CN116030730A - 可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构及制作方法，涉及Micro‑LED显示技术领域。本发明实施例通过在Micro‑LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件实现Micro‑LED芯片的出光角度可调，当不通电时，实现正上方子像素出光，当通电时，使得Micro‑LED显示芯片的出光角度倾斜，可实现一侧或两侧子像素出光，从而在不降低显示分辨率的状况下，减少驱动基板上需要转移的Micro‑LED显示芯片的数量。本发明提供的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构及制作方法，通过实现Micro‑LED芯片的出光角度可调，降低Micro‑LED转移芯片数量，降低制程成本及时间。

Description

可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法

技术领域

本发明涉及Micro-LED显示技术领域，特别涉及一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法。

背景技术

近年来，Micro-LED显示技术逐渐发展，其相对OLED及LCD技术在性能上均有明显提高，具有对比度高、亮度高、色域高、响应速度快等一系列优势。但Micro-LED显示技术在巨量转移与键合上尚有许多问题限制其发展。

受限于巨量转移的速度，Micro-LED的产能较难提升，且数量巨大的Micro-LED显示芯片在巨量转移过程中也容易在转移和绑定制程中出错，使得Micro-LED显示芯片的良率降低，提升生产的成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法，通过实现Micro-LED芯片的出光角度可调，降低Micro-LED转移芯片数量，降低制程成本及时间。

第一方面，本发明实施例提供了一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，通电时为第二出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。

进一步地，所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板；

凸台，设于所述驱动基板上表面；

底部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上；

顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧；

电致伸缩层，覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极上，且与所述顶部电致伸缩层驱动电极连接，所述电致伸缩层根据顶部电致伸缩层驱动电极与底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层，形成于所述凸台顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极；

焊盘，形成于所述绝缘层上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。

进一步地，还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。

第二方面，本发明实施例提供了一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，用于制作第一方面的显示面板结构，所述方法包括：

步骤10、每两行子像素仅在其中一行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片，另一行不设置Micro-LED显示芯片，为空白像素区；

步骤20、在显示驱动基板上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台；

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成两电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中，底部电致伸缩层驱动电极形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上；顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧；

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层沿压电驱动电极配置方向保留；

步骤50、形成第一绝缘层，然后在完成第一绝缘层制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘，用于与Micro-LED显示芯片的电极连接。

进一步地，还包括：在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，将有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的两电极，位于该桥型结构的一侧；

在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

第三方面，本发明实施例提供了另一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区，且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，第一驱动电极通电时为第二出射角度，第二驱动电极通电时为第三出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。

进一步地，所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板；

凸台，设于所述驱动基板上表面；

底部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上；

顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置；

电致伸缩层，覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极上，且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极连接，所述电致伸缩层根据同一侧的顶部电致伸缩层驱动电极和底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层，形成于所述凸台顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极；

焊盘，形成于所述绝缘层上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。

进一步地，还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。

第四方面，本发明实施例提供了一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，用于制作第三方面的显示面板结构，所述方法包括：

步骤10、每三行子像素仅在中间行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片，另两行不设置Micro-LED显示芯片，为空白像素区；

步骤20、在显示驱动基板上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台；

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成四电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中两底部电致伸缩层驱动电极形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上，两顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置；

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层沿压电驱动电极配置方向保留；

步骤50、形成第一绝缘层，然后在完成第一绝缘层制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘，用于与Micro-LED显示芯片的电极连接。

进一步地，还包括：在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，将有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的四电极，分别位于该桥型结构的两侧；

在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层作为第二绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性；对应于另一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件另一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

本发明实施例的技术方案至少具有如下优点：

通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件，通过给电致伸缩器件通电，使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜，可实现一侧或两侧子像素出光，在不降低显示分辨率的状况下，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，从而降低制程成本及时间。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1为本发明实施例一中驱动基板焊盘结构示意图；

图2为本发明实施例一中驱动基板截面的结构示意图之一；

图3为本发明实施例一中驱动基板截面的结构示意图之二；

图4为本发明实施例一中驱动基板通电和未通电的光路示意图；

图5为本发明实施例一中封装盖板的结构示意图；

图6为本发明实施例二中显示驱动面板工作的流程图；

图7为本发明实施例三中驱动基板焊盘结构示意图；

图8为本发明实施例三中驱动基板截面的结构示意图之一；

图9为本发明实施例三中驱动基板截面的结构示意图之二；

图10为本发明实施例三中驱动基板通电的光路示意图；

图11为本发明实施例四中显示驱动面板工作的流程图。

具体实施方式

本发明通过提供两种可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法，实现Micro-LED芯片的出光角度可调，分别实现一侧或两侧子像素出光，降低Micro-LED转移芯片数量，降低制程成本及时间。

本申请实施例中的技术方案，总体思路如下：

通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件，通过给电致伸缩器件通电，使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜，实现从一侧或两侧子像素出光，从而可减少Micro-LED转移芯片数量，降低制程成本及时间。

实施例一

本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，每两行子像素仅在其中一行设置有焊盘组，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，如图1至5所示，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置，如图1所示；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，通电时为第二出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。

通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组电致伸缩器件，通过给电致伸缩器件通电，使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜，可实现一侧子像素出光，在不降低显示分辨率的状况下，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，从而降低制程成本及时间。

在一种可能的实现方式中，如图2和图3所示，所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板1；

凸台2，设于所述驱动基板1上表面；该凸台2在制作过程中可以先通过有机绝缘层曝光显影形成一实体凸台如图2所示，然后在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后通过蚀刻在Micro-LED芯片焊盘下部形成一中空的桥型结构2’，如图3所示；

底部电致伸缩层驱动电极31，形成于所述凸台2底部一侧的驱动基板上；

顶部电致伸缩层驱动电极32，形成于所述凸台2顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧；

电致伸缩层33，覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极31上，且与所述顶部电致伸缩层驱动电极32连接，所述电致伸缩层33根据底部电致伸缩层驱动电极31与顶部电致伸缩层驱动电极32的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层4(可以采用无机绝缘材料)，形成于所述凸台2顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极32；

焊盘5，形成于所述绝缘层上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片6的电极连接。

如图4所示，底部电致伸缩层驱动电极31、顶部电致伸缩层驱动电极32与连接两电极的电致伸缩层33形成一电致伸缩器件3。当电致伸缩器件电极未通电时，Micro-LED显示芯片6发光平面与驱动基板1垂直，光路射向正上方的Micro-LED显示芯片区；当电致伸缩器件3电极通电时，电致伸缩层33受电场作用产生伸长，使桥型结构单侧抬起，Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度，光路射向相邻行空白像素区。

如图5所示，所述显示面板结构还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层(可以采用有机绝缘材料)，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性，使得光射出面板表面时，光路与面板表面垂直。

实施例二

本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，用于制作实施例一所述的显示面板结构，可以包括如下步骤：

步骤10、每两行子像素仅在其中一行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片6，另一行不设置Micro-LED显示芯片6，为空白像素区。

步骤20、在显示驱动基板上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台2。

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成两电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中，底部电致伸缩层驱动电极31形成于所述凸台2底部一侧的驱动基板1上；顶部电致伸缩层驱动电极32形成于所述凸台2顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极31位于同一侧。

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层33，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层33沿压电驱动电极配置方向保留。

步骤50、形成第一绝缘层4(可以采用无机绝缘材料沉积形成无机绝缘层，无机绝缘材料可选但不限于氧化硅、氮化硅、氧化铪等)，然后在完成第一绝缘层4制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘5，焊盘5通过巨量转移与绑定制程与Micro-LED显示芯片6的电极连接。

步骤60、在完成Micro-LED显示芯片6的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，通入氧气，使腔室内充满氧等离子体，利用氧等离子体将凸台2的有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层33形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的两电极，位于该桥型结构的一侧。

步骤70、在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层作为第二绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

请参考图6，在显示过程中，显示驱动背板通过逐行扫描的方式，使Mircro-LED显示芯片6在电致伸缩层33未通电的情况下逐行发光，此时显示芯片为垂直背板方向发光；之后重新逐行扫描，同时电致伸缩器件电极通电，桥型结构中的电致伸缩层受电场作用伸长，使桥型结构单侧抬起，Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度，光路射向相邻行空白像素区。基板行驱动电路逐行扫描，子像素和相邻行空白像素分别被逐行点亮，从而实现单行显示芯片驱动点亮两行子像素。

实施例三

本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，每三行子像素仅在中间一行设置有焊盘组，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，如图7至10所示，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区，且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，第一驱动电极通电时为第二出射角度，第二驱动电极通电时为第三出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。

可通过在Micro-LED显示芯片区的两侧分别设置两组电致伸缩器件，通过给电致伸缩器件通电，使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜，可实现两侧子像素出光，在不降低显示分辨率的状况下，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，从而降低制程成本及时间。

在一种可能的实现方式中，如图8和图9所示，所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板1；

凸台2，设于所述驱动基板上表面；该凸台2在制作过程中可以先通过有机绝缘层曝光显影形成一实体凸台2如图6所示，然后在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后通过蚀刻在Micro-LED芯片焊盘下部形成一中空的桥型结构2’，如图7所示；

底部电致伸缩层驱动电极31，形成于所述凸台2底部两侧的驱动基板1上；

顶部电致伸缩层驱动电极32，形成于所述凸台2顶部两侧的靠边位置；

电致伸缩层33，覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极31上，且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极32连接，所述电致伸缩层33根据同一侧的底部电致伸缩层驱动电极31和顶部电致伸缩层驱动电极32的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层4，形成于所述凸台2顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极32；

焊盘5，形成于所述第一绝缘层4上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片6的电极连接。

如图10所示，每一侧的底部电致伸缩层驱动电极31、顶部电致伸缩层驱动电极32与连接两电极的电致伸缩层33形成一电致伸缩器件3。当其中一侧的电致伸缩器件3电极通电时，该电致伸缩层33受电场作用产生伸长，使桥型结构该侧抬起，Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈第一倾斜角度，光路射向相邻行空白像素区；当电致伸缩器件3电极未通电时，Micro-LED显示芯片6发光平面与驱动基板1垂直，光路射向正上方的Micro-LED显示芯片区；当另一侧的电致伸缩器件3电极通电时，该电致伸缩层受电场作用产生伸长，使桥型结构另一侧抬起，Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈第二倾斜角度，光路射向另一侧相邻行空白像素区，从而实现单行显示芯片驱动点亮三行子像素。

所述显示面板还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。

实施例四

本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，用于制作实施例三所述的显示面板，可以包括如下步骤：

步骤10、每三行子像素仅在中间行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片6，另两行不设置Micro-LED显示芯片6，为空白像素区。

步骤20、在显示驱动基板1上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台2。

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成四电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中两底部电致伸缩层驱动电极31形成于所述凸台2底部两侧的驱动基板1上，两顶部电致伸缩层驱动电极32形成于所述凸台2顶部两侧的靠边位置。

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层33，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层沿压电驱动电极配置方向保留。

步骤50、形成第一绝缘层4(可以采用无机绝缘材料沉积形成无机绝缘层，无机绝缘材料可选但不限于氧化硅、氮化硅、氧化铪等)，然后在完成第一绝缘层4制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘5，用于与Micro-LED显示芯片6的电极连接。

步骤60、在完成Micro-LED显示芯片6的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，通入氧气，使腔室内充满氧等离子体，利用氧等离子体将凸台2的有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的四电极，分别位于该桥型结构的两侧。

步骤70、在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层作为第二绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性；对应于另一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件另一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

如图11所示，在显示过程中，显示驱动背板通过逐行扫描的方式，使Micro-LED显示芯片6在电致伸缩层电极通电的情况下逐行发光，当电致伸缩层的一侧电极通电形成电场时，桥型结构中的电致伸缩层33受电场作用拉伸，使桥状结构单侧抬起，此时Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度，光路射向一侧相邻空白行子像素。随后行驱动电路重新逐行扫描，电致伸缩器件电极不通电，此时桥状结构中的电致伸缩层33未受电场作用，回复初始状态，此时显示芯片为垂直背板方向发光，子像素行逐行被点亮。之后行驱动电路重新逐行扫描，同时桥状结构的另一侧电致伸缩器件电极通电，使桥状结构中的另一侧电致伸缩层33受电场作用产生拉伸，使桥状结构另一侧单侧抬起，Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度，光路射向另一侧相邻空白行子像素。基板行驱动电路逐行扫描，子像素逐行被点亮，从而完成整块显示面板的所有像素的点亮。

本发明通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件，通过给电致伸缩器件通电，使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜，可实现一侧或两侧子像素出光，在不降低显示分辨率的状况下，减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量，从而降低制程成本及时间。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。

Claims (10)

1.一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，其特征在于，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，通电时为第二出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板；

凸台，设于所述驱动基板上表面；

底部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上；

顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧；

电致伸缩层，覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极上，且与所述顶部电致伸缩层驱动电极连接，形成电致伸缩器件，电致伸缩层根据顶部电致伸缩层驱动电极与底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层，形成于所述凸台顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极；

焊盘，形成于所述绝缘层上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于：还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。

4.一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，其特征在于，包括：

步骤10、每两行子像素仅在其中一行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片，另一行不设置Micro-LED显示芯片，为空白像素区；

步骤20、在显示驱动基板上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台；

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成两电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中，底部电致伸缩层驱动电极形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上；顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部的侧边位置，且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧；

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层沿压电驱动电极配置方向保留；

步骤50、形成第一绝缘层，然后在完成第一绝缘层制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘，用于与Micro-LED显示芯片的电极连接。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，将有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的两电极，位于该桥型结构的一侧；

在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

6.一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构，其特征在于，包括：

Micro-LED显示芯片区和空白像素区，每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区，且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻；

所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片，在不通电时为第一出射角度，第一驱动电极通电时为第二出射角度，第二驱动电极通电时为第三出射角度，使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于：所述Micro-LED显示芯片区包括：

驱动基板；

凸台，设于所述驱动基板上表面；

底部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上；

顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置；

电致伸缩层，覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极上，且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极连接，形成电致伸缩器件，所述电致伸缩层根据同一侧的顶部电致伸缩层驱动电极和底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩；

第一绝缘层，形成于所述凸台顶部，且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极；

焊盘，形成于所述绝缘层上表面，用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。

8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于：还包括封装盖板，所述封装盖板背面形成有第二绝缘层，对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。

9.一种可调制光路的Micro-LED显示面板制作方法，其特征在于，包括：

步骤10、每三行子像素仅在中间行设置有焊盘组，用于连接Micro-LED芯片，另两行不设置Micro-LED显示芯片，为空白像素区；

步骤20、在显示驱动基板上涂布一层有机绝缘层，通过曝光显影保留在焊盘组位置内侧的有机绝缘层，形成凸台；

步骤30、沉积一层金属，通过曝光显影在每一凸台位置形成四电极，作为驱动电致伸缩层的电极，其中两底部电致伸缩层驱动电极形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上，两顶部电致伸缩层驱动电极，形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置；

步骤40、通过溅射形成电致伸缩层，通过曝光显影蚀刻将电致伸缩层蚀刻至指定形状，使电致伸缩层沿压电驱动电极配置方向保留；

步骤50、形成第一绝缘层，然后在完成第一绝缘层制备后再次沉积一层金属，通过曝光显影蚀刻形成Micro-LED焊盘，用于与Micro-LED显示芯片的电极连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后，将Micro-LED显示基板整体移入蚀刻腔室内，将有机绝缘层蚀刻掉，使电致伸缩层形成一桥型结构，驱动电致伸缩层的四电极，分别位于该桥型结构的两侧；

在Micro-LED显示面板的封装盖板上，涂布一层有机绝缘层作为第二绝缘层，通过曝光显影使该有机绝缘层形成指定形状，对应于一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性；对应于另一侧空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置，其斜面角度与电致伸缩器件另一侧通电后光路角度及有机绝缘层材料成相关性。

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