CN115993753A - 光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供设计版图，包括多个设计图形；获取对应设计版图的网格状的初始边界线，初始边界线经过设计图形，且初始边界线与经过的设计图形具有至少两个第一交点；在初始边界线上获取分割点，分割点位于初始边界线经过的设计图形的两侧、并与经过的设计图形的第一交点具有预设距离，位于相邻分割点之间、且经过设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；在设计图形外侧形成第三边界线，第三边界线通过分割点与第二边界线交替首尾相接，第三边界线和第二边界线构成目标边界线。本发明有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。

Description

光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。然而随着器件的尺寸日益缩小，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正(opticalproximity correction，OPC)，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移。在OPC修正程序中，通常需要进行掩膜尺寸检查(Mask Manufacturing Rule Check)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。

然而，由于版图的面积往往非常巨大，导致难以将整个版图同时进行OPC修正处理，从而需要将版图切分成多个子区域，并对每个子区域单独进行OPC修正处理，再将处理后的子区域拼接为版图。

但是，切分版图往往会引起一些影响OPC修正结果的问题。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的修正精准率。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：图形提供模块，用于提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；初始边界线获取模块，用于获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；获取分割点模块，用于在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；边界生成模块，用于在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

相应的，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

相应的，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的光学邻近修正方法中，在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线，在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线；本发明实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

可选方案中，沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线，有利于减小形成所述第三边界线时，经过其他设计图形的概率，尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

附图说明

图1是一种光学邻近修正方法的流程图；

图2至图5是一种光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图；

图6是本发明光学邻近修正方法一实施例的流程图；

图7至图15是本发明光学邻近修正方法一实施例中各步骤对应的示意图；

图16是本发明光学邻近修正系统一实施例的功能框图；

图17是本发明提供的设备一实施例的硬件结构图。

具体实施方式

目前光学邻近修正的修正精准率有待提高。现结合一种光学邻近修正方法分析光学邻近修正的修正精准率有待提高的原因。

图1是一种光学邻近修正方法的流程图。结合参考图2至图5，示出了所述光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图。

参考图2，图2是步骤s1对应的示意图，执行步骤s1：提供设计版图10，所述设计版图10包括多个设计图形11。

参考图3，图3是步骤s2对应的示意图，执行步骤s2：切分所述设计版图10，形成网格状的边界线20，所述网格状的边界线20将所述设计版图10分为多个子区域21。

继续参考图3，图3还包括步骤s3对应的示意图，执行步骤s3：分别对各个所述子区域21中的设计图形11进行光学邻近修正处理。

结合参考图4，图4是图3中虚线框位置处的放大示意图，所述边界线20经过所述设计图形11，并将所述设计图形11分为两个子图形12。

所述边界线20将所述设计图形11分为两个子图形12，破坏了每个子区域21中设计图形11的完整性，则在分别对各个所述子区域21中的设计图形11进行光学邻近修正处理的步骤中，所述设计图形11被分成两个子图形12分别进行光学邻近修正处理，容易导致对所述两个子图形12的处理结果不一致，从而在后续将各个子区域21拼接的过程中，所述设计图形11因被分割而容易产生跳变现象，难以将所述子区域21精准地拼接，从而导致对所述设计图形11的光学修正处理的精准率较差。

参考图5，图5是步骤s4对应的示意图，步骤s4：去除所述边界线20，将各个所述子区域21拼接。

为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法。参考图6，示出了本发明光学邻近修正方法一实施例的流程图。

本实施例中，所述光学邻近修正方法包括以下基本步骤：

步骤S1：提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；

步骤S2：获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；

步骤S3：在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；

步骤S4：在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

本发明实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图7至图15是本发明光学邻近修正方法一实施例中各步骤对应的示意图。

参考图7，图7是步骤S1对应的示意图，执行步骤S1：提供设计版图100，所述设计版图100包括多个设计图形110。

所述设计图形110为转移至晶圆上的目标图形，在对所述设计图形110进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，所述设计版图100为孔洞图形版图，所述孔洞图形版图中的设计图形110为孔洞图形。

本实施例中，所述孔洞图形包括接触孔(contact)图形或互连通孔(via)图形。

所述接触孔图形用于在晶圆上形成接触孔，所述接触孔用于形成接触孔插塞，所述互连通孔图形用于在晶圆上形成互连通孔，所述互连通孔用于形成互连通孔结构，通常，所述接触孔图形或互连通孔图形在版图层中数量较多且较为密集，因此，所述孔洞形版图的面积较大，后续需要切分所述设计版图100，再进行光学邻近修正处理。

本实施例中，所述孔洞图形为方形。

后续需要沿所述设计图形110的轮廓形成第三边界线，所述孔洞图形为方形，有利于形成形状规则的第三边界线，且对初始边界线的改动不会过大。

结合参考图8和图9，图8是步骤S2对应的示意图，图9是图8中虚线框位置处的放大示意图，执行步骤S2：获取对应所述设计版图100的网格状的初始边界线200，所述网格状的初始边界线200经过所述设计图形110，且所述初始边界线200与经过的所述设计图形110具有至少两个第一交点400。

后续通过修改所述初始边界线200，以形成目标边界线，从而形成由所述目标边界线定义的子区域。

由于所述设计版图100的面积通常较大，从而将所述设计版图100切分成由所述初始边界线200围成的多个子区域，通过对每个子区域单独进行光学邻近修正处理，再将处理后的子区域拼接，实现对所述设计版图100的光学邻近修正处理，有利于避免对较大面积的区域进行光学邻近修正处理而耗时过长，从而节省了所述光学邻近修正处理的处理时间。

需要说明的是，所述设计版图100中的设计图形110通常数量较多且较为密集，则所述初始边界线200通常难以避免地经过的所述设计图形110，当所述初始边界线200经过的所述设计图形110时，所述初始边界线200与所述设计图形110具有两个第一交点400。

参考图10，图10是步骤S3对应的示意图，执行步骤S3，在所述初始边界线200上获取分割点410，所述分割点410位于所述初始边界线200经过的所述设计图形110的两侧、并与经过的所述设计图形110的所述第一交点400具有预设距离d，位于相邻所述分割点410之间、且经过所述设计图形110的初始边界线200作为第一边界线210，剩余初始边界线200作为第二边界线220。

所述分割点410用于作为后续形成的第三边界线与所述第二边界线220的连接点，从而构成目标边界线。

所述分割点410与相应设计图形110的所述第一交点400具有预设距离d，则根据所述设计图形110的形状尺寸，以及所述设计图形110在所述设计版图100中的分布情况，设立预设距离d，使得所述分割点410与所述第一交点400具有合适的距离，从而能够使得后续形成的第三边界线与所述设计图形110的轮廓具有相应合适的距离。

需要说明的是，在所述初始边界线200上获取位于所述设计图形110两侧、并与相应设计图形110的所述第一交点400具有预设距离d的分割点410，指的是，所述分割点410位于所述设计图形110两侧，且每一个分割点410与相对应设计图形110的两个第一交点400具有预设距离d。

还需要说明的是，所述预设距离d不宜过大，也不宜过小。如果所述预设距离d过大，则后续形成的第三边界线与所述设计图形110的轮廓之间的距离过大，从而所述第三边界线虽然未将相应所述设计图形110分割，但增大了所述第三边界线将所述设计图形110周围的其他设计图形110分割的概率，影响其他设计图形110的完整性，从而导致其他设计图形110在后续拼接的过程中产生跳变现象，影响后续将所述子区域拼接的精准率；如果所述预设距离d过小，则后续形成的第三边界线与所述设计图形110的轮廓之间的距离过小，从而导致所述第三边界线与所述设计图形110的轮廓容易因距离过小而贴合，则后续对所述子区域进行光学邻近修正处理的过程中，因所述设计图形110的轮廓与子区域的边界过于接近，而容易导致对所述设计图形110的轮廓漏处理，从而影响所述光学邻近修正处理的精准率。为此，所述预设距离d为3nm至5nm。

具体地，在所述初始边界线200上获取分割点410的步骤包括：对所述设计图形110进行膨胀处理，使所述设计图形110的每条边向所述设计图形110外侧等距平移，形成扩张图形120，其中，所述等距平移的距离为所述预设距离d。

形成所述扩张图形120，用于获取所述扩张图形120与初始边界线200的第二交点作为分割点，由所述设计图形110的每条边向所述设计图形110外侧等距平移形成所述扩张图形120，则所述扩张图形120将所述设计图形110包括在内部，从而后续能够以所述扩张图形120的轮廓为基准，形成不经过所述设计图形110的第三边界线，有利于确保后续形成的每个所述子区域中设计图形110的完整性。

相应的，所述对所述设计图形110进行膨胀处理，还包括：所述扩张图形包括通过所述初始边界线200分割的两个子图形130。

本实施例中，形成所述扩张图形120后，后续获取所述扩张图形120与所述初始边界线200的第二交点之前，还包括：判断相邻所述扩张图形120是否交叠，在相邻所述扩张图形120交叠的情况下，去除相邻所述扩张图形120交叠部分的轮廓线。

在所述设计版图100中，当相邻设计图形100距离过小时，形成的所述扩张图形120会出现相互交叠的情况，去除相邻所述扩张图形120交叠部分的轮廓线，将交叠的相邻扩张图形120合并，使得相邻扩张图形120简洁清楚，从而简化后续以所述扩张图形120的轮廓为基准，形成第三边界线的过程，而且，相邻所述扩张图形120相互交叠时，还容易导致其中一个所述扩张图形120进入到另一个扩张图形120内部并经过所述设计图形110内部的情况，因此，去除相邻所述扩张图形120交叠部分的轮廓线，还能避免误将所述设计图形110分割的情况。

继续参考图10，获取所述扩张图形120与所述初始边界线200的第二交点420，作为所述分割点410。

通过形成所述扩张图形120来获得分割点410，使得所述分割点410的分布适应于不同的设计图形110的形状，且能够根据所述设计图形110的分布情况，统一且较为均匀地获得所述分割点410的位置，而且，形成一个扩张图形120就能获得所述设计图形110两侧的相应两个分割点410，有利于提高操作效率。

参考图11，所述光学邻近修正方法还包括：去除所述第一边界线210。

去除所述第一边界线210，使得第二边界线220更为清晰、易辨认，有利于后续利用所述第二边界线220形成目标边界线。

在其他实施例中，所述第一边界线还可以在后续形成目标边界线后去除，在另一些实施例中，所述第一边界线还可以不去除。

参考图12，图12是步骤S4对应的示意图，执行步骤S4，在所述设计图形110外侧形成第三边界线230，所述第三边界线230通过所述分割点410与所述第二边界线220交替首尾相接，所述第三边界线230和第二边界线220构成目标边界线240，所述目标边界线240将所述设计版图100分为多个子区域310。

本实施例中，在所述设计图形110外侧形成第三边界线230，则尽可能避免了所述目标边界线240将所述设计图形110分割的情况，以确保后续每个子区域中设计图形110的完整性，从而在后续将各个子区域310拼接的过程中，有利于减少设计图形110因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域310拼接，进而有利于使得对所述设计图形110的光学修正处理更为精准。

本实施例中，在所述设计图形110外侧形成第三边界线230的步骤中，沿所述设计图形110的轮廓形成所述第三边界线230。

沿所述设计图形110的轮廓形成所述第三边界线230，有利于减小形成所述第三边界线230时，经过其他设计图形110的概率，尽可能避免了所述目标边界线240将所述设计图形110分割的情况，从而有利于后续更精准地将所述子区域310拼接，进而有利于使得对所述设计图形110的光学修正处理更为精准。

具体地，参考图12，所述在所述设计图形110外侧形成第三边界线230包括：沿所述初始边界线200任一侧的所述扩张图形120的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线230。

所述扩张图形120由设计图形110的每条边向所述设计图形110外侧等距平移形成，则所述扩张图形120将所述设计图形110包括在内部，从而沿所述初始边界线200任一侧的所述扩张图形120的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线230，有利于确保所述第三边界线230不经过所述设计图形110，从而有利于确保后续形成的每个所述子区域310中设计图形110的完整性，而且，形成扩张图形120后，即沿所述扩张图形120的轮廓形成第三边界线230，简便易操作，且无需再增加设置所述第三边界线230的形成位置的操作，效率较高。

具体地，沿所述扩张图形120分成的两个子图形130中，任一个子图形130的轮廓形成所述第三边界线230。

本实施例中，沿两个所述子图形130中面积更小的所述子图形130的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线230。

沿两个所述子图形130中面积更小的所述子图形130的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线230，则形成的所述第三边界线230相对于初始边界线200的改动较小，有利于提高所述第三边界线230的兼容性，而且，将所述沿两个所述子图形130中面积更小的所述子图形130的轮廓形成第三边界线230，则能够将所述设计图形110归于具有更大面积的所述设计图形110的子区域310中，对所述子区域310的图形改动也较小，有利于提高所述子区域310的兼容性。

参考图13，在所述设计图形110外侧形成第三边界线230后，还包括：当位于所述第二边界线220同侧且相邻的第三边界线230之间的最小间距t小于或等于预设尺寸时，将相邻的所述第三边界线230作为待处理边界线250。

当位于所述第二边界线220同侧且相邻的第三边界线230之间的最小间距t小于或等于预设尺寸时，则位于所述第二边界线220同侧且相邻的第三边界线230之间具有较为靠近的部分，容易导致形成的所述目标边界线240较为繁琐复杂，则后续通过对所述待处理边界线250进行处理，使得所述目标边界线240更为简洁清楚。

需要说明的是，所述预设尺寸不宜过大，也不宜过小。如果所述预设尺寸过大，则当位于所述第二边界线220同侧且相邻的第三边界线230之间的最小间距t较大时，也将相邻的所述第三边界线230作为待处理边界线250，并在后续进行不必要的修剪，容易造成运算成本的浪费；如果所述预设尺寸过小，则当位于所述第二边界线220同侧且相邻的第三边界线230之间的最小间距t较小时，却未将相邻的所述第三边界线230作为待处理边界线250，容易遗漏对所述第三边界线230的必要操作，影响所述子区域310的划分，从而影响所述光学邻近修正的操作。为此，本实施例中，所述预设尺寸为20nm至30nm。

本实施例中，在所述待处理边界线250中，分别选取与所述第二边界线220具有最大垂直距离w的边作为基准边231，所述基准边231用于作为后续连接相邻第三边界线230的备选边。

本实施例中，比较所述基准边231至第二边界线220的垂直距离w，将垂直距离w更小的所述基准边231所对应的待处理边界线250作为第一待处理边界线260，另一个所述待处理边界线250作为第二待处理边界线270。

需要说明的是，当所述待处理边界线250的基准边231至第二边界线220的垂直距离w相等时，以任一个待处理边界线250作为第一待处理边界线260，另一个待处理边界线250作为第二待处理边界线270。

参考图14，将所述第一待处理边界线260的基准边231向所述第二待处理边界线270延长，直至与所述第二待处理边界线270相接触，所述第二待处理边界线270、第一待处理边界线260和第二边界线220围成封闭图形(如图14中斜线填充部分所示)。

将所述第一待处理边界线260的基准边231向所述第二待处理边界线270延长，直至与所述第二待处理边界线270相接触，能够在使得相邻待处理边界线250相接触的同时，尽量减小所述基准边231延长经过的范围，从而减小所述基准边231延长经过其他设计图形110的概率，有利于确保所述设计图形110的完整性。

参考图15，去除所述封闭图形中，所述第一待处理边界线260的基准边231之外的其余轮廓线，获得目标边界线240。

所述目标边界线240简洁清楚，并且避免多于的轮廓线对所述设计版图100不必要的切分。

本实施例中，所述目标边界线240将所述设计版图100分为多个子区域310后，所述光学邻近修正方法还包括：分别对各个所述子区域310中的设计图形110进行光学邻近修正处理。

本实施例中，形成的所述目标边界线240尽可能避免了将所述设计图形110分割的情况，以确保每个子区域310中设计图形110的完整性，有利于使得对所述设计图形110的光学修正处理更为精准。

在对所述待测图形110进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，分别对各个所述子区域310中的设计图形110进行光学邻近修正处理后，所述光学邻近修正方法还包括：去除所述目标边界线240，将各个所述子区域310拼接。

本实施例中，形成的所述目标边界线240尽可能避免了将所述设计图形100分割的情况，以确保每个子区域310中设计图形110的完整性，从而在将各个子区域310拼接的过程中，有利于减少设计图形110因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于更精准地将所述子区域310拼接。

相应的，本发明还提供一种光学邻近修正系统。图16是本发明光学邻近修正系统一实施例的功能框图。

本实施例中，所述光学邻近修正系统50包括：图形提供模块501，用于提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；初始边界线获取模块502，用于获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；获取分割点模块503，用于在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；边界生成模块504，用于在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

图形提供模块501，用于提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形。

所述设计图形为转移至晶圆上的目标图形，在对所述设计图形进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，所述设计版图为孔洞图形版图，所述孔洞图形版图中的设计图形为孔洞图形。

本实施例中，所述孔洞图形包括接触孔图形或互连通孔图形。

所述接触孔图形用于在晶圆上形成接触孔，所述接触孔用于形成接触孔插塞，所述互连通孔图形用于在晶圆上形成互连通孔，所述互连通孔用于形成互连通孔结构，通常，所述接触孔图形或互连通孔图形在版图层中数量较多且较为密集，因此，所述孔洞形版图的面积较大，后续需要切分所述设计版图，再进行光学邻近修正处理。

本实施例中，所述孔洞图形为方形。

后续需要沿所述设计图形的轮廓形成第三边界线，所述孔洞图形为方形，有利于形成形状规则的第三边界线，且对初始边界线的改动不会过大。

初始边界线获取模块502，用于获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点。

后续通过修改所述初始边界线，以形成目标边界线，从而形成由所述目标边界线定义的子区域。

由于所述设计版图的面积通常较大，从而将所述设计版图切分成由所述初始边界线围成的多个子区域，通过对每个子区域单独进行光学邻近修正处理，再将处理后的子区域拼接，实现对所述设计版图的光学邻近修正处理，有利于避免对较大面积的区域进行光学邻近修正处理而耗时过长，从而节省了所述光学邻近修正处理的处理时间。

需要说明的是，所述设计版图中的设计图形通常数量较多且较为密集，则所述初始边界线通常难以避免地经过的所述设计图形，当所述初始边界线经过的所述设计图形时，所述初始边界线与所述设计图形具有两个第一交点。

获取分割点模块503，用于在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离d，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线。

所述分割点用于作为后续形成的第三边界线与所述第二边界线的连接点，从而构成目标边界线。

所述分割点与相应设计图形的所述第一交点具有预设距离d，则根据所述设计图形的形状尺寸，以及所述设计图形在所述设计版图中的分布情况，设立预设距离d，使得所述分割点与所述第一交点具有合适的距离，从而能够使得后续形成的第三边界线与所述设计图形的轮廓具有相应合适的距离。

需要说明的是，在所述初始边界线上获取位于所述设计图形两侧、并与相应设计图形的所述第一交点具有预设距离d的分割点，指的是，所述分割点位于所述设计图形两侧，且每一个分割点与相对应设计图形中的相邻第一交点具有预设距离d。

还需要说明的是，所述预设距离d不宜过大，也不宜过小。如果所述预设距离d过大，则后续形成的第三边界线与所述设计图形的轮廓之间的距离过大，从而所述第三边界线虽然未将相应所述设计图形分割，但增大了所述第三边界线将所述设计图形周围的其他设计图形分割的概率，影响其他设计图形的完整性，从而导致其他设计图形在后续拼接的过程中产生跳变现象，影响后续将所述子区域拼接的精准率；如果所述预设距离d过小，则后续形成的第三边界线与所述设计图形的轮廓之间的距离过小，从而导致所述第三边界线与所述设计图形的轮廓容易因距离过小而贴合，则后续对所述子区域进行光学邻近修正处理的过程中，因所述设计图形的轮廓与子区域的边界过于接近，而容易导致对所述设计图形的轮廓漏处理，从而影响所述光学邻近修正处理的精准率。为此，所述预设距离d为3nm至5nm。

具体地，所述获取分割点模块503包括：扩张图形单元，用于对所述设计图形进行膨胀处理，使所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移，形成扩张图形，其中，所述等距平移的距离为所述预设距离d。

形成所述扩张图形，用于获取所述扩张图形与初始边界线的第二交点作为分割点，由所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移形成所述扩张图形，则所述扩张图形将所述设计图形包括在内部，从而后续能够以所述扩张图形的轮廓为基准，形成不经过所述设计图形的第三边界线，有利于确保后续形成的每个所述子区域中设计图形的完整性。

相应的，所述对所述设计图形进行膨胀处理，还包括：所述扩张图形包括通过所述初始边界线分割的两个子图形。

本实施例中，形成所述扩张图形后，后续获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点之前，还包括：判断相邻所述扩张图形是否交叠，在相邻所述扩张图形交叠的情况下，去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线。

在所述设计版图中，当相邻设计图形距离过小时，形成的所述扩张图形会出现相互交叠的情况，去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线，将交叠的相邻扩张图形合并，使得相邻扩张图形简洁清楚，从而简化后续以所述扩张图形的轮廓为基准，形成第三边界线的过程，而且，相邻所述扩张图形相互交叠时，还容易导致其中一个所述扩张图形进入到另一个扩张图形内部并经过所述设计图形内部的情况，因此，去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线，还能避免误将所述设计图形分割的情况。

所述获取分割点模块503还包括：选择取点单元，用于获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点，作为所述分割点。

通过形成所述扩张图形来获得分割点，使得所述分割点的分布适应于不同的设计图形的形状，且能够根据所述设计图形的分布情况，统一且较为均匀地获得所述分割点的位置，而且，形成一个扩张图形就能获得所述设计图形两侧的相应两个分割点，有利于提高操作效率。

所述光学邻近修正系统还包括：边界去除模块，用于去除所述第一边界线。

去除所述第一边界线，使得第二边界线更为清晰、易辨认，有利于后续利用所述第二边界线形成目标边界线。

在其他实施例中，所述边界去除模块还可以用于在后续形成目标边界线后去除所述第一边界线，在另一些实施例中，所述光学邻近修正系统还可以不包括所述边界去除模块。

边界生成模块504，用于在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

本实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保后续每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

本实施例中，所述边界生成模块505还用于沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线。

沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线，有利于减小形成所述第三边界线时，经过其他设计图形的概率，尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

具体地，所述边界生成模块505用于沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线。

所述扩张图形由设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移形成，则所述扩张图形将所述设计图形包括在内部，从而沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线，有利于确保所述第三边界线不经过所述设计图形，从而有利于确保后续形成的每个所述子区域中设计图形的完整性，而且，形成扩张图形后，即沿所述扩张图形的轮廓形成第三边界线，简便易操作，且无需再增加设置所述第三边界线的形成位置的操作，效率较高。

具体地，沿所述扩张图形分成的两个子图形中，任一个子图形的轮廓形成所述第三边界线。

本实施例中，沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线。

沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线，则形成的所述第三边界线相对于初始边界线的改动较小，有利于提高所述第三边界线的兼容性，而且，将所述沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓形成第三边界线，则将所述设计图形归于具有更大面积的所述设计图形的子区域中，对所述子区域的图形改动也较小，有利于提高所述子区域的兼容性。

所述光学邻近修正系统还包括：在所述设计图形外侧形成第三边界线后，当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距t小于或等于预设尺寸时，将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线。

当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距t小于或等于预设尺寸时，则位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间具有较为靠近的部分，容易导致形成的所述目标边界线较为繁琐复杂，则后续通过对所述待处理边界线进行处理，使得所述目标边界线更为简洁清楚。

需要说明的是，所述预设尺寸不宜过大，也不宜过小。如果所述预设尺寸过大，则当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距t较大时，也将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线，并在后续进行不必要的修剪，容易造成运算成本的浪费；如果所述预设尺寸过小，则当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距t较小时，却未将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线，容易遗漏对所述第三边界线的必要操作，影响所述子区域的划分，从而影响所述光学邻近修正的操作。为此，本实施例中，所述预设尺寸为20nm至30nm。

本实施例中，在所述待处理边界线中，分别选取与所述第二边界线具有最大垂直距离w的边作为基准边，所述基准边用于作为后续连接相邻第三边界线的备选边。

本实施例中，比较所述基准边至第二边界线的垂直距离w，将垂直距离w更小的所述基准边所对应的待处理边界线作为第一待处理边界线，另一个所述待处理边界线作为第二待处理边界线。

需要说明的是，当所述待处理边界线的基准边至第二边界线的垂直距离w相等时，以任一个待处理边界线作为第一待处理边界线，另一个待处理边界线作为第二待处理边界线。

所述光学邻近修正系统还包括：将所述第一待处理边界线的基准边向所述第二待处理边界线延长，直至与所述第二待处理边界线相接触，所述第二待处理边界线、第一待处理边界线和第二边界线围成封闭图形。

将所述第一待处理边界线的基准边向所述第二待处理边界线延长，直至与所述第二待处理边界线相接触，能够在使得相邻待处理边界线相接触的同时，尽量减小所述基准边延长经过的范围，从而减小所述基准边延长经过其他设计图形的概率，有利于确保所述设计图形的完整性。

所述光学邻近修正系统还包括：去除所述封闭图形中，所述第一待处理边界线的基准边之外的其余轮廓线，获得目标边界线。

所述目标边界线简洁清楚，并且避免多于的轮廓线对所述设计版图不必要的切分。

本实施例中，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域后，所述光学邻近修正方法还包括：分别对各个所述子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理。

本实施例中，形成的所述目标边界线尽可能避免了将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

在对所述待测图形进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，所述光学邻近修正系统还包括：分别对各个所述子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理后，去除所述目标边界线，将各个所述子区域拼接。

本实施例中，形成的所述目标边界线尽可能避免了将所述设计图形100分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于更精准地将所述子区域拼接。

相应地，本发明还提供一种掩膜版，包括：利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

由前述的实施例可知，本发明实施例提供的光学邻近修正方法中，在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线，在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线；本发明实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

本发明实施例还提供一种设备，该设备可以通过装载程序形式的上述光学邻近修正方法，以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。本发明实施例提供的终端设备的一种可选硬件结构可以如图17所示，包括：至少一个处理器01，至少一个通信接口02，至少一个存储器03和至少一个通信总线04。

本实施例中，处理器01、通信接口02、存储器03、通信总线04的数量为至少一个，且处理器01、通信接口02、存储器03通过通信总线04完成相互间的通信。通信接口02可以为用于进行网络通信的通信模块的接口，如GSM模块的接口。处理器01可能是中央处理器CPU，或者是特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。存储器03可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。其中，存储器03存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令被处理器01执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

需要说明的是，上述的实现终端设备还可以包括与本发明实施例公开内容可能并不是必需的其他器件(未示出)；鉴于这些其他器件对于理解本发明实施例公开内容可能并不是必需，本发明实施例对此不进行逐一介绍。

本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

本发明实施例提供的光学邻近修正方法中，在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线，在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线；本发明实施例中，在所述设计图形外侧形成第三边界线，则尽可能避免了所述目标边界线将所述设计图形分割的情况，以确保每个子区域中设计图形的完整性，从而在后续将各个子区域拼接的过程中，有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率，从而有利于后续更精准地将所述子区域拼接，进而有利于使得对所述设计图形的光学修正处理更为精准。

上述本发明的实施方式是本发明的元件和特征的组合。除非另外提及，否则所述元件或特征可被视为选择性的。各个元件或特征可在不与其它元件或特征组合的情况下实践。另外，本发明的实施方式可通过组合部分元件和/或特征来构造。本发明的实施方式中所描述的操作顺序可重新排列。任一实施方式的一些构造可被包括在另一实施方式中，并且可用另一实施方式的对应构造代替。对于本领域技术人员而言明显的是，所附权利要求中彼此没有明确引用关系的权利要求可组合成本发明的实施方式，或者可在提交本申请之后的修改中作为新的权利要求包括。

本发明的实施方式可通过例如硬件、固件、软件或其组合的各种手段来实现。在硬件配置方式中，根据本发明示例性实施方式的方法可通过一个或更多个专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器等来实现。在固件或软件配置方式中，本发明的实施方式可以模块、过程、功能等形式实现。软件代码可存储在存储器单元中并由处理器执行。存储器单元位于处理器的内部或外部，并可经由各种己知手段向处理器发送数据以及从处理器接收数据。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；

获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；

在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；

在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述在所述设计图形外侧形成第三边界线，包括：沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线。

3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述初始边界线上获取分割点的步骤包括：对所述设计图形进行膨胀处理，使所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移，形成扩张图形，其中，所述等距平移的距离为所述预设距离；

获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点，作为所述分割点；

所述在所述设计图形外侧形成第三边界线，包括：沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线。

4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述形成所述扩张图形之后，获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点之前，还包括：判断相邻所述扩张图形是否交叠，并在相邻所述扩张图形交叠的情况下，去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线。

5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述设计图形进行膨胀处理，还包括：所述扩张图形包括通过所述初始边界线分割的两个子图形；

所述沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线，包括：沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓，形成与所述轮廓重合的第三边界线。

6.如权利要求1至3任一项所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设距离为3nm至5nm。

7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光学邻近修正方法还包括：去除所述第一边界线。

8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述设计图形外侧形成第三边界线后，还包括：当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距小于或等于预设尺寸时，将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线；

在所述待处理边界线中，分别选取与所述第二边界线具有最大垂直距离的边作为基准边；

比较所述基准边至第二边界线的垂直距离，将垂直距离更小的所述基准边所对应的待处理边界线作为第一待处理边界线，另一个所述待处理边界线作为第二待处理边界线；

将所述第一待处理边界线的基准边向所述第二待处理边界线延长，直至与所述第二待处理边界线相接触，所述第二待处理边界线、第一待处理边界线和第二边界线围成封闭图形；

去除所述封闭图形中，所述第一待处理边界线的基准边之外的其余轮廓线。

9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设尺寸为20nm至30nm。

10.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域后，所述光学邻近修正方法还包括：分别对各个所述子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理。

11.如权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，分别对各个所述子区域中的设计图形进行光学邻近修正处理后，所述光学邻近修正方法还包括：去除所述目标边界线，将各个所述子区域拼接。

12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述设计版图为孔洞图形版图，所述孔洞图形版图中的设计图形为孔洞图形。

13.如权利要求12所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述孔洞图形为方形。

14.一种光学邻近修正系统，其特征在于，包括：

图形提供模块，用于提供设计版图，所述设计版图包括多个设计图形；

初始边界线获取模块，用于获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线，所述网格状的初始边界线经过所述设计图形，且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点；

获取分割点模块，用于在所述初始边界线上获取分割点，所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离，位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线，剩余初始边界线作为第二边界线；

边界生成模块，用于在所述设计图形外侧形成第三边界线，所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接，所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线，所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。

15.如权利要求14所述的光学邻近修正系统，其特征在于，所述边界生成模块用于沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线。

16.如权利要求15所述的光学邻近修正系统，其特征在于，所述获取分割点模块包括：扩张图形单元，用于对所述设计图形进行膨胀处理，使所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移，形成扩张图形，其中，所述等距平移的距离为所述预设距离；

选择取点单元，用于获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点，作为所述分割点；

所述边界生成模块用于沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓，形成与所述轮廓相重合的第三边界线。

17.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法获得的图形。

18.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法。

19.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法。

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