CN115968593A - 掩模单元片材部的变形量缩减方法及框架一体型掩模的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及掩模单元片材部的变形量缩减方法、框架一体型掩模及其制造方法。更详细地,涉及一种掩模单元片材部的变形量缩减方法及框架一体型掩模的制造方法,在附着掩模时通过控制焊接过程控,可缩减掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,从而能够准确地对各掩模进行对准(align)。
Description
技术领域
本发明涉及掩模单元片材部的变形量缩减方法、框架一体型掩模及其制造方法。更详细地,涉及一种掩模单元片材部的变形量缩减方法及框架一体型掩模的制造方法,在附着掩模时通过控制焊接过程,可缩减掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,从而能够准确地对各掩模进行对准(align)。
背景技术
作为OLED制造工艺中形成像素的技术,主要使用FMM(Fine Metal Mask,精细金属掩模)方法,该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask,阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。
在现有的OLED制造工艺中,将掩模制造成条状、板状等后,将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。另外,为了制造大面积OLED,可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架,在固定于框架的过程中,拉伸各个掩模,以使其变得平坦。调节拉伸力以使掩模的整体部分变得平坦是非常困难的作业。特别是,为了一边使各单元都平坦化且一边对准尺寸为数~数十μm的掩模图案,需要进行如下高难度作业:一边细微地调节施加于掩模各侧的拉伸力,一边实时地确认对准状态。
尽管如此,在将多个掩模固定于一个框架过程中,仍然存在掩模之间及掩模单元之间对准不好的问题。另外,在将掩模焊接固定于框架的过程中,掩模膜的厚度过薄且面积大,因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的问题;由于焊接过程中在焊接部分产生的皱纹、毛刺(burr)等,导致掩模单元的对准不准的问题等。
在超高清的OLED中,现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch,每英寸像素),像素的尺寸达到约30-50μm,而4K UHD、8K UHD高清具有比之更高的-860PPI,-1600PPI等的分辨率。如此,考虑到超高画质的OLED的像素尺寸,需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右,超出这一误差将导致产品的不良,所以收率可能极低。因此,需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。
发明内容
技术问题
因此,本发明为了解决如上所述的诸多现有技术问题而提出,其目的在于提供一种掩模单元片材部的变形量缩减方法及框架一体型掩模的制造方法,在附着掩模时通过控制焊接过程,可缩减掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,从而能够使准确地对各掩模进行对准(align)。
但是,上述技术问题仅为示例性的,本发明的范围并不受限于此。
技术方案
本发明的上述目的通过掩模单元片材部的变形量缩减方法来实现,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:(a)沿着与彼此最相邻地布置,并与预定的第一栅格片材部或者预定的第二栅格片材部的两侧接触的预定的第一掩模的第1-1侧方向及与第1-1侧相对的预定的第二掩模的第2-1侧平行的方向,形成焊珠;(b)沿着与第二掩模最相邻地布置的第三掩模的第3-1侧方向及与第3-1侧相对的第二掩模的第2-2侧平行的方向,形成焊珠。
在步骤(a)中,可沿着与第一掩模的第1-1侧及与第1-1侧相对的预定第二掩模的第2-1侧平行的方向,同时形成焊珠,或者在第1-1侧和第2-1侧交错地形成焊珠,且可沿着与第1-1侧与第2-1侧平行的方向形成焊珠。
第三掩模仅与第二掩模最相邻地布置但不与第一掩模最相邻地布置,第2-1侧和第2-2侧可对应第二掩模的彼此相对的两侧。
通过反复步骤(a)与步骤(b),在所有掩模单元区域可分别附着掩模。
另外,本发明的上述目的通过掩模单元片材部的变形量缩减方法来实现,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元和掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:(a)将掩模分别对应至所有掩模单元区域;(b)在所有掩模的预定点上形成焊珠;(c)为了不与已形成的焊珠重叠,在所有掩模的其他预定点上形成焊珠。
进一步可包括反复执行步骤(c)的步骤(d)。
另外,本发明的上述目的通过掩模单元片材部的变形量缩减方法来实现,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:(a)将掩膜分别对应至所有掩模单元区域;(b)在所有掩模的多个点上形成焊珠,并在掩模单元片材部上对掩模进行第一附着;(c)沿着所有掩模的边缘方向形成焊珠,已形成焊珠的部分除外,并在掩模单元片材部上对掩模进行第二附着。
第一附着可以是在无分离掩模与掩模单元片材部分的作用力施加时掩模与掩模单元片材部为附着状态。
第二附着可以是掩模与掩模单元片材部以大于第一附着的附着力附着的状态。
第二附着的用于形成焊珠的激光功率、照射时间、脉冲数中至少一项可以设置为大于第一附着。
以从外侧的掩模单元区域所对应的掩模到内侧的掩模单元区域所对应的掩模的顺序可形成焊珠。
在步骤(a)之前,掩模通过中间夹设临时粘合部粘合到模板上,可以将粘合有掩模的多个模板分别对应至所有掩模单元区域。
可以沿着平行于掩模的两侧或四侧的方向形成焊珠。
当掩模单元片材部在第一方向、第二方向上的长度为DX、DY,而单位掩模单元区域在第一方向、第二方向上的长度为MX、MY时,步骤(a)之前,可以包括以下步骤:(1)计算满足NX×MX<DX≤(NX+1)×MX的NX和满足NY×MY<DY≤(NY+1)×MY的NY的步骤(NX、NY为自然数);(2)将[DX-(NX×MX)]/(NX+1)设置为第二栅格片材部的宽度TX,将[DY-(NY×MY)]/(NY+1)设置为第一栅格片材部的宽度TY。
当DX和DY为预设固定值时,基于MX和MY的变化,TX和TY发生改变。
另外,本发明的上述目的通过框架一体型掩模的制造方法,该框架一体型掩模由多个掩模和用于支撑掩模的框架一体形成,包括以下步骤:(a)准备边缘框架部上连接有掩模单元片材部的框架,所述掩模单元片材部具有多个掩模单元区域;(b)在框架上加载临时粘合有掩模的模板,并将掩模对应至框架的掩模单元区域;以及(c)将掩模附着到框架,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,掩模单元片材部上的掩模连接根据上述任意一个的方法进行。
有益效果
根据如上所述的本发明,在附着掩模时,通过控制焊接过程中掩模中施加的拉伸力从而缩减掩模单元片材部的变形量,进而能够准确地对准掩模间的位置。
当然,本发明的范围并不受限于上述效果。
附图说明
图1是现有的将掩模附着到框架上的过程的示意图。
图2是本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图和侧截面图。
图3是本发明一实施例的框架一体型掩模中使用的框架的主视图和侧截面图。
图4是本发明一实施例的掩模的示意图。
图5是本发明一实施例的模板上粘合有掩模的掩模支撑模板的示意图。
图6是本发明一实施例的将掩模支撑模板承载到框架上的过程的示意图。
图7是本发明一实施例的将模板承载到框架上并将掩模对应至框架的单元区域的状态示意图。
图8是本发明一实施例的将掩模附着到框架上之后分离掩模与模板的过程的示意图。
图9是本发明一实施例的将掩模附着到框架上的状态示意图。
图10和图11是示出本发明多个实施例的框架的掩模单元片材部的尺寸设置方法的示意图。
图12是本发明多个实施例的掩模单元片材部的焊接位置的示意图。
图13是本发明一实施例的按照焊接位置缩减框架变形的方法的示意图。
图14是现有的将掩模焊接于掩模单元片材部的过程的示意图。
图15是本发明第一实施例的将掩模焊接到掩模单元片材部的过程的示意图。
图16是本发明第二实施例的将掩模焊接到掩模单元片材部的过程的示意图。
图17是本发明第三实施例的将掩模焊接到掩模单元片材部的过程的示意图。
附图标记:
50:模板
100:掩模
110:掩模膜、掩模金属膜
200:框架
210:边缘框架部
220:掩模单元片材部
221:边缘片材部
223:第一栅格片材部
225:第二栅格片材部
C:单元、掩模单元
CR:掩模单元区域
DM:虚设部、掩模虚设部
L:激光
P:掩模图案
WB:焊珠
TX:第二栅格片材部、第二边缘片材部的宽度
TY:第一栅格片材部、第一边缘片材部的宽度
具体实施方式
对本发明的后述详细说明,可参照作为本发明可实施的特定实施例图示的附图。为了使本领域技术人员能够实施本发明,下面具体说明这些实施例。充分详细地说明这些实施例,以使所属领域技术人员能够实施本发明。本发明的各种实施例应理解为互为不同但不相排斥。例如,在此记载的特定形状、结构及特性可将一实施例在不超出本发明的精神及范围的情况下实现为其他实施例。另外,公开的每一个实施例中的个别组成要素的位置或布置应理解为在不超出本发明精神及范围情况下可进行变更。因此,以下详细说明并非用于限定本发明,只要能适当地说明,本发明的范围仅由所附的权利要求和与其等同的所有范围限定。附图中类似的附图标记通过各个方面指代相同或类似的功能,为了方便起见,长度、面积及厚度等及其形态还可夸大表示。
下面,为了能够使本领域技术人员容易实施本发明,参照附图对本发明涉及的优选实施例进行详细说明
图1是现有的将掩模10附着到框架20上的过程的示意图。
现有的掩模10为条状(Stick-Type)或者板状(Plate-Type),图1的条状掩模10可以将条的两侧焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。掩模10的主体(Body,或者掩模膜11)具有多个显示单元C。一个单元C与智能手机等的一个显示器对应。单元C中形成有像素图案P,以便与显示器的各个像素对应。
参照图1的(a),沿着条状掩模10的长轴方向施加拉力F,并在展开的状态下将条状掩模10装载到方框形状的框架20上。条状掩模10的单元C1至C6位于框架20的框内部空白区域。
参照图1的(b),微调施加到条状掩模10各侧的拉力F的同时进行对准,之后通过焊接W条状掩模10侧面的一部分,使条状掩模10和框架20彼此连接。图1的(c)示出彼此连接的条状掩模10和框架的侧截面。
尽管微调施加到条状掩模10各侧的拉伸力F,但是仍发生掩模单元C1至C3彼此之间对准不好的问题。例如,单元C1至C6的图案P之间的距离彼此不同或者图案P歪斜。由于条状掩模10具有包括多个单元C1至C6的大面积,并且具有数十μm的非常薄的厚度,所以容易因荷重而下垂或者扭曲。另外,一边调节拉伸力F使各单元C1-C6全部变得平坦,一边通过显微镜实时确认各单元C1至C6之间的对准状态是非常困难的作业。但是为了避免尺寸为数μm至数十μm的掩模图案P对超高画质OLED的像素工艺造成坏影响,对准误差优选不大于3μm。将如此相邻的单元之间的对准误差称为像素定位精度(pixel position accuracy,PPA)。
条状掩模10的尺寸随着用于形成OLED像素的目标基板的尺寸的增加而增加,随着用于实现高分辨率的条状掩模10的厚度逐渐变薄,通过拉伸条状掩模10来进行焊接变得越来越困难。进一步而言,将各条状掩模10分别连接到一个框架20,同时使多个条状掩模10之间及条状掩模10的多个单元C至C6之间的对准状态精确是非常困难的作业,而且只会增加基于对准的工艺时间,从而成为降低生产效率的重要原因。
另外,将条状掩模10连接固定到框架20后,施加到条状掩模10的拉伸力F会反向地作用于框架20。该张力会导致框架20细微变形,而且会发生多个单元C1至C6间的对准状态扭曲的问题。
鉴于此,本发明提出能够使掩模100与框架200形成一体型结构的框架200及框架一体型掩模。与框架200形成一体的掩模100不仅可以防止下垂或者扭曲等变形,而且可以与框架200准确地对准。
图2是本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图[图2的(a)]及侧截面图[图2的(b)]。图3是本发明一实施例的框架一体型掩模中使用的框架的主视图[图3的(a)]和侧截面图[图3的(b)]。
下面,本说明书对框架一体型掩模的构成进行说明,但框架一体型掩模的结构、制造过程可理解为包括韩国专利申请第2018-0016186号的全部内容。
参照图2和图3,框架一体型掩模可以包括多个掩模100及一个框架200。换而言之,是将多个掩模100分别附着到框架200的形态。下面,为了便于说明,以四角形状的掩模100为例进行说明,但是掩模100附着到框架200之前,可以是两侧具备用于夹持的突出部的条状掩模形状,附着到框架200上之后可以去除突出部。
各掩模100上形成有多个掩模图案P,一个掩模100上可以形成有一个单元C。一个掩模单元C可以与智能手机等的一个显示器对应。
掩模100也可以为因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)等材料。掩模100可使用由轧制(rolling)工艺或者电铸(electroforming)生成的金属片材(sheet)。
框架200可以以附着多个掩模100的形式形成。考虑到热变形,框架200优选由与掩模具有相同热膨胀系数的因瓦合金、超级因瓦合金、镍、镍-钴等材料形成。框架200可包括大致四角形状、方框形状的边缘框架部210。边缘框架部210的内部可以为中空形态。
进一步地,框架200具备多个掩模单元区域CR,并且可以包括与边缘框架部210连接的掩模单元片材部220。掩模单元片材部220可以由边缘片材部221及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225组成。边缘片材部221及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225是指在同一片材上划分的各部分,它们彼此形成一体。
边缘框架部210的厚度可以大于掩模单元片材部220的厚度,可以以数mm至数十cm的厚度形成。掩模单元片材部220的厚度虽然薄于边缘框架部210的厚度,但比掩模100厚,可约为0.1mm至1mm的厚度。
在平面片材中,除了边缘片材部221、第一栅格片材部223、第二栅格片材部225占据的区域以外,可以提供多个掩模单元区域CR:CR11至CR56。
掩模200具备多个掩模单元区域CR,各掩模100可以各掩模单元C与各掩模单元区域CR分别对应的方式附着。掩模单元C与框架200的掩模单元区域CR对应,虚设部的局部或者全部可以附着到框架200(掩模单元片材部220)上。因此,掩模100和框架200可以形成一体型结构。
图4是本发明一实施例的掩模100的示意图。
掩模100可包括形成有多个掩模图案P的掩模单元C和掩模单元C周围的虚设部DM。可利用轧制工艺、电铸等生成的金属片材制造掩模100,掩模100中可形成有一个单元C。虚设部DM与除单元C以外的掩模膜110[掩模金属膜110]部分对应,且可以只包括掩模膜110,或者包括形成有类似于掩模图案P形态的预定的虚设部图案的掩模膜110。虚设部DM对应掩模100的边缘且虚设部DM的局部或者全部可附着在框架200[掩模单元片材部220]。
掩模图案P的宽度可小于40μm,而掩模100的厚度可约为5至20μm。由于框架200具有多个掩模单元区域CR:CR11至CR56,因此也可具有个掩模100,所述掩模100具有对应每个掩模单元区域CR:CR11至CR56的掩模单元C:C11至C56。
用于进行焊接的焊接部WP可以在掩模100边缘或者虚设部DM部分以预定间隔布置有多个。
图5是本发明一实施例的模板上粘合有掩模的掩模支撑模板的示意图。
下面,本说明书对掩模支撑模板的构成进行说明,而掩模支撑模板的结构、制造过程可理解为包括韩国专利申请第10-2018-0122020号的全部内容。
参照图5的(a)和(b),模板50是一种媒介,其一面上附着有掩模100并以支撑掩模100的状态使掩模100移动。模板50的一面优选为平坦面以支撑并搬运平坦的掩模100。
为了使从模板50的上部照射的激光L能够到达掩模100的焊接部WP(执行焊接的区域;图4),模板50上可形成有激光通过孔51。作为一示例,由于在掩模100的两侧(左侧/右侧)虚设部DM部分上以预定间隔布置多个焊接部WP,因此激光通过孔51也可以在模板50的两侧(左侧/右侧)以预定间隔形成多个。
模板50的一面可形成临时粘合部55。掩模100附着到框架200之前,临时粘合部55可使掩模100[或者掩模金属膜110]临时附着在模板50的一面并支撑在模板50上。
临时粘合部55可使用基于加热可分离的粘合剂、基于照射UV可分离的粘合剂。
作为一示例,临时粘合部55可使用液蜡(liquid wax)。作为液蜡的临时粘合部55在高于85℃至100℃的温度下粘性下降,而在低于85℃的温度下粘性增加,一部分被固化成固体,从而可将掩模金属膜110'与模板50固定粘合。
可以将掩模金属膜110粘合到形成有临时粘合部55的模板50上。或者,可以将形成有多个掩模图案P的掩模100粘合到模板50上。
将掩模金属膜110或者掩模100粘合到模板50上时,可以以向掩模金属膜110或者掩模100的侧面方向施加拉伸力的状态粘合到模板50上。然后,掩模金属膜110以施加有拉伸力的状态粘合到模板50上,并进一步进行掩模图案P形成工艺。由此,如图5的(b)所示,在掩模金属膜110、110'保持自身的拉伸力IT的状态下,如果将模板50分离,则掩模金属膜110、110'在回到原有的尺寸的过程中发生收缩。由此,通过向框架200[掩模单元片材部220]施加张力TS可使掩模100以绷紧的状态附着。
将掩模金属膜110(或者掩模100)粘合到模板50上之后,也可以对掩模金属膜110的一面进行平坦化。由轧制工艺制成的掩模金属膜110可通过平坦化工艺缩减厚度。此外,由电铸工艺制成的掩模金属膜110也可以进行平坦化工艺,以此控制其表面特性、厚度。也可以在粘合到模板50之前进行掩模金属膜110的平坦化工艺。掩模金属膜110的厚度可约为5μm至20μm。
此外,可通过蚀刻掩模金属膜110形成掩模图案P。可以使用光刻法工艺等公知的掩模图案P工艺。
另外,在通过蚀刻掩模金属膜110来形成掩模金属膜时,有必要防止蚀刻液进入掩模金属膜110与临时粘合部55的界面以损伤临时粘合部55/模板50,进而造成掩模图案P的蚀刻误差。因此,在掩模金属膜110的一面上形成绝缘部23的状态下,可将掩模金属膜110粘合到模板50的上部面。绝缘部可利用被蚀刻液蚀刻的固化性负型光刻胶、包含环氧的负型光刻胶等光刻胶材料通过打印方式等形成于掩模金属膜110上。
基于所述绝缘部的材料特性,即使进行多个后序蚀刻工艺,仍会加固抗蚀刻性。如果不存在绝缘部则蚀刻液会进入受损的临时粘合部55与掩模金属膜110的界面之间,会进一步蚀刻掩模图案P的下部,进而引发图案尺寸形成过大或者局部形成不定形缺陷。
由于框架200具有多个掩模单元区域CR:CR11至CR56,因此也可以具有多个包括与各个掩模单元区域CR:CR11至CR56分别对应的掩模单元C:C11至56的掩模100。此外,可具有分别支撑多个掩模100的多个模板50。
图6是本发明一实施例的将掩模支撑模板50装载到框架200上的过程的示意图。
参照图6,模板50可通过真空吸盘90移送。用真空吸盘90吸附粘合有掩模100的模板50的面的相反面并进行移送。真空吸盘90可以与向x、y、z、θ轴移动的移动手段(未图示)连接。而且,真空吸盘90可吸附模板50并与可进行翻转(flip)的翻转手段(未图示)连接。如图9的(b)所示,即使在真空吸盘90吸附模板50并使其翻转之后移送至框架200的过中,也不会影响掩模100的粘合状态与对准状态。
图7是本发明一实施例的将模板50装载在框架200上并将掩模100对应到框架200的单元区域CR的状态的示意图。
参照图7,可以将掩模100对应到框架200的一个掩模单元区域CR上。可通过将模板50装载于框架200(或者掩模单元片材部220)上,实现掩模100与掩模单元区域CR的对应。控制模板50/真空吸盘90的位置的同时可通过显微镜观察掩模100是否与掩模单元区域CR对应。由于模板50挤压掩模100,因此掩模100与框架200可紧密地抵接。
可依次或者同时将模板50装载于框架200(或者掩模单元片材部220)上,从而将各掩模100分别对应到各掩模单元区域CR。如果模板50与掩模100的尺寸相同,则对应于特定掩模单元区域CR11的模板50和对应于与其相邻的掩模单元区域CR12、CR21的模板50互不干涉/重叠且具有预定间隔。该预定间隔可小于第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度的1/2。
另外,框架200的下部可以进一步布置下部支撑体70。下部支撑体70会挤压与掩模100接触的掩模单元区域CR的相反面。与此同时,由于下部支撑体70和模板50朝彼此相反的方向挤压掩模100的边缘和框架200(或者掩模单元片材部220),因此能够保持掩模100的对准状态且不被打乱。
接下来,向掩模100照射激光L并基于激光焊接将掩模100附着到框架200上。被激光焊接的掩模的焊接部WP部分会生成焊珠WB,焊珠WB可具有与掩模100/框架200相同的材料且与掩模100/框架200连接成一体。
通过反复进行将一个掩模100对应到一个掩模单元区域CR且通过照射激光L将掩模100附着到框架200上的过程,可以将各掩模100分别附着到所有掩模单元区域CR。或者,可以将所有掩模100同时对应并附着到所有掩模单元区域CR。
图8是本发明一实施例的将掩模100附着到框架200上之后分离掩模100与模板50的过程的概略图。
参照图8,将掩模100附着到框架200之后,可将掩模100与模板50分离(debonding)。掩模100与模板50的分离可通过对临时粘合部55进行加热ET、化学处理CM、施加超声波US、施加紫外线UV中至少一个来执行。由于掩模100保持附着在框架200的状态,因此可以只抬起模板50。作为一示例,如果施加高于85℃至100℃的温度的热ET,则临时粘合部55的粘性下降,掩模100与模板50的粘合力减弱,从而可分离掩模100与模板50。作为另一示例,可通过利用将临时粘合部55沉浸CM在IPA、丙酮、乙醇等化学物质中以使临时粘合部55溶解、去除等的方式来使掩模100与模板50分离。作为另一示例,通过施加超声波US或者施加紫外线UV使掩模100与模板50的粘合力减弱,从而可以使掩模100与模板50分离。
如果模板50从掩模100分离,则施加到掩模100上的拉伸力IT被解除的同时可转换成使掩模100的两侧绷紧的张力TS。换而言之,是拉拽到比掩模100的原来长度更长的长度后粘合到模板50上的状态,由于在该状态原封不动地焊接粘合到框架200上,因此能够保持被拉拽的状态[自身对周边的掩模单元片材部220施加张力TS的状态]。
图9是本发明一实施例的将掩模100附着到框架200上的状态的概略图。图9中示出了将所有掩模100附着到框架200的单元区域CR的状态。虽然可一一附着掩模100后再将模板50分离,但也可附着所有掩模100之后再将所有模板50分离。
现有的图1的掩模10包括6个单元C1至C6,因此具有较长的长度,而本发明的掩模100包括一个单元C,因此具有较短的长度,因此PPA(pixel position accuracy)扭曲的程度会变小。而且,本发明由于只需要对应掩模100的一个单元C并确认对准状态即可,因此与同时对应多个单元C:C1至C6并需要确认全部对准状态的现有方法相比,本发明可以明显缩短制造时间。
如果每个掩模100均附着在对应的掩模单元区域CR上之后再分离模板50与掩模100,则多个掩模100会对各掩模单元区域CR施加收缩的张力TS。优选地,彼此相邻的多个掩模100施加向相反方向收缩的张力TS,进而所述张力相互抵消,因此掩模单元片材部220上不会施加有任何力。例如,在CR11单元区域上附着的掩模100与CR12单元区域上附着的掩模100之间的第一栅格片材部223上,优选地,附着在CR11单元区域上的掩模100向右侧方向作用的张力TS与附着在CR12单元区域上的掩模100向左侧方向作用的张力TS可相互抵消。
然而,掩模单元片材部220连接至边缘框架部210上时,如果在没有拉伸力的状态或者拉伸力较弱的状态下进行连接,会发生因掩模单元片材部220的荷重导致的下垂。如果该状态下如图9所示多个掩模100对掩模单元片材部220施加张力TS,多个掩模100之间的张力TS不能够完全被抵消掉,以致没有被抵消的一部分的力会作用于掩模单元片材部220。从另一观点来看,由于掩模100不附着到边缘框架部210而是附着到相对薄而弱的掩模单元片材部220,因此基于掩模100的张力TS,掩模单元片材部220相对容易变形。如果掩模单元片材部220发生扭曲变形,则会发生掩模100[或者掩模图案P]的对准误差变大的问题。
因此,本发明的特征在于提供一种掩模单元片材部220,在将掩模100附着到掩模单元片材部220上时不因掩模100张力TS发生变形。为此,根据掩模单元区域CR的尺寸调整掩模单元片材部220的边缘片材部221、第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度,或者利用厚度调整方法来控制刚性,以防止发生掩模单元片材部220的变形。下面具体说明如下:
图10和图11是示出本发明多个实施例的框架200的掩模单元片材部220的尺寸设置方法的示意图。
在图10和图11中,为了便于说明,边缘片材部221具体化为,由朝第一方向(X轴方向)延伸形成且彼此相隔的一双第一边缘片材部221a和朝第二方向(Y轴方向)延伸形成且彼此相隔的一双第二边缘片材部221b构成。只是,第一边缘片材部221a和第二边缘片材部221b与第一栅格片材部223和第二栅格片材部225并非相互分离的不同构件,而应理解为是掩模单元片材部220的各部分。
掩模单元片材部220朝第一方向(X轴方向)、第二方向(Y轴方向)的长度为DX、DY,连接有掩模单元片材部220的边缘框架部210朝X轴方向、Y轴方向的长度可以为FX、FY。例如,第六代半(half)工艺用框架200包括约1500×925mm尺寸的掩模单元片材部220,边缘框架部210可在四个边上比掩模单元片材部220至少大100mm以上,即具有1700×1125mm以上的尺寸。第六代全(full)工艺用框架为第六代半(half)的两倍,第八代工艺用框架可包括约2200×2500mm尺寸的掩模单元片材部220。
如图9所述的掩模100的张力TS引起的掩模单元片材部220的变形问题是因为掩模单元片材部220的宽度和厚度,即,边缘片材部221或第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度和厚度小而导致的。掩模单元片材部220的宽度小于5mm且厚度约为100至150μm,因此无法承受掩模100的张力TS发生变形。现有框架一体型掩模的结构主要用于5英寸以下的中小型智能手机,是通过最大限度形成与各显示器对应的掩模单元区域CR来提高倒角效率的结构。因此,倒角效率虽然高,但掩模单元片材部220的宽度较小导致刚性低且掩模100焊接附着后容易发生变形,进而难以精准地调整。
因此,本发明提出一种设置框架200尤其是掩模单元片材部220的宽度、厚度等尺寸的方法,所述框架200用于相比于可折叠智能设备、平板电脑、笔记本电脑等一般智能设备为大屏幕的显示工艺中。
再次参照图10,边缘片材部210和掩模单元片材部220的整体尺寸可具有作为代级线尺寸的固定值FX×FY、DX×DY。在此,在确定各个显示器对应的掩模单元区域CR的尺寸后,可将剩下的尺寸作为边缘片材部221a、221b及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度使用。
掩模单元片材部220宽度的设置方法如下:
首先,(1)将一个掩模单元区域CR[单位掩模单元区域CR]的X轴、Y轴的长度称为MX、MY时,可计算出满足NX×MX<DX≤(NX+1)×MX的NX和满足NY×MY<DY≤(NY+1)×MY的NY。NX、NY为自然数。
例如,对于掩模单元区域CR或者一个显示器的画面比例为1:1且画面尺寸为7.8英寸的可折叠显示器,MX可以为140.1mm左右,MY为140.1mm左右。以第六代半为基准,DX为1500mm,DY为925mm,因此可计算出NX为9,NY为5。即,在掩模单元片材部220中,掩模单元区域CR可在X轴方向布置9个,在Y轴方向布置5个。
作为另一例子,对于掩模单元区域CR或者一个显示器的画面比例为4:3且画面尺寸为9.7英寸的情形,MX可以为197.1mm左右,MY为147.9mm左右。以第六代半为基准,DX为1500mm,DY为925mm,因此可计算出NX为7,NY为6。即,如图10所示,在掩模单元片材部220中,掩模单元区域CR可在X轴方向布置7个,在Y轴方向布置6个。除此以外,基于画面比例为4:3的多个显示器的尺寸的NX、NY及掩模单元区域CR的总数,如下表1。
[表1]
掩模单元区域CR的X轴方向不是长边而Y轴方向为长边的情况下,即,掩模单元区域CR以竖向布置并非横向布置的情况,如下表2。
[表2]
如表1和表2中所示,即使是相同尺寸的掩模单元片材部220以及相同尺寸的显示器,如果布置形态不同则倒角效率将会不同,因此优选在考虑到上述内容的基础上进行布置。例如,当12.9英寸时,竖向布置能够确保掩模单元区域的总数为21个。
然后,(2)可以将[DX-(NX×MX)]/(NX+1)设置为第二栅格片材部225的宽度TX,将[DY-(NY×MY)]/(NY+1)设置为第一栅格片材部223的宽度TY。此时,第一栅格片材部223与第一边缘片材部221a,第二栅格片材部225与第二边缘片材部221b也可以设置为具有相同的宽度TX、TY。
如果利用上述表1的数据,设置宽度TX、TY,则如下表3。
[表3]
此外,如果利用上述表2的数据,设置宽度TX、TY,则如下表4。
[表4]
即,当掩模单元片材部220的DX、DY为预设的固定值时,可设置为根据掩模单元区域CR尺寸MX、MY的变化来改变第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度TY、TX。此时,以第六代半为基准,DX为至少大于1500mm,DY为至少大于900mm的固定值,TX、TY中至少一个大于8mm,更优选地,可设置为大于10mm。如果满足TX、TY中至少一个大于8mm,则剩下的一个可设置为大于5mm。
例如,当通过过程(1)和过程(2)计算的宽度TX、TY均不超过10mm时,难以达到本发明的目的,即通过增加掩模单元片材部220的刚性来防止掩模100的张力TS引起的变形。图9所述的现有用于中小型智能设备的第一、第二栅格片材部的宽度约为1至5mm,存在刚性较弱的问题。
在本发明中,满足DX2+DY2=D2的D至少大于175mm,即,显示器的尺寸可大于7英寸级以上,因此在固定的框架尺寸上布置数个大屏幕面板后,对于剩余的空间可扩大掩模单元片材部220的宽度。因此,越是趋于大屏幕,在倒角效率方面相对于中小型屏幕不存在不良影响,具有不会妨碍生产效率的优点。而且,不是单纯利用剩余空间扩大掩模单元片材部220的宽度,而是通过将TX、TY中至少一个设置为大于8mm,从而具有能够确保掩模单元片材部220刚性的效果。
相比于图10的掩模单元区域CR或者一个显示器的画面比例为4:3且画面尺寸为9.7的情形,图11示出了画面比例为4:3且画面尺寸为12.9英寸时的多个掩模单元区域CR'的布置形态及通过过程(1)、过程(2)计算出的掩模单元片材部220的宽度TX'、TY'。在图10与图11中,框架保持相同的尺寸(DX=DX',DY=DY',FX=FX',FY=FY'),并且可以只调整掩模单元片材部220的宽度TX'、TY',使其对应掩模单元区域CR'的尺寸MX'、MY'。
如上所述,本发明中,对于相对于掩模单元片材部220更重且更厚的边缘框架部210,由于可使用与原来相同的,因此无需另行变更尺寸便可再利用,而且仅通过调整掩模单元片材部220的宽度便可立即对应到不同尺寸的显示器,该掩模单元片材部220相对较轻且仅通过形成掩模单元区域CR便可制成。因此,仅通过调整掩模单元片材部220便可灵活地改变生产工艺。
此外,本发明采用了较轻的掩模单元片材部220,并且通过控制掩模单元片材部220的宽度能够确保充分的刚性,因此相比于现有的附着条状掩模的大面积(第六代至第八代)工艺用框架20[参照图1],能够明显减小宽度、厚度、重量。因此,具有因框架重量的减小使框架移送机器人的工作负载明显减少的效果。例如,现有的第六代全工艺,第8.5代全工艺中使用的移送机器人的工作负载为大于200kg、350kg,相反,本发明可通过工作负载为150kg左右的移送机器人执行工艺,进而能够减少设备投入。
图12是本发明的多个实施例的掩模单元片材部200的焊接位置的示意图。
如图7所示,考虑到通过激光L将掩模100焊接到掩模单元片材部220上并形成焊珠WB的情况,对掩模单元片材部220的变化量进行观察。
如图12所示,在激光焊接掩模100时,并非一次性地对所有焊接部WP进行焊接,而是分半进行焊接,以使焊珠WB的形成产生的压力不集中在一处。即,在形成焊珠WB1之后,在焊珠WB1之间照射激光L形成焊珠WB2。
下表5示出了对掩模单元片材部220的各部分进行焊接并形成焊珠WB1、WB2、WB3时的变化量。在1500mm×925mm的第六代半尺寸上,将单位掩模单元区域CR以140mm×140mm尺寸进行布置,X轴方向布置9个,Y轴方向布置5个。TX设置为5mm,TY设置为12mm。所述单位掩模单元区域CR的尺寸对应可折叠显示器的7.8英寸,满足DX2+DY2=D2的D至少大于175mm。
焊珠WB1、WB2在尽可能接近掩模单元区域CR的边缘,即,尽可能接近第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的边部进行焊接而形成,焊珠WB3在第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的中央部进行焊接而形成。表5显示了各步骤相比于初期(步骤1)的变化量,步骤1是掩模单元片材部220的入库初期状态,步骤2是无掩模100附着而且在掩模单元片材部220上仅形成有焊珠WB1的状态,步骤3是无掩模100附着而且在掩模单元片材部220上还形成有焊珠WB2的状态,步骤4是无掩模100附着而且在掩模单元片材部220仅形成有焊珠WB3的状态,步骤5显示在形成有45个掩模单元区域CR的掩模单元片材部220整体上激光焊接有掩模100的状态[掩模100为粘合于模板50上的状态,参照图7]。步骤6显示了将45个掩模全部附着后将模板50进行分离后,掩模100的拉伸力IT作用于掩模单元片材部220状态时的变化量。
[表5]
与初期相比,步骤5的变化量大于步骤2至步骤4,步骤5的变化量显示为最大。尤其,尽管掩模单元片材部220的X轴长度更长,但X轴的变化量为10.3μm,是Y轴变化量19.2μm的一半。X轴的变化量小是因为:第一栅格片材部223的宽度TY为12mm,其宽度大于第二栅格片材部225的宽度TX即5mm,从而导致X轴的刚性更大。
图13是根据本发明一实施例的按照焊接位置缩减框架变形的方法的示意图。为了便于说明,只有在掩模100相交叉的部分示出了第一栅格片材部223、第二栅格片材部225,但是显而易见的是,掩模100的四个边上均可连接有掩模单元片材部220:221、223、225。
参照图13的(a),掩模100将焊接在第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的边223a、223b、225a、225b上靠近最外围的位置。将第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的各边223a、223b、225a、225b与掩模100重叠的宽度设置为约2至3mm,靠近第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的各边223a、223b、225a、225b地对掩模100进行焊接W。即,第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的各边223a、223b、225a、225b与掩模100重叠的宽度SX'、SY'变得非常小。因此,从焊珠WB'到掩模单元C的距离变近,焊珠WB'生成时焊珠WB'周围受到热影响的热影响区(heat affected zone)会渗透到掩模单元C,从而导致掩模单元C的外廓部分与内侧部分之间的对准发生偏离。
此外,图13的(a)显示现有的掩模单元片材部220的宽度相对较窄,第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的中央区域223c、225c约为1mm,非常窄,而且在靠近各边的最外围的位置上生成焊珠WB',因此会引发因焊接造成的掩模单元片材部220的扭曲变形。
另外,如图10和图11中所述,本发明的掩模单元片材部的宽度TX、TY比以往更宽,因此并非一定要在靠近第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的各边的位置上焊接W掩模100。
参照图13的(b),可以在第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的内侧中央223c、225c侧焊接W掩模100而不靠近边223a、223b、225a、225b。只要能够保持相邻掩模100间的间距,可以在靠近第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的内侧中央223c、225c焊接W掩模100。作为一例,相邻掩模100间的间距保持0.5至1mm,并焊接W掩模100。
作为一例,焊珠WB可沿着平行于第一掩模100a的第一侧101a[或者右侧边]的方向(垂直方向)形成,并且焊珠WB可沿着与第一掩模100a最相邻的第二掩模100b的第一侧101a相对的第二侧101b平行的方向(垂直方向)形成。由于在靠近第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的内侧中央223c、225c仅以保持相邻掩模100a、100b间的距离的程度焊接掩模100,因此在形成于第一侧101a与第二侧101b的焊珠WB之间形成最短距离SW。而且,焊珠WB的形成可满足如下条件:最短距离SW小于从第一侧101a[或者第二侧101b]的焊珠WB到第一掩模100a[或者第二掩模100b]的掩模单元C的最短距离SX、SY。
作为另一示例,焊珠WB可沿着平行于第一掩模100a下部侧的方向(水平方向)形成,并且焊珠WB可沿着与第一掩模100a最相邻的第三掩模100c下部侧相对的上部侧平行的方向(水平方向)形成。
作为另一观点,以第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度TX、TY方向为准,假设左侧端223a、225a为0%,右侧端223b、225b为100%,则焊珠WB可在25%至75%的宽度TX、TY之间形成。当宽度TX、TY为10mm时,焊珠WB可在相距左侧端223a、225a2.5mm的内侧中央223c、225c到相距7.5mm的内侧中央223c、225c的范围内形成。
由于掩模单元片材部220:221、223、225的宽度TX、TY比以往的宽度更宽,越是靠近内侧中央223c、225c处进行焊接W,焊珠WB生成时集中在热影响区上的收缩量能够根据掩模单元片材部220(221、223、225)的宽度TX、TY得到恢复。即,热影响区产生的压力能够均匀地分散在较宽的宽度,因此掩模单元片材部220的变形量会减少。从另一观点来看,由于焊接W是在内侧中央223c、225c进行,且焊珠WB的外侧223a、223b、225a、225b存在的掩模单元片材部220部分支撑内侧中央223c、225c的焊珠WB侧,因此能够防止掩模单元片材部220整体上的扭曲。
此外,随着掩模单元片材部220:221、223、225的宽度TX、TY变宽,对应地,掩模100的整体尺寸也会变大,其中,掩模100的虚设部DM的部分变大,掩模单元C的尺寸为了对应掩模单元区域CR的尺寸,则保持不变。在掩模100的虚设部DM部分中能够以更宽的面积[掩模100与掩模单元片材部220重叠的宽度与SX、SY对应]分散焊珠WB生成时的压力,从而能够减少焊珠WB生成时传递给掩模单元C和掩模图案P部分的压力。由此,还具有能够缩减掩模100的PPA的效果。
图14是现有的将掩模100焊接于掩模单元片材部220的过程的示意图。为了便于说明,图14省略了其他构成要素,仅示出了横向5个X竖向3个共15个掩模100:100-1、100-2、……附着于具有掩模单元区域CR的掩模单元片材部220上的形态。
参照图14,现有技术采用的是将掩模100逐个分别地焊接到掩模单元片材部220上的方法。作为一例,通过对各掩模100的两边进行焊接,从而在与掩模单元片材部220之间形成焊珠WB,以进行焊接附着。首先,如图14的(a)所示,可以在特定掩模单元区域CR上焊接附着掩模100-1、100-5。在各个掩模100-1、100-5的两边及第二栅格片材部225-1、225-4上形成焊珠WB1a、WB1b及WB5a、WB5b,并附着掩模100-1、100-5。然后,如图14的(b)所示,可以在空白区域的掩模单元区域CR上焊接并附着掩模100-2、100-4。在各个掩模100-2、100-4的两边及第二栅格片材部225-1、225-2及225-3、225-4上形成焊珠WB2a、WB2b及WB4a、WB4b并附着掩模100-2、100-4。
然而,如图14的(a)所示,因率先附着的掩模100-1、100-5,导致形成有焊珠WB1a、WB1b及WB5a、WB5b的第二栅格片材部225-1、225-4上可能发生部分变形。图12至图13描述了焊珠形成导致的栅格片材部223、225的变形。不同于发生部分变形的第二栅格片材部225-1、225-4,第二栅格片材部225-2、225-3上由于没有附着掩模100-2、100-4,因此没有发生变形。如图14的(b)所示,如果在此状态下对掩模100-2、100-4进行附着,则由于掩模100-2的左侧边/掩模100-4的右侧边的第二栅格片材部225-1、225-4为部分发生变形的状态,因此可能会产生对准误差。
因此,本发明提出一种在将掩模100焊接附着到掩模单元片材部220的过程中能够缩减掩模单元片材部220的变形量的方法。显然,以下图15至图17的掩模100附着方法可以结合图10至图13的上述特征并应用。为了方便说明,图15至图17中省略了其他构成要素,仅图示了在具有横向五个X竖向三个共15个掩模100:100-1、100-2、……附着在具有掩模单元区域CR的掩模单元片材部220上的形态。
图15是本发明第一实施例的将掩模100焊接到掩模单元片材部220的过程的示意图。
首先,参照图15的(a),可以在特定掩模单元区域CR焊接并附着掩模100-1、100-5。可在掩模100-1的左侧边和掩模100-5的右侧边与第二栅格片材部225-1、225-4之间形成焊珠WB1a、WB5b。各个掩模100以粘合于模板50的状态移动到框架200的掩模单元片材部220,并且可通过在各个掩模100-1的左侧边、掩模100-5的右侧边照射激光来形成焊珠WB1a、WB5b。
然后,参照图15的(b),将掩模100-2、100-4对应到与掩模100-1、100-5最相邻的掩模单元区域CR。各个掩模100-2、100-4可以以粘合于模板50的状态移动并对应至掩模单元区域CR。接着,在掩模100-2、100-4的左侧边和右侧边可以形成焊珠WB2a、WB2b及WB4a、WB4b。在掩模100-2、100-4的两边形成焊珠WB2a、WB2b及WB4a、WB4b的同时,可以在掩模100-1的右侧边和掩模100-5的左侧边也形成焊珠WB1b、WB5a。
即,对于位于相邻掩模100-1与100-2之间的第二栅格片材部225-1,可以在同一步骤中形成焊珠WB1b、WB2a。对相邻的两个掩模100-1和掩模100-2中相对的边,即,掩模100-1的右侧边与掩模100-2的左侧边同时进行焊接,形成焊珠WB1b、WB2a,从而即使第二栅格片材部225-1发生部分变形,相邻的掩模100-1与100-2也能够保持相互对齐状态。掩模100-1右侧边和掩模100-2左侧边的焊接可以沿着平行于各边的方向同时形成焊珠WB1b、WB2a,也可以逐个交替地形成焊接点的同时沿着与各边平行的方向形成焊珠WB1b、WB2a。即,可以将激光同时照射到掩模100-1的右侧边和掩模100-2的左侧边的同时向下一个方向移动地形成焊接点,也可以边交替照射的同时向下一个方向移动地形成焊接点。
另外,无需另行对掩模100-2、100-4进行对应,在图15的步骤(a)中所有掩模100对应至掩模单元区域CR的状态下,只对焊接进行如图15的(a)和图15的(b)所述的额外的步骤。当然,所有掩模100可以以粘合到模板50的状态对应至掩模单元区域CR。
然后,参照图15的(c),可以将掩模100-3对应至与掩模100-2、100-4最相邻的掩模单元区域CR。接着,可以在掩模100-3的左侧边和右侧边上形成焊珠WB3a、WB3b。在掩模100-3的两边上形成焊珠WB3a、WB3b的同时,在掩模100-2的右侧边和掩模100-4的左侧边上也可以形成焊珠WB2b、WB4a。
即,对于位于相邻掩模100-2和100-3及100-3和100-4之间的第二栅格片材部225-2、225-4,可以在同一步骤中形成焊珠WB2b、WB3a及WB3b、WB4a。可以对相邻的两个掩模100-2和100-3及100-3和100-4的相对的边,即,掩模100-2的右侧边与掩模100-3的左侧边同时进行焊接形成焊珠WB2b、WB3a,并且可以同时焊接掩模100-3的右侧边与掩模100-4的左侧边并形成焊珠WB3b、WB4a,从而即使第二栅格片材部225-2、225-3上发生部分变形,相邻的掩模100-2和100-3及100-3和100-4仍能够保持相互对齐的状态。
将掩模100-1、掩模100-2、掩模100-3分别称为'第一掩模100-1'、'第二掩模100-2'、'第三掩模100-3',并重新对图15进行说明。
在图15的(b)中,焊珠WB1b、WB2a可以沿着彼此最相邻布置的、与特定第二栅格片材部225-1的两侧相接触的第一掩模100-1的第1-1侧(右侧)和与第1-1侧相对的第二掩模100-2的第2-1侧(左侧)平行的方向形成。然后,在图15的(c)中,焊珠WB2b、WB3a可以沿着与第二掩模100-2最相邻布置的第三掩模100-3的第3-1侧(左侧)和与第3-1侧相对的第二掩模100-2的第2-2侧(右侧)平行的方向形成。通过反复进行上述过程可将掩膜100分别附着到所有掩模单元区域CR。
第三掩模100-3可以仅与第二掩模100-2最相邻地布置,而不与第一掩模100-1最相邻。由于掩模单元片材部220的外围变形比较严重,而越是靠近内侧所受影响会减少,因此以从外围向内侧方向附着掩模100有利于掩模单元片材部220变形量的缩减。
另外,虽然举例说明了对掩模100的两边进行焊接附着的情形,但也可以对掩模100的四个边进行焊接附着,如上所述的步骤也同样适用于此过程。
图16是本发明第二实施例的将掩模100焊接到掩模单元片材部220的过程的示意图。
参照图16的(a),可以将掩模100分别对应到所有掩模单元区域CR。所有掩模100:100-1、100-2、…100-15可以以粘合在模板50上的状态对应到掩模单元区域CR。接着,可以在所有掩模100的特定点上形成焊珠WB-P1。在图16的(a)中,特定点示例为各个掩模100的左侧边的中央部分,但并非限于此。特定点不一定是一个点,也可以是掩模100的特定部分中的相邻的多个点。
然后,参照图16的(b),可以在所有掩模100的第二特定点上形成焊珠WB-P2。在图16的(b)中,第二特定点示例为各个掩模100的右侧边的中央部分。优选地,焊珠WB-P2不与图16的(a)中已经形成焊珠WB-P1重叠,为了迅速地确保掩模100稳定地附着在掩模单元片材部220的状态,更优选地,掩模100形成于彼此相对且最远的位置上。
然后,参照图16的(c),可以在所有掩模100的第三特定点上形成焊珠WB-P3。在图16的(c)中,第三特定点示例为各个掩模100的上侧边的中央部分。优选地,焊珠WB-P3不与图16的(a)和图16的(b)中已经形成的焊珠WB-P1、WB-P2重叠。
接下来,通过改变特定点可形成焊珠WB-P4、WB-P5、……。最终,所有掩模100的两个边或者四个边可以焊接附着在掩模单元片材部220。
如上,可以防止仅在掩模单元片材部220的特定区域焊接附着掩模100所导致的压力集中,而且可根据特定点对全部掩模100进行均匀焊接,从而具有能够缩减掩模单元片材部220整体变形量的优点。
图17是本发明第三实施例的将掩模100焊接到掩模单元片材部220的过程的示意图。
参照图17的(a),可以将掩模100分别对应至所有掩模单元区域CR。所有掩模100:100-1、100-2、……100-15可以以粘合在模板50的状态下对应到掩模单元区域CR。接着,通过在所有掩模100的特定多个点上形成焊珠WB-S1,从而可在掩模单元片材部220上对掩模100进行第一附着。
其中,'第一附着'是指掩模100与掩模单元片材部220以最小的附着力附着的状态。在第一附着状态下,如没有使掩模100与掩模单元片材部220分离的强制外力,则掩模100与掩模单元片材部220可保持附着状态。第一附着可指掩模100与掩模单元片材部220的临时附着或者假附着。
在图17的(a)中,特定点示例为各个掩模100的左侧边、右侧边、上侧边、下侧边的中央部分,但并非受限于此。特定点并非一定是一个点,也可以是掩模100的特定部分中彼此相邻的多个点。
然后,参照图17的(b),通过沿着所有掩模100的边缘方向形成焊珠WB-S2,从而可在在掩模单元片材部220上对掩模100进行第二附着。可在掩模单元片材部220对所有掩模100的两个边或四个边进行第二附着。优选地,第二附着时形成的焊珠WB-S2不与已经形成的焊珠WB-S1重叠,但在焊珠WB-S1上也可以再次形成焊珠WB-S2。
其中,'第二附着'是指以在OLED像素沉积工艺中能够使用的程度将掩模100与掩模单元片材部220充分地附着的状态。第二附着是以大于第一附着的附着力连接掩模100与掩模单元片材部220的状态。通过第二附着,可显示掩模100与掩模单元片材部220为明确的附着状态。
另外,与第一附着相比,进行第二附着时用于形成焊珠WB-S2的激光功率、照射时间、脉冲数中至少一项可设置为更大。换而言之,第二附着的激光能量值是指,掩模100开始熔融之后,进一步充分熔融并形成大于焊珠WB-S1的焊珠WB-S2,从而能够使掩模100与掩模单元片材部220一体连接的能量值。此时,第一附着的激光能量值可以为第二附着时能量值的70%以下(超过0)。
如上,可以防止仅在掩模单元片材部220的特定区域焊接附着掩模100所导致的压力集中,而且可根据特定点对全部掩模100进行均匀焊接,从而具有能够缩减掩模单元片材部220整体变形量的优点。
如上所述,本发明虽然参考附图对优选实施例进行了说明,但是本发明不受所述实施例限制,在不超出本发明精神的情况下本发明所属领域的技术人员可对其进行各种变形和变更。所述变形例和变更例应视为皆属于本发明及附上的权利要求书的范围。
Claims (16)
1.一种掩模单元片材部的变形量缩减方法,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,其特征在于,
框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,
掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,
掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,
掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:
(a)沿着与彼此最相邻地布置并与预定的第一栅格片材部或者预定的第二栅格片材部的两侧接触的预定的第一掩模的第1-1侧方向及与第1-1侧相对的预定的第二掩模的第2-1侧平行的方向,形成焊珠;
(b)沿着与第二掩模最相邻地布置的第三掩模的第3-1侧方向及与第3-1侧相对的第二掩模的第2-2侧平行的方向,形成焊珠。
2.如权利要求1所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
在步骤(a)中,
沿着与第一掩模的第1-1侧及与第1-1侧相对的预定第二掩模的第2-1侧平行的方向,同时形成焊珠,或者,
在第1-1侧和第2-1侧交错地形成焊珠,且沿着与第1-1侧和第2-1侧平行的方向形成焊珠。
3.如权利要求1所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
第三掩模仅与第二掩模最相邻地布置但不与第一掩模最相邻地布置,第2-1侧和第2-2侧对应第二掩模的彼此相对的两侧。
4.如权利要求1所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
通过反复执行步骤(a)和步骤(b),在所有掩模单元区域分别附着掩模。
5.一种掩模单元片材部的变形量缩减方法,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,其特征在于,
框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,
掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,
掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,
掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:
(a)将掩模分别对应至所有掩模单元区域;
(b)在所有掩模的预定点上形成焊珠;
(c)为了不与已形成的焊珠重叠,在所有掩模的其他预定点上形成焊珠。
6.如权利要求5所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
进一步包括反复执行步骤(c)的步骤(d)。
7.一种掩模单元片材部的变形量缩减方法,该方法在制造框架一体型掩模时用于缩减框架的掩模单元片材部的变形量,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,其特征在于,
框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,
掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,
掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,
掩模在掩模单元片材部上的连接通过如下步骤进行:
(a)将掩膜分别对应至所有掩模单元区域;
(b)在所有掩模的多个点上形成焊珠,并在掩模单元片材部上对掩模进行第一附着;
(c)沿着所有掩模的边缘方向形成焊珠,已形成焊珠的部分除外,并在掩模单元片材部上对掩模进行第二附着。
8.如权利要求7所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
第一附着是指在无分离掩模与掩模单元片材部分的作用力施加时掩模与掩模单元片材部为附着的状态。
9.如权利要求7所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
第二附着是指掩模与掩模单元片材部以大于第一附着的附着力附着的状态。
10.如权利要求7所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
第二附着的用于形成焊珠的激光功率、照射时间、脉冲数中至少一项设置为大于第一附着。
11.如权利要求1、5、7中任一项所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
以从外侧的掩模单元区域所对应的掩模到内侧的掩模单元区域所对应的掩模的顺序形成焊珠。
12.如权利要求1、5、7中任一项所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
在步骤(a)之前,掩模通过中间夹设临时粘合部粘合到模板上,将粘合有掩模的多个模板分别对应至所有掩模单元区域。
13.如权利要求1、5、7中任一项所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
沿着平行于掩模的两侧或四侧的方向形成焊珠。
14.如权利要求1、5、7中任一项所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
当掩模单元片材部在第一方向、第二方向上的长度为DX、DY,而单位掩模单元区域在第一方向、第二方向上的长度为MX、MY时,
步骤(a)之前,包括以下步骤:
(1)计算满足NX×MX<DX≤(NX+1)×MX的NX和满足NY×MY<DY≤(NY+1)×MY的NY的步骤,其中NX、NY为自然数;
(2)将[DX-(NX×MX)]/(NX+1)设置为第二栅格片材部的宽度TX,将[DY-(NY×MY)]/(NY+1)设置为第一栅格片材部的宽度TY。
15.如权利要求14所述的掩模单元片材部的变形量缩减方法,其特征在于,
当DX和DY为预设固定值时,基于MX和MY的变化,TX和TY发生改变。
16.一种框架一体型掩模的制造方法,该框架一体型掩模由多个掩模和用于支撑掩模的框架一体形成,其特征在于,包括以下步骤:
(a)准备边缘框架部上连接有掩模单元片材部的框架,所述掩模单元片材部具有多个掩模单元区域;
(b)在框架上加载临时粘合有掩模的模板,并将掩模对应至框架的掩模单元区域;以及
(c)将掩模附着到框架,
框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,
掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,
掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元及掩模单元周围的虚设部,在虚设部的至少一部分上,沿着平行于掩模各边的方向形成有焊珠,掩模连接于掩模单元片材部,
掩模单元片材部上的掩模连接根据权利要求1、5、7中任一项所述的方法进行。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210096871A KR102637522B1 (ko) | 2021-07-23 | 2021-07-23 | 마스크 셀 시트부의 변형량 감축 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
KR10-2021-0096871 | 2021-07-23 | ||
PCT/KR2022/010362 WO2023003286A1 (ko) | 2021-07-23 | 2022-07-15 | 마스크 셀 시트부의 변형량 감축 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115968593A true CN115968593A (zh) | 2023-04-14 |
Family
ID=84979483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280003465.5A Pending CN115968593A (zh) | 2021-07-23 | 2022-07-15 | 掩模单元片材部的变形量缩减方法及框架一体型掩模的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102637522B1 (zh) |
CN (1) | CN115968593A (zh) |
WO (1) | WO2023003286A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100696523B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기발광 표시장치의 제조방법 |
KR101322130B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2013-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대면적 증착용 마스크 및 대면적 증착용 마스크의 제조방법 |
JP6269264B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-01-31 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、多面付け蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法 |
KR102358268B1 (ko) * | 2019-02-07 | 2022-02-07 | 주식회사 오럼머티리얼 | 마스크 셀 시트부의 변형량 감축 방법, 프레임 일체형 마스크 및 그 제조 방법 |
KR102202531B1 (ko) * | 2019-09-20 | 2021-01-13 | 주식회사 오럼머티리얼 | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 |
-
2021
- 2021-07-23 KR KR1020210096871A patent/KR102637522B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-07-15 CN CN202280003465.5A patent/CN115968593A/zh active Pending
- 2022-07-15 WO PCT/KR2022/010362 patent/WO2023003286A1/ko unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023003286A1 (ko) | 2023-01-26 |
KR102637522B1 (ko) | 2024-02-19 |
KR20230015578A (ko) | 2023-01-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |