CN115999996A - 晶圆回收方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶圆回收方法，所述方法包括：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。上述方案可以有效去除待回收晶圆表面的颗粒物，使得待回收晶圆表面的颗粒物数量明显减少，达到再次使用的要求，从而降低制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领技，尤其涉及一种晶圆回收方法。
背景技术
在集成电路制造过程中，通常会选取光片晶圆用于生产测试或设备监控，所述光片晶圆通常情况下是只有硅衬底，表面无其他膜层、颗粒物的晶圆。所述光片晶圆在用于测试后，通常会因为存在缺陷而直接进行报废处理。
例如，为监控药液槽体或设备腔室的洁净度，通常采用光片晶圆进入设备药液槽体或者腔室进行传送测试，传送测试前需要对光片晶圆进行颗粒量测，传送结束下机后再量测该光片晶圆的颗粒值，然后将传送测试前后两次颗粒值相减计算颗粒增量。增量的大小可以充分证明设备药液槽体或腔室是否洁净度。在这种应用场景中，如果设备腔室洁净度差，用于进行传送测试的光片晶圆在传送结束后表面具有的颗粒数量可能会超过合格阈值，因此会被直接做报废处理。
此外，在气相沉积工艺中，为监控设备腔室沉积膜厚的效果，往往将光片晶圆放入设备腔室先进行暖机作业，暖机作业后还需要使用该光片晶圆预先进行沉积作业(例如，氮化硅沉积作业)，在进行沉积后需要测量膜厚、颗粒、应力等是否符合生产产品之要求。测量结果符合要求后还会再放置一片测试用的光片晶圆，随产品一起进入设备腔室进行沉积作业(例如，氮化硅沉积)，然后测量沉积后的晶圆的膜厚、颗粒、应力等。在这种应用场景中，气相沉积往往会导致测试用的光片晶圆的表面有膜层存在，同时经过设备周转，该光片晶圆表面也会伴随颗粒物存在。因此，测试用的晶圆一般在使用之后也会直接报废处理。
由于集成电路制造工艺复杂而且苛刻，选取光片晶圆进行生产测试及设备监控是必不可少的步骤。光片晶圆在使用之后由于存在缺陷而报废的数量非常多，这大大地增加了制造成本。
现有技术虽然存在一些对生产测试或设备监控用的晶圆进行清洁的方案，但清洁效果不够理想。
发明内容
本发明实施例解决的技术问题是如何解决因生产测试或设备监控造成光片晶圆在使用之后存在缺陷而报废，导致制造成本增加。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供晶圆回收方法，具体包括：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。
可选的，若干个所述颗粒物的数量大于100个，所述预设数量区间为0个至10个。
可选的，所述待回收晶圆的表面还具有膜层；在对所述待回收晶圆进行干法清洗之前，对所述待回收晶圆进行各向同性刻蚀处理，以剥离所述膜层；剥离所述膜层后，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，以清洁所述待回收晶圆的表面。
可选的，所述膜层为氮化硅膜层，所述膜层的厚度小于等于
可选的，所述各向同性刻蚀处理采用的刻蚀剂是氢氟酸和氟化铵的混合剂，氢氟酸和氟化铵的摩尔比在6:1至8:1之间。
可选的，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度选自21℃至27℃。
可选的，所述膜层越厚，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长越长。
可选的，满足以下任一项：所述膜层的厚度小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长小于或等于300秒；所述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于300秒，且小于等于600秒；所述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于600秒，且小于等于900秒；所述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于900秒，且小于等于1800秒。
可选的，所述预处理湿法清洗所采用的药液选自以下一项或多项：N甲基吡咯烷酮、异丙醇以及去离子水。
可选的，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，包括：采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆浸泡第一预设时长；采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆冲洗第二预设时长，且浸泡和冲洗过程中N甲基吡咯烷酮的温度在第一温度区间内；依次采用异丙醇和去离子水对所述待回收晶圆进行冲洗，且冲洗过程中异丙醇和去离子水的温度在第二温度区间内。
可选的，满足以下一项或多项：所述第一预设时长选自110秒至130秒；所述第二预设时长选自290秒至310秒；所述第一温度区间为75℃至85℃；所述第二温度区间为21℃至27℃。
可选的，对所述待回收晶圆进行干法清洗，包括：采用等离子清洗方法，将所述待回收晶圆放入设备腔室，然后向所述设备腔室内通入氧气并产生电浆，以氧离子吹拂所述待回收晶圆的表面。
可选的，满足以下一项或多项：所述干法清洗的第三温度区间为60℃至80℃；所述干法清洗的时长选自200秒至240秒。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例提供一种晶圆回收方法，提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。在本发明实施例中，通过所述干法清洗步骤，可以使得所述待回收晶圆的表面粘附性较强的颗粒物脱离所述待回收晶圆的表面，然后再进行所述湿法清洗，可以基本去除所述待回收晶圆表面残留的颗粒物，使得颗粒物数量明显减少并处于合格的数量区间内，达到再次使用的要求，而无需做报废处理，从而降低制造成本。
进一步，在本发明实施例中，所述待回收晶圆的表面还具有膜层；在对所述待回收晶圆进行干法清洗之前，还可以对所述待回收晶圆进行各向同性刻蚀处理，以剥离所述膜层；剥离所述膜层后，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，以清洁所述待回收晶圆的表面。通过先进行所述各向同性刻蚀处理，可以使得所述待回收晶圆的表面的膜层和刻蚀药剂发生化学反应，达到对所述膜层的刻蚀作用，使得所述膜层脱离所述待回收晶圆的表面。然后进行所述预处理湿法清洗，可以去除各向同性刻蚀处理后所述待回收晶圆表面的残留物，进一步达到清洁效果。之后再依次进行所述干法清洗和湿法清洗，从而使得所述待回收晶圆表面的膜层和颗粒物均被有效去除，重新满足使用要求而无需做报废处理，从而降低制造成本。
进一步，在本发明实施例中，所述各向同性刻蚀处理采用的刻蚀剂是氢氟酸和氟化铵的混合剂，氢氟酸和氟化铵的摩尔比在6:1至8:1之间。通过采用氢氟酸和氟化铵的混合剂，并适当配置两者的摩尔比，有助于加速所述膜层与所述混合剂发生化学反应的速度，提高刻蚀的效率和效果。
进一步，在本发明实施例中，还可以合理控制所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度，以及根据所述膜层的厚度适当设置相应的刻蚀时长，其中，所述膜层越厚，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长越长，从而可以达到加速刻蚀速度的同时，尽可能将所述膜层完全剥离掉。
进一步，在本发明实施例中，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，包括：采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆浸泡第一预设时长；采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆冲洗第二预设时长，且浸泡和冲洗过程中N甲基吡咯烷酮的温度在第一温度区间内；依次采用异丙醇和去离子水对所述待回收晶圆进行冲洗，且冲洗过程中异丙醇和去离子水的温度在第二温度区间内。通过在适当的时长和温度下，依次采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆浸泡、冲洗，然后再依次采用异丙醇和去离子水进行冲洗，可以有效清除所述待回收晶圆表面的残留物。
附图说明
图1是本发明实施例中一种晶圆回收方法的流程图；
图2是采用图1中的晶圆回收方法对待回收晶圆进行清洁的前后对比示意图；
图3是本发明实施例中另一种晶圆回收方法的流程图；
图4是图3中步骤S32的一种具体实施方式的流程图；
图5是采用图3中的晶圆回收方法对待回收晶圆进行清洁的前后对比示意图。
具体实施方式
如前所述，由于集成电路制造工艺复杂而且苛刻，选取光片晶圆进行生产测试及设备监控是必不可少的步骤。光片晶圆在用于生产测试或设备监控后，往往会因为存在膜层或较多颗粒物而做报废处理，且实际应用中报废数量非常多，这大大地增加了制造成本。
当前虽存在一些对生产测试或设备监控用的晶圆进行清洁的方案，例如，采用单一溶剂(例如，氢氟酸)进行刻蚀处理后，再采用双氧水、去离子水等进行冲洗。然而，现有清洁方案对具有膜层和较多颗粒物的待回收晶圆的清洁效果并不理想，难以使得清洁后的晶圆重新达到使用要求。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种晶圆回收方法，具体包括：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。
由上，在本发明实施例中，通过先进行所述各向同性刻蚀处理，可以使得所述膜层和刻蚀药剂发生化学反应，达到对所述膜层的刻蚀作用，使得所述膜层脱离所述待回收晶圆的表面。然后进行所述预处理湿法清洗，可以去除各向同性刻蚀处理后所述待回收晶圆表面的残留物，进一步达到清洁效果，使得所述待回收晶圆重新满足使用要求，而无需做报废处理，从而降低制造成本。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细说明。
参照图1，图1是本发明实施例中一种晶圆回收方法的流程图。所述晶圆回收方法可以包括步骤S11至步骤S13：
步骤S11：提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；
步骤S12：对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；
步骤S13：对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。
在步骤S11的具体实施中，本发明实施例所述待回收晶圆可以是该颗粒物数量超过合格阈值的晶圆。例如，可以是已被用于进行设备清洁度监控的晶圆。
在监控药液槽体或设备腔室的洁净度的应用场景中，将洁净的光片晶圆放入设备药液槽体或者腔室进行传送测试，传送结束下机后，原来洁净的光片晶圆表面会增加较多颗粒物。基于传送测试前后所述光片晶圆表面颗粒物的增量大小，可以评估设备药液槽体或者腔室的洁净度。在上述应用场景中，如果设备腔室洁净度差，用于光片晶圆在传送结束后表面具有的颗粒数量可能会超过合格阈值。
在一些非限制性实施例中，所述合格阈值可以设置为100个，即，若干个所述颗粒物的数量大于100个。
在步骤S12的具体实施中，所述干法清洗可以指用高压气流、臭氧、激光、等离子体、紫外线等方法来清洁工件表面的一种清洗方法。
其中，高压气流主要利用气体高速运动的动能来清除工件表面的污染物。臭氧是一种强氧化剂，分子由3个氧原子组成(O3)，利用臭氧对工件表面的有机物进行氧化分解，也可对微生物进行杀菌。紫外线也有对有机物的氧化分解能力，主要用于杀菌，其波长在210～260nm间，最强的是265nm。激光清洗，是指采用高能激光束照射工件表面，使表面的污染物发生蒸发或剥离。
进一步地，所述步骤S12中对所述待回收晶圆进行干法清洗可以包括：采用等离子(Plasma)清洗方法，将所述待回收晶圆放入设备腔室，然后向所述设备腔室内通入氧气并产生电浆，以氧离子吹拂所述待回收晶圆的表面。
更进一步地，所述干法清洗满足以下一项或多项：所述干法清洗的第三温度区间为60℃至80℃，例如，可以设置所述干法清洗的温度为70℃或75℃；所述干法清洗的时长选自200秒至240秒，例如，可以所述干法清洗的时长为210秒或220秒或230秒。
在本发明实施例中，通过采用等离子体清洗，可以使得设备腔室内的低压气体中少量的电子被电场加速，以强大的能量冲撞周围的分子和原子，再飞出电子激起离子化，以氧离子吹拂所述待回收晶圆表面，从而可以有效清除所述待回收晶圆表面的大量颗粒物。此外，还可以合理设置所述等离子体清洗的温度，并根据所述待回收晶圆的表面具有的颗粒物数量适当控制干洗时长(所述待回收晶圆的表面的颗粒物数量越多，进行干洗的时长越长)，以实现较佳的清洗效果。
在步骤S13的具体实施中，由于通过步骤S12对所述待回收晶圆进行干法清洗后，所述待回收晶圆的表面可能还具有少部分残留的颗粒物，因此，还需进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。
在具体实施中，所述步骤S13中进行湿法清洗的具体方案可以参照下文以及图4中关于预处理湿法清洗的方案进行执行，此处不再赘述。
在具体实施中，在所述步骤S13对所述待回收晶圆进行湿法清洗之后，还可以对湿法清洗后的所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量进行量测，以确认残留的颗粒物数量是否在所述预设数量区间内。量测的方法可以是现有的常规方法，本发明实施例不做限制。
在一些非限制性实施例中，所述预设数量区间为0个至10个。
可以理解，所述预设数量区间为所述待回收晶圆满足重新利用的标准下，其表面所具有的颗粒物数量范围。在实际应用中，由于不同应用场景中所述待回收晶圆满足重新利用的标准可能不同，因此，所述预设数量区间也可以依据需要做适应性调整。本发明实施例对于所述预设区间的设置不做限制。
参照图2，图2是采用图1中的晶圆回收方法对待回收晶圆进行清洁的前后对比示意图。
在图2中，左侧示出的是本发明实施例中清洗前的待回收晶圆的状态示意图，从图中可以看出，清洗前的待回收晶圆表面具有较多数量的颗粒物。
右侧示出的是对左侧的待回收晶圆依次进行图1中步骤S12所述干法清洗、步骤S13所述湿法清洗之后的状态示意图，从图中可以看出，待回收晶圆表面的颗粒物数量明显减少，可以满足再次使用的要求，而无需做报废处理。(需指出，图2中仅示意性的示出待回收晶圆表面的部分颗粒物，并不构成对实际中待回收晶圆表面具有的颗粒物数量的限制。)
参照图3，图3是本发明实施例中另一种晶圆回收方法的流程图。本发明实施例所述待回收晶圆的表面还具有膜层。所述另一种晶圆回收方法可以包括图1中的步骤S11至步骤S13，还可以包括步骤S31至步骤S32，其中，步骤S31至步骤S32可以在步骤S12之前执行。以下对与图1中的不同内容进行说明。
在步骤S31中，对所述待回收晶圆进行各向同性刻蚀处理，以剥离所述膜层。
本发明实施例所述待回收晶圆可以是存在膜层和颗粒物的晶圆。例如，可以是已被用于进行设备腔室沉积膜厚的效果测试的晶圆。
在气相沉积工艺中，为监控设备腔室沉积膜厚的效果，将光片晶圆放入设备腔室进行沉积作业(例如，氮化硅沉积)，在进行沉积后需要测量膜厚、颗粒、应力等是否符合生产产品之要求。在上述应用场景中，气相沉积往往会导致测试用的光片晶圆的表面有膜层存在，同时经过设备周转，该光片晶圆表面也可能会伴随颗粒物存在。
在一些非限制性实施例中，所述膜层为氮化硅膜层，所述膜层的厚度小于等于
(埃，
等于0.1nm)。在其他应用场景中，所述膜层也可以与氮化硅膜层性能相似的其他类型膜层，例如氧化硅膜层。
在具体实施中，所述各向同性刻蚀处理可以包括：采用湿法刻蚀工艺对所述待回收晶圆进行刻蚀处理。
进一步地，所述各向同性刻蚀处理采用的刻蚀剂可以是氢氟酸，还可以是氢氟酸和氟化铵的混合剂，所述混合剂中氢氟酸和氟化铵的摩尔比在6:1至8:1之间，例如，可以设置所述摩尔比为7:1。
其中，氢氟酸(HF)是氟化氢气体的水溶液，是一种清澈、无色、发烟的腐蚀性液体。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。实际应用中，氢氟酸一般用萤石(主要成分为氟化钙)和浓硫酸来制取。
氟化铵(NH4F)是一种无机化合物，呈白色结晶性粉末状，易潮解，溶于水、甲醇，微溶于乙醇，不溶于丙酮，可以用作刻蚀剂。
在本发明实施例中，通过采用氢氟酸和氟化铵的混合剂，并适当配置两者的摩尔比，有助于加速所述膜层与所述混合剂发生化学反应的速度，提高刻蚀的效率和效果。
进一步地，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度选自21℃至27℃，其中，所述刻蚀温度可以与进行刻蚀处理的无尘室里的室温尽可能相近或一致。例如，可以设置所述刻蚀温度为23℃至25℃之间。
进一步地，所述膜层越厚，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长越长。
具体而言，所述膜层的厚度与所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长的对应关系可以如下：
所述膜层的厚度选自
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长选自(0，300秒]；
所述膜层的厚度选自
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长选自(300秒，600秒]；
所述膜层的厚度选自
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长选自(600秒，900秒]；
所述膜层的厚度选自
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长选自(900秒，1800秒]。
在本发明实施例中，通过合理控制所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度，以及根据所述膜层的厚度适当设置相应的刻蚀时长，从而可以达到加速刻蚀速度的同时，尽可能将所述膜层完全剥离掉。
在步骤S32中，剥离所述膜层后，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，以清洁所述待回收晶圆的表面。
进一步地，所述预处理湿法清洗所采用的药液选自以下一项或多项：N甲基吡咯烷酮、异丙醇以及去离子水。
参照图4，图4是图3中步骤S32的一种具体实施方式的流程图。所述步骤S32中对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗可以包括步骤S41至步骤S44，以下对各步骤进行说明。
在步骤S41中，采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆浸泡第一预设时长。
其中，N甲基吡咯烷酮是一种有机物，化学式为C5H9NO，为无色至淡黄色透明液体，稍有氨气味，能与水混溶，溶于乙醚、丙酮等大多数有机溶剂。能溶解大多数有机与无机化合物。
进一步地，所述第一预设时长可以选自110秒至130秒，例如，可以设置所述第一预设时长为120秒。
在步骤S42中，采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆冲洗第二预设时长。
进一步地，所述第二预设时长可以选自290秒至310秒，例如，可以设置所述第二预设时长为300秒。
其中，上述步骤S41和步骤S42中浸泡和冲洗过程N甲基吡咯烷酮的温度可以设置在第一温度区间内。
进一步地，所述第一温度区间可以为75℃至85℃，例如可以设置所述第一温度区间为80℃。
在步骤S43中，采用异丙醇对所述待回收晶圆进行冲洗。
其中，异丙醇(IPA)又可以称为2-丙醇，是一种有机化合物，化学式是C3H8O，是正丙醇的同分异构体，为无色透明液体，有似乙醇和丙酮混合物的气味，可溶于水，也可溶于醇、醚、苯、氯仿等多数有机溶剂。
在步骤S44中，采用去离子水对所述待回收晶圆进行冲洗。
其中，去离子水可以指完全或不完全地去除离子物质的纯水。现有工艺中主要采用反渗透(Reverse Osmosis，RO)的方法制取去离子水。
在具体实施中，上述步骤S43和步骤S44的两次冲洗过程中异丙醇和去离子水的温度可以设置在第二温度区间内。
进一步地，所述第二温度区间可以为21℃至27℃，例如，可以设置所述第二温度区间与进行冲洗处理所处的无尘室里的室温尽可能相近或一致。例如，可以设置所述第二温度区间为23℃至25℃之间。
在本发明实施例中，通过在适当的时长和温度下，依次采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆进行浸泡、冲洗，然后再依次采用异丙醇和去离子水进行冲洗，可以有效清除所述待回收晶圆表面的残留物。
在具体实施中，关于图3中示出的所述另一种晶圆回收方法的更多详细内容可以参照上文及图1中的相关描述，此处不再赘述。
参照图5，图5是采用图3中的晶圆回收方法对待回收晶圆进行清洁的前后对比示意图。
在图5中，左侧示出的是本发明实施例中清洁前的待回收晶圆的状态示意图，从图中可以看出，清洁前的待回收晶圆表面具有膜层以及具有较多数量的颗粒物。
右侧示出的是对左侧的待回收晶圆依次进行图3中步骤S31所述各向同性刻蚀处理、步骤S32所述预处理湿法清洗(也即，第一次湿法清洗)、步骤S12所述干法清洗、步骤S13所述湿法清洗(也即，第二次湿法清洗)之后的状态示意图，从图中可以看出，所述膜层被剥离掉，且颗粒物数量明显减少，可以满足再次使用的要求，而无需做报废处理。(需指出，图5中仅示意性的示出待回收晶圆表面的膜层和部分颗粒物，并不构成对实际中待回收晶圆表面具有的膜层形态和颗粒物数量的限制。)
应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请实施例中出现的“多个”是指两个或两个以上。
本申请实施例中出现的第一、第二等描述，仅作示意与区分描述对象之用，没有次序之分，也不表示本申请实施例中对设备个数的特别限定，不能构成对本申请实施例的任何限制。
需要指出的是，本实施例中各个步骤的序号并不代表对各个步骤的执行顺序的限定。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (13)
1.一种晶圆回收方法，其特征在于，包括：
提供待回收晶圆，所述待回收晶圆的表面具有若干个颗粒物；
对所述待回收晶圆进行干法清洗，以使若干个所述颗粒物的至少一部分脱离所述待回收晶圆的表面；
对所述待回收晶圆进行湿法清洗，以使所述待回收晶圆的表面残留的颗粒物数量在预设数量区间内。
2.根据权利要求1所述的晶圆回收方法，其特征在于，若干个所述颗粒物的数量大于100个，所述预设数量区间为0个至10个。
3.根据权利要求1所述的晶圆回收方法，其特征在于，还包括：
所述待回收晶圆的表面还具有膜层；
在对所述待回收晶圆进行干法清洗之前，对所述待回收晶圆进行各向同性刻蚀处理，以剥离所述膜层；
剥离所述膜层后，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，以清洁所述待回收晶圆的表面。
4.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述膜层为氮化硅膜层，所述膜层的厚度小于等于
5.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀处理采用的刻蚀剂是氢氟酸和氟化铵的混合剂，氢氟酸和氟化铵的摩尔比在6:1至8:1之间。
6.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀温度选自21℃至27℃。
7.根据权利要求3所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述膜层越厚，所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长越长。
8.根据权利要求7所述的晶圆回收方法，其特征在于，满足以下任一项：
所述膜层的厚度小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长小于等于300秒；
所述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于300秒，且小于等于600秒；
所述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于600秒，且小于等于900秒；
述膜层的厚度大于
且小于等于
所述各向同性刻蚀处理的刻蚀时长大于900秒，且小于等于1800秒。
9.根据权利要求3或4所述的晶圆回收方法，其特征在于，所述预处理湿法清洗所采用的药液选自以下一项或多项：
N甲基吡咯烷酮、异丙醇以及去离子水。
10.根据权利要求9所述的晶圆回收方法，其特征在于，对所述待回收晶圆进行预处理湿法清洗，包括：
采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆浸泡第一预设时长；
采用N甲基吡咯烷酮对所述待回收晶圆冲洗第二预设时长，且浸泡和冲洗过程中N甲基吡咯烷酮的温度在第一温度区间内；
依次采用异丙醇和去离子水对所述待回收晶圆进行冲洗，且冲洗过程中异丙醇和去离子水的温度在第二温度区间内。
11.根据权利要求10所述的晶圆回收方法，其特征在于，满足以下一项或多项：所述第一预设时长选自110秒至130秒；
所述第二预设时长选自290秒至310秒；
所述第一温度区间为75℃至85℃；
所述第二温度区间为21℃至27℃。
12.根据权利要求1所述的晶圆回收方法，其特征在于，对所述待回收晶圆进行干法清洗，包括：
采用等离子清洗方法，将所述待回收晶圆放入设备腔室，然后向所述设备腔室内通入氧气并产生电浆，以氧离子吹拂所述待回收晶圆的表面。
13.根据权利要求12所述的晶圆回收方法，其特征在于，满足以下一项或多项：
所述干法清洗的第三温度区间为60℃至80℃；
所述干法清洗的时长选自200秒至240秒。
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