CN115942802A - 显示装置 - Google Patents

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孙暻锡
李承俊
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Abstract

一种显示装置包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上，从而通过使第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极重叠来实现高分辨率图像。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。更具体而言，本公开涉及一种具有高分辨率的显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置是指通过组合从多个像素中的每个像素发射的光来显示图像的装置。显示装置可以包括多个像素设置在其中以显示图像的显示区域。
在显示装置中，显示区域的尺寸可能受到限制。为了显示高分辨率图像，需要增加设置在有限区域中的像素的数量。也就是说，需要减小每个像素的面积。
发明内容
本公开的目的是提供一种能够显示高分辨率图像的显示装置。
本公开的另一目的是提供一种制造能够显示高分辨率图像的显示装置的方法。
然而，本公开的目的不限于上述目的，并且可以在不脱离本公开的思想和范围的情况下被不同地扩展。
为了实现本公开的上述目的，根据实施例的一种显示装置可以包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上。
在一个实施例中，第二电容器电极可以包括与第一电容器电极的上表面的一部分重叠的第一通孔，并且第三电容器电极可以包括与第一通孔重叠以与第一电容器电极的上表面的这一部分重叠的第二通孔。
在一个实施例中，第三导电层可以包括将与第一通孔和第二通孔重叠的第一电容器电极的上表面的这一部分与第二半导体层连接的第一桥电极。
在一个实施例中，第三电容器电极可以包括与第二电容器电极的上表面的一部分重叠的第三通孔。
在一个实施例中，第三导电层可以包括将与第三通孔重叠的第二电容器电极的上表面的这一部分与第二半导体层连接的第二桥电极。
在一个实施例中，第二半导体层和第二导电层可以构成第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，并且第一半导体层和第一导电层可以构成第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管。
在一个实施例中，第三导电层可以包括：第一初始化电压线，连接到第四晶体管的输入端子；以及第二初始化电压线，连接到第七晶体管的输入端子，同时与第一初始化电压线间隔开。
在一个实施例中，在平面图中，第二电容器电极的面积可以大于第一电容器电极的面积，并且第二电容器电极完全覆盖第一电容器电极。
在一个实施例中，第一重叠区域的尺寸可以与第二重叠区域的尺寸相同，第一重叠区域是在平面图中第一电容器电极与第二电容器电极之间的重叠区域，第二重叠区域是在平面图中第二电容器电极与第三电容器电极之间的重叠区域。
在一个实施例中，第二半导体层可以包括氧化物半导体。
在一个实施例中，第二半导体层可以包括：第一氧化物半导体图案以及与第一氧化物半导体图案间隔开的第二氧化物半导体图案。
在一个实施例中，在平面图中，第三电容器电极可以被设置在第一氧化物半导体图案与第二氧化物半导体图案之间。
为了实现本公开的上述目的，根据实施例的一种显示装置可以包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且包括在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器的重叠区域；第二电容器电极进一步包括从重叠区域突出的突出区域；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极，第三电容器电极在平面图中与突出区域间隔开；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上。
在一个实施例中，第二半导体层可以包括氧化物半导体。
在一个实施例中，第二半导体层可以包括在第一方向上与第三电容器电极间隔开的第一氧化物半导体图案。
在一个实施例中，第三导电层可以包括连接到第一氧化物半导体图案以及第二电容器电极的突出区域的第一桥电极。
在一个实施例中，第二电容器电极的突出区域可以在垂直于第一方向的第二方向上从第二电容器电极的重叠区域突出。
为了实现本公开的另一目的，根据实施例的一种制造显示装置的方法可以包括：在基板上形成第一半导体层；形成用于覆盖第一半导体层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一导电层，第一导电层包括与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；形成用于覆盖第一导电层的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第二电容器电极，第二电容器电极与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；形成用于覆盖第二电容器电极的第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第二半导体层，第二半导体层包括与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；形成用于覆盖第二半导体层的第四绝缘层；以及形成第二导电层，第二导电层设置在第四绝缘层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠。
在一个实施例中，第二半导体层可以包括氧化物半导体。
在一个实施例中，制造显示装置的该方法可以进一步包括：在形成第二导电层之后，通过使用第二导电层作为掩模，来将杂质注入到第二半导体层中。
在本公开的上述实施例中，通过使用包括在第二半导体层中的第三电容器电极来形成第二电容器的一个电极，第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极在平面图中可以彼此重叠。因此，包括在显示装置中的像素的面积在平面图中可以相对减小，并且可以相对提高显示装置的分辨率。
在本公开的上述实施例中，可以通过使用包括在第二半导体层中的第三电容器电极来形成第二电容器的一个电极，使得可以以第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极在平面图中可以彼此重叠的方式来制造显示装置。相应地，包括在显示装置中的像素的面积在平面图中可以相对减小，并且可以相对提高显示装置的分辨率。
然而，本公开的效果不限于上述效果，并且可以在不脱离本公开的思想和范围的情况下被不同地扩展。
附图说明
图1是示意性图示根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
图2是图示包括在图1的显示装置中的像素的像素电路的电路图。
图3是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素中所包含的部件的堆叠结构的视图。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22和图23是用于对根据本公开的实施例的像素及其制造方法进行说明的视图。
图24是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素中所包含的部件的堆叠结构的视图。
图25、图26、图27和28是用于对根据本公开的另一实施例的像素进行说明的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述根据本公开的实施例的显示装置及其制造方法。附图中相同或相似的附图标记用于相同的部件。
图1是示意性图示根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
显示装置1000可以包括显示区域DA以及围绕显示区域DA的外围区域PA。
显示装置1000可以包括设置在显示区域DA中的多个像素PX。多个像素PX中的每个像素PX可以发光，并且显示装置1000可以通过组合从多个像素PX中的每个像素PX发射的光来显示图像。多个像素PX可以以各种形式布置在显示区域DA中。例如，多个像素PX可以以矩阵形式布置。在这种情况下，多个像素PX可以布置在第一方向DR1上，并且同时布置在与第一方向DR1垂直的第二方向DR2上。
多个像素PX中的每个像素PX可以具有在第一方向DR1上的第一宽度W1以及在第二方向DR2上的第二宽度W2。随着第一宽度W1减小，可以增加可在第一方向DR1上布置在显示区域DA中的像素PX的数量。随着第二宽度W2减小，可以增加可在第二方向DR2上布置在显示区域DA中的像素PX的数量。随着设置在显示区域DA中的像素PX的数量增加，可以提高由显示装置1000显示的图像的分辨率。
在外围区域PA中，显示装置1000可以包括用于对多个像素PX进行驱动的驱动电路。驱动电路可以生成电信号。可以将电信号提供给多个像素PX中的每个像素PX，使得多个像素PX中的每个像素PX可以发射具有与该电信号相对应的亮度的光。可替代地，可以省略外围区域PA。例如，显示装置1000可以仅包括显示区域DA。
图2是图示包括在图1的显示装置中的像素的像素电路的电路图。
参考图1和图2，多个像素PX中的每个像素PX可以包括像素电路PXC和发光二极管LD。像素电路PXC可以包括第一至第九晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2。
第一晶体管T1可以电连接在第一电源电压线ELVDD与发光二极管LD的阳极之间。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一电容器CAP1的第一电极。第一晶体管T1可以向发光二极管LD提供与从数据线DATA提供的数据信号相对应的驱动电流。也就是说，第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
第二晶体管T2可以连接在数据线DATA与第一电容器CAP1的第二电极之间。第二晶体管T2可以响应于从扫描线GW提供的扫描信号，向第一电容器CAP1的第二电极和第二电容器CAP2的第一电极提供数据信号。也就是说，第二晶体管T2可以被称为开关晶体管。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的栅电极与第一晶体管T1的输出端子之间。第三晶体管T3可以响应于从第一补偿控制线GC1提供的第一补偿控制信号，通过对第一晶体管T1进行二极管连接来对第一晶体管T1的阈值电压进行补偿。也就是说，第三晶体管T3可以是补偿晶体管。
第四晶体管T4可以连接在第一初始化电压线VINT与第一电容器CAP1的第一电极之间。第四晶体管T4可以响应于从第一初始化控制线GI提供的第一初始化控制信号，向第一晶体管T1的栅电极提供从第一初始化电压线VINT供应的第一初始化电压。也就是说，第四晶体管T4可以是驱动初始化晶体管。
第五晶体管T5可以连接在参考电压线VREF与第一电容器CAP1的第二电极之间。第五晶体管T5可以响应于从第二补偿控制线GC2提供的第二补偿控制信号，向第一电容器CAP1的第二电极和第二电容器CAP2的第一电极提供从参考电压线VREF供应的参考电压。也就是说，第五晶体管T5可以被称为参考晶体管。
第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1的输出端子与发光二极管LD的阳极之间。第六晶体管T6可以响应于从第二发射控制线EM2提供的第二发射控制信号，向发光二极管LD提供驱动电流。也就是说，第六晶体管T6可以被称为发射控制晶体管。
第七晶体管T7可以连接在第二初始化电压线AINT与发光二极管LD的阳极之间。第七晶体管T7可以响应于从第二初始化控制线EB提供的第二初始化控制信号，向发光二极管LD的阳极提供从第二初始化电压线AINT供应的第二初始化电压。也就是说，第七晶体管T7可以被称为二极管初始化晶体管。
第八晶体管T8可以连接在偏置电压线VBIAS与第一晶体管T1的输入端子之间。第八晶体管T8可以响应于从第二初始化控制线EB提供的第二初始化控制信号，向第一晶体管T1的输入端子提供从偏置电压线VBIAS供应的偏置电压。
第九晶体管T9可以连接在第一电源电压线ELVDD与第一晶体管T1的输入端子之间。第九晶体管T9可以响应于从第一发射控制线EM1提供的第一发射控制信号，向第一晶体管T1的输入端子提供从第一电源电压线ELVDD供应的第一电源电压。在一个实施例中，第一发射控制信号和第二发射控制信号可以具有大致相同的信号波形以及不同的信号时序。
在一个实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5中的每个晶体管可以是NMOS晶体管。
在一个实施例中，第一晶体管T1、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9中的每个晶体管可以包括硅半导体。在这种情况下，第一晶体管T1、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9中的每个晶体管可以是PMOS晶体管。
第一电容器CAP1可以连接在第一晶体管T1的栅电极与第二晶体管T2的输出端子之间。第一电容器CAP1可以维持第一晶体管T1的栅电极与第二晶体管T2的输出端子之间的电压。
第二电容器CAP2可以连接在第一电源电压线ELVDD与第一电容器CAP1的第二电极之间。第二电容器CAP2可以维持第一电源电压线ELVDD与第一电容器CAP1的第二电极之间的电压。
图3是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素中所包含的部件的堆叠结构的视图。
参考图1至图3，多个像素PX中的每个像素PX可以包括第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2以及第二半导体层OATV、第二导电层CL2、第三导电层CL3和第四导电层CL4。至少一个绝缘层可以设置在包括第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2以及第二半导体层OATV、第二导电层CL2、第三导电层CL3和第四导电层CL4在内的各层之间。
第一半导体层ATV可以包括半导体材料。例如，第一半导体层ATV可以包括硅半导体。
第一导电层CL1可以包括导电材料。例如，第一导电层CL1可以包括金属材料。第一导电层CL1可以设置在第一半导体层ATV上。第一导电层CL1的至少一部分可以与第一半导体层ATV重叠，以限定晶体管。例如，第一导电层CL1和第一半导体层ATV可以构成第一晶体管T1、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9。
第二电容器电极CE2可以包括导电材料。例如，第二电容器电极CE2可以包括金属材料。第二电容器电极CE2可以设置在第一导电层CL1上。
第二半导体层OATV可以包括半导体材料。例如，第二半导体层OATV可以包括氧化物半导体。
第二导电层CL2可以包括导电材料。例如，第二导电层CL2可以包括金属材料。第二导电层CL2可以设置在第二半导体层OATV上。第二导电层CL2的至少一部分可以与第二半导体层OATV重叠，以限定晶体管。例如，第二导电层CL2和第二半导体层OATV可以构成第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5。
第三导电层CL3可以包括导电材料。例如，第三导电层CL3可以包括金属材料。第三导电层CL3可以设置在第二导电层CL2上。
第四导电层CL4可以包括导电材料。例如，第四导电层CL4可以包括金属材料。第四导电层CL4可以设置在第三导电层CL3上。
在下文中，将参考图1至图23来描述根据本公开的实施例的像素及其制造方法。
图4是图示第一半导体层ATV的平面图，并且图5是沿图4的线I-I'截取的截面图。
参考图2、图3、图4和图5，在将第一半导体层ATV形成在基板SUB上之后，可以在基板SUB上形成用于覆盖第一半导体层ATV的第一绝缘层ILD1。
可以通过在基板SUB的整个表面上形成硅半导体材料以形成半导体层，并且然后对该半导体层进行图案化，来形成第一半导体层ATV。第一绝缘层ILD1可以包括无机绝缘材料。例如，第一绝缘层ILD1可以包括氧化硅。
图6是图示第一半导体层ATV和第一导电层CL1的平面图，并且图7是沿图6的线II-II'截取的截面图。
参考图2、图3、图6和图7，在将第一导电层CL1形成在第一绝缘层ILD1上之后，可以在第一绝缘层ILD1上形成用于覆盖第一导电层CL1的第二绝缘层ILD2。
可以通过在第一绝缘层ILD1的整个表面上形成导电材料以形成导电层，并且然后对该导电层进行图案化，来形成第一导电层CL1。例如，该导电层可以被图案化为形成第一电容器电极CE1/G1、第六栅电极G6、第七和第八栅电极G8/G7以及第九栅电极G9。
第一电容器电极CE1/G1可以是第一电容器CAP1的第一电极。同时，第一电容器电极CE1/G1的至少一部分可以与第一半导体层ATV重叠，以限定第一晶体管T1。在这种情况下，第一电容器电极CE1/G1可以是第一晶体管T1的栅电极。
第六栅电极G6、第七栅电极G7、第八栅电极G8和第九栅电极G9中的每个栅电极的至少一部分可以与第一半导体层ATV重叠，以限定第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9。
第二绝缘层ILD2可以包括无机绝缘材料。例如，第二绝缘层ILD2可以包括氧化硅。
图8是图示第二电容器电极CE2的平面图，图9是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1和第二电容器电极CE2的平面图，并且图10是沿图9的线III-III'截取的截面图。
参考图8，第二电容器电极CE2可以包括第一通孔H_CE2。第一通孔H_CE2可以穿过第二电容器电极CE2而形成。
参考图2、图3、图9和图10，在将第二电容器电极CE2形成在第二绝缘层ILD2上之后，可以在第二绝缘层ILD2上形成用于覆盖第二电容器电极CE2的第三绝缘层ILD3。
可以通过在第二绝缘层ILD2的整个表面上形成导电材料以形成导电层，并且然后对该导电层进行图案化，来形成第二电容器电极CE2。第二电容器电极CE2可以与第一电容器电极CE1/G1重叠，以限定第一电容器CAP1。在这种情况下，第一电容器电极CE1/G1可以被称为第一电容器CAP1的第一电极，并且第二电容器电极CE2可以被称为第一电容器CAP1的第二电极。第二电容器电极CE2在平面图中可以与第一电容器电极CE1/G1完全重叠。也就是说，在平面图中，第二电容器电极CE2的面积大于第一电容器电极CE1/G1的面积，以完全覆盖第一电容器电极CE1/G1。
第一通孔H_CE2可以与第一电容器电极CE1/G1的一部分重叠。换言之，在平面图中，第一电容器电极CE1/G1的上表面的一部分可以与第一通孔H_CE2重叠。
第三绝缘层ILD3可以包括无机绝缘材料。例如，第三绝缘层ILD3可以包括氧化硅。
图11是图示第二半导体层OATV的平面图，图12是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2和第二半导体层OATV的平面图，并且图13是沿图12的线IV-IV'截取的截面图。
参考图11，第二半导体层OATV可以包括氧化物半导体。例如，第二半导体层OATV可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
第二半导体层OATV可以包括第一氧化物半导体图案OATV1、第二氧化物半导体图案OATV2和第三电容器电极CE3。第一氧化物半导体图案OATV1、第二氧化物半导体图案OATV2和第三电容器电极CE3中的每一个可以包括氧化物半导体。
第一氧化物半导体图案OATV1可以在第二方向DR2上与第二氧化物半导体图案OATV2间隔开。第三电容器电极CE3在平面图中可以被设置在第一氧化物半导体图案OATV1与第二氧化物半导体图案OATV2之间。在这种情况下，第三电容器电极CE3可以与第一氧化物半导体图案OATV1和第二氧化物半导体图案OATV2中的每个间隔开。
第三电容器电极CE3可以包括第二通孔H1_CE3和第三通孔H2_CE3。第二通孔H1_CE3和第三通孔H2_CE3中的每个通孔可以穿过第三电容器电极CE3而形成。
参考图1、图2、图3、图12和图13，在将第二半导体层OATV形成在第三绝缘层ILD3上之后，可以在第三绝缘层ILD3上形成用于覆盖第二半导体层OATV的第四绝缘层ILD4。
可以通过在第三绝缘层ILD3的整个表面上形成氧化物半导体材料以形成氧化物半导体层，并且然后对该氧化物半导体层进行图案化，来形成第二半导体层OATV。例如，该氧化物半导体层可以被图案化为形成第一氧化物半导体图案OATV1、第二氧化物半导体图案OATV2和第三电容器电极CE3。
第三电容器电极CE3可以与第二电容器电极CE2重叠，以限定第二电容器CAP2。在这种情况下，第二电容器电极CE2可以被称为第二电容器CAP2的第一电极，并且第三电容器电极CE3可以被称为第二电容器CAP2的第二电极。
在本公开中，第三电容器电极CE3可以与第二电容器电极CE2完全重叠，以限定第二电容器CAP2，并且同时，第二电容器电极CE2可以与第一电容器电极CE1/G1重叠，以限定第一电容器CAP1。换言之，在平面图中，第一电容器CAP1和第二电容器CAP2可以彼此重叠，同时共享第二电容器电极CE2。因此，可以相对减小多个像素PX中的每个像素PX的第一宽度W1，并且显示装置1000可以显示高分辨率图像。
第二通孔H1_CE3在平面图中可以与第一通孔H_CE2重叠。换言之，在平面图中，第一电容器电极CE1/G1的上表面的一部分可以与形成在第四绝缘层ILD4中的通孔、第二通孔H1_CE3和第一通孔H_CE2重叠。
第三通孔H2_CE3可以与第二电容器电极CE2的一部分重叠。第三通孔H2_CE3可以不与第一通孔H_CE2重叠。换言之，在平面图中，第二电容器电极CE2的上表面的一部分可以与形成在第四绝缘层ILD4中的通孔以及第三通孔H2_CE3重叠。
第四绝缘层ILD4可以包括无机绝缘材料。例如，第四绝缘层ILD4可以包括氧化硅。通孔可以形成在第四绝缘层ILD4中，以暴露第一电容器电极CE1/G1的上表面的一部分和第二电容器电极CE2的上表面的一部分。
图14是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2、第二半导体层OATV和第二导电层CL2的平面图，图15是用于对根据本公开的实施例的制造像素的方法进行说明的截面图，图16是沿图14的线V1-V1'截取的截面图，图17是用于对根据本公开的实施例的制造像素的方法进行说明的截面图，并且图18是沿图14的线V2-V2'截取的截面图。
参考图2、图3、图14、图16和图18，在将第二导电层CL2形成在第四绝缘层ILD4上之后，可以在第四绝缘层ILD4上形成用于覆盖第二导电层CL2的第五绝缘层ILD5。
可以通过在第四绝缘层ILD4的整个表面上形成导电材料以形成导电层，并且然后对该导电层进行图案化，来形成第二导电层CL2。例如，该导电层可以被图案化为形成第二栅电极G2、第三栅电极G3、第四栅电极G4和第五栅电极G5。
第二导电层CL2的至少一部分可以与第二半导体层OATV重叠。例如，第二栅电极G2和第五栅电极G5中的每个栅电极的至少一部分可以与第一氧化物半导体图案OATV1重叠，以限定第二晶体管T2和第五晶体管T5。例如，第三栅电极G3和第四栅电极G4中的每个栅电极的至少一部分可以与第二氧化物半导体图案OATV2重叠，以限定第三晶体管T3和第四晶体管T4。
第五绝缘层ILD5可以包括无机绝缘材料。例如，第五绝缘层ILD5可以包括氧化硅。
参考图15、图16、图17和图18，根据一个实施例，在形成第二导电层CL2之后，可以通过使用第二导电层CL2作为掩模，来将杂质DP注入到第二半导体层OATV中。例如，可以通过使用离子注入法来注入杂质DP。杂质DP可以包括能够提高第二半导体层OATV的导电率的材料。例如，杂质DP可以包括硼。
图19是图示第三导电层CL3的平面图，图20是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2、第二半导体层OATV、第二导电层CL2和第三导电层CL3的平面图，并且图21是沿图20的线VI-VI'截取的截面图。
参考图19，第三导电层CL3可以包括参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS、第二初始化电压线AINT、第一桥电极BR1、第二桥电极BR2和第三桥电极BR3。
参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS和第二初始化电压线AINT中的每一条可以在第一方向DR1上延伸。此外，参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS和第二初始化电压线AINT可以布置在第二方向DR2上。
参考图2、图3、图20和图21，在将第三导电层CL3形成在第五绝缘层ILD5上之后，可以在第五绝缘层ILD5上形成用于覆盖第三导电层CL3的第六绝缘层ILD6。
可以通过在第五绝缘层ILD5的整个表面上形成导电材料以形成导电层，并且然后对该导电层进行图案化，来形成第三导电层CL3。例如，可以通过对该导电层进行图案化，来形成参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS、第二初始化电压线AINT、第一桥电极BR1、第二桥电极BR2和第三桥电极BR3。
参考电压线VREF可以与第二半导体层OATV接触。例如，参考电压线VREF可以与第五晶体管T5的输入端子接触，使得参考电压线VREF可以向第五晶体管T5提供参考电压。
第二补偿控制线GC2可以与第五栅电极G5接触。因此，第二补偿控制线GC2可以向第五晶体管T5的栅电极提供第二补偿控制信号。
扫描线GW可以与第二栅电极G2接触。因此，扫描线GW可以向第二晶体管T2的栅电极提供扫描信号。
第一发射控制线EM1可以与第九栅电极G9接触。因此，第一发射控制线EM1可以向第九晶体管T9的栅电极提供第一发射控制信号。
第一补偿控制线GC1可以与第三栅电极G3接触。因此，第一补偿控制线GC1可以向第三晶体管T3的栅电极提供第一补偿控制信号。
第一初始化控制线GI可以与第四栅电极G4接触。因此，第一初始化控制线GI可以向第四晶体管T4的栅电极提供第一初始化控制信号。
第二发射控制线EM2可以与第六栅电极G6接触。因此，第二发射控制线EM2可以向第六晶体管T6的栅电极提供第二发射控制信号。
第一初始化电压线VINT可以与第二半导体层OATV接触。例如，第一初始化电压线VINT可以与第四晶体管T4的输入端子接触。因此，第一初始化电压线VINT可以向第四晶体管T4的输入端子提供第一初始化电压。
第二初始化控制线EB可以与第七栅电极G7和第八栅电极G8接触。因此，第二初始化控制线EB可以向第七晶体管T7和第八晶体管T8的栅电极提供第二初始化控制信号。
偏置电压线VBIAS可以与第一半导体层ATV接触。例如，偏置电压线VBAIS可以与第八晶体管T8的输入端子接触。因此，偏置电压线VBAIS可以向第八晶体管T8的输入端子提供偏置电压。
第二初始化电压线AINT可以与第一半导体层ATV接触。例如，第二初始化电压线AINT可以与第七晶体管T7的输入端子接触。因此，第二初始化电压线AINT可以向第七晶体管T7的输入端子提供第二初始化电压。
根据本公开，第一初始化电压线VINT和第二初始化电压线AINT可以彼此间隔开。因此，第一初始化电压和第二初始化电压可以彼此分离，并且可以以高速驱动显示装置1000。
第一桥电极BR1可以与第二半导体层OATV接触。例如，第一桥电极BR1可以与第三晶体管T3的输出端子和第四晶体管T4的输出端子接触。同时，第一桥电极BR1可以接触与第一通孔H_CE2和第二通孔H1_CE3重叠的第一电容器电极CE1/G1的上表面的一部分。
第二桥电极BR2可以与第二半导体层OATV接触。例如，第二桥电极BR2可以与第二晶体管T2的输出端子和第五晶体管T5的输出端子接触。同时，第二桥电极BR2可以接触与第三通孔H2_CE3重叠的第二电容器电极CE2的上表面的一部分。
第三桥电极BR3可以与第二半导体层OATV接触。例如，第三桥电极BR3可以与第三晶体管T3的输入端子接触。同时，第三桥电极BR3可以与第一半导体层ATV接触。例如，第三桥电极BR3可以与第一晶体管T1的输出端子和第六晶体管T6的输入端子接触。
第六绝缘层ILD6可以包括无机绝缘材料。例如，第六绝缘层ILD6可以包括氧化硅。
图22是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2、第二半导体层OATV、第二导电层CL2、第三导电层CL3和第四导电层CL4的平面图，并且图23是沿图22的线VII-VII'截取的截面图。
参考图2、图3、图22和图23，在将第四导电层CL4形成在第六绝缘层ILD6上之后，可以在第六绝缘层ILD6上形成用于覆盖第四导电层CL4的第七绝缘层ILD7。
可以通过在第六绝缘层ILD6的整个表面上形成导电材料以形成导电层，并且然后对该导电层进行图案化，来形成第四导电层CL4。例如，可以通过对该导电层进行图案化来形成数据线DATA和第一电源电压线ELVDD。
数据线DATA可以在第二方向DR2上延伸。数据线DATA可以与第二半导体层OATV接触。例如，数据线DATA可以与第二晶体管T2的输入端子接触。因此，数据线DATA可以向第二晶体管T2的输入端子提供数据信号。
第一电源电压线ELVDD可以在第二方向DR2上延伸。第一电源电压线ELVDD可以在第一方向DR1上与数据线DATA间隔开。
第一电源电压线ELVDD可以与第三电容器电极CE3接触。因此，第一电源电压线ELVDD可以向第二电容器CAP2的第二电极提供第一电源电压。
第一电源电压线ELVDD可以与第一半导体层ATV接触。例如，第一电源电压线ELVDD可以与第九晶体管T9的输入端子接触。因此，第一电源电压线ELVDD可以向第九晶体管T9的输入端子提供第一电源电压。
第一电容器CAP1的电容可以根据第一重叠区域(其是在平面图中第一电容器电极CE1/G1与第二电容器电极CE2之间的重叠区域)以及存在于第一电容器电极CE1/G1与第二电容器电极CE2之间的材料的第一介电常数来确定。此外，第二电容器CAP2的电容可以根据第二重叠区域(其是在平面图中第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间的重叠区域)以及存在于第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间的材料的第二介电常数来确定。在一个实施例中，在平面图中，第二电容器电极CE2的面积可以大于第一电容器电极CE1/G1的面积。因此，可以通过增大或减小第三电容器电极CE3在平面图中的面积而将第二电容器CAP2的电容调整为增大或减小。
在一个实施例中，在平面图中，第一重叠区域的尺寸可以与第二重叠区域的尺寸大致相同。在这种情况下，第二电容器电极CE2的面积可以小于第一电容器电极CE1/G1的面积和第三电容器电极CE3的面积，或者第二电容器电极CE2的面积可以大于第一电容器电极CE1/G1的面积和第三电容器电极CE3的面积，并且第一电容器电极CE1/G1的面积和第三电容器电极CE3的面积可以相同。在这种情况下，当第一介电常数和第二介电常数大致相同时，第一电容器CAP1的电容可以与第二电容器CAP2的电容大致相同。
第七绝缘层ILD7可以包括无机绝缘材料。例如，第七绝缘层ILD7可以包括氧化硅。
图24是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素中所包含的部件的堆叠构造的视图。
参考图1、图2和图24，多个像素PX中的每个像素PX可以包括第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2'、第二半导体层OATV、第二导电层CL2、第三导电层CL3'和第四导电层CL4。
第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二半导体层OATV、第二导电层CL2和第四导电层CL4可以分别与参考图3至图23描述的第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二半导体层OATV、第二导电层CL2和第四导电层CL4大致相同。
第二电容器电极CE2'可以包括导电材料。例如，第二电容器电极CE2'可以包括金属材料。第二电容器电极CE2'可以设置在第一导电层CL1与第二半导体层OATV之间。
第三导电层CL3'可以包括导电材料。例如，第三导电层CL3'可以包括金属材料。第三导电层CL3'可以设置在第二导电层CL2与第四导电层CL4之间。
在下文中，将参考图1至图3以及图24至图28来描述根据本公开的实施例的像素及其制造方法。
图25至图28是用于对根据本公开的另一实施例的像素进行说明的视图。
图25是图示第二电容器电极CE2'的平面图。
参考图25，第二电容器电极CE2'可以包括重叠区域OV_CE2和突出区域PR_CE2。突出区域PR_CE2可以被设置为与重叠区域OV_CE2邻近。在一个实施例中，突出区域PR_CE2可以在第一方向DR1上从重叠区域OV_CE2突出。
第二电容器电极CE2'可以包括在重叠区域OV_CE2中的第一通孔H_CE2。第一通孔H_CE2可以穿过第二电容器电极CE2'而形成。
图26是图示第三导电层CL3'的平面图。
参考图26，第三导电层CL3'可以包括参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS、第二初始化电压线AINT、第一桥电极BR1、第二桥电极BR2'和第三桥电极BR3。
参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS、第二初始化电压线AINT、第一桥电极BR1和第三桥电极BR3可以分别与参考图3至图23描述的参考电压线VREF、第二补偿控制线GC2、扫描线GW、第一发射控制线EM1、第一补偿控制线GC1、第一初始化控制线GI、第二发射控制线EM2、第一初始化电压线VINT、第二初始化控制线EB、偏置电压线VBIAS、第二初始化电压线AINT、第一桥电极BR1和第三桥电极BR3大致相同。
图27是图示第一半导体层ATV、第一导电层CL1、第二电容器电极CE2'、第二半导体层OATV、第二导电层CL2、第三导电层CL3'和第四导电层CL4的平面图，并且图28是沿图27的线VIII-VIII'截取的截面图。
参考图1至图3以及图27和图28，第二桥电极BR2'可以与第一氧化物半导体图案OATV1接触。例如，第二桥电极BR2'可以与第二晶体管T2的输出端子和第五晶体管T5的输出端子接触。此外，第二桥电极BR2'可以与第二电容器电极CE2'的突出区域PR_CE2接触。因此，即使没有在第三电容器电极CE3中形成通孔(例如，图11至图23的第三通孔H2_CE3)，第一氧化物半导体图案OATV1也可以通过第二桥电极BR2'电连接到第二电容器电极CE2'。
在这种情况下，由于在第三电容器电极CE3中没有形成通孔(例如，图11至图23的第三通孔H2_CE3)，因此第二电容器电极CE2'与第三电容器电极CE3之间的重叠区域可以相对扩大。也就是说，第二电容器CAP2的电容可以相对增大。
尽管上面已经描述了本发明构思的示例性实施例，但是本领域普通技术人员将会理解，在不脱离如在所附权利要求中公开的本发明构思的思想和范围的情况下，可以对本公开进行各种变更和修改。
根据本公开实施例的显示装置及制造该显示装置的方法可被应用于包括在计算机、智能电话或智能平板等中的显示装置及其制造工艺中。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
第一半导体层；
第一导电层，设置在所述第一半导体层上，并且包括在平面图中与所述第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；
第二电容器电极，设置在所述第一导电层上，并且在所述平面图中与所述第一电容器电极重叠以构成第一电容器；
第二半导体层，设置在所述第二电容器电极上，并且包括在所述平面图中与所述第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；
第二导电层，设置在所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层至少部分地重叠；以及
第三导电层，设置在所述第二导电层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电容器电极包括与所述第一电容器电极的上表面的一部分重叠的第一通孔，并且所述第三电容器电极包括与所述第一通孔重叠以与所述第一电容器电极的所述上表面的所述一部分重叠的第二通孔。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第三导电层包括将与所述第一通孔和所述第二通孔重叠的所述第一电容器电极的所述上表面的所述一部分与所述第二半导体层连接的第一桥电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第三电容器电极包括与所述第二电容器电极的上表面的一部分重叠的第三通孔。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第三导电层包括将与所述第三通孔重叠的所述第二电容器电极的所述上表面的所述一部分与所述第二半导体层连接的第二桥电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述平面图中，所述第二电容器电极的面积大于所述第一电容器电极的面积，并且所述第二电容器电极完全覆盖所述第一电容器电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
第一重叠区域的尺寸等于第二重叠区域的尺寸，所述第一重叠区域是在所述平面图中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的重叠区域，所述第二重叠区域是在所述平面图中所述第二电容器电极与所述第三电容器电极之间的重叠区域。
8.一种显示装置，包括：
第一半导体层；
第一导电层，设置在所述第一半导体层上，并且包括在平面图中与所述第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；
第二电容器电极，设置在所述第一导电层上，并且包括在所述平面图中与所述第一电容器电极重叠以构成第一电容器的重叠区域，所述第二电容器电极进一步包括从所述重叠区域突出的突出区域；
第二半导体层，设置在所述第二电容器电极上，并且包括在所述平面图中与所述第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极，所述第三电容器电极在所述平面图中与所述突出区域间隔开；
第二导电层，设置在所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层至少部分地重叠；以及
第三导电层，设置在所述第二导电层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第二半导体层包括氧化物半导体，并且
其中，所述第二半导体层包括在第一方向上与所述第三电容器电极间隔开的第一氧化物半导体图案。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第三导电层包括连接到所述第一氧化物半导体图案以及所述第二电容器电极的所述突出区域的第一桥电极。
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