CN116013805A - 一种共晶机 - Google Patents

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CN116013805A CN202210343844.0A CN202210343844A CN116013805A CN 116013805 A CN116013805 A CN 116013805A CN 202210343844 A CN202210343844 A CN 202210343844A CN 116013805 A CN116013805 A CN 116013805A
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Abstract

本申请涉及一种共晶机,其包括工作台板、共晶加热台、衬底上料装置、芯片上料装置以及管座上料装置。工作台板的上表面设置有龙门架,衬底上料装置包括衬底供料机构、衬底取料焊头机构、衬底校准机构以及衬底上料焊头机构,衬底取料焊头机构在衬底供料机构与衬底校准机构之间往复摆动,衬底上料焊头机构在衬底校准机构与共晶加热台之间往复移动。衬底取料焊头机构只是执行简单的转运动作,此过程并不需要精度很高的运动控制。在送料过程中采用高速、较低精度的转运机构,再通过衬底校准机构进行校准,再通过高精度的衬底上料焊头机构将热沉衬底转运至共晶加热台上,从而降低共晶机的成本,提高共晶机的生产效率的同时,提高共晶机的共晶精度。

Description

一种共晶机
技术领域
本申请涉及固晶技术领域,尤其是涉及一种共晶机。
背景技术
共晶是指共晶焊料之间发生共晶物熔合的现象,是一种形成高导热和导电粘合的工艺,这通常是当今芯片中密集封装电路所需要的。它是一种高度受控的芯片贴装工艺,适用于高可靠性、高精度要求的设备。共晶焊技术在电子封装行业得到广泛应用,如芯片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比,共晶焊接具有热导率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大的优点,适用于高频、大功率器件中芯片与基板、基板与管壳的互联。
共晶机是光电通讯器件封装生产线中的关键设备,其工作过程是:贴片头机构将基板从物料台上吸起放到共晶机构上,共晶机构将基板预热到贴装作业温度,贴片头机构按工艺编排依次将物料从对应的物料台吸起贴装到基板对应的贴装位置上,所有物料贴装完成后,共晶机构将基板加热到共晶温度,然后迅速降温进行固化,完成共晶。由于共晶作业需要在一定的时间内完成,因此共晶机需要高效率的运送基板及物料。参照附图1,授权公告号为CN215988671U,公告日为2022.03.08的中国实用新型专利公开了一种COC共晶机,其代表了传统共晶机的一种类型,包括图像识别装置100、COC芯片焊接吸嘴200、COC蓝膜脱模装置300、机架400以及共晶焊台500,COC芯片焊接吸嘴200通过导轨模组运动至COC蓝膜脱模装置300上方并吸取芯片,图像识别装置100通过对COC芯片焊接吸嘴200上的芯片进行图像识别以及经过对应的软件模块计算后,发送命令给COC芯片焊接吸嘴200,COC芯片焊接吸嘴200根据接收到的命令对芯片的位置进行相应调整后,将芯片放入共晶焊台500进行焊接。
针对上述技术手段,COC芯片焊接吸嘴200通过导轨模组运动至COC蓝膜脱模装置300上方并吸取芯片,通过图像识别装置100辅助调整芯片的方向。此过程需要非常高的精度要求,为了保证共晶的精度要求,因此COC芯片焊接吸嘴200在导轨模组上的运行速度较慢,严重影响了共晶机的批量生产效率。
发明内容
为了提高共晶机的批量生产效率,本申请提供一种共晶机。
本申请提供的一种共晶机,采用如下的技术方案。
一种共晶机,包括:
工作台板,所述工作台板的上表面设置有龙门架;
共晶加热台,用于将热沉衬底以及共晶芯片与共晶管座进行加热贴合,所述共晶加热台设置于所述工作台板上表面;
衬底上料装置,用于向所述共晶加热台提供热沉衬底,所述衬底上料装置包括用于提供热沉衬底的衬底供料机构、用于从所述衬底供料机构中吸取并转运热沉衬底的衬底取料焊头机构、用于接收所述衬底取料焊头机构上的热沉衬底并对热沉衬底进行位置和角度调节的衬底校准机构以及用于从所述衬底校准机构中吸取热沉衬底并转运至所述共晶加热台上的衬底上料焊头机构,所述衬底供料机构以及所述衬底校准机构设置于所述工作台板上表面,所述衬底取料焊头机构以及所述衬底上料焊头机构设置于所述龙门架的侧边,所述衬底取料焊头机构在所述衬底供料机构与所述衬底校准机构之间往复摆动,所述衬底上料焊头机构在所述衬底校准机构与所述共晶加热台之间往复移动;
芯片上料装置,用于向所述共晶加热台提供共晶芯片;
管座上料装置,用于向所述共晶加热台提供共晶管座。
通过采用上述技术方案,衬底取料焊头机构在衬底供料机构与衬底校准机构之间往复摆动,衬底取料焊头机构用于从衬底供料机构中吸取并将热沉衬底转运至衬底校准机构,衬底校准机构用于接收衬底取料焊头机构上的热沉衬底并对热沉衬底进行位置和角度调节,在此过程中,衬底取料焊头机构只是执行简单的转运动作,此过程并不需要精度很高的运动控制,因为衬底校准机构能够对热沉衬底进行校准。相比于COC芯片焊接吸嘴通过导轨模组运动至COC蓝膜脱模装置上方并吸取芯片,通过图像识别装置辅助调整芯片的方向,本技术方案在送料过程中采用高速、较低精度的转运机构,再通过衬底校准机构进行校准,再通过高精度的衬底上料焊头机构将热沉衬底转运至共晶加热台上,从而降低共晶机的成本,提高共晶机的批量生产效率的同时,提高共晶机的共晶精度。
可选的,所述芯片上料装置包括用于提供共晶芯片的芯片供料机构、用于从所述芯片供料机构中吸取并转运共晶芯片的芯片取料焊头机构、用于接收所述芯片取料焊头机构上的共晶芯片并对共晶芯片进行位置和角度调节的芯片校准机构以及用于从所述芯片校准机构中吸取共晶芯片并转运至所述共晶加热台上的芯片上料焊头机构,所述芯片供料机构以及所述芯片校准机构设置于所述工作台板上表面,所述芯片取料焊头机构以及所述芯片上料焊头机构设置于所述龙门架的侧边,所述芯片取料焊头机构在所述芯片供料机构与所述芯片校准机构之间往复摆动,所述芯片上料焊头机构在所述芯片校准机构与所述共晶加热台之间往复移动。
通过采用上述技术方案,对于共晶芯片的上料过程,在送料过程中采用高速、较低精度的转运机构,再通过芯片校准机构进行校准,再通过高精度的芯片上料焊头机构将共晶芯片转运至共晶加热台上,从而降低共晶机的成本,提高共晶机的批量生产效率的同时,提高共晶机的共晶精度。
可选的,所述龙门架的侧边还设置有共晶筒镜、两组校准筒镜以及两组供料筒镜,所述共晶筒镜设置于所述共晶加热台的正上方,所述校准筒镜对应设置于所述衬底校准机构以及所述芯片校准机构的正上方,所述供料筒镜对应设置于所述衬底供料机构以及所述芯片供料机构的正上方。
通过采用上述技术方案,共晶筒镜、校准筒镜以及供料筒镜能够在相应的动作过程中,对共晶的各个过程进行实时监测,从而保证共晶机准确有效地运行。
可选的,所述衬底上料焊头机构以及所述芯片上料焊头机构均通过直线电机滑移设置于所述龙门架的侧边。
通过采用上述技术方案,直线电机具有控制精度高,反应灵敏的特点,衬底上料焊头机构以及芯片上料焊头机构均通过直线电机滑移设置于龙门架的侧边,以使得衬底上料焊头机构以及芯片上料焊头机构能够快速稳定地运行。
可选的,所述芯片取料焊头机构包括马达安装座、芯片焊头、θ轴运动组件以及Z轴运动组件,所述θ轴运动组件与所述Z轴运动组件均安装于所述马达安装座,所述θ轴运动组件包括θ轴运动马达,所述θ轴运动马达具有第一输出轴,所述第一输出轴同轴固定有Z轴固定块,所述Z轴固定块设置有θ轴直线导轨,所述θ轴直线导轨滑移设置有Z轴滑移块,所述芯片焊头安装于所述Z轴滑移块。
通过采用上述技术方案,θ轴运动马达的第一输出轴带动Z轴固定块在θ轴方向进行转动,Z轴运动组件控制Z轴滑移块在θ轴直线导轨上沿着竖直方向往复运动,Z轴运动组件和θ轴运动组件均安装于马达安装座,二者独立运行,θ轴运动马达的第一输出轴带动Z轴固定块在θ轴方向进行转动,芯片焊头安装于θ轴运动组件的Z轴滑移块上,Z轴滑移块在Z轴固定块的θ轴直线导轨上滑动,Z轴运动组件控制Z轴滑移块上的芯片焊头在θ轴直线导轨上沿着竖直方向往复运动,从而降低θ轴的运动惯量,提高θ轴直线导轨的运行稳定性,降低芯片焊头的维护成本,并实现芯片焊头对共晶芯片的高精度、高频率转运。
可选的,所述马达安装座包括θ轴安装板以及与所述θ轴安装板可拆卸连接的Z轴安装板,所述θ轴安装板的长度方向与所述Z轴安装板的长度方向垂直,所述θ轴运动马达安装于所述θ轴安装板的顶端;所述Z轴运动组件包括Z轴运动马达,所述Z轴运动马达具有第二输出轴,所述第二输出轴同轴固定有Z轴偏心杆,所述Z轴偏心杆的一端转动设置有Z轴连杆,所述Z轴连杆远离所述Z轴偏心杆所在的一端转动设置有Z轴驱动块,所述Z轴驱动块沿着竖直方向与所述Z轴安装板滑移连接;所述Z轴驱动块远离所述Z轴安装板所在的一侧为驱动部,所述驱动部转动设置有驱动杆,所述驱动杆远离所述驱动部所在的一端与所述Z轴滑移块固定连接。
通过采用上述技术方案,马达安装座分为两块并且相互垂直,以使得θ轴运动马达和Z轴运动马达能够在不同方向进行安装,提高空间利用率。Z轴运动马达的第二输出轴带动Z轴偏心杆旋转,以使得Z轴偏心杆带动Z轴连杆带动Z轴驱动块沿着竖直方向在Z轴安装板上滑动,Z轴驱动块的驱动部通过驱动杆带动Z轴滑移块沿着竖直方向运动,从而实现芯片焊头在Z轴往复运动的功能。
可选的,所述驱动杆的中心轴线与所述第一输出轴的中心轴线位于同一条竖直线。
通过采用上述技术方案,驱动杆的中心轴线与第一输出轴的中心轴线位于同一竖直线,从而保证Z轴滑移块被θ轴运动马达驱动旋转的过程中,Z轴滑移块的旋转中心与驱动杆的中心轴线重合。相比于Z轴滑移块的旋转中心与驱动杆的中心轴线存在一定距离,θ轴运动马达驱动Z轴滑移块转动时,驱动杆的中心轴线会发生倾斜,从而导致驱动杆驱动Z轴滑移块的行程难以控制,影响芯片焊头的控制精度。在本技术方案中,Z轴滑移块的旋转中心与驱动杆的中心轴线重合,以使得Z轴滑移块能够围绕驱动杆的中心轴线进行自转,从而不会影响驱动杆驱动Z轴滑移块的行程,提高芯片焊头运动过程中的稳定性。
可选的,所述芯片校准机构包括包括校正架,所述校正架安装有中空轴电机,所述中空轴电机具有输出轴,所述输出轴设置有负压气道,所述输出轴安装有用于吸附共晶芯片的吸附件,所述吸附件与所述输出轴的所述负压气道连通。
通过采用上述技术方案,校正架安装有中空轴电机,中空轴电机的输出轴设置有负压气道,吸附件与输出轴的负压气道连通,安装于输出轴的吸附件能够将共晶芯片进行吸附,需要对放置于吸附件上的共晶芯片进行角度校正时,通过控制中空轴电机驱动输出轴转动,以使得安装于输出轴的吸附件能够相应地进行转动,相比于背景技术中的技术手段,本技术方案中的技术方案更加简单,减小加工误差和装配误差累计的问题,控制精度更高。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1.批量生产的效率更高。本技术方案在送料过程中采用高速、较低精度的转运机构,再通过衬底校准机构进行校准,再通过高精度的衬底上料焊头机构将热沉衬底转运至共晶加热台上,从而降低共晶机的成本,提高共晶机的批量生产效率的同时,提高共晶机的共晶精度。
2.共晶精度高。直线电机具有控制精度高,反应灵敏的特点,衬底上料焊头机构以及芯片上料焊头机构均通过直线电机滑移设置于龙门架的侧边,以使得衬底上料焊头机构以及芯片上料焊头机构能够快速稳定地运行。
3.校正速度更快。吸附件与输出轴的负压气道连通,安装于输出轴的吸附件能够将共晶芯片进行吸附,需要对放置于吸附件上的共晶芯片进行角度校正时,通过控制中空轴电机驱动输出轴转动,以使得安装于输出轴的吸附件能够相应地进行转动,减小加工误差和装配误差累计的问题,控制精度更高。
附图说明
图1是本申请说明书背景技术中介绍相关技术手段的附图;
图2是本申请实施例中共晶机的整体结构示意图;
图3是本申请实施例中芯片取料焊头机构的结构示意图;
图4是本申请实施例中芯片校准机构的结构示意图。
附图标记说明:
100、图像识别装置;200、COC芯片焊接吸嘴;300、COC蓝膜脱模装置;400、机架;500、共晶焊台;
1、工作台板;11、龙门架;12、筒镜安装架;13、共晶筒镜;14、校准筒镜;15、供料筒镜;2、共晶加热台;3、衬底上料装置;31、衬底供料机构;32、衬底取料焊头机构;33、衬底校准机构;34、衬底上料焊头机构;4、芯片上料装置;41、芯片供料机构;42、芯片取料焊头机构;421、马达安装座;4211、θ轴安装板;4212、Z轴安装板;422、芯片焊头;423、θ轴运动组件;4231、θ轴运动马达;4232、Z轴固定块;4233、θ轴直线导轨;4234、Z轴滑移块;424、Z轴运动组件;4241、Z轴运动马达;4242、Z轴偏心杆;4243、Z轴连杆;4244、Z轴驱动块;4245、驱动杆;4246、Z轴直线导轨;43、芯片校准机构;431、校正架;4311、安装孔;432、中空轴电机;4321、负压气道;433、吸附件;4331、吸附气道;4332、压紧凸台;44、芯片上料焊头机构;5、管座上料装置。
具体实施方式
以下结合附图2-4对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开一种共晶机。
参照图2,一种共晶机,包括工作台板1、共晶加热台2、衬底上料装置3、芯片上料装置4和管座上料装置5。工作台板1具有长度方向X、宽度方向Y以及高度方向Z。工作台板1的上表面设置有龙门架11,共晶加热台2以及管座上料装置5安装于工作台板1的上表面,衬底上料装置3以及芯片上料装置4安装于龙门架11的侧边。其中,衬底上料装置3以及芯片上料装置4沿着工作台板1长度方向X以共晶加热台2为中心呈镜像设置。共晶加热台2用于将热沉衬底以及共晶芯片与共晶管座进行加热贴合,衬底上料装置3用于向共晶加热台2提供热沉衬底,芯片上料装置4用于向共晶加热台2提供共晶芯片,管座上料装置5用于向共晶加热台2提供共晶管座。
具体地,参照图2,衬底上料装置3包括衬底供料机构31、衬底取料焊头机构32、衬底校准机构33以及衬底上料焊头机构34,衬底供料机构31设置于工作台板1上表面左侧,用于提供热沉衬底。衬底取料焊头机构32设置于龙门架11的侧边且在在衬底供料机构31与衬底校准机构33之间往复摆动,衬底取料焊头机构32从衬底供料机构31中吸取热沉衬底并转运至衬底校准机构33上。衬底校准机构33设置于工作台板1上表面且位于衬底供料机构31与共晶加热台2之间,衬底校准机构33接收衬底取料焊头机构32上的热沉衬底并对热沉衬底进行位置和角度调节。衬底取料焊头机构32设置于龙门架11的侧边并在衬底校准机构33与共晶加热台2之间往复移动,衬底上料焊头机构34从衬底校准机构33中吸取热沉衬底并转运至共晶加热台2上,衬底上料焊头机构34通过直线电机滑移设置于龙门架11的侧边。在此过程中,衬底取料焊头机构32只是执行简单的转运动作,此过程并不需要精度很高的运动控制,因为衬底校准机构33能够对热沉衬底进行校准。通过在送料过程中采用高速、较低精度的转运机构,从而提高在初段转运过程中的速度。再通过衬底校准机构33进行校准,可以提高热沉衬底的角度以及位置精度。再通过高精度的衬底上料焊头机构34将热沉衬底转运至共晶加热台2上,从而降低共晶机的成本,提高共晶机的批量生产效率的同时,提高共晶机的共晶精度。
参照图2,芯片上料装置4的原理以及工作过程与衬底上料装置3大致相同。芯片上料装置4包括芯片供料机构41、芯片取料焊头机构42、芯片校准机构43以及芯片上料焊头机构44,芯片供料机构41设置于工作台板1上表面左侧,用于提供共晶芯片。芯片取料焊头机构42设置于龙门架11的侧边且在在芯片供料机构41与芯片校准机构43之间往复摆动,芯片取料焊头机构42从芯片供料机构41中吸取共晶芯片并转运至芯片校准机构43上。芯片校准机构43设置于工作台板1上表面且位于芯片供料机构41与共晶加热台2之间,芯片校准机构43接收芯片取料焊头机构42上的共晶芯片并对共晶芯片进行位置和角度调节。芯片取料焊头机构42设置于龙门架11的侧边并在芯片校准机构43与共晶加热台2之间往复移动,芯片上料焊头机构44从芯片校准机构43中吸取共晶芯片并转运至共晶加热台2上,芯片上料焊头机构44通过直线电机滑移设置于龙门架11的侧边。
参照图2,为了提高共晶机运行的准确性,在龙门架11的上表面还设置有筒镜安装架12,筒镜安装架12靠近共晶加热台2所在的一侧安装有共晶筒镜13、两组校准筒镜14以及两组供料筒镜15。共晶筒镜13安装于共晶加热台2的正上方,用于对共晶加热台2中的共晶过程进行实时观测。一组校准筒镜14安装于衬底校准机构33的正上方,用于对衬底校准机构33的校正结果进行实时正反馈。另一组校准筒镜14安装于芯片校准机构43的正上方,用于对芯片校准机构43的校正结果进行实时正反馈。一组供料筒镜15安装于衬底供料机构31的正上方,用于对衬底供料机构31中的热沉衬底的数量与状态进行实时监测与计数,另一组供料筒镜15安装于芯片供料机构41的正上方,用于对芯片供料机构41中的共晶芯片的数量与状态进行实时监测与计数。其中,共晶筒镜13、校准筒镜14以及供料筒镜15均通过成像CCD进行图像输出,于各个显示屏(图中未示出)展示。
参照图2和图3,衬底取料焊头机构32与芯片取料焊头机构42采用相同的技术原理,在本实施例中,以芯片取料焊头机构42为例进行具体阐述。具体地,一种芯片取料焊头机构42,包括马达安装座421,马达安装座421上安装有θ轴运动组件423以及Z轴运动组件424,θ轴运动组件423上安装有用于将共晶芯片从芯片供料机构41中吸取共晶芯片并转运至芯片校准机构43上的芯片焊头422,θ轴运动组件423用于控制芯片焊头422在芯片供料机构41和芯片校准机构43之间往复摆动,Z轴运动组件424用于控制芯片焊头422在竖直方向往复运动。其中,马达安装座421包括θ轴安装板4211以及Z轴安装板4212,θ轴安装板4211与Z轴安装板4212可拆卸连接,θ轴安装板4211的长度方向与Z轴安装板4212的长度方向垂直,以使得θ轴运动马达4231和Z轴运动马达4241能够在不同方向进行安装,提高空间利用率。在本实施例中,θ轴安装板4211呈水平设置,Z轴安装板4212呈竖直设置。
参照图2和图3,θ轴运动组件423包括θ轴运动马达4231、Z轴固定块4232、θ轴直线导轨4233以及Z轴滑移块4234。θ轴运动马达4231安装于θ轴安装板4211顶端,θ轴运动马达4231具有竖直向下的第一输出轴。θ轴安装板4211上表面设置有上下贯穿的避让孔,第一输出轴穿过θ轴安装板4211顶端的避让孔并Z轴固定块4232同轴固定连接。Z轴固定块4232大体呈矩形设置,θ轴直线导轨4233通过螺栓固定于Z轴固定块4232远离第一输出轴所在的一侧。在本实施例中,θ轴直线导轨4233设置为两组相互平行且竖直布置。Z轴滑移块4234滑移安装于θ轴直线导轨4233以使得Z轴滑移块4234能够沿着θ轴直线导轨4233进行竖直方向的滑移运动,芯片焊头422通过螺栓可拆卸固定于Z轴滑移块4234远离θ轴直线导轨4233所在的一侧。
参照图2和图3,Z轴运动组件424包括Z轴运动马达4241、Z轴偏心杆4242、Z轴连杆4243以及Z轴驱动块4244,Z轴运动马达4241安装于Z轴安装板4212远离θ轴运动组件423所在的侧面,Z轴运动马达4241具有水平朝向θ轴运动组件423所在一侧的第二输出轴。Z轴安装板4212侧面设置有两侧贯穿的让位孔,第二输出轴穿过Z轴安装板4212侧面的让位孔并与Z轴偏心杆4242同轴固定连接。
参照图2和图3,Z轴连杆4243的一端转动连接于Z轴偏心杆4242的连接段,Z轴连杆4243的另一端转动连接于Z轴驱动块4244。Z轴驱动块4244沿着竖直方向与Z轴安装板4212通过Z轴直线导轨4246滑移连接,Z轴直线导轨4246与θ轴直线导轨4233平行,从而保证Z轴运动马达4241驱动Z轴偏心杆4242运动更加稳定。Z轴驱动块4244远离Z轴安装板4212所在的一侧为驱动部,驱动部设置有驱动杆4245,驱动杆4245的中心轴线与第一输出轴的中心轴线位于同一条竖直线,从而保证Z轴滑移块4234被θ轴运动马达4231驱动旋转的过程中,Z轴滑移块4234的旋转中心与驱动杆4245的中心轴线重合。驱动杆4245的一端与驱动部转动设置,驱动杆4245的另一端与Z轴滑移块4234固定连接。
参照图2和图3,θ轴运动马达4231的第一输出轴带动Z轴固定块4232在θ轴方向进行转动,Z轴固定块4232带动位于Z轴滑移块4234上的芯片焊头422在θ轴方向进行转动;Z轴运动马达4241的第二输出轴带动Z轴偏心杆4242旋转,以使得Z轴偏心杆4242带动Z轴连杆4243带动Z轴驱动块4244沿着竖直方向在Z轴安装板4212上滑动,Z轴驱动块4244的驱动部通过驱动杆4245带动Z轴滑移块4234沿着竖直方向运动,从而实现芯片焊头422在Z轴往复运动的功能。θ轴运动组件423和Z轴运动组件424均安装于马达安装座421,二者独立运行,从而降低θ轴的运动惯量,提高θ轴直线导轨4233的运行稳定性,降低芯片焊头422的维护成本,并实现芯片焊头422对共晶芯片的高精度、高频率转运。
参照图2和图4,衬底校准机构33与芯片校准机构43采用相同的技术原理,在本实施例中,以芯片校准机构43为例进行具体阐述。具体地,芯片校准机构43包括校正架431,校正架431对共晶芯片具有吸附力。在本实施例中,校正架431底部安装有中空轴电机432,中空轴电机432具有输出轴,输出轴具有负压气道4321,负压气道4321与负压装置(图中未示出)连通。校正架431设置有安装孔4311,安装孔4311内容置有吸附件433,吸附件433用于吸附共晶芯片且与中空轴电机432的输出轴同轴固定连接,吸附件433可拆卸设置于安装孔4311内。吸附件433具有吸附气道4331,吸附气道4331与负压气道4321连通,吸附件433便于加工与更换,同时,吸附件433的材质也能根据共晶芯片的需要进行相应的更换,以降低吸附件433的损耗成本。吸附件433底部设置有压紧凸台4332,压紧凸台4332与安装孔4311的下开口端面抵接,校正架431将吸附件433压紧于输出轴的上端面,压紧凸台4332将输出轴的负压气道4321覆盖并密封,以提高吸附件433与输出轴之间的密封性能,同时,压紧凸台4332能够与安装孔4311靠近中空轴电机432所在的开口端面形成抵接,从而改善吸附件433从安装孔4311中掉落出来的问题。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围。其中,相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是,上面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种共晶机,其特征在于,包括:
工作台板(1),所述工作台板(1)的上表面设置有龙门架(11);
共晶加热台(2),用于将热沉衬底以及共晶芯片与共晶管座进行加热贴合,所述共晶加热台(2)设置于所述工作台板(1)上表面;
衬底上料装置(3),用于向所述共晶加热台(2)提供热沉衬底,所述衬底上料装置(3)包括用于提供热沉衬底的衬底供料机构(31)、用于从所述衬底供料机构(31)中吸取并转运热沉衬底的衬底取料焊头机构(32)、用于接收所述衬底取料焊头机构(32)上的热沉衬底并对热沉衬底进行位置和角度调节的衬底校准机构(33)以及用于从所述衬底校准机构(33)中吸取热沉衬底并转运至所述共晶加热台(2)上的衬底上料焊头机构(34),所述衬底供料机构(31)以及所述衬底校准机构(33)设置于所述工作台板(1)上表面,所述衬底取料焊头机构(32)以及所述衬底上料焊头机构(34)设置于所述龙门架(11)的侧边,所述衬底取料焊头机构(32)在所述衬底供料机构(31)与所述衬底校准机构(33)之间往复摆动,所述衬底上料焊头机构(34)在所述衬底校准机构(33)与所述共晶加热台(2)之间往复移动;
芯片上料装置(4),用于向所述共晶加热台(2)提供共晶芯片;
管座上料装置(5),用于向所述共晶加热台(2)提供共晶管座。
2.根据权利要求1所述的一种共晶机,其特征在于,所述芯片上料装置(4)包括用于提供共晶芯片的芯片供料机构(41)、用于从所述芯片供料机构(41)中吸取并转运共晶芯片的芯片取料焊头机构(42)、用于接收所述芯片取料焊头机构(42)上的共晶芯片并对共晶芯片进行位置和角度调节的芯片校准机构(43)以及用于从所述芯片校准机构(43)中吸取共晶芯片并转运至所述共晶加热台(2)上的芯片上料焊头机构(44),所述芯片供料机构(41)以及所述芯片校准机构(43)设置于所述工作台板(1)上表面,所述芯片取料焊头机构(42)以及所述芯片上料焊头机构(44)设置于所述龙门架(11)的侧边,所述芯片取料焊头机构(42)在所述芯片供料机构(41)与所述芯片校准机构(43)之间往复摆动,所述芯片上料焊头机构(44)在所述芯片校准机构(43)与所述共晶加热台(2)之间往复移动。
3.根据权利要求2所述的一种共晶机,其特征在于,所述龙门架(11)的侧边还设置有共晶筒镜(13)、两组校准筒镜(14)以及两组供料筒镜(15),所述共晶筒镜(13)设置于所述共晶加热台(2)的正上方,所述校准筒镜(14)对应设置于所述衬底校准机构(33)以及所述芯片校准机构(43)的正上方,所述供料筒镜(15)对应设置于所述衬底供料机构(31)以及所述芯片供料机构(41)的正上方。
4.根据权利要求2所述的一种共晶机,其特征在于,所述衬底上料焊头机构(34)以及所述芯片上料焊头机构(44)均通过直线电机滑移设置于所述龙门架(11)的侧边。
5.根据权利要求2所述的一种共晶机,其特征在于,所述芯片取料焊头机构(42)包括马达安装座(421)、芯片焊头(422)、θ轴运动组件(423)以及Z轴运动组件(424),所述θ轴运动组件(423)与所述Z轴运动组件(424)均安装于所述马达安装座(421),所述θ轴运动组件(423)包括θ轴运动马达(4231),所述θ轴运动马达(4231)具有第一输出轴,所述第一输出轴同轴固定有Z轴固定块(4232),所述Z轴固定块(4232)设置有θ轴直线导轨(4233),所述θ轴直线导轨(4233)滑移设置有Z轴滑移块(4234),所述芯片焊头(422)安装于所述Z轴滑移块(4234)。
6.根据权利要求5所述的一种共晶机,其特征在于,所述马达安装座(421)包括θ轴安装板(4211)以及与所述θ轴安装板(4211)可拆卸连接的Z轴安装板(4212),所述θ轴安装板(4211)的长度方向与所述Z轴安装板(4212)的长度方向垂直,所述θ轴运动马达(4231)安装于所述θ轴安装板(4211)的顶端;所述Z轴运动组件(424)包括Z轴运动马达(4241),所述Z轴运动马达(4241)具有第二输出轴,所述第二输出轴同轴固定有Z轴偏心杆(4242),所述Z轴偏心杆(4242)的一端转动设置有Z轴连杆(4243),所述Z轴连杆(4243)远离所述Z轴偏心杆(4242)所在的一端转动设置有Z轴驱动块(4244),所述Z轴驱动块(4244)沿着竖直方向与所述Z轴安装板(4212)滑移连接;所述Z轴驱动块(4244)远离所述Z轴安装板(4212)所在的一侧为驱动部,所述驱动部转动设置有驱动杆(4245),所述驱动杆(4245)远离所述驱动部所在的一端与所述Z轴滑移块(4234)固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种共晶机,其特征在于,所述驱动杆(4245)的中心轴线与所述第一输出轴的中心轴线位于同一条竖直线。
8.根据权利要求3所述的一种共晶机,其特征在于,所述芯片校准机构(43)包括包括校正架(431),所述校正架(431)安装有中空轴电机(432),所述中空轴电机(432)具有输出轴,所述输出轴设置有负压气道(4321),所述输出轴安装有用于吸附共晶芯片的吸附件(433),所述吸附件(433)与所述输出轴的所述负压气道(4321)连通。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2018218849A1 (zh) * 2017-06-02 2018-12-06 广东瑞谷光网通信股份有限公司 芯片旋转共晶焊接台
CN111863676A (zh) * 2020-08-28 2020-10-30 恩纳基智能科技无锡有限公司 高精度智能共晶贴装设备及其加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018218849A1 (zh) * 2017-06-02 2018-12-06 广东瑞谷光网通信股份有限公司 芯片旋转共晶焊接台
CN111863676A (zh) * 2020-08-28 2020-10-30 恩纳基智能科技无锡有限公司 高精度智能共晶贴装设备及其加工方法

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