CN115966380A - 一种耦合电感和制造方法,及应用其的电源电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种耦合电感和制造方法,及应用其的电源电路,本发明中绕组线圈的形状可以自由设计,绕组基板的工艺可以使绕组更薄,有助于使电感的高度更薄,且磁芯盖板可以采用磁粉芯材质,其饱和磁通密度高,有助于实现电感更小的体积;该耦合电感的生产组装工艺比较简单,适合批量自动化生产;该耦合电感的封装焊盘的存在,使得该耦合电感可以采用贴片等更便捷的自动化批量生产工艺。

Description

一种耦合电感和制造方法,及应用其的电源电路
技术领域
本发明涉及电感器技术领域,具体地,涉及耦合电感结构和制造方法,及应用其的电源电路。
背景技术
耦合电感越来越多的运用于VRM(Voltage Regulator Module,电压调节模组)电路,由于在交错操作(Interleave operation)情况下,负耦合特性可以减小纹波,提高电感的动态特性。由于直流磁通抵消,还能相应的减少磁性元件的尺寸。
目前,双路耦合电感结构主要如图1所示,包括铁氧体201和铁氧体202,铁氧体22的上表面和侧表面有凹槽,用于绕组10的安装,通过调节三个气隙101,102和103的大小来调节电感的耦合程度,其中,该双路耦合电感的铁氧体的饱和磁通密度比较低,功率密度较低;且三个气隙的大小难以控制,不利于量产和自动化生产。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种耦合电感结构,从而提高耦合电感结构的功率密度,提升耦合电感结构的性能。
根据本发明的一方面,提供一种耦合电感结构,包括:一种耦合电感,其特征在于:所述耦合电感包括至少一组内芯,每组内芯包括依次堆叠的下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板和上磁芯盖板,其中,所述第一绕组基板和所述第二绕组基板分别嵌入与之相邻的其中一个磁芯盖板中,所述上磁芯盖板、所述中间磁芯盖板和所述下磁芯盖板的材质包括金属磁粉芯。
优选地,被所述第一绕组基板或所述第二绕组基板嵌入的磁芯盖板为E型盖板,其中,所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型,所述E型盖板的其中一个侧面包括两个开口,所述两个开口用于裸露嵌入其内的绕组基板的引线部位。
优选地,所述耦合电感还包括包封所有所述内芯的包封层,其中,所述包封层的侧表面包括用于裸露各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的引线部位的开口。
优选地,所述耦合电感还包括位于所述包封层侧表面的所述开口位置处,并分别与各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的所述引线部位电连接的多个焊盘。
优选地,所述包封层为树脂材料。
优选地,所述第一绕组基板和所述第二绕组基板为平面基板,包括位于所述平面基板中间的一开孔及位于所述平面基板内部或所述平面基板表面的布线,所述布线环绕所述开孔。
优选地,所述上磁芯盖板和下磁芯盖板中的一个为平板型盖板,另一个为E型盖板,所述中间磁芯盖板为E型盖板。
优选地,所述上磁芯盖板和所述下磁芯盖板为E型盖板,所述中间磁芯盖板为平板型盖板。
优选地,所述中间磁芯盖板包括两个磁芯盖板:第一磁芯盖板和第二磁芯盖板;其中,所述第一绕组基板位于所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板之间,所述第二绕组基板位于所述二磁芯盖板和所述上磁芯盖板之间。
优选地,所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述上磁芯盖板和所述第二磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型。
优选地,所述E型盖板的所述磁芯中柱穿过所述第一绕组基板或所述第二绕组基板所在平面基板的所述开孔。
优选地,当所述耦合电感包括多组内芯时,各个内芯并列排放,其中,各个内芯的所述下磁芯盖板为一体成型的一个结构件,各个内芯的所述中间磁芯盖板为一体成型为第二个结构件,各个内芯的所述下磁芯盖板为一体成型的第三个结构件。
根据本发明的另一方面,提供一种耦合电感的制造方法,包括以下步骤:
分别制备上磁芯盖板,中间磁芯盖板及下磁芯盖板所在的结构件,并准备好第一绕组基板和第二绕组基板;
按照下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板,上磁芯盖板的顺序进行堆叠;
将堆叠后的器件进行整体压制;
将压制后的器件进行整体包封。
优选地,通过热压的方式对叠层后的器件进行整体压制。
优选地,将堆叠后的器件进行整体压制后,对所述第一绕组基板和所述第二绕组基板的端部进行研磨,使所述第一绕组基板和所述第二绕组基板的引线部位露出。
优选地,将压制后的器件用树脂材料进行整体包封,以形成包封层。
优选地,将压制后的器件进行整体包封后,将所述第一绕组基板和所述第二绕组基板引线部位的树脂去掉,并引出分别与各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的引线部位电连接的多个焊盘。
优选地,采用激光脱皮技术所述第一绕组基板和所述第二绕组基板引线部位的树脂去掉。
优选地,采用电镀的方式引出所述焊盘。
优选地,通过调节所述第二磁芯盖板或第三磁芯盖板的材料,来调节所述第一绕组基板和所述第二绕组基板之间的耦合系数。
根据本发明的另一方面,提供一种电源电路,包括多路并联连接的功率级电路,其特征在于:各路所述功率级电路中的电感被配置为前面所述的耦合电感。
优选地,位于同一组内芯的两个电感错相180°。
优选地,所述功率级电路为升压型电路或降压型电路。
本发明中绕组的形状可以自由设计,绕组基板的工艺可以使绕组更薄,有助于使电感的高度更薄,且磁芯盖板可以采用磁粉芯材质,其饱和磁通密度高,有助于实现电感更小的体积;该耦合电感的生产组装工艺比较简单,适合批量自动化生产;另一方面,该耦合电感的封装焊盘的存在,使得该耦合电感可以适用于贴片等更便捷的自动化批量组装工艺。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述,本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
图1示出了现有技术的耦合电感的结构示意图;
图2示出了本发明的耦合电感的叠层结构的一种示意图;
图3示出了本发明的耦合电感的叠层结构的第二种示意图;
图4示出了本发明的耦合电感的叠层结构的第三种示意图;
图5、图6、图7和图8示出本发明实施例的耦合电感结构的工艺流程示意图;
图9示出了本发明另一实施例的两组两相耦合电感的结构示意图;
图10示出了本发明另一实施例的降压型电源电路示意图;
图11示出了本发明另一实施例的升压型电源电路示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中,相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见,附图中的各个部分没有按比例绘制。
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
本实施例提供一种耦合电感,所述耦合电感包括包封层和内芯,所述包封层包裹所述内芯,如图2所示,所述内芯由下磁芯盖板11,第一绕组基板12,中间磁芯盖板13,第二绕组基板22和上磁芯盖板23依次堆叠而成,其中,所述第一绕组基板和所述第二绕组基板分别嵌入与之相邻的其中一个磁芯盖板中。
所述耦合电感还包括包封所有所述内芯的包封层,其中,所述包封层的侧表面包括用于裸露各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的引线部位的开口。
所述包封层为树脂材料。需要说明的是,所述包封层将耦合电感一体封装,使得封装后的耦合电感具有更高的可靠性;所述包封层的材料可以为环氧树脂等绝缘材料。
所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22为平面基板,包括位于所述平面基板中间的一开孔223及位于所述平面基板内部或所述平面基板表面的布线,所述布线环绕所述开孔。
具体地,所述平面基板可以为多层板,所述平面基板也可以为PCB板,相邻层的PCB板的导线可以通过PCB板的过孔连接,每一层的导线都围绕中间开孔进行布线,每一层的布线都有一个起点和一个终点,相邻两层的布线通过PCB板的过孔连接,最终就变成由多层布线层组成的一个电感,且该电感首尾两个引线部位分别位于多层PCB板的顶层和底层;在其他实施例中,所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22也可以为其他材质基板为载体的电镀绕组,且绕组布线的形状可以根据平面基板的形状进行自由设计,在此不进行限制,该实施例的平面基板相对传统的绕组,可以使第一绕组基板12和第二绕组基板22做的更薄,从而更有助于使整个电感的高度更薄,体积更小。
具体地,被所述第一绕组基板12或所述第二绕组基板22嵌入的磁性盖板为E型盖板,其中,所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型,所述E型盖板的其中一个侧面包括两个开口,所述两个开口用于裸露嵌入其内的绕组基板的引线部位。
如图2所示,当下磁芯盖板11为E型盖板时,上磁芯盖板23为平面型盖板时,中间磁芯盖板13为E型盖板。作为另一示例,如图3所示,当上磁芯盖板11和下磁芯盖板23均为E型盖板时,中间磁芯盖板13为E型盖板为I型盖板。所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型。所述E型盖板的所述磁芯中柱穿过所述第一绕组基板12或所述第二绕组基板22所在基板的中间的开孔。
在另外实施例中,如图4所示,所述中间磁芯盖板13包括两个磁芯盖板:第一磁芯盖板131和第二磁芯盖板132;其中,所述第一绕组基板12位于所述下磁芯盖板11和所述第一磁芯盖板131之间,所述第二绕组基板22位于所述二磁芯盖板132和所述上磁芯盖板23之间。所述下磁芯盖板11和所述第一磁芯盖板131中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述上磁芯盖板23和所述第二磁芯盖板132中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型。作为示例,如图4所示,所述下磁芯盖板11和第二磁芯盖板132为E型盖板,所述第一磁芯盖板131和所述上磁芯盖板23为平板型盖板。如图4所示,所述下磁芯盖板11的所述磁芯中柱111穿过所述第一绕组基板12所在基板的中间的开孔123。需要说明的是,绕组所在的基板的形状与E型盖板相匹配,基板的中间的开孔的形状与磁芯中柱的形状相匹配,使基板刚好能够放置于E型盖板内部,作为示例,在本实施例中,如图2所示,磁芯中柱的111截面为圆形,对应第一绕组基板所在的基板的中间的开孔123也为圆形;另一方面,磁芯中柱的截面也可以是椭圆形,方形,多边形等,只要与基板的中间的开孔的形状相匹配就可以,如图1所示,所述基板的外轮廓为矩形,与对应的E型盖板中的形状相匹配,在其他实施例中,所述基板的外轮廓也可以是圆形、椭圆等,只要与E型盖板中的形状相匹配即可,在此不进行限制。
具体地,所述下磁芯盖板11,所述中间磁芯盖板13和所述上磁芯盖板23的材料均为金属磁粉芯。
需要说明的是,金属磁粉芯材料是将金属磁性粉末与绝缘介质混合形成绝缘包覆粉,再经过配粉可以压制成特定形状并具有一定机械强度的一种复合软磁材料。金属磁性粉末包含但不限于羰基铁粉,铁硅铝,铁硅,铁硅铬,铁镍等金属粉及非晶、纳米晶态合金粉,绝缘包覆剂大体可以分为有机包覆剂(环氧树脂、聚酰胺树脂、硅树脂、聚乙烯醇、酚醛树脂及聚苯乙烯等)和无机包覆剂(云母、水玻璃、氧化物层等)。具有较高的饱和磁感应强度、高电阻、良好的频率特性,高频损耗低,高宽恒导磁和恒导磁等优点,其本身具有比铁氧体高得多的饱和磁通密度和更低的热导率,从而有助于减小耦合电感的体积。
所述耦合电感还包括位于所述包封层侧表面的所述开口位置处,并与各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的所述引线部位电连接的焊盘。所述包封层的两个相对面上设置有分别与所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22进行电连接的焊盘。
需要说明的是,本实施例中的耦合电感包括两个绕组,每个绕组包括与绕组的两个抽头对应的两个焊盘,如图8所示,第一绕组基板对应两个焊盘35和36,第一绕组基板对应两个焊盘37和38,所以本实施的耦合电感包括四个焊盘,用于将耦合电感通过焊接的方式连接在所需的电路板上。作为如图8的一个示例,将与同一绕组连接的两个焊盘设置在耦合电感的同一个面上,将与另一绕组连接的两个焊盘设置在相对面上。作为另一示例,将与同一绕组连接的两个焊盘分别设置在耦合电感的两个相对面上,将与另一绕组连接的两个焊盘也分别设置在上述的两个相对面上。
进一步需要说明的是,包括两个绕组的所述耦合电感的尺寸可以兼容目前标准电感的尺寸,厚度可以到做1mm或0.8mm以下。
本实施例还公开了上述的耦合电感的制造方法,该耦合电感的生产组装工艺比较简单,适合批量自动化生产。图4~图8示出根据本发明实施例的耦合电感结构的工艺流程示意图,包括以下步骤:
S1:制备下磁芯盖板11,中间磁芯盖板13,上磁芯盖板23,第一绕组基板12和第二绕组基板22;
具体地,可以采用一体成型压制工艺,采用调配好的金属磁粉芯来制备下磁芯盖板11,中间磁芯盖板13和上磁芯盖板23;
S2:如图2所示,按照下磁芯盖板11,第一绕组基板12,中间磁芯盖板13,第二绕组基板22,上磁芯盖板23的顺序进行叠层;
S3:如图3所示,将叠层后的器件进行整体压制;
具体地,在步骤S3中可以通过热压的方式对叠层后的器件进行整体压制。将叠层后的器件进行整体压制后,如图5所示,对第一绕组基板12和第二绕组基板22的端部进行研磨,分别使第一绕组基板12和第二绕组基板22的首尾两个抽头对应的引脚露出,在图5中仅显示了第一绕组基板的两个抽头121,122,第二绕组基板的两个抽头在第一绕组基板两个抽头所在面的相对面,图中未显示出。
S4:如图6所示,将压制后的器件进行整体包封。
具体地,在步骤S4中将压制后的器件用树脂进行整体包封。将压制后的器件整体包封后,如图7所示,将第一绕组基板12和第二绕组基板22引脚部位的树脂去掉,以引出分别与所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22引脚连接的多个焊盘。
作为示例,可以采用激光脱皮技术将所述绕组引线部位的树脂去掉;可以采用电镀的方式引出与所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22引脚连接的焊盘。
具体地,通过调节所述第二磁芯盖板13或第三磁芯盖板21的磁导率,来调节所述第一绕组基板12和所述第二绕组基板22之间的耦合系数。
作为示例,可以通过采用相同的金属磁粉芯材料但不同的制成工艺来制成不同磁导率的芯体,主要通过调整成型压力以及热处理工艺来改变磁导率;还可以通过改变磁粉芯的粉粒的大小和形状,以及通过改变绝缘介质的含量来调整磁导率;在其他实施例中,还可以通过改变磁粉芯材料来调整磁导率。
作为一个示例,当调整的中间磁芯盖板13的磁导率低于下磁芯盖板11和上磁芯盖板23时,第一绕组基板12和第二绕组基板22的耦合程度决定了两个绕组的互感磁通路径占总磁通的比例,如图5所示,由于中间磁芯盖板13的磁导率相对较低,第一绕组基板12或第二绕组基板22的自感磁通路径的磁阻变大,自感磁通变小,互感磁通路径的磁通所占比例显著增加,因此,第一线圈和第二线圈的耦合系数显著增加,具体的推导如下:
Kcouple=Ψc/(Ψc+Ψs)
其中,Ψc为第一绕组基板12或第二绕组基板22耦合到另一绕组的磁通,Ψs为第一绕组基板12或第二绕组基板22的自感磁通,由于第一绕组基板12与第二绕组基板22之间的中间磁芯盖板13的磁导率较低,使得Ψs变小,从而使得耦合系数Kcouple变大。
作为另一实施例,上述的耦合电感结构及对应的制造方法对应为一个内芯,即为一组两相耦合电感,当所述耦合电感包括N组内芯时,对应为N组两相耦合电感,各个内芯并列排放为一排,其中,N个内芯对应的N个所述下磁芯盖板为一体成型的第一个结构件,N个内芯对应的N个中间磁芯盖板为一体成型为第二个结构件,N个内芯对应的N个下磁芯盖板为一体成型的第三个结构件,其中,N个并排放置的第一绕组基板12位于第一结构件和第二结构件之间,N个并排放置的第二绕组基板22位于第二结构件和第三结构件之间,即相当于将N个实施例一中的耦合电感的内芯并排放置,其中,N为正整数,N≥2。包封层为包封所有所述内芯的包封层,作为示例,如图9所示为二组两相耦合电感的结构示意图。
如图10所示,为本申请实施例的电源电路的降压型功率级电路的电路图,其中本实施例中的耦合电感器为上述实施例中的耦合电感及采用上述实施例中的制造方法得到的一组两相的耦合电感。由于采用上述结构及方法的耦合电感的耦合系数高,大大提高了电源电路的转换效率,降低了功率损耗。
具体的,电源电路包括耦合电感8、第一开关模块91、第二开关模块92和电容Cout。在本实施例中,第一开关模块91包括第一开关S11和第二开关S12;第一开关模块91中第一开关S11的第一端接收输入电压Vin,第一开关S11的第二端连接电感器8中第一绕组51的第一端;第一绕组51的第二端连接电容Cout的上极板;电容Cout的下极板接地;第一开关模块91中第二开关S12的第一端连接第一开关S11与第一线圈51的连接节点,第一开关模块91中第二开关S12的第二端接地;第一开关模块91中,在第一开关S11处于导通状态时则第二开关S12处于断开状态,对应的,在第一开关S11处于断开状态时则第二开关S12处于导通状态。
相应的,第一开关模块92包括第三开关S11和第二开关S12;第二开关模块92包括第三开关S21和第四开关S22;第二开关模块92中第三开关S21的第一端接收输入电压Vin,第二开关模块92中第三开关S21的第二端连接电感器8中第二绕组52的第一端;第二绕组52的第二端连接输出电容Cout的上极板;第二开关模块92中第四开关S22的第一端连接第三开关S21与第二绕组52的连接节点,第二开关模块92中第四开关S22的第二端接地;第二开关模块92中,在第三开关S21处于导通状态时则第四开关S22处于断开状态,对应的,在第三开关S21处于断开状态时则第四开关S22处于导通状态。
图11为本申请实施例的电源电路的升压型电路图,包括耦合电感8、第一开关模块91、第二开关模块92和电容Cout。其中,本实施例中的耦合电感器为采用上述实施例中的耦合电感结构及制造方法得到的耦合电感。由于采用上述结构及方法的耦合电感的耦合系数高,大大提高了电源电路的转换效率,降低了功率损耗。
在本实施例中,第一开关模块91包括第一开关S11和第二开关S12;电感器8中第一绕组51的第一端接收输入电压Vin,第一绕组51的第二端连接第一开关模块91中第二开关S12的第一端,第一开关模块91中第二开关S12的第二端接地;第一开关模块91中第一开关S11的第一端连接第二开关S11与第一绕组51的连接节点,第一开关模块91中第一开关S11的第二端连接电容Cout的上极板,电容Cout的下极板接地。第一开关模块91中,在第一开关S11处于导通状态时则第二开关S12处于断开状态,对应的,在第一开关S11处于断关状态时,则第二开关S12处于导通状态。
相应的,第二开关模块92包括第三开关S21和第四开关S22;电感器8中第二绕组52的第一端接收输入电压Vin,第二绕组52的第二端连接第二开关模块92中第三开关S21的一端,第二开关模块92中第四开关S22的第二端接地;第二开关模块92中第三开关S21的第一端连接第四开关S22与第二绕组52的连接节点,第二开关模块92中第三开关S21的第二端连接电容Cout的上极板,电容Cout的下极板接地。第二开关模块92中,在第三开关S21处于导通状态时则第四开关S22处于断开状态,对应的,在第三开关S21处于断关状态时则第四开关S22处于导通状态。
需要说明的是,当电源电路包括2*N个相互并联的开关模块时,且每个开关模块中的组成与上述图10和图11中的升压型或降压型电路图中的组成相同,每组开关模块相位交错进行工作,其中本实施例中的耦合电感器为上述实施例中结构及采用上述实施例中的制造方法得到的N组两相的耦合电感,且同一组中的两相耦合电感错相180°。
综上所示,本发明实施例公开了一种耦合电感、其制造方法及应用其的电源电路,所述耦合电感包括包封层和内芯,所述包封层包封所述内芯,所述内芯由下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板和所述上磁芯盖板依次叠加而成,所述包封层的两个相对面上设置有分别与所述第一绕组基板和所述第二绕组基板连接的焊盘。对应的制造方法包括以下步骤:制备下磁芯盖板,中间磁芯盖板,第一绕组基板和第二绕组基板;按照下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板,上磁芯盖板的顺序进行叠层;将叠层后的器件进行整体压制;将压制后的器件进行整体包封。本发明中绕组线圈的形状可以自由设计,绕组基板的工艺可以使绕组更薄,有助于使电感的高度更薄,且磁芯盖板可以采用金属磁粉芯材质,其饱和磁通密度高,有助于实现电感更小的体积;该耦合电感的生产组装工艺比较简单,适合批量自动化生产;另一方面,该耦合电感的封装焊盘的存在,使得该耦合电感可以采用贴片等更便捷的自动化批量生产工艺。
依照本发明的实施例如上文所述,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (23)

1.一种耦合电感,其特征在于:所述耦合电感包括至少一组内芯,每组内芯包括依次堆叠的下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板和上磁芯盖板,其中,所述第一绕组基板和所述第二绕组基板分别嵌入与之相邻的其中一个磁芯盖板中,所述上磁芯盖板、所述中间磁芯盖板和所述下磁芯盖板的材质包括金属磁粉芯。
2.根据权利要求1所述的耦合电感,其特征在于:被所述第一绕组基板或所述第二绕组基板嵌入的磁芯盖板为E型盖板,其中,所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型,所述E型盖板的其中一个侧面包括两个开口,所述两个开口用于裸露嵌入其内的绕组基板的引线部位。
3.根据权利要求1所述的耦合电感,其特征在于:所述耦合电感还包括包封所有所述内芯的包封层,其中,所述包封层的侧表面包括用于裸露各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的引线部位的开口。
4.根据权利要求2所述的耦合电感,其特征在于:所述耦合电感还包括位于所述包封层侧表面的所述开口位置处,并分别与各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的所述引线部位电连接的多个焊盘。
5.根据权利要求3所述的耦合电感,其特征在于:所述包封层为树脂材料。
6.根据权利要求2所述的耦合电感,其特征在于:所述第一绕组基板和所述第二绕组基板为平面基板,包括位于所述平面基板中间的一开孔及位于所述平面基板内部或所述平面基板表面的布线,所述布线环绕所述开孔。
7.根据权利要求2所述的耦合电感,其特征在于:所述上磁芯盖板和下磁芯盖板中的一个为平板型盖板,另一个为E型盖板,所述中间磁芯盖板为E型盖板。
8.根据权利要求2所述的耦合电感,其特征在于:所述上磁芯盖板和所述下磁芯盖板为E型盖板,所述中间磁芯盖板为平板型盖板。
9.根据权利要求1所述的耦合电感,其特征在于:所述中间磁芯盖板包括两个磁芯盖板:第一磁芯盖板和第二磁芯盖板;其中,所述第一绕组基板位于所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板之间,所述第二绕组基板位于所述二磁芯盖板和所述上磁芯盖板之间。
10.根据权利要求9所述的耦合电感,其特征在于:所述下磁芯盖板和所述第一磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述上磁芯盖板和所述第二磁芯盖板中的其中一个为平板型盖板,另一个为E型盖板;所述E型盖板包括磁芯中柱,所述E型盖板的剖面呈现字母E型。
11.根据权利要求6所述的耦合电感,其特征在于:所述E型盖板的所述磁芯中柱穿过所述第一绕组基板或所述第二绕组基板所在平面基板的所述开孔。
12.根据权利要求1所述的耦合电感,其特征在于:当所述耦合电感包括多组内芯时,各个内芯并列排放,其中,各个内芯的所述下磁芯盖板为一体成型的一个结构件,各个内芯的所述中间磁芯盖板为一体成型为第二个结构件,各个内芯的所述下磁芯盖板为一体成型的第三个结构件。
13.一种如权利要求1~12任一项所述的耦合电感的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
分别制备上磁芯盖板,中间磁芯盖板及下磁芯盖板所在的结构件,并准备好第一绕组基板和第二绕组基板;
按照下磁芯盖板,第一绕组基板,中间磁芯盖板,第二绕组基板,上磁芯盖板的顺序进行堆叠;
将堆叠后的器件进行整体压制;
将压制后的器件进行整体包封。
14.根据权利要求13所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:通过热压的方式对叠层后的器件进行整体压制。
15.根据权利要求13所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:将堆叠后的器件进行整体压制后,对所述第一绕组基板和所述第二绕组基板的端部进行研磨,使所述第一绕组基板和所述第二绕组基板的引线部位露出。
16.根据权利要求13所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:将压制后的器件用树脂材料进行整体包封,以形成包封层。
17.根据权利要求16所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:将压制后的器件进行整体包封后,将所述第一绕组基板和所述第二绕组基板引线部位的树脂去掉,并引出分别与各个所述第一绕组基板和各个所述第二绕组基板的引线部位电连接的多个焊盘。
18.根据权利要求17所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:采用激光脱皮技术所述第一绕组基板和所述第二绕组基板引线部位的树脂去掉。
19.根据权利要求17所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:采用电镀的方式引出所述焊盘。
20.根据权利要求13所述的耦合电感的制造方法,其特征在于:通过调节所述第二磁芯盖板或第三磁芯盖板的材料,来调节所述第一绕组基板和所述第二绕组基板之间的耦合系数。
21.一种电源电路,包括多路并联连接的功率级电路,其特征在于:各路所述功率级电路中的电感被配置为权利要求1~12任一项所述的耦合电感。
22.根据权利要求21所述的电源电路,其特征在于:位于同一组内芯的两个电感错相180°。
23.根据权利要求21所述的电源电路,其特征在于:所述功率级电路为升压型电路或降压型电路。
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