CN115963311B - 一种用于ldo限流的电流检测电路 - Google Patents

Abstract

本说明书实施例提供一种用于LDO限流的电流检测电路，属于电源电路领域，包括：LDO电路模块，包括运算放大器AMP、功率管MP及第一分压电阻R2及第二分压电阻R3，运算放大器AMP的输出端与功率管MP的栅极电连接，功率管MP的漏极与第一分压电阻R2的一端电连接，第一分压电阻R2的另一端与第二分压电阻R3的一端电连接；温度检测模块，用于采集相关温度信息；电流采样模块，用于等比例镜像功率管MP的电流；处理器，用于根据相关温度信息对电流采样模块进行温度补偿；电流比较模块，用于根据电流采样模块的输出电压判断是否进行限流保护；限流保护模块，用于响应于电流比较模块判断进行限流保护，对LDO电路模块进行限流保护。

Description

一种用于LDO限流的电流检测电路

技术领域

本说明书涉及电源电路领域，特别涉及一种用于LDO限流的电流检测电路。

背景技术

LDO（low dropout regulator）是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（Field Effect Transistor，FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。稳压器可以将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。LDO是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，LDO是一个自耗很低的微型片上系统（SoC）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的MOSFET，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路。

为了保护LDO电路芯片不会因为输出电流过大造成不可逆损伤，需要设计限流保护电路结构限制LDO电路的最大输出电流。现有的LDO限流保护电路结构如图1所示，其基本原理是将输出电流通过采样电阻转换为电压后进行比较，当采样电阻上的压降增加到设计的阈值时，输出限流控制信号。电路工作时，电阻R1采样LDO的功率管PP的输出电流，当电阻R1上压降大于电阻R2上压降时，控制信号VIL由低变高，输出一个限流保护控制信号。该结构的缺点十分明显，由于LDO的功率管串联电阻R1，导致LDO的最小输出输入压差较大。

因此，需要提供一种用于LDO限流的电流检测电路，用于对LDO进行限流保护。

发明内容

本说明书实施例之一提供一种用于LDO限流的电流检测电路，包括：LDO电路模块，包括运算放大器AMP、功率管MP及第一分压电阻R2及第二分压电阻R3，所述运算放大器AMP的输出端与所述功率管MP的栅极电连接，所述功率管MP的漏极与所述第一分压电阻R2的一端电连接，所述第一分压电阻R2的另一端与所述第二分压电阻R3的一端电连接；温度检测模块，用于采集相关温度信息；电流采样模块，用于等比例镜像所述功率管MP的电流；处理器，用于根据所述相关温度信息对所述电流采样模块进行温度补偿；电流比较模块，用于根据所述电流采样模块的输出电压判断是否进行限流保护；限流保护模块，用于响应于所述电流比较模块判断进行限流保护，对所述LDO电路模块进行限流保护。

在一些实施例中，所述电流采样模块包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N1、NMOS管N2及可调电阻Rx，所述PMOS管P1用于等比例镜像所述功率管MP的电流，所述功率管MP的漏极与所述PMOS管P2的源极电连接，所述PMOS管P2的漏极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述NMOS管N1的栅极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述PMOS管P1的漏极与所述PMOS管P3的源极电连接，所述PMOS管P3的漏极与所述NMOS管N2的漏极电连接，所述PMOS管P3的栅极与所述PMOS管P3的漏极电连接，所述PMOS管P2的栅极与所述PMOS管P3的栅极电连接，所述NMOS管N1的栅极与所述NMOS管N2的栅极电连接，所述NMOS管N2的栅极与所述可调电阻Rx的一端电连接，所述可调电阻Rx的另一端接地；所述NMOS管N2的栅极与所述可调电阻Rx的连接结点与所述电流比较模块的输入端电连接。

在一些实施例中，所述电流比较单元包括PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、基准源及分压电阻R5，所述PMOS管P4的漏极与所述分压电阻R5的一端电连接，所述分压电阻R5的另一端与所述基准源电连接，所述PMOS管P4的栅极与所述PMOS管P4的漏极电连接，所述PMOS管P4与所述分压电阻R5的连接节点与所述NMOS管N6的栅极电连接，所述PMOS管P5的漏极与所述NMOS管N3的漏极电连接，所述PMOS管P6的漏极与所述NMOS管N6的漏极电连接，所述PMOS管P5的栅极与所述PMOS管P6的栅极电连接，所述PMOS管P6的漏极与所述PMOS管P6的栅极电连接，所述PMOS管P7的漏极与所述NMOS管N7的漏极电连接，所述NMOS管N6的源极与所述NMOS管N7的源极电连接，所述NMOS管N4的漏极与所述NMOS管N6的源极和所述NMOS管N7的源极的连接节点电连接，所述PMOS管P7的栅极与所述NMOS管N2的栅极和所述可调电阻Rx的连接节点电连接，所述NMOS管N3的栅极与所述NMOS管N3的漏极电连接，所述MOS管P7的栅极与所述PMOS管P8的栅极电连接，所述PMOS管P8的漏极与所述NMOS管N5的漏极电连接；所述PMOS管P8的漏极与所述NMOS管N5的漏极的连接节点OUT1与所述限流保护模块电连接。

在一些实施例中，所述相关温度信息包括LDO电路温度及所述LDO电路模块的负载温度；所述处理器根据所述相关温度信息对所述电流采样模块进行温度补偿，包括：根据所述LDO电路温度及所述负载温度，对调整所述可调电阻Rx的阻值。

在一些实施例中，所述处理器根据所述LDO电路温度及所述负载温度，对调整所述可调电阻Rx的阻值，包括：建立多元回归模型，其中，所述多元回归模型的自变量包括所述LDO电路温度及所述负载温度，所述多元回归模型的因变量包括所述可调电阻Rx的阻值；将所述LDO电路温度及所述负载温度的实时值带入至所述多元回归模型，确定所述可调电阻Rx的目标阻值；基于所述可调电阻Rx的目标阻值对所述可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

在一些实施例中，所述处理器根据所述LDO电路温度及所述负载温度，对调整所述可调电阻Rx的阻值，包括：建立并训练阻值确定模型，其中，所述阻值确定模型为机器学习模型，所述阻值确定模型的输入包括温度矩阵，所述温度矩阵的一行表征一个时间点的LDO电路温度及负载温度，所述阻值确定模型的输出包括所述可调电阻Rx的目标阻值；将实时温度矩阵输入至所述阻值确定模型，其中，所述实时温度矩阵包括至少一个历史时间点的LDO电路温度及负载温度和当前时间点的LDO电路温度及负载温度，所述阻值确定模型输出所述可调电阻Rx的目标阻值；基于所述可调电阻Rx的目标阻值对所述可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

在一些实施例中，所述电流比较模块还用于根据所述电流采样模块的输出电压及所述相关温度信息判断是否进行限流保护。

在一些实施例中，所述温度检测模块包括负载温度检测单元、LDO电路温度检测单元、第一电压比较单元、第二电压比较单元及第一或门，所述负载温度检测单元的输出端及所述LDO电路温度检测单元的输出端与所述处理器的输入端电连接，所述负载温度检测单元的输出端与所述第一电压比较单元的输入端电连接，所述第一电压比较单元的输出端与所述第一或门的一个输入端电连接，所述LDO电路温度检测单元的输出端与所述第二电压比较单元的输入端电连接，所述第二电压比较单元的输出端与所述第一或门的另一个输入端电连接，所述第一或门的输出端OUT2与所述限流保护模块的输入端电连接。

在一些实施例中，所述限流保护模块包括电阻R5、电阻R6、第二或门U1及三极管Q1，所述第一或门的输出端OUT2与所述电阻R5的一端电连接，所述电阻R5的另一端与所述第二或门U1的一个输入端电连接，所述电流采样模块的输出端OUT1与所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R6的另一端与所述第二或门U1的另一个输入端电连接，所述第二或门U1的输出端与所述三极管Q1的栅极电连接，所述三极管Q1的发射极与所述功率管MP的栅极电连接。

在一些实施例中，相比于现有技术，本说明书提出的一种用于LDO限流的电流检测电路至少具备以下有益效果：

1、电流采样模块通过等比例镜像所述功率管MP的电流，无需在LDO的功率管串联电阻R1进行电流采样，从而在对LDO提供有效的限流保护的同时，可以避免LDO的最小输出输入压差较大；

2、处理器根据相关温度信息对电流采样模块进行温度补偿，并根据电流采样模块基于温度补偿后的输出电压判断是否进行限流保护，能够更加精准地判断是否对LDO电路模块进行限流保护。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书所示的现有的LDO限流保护电路的电路示意图；

图2是根据本说明书一些实施例所示的示例性用于LDO限流的电流检测电路的模块示意图；

图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性用于LDO限流的电流检测电路的部分电路示意图。

实施方式

为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。

如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。

本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。

图2是根据本说明书一些实施例所示的示例性用于LDO限流的电流检测电路的模块示意图。如图2所示，用于LDO限流的电流检测电路可以包括LDO电路模块、温度检测模块、电流采样模块、处理器、电流比较模块及限流保护模块。

图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性用于LDO限流的电流检测电路的部分电路示意图，如图3所示，LDO电路模块可以包括运算放大器AMP、功率管MP及第一分压电阻R2及第二分压电阻R3，运算放大器AMP的输出端与功率管MP的栅极电连接，功率管MP的漏极与第一分压电阻R2的一端电连接，第一分压电阻R2的另一端与第二分压电阻R3的一端电连接。

温度检测模块可以用于采集相关温度信息。其中，相关温度信息可以包括LDO电路温度及LDO电路模块的负载温度。在一些实施例中，温度检测模块可以包括负载温度检测单元、LDO电路温度检测单元、第一电压比较单元、第二电压比较单元及第一或门，负载温度检测单元的输出端及LDO电路温度检测单元的输出端与处理器的输入端电连接，负载温度检测单元的输出端与第一电压比较单元的输入端电连接，第一电压比较单元的输出端与第一或门的一个输入端电连接，LDO电路温度检测单元的输出端与第二电压比较单元的输入端电连接，第二电压比较单元的输出端与第一或门的另一个输入端电连接，第一或门的输出端OUT2与限流保护模块的输入端电连接。当负载的温度大于预设负载温度阈值时，负载温度检测单元的输出端输出的电压大于与第一电压比较单元的基准电压，第一电压比较单元输入高电平至第一或门；当LDO电路的温度大于预设LDO电路温度阈值时，LDO电路温度检测单元的输出端输出的电压大于与第二电压比较单元的基准电压，第二电压比较单元输入高电平至第一或门。

电流采样模块可以用于等比例镜像功率管MP的电流。如图3所示，在一些实施例中，电流采样模块包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N1、NMOS管N2及可调电阻Rx，PMOS管P1用于等比例镜像功率管MP的电流，功率管MP的漏极与PMOS管P2的源极电连接，PMOS管P2的漏极与NMOS管N1的漏极电连接，NMOS管N1的栅极与NMOS管N1的漏极电连接，PMOS管P1的漏极与PMOS管P3的源极电连接，PMOS管P3的漏极与NMOS管N2的漏极电连接，PMOS管P3的栅极与PMOS管P3的漏极电连接，PMOS管P2的栅极与PMOS管P3的栅极电连接，NMOS管N1的栅极与NMOS管N2的栅极电连接，NMOS管N2的栅极与可调电阻Rx的一端电连接，可调电阻Rx的另一端接地。NMOS管N2的栅极与可调电阻Rx的连接结点与电流比较模块的输入端电连接。

可以理解的，等比例镜像的功率管MP的电流经可调电阻Rx转化为电压。

处理器可以用于根据相关温度信息对电流采样模块进行温度补偿。

在一些实施例中，处理器可以根据LDO电路温度及负载温度，对调整可调电阻Rx的阻值。

例如，处理器可以建立多元回归模型，其中，多元回归模型的自变量包括LDO电路温度及负载温度，多元回归模型的因变量包括可调电阻Rx的阻值；将LDO电路温度及负载温度的实时值带入至多元回归模型，确定可调电阻Rx的目标阻值；基于可调电阻Rx的目标阻值对可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

又例如，处理器可以建立并训练阻值确定模型，其中，阻值确定模型为机器学习模型，阻值确定模型的输入包括温度矩阵，温度矩阵的一行表征一个时间点的LDO电路温度及负载温度，阻值确定模型的输出包括可调电阻Rx的目标阻值；将实时温度矩阵输入至阻值确定模型，其中，实时温度矩阵包括至少一个历史时间点的LDO电路温度及负载温度和当前时间点的LDO电路温度及负载温度（例如，实时温度矩阵可以包括当前时间点的LDO电路温度及负载温度和距离当前时间短于预设时间间隔的多个历史时间点的LDO电路温度及负载温度），阻值确定模型输出可调电阻Rx的目标阻值；基于可调电阻Rx的目标阻值对可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

阻值确定模型可以包括但不限于神经网络（NN）、卷积神经网络（CNN）、深度神经网络（DNN）、循环神经网络（RNN）等或其任意组合，例如，阻值确定模型可以为卷积神经网络和深度神经网络组合形成的模型。

电流比较模块可以用于根据电流采样模块的输出电压判断是否进行限流保护。例如，当电流采样模块的输出电压大于预设电压阈值时，判断控制限流保护模块进行限流保护。

如图3所示，在一些实施例中，电流比较单元可以包括PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、基准源及分压电阻R5，PMOS管P4的漏极与分压电阻R5的一端电连接，分压电阻R5的另一端与基准源电连接，PMOS管P4的栅极与PMOS管P4的漏极电连接，PMOS管P4与分压电阻R5的连接节点与NMOS管N6的栅极电连接，PMOS管P5的漏极与NMOS管N3的漏极电连接，PMOS管P6的漏极与NMOS管N6的漏极电连接，PMOS管P5的栅极与PMOS管P6的栅极电连接，PMOS管P6的漏极与PMOS管P6的栅极电连接，PMOS管P7的漏极与NMOS管N7的漏极电连接，NMOS管N6的源极与NMOS管N7的源极电连接，NMOS管N4的漏极与NMOS管N6的源极和NMOS管N7的源极的连接节点电连接，PMOS管P7的栅极与NMOS管N2的栅极和可调电阻Rx的连接节点电连接，NMOS管N3的栅极与NMOS管N3的漏极电连接，MOS管P7的栅极与PMOS管P8的栅极电连接，PMOS管P8的漏极与NMOS管N5的漏极电连接。PMOS管P8的漏极与NMOS管N5的漏极的连接节点OUT1与限流保护模块电连接。

可以理解的，当LDO电路模块过流时，PMOS管P8的漏极与NMOS管N5的漏极的连接节点OUT1输出高电平至限流保护模块。

在一些实施例中，电流比较模块还可以根据电流采样模块的输出电压及相关温度信息判断是否进行限流保护。例如，当电流采样模块的输出电压大于预设电压阈值、LDO电路温度大于预设LDO电路温度阈值和/或负载温度大于预设负载温度阈值时，判断控制限流保护模块进行限流保护。

限流保护模块可以用于响应于电流比较模块判断进行限流保护，对LDO电路模块进行限流保护。如图3所示，在一些实施例中，限流保护模块可以包括电阻R5、电阻R6、第二或门U1及三极管Q1，第一或门的输出端OUT2与电阻R5的一端电连接，电阻R5的另一端与第二或门U1的一个输入端电连接，电流采样模块的输出端OUT1与电阻R6的一端电连接，电阻R6的另一端与第二或门U1的另一个输入端电连接，第二或门U1的输出端与三极管Q1的栅极电连接，三极管Q1的发射极与功率管MP的栅极电连接。

可以理解的，当当电流采样模块的输出电压大于预设电压阈值、LDO电路温度大于预设LDO电路温度阈值和/或负载温度大于预设负载温度阈值时，判断控制限流保护模块进行限流保护，第二或门U1的至少一个输入端输入高电平，使得三极管Q1导通，从而使得功率管MP的Vgp升高，功率管MP的导通能力变弱，负载电流IL下降，实现对LDO电路的限流保护。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。

同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

此外，除非权利要求中明确说明，本说明书所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本说明书流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本说明书实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的系统。

同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20%的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本说明书一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。

Claims (8)

1.一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，包括：

LDO电路模块，包括运算放大器AMP、功率管MP及第一分压电阻R2及第二分压电阻R3，所述运算放大器AMP的输出端与所述功率管MP的栅极电连接，所述功率管MP的漏极与所述第一分压电阻R2的一端电连接，所述第一分压电阻R2的另一端与所述第二分压电阻R3的一端电连接；

温度检测模块，用于采集相关温度信息；

电流采样模块，用于等比例镜像所述功率管MP的电流；

处理器，用于根据所述相关温度信息对所述电流采样模块进行温度补偿；

电流比较模块，用于根据所述电流采样模块的输出电压判断是否进行限流保护；

限流保护模块，用于响应于所述电流比较模块判断进行限流保护，对所述LDO电路模块进行限流保护；

所述电流采样模块包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N1、NMOS管N2及可调电阻Rx，所述PMOS管P1用于等比例镜像所述功率管MP的电流，所述功率管MP的漏极与所述PMOS管P2的源极电连接，所述PMOS管P2的漏极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述NMOS管N1的栅极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述PMOS管P1的漏极与所述PMOS管P3的源极电连接，所述PMOS管P3的漏极与所述NMOS管N2的漏极电连接，所述PMOS管P3的栅极与所述PMOS管P3的漏极电连接，所述PMOS管P2的栅极与所述PMOS管P3的栅极电连接，所述NMOS管N1的栅极与所述NMOS管N2的栅极电连接，所述NMOS管N2的栅极与所述可调电阻Rx的一端电连接，所述可调电阻Rx的另一端接地；

所述NMOS管N2的栅极与所述可调电阻Rx的连接结点与所述电流比较模块的输入端电连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述电流比较单元包括PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7、基准源及分压电阻R5，所述PMOS管P4的漏极与所述分压电阻R5的一端电连接，所述分压电阻R5的另一端与所述基准源电连接，所述PMOS管P4的栅极与所述PMOS管P4的漏极电连接，所述基准源与所述分压电阻R5的连接节点与所述NMOS管N6的栅极电连接，所述PMOS管P5的漏极与所述NMOS管N3的漏极电连接，所述PMOS管P6的漏极与所述NMOS管N6的漏极电连接，所述PMOS管P5的栅极与所述PMOS管P6的栅极电连接，所述PMOS管P6的漏极与所述PMOS管P6的栅极电连接，所述PMOS管P7的漏极与所述NMOS管N7的漏极电连接，所述NMOS管N6的源极与所述NMOS管N7的源极电连接，所述NMOS管N4的漏极与所述NMOS管N6的源极和所述NMOS管N7的源极的连接节点电连接，所述NMOS管N7的栅极与所述NMOS管N2的栅极和所述可调电阻Rx的连接节点电连接，所述NMOS管N3的栅极与所述NMOS管N3的漏极电连接，所述PMOS管P7的栅极与所述PMOS管P8的栅极电连接，所述PMOS管P8的漏极与所述NMOS管N5的漏极电连接；

所述PMOS管P8的漏极与所述NMOS管N5的漏极的连接节点OUT1与所述限流保护模块电连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述相关温度信息包括LDO电路温度及所述LDO电路模块的负载温度；

所述处理器根据所述相关温度信息对所述电流采样模块进行温度补偿，包括：

根据所述LDO电路温度及所述负载温度，调整所述可调电阻Rx的阻值。

4.根据权利要求3所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述处理器根据所述LDO电路温度及所述负载温度，调整所述可调电阻Rx的阻值，包括：

建立多元回归模型，其中，所述多元回归模型的自变量包括所述LDO电路温度及所述负载温度，所述多元回归模型的因变量包括所述可调电阻Rx的阻值；

将所述LDO电路温度及所述负载温度的实时值带入至所述多元回归模型，确定所述可调电阻Rx的目标阻值；

基于所述可调电阻Rx的目标阻值对所述可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

5.根据权利要求3所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述处理器根据所述LDO电路温度及所述负载温度，调整所述可调电阻Rx的阻值，包括：

建立并训练阻值确定模型，其中，所述阻值确定模型为机器学习模型，所述阻值确定模型的输入包括温度矩阵，所述温度矩阵的一行表征一个时间点的LDO电路温度及负载温度，所述阻值确定模型的输出包括所述可调电阻Rx的目标阻值；

将实时温度矩阵输入至所述阻值确定模型，其中，所述实时温度矩阵包括至少一个历史时间点的LDO电路温度及负载温度和当前时间点的LDO电路温度及负载温度，所述阻值确定模型输出所述可调电阻Rx的目标阻值；

基于所述可调电阻Rx的目标阻值对所述可调电阻Rx的当前阻值进行调整。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述电流比较模块还用于根据所述电流采样模块的输出电压及所述相关温度信息判断是否进行限流保护。

7.根据权利要求6所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述温度检测模块包括负载温度检测单元、LDO电路温度检测单元、第一电压比较单元、第二电压比较单元及第一或门，所述负载温度检测单元的输出端及所述LDO电路温度检测单元的输出端与所述处理器的输入端电连接，所述负载温度检测单元的输出端与所述第一电压比较单元的输入端电连接，所述第一电压比较单元的输出端与所述第一或门的一个输入端电连接，所述LDO电路温度检测单元的输出端与所述第二电压比较单元的输入端电连接，所述第二电压比较单元的输出端与所述第一或门的另一个输入端电连接，所述第一或门的输出端OUT2与所述限流保护模块的输入端电连接。

8.根据权利要求7所述的一种用于LDO限流的电流检测电路，其特征在于，所述限流保护模块包括电阻R4、电阻R6、第二或门U1及三极管Q1，所述第一或门的输出端OUT2与所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R6的另一端与所述第二或门U1的一个输入端电连接，所述电流采样模块的输出端OUT1与所述电阻R4的一端电连接，所述电阻R4的另一端与所述第二或门U1的另一个输入端电连接，所述第二或门U1的输出端与所述三极管Q1的栅极电连接，所述三极管Q1的发射极与所述功率管MP的栅极电连接。

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