案和分隔件图案上提供绝缘层；通过蚀刻在对应于隔离图案的第一区域中的绝缘层和第一类型半导体层来形成隔离部；通过蚀刻在对应于分隔件图案的第二区域中的绝缘层和第一类型半导体层并在第二区域中形成分隔件，将所述多个子发光器件彼此分隔；通过相对于分隔件的上部蚀刻在第二类型半导体层的上部上的绝缘层来形成第二电极图案；在第一电极图案上形成第一电极以及在第二电极图案上形成第二电极；以及通过去除基板，通过隔离部将包括所述多个子发光器件的微型发光器件分隔成芯片单元。
根据本公开的另一方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：形成微型发光器件；使用湿转移、干转移或拾放转移中的一种将微型发光器件转移到包括驱动电路的驱动基板上；以及在微型发光器件的上部上形成颜色转换层，该微型发光器件包括：多个子发光器件，具有第一类型半导体层、提供在第一类型半导体层上的有源层以及提供在有源层上的第二类型半导体层；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加电压；第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的第一类型半导体层或第二类型半导体层施加公共电压；以及分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，其中所述多个子发光器件配置为单个芯片。
附图说明
从以下结合附图的描述，本公开的某些实施方式的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，附图中：
图1示意性示出根据一示例实施方式的多重微型发光器件的平面图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图的示例；
图3是沿着图1的线I-I'截取的截面图的另一示例；
图4示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件包括具有分隔孔结构的分隔件的示例；
图5示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件的多个子发光器件中的每个具有圆形结构的示例；
图6示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有垂直电极结构的示例；
图7是沿着图6的线II-II'截取的截面图；
图8示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有另一垂直电极结构的示例；
图9示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有另一水平电极结构的示例；
图10示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有4×4排列结构的示例；
图11示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有3×1排列结构的示例；
图12是示出将根据一示例实施方式的多重微型发光器件转移到转移基板的图；
图13示出根据一示例实施方式的多重微型发光器件被转移到转移基板的状态；
图14A示出根据一示例实施方式的显示装置；
图14B示出在图14A所示的显示装置中进一步提供颜色转换层的示例；
图15至图22是示出根据一示例实施方式的多重微型发光器件的制造方法的图；
图23至图31是示出根据另一示例实施方式的多重微型发光器件的制造方法的图；
图32是根据一示例实施方式的电子装置的示意性框图；
图33示出根据一示例实施方式的显示装置应用于移动装置的示例；
图34示出根据一示例实施方式的显示装置应用于车辆的显示装置的示例；
图35示出根据一示例实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜的示例；
图36示出根据一示例实施方式的显示装置应用于标牌的示例；以及
图37示出根据一示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的器件。在这点上，当前的实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述了实施方式以解释各方面。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述，当在一列器件之后时，修饰整列器件，而不是修饰该列表中的个别器件。如这里所使用的，在一列元件之后的表述“……中的至少一个”修饰整列元件，而不是修饰该列表中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应当被理解为包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、或者a、b和c的全部。
在下文，将参照附图描述根据各种实施方式的多重微型发光器件、具有多重微型发光器件的显示装置、多重微型发光器件的制造方法和显示装置的制造方法。相同的附图标记始终表示相同的元件，并且在附图中，为了清楚和说明的方便，元件的尺寸可以被放大。将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在这里用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个区别开。
单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另外指示。除非另外地描述，当一部分“包括”一元件时，还可以包括另一元件，而不是排除该另一元件的存在。为了说明的清楚，元件的尺寸或厚度可能被夸大。还将理解，当一材料层被称为在另一层或基板“上”时，该材料层可以直接在另一层或基板上，或者在它们之间也可以存在居间的层。以下实施方式中的每层的材料是示例，因此可以使用其它材料。
此外，在说明书中，术语“……单元”或“……模块”表示处理至少一个功能或操作的单元或模块，并可以由硬件、软件、或硬件和软件的组合来实现。
这里示出和描述的具体实现方式是说明性的示例，并不旨在以任何方式限制本公开的范围。为简洁起见，常规电子装置、控制系统、软件和系统的其它功能方面可以不被详细地描述。此外，在附图中示出的连接元件的线或构件仅说明功能连接和/或物理或电路连接。在实际装置中，部件之间的连接可以由可替换或添加的各种功能连接、物理连接或电路连接来表示。
在描述本公开的上下文中的术语“一”、“一个”和“该”以及类似指示物的使用将被解释为涵盖单数和复数两者。
这里描述的所有方法的操作可以按任何合适的顺序进行，除非这里另外指示或另外地与上下文明显矛盾。这里提供的任何和所有示例或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅旨在更好地阐明本公开，而不对本公开的范围施加限制，除非另外地声明。
图1示意性示出根据一示例实施方式的多重微型发光器件的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图。
多重微型发光器件100包括：多个子发光器件111、112、113和114；向所述多个子发光器件111、112、113和114施加公共电压的第二电极130；分别向所述多个子发光器件111、112、113和114施加电压的多个第一电极141、142、143和144；以及配置为将所述多个子发光器件111、112、113和114彼此分隔的分隔件120。所述多个子发光器件111、112、113和114可以包括例如第一子发光器件111、第二子发光器件112、第三子发光器件113和第四子发光器件114。根据图1所示的示例实施方式，四个子发光器件可以构成显示装置的一个像素。然而，本公开不限于此，因此，像素配置可以不同于图1所示的像素配置。例如，构成一个像素的子发光器件的数量可以少于或多于四个。像素可以表示在显示装置中显示颜色的最小单位，并可以包括多个子像素。多个子发光器件可以分别对应于所述多个子像素。
根据一示例实施方式，分隔件120可以配置为将所述多个子发光器件111、112、113和114电分隔。根据一示例实施方式，分隔件120可以配置为光学分隔所述多个子发光器件111、112、113和114。根据一示例实施方式，分隔件120可以配置为将所述多个子发光器件111、112、113和114电分隔和光学分隔。分隔件120可以包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。例如，分隔件120可以包括黑色矩阵光致抗蚀剂、氧化物或分布式布拉格反射层。氧化物可以包括钛氧化物、硅氧化物或铝氧化物。钛氧化物可以包括例如TiO2，硅氧化物可以包括SiO2，铝氧化物可以包括Al2O3。
分隔件120可以包括用于分隔所述多个子发光器件111、112、113和114的阻挡肋结构。根据一示例实施方式，分隔件120可以具有如图1所示的十字形阻挡肋结构，并将多重微型发光器件100分隔成第一子发光器件111、第二子发光器件112、第三子发光器件113和第四子发光器件114。然而，本公开不限于图1所示的结构，因此，分隔件120可以具有各种类型的结构。例如，分隔件120可以具有不同于十字形阻挡肋结构的阻挡结构。分隔件120可以与多重微型发光器件100的外边界间隔开。也就是，分隔件120可以不到达多重微型发光器件100的外边界，而是可以与外边界分隔开一定距离。这可以减少分隔件120对所述多个子发光器件111、112、113和114之间的接合力的削弱。分隔件120可以包括例如氧化物。
所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个可以包括第一类型半导体层121、提供在第一类型半导体层121上的有源层122和提供在有源层122上的第二类型半导体层123。这里，有源层122可以发射光。
第一类型半导体层121可以包括n型半导体。第一类型半导体层121可以包括III-V族n型半导体，例如n-GaN。第一类型半导体层121可以具有单层或多层结构。
有源层122可以提供在第一类型半导体层121的上表面上。根据一示例实施方式，有源层122可以直接提供在第一类型半导体层121的上表面上。有源层122可以使电子和空穴结合以产生光。有源层122可以具有多量子阱(MQW)或单量子阱(SQW)结构。有源层122可以包括III-V族半导体，例如GaN。
第二类型半导体层123可以提供在有源层122的上表面上。根据一示例实施方式，第二类型半导体层123可以直接提供在有源层122的上表面上。第二类型半导体层123可以包括例如p型半导体。第二类型半导体层123可以包括III-V族p型半导体，例如p-GaN。第二类型半导体层123可以具有单层或多层结构。替代地，当第一类型半导体层121包括p型半导体时，第二类型半导体层123可以包括n型半导体。
第二电极130可以被提供为与所述多个子发光器件111、112、113和114共同接触。也就是，第二电极130可以位于所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个的部分区域上方。第二电极130可以作为公共电极操作。例如，可以提供分隔件120以将第二电极130分隔成四部分。所述多个第一电极141、142、143和144可以分别独立地提供在所述多个子发光器件111、112、113和114中。所述多个第一电极141、142、143和144可以作为像素电极操作。所述多个第一电极141、142、143和144中的每个可以连接到相应的第一类型半导体层121，第二电极130可以连接到所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个的第二类型半导体层123。多重微型发光器件100可以具有水平电极结构，其中第二电极130和所述多个第一电极141、142、143和144提供在同一平面上。
根据一示例实施方式，第二电极130可以提供在所述多个子发光器件111、112、113和114的中心区域中，所述多个第一电极141、142、143和144可以分别提供在所述多个子发光器件111、112、113和114的外边界附近，使得在第二电极130和所述多个第一电极144中的每个之间的距离可以满足标准。例如，在第二电极130和所述多个第一电极141、142、143和144中的每个之间的距离可以被确保尽可能大，使得第二电极130和所述多个第一电极141、142、143和144中的每个与薄膜晶体管(TFT)的电连接能够容易地进行。
根据一示例实施方式，缓冲层124可以提供在第一类型半导体层121的与其上提供有源层122的一侧相对的一侧上。例如，缓冲层124可以提供在第一类型半导体层121下面。根据一示例实施方式，缓冲层124可以用于辅助第一类型半导体层121、有源层122和第二类型半导体层123的生长，并可以包括AlN。根据一示例实施方式，通路147可以对应于所述多个第一电极141、142、143和144提供。例如，所述多个第一电极141、142、143和144中的每个可以包括提供在通路147中的部分，通路147穿过第二类型半导体层123和有源层122以到达第一类型半导体层121。根据一示例实施方式，绝缘层125可以提供在第二类型半导体层123上。绝缘层125也可以提供在穿透第二类型半导体层123和有源层122的通路147中，使得所述多个第一电极141、142、143和144与第二类型半导体层123和有源层122绝缘。分隔件120可以具有从第二类型半导体层123延伸到第一类型半导体层121的阻挡肋结构。分隔件120可以穿过第二类型半导体层123、有源层122和第一类型半导体层121提供。分隔件120可以阻挡或最小化所述多个子发光器件111、112、113和114之间的电流，使得所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个执行独立的发光操作。
如上所述，在根据一示例实施方式的多重微型发光器件100中，所述多个子发光器件111、112、113和114可以配置在单个芯片结构中。因此，可以减小子发光器件的尺寸，并且即使尺寸减小，也可以确保在第二电极130与所述多个第一电极141、142、143和144中的每个之间的所需距离。此外，当使用多重微型发光器件100制造显示装置时，多重微型发光器件可以以芯片为单位转移，从而一次转移多个子发光器件。
图3示出在图2的多重发光器件中进一步提供氧化物层的示例。与图2相比，尽管第一电极和第二电极的形状在图3中略微不同，但是使用相同的附图标记进行描述。例如，所述多个第一电极和绝缘层125可以提供在第二类型半导体层123和有源层122中的开口中。该开口可以是V形开口。使用与图2中的附图标记相同的附图标记的部件具有基本上相同的功能和作用，因此，省略对其的详细描述，这里将仅描述不同之处。根据一示例实施方式，氧化物层126可以提供在缓冲层124的与其上提供第一类型半导体层121的一侧不同的一侧上。例如，进一步提供在缓冲层124下面。氧化物层126可以通过背侧沉积形成。此外，分隔件120可以从第二类型半导体层123提供到氧化物层126。也就是，分隔件120可以提供在第二电极130下面，并可以穿透第二类型半导体层123、有源层122、第一类型半导体层121、缓冲层124和氧化物层126。
图4示出根据一示例实施方式的其中分隔件128具有分隔孔结构的示例。例如，分隔件128可以配置为在所述多个子发光器件111、112、113和114之间的分隔空间。具有分隔孔结构的分隔件128可以提供在所述多个子发光器件111、112、113和114之间，并且所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个可以通过第二电极130彼此结合。
图5示出在图4的多重微型发光器件中修改所述多个子发光器件中的每个的形状的示例。在图4中，所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个可以具有矩形截面形状，并且在图5中，所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个可以具有圆形截面形状。然而，本公开不限于矩形截面形状或圆形截面形状，因此，根据另一示例实施方式，所述多个子发光器件111、112、113和114中的每个的形状可以以各种方式修改。
图6示出根据示例实施方式的其中多重微型发光器件具有垂直电极结构的示例。图7是沿着图6的线II-II'截取的截面图。仅描述在图1和图2与图6和图7之间的差异。
所述多个第一电极141、142、143和144可以提供在第二类型半导体层123上并且电连接到第二类型半导体层123，第二电极130可以提供在第一类型半导体层121下面并且电连接到第一类型半导体层121。这里，多重微型发光器件可以被分隔件120分隔成所述多个子发光器件111、112、113和114。
图8示出根据另一示例实施方式的具有垂直电极结构的多重微型发光器件。所述多个第一电极141、142、143和144可以提供在第二类型半导体层123上并且电连接到第一类型半导体层121，第二电极130可以提供在第一类型半导体层121下面并且连接到第二类型半导体层123。在这种情况下，第二电极130可以通过氧化物层126与第一类型半导体层121绝缘。在多重微型发光器件的中心部分中的分隔件120可以提供在绝缘层125和第二电极130之间。
图9示出根据另一示例实施方式的具有水平电极结构的多重微型发光器件。所述多个第一电极141、142、143和144可以提供在第二类型半导体层123上并且电连接到第二类型半导体层123，第二电极130可以提供在第二类型半导体层123上并且电连接到第一类型半导体层121。在这种情况下，第二电极130可以通过绝缘层125与第二类型半导体层123绝缘。多重微型发光器件的中心部分中的分隔件120可以从第二电极130穿过氧化物层126提供。
图10示出其中多重微型发光器件具有4×4子像素结构的示例。也就是，多个子发光器件可以具有4×4的排列结构。
多重微型发光器件200可以包括多个多重微型发光器件单元100U。多重微型发光器件单元100U与参照图1描述的多重微型发光器件100基本上相同，因此省略其详细描述。替代地，参照图2至图9描述的其它多重微型发光器件也可以用作多重微型发光器件单元100U。所述多个多重微型发光器件单元100U中的每个可以具有例如2×2的排列结构，并且另一分隔件160可以提供在所述多个多重微型发光器件单元100U之间。另一分隔件160可以具有阻挡肋结构或分隔孔结构，以光学分隔和电分隔所述多个多重微型发光器件单元100U。另一分隔件160可以具有例如十字形阻挡肋结构或十字形分隔孔结构。另一分隔件160可以与多重微型发光器件200的外边界间隔开一定距离。
根据一示例实施方式，所述多个多重微型发光器件单元100U可以由其它分隔件160分隔以具有单芯片结构。如以上的，当所述多个多重微型发光器件单元100U被实现为单个芯片结构时，下面将要描述的显示装置可以一次将大量子发光器件111、112、113和114转移到转移基板。多重微型发光器件200的尺寸相对大于所述多个子发光器件111、112、113和114中的一个的尺寸，因此多重微型发光器件200可以容易地转移到转移基板，并提高转移产率。
尽管在图10所示的示例实施方式中示出4×4子像素结构，但是根据另一示例实施方式，也可以将多重微型发光器件200配置为具有更大数量的子像素的结构。
图11示出根据一示例实施方式的其中多重微型发光器件具有1×3排列结构的示例。多重微型发光器件300可以包括第一子发光器件311、第二子发光器件312和第三子发光器件313。第一子发光器件311、第二子发光器件312和第三子发光器件313可以被分隔件320分隔。第一子发光器件311、第二子发光器件312和第三子发光器件313中的每个可以包括共同向相邻的子发光器件施加电压的第一电极330和第二电极335。第二电极335可以具有半圆形截面。多重微型发光器件300可以具有垂直电极结构或水平电极结构。
如上所述，根据一示例实施方式的多重微型发光器件300可以配置为使得多个子发光器件通过分隔件320具有单个芯片结构。
图12示出根据一示例实施方式将多重微型发光器件转移到转移基板。在下文，描述通过湿转移方法转移多重微型发光器件的方法。
转移基板420可以包括多个井410。转移基板420可以提供为单层，或者可以包括多层。所述多个井410中的每个可以被提供来容纳多重微型发光器件100。多重微型发光器件100可以包括各种类型的子发光器件，每个子发光器件具有微型尺寸，该微型尺寸可以等于或小于1000μm或者可以等于或小于200μm。多重微型发光器件100可以包括例如发光二极管(LED)、互补金属氧化物半导体(CMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管(PD)、存储器件、二维(2D)材料器件等。2D材料可以是石墨烯或碳纳米管(CNT)。
根据一示例实施方式，液体被供应到井410。可以使用任何类型的液体，只要该液体不会腐蚀或损坏多重微型发光器件100。该液体可以包括例如包括水、乙醇、酒精、多元醇、酮、卤代烃、丙酮、熔剂和有机溶剂的组中的一种或组合。有机溶剂可以包括例如异丙醇(IPA)。可用的液体不限于此，并且各种变化是可能的。
可以使用向井410供应液体的各种方法，诸如喷射法、分配法、喷墨点法或使液体流向转移基板420的方法。供应的液体的量可以以各种方式调节，以适合于井410或从井410中的一个或更多个溢出。
向转移基板420供应多个多重微型发光器件100。多重微型发光器件100可以在没有任何其它液体的情况下直接喷射在转移基板420上，或者可以以包括在悬浮液中的状态提供。作为供应包含在悬浮液中的多重微型发光器件100的方法，可以以各种方式使用喷射法、逐滴地滴下液体的分配法、像印刷法一样排放液体的喷墨点法以及将悬浮液流到转移基板420上的方法等。
用能够吸收液体的吸收体440扫描转移基板420。吸收体440只要是能够吸收液体的材料就足够了，并且其形状或结构不受限制。吸收体440可以包括例如织物、薄纸、聚酯纤维、纸或擦拭物。吸收体440可以在没有任何其它辅助设备的情况下单独使用，但是不限于此，并可以联接到支撑件450以方便地扫描转移基板420。支撑件450可以具有适于扫描转移基板420的各种形状和结构。支撑件450可以具有诸如杆、刀片、板或擦拭物的形式。吸收体440可以提供在支撑件450的任一侧，或者可以环绕支撑件450。
吸收体440可以在以适当的压力按压转移基板420的同时扫描转移基板420。扫描可以包括吸收体440与转移基板420接触并在经过所述多个井410时吸收液体的操作。扫描可以以各种方式进行，诸如吸收体440的滑动方法、转动方法、平移运动方法、往复运动方法、滚动方法、旋转方法和/或摩擦方法，并可以包括规则方法和不规则方法两者。扫描可以通过移动转移基板420而不是移动吸收体440来执行，并且转移基板420的扫描也可以以滑动方法、转动方法、平移运动方法、往复运动方法、滚动方法、旋转方法和/或摩擦方法来执行。扫描也可以通过吸收体440和转移基板420的协作来执行。
多重微型发光器件100包括多个子发光器件，因此，当多重微型发光器件100转移到转移基板420时，可以快速有效地执行转移操作。在图12中，已经使用多重微型发光器件100作为示例描述了转移方法，但是该转移方法可以应用于参照图2至图11描述的各种多重发光器件。
以上已经将湿转移方法描述为多重微型发光器件100的转移方法，但是也使用干转移方法或拾放转移方法。
图13是示出多重微型发光器件100被转移到转移基板420的状态的平面图。多重微型发光器件100在井410中对准。显示装置可以通过将转移到转移基板420的多重微型发光器件100转移到下面将描述的驱动基板来制造。替代地，转移基板420本身可以用作包括用于驱动多重微型发光器件100的驱动电路的驱动基板。
图14A示出根据一示例实施方式的显示装置。
显示装置500可以包括包含驱动电路505的驱动基板510以及接合到驱动基板510的多重微型发光器件100。驱动基板510可以是背板基板。多重微型发光器件100本身可以构成一个像素PX或多个像素PX。像素PX可以包括多个子像素SPX。参照图1至图11描述的那些可以应用于多重微型发光器件100。驱动电路505可以包括薄膜晶体管(TFT)。根据晶体管的半导体材料，TFT可以分为非晶硅、多晶硅、单晶硅和氧化物晶体管，每个子像素可以通过晶体管的组合控制发光的开/关和发光强度来显示图像。在显示装置500中，可以通过基于TFT的电流源对于每个子像素驱动微型发光器件100，并且可以基于微型发光器件100的稳定性来实现各种形状因子，该微型发光器件100是无机材料并可以具有抗劣化性。
如参照图12和图13所述，可以通过将转移到转移基板420的多重微型发光器件100再次转移到驱动基板510来制造显示装置500，从而与转移单个子发光器件的情况相比，简化了转移工艺和接合工艺，并且与使用单个子发光器件的情况相比，可以减小多重微型发光器件100的子发光器件的尺寸，从而提高分辨率。
图14B示出在图14A所示的显示装置500中进一步提供颜色转换层520的示例。当多重微型发光器件100应用于显示装置500时，在后续工艺中，可以基于每个像素的红色、绿色和蓝色图像信息来实现全色。
显示装置500可以包括多个像素PX，所述多个像素PX中的每个可以包括多个子像素SPX。在一实施方式中，多重微型发光器件100的子发光器件111、112、113和114中的每个可以发射蓝光。例如，所述多个像素PX中的每个可以包括显示蓝色的蓝色子像素、显示绿色的绿色子像素和显示红色的红色子像素。
颜色转换层520可以包括例如将从多重微型发光器件100发射的光转换成蓝光B的蓝色转换层521、将光转换成绿光G的绿色转换层522、将光转换成红光R的红色转换层523以及将光转换成绿光G的绿色转换层524。替代地，可以提供仅对应于红色子像素和绿色子像素的颜色转换层，并且可以不对于蓝色子像素单独提供颜色转换层。
颜色转换层520可以包括量子点。具有几nm尺寸的无机材料的量子点可以具有特定波长的能带间隙，并在吸收能量高于能带间隙的光时发射不同波长的光。量子点可以具有窄的发光波长带，从而增加显示装置的颜色再现性。例如，颜色转换层520可以具有膜形式，其中量子点分布在光致抗蚀剂上。量子点可以具有拥有芯部分和壳部分的芯-壳结构，或者可以具有没有壳的颗粒结构。芯-壳结构可以是单壳或多壳结构，例如双壳结构。
量子点可以包括II-VI族系列半导体、III-V族系列半导体、IV-VI族系列半导体、IV族系列半导体和/或石墨烯量子点。量子点可以包括例如Cd、Se、Zn、S和/或InP，并可以具有等于或小于几十nm的直径，例如等于或小于约10nm。根据其材料或尺寸，当被蓝光B激发时，量子点可以发射绿光G或红光R。
图15至图22是示出根据一示例实施方式的多重微型发光器件的制造方法的图。
参照图15，第一类型半导体层621、有源层622和第二类型半导体层623可以沉积在基板610上。基板610可以是例如硅基板、蓝宝石基板或玻璃基板。然而，基板610不限于此，并且可以使用各种外延基板。第一类型半导体层621可以包括例如n型半导体层。第一类型半导体层621可以包括n-GaN层。有源层622可以具有多量子阱(MQW)或单量子阱(SQW)结构。有源层622可以包括III-V族系列半导体，例如GaN。第二类型半导体层623可以包括p型半导体层。缓冲层615可以形成在基板610和第一类型半导体层621之间。缓冲层615可以包括AlN。根据一示例实施方式，缓冲层615可以用于辅助第一类型半导体层621、有源层622和第二类型半导体层623的生长，并可以包括AlN。
参照图16A，可以通过蚀刻第二类型半导体层623和有源层622来形成第一图案631、第二图案632和第三图案633。第一图案631可以是用于分隔件的图案，第二图案632可以是用于第一电极的图案，第三图案633可以是用于隔离部的图案。根据一示例实施方式，第一图案631、第二图案632和第三图案633可以是开口。图16B是图16A的平面图，图16A是沿着图16B的线III-III'截取的截面图。参照图16B，第一图案631可以具有十字形孔形状，第二图案632可以具有圆形孔形状，第三图案633可以具有方形环孔形状。然而，第一图案631、第二图案632和第三图案633的形状不限于此。
参照图17，绝缘层624可以沉积在第二类型半导体层623上。此外，参照图18，可以通过在对应于第三图案633的区域中进一步蚀刻绝缘层624、第一类型半导体层621和缓冲层615来形成隔离部635。如下面将描述的，隔离部635用于将形成在晶片上的发光器件堆叠结构分隔成多重微型发光器件单元。
参照图19，可以进一步蚀刻在对应于第一图案631的区域中的绝缘层624和第一类型半导体层621，并可以在蚀刻区域中形成分隔件640。分隔件640可以包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。分隔件640可以包括黑矩阵光致抗蚀剂、氧化物或分布式布拉格反射器中的至少一种。氧化物可以包括TiO2、SiO2或AlOx。如图16B所示，第一图案631形成在距第三图案633的一定距离处，使得第一图案631不与第三图案633相遇，形成在对应于第一图案631的区域中的分隔件640可以与隔离部635间隔开提供。
参照图20，可以通过蚀刻绝缘层624而形成第四图案642。第四图案642可以与分隔件640部分地重叠。第四图案642可以是第二电极图案。参照图21，第一电极645可以沉积在第二图案632上，第二电极650可以沉积在第四图案642上。第一电极645可以分成被分隔件640分隔的多个区域，第二电极650可以公共地位于被分隔件640分隔的区域中。第一电极645和第二电极650可以包括Ag、Au、Al、Cr、Ni或其合金。然而，第一电极645和第二电极650不限于此。
参照图22，可以使用化学剥离法去除基板610。随着基板610被去除，多重微型发光器件660可以沿着隔离部635分成单个芯片单元。隔离部635可以是用于将制造在晶片上的微型发光器件阵列分成多重微型发光器件660的边界。
图23至图31是示出根据另一示例实施方式的多重微型发光器件的制造方法的图。
参照图23，缓冲层715、第一类型半导体层721、有源层722和第二类型半导体层723可以沉积在基板710上，第一图案731和第二图案732可以通过蚀刻第二类型半导体层723和有源层722形成。第一图案731可以是用于第一电极的图案，第二图案732可以是用于隔离部的图案。第一图案731可以形成为与包括在一个多重微型发光器件中的子发光器件的数量一样多。第二图案732可以是用于将晶片上的芯片单元中的多重微型发光器件分隔开的边界区域，并可以具有闭合环形状。例如，第二图案732可以包括矩形闭合环形状或圆形闭合环形状。
参照图24，绝缘层724可以沉积在第二类型半导体层723上。此外，参照图25，可以通过在对应于第二图案732的区域中蚀刻绝缘层724和第一类型半导体层721来形成隔离部735。隔离部735可以包括闭合环分隔空间或闭合环孔结构。
参照图26，可以通过蚀刻绝缘层724来形成第三图案733。第三图案733可以是第二电极图案。
参照图27，第一电极745可以形成在第一图案731上，第二电极750可以形成在第三图案733上。参照图28，可以沉积粘合层755以覆盖第一电极745和第二电极750，并且可以在粘合层755上形成操作基板758。
图29示出图28所示的结构颠倒的状态。参照图29，可以通过化学剥离方法分离基板710。
参照图30，可以在缓冲层715上沉积背侧氧化物层760。此外，可以通过蚀刻背侧氧化物层760、缓冲层715、第一类型半导体层721、有源层722和第二类型半导体层723来形成分隔件孔765。分隔件770可以通过用分隔件材料填充分隔件孔765来形成。
在图30中，可以使用化学剥离法去除操作基板758。参照图31，当通过化学剥离方法去除粘合层755时，多重微型发光器件780可以沿着隔离部735被分隔成单个芯片单元。隔离部735可以是用于将制造在晶片上的微型发光器件阵列分隔成多重微型发光器件780的边界。
如上所述，在根据示例实施方式的多重微型发光器件的制造方法中，可以在单个芯片结构中制造多个子发光器件。
在根据示例实施方式的显示装置的制造方法中，可以通过湿转移、干转移和拾放转移方法中的任一种将如上所述制造的多重微型发光器件660和780转移到包括驱动基板的驱动电路。已经参照图12、图13和图14A描述了转移方法，因此省略对其的详细描述。此外，再次参照图14B，颜色转换层520可以形成在多重微型发光器件上。
根据示例实施方式的多重微型发光器件可以解决由于微型发光器件的尺寸随着显示装置分辨率的提高而减小而在转移操作中操纵微型发光器件的困难以及确保与TFT电连接的电极之间的距离的困难。多重微型发光器件780允许多个子发光器件被包括在一个芯片中，然后被转移，从而在保持高分辨率的同时减少了由微型发光器件780的小型化引起的工艺困难。
在一个芯片中包括多个子发光器件的多重微型发光器件780最终包括一个第二电极和与所述多个子发光器件的数量相对应的第一电极以便由TFT独立地驱动，从而容易地确保电极之间所需的距离以与TFT电连接。此外，多重微型发光器件780的尺寸保持在转印操作中易于操纵的范围内，因此，相对于高分辨率，高速度/高产率的转移是可能的。根据示例实施方式的多重微型发光器件可以在被转移到转移基板之后接合到驱动基板的驱动电路的电极(pole)。替代地，多重微型发光器件780可以在被转移到转移基板之后通过后续的光刻工艺连接到TFT的电极。
图32是根据一示例实施方式的包括显示装置的电子装置的框图。
参照图32，电子装置8201可以提供在网络环境8200中。在网络环境8200中，电子装置8201可以通过第一网络8298(诸如近距离无线通信网络等)与另一电子装置8202通信，或者通过第二网络8299(诸如远距离无线通信网络)与另一电子装置8204和/或服务器8208通信。电子装置8201可以通过服务器8208与电子装置8204通信。电子装置8201可以包括处理器8220、存储器8230、输入装置8250、音频输出装置8255、显示装置8260、音频模块8270、传感器模块8276、接口8277、触觉模块8279、相机模块8280、电力管理模块8288、电池8289、通信模块8290、用户识别模块8296和/或天线模块8297。在电子装置8201中，可以省略这些部件中的一些或者可以添加其它部件。这些部件中的一些可以被实现为一个集成电路。例如，传感器模块8276(指纹传感器、虹膜传感器、照度传感器等)可以通过嵌入在显示装置8260(显示器等)中来实现。
处理器8220可以运行软件(程序8240等)以控制电子装置8201的连接到处理器8220的一个或多个其它部件(诸如硬件、软件组件等)，并执行各种数据处理或操作。作为数据处理或操作的部分，处理器8220可以将从其它部件(传感器模块8276、通信模块8290等)接收到的命令和/或数据加载到易失性存储器8232中，处理存储在易失性存储器8232中的命令和/或数据，并将结果数据存储在非易失性存储器8234中。非易失性存储器8234可以包括内部存储器8236和外部存储器8238。处理器8220可以包括主处理器8221(诸如中央处理单元、应用处理器等)以及可独立地操作或一起操作的辅助处理器8223(诸如图形处理单元、图像信号处理器、传感器中枢处理器、通信处理器等)。辅助处理器8223可以使用比主处理器8221更少的电力并可以执行专门的功能。
当主处理器8221处于非激活状态(睡眠状态)时，辅助处理器8223可以代替主处理器8221控制与电子装置8201的部件中的一些(诸如显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能和/或状态，或者当主处理器8221处于激活状态(应用运行状态)时，辅助处理器8223可以与主处理器8221一起控制与电子装置8201的部件中的一些(诸如显示装置8260、传感器模块8276、通信模块8290等)相关的功能和/或状态。辅助处理器8223(诸如图像信号处理器、通信处理器等)可以被实现为其它功能相关的部件(诸如相机模块8280、通信模块8290等)的部分。
存储器8230可以存储电子装置8201的部件(诸如处理器8220、传感器模块8276等)需要的各种数据。数据可以包括例如软件(诸如程序8240等)以及用于与其相关的命令的输入数据和/或输出数据。存储器8230可以包括易失性存储器8232和/或非易失性存储器8234。
程序8240可以作为软件存储在存储器8230中，并可以包括操作系统8242、中间件8244和/或应用8246。
输入装置8250可以从电子装置8201的外部(用户)接收将用于电子装置8201的部件(诸如处理器8220等)的命令和/或数据。输入装置8250可以包括遥控器、麦克风、鼠标、键盘和/或数字笔(诸如触控笔)。
音频输出装置8255可以将音频信号输出到电子装置8201的外部。音频输出装置8255可以包括扬声器和/或接收器。扬声器可以用于一般用途，诸如多媒体播放或录音播放，接收器可以用于接收呼入来电。接收器可以被结合为扬声器的部分或者可以被实现为独立的单独器件。
显示装置8260可以向电子装置8201的外部视觉地提供信息。显示装置8260可以包括显示器、全息装置或投影仪以及用于控制该装置的控制电路。显示装置8260可以包括根据一示例实施方式的显示装置。显示装置8260可以包括设定为感测触摸的触摸电路和/或设定为测量由触摸产生的力的强度的传感器电路(诸如压力传感器)。
音频模块8270可以将声音转换成电信号，或者相反地，可以将电信号转换成声音。音频模块8270可以通过输入装置8250获得声音或者通过音频输出装置8255的扬声器和/或耳机和/或直接连接或无线连接到电子装置8201的其它电子装置(诸如电子装置8202)输出声音。
传感器模块8276可以检测电子装置8201的操作状态(诸如电力、温度等)或外部环境状态(诸如用户状态等)，并生成与检测到的状态对应的电信号和/或数据值。传感器模块8276可以包括手势传感器、陀螺仪传感器、气压传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器和/或照度传感器。
接口8277可以支持可用于电子装置8201以直接或无线地与另一电子装置(诸如电子装置8202)连接的一个或更多个指定协议。接口8277可以包括高清晰度多媒体接口(HMDI)、通用串行总线(USB)接口、SD卡接口和/或音频接口。
连接端8278可以包括连接器，电子装置8201可以通过该连接器物理连接到另一电子装置(诸如电子装置8202)。连接端8278可以包括HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器和/或音频连接器(诸如耳机连接器)。
触觉模块8279可以将电信号转换成用户可通过触觉或动觉识别的机械刺激(诸如振动、运动等)或电刺激。触觉模块8279可以包括电机、压电元件和/或电刺激器件。
相机模块8280可以捕捉静止图像和视频。相机模块8280可以包括透镜组件、图像传感器、图像信号处理器和/或闪光灯，透镜组件包括一个或更多个透镜。包括在相机模块8280中的透镜组件可以收集从作为图像捕捉的对象的物体发射的光。
电力管理模块8288可以管理供应给电子装置8201的电力。电力管理模块8288可以被实现为电力管理集成电路(PMIC)的部分。
电池8289可以向电子装置8201的部件供电。电池8289可以包括不可再充电的一次电池、可再充电的二次电池和/或燃料电池。
通信模块8290可以支持建立直接(有线)通信信道和/或无线通信信道并通过建立的通信信道在电子装置8201和其它电子装置(诸如电子装置8202、电子装置8204、服务器8208等)之间进行通信。通信模块8290可以包括独立于处理器8220(诸如应用处理器)操作并支持直接通信和/或无线通信的一个或更多个通信处理器。通信模块8290可以包括无线通信模块8292(诸如蜂窝通信模块、近距离无线通信模块、全球导航卫星系统(GNSS)等)和/或有线通信模块8294(诸如局域网(LAN)通信模块、电力线通信模块等)。在这些通信模块当中，对应通信模块可以通过第一网络8298(近距离通信网络，诸如蓝牙、Wi-Fi直连或红外数据协会(IrDA))或第二网络8299(蜂窝网络、互联网或远程通信网络，诸如计算机网络(诸如LAN、WAN等))与其它电子装置通信。这些各种类型的通信模块可以被集成到一个部件(诸如单个芯片等)中，或者可以被实现为多个单独的部件(多个芯片)。无线通信模块8292可以使用存储在用户识别模块8296中的用户信息(诸如国际移动用户识别码(IMSI)等)来在通信网络(诸如第一网络8298和/或第二网络8299)中验证和认证电子装置8201。
天线模块8297可以向外部(诸如其它电子装置)发送信号和/或电力，或者从外部接收信号和/或电力。天线可以包括由形成在基板(诸如PCB等)上的导电图案制成的辐射器。天线模块8297可以包括一个天线或多个天线。当包括多个天线时，可以由通信模块8290从所述多个天线当中选择适合于通信网络(诸如第一网络8298和/或第二网络8299)中使用的通信方案的天线。通过所选择的天线，可以在通信模块8290和另一电子装置之间发送或接收信号和/或电力。除了天线之外，其它部件(诸如RFIC)可以被包括作为天线模块8297的部分。
所述部件中的一些通过外围装置之间的通信方法(诸如总线、通用输入输出(GPIO)、串行外围接口(SPI)、移动工业处理器接口(MIPI)等)彼此连接并可以交换信号(诸如命令、数据等)。
命令或数据可以通过连接到第二网络8299的服务器8208而在电子装置8201和外部电子装置8204之间发送或接收。其它电子装置8202和8204可以是与电子装置8201相同类型或与电子装置8201不同类型的装置。由电子装置8201执行的操作的全部或一些可以由其它电子装置8202、8204和8208中的一个或更多个执行。例如，当电子装置8201需要执行特定功能或服务时，电子装置8201可以请求一个或更多个其它电子装置执行所述功能或服务的全部或部分，代替自己执行该功能或服务。接收到该请求的所述一个或更多个其它电子装置可以执行与该请求相关的附加功能或服务，并将执行结果传送到电子装置8201。为此，可以使用云计算、分布式计算和/或客户端-服务器计算技术。
图33示出根据一示例实施方式的显示装置应用于移动装置的示例。移动装置9100可以包括显示装置9110，并且显示装置9110可以包括根据实施方式的显示装置。显示装置9110可以具有可折叠结构，例如多重可折叠结构。
图34示出根据一示例实施方式的显示装置应用于车辆的示例。显示装置可以是车辆平视显示装置9200，并可以包括提供在车辆的一区域中的显示器9210以及转换光路使得驾驶员可以看到在显示器9210上生成的图像的光路改变构件9220。
图35示出根据一示例实施方式的显示装置应用于增强现实眼镜或虚拟现实眼镜的示例。增强现实眼镜9300可以包括形成图像的投影系统9310以及将图像从投影系统9310引导到用户的眼睛中的元件9320。投影系统9310可以包括根据示例实施方式的显示装置。
图36是根据一示例实施方式的显示装置应用于大型标牌的示例。标牌9400可以用于使用数字信息显示器的户外广告，并可以通过通信网络控制广告内容等。标牌9400可以例如通过参照图32描述的电子装置来实现。
图37示出根据一示例实施方式的显示装置应用于可穿戴显示器的示例。可穿戴显示器9500可以包括上述显示基板和微芯片，并可以通过参照图32描述的电子装置来实现。
根据示例实施方式的显示装置也可以应用于各种产品，诸如可卷曲的电视和可拉伸的显示器。
在根据示例实施方式的多重微型发光器件中，多个子发光器件配置为单个芯片，因此，即使以小的子像素尺寸，也可以确保电极之间的所需距离。根据示例实施方式的显示装置可以通过转移多重微型发光器件来制造。此外，多重微型发光器件的制造方法可以在单个芯片结构中制造多个子发光器件。
应当理解，这里描述的实施方式应当仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制的目的。对每个实施方式内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。
本申请基于2022年11月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0153997号并要求其优先权，其公开内容通过引用整体地结合于此。

Claims (20)

1.一种微型发光器件，包括：
多个子发光器件，包括第一类型半导体层、提供在所述第一类型半导体层上的有源层和提供在所述有源层上的第二类型半导体层，所述有源层配置为发射光；
多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加电压；
第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加公共电压；以及
分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，
其中所述多个子发光器件配置为单个芯片。
2.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述分隔件配置为将所述多个子发光器件电分隔和光学分隔。
3.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述分隔件包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。
4.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述分隔件被提供为将所述第二电极分隔成多个部分。
5.根据权利要求1所述的微型发光器件，其中所述分隔件包括十字形阻挡肋结构。
6.一种显示装置，包括：
包含驱动电路的驱动基板；和
接合到所述驱动基板的微型发光器件，
其中所述微型发光器件包括：
多个子发光器件，包括第一类型半导体层、提供在所述第一类型半导体层上的有源层和提供在所述有源层上的第二类型半导体层，所述有源层配置为发射光；
多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加电压；
第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加公共电压；以及
分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，
其中所述多个子发光器件配置为单个芯片。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
提供在所述多个子发光器件中的每个的上部上的颜色转换层。
8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
多个像素，所述多个像素中的每个包括配置为显示蓝色的蓝色子像素、配置为显示绿色的绿色子像素和配置为显示红色的红色子像素，
其中所述多个子发光器件中的每个配置为发射蓝光，绿色转换层提供在所述绿色子像素中的子发光器件的上部上，红色转换层提供在所述红色子像素中的子发光器件的上部上。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述分隔件配置为将所述多个子发光器件电分隔和光学分隔。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述分隔件包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。
11.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述分隔件包括十字形阻挡肋结构。
12.一种制造微型发光器件的方法，所述方法包括：
在基板上沉积第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；
通过蚀刻所述第二类型半导体层和所述有源层来形成隔离图案、第一电极图案和分隔件图案；
在所述第二类型半导体层、所述隔离图案、所述第一电极图案和所述分隔件图案上提供绝缘层；
通过蚀刻在对应于所述隔离图案的第一区域中的所述绝缘层和所述第一类型半导体层来形成隔离部；
通过蚀刻在对应于所述分隔件图案的第二区域中的所述绝缘层和所述第一类型半导体层并在所述第二区域中形成分隔件，将所述多个子发光器件彼此分隔；
通过相对于所述分隔件的上部蚀刻在所述第二类型半导体层的上部上的所述绝缘层来形成第二电极图案；
在所述第一电极图案上形成第一电极以及在所述第二电极图案上形成第二电极；以及
通过去除所述基板，通过所述隔离部将包括所述多个子发光器件的所述微型发光器件分隔成芯片单元。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述分隔件配置为将所述多个子发光器件电分隔和光学分隔。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述分隔件包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述分隔件被提供为将所述第二电极分隔成多个部分。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述分隔件包括十字形阻挡肋结构。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成微型发光器件，所述微型发光器件包括：多个子发光器件，所述多个子发光器件具有第一类型半导体层、提供在所述第一类型半导体层上的有源层和提供在所述有源层上的第二类型半导体层；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加电压；第二电极，配置为向所述多个子发光器件中的每个的所述第一类型半导体层或所述第二类型半导体层施加公共电压；以及分隔件，配置为将所述多个子发光器件彼此分隔，其中所述多个子发光器件配置为单个芯片；
使用湿转移、干转移或拾放转移中的一种将所述微型发光器件转移到包括驱动电路的驱动基板上；以及
在所述微型发光器件的上部上形成颜色转换层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述显示装置包括多个像素，所述多个像素中的每个包括配置为显示蓝色的蓝色子像素、配置为显示绿色的绿色子像素和配置为显示红色的红色子像素，以及
其中所述多个子发光器件中的每个配置为发射蓝光，绿色转换层提供在所述绿色子像素中的子发光器件的上部上，红色转换层提供在所述红色子像素中的子发光器件的上部上。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述分隔件配置为将所述多个子发光器件电分隔和光学分隔。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述分隔件包括具有光吸收或反射特性的绝缘体。
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