CN116034297A - 用于投射曝光系统的场分面镜的场分面 - Google Patents

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Abstract

用于投射曝光系统的场分面镜的场分面(21)具有由两个场分面坐标(xFF、yFF)跨越的反射表面(25)。具有至少两个可彼此独立控制的致动器单元的致动器装置用于通过至少两个相互独立的变形自由度、使反射表面(25)变形。第一变形自由度引起反射表面(25)的曲率沿着主曲率坐标变化，该主曲率坐标与其中一个场分面坐标(xFF)重合。第二变形自由度引起反射表面(25)围绕主曲率坐标的扭转变化。这产生具有优化的成像性能的场分面，特别是适应投射曝光系统内不同的照明通道分配。

Description

用于投射曝光系统的场分面镜的场分面
相关申请的交叉引用
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2020 211 096.4的优先权，其内容通过引用并入与此。
技术领域
本发明涉及用于投射曝光设备的场分面镜的场分面。本发明还涉及具有至少一个这种场分面的场分面镜、具有这种场分面镜的场分面组件、具有这种场分面组件的照明光学单元、具有这种照明光学单元的光学系统、具有这种光学系统的投射曝光设备、使用这种投射曝光设备制造微结构或纳米结构部件的方法以及以这种方式制造的结构化部件。
背景技术
从DE 10 2017 221 420 A1中已知一种具有场分面镜的投射曝光设备，该场分面镜具有多个场分面。US 6,715,892 B1公开了具有镜面的反射镜的实施例，该镜面可由致动器变形。DE 10 2013 206 981 A1公开了一种分面镜，其具有曲率半径可调的反射镜分面。DE 101 51 919 A1公开了一种反射镜。DE 10 2008 040 218 A1公开了一种可旋转的光学元件。DE 10 2018 207 103 A1公开了一种场分面镜。
发明内容
本发明的目的是进一步开发一种开头所述类型的场分面，使得该场分面的成像性能得到优化，特别适应于投射曝光设备内的不同照明通道分配。
根据本发明，这一目的是通过具有权利要求1中指定特征的场分面来实现的。
根据本发明，意识到，除了至少一个曲率自由度外，扭转自由度也可以用于使场分面的反射表面变形，以便优化其成像性能。这可以特别地以适应于该场分面的照明通道分配的方式来实现，该照明通道分配又可以取决于投射曝光设备的照明设置，也就是说可以取决于所选择的照明角度分布。具体而言，已经认识到，对于在实践中相关的照明通道的三维布置的情况，成像性能关键取决于场分面的反射表面的扭转，该照明通道穿过所讨论的相应场分面。在这种三维位置的情况下，照明通道不在平面内延伸。替代地或附加地，可能出现在实践中相关的另一种情况，其中相应的照明通道平面彼此不同，也就是说特别地相对于彼此成角度延伸，即使各照明通道的位置(在每种情况下作为轮廓)可以被描述为至少近似在平面内。独立于曲率自由度的扭转自由度使得当经由场分面将光源或光源下游的中间焦点成像到投射曝光设备的照明光学单元的光瞳分面镜的光瞳分面上时，尤其可以最小化成像像差。这可以有利地导致照明光学单元的光瞳平面中的小光源图像，特别是有利地导致照明设置中的低程度的光瞳填充。可以确保不会不必要地损失光，这在使用场分面作为EUV投射曝光设备的组成部分时特别有帮助。
场分面可以用单片反射表面来实现。在这种情况下，场分面没有被细分成彼此分离的多个单独的分面反射部分。
场分面的反射表面的边缘轮廓可以是矩形或弯曲的。反射表面沿着主曲率坐标的范围和反射表面沿着与其垂直的场分面坐标的范围之间的场分面的纵横比可以大于5，可以大于8，也可以大于10。这个纵横比通常小于50。
如权利要求2所述的致动器装置能够进一步优化场分面的成像。于是，反射表面沿着两个场分面坐标的独立曲率变形是可能的。
如权利要求3所述的中央支撑体有助于反射表面的限定扭转变形，因为以限定的方式指定了反射表面水平与中央支撑体的定位。然后，扭转力可以例如由具有垂直于场分面的反射表面的张力和/或剪切力的致动器单元生成。中央支撑体可以实施为支撑腹板或支撑壁。中央支撑体可以具有刚性实施例。支撑腹板可以实施为支柱的形式。
如权利要求4所述的中央腹板便于将扭转力引入场分面的反射表面。这种扭转力的引入尤其可以通过致动器单元来实现，该致动器单元的剪切力和/或张力平行于反射表面而作用。
如权利要求5所述的压电元件可以以压电叠层的形式实现。在DE 10 2016 209847 A1中描述了相应的压电致动器。
例如，用于声换能器的实施例可以用于如权利要求5所述的音圈。在这种情况下，可以感应静态电压而不是动态电压。
如权利要求6所述的致动器单元的主要力方向可以平行于场分面的反射表面、倾斜于场分面的反射表面和/或垂直于场分面的反射表面。
如权利要求6所述的作为剪切致动器的实施例导致需要很少结构费用的致动器装置。
替代地或附加地，也可以使用磁致伸缩致动器、静电致动器、热致动器或电磁致动器的其他实施例。
如权利要求7所述的四个致动器单元能够在至少两个相互独立的变形自由度上实现反射表面的相对简单的变形。
如权利要求8所述的场分面镜和如权利要求9所述的场分面镜组件的优点对应于上面已经参照根据本发明的场分面解释的那些优点。场分面组件的开环/闭环控制装置可以通过信号连接至用于分别选择的照明设置的指定单元。
如权利要求10所述的照明光学单元的优点、如权利要求11所述的光学系统的优点、如权利要求12所述的照明光学单元或光学系统的优点、如权利要求13所述的投射曝光设备的优点、如权利要求14所述的制造方法的优点以及如权利要求15所述的微结构或纳米结构部件的优点对应于上面已经参照根据本发明的场分面或根据本发明的场分面镜组件解释的那些优点。
照明光学单元或光学系统可以实现小于30％、小于25％、小于20％以及例如小于15％的光瞳填充度(光瞳的被照明部分在所用光瞳的总面积中的百分比)。
光源可以是EUV光源。光源可以是激光等离子体源。光源可以具有大于500W并且也大于800W的照明光使用功率。
特别地，可以使用投射曝光设备制造半导体元件，例如存储芯片或用于处理数据的芯片
附图说明
下面，基于附图描述本发明的至少一个示例性实施例。在附图中：
图1示意性地示出了用于EUV投射光刻的投射曝光设备的子午截面；
图2示意性地示出了投射曝光设备的场分面镜的场分面的基体，重点是用于产生场分面的反射表面的扭转的施力点；
图3以类似于图2的表示示出了与图2相比扭曲的基体的瞬时位置，在反射表面上还示出了三个法向量；
图4示出了从图3中的观察方向IV看到的根据图3的扭曲场分面基体；
图5示出了具有致动器装置的场分面的实施例的透视图，该致动器装置具有以2×2矩阵的形式布置在场分面的反射表面后面的四个致动器单元，在图5中只能看到四个致动器单元中的两个；
图6示出了根据图5的场分面的侧视图；
图7示出了从图6中的观察方向VII看到的根据图5的场分面的底视图；
图8以类似于图5的表示示出了根据图5的场分面，其中致动器单元被控制以产生反射表面的扭转；
图9以类似于图6的表示示出了根据图5的场分面，其中致动器单元被控制以产生沿着主曲率坐标的反射表面的曲率；
图10示出了致动器单元的一个实施例的侧视图，该致动器单元可以用作图5至9所示致动器单元的替代；
图11以类似于图5的表示示出了具有致动器装置的场分面的另一实施例，该致动器装置具有四个致动器单元，每个致动器单元被布置在所述反射表面的轮廓拐角区域中的反射表面后面；
图12以类似于图11的表示示出了根据图11的场分面，其中致动器单元被控制以产生反射表面的扭转；
图13以类似于图11的表示示出了具有四个致动器单元的场分面的另一实施例，这四个致动器单元布置在反射表面后面的拐角中；
图14示出了从观察方向XIV看到的根据图13的场分面的侧视图；
图15以类似于图13的表示示出了根据图13的场分面，其中致动器单元被控制以产生反射表面的扭转；
图16以类似于图14的表示示出了根据图13的场分面，其中致动器单元被控制以产生沿着主曲率坐标的曲率；
图17示出了具有矩形边缘轮廓的场分面的反射表面的第一变型的平面图；
图18示出了具有弯曲边缘轮廓的反射表面的另一变型的类似于图17的平面图；
图19示出了中间焦点、场分面和光瞳分面的位置的示意性表示，以便说明在光瞳分面上生成中间焦点的理想图像表示的位置条件；
图20示出了根据图19的场分面的反射表面以及入射平面的平面图，以便说明场分面的坐标系；
图21示意性地示出了根据图1的投射曝光设备的光瞳分面镜的光瞳分面配置的平面图，在场分面镜的初始状态下，点扩散函数(PSF)作为在由光瞳分面的不同阴影强调的各个光瞳分面的位置处的特定照明设置的中间焦点的成像质量的度量，然而，场分面的致动器装置的致动器单元没有被主动控制，因此场分面的反射表面处于初始状态；
图22以类似于图21的表示示出了光瞳分面上的成像质量，其中场分面的致动器装置的致动器单元被控制以使场分面反射表面在第一变形自由度上变形，具体来说是沿着主曲率坐标改变反射表面的曲率；
图23以类似于图21和22的表示示出了光瞳分面上的成像质量，其中，除了根据图22的变形自由度外，致动器单元还被控制以使场分面反射表面在另一变形自由度上变形，具体来说是沿着垂直曲率坐标改变反射表面的曲率；以及
图24以类似于图21至图23的表示示出了光瞳分面上的成像质量，其中场分面的致动器单元被控制以使场分面反射表面在另一个独立的变形自由度上变形，具体来说是沿着主曲率坐标改变场分面反射表面的扭转。
具体实施方式
下面首先参考图1以示例方式描述微光刻投射曝光设备1的主要组成部分。投射曝光设备1的基本结构及其组成部分的描述在此不应被解释为限制性的。
投射曝光设备1的照明系统2以及辐射源3具有照明光学单元4，用于照明物平面6中的物场5。这里曝光的是设置在物场5中的掩模母版7。掩模母版7由掩模母版支架8保持。掩模母版支架8可以通过掩模母版位移驱动器9移动，特别是在扫描方向上。
出于解释的目的，在图1中示出了笛卡尔xyz坐标系。x方向垂直于附图平面向附图内延伸。y方向水平延伸，z方向竖直延伸。扫描方向沿图1中的y方向延伸。z方向垂直于物平面6延伸。
投射曝光设备1包括投射光学单元10。投射光学单元10用于将物场5成像到像平面12中的像场11中。像平面12平行于物平面6延伸。替代地，在物平面6和像平面12之间也可以有不同于0°的角度。
掩模母版7上的结构被成像到晶片13的光敏层上，晶片13被布置在像平面12中的像场11的区域中。晶片13由晶片支架14保持。晶片支架14可以通过晶片位移驱动器15移动，特别是在y方向上。首先，通过掩模母版位移驱动器9移动掩模母版7，其次，通过晶片位移驱动器15移动晶片13，从而实现彼此同步。
辐射源3是EUV辐射源。辐射源3尤其发射EUV辐射16，其在下文中也称为所用辐射或照明辐射。特别地，所用辐射具有在5nm和30nm之间范围内的波长。辐射源3可以是等离子体源，例如LPP(“激光产生的等离子体”)源或GDPP(“气体放电产生的等离子体”)源。其也可以是基于同步加速器的辐射源。辐射源3可以是自由电子激光器(FEL)。
从辐射源3射出的照明辐射16被集光器17聚焦。集光器17可以是具有一个或多个椭圆形和/或双曲面反射表面的集光器。照明辐射16可以以掠入射(GI)、也就是说以大于45°的入射角，或者以法向入射(NI)、也就是说以小于45°的入射角入射到集光器11的至少一个反射表面上。集光器11可以被结构化和/或涂覆，一方面用于优化其对所用辐射的反射率，另一方面用于抑制外来光。
在集光器17的下游，照明辐射16通过中间焦平面18中的中间焦点IF传播。中间焦平面18可以代表具有辐射源3和集光器17的辐射源模块与照明光学单元4之间的间隔。
照明光学单元4包括偏转镜19和布置在光路下游的第一分面镜20。偏转镜19可以是平面偏转镜，或者替代地，具有超出纯偏转效果的光束影响效果的反射镜。替代地或附加地，反射镜19可以实施为光谱滤波器，该光谱滤波器将照明辐射16的使用光波长与具有与其偏离的波长的外来光分离。如果第一分面镜20布置在照明光学单元4的与物平面6光学共轭的作为场平面的平面中，则该分面镜也称为场分面镜。第一分面镜20包括多个单独的第一分面21，其在下文中也被称为场分面。作为例子，图1仅描绘了一些所述分面21。
第一分面21可以是宏观分面的形式，特别是矩形分面的形式或具有弓形周边轮廓或部分圆形周边轮廓的分面的形式。第一分面21可以实施为单片分面。在无力的初始状态下，第一分面21可以实施为平面分面或者替代地实施为凸形或凹形弯曲分面。
例如，如从DE 10 2008 009 600 A1中已知的，至少一些第一分面21本身也可以分别由多个单独的反射镜构成，特别是多个微反射镜。第一分面镜20可以特别地形成为微机电系统(MEMS系统)。详细情况参见DE 10 2008 009 600A1。
照明辐射16在集光器17和偏转镜19之间水平传播，也就是说在y方向上传播。
在照明光学单元4的光路中，第二分面镜22布置在第一分面镜20的下游。如果第二分面镜22被布置在照明光学单元4的光瞳平面中，则其也被称为光瞳分面镜。第二分面镜22也可以布置在距照明光学单元4的光瞳平面一定距离处。在这种情况下，第一分面镜20和第二分面镜22的组合也被称为镜面反射器。从US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US6,573,978中获知镜面反射器。
第二分面镜22包括多个第二分面23。在光瞳分面镜的情况下，第二分面23也被称为光瞳分面。
第二分面23同样可以是宏观分面，其可以例如具有圆形、矩形或者六边形边界，或者替代地可以是由微反射镜构成的分面。在这方面，同样可以参考DE 10 2008 009 600A1。
第二分面23可以具有平面反射表面，或者替代地具有带凸曲率或凹曲率的反射表面。
照明光学单元4因此形成双分面系统。此基本原理也被称为蝇眼积分器或蜂窝聚光器。
不那么精确地将第二分面镜22布置在与投射光学单元7的光瞳平面光学共轭的平面中可能是有利的。
借助于第二分面镜22，各个第一分面21被成像到物场5中。第二分面镜22是物场5上游的光路中的最后一个光束整形反射镜，或者实际上是照明辐射16的最后一个反射镜。
在照明光学单元4的另一个未示出的实施例中，特别有助于将第一分面21成像到物场5中的传输光学单元可以布置在第二分面镜22和物场5之间的光路中。传输光学单元可以具有恰好一个反射镜，或者替代地具有两个或更多个反射镜，这些反射镜在照明光学单元4的光路中一个接一个地布置。传输光学单元尤其可以包括一个或两个法向入射镜(NI镜)和/或一个或两个掠入射镜(GI镜)。
在图1所示的实施例中，照明光学单元4在集光器17的下游正好有三个反射镜，具体是偏转镜19、场分面镜20和光瞳分面镜22。
在照明光学单元4的另一实施例中，也可以省去偏转镜19，因此照明光学单元4可以在集光器17的下游正好具有两个反射镜，具体地说是第一分面镜20和第二分面镜22。
借助于第二分面23或使用第二分面23和传输光学单元将第一分面21成像到物平面6中通常只是近似成像。
投射光学单元10包括多个反射镜Mi，这些反射镜根据它们在投射曝光设备1的光路中的布置被连续编号。
在图1所示的例子中，投射光学单元10包括从M1到M6的六个反射镜。具有四个、八个、十个、十二个或任何其他数量的反射镜Mi的替代方案同样是可能的。倒数第二个反射镜M5和最后一个反射镜M6分别具有用于照明辐射16的通道开口。投射光学单元10是双重模糊光学单元。投射光学单元10具有大于0.5的像侧数值孔径，该像侧数值孔径也可以大于0.6，例如可以是0.7或0.75。
反射镜Mi的反射表面可以实施为没有旋转对称轴的自由曲面。可选地，反射镜Mi的反射表面可以被设计为非球面表面，该非球面表面具有反射表面形状的正好一个旋转对称轴。正如照明光学单元4的反射镜一样，反射镜Mi可以具有用于照明辐射16的高反射涂层。这些涂层可以设计成多层涂层，特别是具有钼和硅的交替层。
投射光学单元10在物场5的中心的y坐标和像场11的中心的y坐标之间、在y方向上具有大的物像偏移。在y方向上的这个物像偏移可以与物平面6和像平面12之间的z距离具有大约相同的大小。
特别地，投射光学单元10可以具有变形实施例。特别地，它在x和y方向上具有不同的成像比例βx、βy。投射光学单元7的两个成像比例βx，βy优选地在(βx，βy)＝(+/-0.25，+/-0.125)。正成像比例β意味着成像没有图像反转。成像比例β的负号意味着成像具有图像反转。
投射光学单元7因此导致尺寸减小，在x方向上，也就是说在垂直于扫描方向的方向上，比例为4:1。
投射光学单元10导致在y方向上，也就是说在扫描方向上尺寸缩小8:1。
其他成像比例同样是可能的。在x方向和y方向上具有相同符号和相同绝对值的成像比例也是可能的，例如绝对值为0.125或0.25。
物场5和像场11之间的光路中在x方向和y方向上的中间像平面的数量可以相同，或者根据投射光学单元10的实施例可以不同。从US2018/0074303A1获知在x和y方向上具有不同数量的这种中间像的投射光学单元的例子。
在不同情况下，光瞳分面23中的一个被分配给恰好一个场分面21，用于在不同情况下形成用于照明物场5的照明通道。特别地，这可以根据科勒原理(
Figure BDA0004105666850000091
principle)产生照明。借助于场分面21，远场被分解成多个物场5。场分面21在分别分配给它的光瞳分面23上产生中间焦点的多个像。
通过分配的光瞳分面23，场分面21在不同情况下以彼此叠加的方式成像到掩模母版7上，用于照明物场5。物场5的照明特别是尽可能均匀的。优选具有小于2％的均匀性误差。可以通过不同照明通道的重叠来实现场均匀性。
投射光学单元10的入射光瞳的照明可以通过光瞳分面的布置来几何地定义。投射光学单元10的入射光瞳中的强度分布可以通过选择照明通道、特别是引导光的光瞳分面的子集来设置。这种强度分布也称为照明设置。
通过照明通道的重新分布，可以实现照明光学单元4的照明光瞳的以限定方式照明的部分区域中同样优选的光瞳均匀性。
下面描述物场5的照明的其他方面和细节，特别是投射光学单元10的入射光瞳的照明。
投射光学单元10尤其可以具有同心入射光瞳。后者可能是可及的。也可能不是可及的。
使用光瞳分面镜22通常不能精确地照射投射光学单元10的入射光瞳。在投射光学单元10将光瞳分面镜22的中心远心地成像到晶片13上的成像情况下，孔径光线通常不相交于单一点。然而，有可能找到使成对确定的孔径光线的距离变得最小的区域。该区域代表入射光瞳或者与其共轭的真实空间中的区域。特别地，这个区域具有有限的曲率。
对于切向光束路径和弧矢光束路径，投射光学单元10可以具有不同的入射光瞳姿态。在这种情况下，成像元件、特别是传输光学单元的光学组成部件应该设置在第二分面镜22和掩模母版7之间。借助于该光学元件，可以考虑切向入射光瞳和弧矢入射光瞳的不同姿态。
在图1所示的照明光学单元4的部件的布置中，光瞳分面镜22被布置在与投射光学单元10的入射光瞳共轭的区域中。场分面镜20被布置成使得它相对于物平面5倾斜。第一分面镜20相对于由偏转镜19限定的布置平面以倾斜的方式布置。
第一分面镜20相对于由第二分面镜22限定的布置平面倾斜布置。
图2示意性地示出了场分面镜20的其中一个场分面21的立方体基体24。
场分面21的反射表面25形成在基体24的上侧。为此，基体24涂覆有多层涂层(未详细示出)，该多层涂层被设计成对入射的EUV辐射具有高反射性。多层涂层又可以设计成钼和硅的交替层。
在根据图2的场分面21的实施例中，反射表面25具有矩形边缘轮廓。
反射表面25由两个场分面坐标xFF、yFF跨越，下面具体解释这两个坐标与场坐标x、y的关系。场分面坐标xFF沿着矩形反射表面25的长边延伸。场分面坐标yFF沿着矩形反射表面25的短边延伸。沿着场分面21的边缘轮廓的长边的该场分面坐标xFF在下面也被称为主曲率坐标。沿着场分面21的边缘轮廓的短边的该场分面坐标yFF在下面也被称为垂直曲率坐标。
在图2中，箭头26用于示出用于使反射表面25在变形自由度上变形的施力矢量，特别是用于产生或改变反射表面25的扭转κM。施力矢量26成对地从上方和下方作用在基体24的相对的对角点上。
举例来说，图3示出了由于沿着施力矢量26引入力而导致的相应扭转效应的结果，这是通过致动器装置实施的，下面将描述其示例性实施例。
举例来说，在反射表面25上，在反射表面25的最小xFF坐标、中心xFF坐标和最大xFF坐标的区域中示出了三个法向矢量
Figure BDA0004105666850000101
在不同情况下都在中心yFF坐标处。法向矢量
Figure BDA0004105666850000102
从反射表面25发出的点位于平行于xFF坐标的直线上。
图4示出了沿正xFF坐标观察时，场分面21的端视图中反射表面扭转的效果。在图4中用实线示出了基体24面向观察者的端面的边缘轮廓，用虚线示出了场分面21的基体24背离观察者的端面的边缘轮廓。在反射表面25上的法向矢量
Figure BDA0004105666850000103
之间存在最大扭转角θt，该法向矢量首先与面向观察者的端面齐平，其次与基体24的背离观察者的端面齐平。
下面参照图5至图9描述致动器装置27，所述致动器装置用于使场分面21的反射表面25在两个独立的变形自由度上变形，具体地，首先，在对应于上面结合图2至图4所解释的扭转自由度κM上变形，其次，在另一变形自由度κx上变形，用于沿着主曲率坐标xFF改变反射表面25的曲率。
致动器装置总共具有四个致动器单元28、29、30、31，它们以2×2矩阵的形式布置在场分面21的背面上，也就是说在反射表面25后面。图7左侧所示的两个致动器单元28、30被支撑在分面基体24的背面中央腹板32和基体24的相应一个背面边缘腹板33、34之间。图7中右侧的两个致动器单元29、31首先被支撑在中央腹板32上，其次被支撑在场分面基体24的分别与边缘腹板33、34相对的相应背面边缘腹板35、36上。
致动器装置27的致动器单元28至31实施为压电叠层形式的压电元件。各个致动器单元28至31的主要力方向沿着分面坐标xFF延伸，也就是说平行于未变形的平面反射表面25延伸。
四个致动器单元28至31可以通过中央开环/闭环控制装置(这里未示出)彼此独立地被致动。
图5至图7示出了处于其各自未被致动的初始位置的致动器单元28至31，这产生了未变形的例如平面反射表面25。作为未变形的反射表面25代表平面表面的情况的替代，未变形的反射表面25也可以作为曲面已经存在于未致动的初始位置中。
图8示出了反射表面25的扭转变形，也就是说反射表面25围绕主曲率坐标xFF的扭转。为此，致动器装置27的致动器单元29和30(后者在图8中不可见)被致动，并且与它们的静止状态相比，已经沿着场分面坐标xFF膨胀。这导致反射表面25围绕分面坐标xFF、也就是围绕主曲率坐标的扭转(变形自由度κM)。通过另外两个致动器单元28、31的交替控制，可引起反射表面25在相反方向上的扭转，也就是说通过具有相反符号的扭转角θt。
举例来说，图9示出了反射表面在第二变形自由度κx上的变形，具体地说是反射表面25的曲率沿着主曲率坐标xFF的变化。为此，致动器装置27的所有四个致动器单元28至31被控制，以便借助于开环/闭环控制装置来膨胀。由此产生反射表面25沿着主曲率坐标xFF的凹曲率。
通过控制致动器单元28至31，使得它们与初始位置相比被拉在一起或收缩，可以产生反射表面25沿着主曲率坐标xFF的凸曲率。
在致动器装置27的替代实施例中，使用剪切致动器单元来代替长度可变致动器单元28至31，在图10中通过示例示出了剪切致动器单元37。剪切致动器单元37又被实施为压电叠层，当由开环/闭环控制单元控制时，压电叠层的各个压电层沿着平行于场分面坐标ZFF的剪切坐标S、相对于彼此剪切。剪切致动器单元37的两个极限剪切位置在图10中用虚线示出。
在至少一个对应的剪切致动器单元37的致动器装置的实施例中，例如，剪切致动器单元37可以附着在根据图5至9的实施例的致动器单元28至31的位置处，并且可以广泛地连接至场分面基体24的与反射表面25相对的背面。剪切致动器单元37的弯曲效应被直接转移给反射表面25的形状。然后这可以用于例如产生对应于根据图2的施力矢量26的施力，以用于产生反射表面25的扭转。通过平行地剪切所有四个剪切致动器单元37，可以依次产生反射表面25的凸曲率或凹曲率，与上面结合图9所解释的相对应。
下面参照图11和12描述致动器装置38的另一个实施例，该另一个实施例可以用来代替根据图5至9的致动器装置27，或者代替具有剪切致动器单元37的致动器装置。与上面已经参照图1至图10解释过的部件和功能相对应的部件和功能具有相同的附图标记，并且将不再详细讨论。
致动器装置38再次具有四个致动器单元39、40、41和42，它们再次以2×2矩阵的形式布置在场分面21的基体的背面，也就是说在反射表面25后面。在这种情况下，四个致动器单元39至42布置在反射表面25的边缘轮廓的四个拐角处。同样，致动器单元39至42实施为压电叠层形式的压电元件。与根据图5至9的实施例不同，在致动器装置38的情况下，致动器单元39至42的主要力方向垂直于反射表面25，也就是说在场分面坐标zFF的方向上。致动器单元39至42首先被支撑在基体24的背面上，其次被支撑在场分面21的框架的框架板43上，所述框架板被布置在离基体24的背面一定距离处，并且平行于反射表面25延伸。在反射表面25的中心区域中，在基体24和框架板43之间布置有中央刚性支柱状支撑腹板44，基体24通过所述中央刚性支柱状支撑腹板牢固地连接至框架板43。支撑腹板44沿着两个分面坐标xFF、yFF的横截面范围通常相同，并且小于反射表面25沿着分面坐标yFF的范围，分面坐标yFF也被称为垂直坐标。
图12以举例的方式示出了反射表面25的扭转变形，其变形方式已经在上面结合图3、4和8进行了解释。这种扭转变形通过致动器单元40、41的膨胀致动来实现，其中另外两个致动器单元39、42能够被控制以收缩，从而增加扭转角。具有相反扭转角符号的扭转可以通过以相等但相反的方式控制致动器单元39至42来实现。
反射表面25沿着主曲率坐标的凹曲率又可以通过所有致动器单元39至42的膨胀控制来实现，如上面参考图9所解释的。反射表面25沿着主曲率坐标xFF的凸曲率也可以通过收缩所有四个致动器单元39至42来实现。
参考图13至16，下面给出了致动器装置45的另一实施例的描述，该致动器装置45可以用来代替致动器装置38。上面特别是结合根据图11和12的实施例已经解释的部件和功能具有相同的附图标记，并且将不再详细讨论。
与支柱状支撑腹板44相反，致动器装置45具有支撑壁46，该支撑壁沿着垂直坐标yFF在反射表面25的整个范围上延伸。因此，反射表面25在其中心区域的整个yFF范围内，也就是说在中心xFF坐标处牢固地连接至框架板43。这确保了，独立于扭转或曲率，反射表面25在中心xFF坐标的区域中沿着垂直曲率坐标yFF具有未弯曲的轮廓。该未变形的反射表面部分250在图15中由虚线边界线表示。
图13示出了致动器装置45，其中致动器单元39至42处于未变形的初始位置。
图14示出了场分面21的侧视图，其中致动器装置45处于该未变形的初始位置。
图15示出了处于反射表面25的扭转变形位置的致动器装置45，该扭转变形位置对应于例如根据图8和12的扭转变形位置。
图16示出了处于沿着主曲率坐标xFF的曲率变形位置的致动器装置45，对应于上面已经结合图9和致动器装置38解释的内容。
图17示出了具有矩形边缘轮廓的反射表面25的平面图，其中强调了对应于根据图2的施力矢量26的施加点的施力点261至264以及位于反射表面25的中心的反作用力点47(也就是说支撑腹板44或支撑壁46的施力点)。
图18又示出了具有弯曲边缘轮廓的反射表面25的变型的平面图，在此同样强调了施力点26i和反作用力点47。
作为压电元件形式的致动器单元的实施例的替代，上述致动器装置中选定的或所有致动器单元也可以被设计为例如音圈。
上述致动器装置可以具有至少一个另外的独立可控致动器单元，用于使反射表面25在至少一个第三独立变形自由度上变形，特别是用于沿着垂直曲率坐标yFF改变反射表面25的曲率。
为此，例如在根据图5至9的致动器装置27的实施例中，另外的致动器单元可以布置在边缘腹板33和34之间以及边缘腹板35和36之间，例如，该另外的致动器单元再次具有沿着垂直曲率坐标yFF平行于未变形的反射表面25的主要力方向。这种致动器单元在图5中例如以48示出。当这些致动器单元膨胀时，这导致反射表面25的沿着垂直曲率坐标yFF的凹曲率，而收缩导致反射表面25沿着垂直曲率坐标yFF的凸曲率。
下面描述在至少两个或三个相互独立的变形自由度上的反射表面25的变形的上述致动的效果，具体地，首先是扭转变形，其次是至少沿着主曲率坐标的曲率变形。例如，当所考虑的中间焦点IF和光瞳分面23分别位于椭球体的焦点处时，出现经由照明通道分别分配给场分面21的光瞳分面23上的中间焦点IF的理想图像表示。
这在图19中示意性地示出。在这种情况下，场分面21代表理想椭球体49的一部分。dG(物距)表示分别考虑的中间焦点IF和场分面21之间的距离。dB(像距)表示场分面21和经由照明通道分配给其的光瞳分面23之间的距离。照明通道的EUV辐射16在场分面21上的入射角由γ表示。EUV辐射16在场分面21处反射时的入射平面(其与图19中的附图平面重合)位于椭球体49的笛卡尔坐标系xEllyEllzEll的xz平面中。
中间焦点IF和光瞳分面23上的选定点(具体而言是几何形心)之间的几何形心用作理想椭球坐标系的示例性原点；参见图19。中间焦点IF连同场分面21上的几何形心和光瞳分面23上的几何形心一起定义了椭球坐标系的xz平面。x(xEll)轴以这样的方式定向，即：使得中间焦点IF在负半轴上，并且光瞳分面23上的几何形心在正半轴上。椭球坐标系的y(yEll)轴和z(zEll)轴被定向，使得它们与椭球坐标系的x轴一起形成右手坐标系，其中场分面21上的几何形心位于负z值的半空间中。场分面21的反射表面25上的几何形心处的表面法线沿着zFF坐标轴延伸。
代替几何形心，也可以使用点来定义上述坐标，特别是当使用具有弯曲边缘轮廓的反射表面25的场分面21时，该点的x坐标对应于几何形心的x坐标，并且该点的y轴偏离场分面21的反射表面25的中心的几何形心、位于形心x坐标处。在具有矩形反射表面25的场分面21的情况下，首先几何形心并且其次以这种方式构造的点重合，但是这在具有弓形反射表面25的场分面21的情况下不成立。
图19示出了EUV辐射16的选定主射线。
zFF轴被定向成使得中间焦点IF和光瞳分面23的几何形心位于正zFF值的半空间中。如上所述，xFF轴在反射表面25的长边方向上延伸，同时代表主曲率坐标。yFF轴沿着反射表面25的短边延伸，同时代表垂直曲率坐标。
图20示出了根据图19的场分面21相对于椭球体49的入射平面xEll、zEll的位置。在场分面坐标xFF和椭球体49的该入射平面之间存在角度ΔαE。
弧矢高度z的二次近似足以描述场分面21的反射表面25的理想表面形状(弧矢高度)。
Figure BDA0004105666850000151
这里，κ是反射表面25在反射表面的观察位置处的曲率(单位[1/m])；
x0是所考虑的反射表面区段的典型范围。
方程(1)描述了球体的弧矢高度z。该方程用于估计二次近似产生的预期误差的数量级。四阶可以忽略不计。考虑二阶。
对于反射表面25的理想弧矢高度zid，出现以下关系，用坐标xFF,yFF表示：
Figure BDA0004105666850000152
在这种情况下：
κx id是反射表面25沿着主曲率坐标xFF的理想曲率；
κy id是反射表面25沿着垂直曲率坐标yFF的理想曲率；
κM id是反射表面25的理想扭转的量度。
上述公式2中的曲率或扭转参数κ取决于椭球体49的曲率，而椭球体49的曲率又可以写成物距dG和像距dB以及入射角γ的函数，并且取决于角度ΔαE，这在上面结合图20进行了解释。
最终，根据曲率和扭转参数κ，理想曲面法线的方向如下：
Figure BDA0004105666850000161
在此，适用的是：
εR＝x0/2R，其中R是弯曲场分面情况下的轮廓半径，也就是说，例如，从根据图18的平面图中出现的边缘轮廓的曲率半径。
在不同情况下，点扩展函数的直径被示出为成像质量的度量，为此在相应的图21至24的右侧显示了比例尺。
从图21到24的序列中出现的是特定照明设置、即场分面21和光瞳分面23之间的特定照明通道分配的在相应光瞳分面23上的中间焦点IF的图像表示的质量的改善，这取决于场分面反射表面在相应变形自由度中的变形优化：
图21示出了初始情况，其中为了优化中间焦点成像，场分面21还没有变形。
图22示出了这样的情况，其中仅在第一变形自由度κx中产生变形，具体地，反射表面25的曲率κx FF沿着主曲率坐标xFF发生变化，因此上述条件(3)以最小的误差得到满足。对于多个光瞳分面23，成像质量有明显的改善，这导致点扩散函数的直径减小。
在与图22相当的表示中，图23示出了仅通过沿着垂直曲率坐标yFF(变形自由度κy)弯曲该场分面21的反射表面25的致动效果。与沿着主曲率坐标的曲率相比，校正效果较少。
图24示出了仅致动场分面21的反射表面25的扭转自由度κM的效果。图24中的点扩展函数对于几乎所有的光瞳分面都很小，以至于在相应的光瞳分面23上产生了中间焦点的非常好的图像表示。

Claims (15)

1.一种用于投射曝光设备(1)的场分面镜(20)的场分面(21)，
具有由两个场分面坐标(xFF、yFF)跨越的反射表面(25)，用于反射照明光(16)，
具有致动器装置(27；38；45)，所述致动器装置具有至少两个可独立控制的致动器单元(28至31；37；39至42；48)，用于使所述反射表面(25)在至少两个独立的变形自由度(κx、κy、κM)上变形，
第一变形自由度(κx)，引起所述反射表面(25)的曲率(κx)沿着主曲率坐标(x)的变化，所述主曲率坐标(x)与其中一个所述场分面坐标(xFF)重合，
第二变形自由度(κM)，引起所述反射表面(25)围绕所述主曲率坐标(x)的扭转变化。
2.如权利要求1所述的场分面，其特征在于，所述致动器装置(27；38；45)包括另一可独立控制的致动器单元(48)，用于使所述反射表面(25)在至少第三独立变形自由度(κy)上变形，
所述第三变形自由度(κy)引起所述反射表面(25)的曲率(κy)沿着垂直于所述主曲率坐标(x)并且与所述两个场分面坐标中的另一个场分面坐标(yFF)重合的垂直曲率坐标(y)发生变化。
3.如权利要求1或2所述的场分面，
其中，所述致动器单元(39至42)中的至少一个首先被支撑在所述场分面(21)的分面基体(24)的背面，其次被支撑在所述场分面(21)的框架的框架板(43)上，所述框架板(43)被布置在离所述分面基体(24)的背面一定距离处，
其中，中央支撑体(44；46)布置在所述反射表面(25)的中心区域中、在所述分面基体(24)和所述框架板(43)之间，所述分面基体(24)经由所述中央支撑体牢固地连接至所述框架板(43)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的场分面，其特征在于，所述致动器单元(28至31)中的至少一个被支撑在所述场分面(21)的分面基体(24)的背面中央腹板(32)和所述分面基体(24)的背面边缘腹板(33至36)之间。
5.如权利要求1至4中任一项所述的场分面，其特征在于，所述致动器装置(27；38；45)中的所述致动器单元(28至31；37；39至42；48)中的至少一个被设计成压电元件和/或音圈。
6.如权利要求1至5中任一项所述的场分面，其特征在于，所述致动器装置(27；38；45)的所述致动器单元(28至31；37；39至42；48)中的至少一个被设计成伸缩致动器和/或剪切致动器。
7.如权利要求1至6中任一项所述的场分面，其特征在于，所述致动器装置(27；38；45)中的至少四个致动器单元(28至31；39至42)以2×2矩阵的形式布置在所述场分面(21)的背面，也就是说在所述反射表面(25)的后面。
8.一种场分面镜(20)，具有至少一个如权利要求1至7中任一项所述的场分面(21)。
9.一种场分面组件，具有如权利要求8所述的场分面镜和开环/闭环控制装置，所述开环/闭环控制装置通过信号连接至在不同情况下分别具有所述开环/闭环控制装置的场分面(21)的致动器装置(27；38；45)。
10.一种照明光学单元，
具有如权利要求9所述的场分面组件，用于将照明光部分光束沿着照明光束路径引导到物场(5)中，光刻掩模(7)可布置在所述物场(5)中，并且
具有传输光学单元(22)，用于将场分面镜(20)的场分面(21)以叠加方式成像到所述物场(5)中。
11.一种光学系统，具有如权利要求10所述的照明光学单元，并且具有用于将物场(5)成像到像场(11)中的投射光学单元(10)，所述像场中可设置衬底(13)，待成像的物体(5)的一部分能够成像到所述衬底上。
12.如权利要求10所述的照明光学单元或如权利要求11所述的光学系统，具有用于照明光(16)的光源(3)。
13.一种投射曝光设备(1)，具有如权利要求11所述的光学系统，并且具有用于照明光(16)的光源(3)。
14.一种用于制造结构化部件的方法，包括以下方法步骤：
提供掩模母版(7)和晶片(13)，
借助于如权利要求13所述的投射曝光设备，将所述掩模母版(7)上的结构投射到所述晶片(13)的光敏层上，
在所述晶片(13)上制造微结构和/或纳米结构。
15.一种如权利要求14所述的方法制造的结构化部件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2788136B1 (fr) 1998-12-31 2002-06-07 Europ De Systemes Optiques Soc Procede de realisation de surfaces de focalisation de faisceaux, notamment a incidence rasante et dispositif pour sa mise en oeuvre
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
DE10151919B4 (de) 2001-10-20 2007-02-01 Carl Zeiss Smt Ag Belichtungsobjektiv in der Halbleiterlithographie
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE102008040218A1 (de) 2007-07-11 2009-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Drehbares optisches Element
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102013206981A1 (de) 2013-04-18 2013-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102015226531A1 (de) 2015-04-14 2016-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016209847A1 (de) 2016-06-03 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit optischer Korrekturenanordnung und Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102017221420A1 (de) 2017-11-29 2018-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv-beleuchtungssystem und verfahren zum erzeugen einer beleuchtungsstrahlung
DE102018207103A1 (de) 2018-05-08 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettenspiegel

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