CN219321002U - 可调制光路的Micro-LED显示面板结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构,涉及Micro‑LED显示技术领域。本实用新型实施例的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构包括Micro‑LED显示芯片区和空白像素区,所述Micro‑LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置;所述Micro‑LED显示芯片区的每一Micro‑LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,通电时为第二出射角度,使得Micro‑LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。本实用新型提供的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构,通过实现Micro‑LED芯片的出光角度可调,降低Micro‑LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及Micro-LED显示技术领域,特别涉及一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构。
背景技术
近年来,Micro-LED显示技术逐渐发展,其相对OLED及LCD技术在性能上均有明显提高,具有对比度高、亮度高、色域高、响应速度快等一系列优势。但Micro-LED显示技术在巨量转移与键合上尚有许多问题限制其发展。
受限于巨量转移的速度,Micro-LED的产能较难提升,且数量巨大的Micro-LED显示芯片在巨量转移过程中也容易在转移和绑定制程中出错,使得Micro-LED显示芯片的良率降低,提升生产的成本。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题,在于提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,通过实现Micro-LED芯片的出光角度可调,降低Micro-LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,通电时为第二出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。
进一步地,所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板;
凸台,设于所述驱动基板上表面;
底部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上;
顶部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台顶部的侧边位置,且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧;
电致伸缩层,覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极上,且与所述顶部电致伸缩层驱动电极连接,所述电致伸缩层根据顶部电致伸缩层驱动电极与底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层,形成于所述凸台顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极;
一组焊盘,形成于所述绝缘层上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。
进一步地,还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。
第二方面,本实用新型实施例提供了另一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区,且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,第一驱动电极通电时为第二出射角度,第二驱动电极通电时为第三出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。
进一步地,所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板;
凸台,设于所述驱动基板上表面;
底部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上;
顶部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置;
电致伸缩层,覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极上,且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极连接,所述电致伸缩层根据同一侧的顶部电致伸缩层驱动电极和底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层,形成于所述凸台顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极;
一组焊盘,形成于所述绝缘层上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。
进一步地,还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。
本实用新型实施例的技术方案至少具有如下优点:
通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件,通过给电致伸缩器件通电,使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜,可实现一侧或两侧子像素出光,在不降低显示分辨率的状况下,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,从而降低制程成本及时间。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1为本实用新型实施例一中驱动基板焊盘结构示意图;
图2为本实用新型实施例一中驱动基板截面的结构示意图之一;
图3为本实用新型实施例一中驱动基板截面的结构示意图之二;
图4为本实用新型实施例一中驱动基板通电和未通电的光路示意图;
图5为本实用新型实施例一中封装盖板的结构示意图;
图6为本实用新型实施例一中显示驱动面板工作的流程图;
图7为本实用新型实施例二中驱动基板焊盘结构示意图;
图8为本实用新型实施例二中驱动基板截面的结构示意图之一;
图9为本实用新型实施例二中驱动基板截面的结构示意图之二;
图10为本实用新型实施例二中驱动基板通电的光路示意图;
图11为本实用新型实施例二中显示驱动面板工作的流程图。
具体实施方式
本实用新型通过提供两种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,实现Micro-LED芯片的出光角度可调,分别实现一侧或两侧子像素出光,降低Micro-LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
本申请实施例中的技术方案,总体思路如下:
通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件,通过给电致伸缩器件通电,使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜,实现从一侧或两侧子像素出光,从而可减少Micro-LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
实施例一
本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,每两行子像素仅在其中一行设置有焊盘组,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,如图1至5所示,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置,如图1所示;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,通电时为第二出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。
通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组电致伸缩器件,通过给电致伸缩器件通电,使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜,可实现一侧子像素出光,在不降低显示分辨率的状况下,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,从而降低制程成本及时间。
在一种可能的实现方式中,如图2和图3所示,所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板1;
凸台2,设于所述驱动基板1上表面;该凸台2在制作过程中可以先通过有机绝缘层曝光显影形成一实体凸台如图2所示,然后在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后通过蚀刻在Micro-LED芯片焊盘下部形成一中空的桥型结构2’,如图3所示;
底部电致伸缩层驱动电极31,形成于所述凸台2底部一侧的驱动基板上;
顶部电致伸缩层驱动电极32,形成于所述凸台2顶部的侧边位置,且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧;
电致伸缩层33,覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极31上,且与所述顶部电致伸缩层驱动电极32连接,所述电致伸缩层33根据底部电致伸缩层驱动电极31与顶部电致伸缩层驱动电极32的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层4(可以采用无机绝缘材料),形成于所述凸台2顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极32;
焊盘5,形成于所述绝缘层上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片6的电极连接。
如图4所示,底部电致伸缩层驱动电极31、顶部电致伸缩层驱动电极32与连接两电极的电致伸缩层33形成一电致伸缩器件3。当电致伸缩器件电极未通电时,Micro-LED显示芯片6发光平面与驱动基板1垂直,光路射向正上方的Micro-LED显示芯片区;当电致伸缩器件3电极通电时,电致伸缩层33受电场作用产生伸长,使桥型结构单侧抬起,Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度,光路射向相邻行空白像素区。
如图5所示,所述显示面板结构还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性,使得光射出面板表面时,光路与面板表面垂直。
请参考图6,在显示过程中,显示驱动背板通过逐行扫描的方式,使Mircro-LED显示芯片6在电致伸缩层33未通电的情况下逐行发光,此时显示芯片为垂直背板方向发光;之后重新逐行扫描,同时电致伸缩器件电极通电,桥型结构中的电致伸缩层受电场作用伸长,使桥型结构单侧抬起,Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度,光路射向相邻行空白像素区。基板行驱动电路逐行扫描,子像素和相邻行空白像素分别被逐行点亮,从而实现单行显示芯片驱动点亮两行子像素。
实施例二
本实施例提供一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,每三行子像素仅在中间一行设置有焊盘组,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,如图7至10所示,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区,且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,第一驱动电极通电时为第二出射角度,第二驱动电极通电时为第三出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。
可通过在Micro-LED显示芯片区的两侧分别设置两组电致伸缩器件,通过给电致伸缩器件通电,使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜,可实现两侧子像素出光,在不降低显示分辨率的状况下,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,从而降低制程成本及时间。
在一种可能的实现方式中,如图8和图9所示,所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板1;
凸台2,设于所述驱动基板上表面;该凸台2在制作过程中可以先通过有机绝缘层曝光显影形成一实体凸台2如图6所示,然后在完成Micro-LED显示芯片的转移与连接后通过蚀刻在Micro-LED芯片焊盘下部形成一中空的桥型结构2’,如图7所示;
底部电致伸缩层驱动电极31,形成于所述凸台2底部两侧的驱动基板1上;
顶部电致伸缩层驱动电极32,形成于所述凸台2顶部两侧的靠边位置;
电致伸缩层33,覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极31上,且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极32连接,所述电致伸缩层33根据同一侧的底部电致伸缩层驱动电极31和顶部电致伸缩层驱动电极32的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层4,形成于所述凸台2顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极32;
焊盘5,形成于所述第一绝缘层4上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片6的电极连接。
如图10所示,每一侧的底部电致伸缩层驱动电极31、顶部电致伸缩层驱动电极32与连接两电极的电致伸缩层33形成一电致伸缩器件3。当其中一侧的电致伸缩器件3电极通电时,该电致伸缩层33受电场作用产生伸长,使桥型结构该侧抬起,Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈第一倾斜角度,光路射向相邻行空白像素区;当电致伸缩器件3电极未通电时,Micro-LED显示芯片6发光平面与驱动基板1垂直,光路射向正上方的Micro-LED显示芯片区;当另一侧的电致伸缩器件3电极通电时,该电致伸缩层受电场作用产生伸长,使桥型结构另一侧抬起,Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈第二倾斜角度,光路射向另一侧相邻行空白像素区,从而实现单行显示芯片驱动点亮三行子像素。
所述显示面板还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。
如图11所示,在显示过程中,显示驱动背板通过逐行扫描的方式,使Micro-LED显示芯片6在电致伸缩层电极通电的情况下逐行发光,当电致伸缩层的一侧电极通电形成电场时,桥型结构中的电致伸缩层33受电场作用拉伸,使桥状结构单侧抬起,此时Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度,光路射向一侧相邻空白行子像素。随后行驱动电路重新逐行扫描,电致伸缩器件电极不通电,此时桥状结构中的电致伸缩层33未受电场作用,回复初始状态,此时显示芯片为垂直背板方向发光,子像素行逐行被点亮。之后行驱动电路重新逐行扫描,同时桥状结构的另一侧电致伸缩器件电极通电,使桥状结构中的另一侧电致伸缩层33受电场作用产生拉伸,使桥状结构另一侧单侧抬起,Micro-LED显示芯片6发光平面与背板呈倾斜角度,光路射向另一侧相邻空白行子像素。基板行驱动电路逐行扫描,子像素逐行被点亮,从而完成整块显示面板的所有像素的点亮。
本实用新型通过在Micro-LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件,通过给电致伸缩器件通电,使得Micro-LED显示芯片的出光角度倾斜,可实现一侧或两侧子像素出光,在不降低显示分辨率的状况下,减少驱动基板上需要转移的Micro-LED显示芯片的数量,从而降低制程成本及时间。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式,但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解,我们所描述的具体的实施例只是说明性的,而不是用于对本实用新型的范围的限定,熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化,都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
Claims (6)
1.一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,其特征在于,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,所述Micro-LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,通电时为第二出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于:所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板;
凸台,设于所述驱动基板上表面;
底部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台底部一侧的驱动基板上;
顶部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台顶部的侧边位置,且与所述底部电致伸缩层驱动电极位于同一侧;
电致伸缩层,覆盖于所述底部电致伸缩层驱动电极上,且与所述顶部电致伸缩层驱动电极连接,形成电致伸缩器件,电致伸缩层根据顶部电致伸缩层驱动电极与底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层,形成于所述凸台顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极;
一组焊盘,形成于所述绝缘层上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。
3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于:还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。
4.一种可调制光路的Micro-LED显示面板结构,其特征在于,包括:
Micro-LED显示芯片区和空白像素区,每一所述Micro-LED显示芯片区相邻的两行均为空白像素区,且一空白像素区仅与一Micro-LED显示芯片相邻;
所述Micro-LED显示芯片区的每一Micro-LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,第一驱动电极通电时为第二出射角度,第二驱动电极通电时为第三出射角度,使得Micro-LED显示芯片区和两相邻的空白像素区可分别点亮。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征在于:所述Micro-LED显示芯片区包括:
驱动基板;
凸台,设于所述驱动基板上表面;
底部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台底部两侧的驱动基板上;
顶部电致伸缩层驱动电极,形成于所述凸台顶部两侧的靠边位置;
电致伸缩层,覆盖于每一侧的底部电致伸缩层驱动电极上,且于同侧的顶部电致伸缩层驱动电极连接,形成电致伸缩器件,所述电致伸缩层根据同一侧的顶部电致伸缩层驱动电极和底部电致伸缩层驱动电极的通电情况产生伸缩;
第一绝缘层,形成于所述凸台顶部,且覆盖所述顶部电致伸缩层驱动电极;
一组焊盘,形成于所述绝缘层上表面,用于分别与一Micro-LED显示芯片的电极连接。
6.根据权利要求5所述的结构,其特征在于:还包括封装盖板,所述封装盖板背面形成有第二绝缘层,对应于空白行子像素的第二绝缘层区域呈斜面设置,斜面角度与所述电致伸缩层通电后的Micro-LED显示芯片光路角度及有机绝缘层材料呈相关性。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320088808.4U CN219321002U (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 可调制光路的Micro-LED显示面板结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320088808.4U CN219321002U (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 可调制光路的Micro-LED显示面板结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=87029159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320088808.4U Active CN219321002U (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 可调制光路的Micro-LED显示面板结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
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