CN116013868A - 一种内绝缘分立器件封装结构、封装平台及制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种内绝缘分立器件封装结构、封装平台及制备方法。本申请提供的内绝缘分立器件封装结构，包括金属引脚、芯片、金属导电件、塑封体、焊接层以及陶瓷覆铜基板；所述金属引脚的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的另一端与芯片连接，所述芯片与所述陶瓷覆铜基板的正面通过所述焊接层焊接；所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件被塑封在所述塑封体内，所述陶瓷覆铜基板的背面露出于所述塑封体之外。本申请提供的内绝缘分立器件封装结构，提高了内绝缘分立器件封装结构的散热性能。

Description

一种内绝缘分立器件封装结构、封装平台及制备方法

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种内绝缘分立器件封装结构、封装平台及制备方法。

背景技术

分立器件封装方案是半导体器件领域常见的器件封装形式，传统的分立器件封装方案包括全包式和半包式两种。随着光伏、风力发电、电动汽车等领域的快速发展，这些领域对半导体器件的大电流以及高功率密度的需求也越来越大，传统的分立器件封装方案已不能满足这些领域对半导体器件的性能要求。

现有的绝缘型工艺分立器件封装方案的散热能力，相比传统的分立器件封装方案有了较大的提高，但是当将绝缘型工艺分立器件封装方案应用于高功率密度的器件时，其散热性能仍然不够。目前制约分立器件封装电流输出能力的最大因素还是散热性能，现有的分立器件封装方案的散热性能无法支撑分立器件持续性的大电流输出。

发明内容

本申请的目的在于提供一种内绝缘分立器件封装结构、封装平台及制备方法，以解决现有技术中的分立器件封装方案散热性能较差的技术问题。

本申请的技术方案如下，提供了一种内绝缘分立器件封装结构，包括金属引脚、芯片、金属导电件、塑封体、焊接层以及陶瓷覆铜基板；

所述金属引脚的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的另一端与芯片连接，所述芯片与所述陶瓷覆铜基板的正面通过所述焊接层焊接；

所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件被塑封在所述塑封体内，所述陶瓷覆铜基板的背面露出于所述塑封体之外。

进一步地，所述陶瓷覆铜基板为多层结构。

进一步地，所述陶瓷覆铜基板为三层结构，所述陶瓷覆铜基板的第一层为电路布局层，所述陶瓷覆铜基板的第二层为绝缘层，所述陶瓷覆铜基板的第三层为散热层；所述电路布局层包括所述陶瓷覆铜基板的正面，所述散热层包括所述陶瓷覆铜基板的背面，所述电路布局层和所述绝缘层均被封装在所述塑封体内。

进一步地，所述电路布局层包括铜材料，所述绝缘层包括陶瓷材料，所述散热层包括金属材料。

进一步地，所述电路布局层的厚度为0.1～1mm，所述绝缘层的厚度为0.1～0.5mm，所述散热层的厚度为0.1～1mm。

进一步地，所述金属引脚包括多个，所述金属引脚为折弯形状，所述焊接层包括纳米银膜。

本申请的另一技术方案如下，提供了一种根据上述任一项技术方案所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，包括模具框，所述模具框用于，对所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件进行塑封，形成所述塑封体。

本申请的另一技术方案如下，提供了一种根据上述任一项技术方案所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，包括工装以及引线框引脚，所述工装包括限位槽、引线框支撑块和定位针，所述引线框引脚包括定位孔、应力释放槽、连接框以及多个连接的金属引脚；

所述限位槽，用于放置所述陶瓷覆铜基板，所述定位针和所述定位孔相配合，用于对所述引线框引脚进行定位，所述引线框支撑块用于对所述引线框引脚进行支撑，所述应力释放槽用于在对所述内绝缘分立器件封装结构进行注塑时释放热应力，所述连接框用于连接多个所述金属引脚。

本申请的另一技术方案如下，提供了一种根据上述封装平台的内绝缘分立器件封装结构的制备方法，包括以下步骤：

将所述陶瓷覆铜基板放置在所述限位槽内，将所述芯片粘贴于所述陶瓷覆铜基板的预设位置上；

对所述陶瓷覆铜基板进行有压银烧结，使所述芯片焊接于所述陶瓷覆铜基板上；

将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上；

通过所述定位针和所述定位孔相配合，对所述引线框引脚进行定位，通过所述引线框支撑块对所述引线框引脚进行支撑，使所述引线框引脚放置于所述工装的预设位置上，并对所述引线框引脚进行焊接；

将所述引线框引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件放置于塑封模具内进行塑封；

对所述引线框引脚进行切筋分离处理，形成多个金属引脚，对所述塑封体之外的所述金属引脚进行电镀处理。

进一步地，所述金属导电件为金属导线或者金属连接桥；

若所述金属导电件为金属导线，则将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上，包括，利用超声焊接将所述金属导线的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上；

若所述金属导电件为金属连接桥，则将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上，包括，利用回流焊接将所述金属连接桥的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上。

本申请的有益效果在于：所述金属引脚的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的另一端与芯片连接，所述芯片与所述陶瓷覆铜基板的正面通过所述焊接层焊接；所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件被塑封在所述塑封体内，所述陶瓷覆铜基板的背面露出于所述塑封体之外；通过上述技术方案，提高了内绝缘分立器件封装结构的散热性能。

附图说明

图1为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的第一结构示意图；

图2为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的第二结构示意图；

图3为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的第三结构示意图；

图4为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的第四结构示意图；

图5为本申请实施例的工装的结构示意图；

图6为本申请实施例的引线框引脚的结构示意图；

图7为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的封装平台的第一结构示意图；

图8为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的封装平台的第二结构示意图；

图9为本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构的制备方法的流程示意图。

附图标记：1-金属引脚；2-芯片；3-金属导电件；4-塑封体；5-焊接层；6-陶瓷覆铜基板；7-槽口；8-工装；81-限位槽；82-引线框支撑块；83-圆形定位针；84-菱形定位针；9-引线框引脚；91-定位孔；92-应力释放槽；93-连接框。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例中，至少一个是指一个或多个；多个，是指两个或两个以上。在本申请的描述中，“第一”、“第二”、“第三”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。

在本说明书中术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请实施例提供的内绝缘分立器件封装结构的第一结构示意图，如图1所示，该内绝缘分立器件封装结构，包括金属引脚1、芯片2、金属导电件3、塑封体4、焊接层5以及陶瓷覆铜基板6；其中，所述金属导电件3可以为金属导线或者金属连接桥；所述金属导线可以是铜线或者铝线，所述金属连接桥可以为铜质材料形成的连接铜桥；

所述金属引脚1的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，所述金属导电件3的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，所述金属导电件3的另一端与芯片2连接，所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6的正面通过所述焊接层5焊接；

所述金属引脚1与所述陶瓷覆铜基板6连接的部分、所述陶瓷覆铜基板6的正面、所述焊接层5、所述芯片2以及所述金属导电件3被塑封在所述塑封体4内，所述陶瓷覆铜基板6的背面露出于所述塑封体4之外。其中，所述芯片2可以为SiCMosfet芯片，所述金属引脚1的材质底材可以为铜材，所述塑封体4可以包括环氧树脂材料。

本申请实施例，通过将所述金属引脚1的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，将所述金属导电件3的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，将所述金属导电件3的另一端与芯片2连接，将所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6的正面通过所述焊接层5焊接；使所述金属引脚1与所述陶瓷覆铜基板6连接的部分、所述陶瓷覆铜基板6的正面、所述焊接层5、所述芯片2以及所述金属导电件3被塑封在所述塑封体4内，使所述陶瓷覆铜基板6的背面露出于所述塑封体4之外；提高了内绝缘分立器件封装结构的散热性能。

在一些实施例中，所述陶瓷覆铜基板6为多层结构。

本申请实施例通过将陶瓷覆铜基板6设置为多层结构，可以提高所述内绝缘分立器件封装结构的绝缘能力和散热能力。

在一些实施例中，所述陶瓷覆铜基板6为三层结构，所述陶瓷覆铜基板6的第一层为电路布局层，所述陶瓷覆铜基板6的第二层为绝缘层，所述陶瓷覆铜基板6的第三层为散热层；所述电路布局层包括所述陶瓷覆铜基板6的正面，所述散热层包括所述陶瓷覆铜基板6的背面，所述电路布局层和所述绝缘层均被封装在所述塑封体4内。其中，所述电路布局层和所述绝缘层均被封装在所述塑封体4内，即所述电路布局层和所述绝缘层完全被封装在所述塑封体4内，散热层可以仅背面露出于塑封体4。

一个具体实施例中，所述陶瓷覆铜基板6为三层结构，即电路布局层、绝缘层和散热层，所述电路布局层用于进行电路布局，所述电路布局层是通过蚀刻形成的，所述绝缘层用于使电路布局层和散热层电气绝缘，所述散热层用于散热。

本申请实施例在提高所述内绝缘分立器件封装结构的散热能力的同时，还可以保证陶瓷覆铜基板6中的电路布局层与外界绝缘。

在一些实施例中，所述电路布局层包括铜材料，所述绝缘层包括陶瓷材料，所述散热层包括金属材料。其中，所述陶瓷材料为Si3N4陶瓷材料，金属材料具体可以为铜材料。

在一些实施例中，所述电路布局层的厚度为0.1～1mm，所述绝缘层的厚度为0.1～0.5mm，所述散热层的厚度为0.1～1mm。

在一些实施例中，所述金属引脚1包括多个，所述金属引脚1为折弯形状，所述焊接层5包括纳米银膜。其中，所述金属引脚1的折弯深度可以为1～4mm。

一个具体实施例中，所述内绝缘分立器件封装结构的第二结构示意图以及第三结构示意图，分别如图2、图3所示，通过为所述塑封体4设置槽口7和台阶，可以增大所述内绝缘分立器件封装结构的爬电距离，满足高功率密度产品电气绝缘性能需求。

本申请实施例提供的内绝缘分立器件封装结构，通过将所述金属引脚1的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，将所述金属导电件3的一端与所述陶瓷覆铜基板6的正面连接，将所述金属导电件3的另一端与芯片2连接，将所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6的正面通过所述焊接层5焊接；使所述金属引脚1与所述陶瓷覆铜基板6连接的部分、所述陶瓷覆铜基板6的正面、所述焊接层5、所述芯片2以及所述金属导电件3被塑封在所述塑封体4内，使所述陶瓷覆铜基板6的背面露出于所述塑封体4之外；提高了内绝缘分立器件封装结构的散热性能。

本申请实施例的内绝缘分立器件封装结构同时具备绝缘和较好的散热能力，相比现有封装，只需将芯片2焊接于陶瓷覆铜基板6上，工艺简单，散热路径短，散热能力强。

本申请实施例提供一种根据上述任一实施例所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，包括模具框，所述模具框用于，对所述金属引脚1与所述陶瓷覆铜基板6连接的部分、所述陶瓷覆铜基板6的正面、所述焊接层5、所述芯片2以及所述金属导电件3进行塑封，形成所述塑封体4。

一个具体实施例中，通过上述内绝缘分立器件封装平台，得到内绝缘分立器件封装结构，所述内绝缘分立器件封装结构的第四结构示意图，如图4所示。上述内绝缘分立器件封装平台可以兼容多种形式的封装，可以使得内绝缘分立器件封装结构的金属引脚1的数量为2～7个，可以为前期研发阶段提供通用封装平台，以进行产品性能测试，降低了投入成本，缩短了研发周期；作为通用封装平台时，金属引脚1不以引线框引脚9的形式连接在一起，金属引脚1为独立的金属折弯件，根据不同产品的不同引脚需求，可以将金属引脚1焊接至陶瓷覆铜基板6指定位置，在内绝缘分立器件封装结构塑封时，可以采用3D打印塑料框作为模具框，进行注塑封装处理；等验证通过后，再使用引线框引脚冲压模具和注塑模具。

本申请实施例提供一种根据上述任一实施例所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，包括工装8以及引线框引脚9，所述工装8包括限位槽81、引线框支撑块82和定位针，所述引线框引脚9包括定位孔91、应力释放槽92、连接框93以及多个连接的金属引脚1；

所述限位槽81，用于放置所述陶瓷覆铜基板6，所述定位针和所述定位孔91相配合，用于对所述引线框引脚9进行定位，所述引线框支撑块82用于对所述引线框引脚9进行支撑，所述应力释放槽92用于在对所述内绝缘分立器件封装结构进行注塑时释放热应力，所述连接框93用于连接多个所述金属引脚1。

一个具体实施例中，所述工装8的结构示意图，如图5所示，图5中，工装8包括限位槽81、引线框支撑块82和定位针，所述定位针包括圆形定位针83和菱形定位针84，图5中包括20个限位槽81，具体实施时，限位槽81可以为任意个数。所述引线框引脚9的结构示意图，如图6所示，图6中，所述圆形定位针83、所述菱形定位针84与所述引线框引脚9的定位孔91相互配合，实现对所述引线框引脚9的定位，当内绝缘分立器件封装结构被切成单颗产品时，定位孔91会去除，不会留在最终产品上；应力释放槽92，用于在注塑内绝缘分立器件封装结构时释放热应力，当内绝缘分立器件封装结构被切成切成单颗产品时，应力释放槽92会去除，不会留在最终产品上；金属引脚1用于陶瓷覆铜基板6上的电路引出；连接框93，用于连接各个金属引脚1，当内绝缘分立器件封装结构被切成切成单颗产品时，连接框93会去除，不会留在最终产品上。

另一个具体实施例中，所述内绝缘分立器件封装结构的封装平台的第一结构示意图，如图7所示，图7中只包括工装8，限位槽81中放置有所述陶瓷覆铜基板6和芯片2；所述内绝缘分立器件封装结构的封装平台的第二结构示意图，如图8所示，图8包括工装8以及引线框引脚9，所述限位槽81中有所述陶瓷覆铜基板6、芯片2以及金属导电件3。

本申请实施例提供的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，可以支持一次生产多颗产品(内绝缘分立器件封装结构)，提高了产品的生产效率。

本申请实施例提供一种内绝缘分立器件封装结构的制备方法，其流程示意图，如图9所示，所述制备方法包括以下步骤：

S1，将所述陶瓷覆铜基板6放置在所述限位槽81内，将所述芯片2粘贴于所述陶瓷覆铜基板6的预设位置上；

S2，对所述陶瓷覆铜基板6进行有压银烧结，使所述芯片2焊接于所述陶瓷覆铜基板6上；

S3，将所述金属导电件3的两端分别焊接于所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6上；

S4，通过所述定位针和所述定位孔91相配合，对所述引线框引脚9进行定位，通过所述引线框支撑块82对所述引线框引脚9进行支撑，使所述引线框引脚9放置于所述工装8的预设位置上，并对所述引线框引脚9进行焊接；

S5，将所述引线框引脚9与所述陶瓷覆铜基板6连接的部分、所述陶瓷覆铜基板6的正面、所述焊接层5、所述芯片2以及所述金属导电件3放置于塑封模具内进行塑封；

S6，对所述引线框引脚9进行切筋分离处理，形成多个金属引脚1，对所述塑封体4之外的所述金属引脚1进行电镀处理。

一个具体实施例中，内绝缘分立器件封装结构的制备方法包括，将多个陶瓷覆铜基板6放置在限位槽81内；通过贴片设备吸取SiCMosfet芯片并裁切纳米银膜，将SiCMosfet芯片粘贴于陶瓷覆铜基板6指定位置；对完成贴片的陶瓷覆铜基板6进行高温有压银烧结，将SiCMosfet芯片焊接于陶瓷覆铜基板6上；利用超声焊接的方式对金属导线进行焊接；将引线框引脚9放置在工装8的预设位置，通过定位针定位，通过所述引线框支撑块82对所述引线框引脚9进行支撑，使所述引线框引脚9放置于所述工装8的预设位置上，并利用超声焊接的方式对所述引线框引脚9进行焊接；将连接好陶瓷覆铜基板6的引线框引脚9放置在塑封模具内进行塑封，塑封料包裹SiCMosfet芯片、金属导线、部分引脚及陶瓷覆铜基板6，并使陶瓷覆铜基板6的散热面(散热层)露出塑封体4外；将连接在一起的引脚(引线框引脚9)进行切筋分离处理；对塑封体4外的引脚部分进行电镀处理。

另一个具体实施例中，内绝缘分立器件封装结构的制备方法包括，将多个陶瓷覆铜基板6放置在限位槽81内；通过贴片设备吸取SiCMosfet芯片并裁切纳米银膜，将SiCMosfet芯片粘贴于陶瓷覆铜基板6指定位置；对完成贴片的陶瓷覆铜基板6进行高温有压银烧结，在陶瓷覆铜基板6及SiCMosfet芯片的焊接位置放置焊片，将SiCMosfet芯片焊接于陶瓷覆铜基板6上；通过定位针定位，将引线框引脚9放置在工装8的预设位置，通过所述引线框支撑块82对所述引线框引脚9进行支撑，使所述引线框引脚9放置于所述工装8的预设位置上，利用回流焊接的方式对所述引线框引脚9进行焊接，将电路连接铜桥(金属连接桥)放置在工装8的铜桥限位槽，以回流焊接实现电路连接铜桥的焊接；将连接好陶瓷覆铜基板6的引线框引脚9放置在塑封模具内进行塑封，塑封料包裹SiCMosfet芯片、电路连接线、部分引脚及陶瓷覆铜基板6，陶瓷覆铜基板6的散热面露出塑封体4外；将连接在一起的引脚(引线框引脚9)进行切筋分离处理；对塑封体4外的引脚部分进行电镀处理。

在一些实施例中，所述金属导电件3为金属导线或者金属连接桥；

若所述金属导电件3为金属导线，则将所述金属导电件3的两端分别焊接于所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6上，包括，利用超声焊接将所述金属导线的两端分别焊接于所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6上；

若所述金属导电件3为金属连接桥，则将所述金属导电件3的两端分别焊接于所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6上，包括，利用回流焊接将所述金属连接桥的两端分别焊接于所述芯片2与所述陶瓷覆铜基板6上。

本申请实施例提供的内绝缘分立器件封装结构的制备方法，可选组装流程方法多样，可支持产品的大批量生产，提高了产品的生产效率，使用的银烧结焊接芯片2，相比传统工艺，热阻小，散热能力强，可支持功率密度更高的SiC芯片的封装。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，包括金属引脚、芯片、金属导电件、塑封体、焊接层以及陶瓷覆铜基板；

所述金属引脚的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的一端与所述陶瓷覆铜基板的正面连接，所述金属导电件的另一端与芯片连接，所述芯片与所述陶瓷覆铜基板的正面通过所述焊接层焊接；

所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件被塑封在所述塑封体内，所述陶瓷覆铜基板的背面露出于所述塑封体之外。

2.根据权利要求1所述的内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，所述陶瓷覆铜基板为多层结构。

3.根据权利要求2所述的内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，所述陶瓷覆铜基板为三层结构，所述陶瓷覆铜基板的第一层为电路布局层，所述陶瓷覆铜基板的第二层为绝缘层，所述陶瓷覆铜基板的第三层为散热层；所述电路布局层包括所述陶瓷覆铜基板的正面，所述散热层包括所述陶瓷覆铜基板的背面，所述电路布局层和所述绝缘层均被封装在所述塑封体内。

4.根据权利要求3所述的内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，所述电路布局层包括铜材料，所述绝缘层包括陶瓷材料，所述散热层包括金属材料。

5.根据权利要求3所述的内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，所述电路布局层的厚度为0.1～1mm，所述绝缘层的厚度为0.1～0.5mm，所述散热层的厚度为0.1～1mm。

6.根据权利要求1所述的内绝缘分立器件封装结构，其特征在于，所述金属引脚包括多个，所述金属引脚为折弯形状，所述焊接层包括纳米银膜。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，其特征在于，包括模具框，所述模具框用于，对所述金属引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件进行塑封，形成所述塑封体。

8.一种根据权利要求1-6任一项所述的内绝缘分立器件封装结构的封装平台，其特征在于，包括工装以及引线框引脚，所述工装包括限位槽、引线框支撑块和定位针，所述引线框引脚包括定位孔、应力释放槽、连接框以及多个连接的金属引脚；

所述限位槽，用于放置所述陶瓷覆铜基板，所述定位针和所述定位孔相配合，用于对所述引线框引脚进行定位，所述引线框支撑块用于对所述引线框引脚进行支撑，所述应力释放槽用于在对所述内绝缘分立器件封装结构进行注塑时释放热应力，所述连接框用于连接多个所述金属引脚。

9.一种根据权利要求8所述封装平台的内绝缘分立器件封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将所述陶瓷覆铜基板放置在所述限位槽内，将所述芯片粘贴于所述陶瓷覆铜基板的预设位置上；

对所述陶瓷覆铜基板进行有压银烧结，使所述芯片焊接于所述陶瓷覆铜基板上；

将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上；

通过所述定位针和所述定位孔相配合，对所述引线框引脚进行定位，通过所述引线框支撑块对所述引线框引脚进行支撑，使所述引线框引脚放置于所述工装的预设位置上，并对所述引线框引脚进行焊接；

将所述引线框引脚与所述陶瓷覆铜基板连接的部分、所述陶瓷覆铜基板的正面、所述焊接层、所述芯片以及所述金属导电件放置于塑封模具内进行塑封；

对所述引线框引脚进行切筋分离处理，形成多个金属引脚，对所述塑封体之外的所述金属引脚进行电镀处理。

10.根据权利要求9所述的内绝缘分立器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属导电件为金属导线或者金属连接桥；

若所述金属导电件为金属导线，则将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上，包括，利用超声焊接将所述金属导线的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上；

若所述金属导电件为金属连接桥，则将所述金属导电件的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上，包括，利用回流焊接将所述金属连接桥的两端分别焊接于所述芯片与所述陶瓷覆铜基板上。

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