CN115993321B - 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法 - Google Patents

用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115993321B
CN115993321B CN202211684314.9A CN202211684314A CN115993321B CN 115993321 B CN115993321 B CN 115993321B CN 202211684314 A CN202211684314 A CN 202211684314A CN 115993321 B CN115993321 B CN 115993321B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silica gel
soft silica
tray
gel film
mems probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211684314.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115993321A (zh
Inventor
郭西彪
罗雄科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Zenfocus Semi Tech Co ltd
Original Assignee
Shanghai Zenfocus Semi Tech Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Zenfocus Semi Tech Co ltd filed Critical Shanghai Zenfocus Semi Tech Co ltd
Priority to CN202211684314.9A priority Critical patent/CN115993321B/zh
Publication of CN115993321A publication Critical patent/CN115993321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115993321B publication Critical patent/CN115993321B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

本申请提供一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法,涉及半导体芯片测试技术及装备技术领域,其包括料盘,料盘内放置有玻璃,玻璃的表面贴合有中间介质膜,中间介质膜背离玻璃的表面贴合有软硅胶膜,软硅胶膜的粘度在0.5gf/25mm以下,且软硅胶膜的表面平面度小于等于5μm。通过设置软硅胶膜、中间介质膜以及玻璃共同作为MEMS探针的载体,在影像测量仪下进行测量时,可以减少光的折射、花纹以及表面凹凸不平对检测结果造成的影响,使得影像测量仪能更好的抓取测量结果,降低局部失真率,且由于软硅胶膜本身的粘性极低,因此可以采用真空吸附的方式将MEMS探针从料盘上吸取下来,提高MEMS探针取出的便利性。

Description

用于MEMS探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法
技术领域
本申请涉及半导体芯片测试技术及装备技术领域,具体涉及一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法。
背景技术
在半导体测试行业中,MEMS探针植入陶瓷孔中之前,需要对MEMS探针在影像测量仪下进行检测,现有技术中MEMS探针是直接摆放在有硅胶的硅胶盒里在影像测量仪下检测,因硅胶底部有花纹且平整性较差,使探针MEMS在影像测量仪下检测时局部失真率极高,检测精度低。
进一步,MEMS探针在检测完成后,需要把MEMS探针从硅胶盒中取出,因硅胶粘性比较高,无法采用真空吸附的方式吸取,现有技术中是人工通过镊子从硅胶盒里夹取MEMS探针。需要指出的是,人工操作的主要缺点有:1、人工操作稳定性差,容易损坏MEMS探针;2、人工操作取针效率低。
因此,需要一种新的MEMS探针检测、拾取的料盘,能够降低MEMS探针在影像测量仪下检测的局部失真率,提高检测精度,同时还能够便于MEMS探针的取出。
发明内容
有鉴于此,本说明书实施例提供一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法,能够降低MEMS探针在影像测量仪下检测的局部失真率,提高检测精度,同时还能够便于MEMS探针的取出。
本说明书实施例提供以下技术方案:
本说明书实施例提供一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘,包括料盘,料盘内放置有玻璃,玻璃的表面贴合有中间介质膜,中间介质膜背离玻璃的表面贴合有软硅胶膜,软硅胶膜的粘度在0.5gf/25mm以下,且软硅胶膜的表面平面度小于等于5μm。
通过上述技术方案,将软硅胶膜通过中间介质膜固定在玻璃上,由于软硅胶膜的表面平面度较小,贴合后可以使得承载MEMS探针的整体结构厚度较为均匀,软硅胶膜自身还具有透明度高和无花纹的优点,与中间介质膜以及玻璃一同作为MEMS探针的载体,和MEMS探针一同在影像测量仪下进行测量的过程中,可以减少光的折射现象,减少花纹以及载体表面凹凸不平对于检测结果造成的影响,使得影像测量仪能更好的抓取对MEMS探针的测量结果,提高对MEMS探针的检测精度,降低局部失真率,且由于软硅胶膜本身的粘性极低,因此可以采用真空吸附的方式将MEMS探针从料盘上吸取下来,提高MEMS探针取出的便利性。
优选的,软硅胶膜的厚度在0.05mm-0.25mm之间。
优选的,中间介质膜粘度范围在500gf/25mm至1500gf/25mm之间。
优选的,中间介质膜为透明材质的不粘胶。
优选的,中间介质膜的材质为钢化玻璃AB胶或双面胶。
本说明书实施例还提供一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法,其特征在于,步骤如下:
S1,将玻璃置于料盘内的洁净平整表面上,撕掉玻璃表面的保护膜;
S2,擦拭玻璃上的待贴合面,保持待贴合面的表面清洁;
S3,利用高压真空贴合机将中间介质膜平整的贴合到待贴合面的表面;
S4,利用高压真空贴合机将软硅胶膜平整的贴合至中间介质膜背离待贴合面的表面。
通过上述技术方案,可以有效减少光的折射现象,减少花纹以及载体表面凹凸不平对于检测结果造成的影响,提高MEMS探针试验的检测精度,降低局部失真率,同时还便于MEMS探针的取出。
优选的,步骤S4之后还设置有:
S5,将料盘置于3D扫描设备下,对软硅胶膜表面进行扫描;
S6,根据软硅胶膜表面的扫描情况,对软硅胶膜进行表面处理;其中,若软硅胶膜的表面存在凸点,则撕下软硅胶膜重新贴合,若软硅胶膜的表面存在凹谷,则对软硅胶膜表面进行喷涂填充;
S7,利用3D扫描设备对进行过表面处理的软硅胶膜进行扫描,若软硅胶膜表面的平面度小于等于5μm,完成料盘的制作,反之,则返回步骤S6,重新对软硅胶膜进行表面处理。
通过上述技术方案,对软硅胶膜表面进行处理,提高软硅胶膜表面的平整度,进而减少光的折射现象,提高MEMS探针检测的精确性,降低MEMS探针检测的局部失真率。
优选的,软硅胶膜表面利用高精密硅胶颗粒喷涂设备进行喷涂填充,喷涂填充的硅胶颗粒大小为0.5μm。
通过上述技术方案,利用高精密硅胶颗粒喷涂设备对软硅胶膜表面进行喷涂填充,一方面可以使得软硅胶膜表面的平面度更小,平整度更好,更有利于探针检测,另一方面可以通过大小在0.5um的硅胶颗粒,进一步降低软硅胶膜表面的粘度,提高MEMS探针取出的便利性。
与现有技术相比,本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括:
1、由于软硅胶膜的表面平面度较小,贴合后可以使得承载MEMS探针的整体结构厚度较为均匀,软硅胶膜自身还具有透明度高和无花纹的优点,作为MEMS探针的载体,和MEMS探针一同在影像测量仪下进行测量的过程中,可以减少光的折射现象,减少花纹以及载体表面凹凸不平对于检测结果造成的影响,使得影像测量仪能更好的抓取对MEMS探针的测量结果,提高对MEMS探针的检测精度,降低局部失真率;
2、由于软硅胶膜表面的粘度在0.5gf/25mm以下,因此MEMS探针在软硅胶膜表面上检测完毕后,可以通过真空吸附的方法进行吸取,无需人工干预,无伤将MEMS探针取出,极大的提高了MEMS探针取出的便利性;
3、料盘整体的厚度可以根据增加中间介质的层数自由调节,整个料盘结构在MEMS探针检测试验中的适应性更好;
4、使用一段时间后,可以对软硅胶膜和中间介质进行更换,而玻璃几乎不受磨损,可以反复使用,进而能够降低更换玻璃所需的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请实施例中的用于MEMS探针检测、拾取的料盘的整体结构示意图;
图2是本申请实施例中MEMS探针于软硅胶膜表面摆放的示意图;
图3是本申请实施例中真空取针设备吸取MEMS探针的示意图;
图4是本申请实施例中用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法的流程示意图;
图5是本申请实施例中用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法的另一流程示意图;
图6是本申请实施例中的3D扫描设备扫描软硅胶膜表面的示意图;
图7是本申请实施例中的高精度硅胶颗粒喷涂设备对软硅胶膜表面进行喷涂填充的示意图。
附图标记:1、料盘;101、玻璃;102、中间介质膜;103、软硅胶膜;2、MEMS探针;3、真空取针设备;4、3D扫描设备;5、高精度硅胶颗粒喷涂设备。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
要说明的是,下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见,本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中,且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请,所属领域的技术人员应了解,本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施,且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说,可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外,可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
还需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想,图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
另外,在以下描述中,提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而,所属领域的技术人员将理解,可在没有这些特定细节的情况下实践。
有鉴于此,发明人在MEMS探针检测试验中发现,现有技术中MEMS探针是直接摆放在有硅胶的硅胶盒里在影像测量仪下检测,因硅胶底部有花纹且平整性较差,使探针MEMS在影像测量仪下检测时局部失真率极高,检测精度低,且由于硅胶的粘度较高,MEMS探针检测完毕后的取出较为不便。
基于此,本说明书实施例提出了一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘,如图1所示,包括料盘1,通过在料盘1内设置软硅胶膜103,保持软硅胶膜103的粘度在0.5gf/25mm以下。对软硅胶膜103表面进行处理,使得软硅胶膜103的表面平面度小于等于5μm,通过软硅胶膜103承载MEMS探针于影像测量仪下进行检测,可以降低光的折射率,并且减少花纹以及载体表面凹凸不平对于检测结果造成的影响,提高MEMS探针在影像测量仪下检测的精度,降低MEMS探针在影像测量仪下检测的局部失真率,并且软硅胶膜103表面粘度低,因此可以采用真空吸附的方法取出MEMS探针,提高MEMS探针取出的便利性。
以下结合附图,说明本申请各实施例提供的技术方案。
如图1和图2所示,本说明书实施例提供一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘,包括料盘1,料盘1的盘底放置有玻璃101。玻璃101的上表面贴合有中间介质膜102,中间介质膜102为透明材质的不粘胶,具体为钢化玻璃AB胶或双面胶。中间介质膜102至少设置有一层,具体中间介质膜102的层数可以根据实际载体厚度的需求,自行增加或者减少。中间介质膜102的粘度范围在500gf/25mm至1500gf/25mm之间。中间介质膜102背离玻璃101的最外层表面上贴合有软硅胶膜103,软硅胶膜103的厚度在0.05mm-0.25mm之间,软硅胶膜103的粘度小于0.5gf/25mm,软硅胶膜103的表面平面度小于等于5μm。其中,玻璃101、中间介质膜102以及软硅胶膜103的长、宽尺寸可以自由增减,具体根据料盘1的盘底尺寸、需要承载的MEMS探针2数量而定。
玻璃101、中间介质膜102以及软硅胶膜103三者共同组成了承载MEMS探针2的载体结构,软硅胶膜103用于与MEMS探针2直接接触。由于软硅胶膜103的表面平面度较小,因此整个载体结构的厚度较为均匀,且玻璃101、中间介质膜102以及软硅胶膜103三者均为透明材质,整体透明度较高,在影像测量仪下进行MEMS探针2检测时,可以减少光的折射现象、花纹以及载体结构表面凹凸不平对于检测结果造成的影响,提高MEMS探针2在影像测量仪下检测的精度,降低MEMS探针2在影像测量仪下检测的局部失真率。
如图2和图3所示,软硅胶膜103的表面粘度低,承载MEMS探针2完成检测后,MEMS探针2可以通过真空取针设备3以真空吸附的方式从料盘1中取出,无需人工干预或者操作,避免了人工操作的缺点,可以无伤取出MEMS探针2,提高MEMS探针2取出的便利性。
软硅胶膜103使用一段时间后,如需更换,可以连同中间介质膜102从玻璃101上分离,且在玻璃101上不会留胶,因此玻璃101可以重复使用,减少因更换玻璃101而带来的额外附加成本。
本说明书实施例还提供了一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法,如图4至图7所示,步骤如下:
S1,将玻璃101置于料盘1内的洁净平整表面上,撕掉玻璃101表面的保护膜。
S2,用酒精擦拭玻璃101上的待贴合面,去除待贴合面表面上的灰尘、污渍,保持待贴合面的表面清洁。
S3,利用高压真空贴合机将中间介质膜102平整的贴合到待贴合面的表面。
S4,利用高压真空贴合机将软硅胶膜103平整的贴合至中间介质膜102背离待贴合面的表面。
S5,将料盘1置于3D扫描设备4下,对软硅胶膜103表面进行扫描;
S6,根据软硅胶膜103表面的扫描情况,对软硅胶膜103进行表面处理;其中,若软硅胶膜103的表面存在极多凸点,说明软硅胶膜103和中间介质膜102之间存在有较多的杂质,导致软硅胶膜103和中间介质膜102之间存在较多气泡,需要撕下软硅胶膜103重新贴合。若软硅胶膜103的表面存在局部凹谷,表示软硅胶膜103的表面仍有不平整的部位,需要对软硅胶膜103表面进行喷涂填充,喷涂填充利用高精密硅胶颗粒喷涂设备进行,喷涂填充的硅胶颗粒大小为0.5μm。
其中,利用高精密硅胶颗粒喷涂设备对软硅胶膜103表面进行喷涂填充,可以减少软硅胶膜103表面的花纹以及凹凸不平的情况,减小软硅胶膜103的表面平面度,使得软硅胶膜103的表面趋于平整,进而在用于MEMS探针2检测试验中,可以减少光的折射、花纹以及凹凸不平等情况对检测结果造成的误差影响,提高检测精度,降低局部失真率。填充完硅胶颗粒后的软硅胶膜103的表面粘度得到了进一步降低,进而更加方便MEMS探针2完成检测后于软硅胶膜103表面的分离。
S7,利用3D扫描设备4对进行过表面处理的软硅胶膜103进行扫描,若软硅胶膜103表面的平面度小于等于5μm,完成料盘1的制作,料盘1可以用于MEMS探针2在影像测量仪中检测使用。反之,则返回步骤S6,重新对软硅胶膜103进行表面处理。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例侧重说明的都是与其他实施例的不同之处。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法,其特征在于,步骤如下:
S1,将玻璃置于料盘内的洁净平整表面上,撕掉玻璃表面的保护膜;
S2,擦拭玻璃上的待贴合面,保持待贴合面的表面清洁;
S3,利用高压真空贴合机将中间介质膜平整的贴合到待贴合面的表面;
S4,利用高压真空贴合机将软硅胶膜平整的贴合至中间介质膜背离待贴合面的表面;
其中获得用于MEMS探针检测、拾取的料盘,包括料盘(1),所述料盘(1)内放置有玻璃(101),所述玻璃(101)的表面贴合有中间介质膜(102),所述中间介质膜(102)背离玻璃(101)的表面贴合有软硅胶膜(103),所述软硅胶膜(103)的粘度在0.5gf/25mm以下,且所述软硅胶膜(103)的表面平面度小于等于5μm。
2.根据权利要求1所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法,其特征在于,步骤S4之后还设置有:
S5,将料盘置于3D扫描设备下,对软硅胶膜表面进行扫描;
S6,根据软硅胶膜表面的扫描情况,对软硅胶膜进行表面处理;其中,若软硅胶膜的表面存在凸点,则撕下软硅胶膜重新贴合,若软硅胶膜的表面存在凹谷,则对软硅胶膜表面进行喷涂填充;
S7,利用3D扫描设备对进行过表面处理的软硅胶膜进行扫描,若软硅胶膜表面的平面度小于等于5μm,完成料盘的制作,反之,则返回步骤S6,重新对软硅胶膜进行表面处理。
3.根据权利要求2所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法,其特征在于,软硅胶膜表面利用高精密硅胶颗粒喷涂设备进行喷涂填充,喷涂填充的硅胶颗粒大小为0.5μm。
4.一种用于MEMS探针检测、拾取的料盘,其特征在于,应用如权利要求1-3任一项所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘制作方法获得,包括料盘(1),所述料盘(1)内放置有玻璃(101),所述玻璃(101)的表面贴合有中间介质膜(102),所述中间介质膜(102)背离玻璃(101)的表面贴合有软硅胶膜(103),所述软硅胶膜(103)的粘度在0.5gf/25mm以下,且所述软硅胶膜(103)的表面平面度小于等于5μm。
5.根据权利要求4所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘,其特征在于,所述软硅胶膜(103)的厚度在0.05mm-0.25mm之间。
6.根据权利要求4所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘,其特征在于,所述中间介质膜(102)粘度范围在500gf/25mm至1500gf/25mm之间。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘,其特征在于,所述中间介质膜(102)为透明材质的不粘胶。
8.根据权利要求4-6中任一项所述的用于MEMS探针检测、拾取的料盘,其特征在于,所述中间介质膜(102)的材质为钢化玻璃AB胶或双面胶。
CN202211684314.9A 2022-12-27 2022-12-27 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法 Active CN115993321B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211684314.9A CN115993321B (zh) 2022-12-27 2022-12-27 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211684314.9A CN115993321B (zh) 2022-12-27 2022-12-27 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115993321A CN115993321A (zh) 2023-04-21
CN115993321B true CN115993321B (zh) 2024-02-13

Family

ID=85993278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211684314.9A Active CN115993321B (zh) 2022-12-27 2022-12-27 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115993321B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116953590B (zh) * 2023-09-21 2023-12-05 上海泽丰半导体科技有限公司 一种探针全方位测量装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093930A (en) * 1998-04-02 2000-07-25 International Business Machnines Corporation Automatic probe replacement in a scanning probe microscope
JP2002323430A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡、カンチレバーカセット、カンチレバーの供給方法および状態管理方法
CN110850118A (zh) * 2019-12-12 2020-02-28 沈阳建筑大学 一种用于原子力显微镜的探针操作装置及其操作方法
TWM608668U (zh) * 2020-11-18 2021-03-01 中華精測科技股份有限公司 探針檢測總成
CN115113010A (zh) * 2022-06-17 2022-09-27 上海泽丰半导体科技有限公司 Mems探针的摆放料盘、自动拾取系统及方法
CN217931921U (zh) * 2022-04-11 2022-11-29 河南拓普艾科技有限公司 一种电路板检测装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003276766A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Yoshikazu Nakayama ナノチューブ製品の導電性収納容器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093930A (en) * 1998-04-02 2000-07-25 International Business Machnines Corporation Automatic probe replacement in a scanning probe microscope
JP2002323430A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡、カンチレバーカセット、カンチレバーの供給方法および状態管理方法
CN110850118A (zh) * 2019-12-12 2020-02-28 沈阳建筑大学 一种用于原子力显微镜的探针操作装置及其操作方法
TWM608668U (zh) * 2020-11-18 2021-03-01 中華精測科技股份有限公司 探針檢測總成
CN217931921U (zh) * 2022-04-11 2022-11-29 河南拓普艾科技有限公司 一种电路板检测装置
CN115113010A (zh) * 2022-06-17 2022-09-27 上海泽丰半导体科技有限公司 Mems探针的摆放料盘、自动拾取系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115993321A (zh) 2023-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115993321B (zh) 用于mems探针检测、拾取的料盘及料盘制作方法
TWI498542B (zh) 光學檢測裝置
TW442878B (en) Mechanism and method for cleaning probe needles
CN104668218B (zh) 用于清洁测试器接口的接触元件和支持硬件的方法
US6962279B1 (en) Apparatus and method for glass separation for flat panel displays
CN103376262B (zh) 光学检测装置
JP2020094833A (ja) 試験装置
CN107851602A (zh) 半导体部件制造用膜
CN106949852B (zh) 环抛加工修正盘表面形状误差的检测装置及检测方法
TWI330385B (en) Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus
US7254861B2 (en) Device for cleaning tip and side surfaces of a probe
KR20180023829A (ko) 각형 유리 기판 및 그의 제조 방법
TW202118561A (zh) 探針清潔片及探針的清潔方法
TWM598403U (zh) 探針清潔片
JP4052966B2 (ja) ウェハ検査装置およびその検査方法
CN111524823A (zh) 设备的检测方法和测试晶圆
JP5372169B2 (ja) ワーク表面の異物研磨方法及び異物研磨装置
JP2004214505A (ja) 表面形状の測定方法、表面形状の測定プログラム及び記録媒体
JP2012111013A (ja) 被研磨体吸着治具及びガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板
JP5442030B2 (ja) ワーク表面の異物研磨方法及び異物研磨装置
CN108500826A (zh) 晶圆背面研磨方法
CN112852333A (zh) 探针清洁片及探针的清洁方法
CN110926891A (zh) 一种金相切片样品的制备方法
CN110744390B (zh) 高精度锥台平面结构类光学元件抛光工艺和抛光装置
CN114043321B (zh) 变形镜加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant