CN115941823B - 一种抗干扰模组及终端设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种抗干扰模组及终端设备，涉及终端设备技术领域，为解决相关技术中的终端设备内的电子器件容易受到电路板上的干扰源的磁场干扰的问题而发明。该抗干扰模组，包括电路板、干扰源、器件设置空间以及抗干扰部件，干扰源设置于所述电路板上，所述干扰源可产生变化的干扰磁场；器件设置空间设置于所述电路板的一侧，且被配置为设置具有第一线圈的电子器件；抗干扰部件被配置为可产生与所述干扰磁场相叠加的补偿磁场，或者可消耗所述干扰磁场与所述抗干扰部件之间耦合产生的电能，以减小所述器件设置空间的磁感应强度。本申请可用于手机等终端设备。

Description

一种抗干扰模组及终端设备

技术领域

本申请涉及终端设备技术领域，尤其涉及一种抗干扰模组及终端设备。

背景技术

随着电子技术的发展，诸如手机之类的终端设备的功能越来越多，终端设备内的电路板上电路结构以及电子器件布局也越来越复杂，这样使得电子器件更容易受到电磁干扰，比如电路板上的射频电路在工作时会在其周围产生变化的磁场，该变化的磁场容易与周围的电子器件(比如带有音频线圈的音频播放器)产生耦合，从而影响该电子器件的正常工作。

发明内容

本申请的实施例提供一种抗干扰模组及终端设备，用于解决相关技术中的终端设备内的电子器件容易受到电路板上的干扰源的磁场干扰的问题。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供了一种抗干扰模组，包括电路板、干扰源、器件设置空间以及抗干扰部件，干扰源设置于所述电路板上，所述干扰源可产生变化的干扰磁场；器件设置空间设置于所述电路板的一侧，且被配置为设置具有第一线圈的电子器件；抗干扰部件被配置可产生与所述干扰磁场相交叠的补偿磁场，或者可消耗所述干扰磁场与所述抗干扰部件之间耦合产生的电能，以减小所述器件设置空间的磁感应强度。

通过采用上述方案，这样就可以减小器件设置空间的磁感应强度，从而降低干扰源产生的干扰磁场对电子器件的干扰，进而保证电子器件的正常工作。该抗干扰模组主要是针对产生变化磁场的干扰源，减小变化的磁场对电子器件的干扰。

在一些实施例中，所述抗干扰部件包括第二线圈和磁场屏蔽件，第二线圈设置于所述器件设置空间的一侧；磁场屏蔽件至少一部分位于所述第二线圈与所述器件设置空间之间。

通过采用上述方案，第二线圈可以通过消耗第二线圈与干扰磁场之间产生耦合能量、或者通过第二线圈产生补偿磁场等方式减小器件设置空间的磁感应强度；磁场屏蔽件可以屏蔽第二线圈产生的磁场，以大大减小了干扰源产生的变化磁场对电子器件产生的干扰。

在一些实施例中，所述第二线圈设置于所述干扰源和所述器件设置空间之间。

通过采用上述方案，磁场屏蔽件不但可以屏蔽第二线圈中感应电流产生的磁场，也可以屏蔽干扰源产生的干扰磁场，从而可以大大的减小干扰源对电子器件的干扰。

在一些实施例中，沿所述电路板的厚度方向，所述器件设置空间设置于所述干扰源远离所述电路板的一侧。

通过采用上述方案，可以避免磁场屏蔽件、第二线圈占用电路板上的位于干扰源外围的元件布置空间，从而有利于电路板上的元件的优化布置。

在一些实施例中，所述第二线圈为平面线圈；所述磁场屏蔽件呈层状，且与所述第二线圈层叠设置。

通过采用上述方案，可以减小第二线圈、磁场屏蔽件在电路板的厚度方向上的尺寸，从而有利于节省该手机壳体内的空间。

在一些实施例中，所述干扰磁场为低频交变磁场，所述磁场屏蔽件的材料为导磁材料。

通过采用上述方案，这样磁场屏蔽件对低频交变磁场有更好的屏蔽效果，从而可以更好地降低对器件设置空间内的电子器件所造成的磁干扰。

在一些实施例中，所述导磁材料为纳米晶磁性材料。

通过采用上述方案，这样可以提高磁场屏蔽件的磁屏蔽效果。

在一些实施例中，所述抗干扰部件还包括与所述第二线圈电连接的耗能电路，所述耗能电路被配置为消耗所述第二线圈与所述干扰磁场之间耦合产生的电能。

通过采用上述方案，这样，耗能电路能够较为快速地消耗第二线圈与干扰源产生的干扰磁场耦合产生的电能，以将干扰磁场的磁场能消耗掉，从而可以降低干扰源对电子器件的干扰。

在一些实施例中，所述耗能电路为RLC电路。

通过采用上述方案，可以避免耗能电路中的电压和电流出现突变，从而可以使RLC电路中的电阻元件更好地消耗第二线圈与干扰磁场耦合产生的电能。

在一些实施例中，所述干扰磁场为高频交变磁场，所述耗能电路包括磁珠。

通过采用上述方案，这样磁珠就可以很好地将第二线圈与干扰磁场耦合产生的电能转化为热能消耗掉。

在一些实施例中，所述抗干扰部件还包括与所述第二线圈电连接的充电电路，所述充电电路包括充电连接端，所述充电连接端被配置为与电源电连接。

通过采用上述方案，不但消耗第二线圈与干扰磁场耦合产生的电能，降低器件设置空间的磁感应强度，而且还避免了第二线圈上的电能的浪费，从而有利于提高电源的续航能力。

在一些实施例中，所述抗干扰部件还包括与所述第二线圈电连接的连接电路，所述连接电路包括供电连接端，所述供电连接端被配置为与用电器件电连接。

通过采用上述方案，避免了第二线圈上的电能的浪费，从而减少了用电器件对终端设备的电源的电能的消耗，有利于提高该电源的续航能力。

在一些实施例中，所述抗干扰模组还包括第一交流供电单元，所述第一交流供电单元与所述第二线圈电连接，使所述第二线圈能够产生补偿磁场，所述补偿磁场穿过所述第二线圈的方向与所述干扰磁场穿过所述第二线圈的方向相反。

通过采用上述方案，可以根据干扰磁场的大小来灵活地控制第一交流供电单元向第二线圈输入电流的大小，以控制补偿磁场的大小，从而在器件设置空间中使补偿磁场的磁通量可以更好地与干扰磁场的磁通量相抵消，进而减小干扰磁场对电子器件的干扰。

在一些实施例中，所述干扰源包括负载、第二交流供电单元以及连接于所述第二交流供电单元和所述负载之间的连接线路；所述第二线圈中电流的流向与所述连接线路中电流的流向相反补偿磁场；其中，所述流向包括顺时针方向和逆时针方向。

通过采用上述方案，这样能够使流入电流回路中的电流的相位与流向第二线圈中的电流的相位保持一致，从而在器件设置空间中补偿磁场的磁通量可以更好地与干扰磁场的磁通量相抵消。

在一些实施例中，所述抗干扰模组还包括连接于所述第一交流供电单元和所述第二线圈之间的调相器件，所述调相器件被配置为调整所述第二线圈中电流的相位，使所述第二线圈中的电流的相位与所述连接线路中的电流的相位一致。

通过采用上述方案，这样可以使得第二线圈中的电流的相位与连接线路中的电流的相位一致，从而可以使得在器件设置空间内，补偿磁场的磁通量能够最大限度地与干扰磁场的磁通量相抵消。

在一些实施例中，所述调相器件包括电感元件。

通过采用上述方案，这样在满足电流调相要求的同时，使得调相器件构成更加简单，有利于降低该抗干扰模组的成本。

在一些实施例中，所述第一交流供电单元、所述第二交流供电单元为同一供电单元。

通过采用上述方案，这样负载和第二线圈共用一个供电单元，可以减小电路板上的器件的数目，有利于节约电路板上的布置空间。

在一些实施例中，所述负载的数目为多个，每个所述负载分别通过所述连接线路与所述第一交流供电单元相连接；所述抗干扰模组还包括多个支路、以及设置于每个所述支路上的开关器件；多个所述支路的第一端与多个所述连接线路一一对应连接，多个所述支路的第二端均与所述第二线圈的一端电连接，所述第二线圈的另一端与所述第一交流供电单元电连接。

通过采用上述方案，可以在干扰源中的多个负载同时工作或者依次工作时，减小干扰源对电子器件的干扰。

在一些实施例中，所述干扰源包括负载、第二交流供电单元、以及连接于所述第二交流供电单元和所述负载之间的连接线路；所述抗干扰部件包括补偿线路，所述补偿线路连接于所述第二交流供电单元和所述负载之间，且所述补偿线路中电流的流向与所述连接线路中电流的流向相反；其中，所述流向包括顺时针方向和逆时针方向。

通过采用上述方案，这样在器件设置空间内，补偿线路中电流产生的补偿磁场的磁通量就能够与干扰磁场的磁通量相抵消，从而可以减小器件设置空间的磁感应强度，以减小干扰磁场会对电子器件产生的干扰。

在一些实施例中，所述抗干扰部件还包括可变电阻器，所述可变电阻器设置于所述补偿线路上。

通过采用上述方案，通过调节可变电阻器的电阻大小可以调节补偿线路中电流的大小，从而可以使得器件设置空间中，补偿线路中电流产生的补偿磁场的磁通量就能够最大限度地与干扰磁场的磁通量相抵消。

在一些实施例中，所述补偿线路的一部分靠近所述器件设置空间设置。

通过采用上述方案，这样可以增加器件设置空间处补偿线路中电流产生的补偿磁场的强度，从而在器件设置空间中，使补偿线路中电流产生的补偿磁场的磁通量可以更好地与干扰磁场的磁通量相抵消。

第二方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括壳体、电子器件、以及第一方面所述的抗干扰模组，所述抗干扰模组的电路板设置于所述壳体中；电子器件设置于所述壳体中。

本申请实施例中的终端设备所具有的有益效果与第一方面中的抗干扰模组的具有有益效果相同，在此不在赘述。

在一些实施例中，所述电子器件安装于所述器件设置空间中。

上述方案适用于不可折叠的终端设备中，电子器件与抗干扰模组位于同一个壳体中，这样第二线圈、磁场屏蔽件离电子器件的距离更近，那么第二线圈和磁场屏蔽件可以更好地防止干扰源对电子器件的干扰。

在一些实施例中，所述壳体包括第一壳体、以及与所述第一壳体连接的第二壳体，所述第一壳体与所述第二壳体可在折叠状态和展开状态切换；所述电路板设置于所述第一壳体中，所述电子器件设置于所述第二壳体中，且在所述第一壳体与所述第二壳体处于所述折叠状态时，所述电子器件位于所述器件设置空间中。

上述方案适用于可折叠的终端设备中，第二线圈和磁场屏蔽件可减小干扰源对位于另外一壳体中的电子器件的干扰。

附图说明

图1为本申请一些实施例中的手机在展开时的外侧视图；

图2为图1中的手机在展开时的内侧视图；

图3为图1中的手机在折叠时的视图；

图4为图2中的手机拆去内屏后的结构示意图；

图5为图4中的抗干扰模组的A-A截面视图；

图6为图3中的手机拆去外屏后的结构示意图；

图7为图6中的抗干扰模组与电子器件的位置关系图；

图8为本申请一些实施例中电路板上的干扰源的结构示意图；

图9为本申请一些实施例中电磁线圈与耗能电路连接的示意图；

图10为图4、图5中的抗干扰模组的等效电路图；

图11为本申请另一些实施例中抗干扰模组的结构示意图；

图12为图11中的抗干扰模组的等效电路图；

图13为本申请另一些实施例中抗干扰模组的结构示意图；

图14为图13中的抗干扰模组的等效电路图；

图15为图13中的抗干扰模组与用电器件连接的示意图；

图16为本申请另一些实施例中抗干扰模组的结构示意图；

图17为图16中的抗干扰模组的等效电路图；

图18为本申请一些实施例中的电路板的示意图；

图19为本申请另一些实施例中抗干扰模组的结构示意图；

图20为图19中的抗干扰模组的等效电路图；

图21为本申请另一些实施例中的抗干扰模组的结构示意图；

图22为图21中的抗干扰模组的等效电路图；

图23为本申请另一些实施例中的抗干扰模组的结构示意图；

图24为本申请另一些实施例中的手机的正面视图；

图25为图24中的手机拆去显示屏后的结构示意图；

图26为图25的B-B剖面视图。

具体实施方式

在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

在本申请实施例中，需要说明的是，术语“电连接”应做广义理解，例如，可以是通过直接连接的方式实现电流导通，也可以是通过电容耦合的方式实现电能量传导。

本申请实施例中的终端设备可以是手机、平板电脑、电子阅读器、可穿戴设备、遥控器、POS(point of sales terminal；销售点情报管理系统)机、笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载设备、网络电视机等内部存在电磁干扰的终端设备。

下面以手机为例为具体描述本申请实施例中的终端设备，其它类型的终端设备具体可参照手机实施例中抗干扰模组的设计构思来设置，在此不再一一赘述。

如图1、图2和图3所示，图1为本申请一些实施例中的手机在展开时的外侧视图，图2为图1中的手机在展开时的内侧视图，图3为图1中的手机在折叠时的视图。该手机为折叠机，包括壳体200、显示屏300、以及摄像头400。

壳体200包括第一壳体210以及与第一壳体210连接的第二壳体220，第一壳体210与第二壳体220可在折叠状态和展开状态切换。

其中，第一壳体210与第二壳体220可以铰接，图1和图2中心的虚线为第一壳体210与第二壳体220之间铰接轴的轴线。但也不限于此，也可以通过其它柔性部件实现第一壳体210和第二壳体220的展开和折叠。

显示屏300包括外屏310和内屏320，如图1所示，左侧为第一壳体210，右侧为第二壳体220，外屏310设置于右侧，且设置于第二壳体220上。如图2所示，内屏320位于外屏310的一侧，且均设置于第一壳体210和第二壳体220上，内屏320的显示区的面积大于外屏310的显示区的面积。

其中，外屏310和内屏320均为柔性屏。示例的，外屏310和内屏320均为OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机发光二极管)柔性显示屏。

摄像头400包括前置摄像头410和后置摄像头420，后置摄像头420安装于第一壳体210，前置摄像头410安装于第二壳体220，外屏310上设有避让孔，该避让孔用于避让前置摄像头410，以保证前置摄像头410的正常拍照。

当用户需要使用显示区面积较大的显示屏300时，比如需要看电影时，如图2所示，可以将第一壳体210与第二壳体220调节至展开状态，此时内屏320展开，由于内屏320的显示区的面积较大，从而可以使用户获得更好地视觉体验。

当用户携带该手机外出时，如图3所示，可以将第一壳体210与第二壳体220调节至折叠状态，此时手机的占用空间比较小，从而方便携带，同时，第一壳体210与第二壳体220调节至折叠状态时，用户也可以通过外屏310对手机进行操作，这样不影响手机的正常使用。

如图4和图6所示，图4为图2中的手机拆去内屏320后的结构示意图，图6为图3中的手机拆去外屏310后的结构示意图。该手机还包括电源500、电子器件600以及抗干扰模组100。

抗干扰模组100和电源500设置于第二壳体220中。电子器件600为音频播放器，音频播放器设置于第一壳体210中，且位于外屏310和内屏320之间。音频播放器的内部具有第一线圈610(即音频线圈)、以及与第一线圈610接触的振膜(图中未示出)，该音频播放器工作时，第一线圈610在电磁场的作用下带动振膜振动，从而使该电子器件600发出声音。

如图4～图8所示，图5为图4中的抗干扰模组100的A-A截面视图，图7为图6中的抗干扰模组100与电子器件600的位置关系图，图8为本申请一些实施例中电路板1上的干扰源2的结构示意图。该抗干扰模组100包括电路板1、干扰源2和器件设置空间3。

器件设置空间3设置于电路板1的一侧，且被配置为设置电子器件600。如图4和图5所示，当第一壳体210和第二壳体220处于展开状态时，电子器件600位于器件设置空间3之外；如图6和图7所示，当第一壳体210和第二壳体220处于折叠状态时，电子器件600位于器件设置空间3中。

如图6和图8所示，干扰源2设置于电路板1上，且可产生变化的干扰磁场。其中，干扰源2为射频电路，包括包括负载22、第二交流供电单元21以及连接于负载22和第二交流供电单元21之间的连接线路23，第二交流供电单元21通过电连接件4与电源500电连接，其中，第二交流供电单元21为电源管理芯片，电源500为手机的电池，负载22为射频功率放大器，射频功率放大器用于与手机的天线电连接。

干扰源2在工作时，第二交流供电单元21通过连接线路23给负载22提供能量，并通过地平面通路(图8中虚线所示)回流到第二交流供电单元21，以形成电流回路20。电流回路20上一般会有1～2A甚至更高的电流变化，变化波形性类似方波，周期一般在200Hz～800Hz附近，根据法拉第电磁感应定律，变化的电流会产生变化的干扰磁场，此时该干扰磁场为低频交变磁场。当第一壳体210和第二壳体220处于折叠状态时，干扰磁场会与电子器件600的第一线圈610产生耦合，第一线圈610上就会产生感应电动势，引起人耳可听见的电流音，从而导致电子器件600不能够正常工作。

为了减小干扰源2对电子器件600的干扰，如图4和图5所示，该抗干扰模组100还包括抗干扰部件5，抗干扰部件5包括第二线圈51和磁场屏蔽件52，第二线圈51设置于器件设置空间3的一侧，磁场屏蔽件52设置于第二线圈51与器件设置空间3之间。

由于抗干扰部件5包括第二线圈51，这样就可以通过消耗第二线圈51与干扰磁场之间产生耦合能量、或者通过第二线圈51产生干扰磁场补偿磁场等方式减小器件设置空间3的磁感应强度。同时，由于在第二线圈51与器件设置空间3之间还设置有磁场屏蔽件52，这样磁场屏蔽件52可以屏蔽第二线圈51产生的磁场(第二线圈51与干扰磁场耦合产生感应电流，感应电流使得第二线圈51产生磁场)，由此，通过设置第二线圈51和磁场屏蔽件52，可以大大减小了干扰源2产生的变化磁场对电子器件600产生的干扰，进而保证电子器件600的正常工作。

当然，上述干扰源2也不限于射频电路，也可以是其它能够产生变化磁场的电路或者器件，比如具有电感线圈的电路。上述负载22也不限于为射频功率放大器，具体可根据电路的类型而定。干扰源2产生的干扰磁场也不限于是低频交变磁场，也可以是高频交变磁场，还可以是仅大小变化，方向不变的变化磁场。

在一些实施例中，如图4和图5所示，第二线圈51设置于干扰源2和器件设置空间3之间。这样第二线圈51距离干扰源2的距离更近，可以更好地减小干扰磁场经过第二线圈51之后的磁感应强度，以减小干扰源2产生的干扰磁场对电子器件600的干扰。同时，磁场屏蔽件52位于干扰源2和器件设置空间3之间，这样磁场屏蔽件52不但可以屏蔽第二线圈51中感应电流产生的磁场，也可以屏蔽干扰源2产生的干扰磁场，从而可以大大的减小干扰源2对电子器件600的干扰。

其中，上述第二线圈51可以位于负载22与器件设置空间3之间，也可以位于连接负载22、第二交流供电单元21的线路与器件设置空间3之间，在此不做具体限定。

在一些实施例中，如图4和图5所示，沿电路板1的厚度方向H，器件设置空间3设置于干扰源2远离电路板1的一侧。此时，磁场屏蔽件52、第二线圈51也均位于干扰源2远离电路板1的一侧，这样可以避免磁场屏蔽件52、第二线圈51占用电路板1上的位于干扰源2外围的元件布置空间，从而有利于电路板1上的元件的优化布置。

在一些实施例中，如图4和图5所示，第二线圈51为平面线圈，磁场屏蔽件52呈层状，且与第二线圈51层叠设置。通过这样设置，可以减小第二线圈51、磁场屏蔽件52在电路板1的厚度方向上的尺寸，从而有利于节省该手机壳体200内的空间，进而有利于该手机壳体200内的器件的优化布局。

当然，上述第二线圈51除了可以位于干扰源2与器件设置空间3之间外，如图8所示，第二线圈51也可以位于干扰源2中的电流回路20所围成的区域内，此时需要保证电子器件600在电路板1上正投影落在电流回路20所形成的区域内。上述第二线圈51除了为平面线圈之外，也可以为螺线管线圈，磁场屏蔽件52除了为层状之外，也可以为其它形状，比如磁场屏蔽件52可以做成罩子的形状，以将干扰源2和第二线圈51罩在其中，此时罩子的一部分(也就是罩子的顶壁)位于第二线圈51和器件设置空间3之间。

在一些实施例中，干扰源2产生的干扰磁场为低频交变磁场，磁场屏蔽件52的材料为导磁材料。当低频交变磁场的磁力线通过导磁材料时，导磁材料能将该磁力线限定在其内部，以阻止该磁力线穿过磁场屏蔽件52，使得磁场屏蔽件52对低频交变磁场有更好的屏蔽效果，从而可以更好地降低对器件设置空间3内的电子器件600所造成的磁干扰。

其中，磁场屏蔽件52所屏蔽的低频交变磁场，可以是第二线圈51与干扰磁场耦合产生的感应电流所产生的磁场，也可以是干扰源2产生的干扰磁场。

需要说明的是：当干扰源2产生的干扰磁场为低频交变磁场时，第二线圈51内的感应电流为低频交变电流，此时，第二线圈51的感应电流产生的也是低频交变磁场；当干扰源2产生的干扰磁场为高频交变磁场时，第二线圈51内的感应电流为高频交变电流，此时，第二线圈51的感应电流产生的也是高频交变磁场。

在一些实施例中，导磁材料为纳米晶磁性材料。示例的，纳米晶磁性材料可以为铁基纳米晶软磁材料，该材料由铁硅硼铜铌五种金属材料组成的非晶体磁性材料。

由于纳米晶磁性材料因其特殊的组织结构特点具有优异的磁性能，这样纳米晶磁性材料可以更好地阻止磁力线穿过磁场屏蔽件52，从而可以提高磁场屏蔽件52的磁屏蔽效果。

除了纳米晶磁性材料之外，导磁材料也可以为铁氧体、铁硅系合金(又称为硅钢片)等。

当干扰源2产生的干扰磁场为高频交变磁场时，磁场屏蔽件52的材料也可以为铜、铝等导电性能良好的金属材料，高频交变磁场通过磁场屏蔽件52时，能在磁场屏蔽件52上引起很大的涡流，由于涡流的去磁作用，所以使得高频交变磁场不能穿过磁场屏蔽件52，从而使得磁场屏蔽件52地高频交变磁场起到屏蔽作用。

其中，磁场屏蔽件52所屏蔽的高频交变磁场，可以是第二线圈51与干扰磁场耦合产生的感应电流所产生的磁场，也可以是干扰源2产生的干扰磁场。

上述第二线圈51减小器件设置空间3的磁感应强度的方式不唯一，图6、图9和图10所示为减小器件设置空间3的磁感应强度的第一种方式的实施例，图9为本申请一些实施例中第二线圈51与耗能电路54连接的示意图，图10为图4、图5中的抗干扰模组100的等效电路图。在该实施例中，抗干扰部件5还包括与第二线圈51电连接的耗能电路54，耗能电路54被配置为消耗第二线圈51与干扰磁场之间耦合产生的电能。这样，耗能电路54能够较为快速地消耗第二线圈51与干扰源2产生的干扰磁场耦合产生的电能，以将干扰磁场的磁场能消耗掉，从而可以降低干扰源2对电子器件600的干扰。

上述耗能电路54不唯一，在一些实施例中，如图10所示，耗能电路54为RLC电路。由于RLC电路中的电感元件L1具有稳定电流，电容元件C1具有稳定电压的作用，这样可以避免耗能电路54中的电压和电流出现突变，从而可以使RLC电路中的电阻元件R2更好地消耗第二线圈51与干扰磁场耦合产生的电能。

上述RLC电路可以为RLC串联电路，比如图10中电感元件L1、电容元件C1、以及电阻元件R2串联，但也不限于此，RLC电路RLC并联电路，只要能够消耗第二线圈51发出的电能即可，在此不做具体限定。

在另一些实施例中，耗能电路54包括磁珠。由于磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但磁珠电阻值和电感值都随频率变化，在高频时呈现阻性。因此，在干扰源2产生的干扰磁场为高频交变磁场时，那么第二线圈51与干扰磁场耦合产生高频交流电，此时呈现阻性的磁珠就可以很好地将第二线圈51中的电能转化为热能消耗掉。

当然，耗能电路54除了图10所示的构成外，也可以是纯电阻电路。

当然，除了通过耗能电路54来消耗耦合产生的电能之外，也可以利用第二线圈51自身的电阻来消耗干扰磁场与第二线圈51之间耦合产生的电能。

图11和图12所示为减小器件设置空间3的磁感应强度的第二种方式的实施例，图11为本申请另一些实施例中抗干扰模组100的结构示意图，图12为图11中的抗干扰模组100的等效电路图。在该实施例中，抗干扰部件5还包括与第二线圈51电连接的充电电路55，充电电路55包括充电连接端551，充电连接端551被配置为与电源500电连接。

通过设置充电电路55，这样可以利用第二线圈51与干扰源2产生的干扰磁场耦合产生的感应电流为电源500充电，不但消耗第二线圈51与干扰磁场耦合产生的电能，降低器件设置空间3的磁感应强度，而且还避免了第二线圈51上的电能的浪费，从而有利于提高电源500的续航能力。

其中，如图12所示，充电电路55包括第一交直转换器552、充电线路553以及第一控制线路554，充电线路553连接于第二线圈51和充电连接端551之间，第一交直转换器552设置于充电线路553上，且通过第一控制线路554与电路板1上的处理器9连接，处理器9可以通过第一交直转换器552控制充电电路55向电源500充电。

图13、图14和图15所示为减小器件设置空间3的磁感应强度的第三种方式的实施例，图13为本申请另一些实施例中抗干扰模组100的结构示意图，图14为图13中的抗干扰模组100的等效电路图，图15为图13中的抗干扰模组100与用电器件700连接的示意图。在该实施例中，抗干扰部件5还包括与第二线圈51电连接的连接电路56，连接电路56包括供电连接端561，供电连接端561被配置为与用电器件700电连接。

通过设置连接电路56，这样可以利用第二线圈51与干扰源2产生的干扰磁场耦合产生的感应电流为用电器件700供电，不但消耗第二线圈51与干扰磁场耦合产生的电能，降低器件设置空间3的磁感应强度，而且还避免了第二线圈51上的电能的浪费，从而减少了用电器件700对手机的电源500的电能的消耗，有利于提高该电源500的续航能力。

其中，如图15所示，用电器件700可以为设置于手机的保护壳800上的补光灯，该补光灯可以为手机的拍照补光。当然，除了补光灯之外，用电器件700设置于保护壳800上的装饰灯等。

如图14所示，连接电路56包括第二交直转换器562、供电线路563以及第二控制线路564，供电线路563连接于第二线圈51和供电连接端561之间，第二交直转换器562设置于供电线路563上，且通过控制线路724与处理器9连接，处理器9可以通过第二交直转换器562控制连接电路56向用电器件700供电。

上述供电连接端561可以通过与连接器900(比如：pogo pin)实现电连接，也可以通过导线与用电器件700实现电连接，在此不做具体限定。

图16和图17所示为减小器件设置空间3的磁感应强度的第四种方式的实施例，图16为本申请另一些实施例中抗干扰模组100的结构示意图，图16中的箭头为某一时刻电流的流向，图17为图16中的抗干扰模组100的等效电路图。在该实施例中，抗干扰模组100还包括第一交流供电单元81，第一交流供电单元81与第二线圈51电连接，使第二线圈51能够产生补偿磁场，补偿磁场穿过第二线圈51的方向与干扰磁场穿过第二线圈51的方向相反，上述第一交流供电单元81与第二交流供电单元21为同一供电单元。

具体地，如图16和图17所示，第二线圈51中电流I1的流向与连接线路23中电流I2的流向相反。上述流向包括顺时针方向和逆时针方向。

从图16可以看出，在某一时刻，干扰源2的连接线路23中的电流I2的流向为顺时针，连接线路23中的电流I2产生的干扰磁场的方向垂直于屏幕向内，第二线圈51中的电流I1的流向为逆时针，第二线圈51中的电流产生的补偿磁场的方向垂直于屏幕向外，这样使得干扰磁场和补偿磁场的方向相反，从而在器件设置空间3中补偿磁场的磁通量可以与干扰磁场的磁通量相抵消，进而减小干扰磁场对电子器件600的干扰。

其中，补偿磁场穿过第二线圈51的方向与干扰磁场穿过第二线圈51的方向相反是在每一时刻，补偿磁场穿过第二线圈51的方向与干扰磁场穿过第二线圈51的方向均相反。

通过设置第一交流供电单元81向第二线圈51供电，以产生反向的补偿磁场，这样可以根据干扰磁场的大小来灵活地控制第一交流供电单元81向第二线圈51输入电流的大小，以控制补偿磁场的大小，从而可在器件设置空间3内，补偿磁场的磁通量可以与干扰磁场的磁通量相抵消，以减小干扰磁场的磁通量，进而减小干扰磁场对电子器件600的干扰。

同时，第二交流供电单元21和第一交流供电单元81为同一供电单元，也就是：负载22和第二线圈51共用一个供电单元，这样能够使流入连接线路23中的电流I2的相位与流向第二线圈51中的电流I1的相位保持一致，从而在器件设置空间3中补偿磁场的磁通量可以更好地与干扰磁场的磁通量相抵消，进而有利于减小干扰磁场对电子器件600的干扰。另外，第二交流供电单元21和第一交流供电单元81为同一部件，也可以减小电路板1上的器件的数目，有利于节约电路板1上的布置空间。

当然，在另一些实施例中，第二交流供电单元21和第一交流供电单元81也可以分开设置，也就是：负载22、第二线圈51分别采用不同的供电单元供电。

在一些实施例中，如图16和图17所示，抗干扰模组100还包括连接于第一交流供电单元81和第二线圈51之间的调相器件82，调相器件82被配置为调整第二线圈51中的电流I1的相位，使第二线圈51中的电流I1的相位与连接线路23中的电流I2的相位一致。

由于第二线圈51在通电后等效与一个电感，对通过第二线圈51的电流具有一定的阻碍作用，从而使得通过第二线圈51的电流I1的相位滞后与干扰源2中连接线路23中电流I2的相位，那么干扰源2中连接线路23中电流I2位于波峰时，第二线圈51的电流I1还未到达波峰，这样容易使得在器件设置空间3内，补偿磁场的磁通量不能够最大限度地与干扰磁场的磁通量相抵消。通过设置调相器件82，这样可以使得电流I1的相位与电流I2的相位一致，那么连接线路23中电流I2位于波峰时，第二线圈51的电流I1也位于波峰，从而可以使得在器件设置空间3内，补偿磁场的磁通量能够最大限度地与干扰磁场的磁通量相抵消，进而最大限度地减小干扰磁场对电子器件600的干扰。

在一些实施例中，如图16和图17所示，调相器件82包括电感元件L2。这样调相器件82的电感元件L2可以对通过第二线圈51的电流I1进行进一步的滞后，可以使得通过第二线圈51的电流I1的相位滞后干扰源2中连接线路23中的电流I2的相位360度，也就是电流I1的相位与电流I2的相位一致。通过设置电感元件L2，这样在满足电流调相要求的同时，使得调相器件82构成更加简单，有利于降低该抗干扰模组的成本。

在一些实施例中，如图16和图17所示，调相器件82还包括电阻元件R3，电阻元件R3与电感元件L2串联。这样电阻元件R3可以调节流入第二线圈51中的电流大小，避免流入第二线圈51中的电流过大。

当然，如果能够控制好第二线圈51中的电流I1和电流回路20中的电流I2的相位，调相器件82也可以不用设置。

在一些实施例中，如图18、图19和图20所示，图18为本申请一些实施例中的电路板1的示意图，图19为本申请另一些实施例中抗干扰模组100的结构示意图，图20为图19中的抗干扰模组100的等效电路图。负载22的数目为多个(图中所示为两个)，每个负载22分别通过连接线路23与第一交流供电单元81相连接。

该抗干扰模组100还包括多个支路83(图中所示为两个)、以及设置于每个支路83上的开关器件84，多个支路83的第一端P1与多个连接线路23一一对应连接，多个支路83的第二端P2均与第二线圈51的一端电连接，第二线圈51的另一端与第二交流供电单元21电连接。

当负载22a工作时，开关器件84a使支路83a通路，从而使第二线圈51产生的补偿磁场的方向与负载22a所在的电流回路20产生的干扰磁场的方向反向，以降低器件设置空间3的磁感应强度。当负载22b工作时，开关器件84b使支路83b通路，从而使第二线圈51产生的补偿磁场的方向与负载22b所在的电流回路20产生的干扰磁场的方向反向，以降低器件设置空间3的磁感应强度。

通过在每个支路83上设置开关器件84，这样开关器件84可以打开负载22对应的支路83，从而使第二线圈51产生的补偿磁场的方向与负载22对应的电流回路20产生的干扰磁场的方向反向，可以很好地降低多个负载22分别工作时对电子器件600的干扰。

通过上述设置可以在干扰源2中的多个负载22同时工作或者依次工作时，减小干扰源2对电子器件600的干扰。

如图20所示，上述开关器件84可以为场效应管，场效应管的源极、漏极连接于支路83上，场效应管的栅极与处理器9连接，处理器9可以控制场效应管的打开与关闭。当然，除了场效应管之外，开关器件84也可以是三极管。

在一些实施例中，如图20所示，每个支路83上均设有调相器件82，这样可以保证通过每个支路83上的电流的相位与对应的负载22所在电流回路20中电流相位一致，从而最大限度地降低器件设置空间3内的磁感应强度。

如图21和图22所示，图21为本申请另一些实施例中的抗干扰模组100的结构示意图，图22为图21中的抗干扰模组100的等效电路图。该抗干扰模组100与图4～图20中的抗干扰模组100的主要区别在于抗干扰部件5的结构不同。

抗干扰部件5包括补偿线路53，补偿线路53连接于第二交流供电单元21和负载22之间，且补偿线路53中电流I3的流向与连接线路23中电流I2的流向相反，如图21所示，补偿线路53中电流I3的流向为顺时针，连接线路23中电流I2的流向为逆时针。

干扰源2在工作时，第二交流供电单元21通过连接线路23给负载22提供能量，并通过地平面通路(图21中虚线所示)回流到第二交流供电单元21，地平面通路上的电流I4周围会产生呈封闭状的干扰磁场，干扰磁场会对器件设置空间3内的电子器件600产生一定的干扰。通过将补偿线路53中电流I3的流向与连接线路23中电流I2的流向相反，这样，补偿线路53中电流I3的流向就可以与地平面通路上的电流I4的流向相反，在器件设置空间3内，电流I3产生的补偿磁场的磁通量就能够与干扰磁场的磁通量相抵消，从而可以减小器件设置空间3的磁感应强度，以减小干扰磁场会对电子器件600产生的干扰。

图22中的R5为补偿线路53的阻抗，R6为连接线路23的阻抗，R7为负载22的阻抗，R8为地平面通路的阻抗。

在一些实施例中，如图21所示，抗干扰部件5还包括可变电阻器R4，可变电阻器R4设置于补偿线路53上。这样，通过调节可变电阻器R4的电阻大小可以调节电流I3的大小，从而可以使得器件设置空间3内，电流I3产生的补偿磁场的磁通量就能够最大限度地与干扰磁场的磁通量相抵消，进而可以更有利于减小干扰磁场会对电子器件600产生的干扰。

其中，可变电阻器R4的电阻大小的调节可以是手动调节，也可以是自动调节，在此不做具体限定。

在一些实施例中，如图21所示，补偿线路53的一部分靠近器件设置空间3设置。例如补偿线路53在电路板1上的正投影与第一线圈610在电路板1上形成的正投影之间的最小距离d小于或等于10mm。

通过这样设置可以增加器件设置空间3处电流I3产生的补偿磁场的强度，从而在器件设置空间3中，使电流I3产生的补偿磁场的磁通量可以更好地与干扰磁场的磁通量相抵消，进而可以更加有利于减小干扰磁场会对电子器件600产生的干扰。

由上述实施例可知，抗干扰部件5通过产生与干扰磁场相交叠的补偿磁场，或者消耗干扰磁场与抗干扰部件5之间耦合产生的电能，从而可以减小器件设置空间3的磁感应强度，以减小干扰磁场对电子器件600的干扰。

在一些实施例中，如图23所示，图23为本申请另一些实施例中的抗干扰模组100的结构示意图。电路板1上开设有用于避让摄像头的避让口6。这样避让口6对摄像头起到一定的限位的作用，不但可以方便摄像头的安装定位，也可以避免摄像头大幅度晃动。

其中，如图23所示，避让口6可以设置在连接线路23与地平面通路(图中虚线所示)所围成的区域内。

如图24、图25和图26所示，图24为本申请另一些实施例中的手机的正面视图，图25为图24中的手机拆去显示屏300后的结构示意图，图26为图25的B-B剖面视图。该实施例中的手机于图1～图23中手机的主要区别在于：该手机为直板机，电子器件600安装于器件设置空间3中。

具体地，该手机包括壳体200、显示屏300、抗干扰模组100、电子器件600以及电源500。

显示屏300设置于壳体200上，抗干扰模组100的电路板1设置于壳体200中，且与电源500电连接。

电子器件600为音频播放器，该电子器件600设置于壳体200中，且安装于器件设置空间3中，例如图26所示，沿电路板1的厚度方向，干扰源2、第二线圈51、磁场屏蔽件52以及电子器件600依次设置于电路板1上。通过上述设置，电子器件600与抗干扰模组100位于壳体200中，电子器件600离第二线圈51、磁场屏蔽件52的距离更近，第二线圈51和磁场屏蔽件52可以更好地防止干扰源2对电子器件600干扰。

该抗干扰模组100的其它结构可参照图4至图20中的结构设置，在此不再赘述。

当然，本申请实施例中的电子器件600除了可以音频播放器之外，也可以是其它易受磁场干扰的电子器件600，比如电子器件600也可以是受话器等具有第一线圈的电子器件600。由于具有线圈的电子器件600更容易受到干扰源2产生的干扰磁场的干扰，因此将此类电子器件600放置在器件设置空间3，抗干扰部件5可以更好地防止干扰源2对电子器件600干扰，以保证具有线圈的电子器件600的正常工作。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种终端设备，其特征在于，包括：

壳体；

抗干扰模组，所述抗干扰模组的电路板设置于所述壳体中；

电子器件，具有第一线圈，且设置于所述壳体中；

所述抗干扰模组，包括：

电路板；

干扰源，设置于所述电路板上，所述干扰源可产生变化的干扰磁场；

器件设置空间，设置于所述电路板的一侧，且被配置为设置具有第一线圈的电子器件；

抗干扰部件，被配置可消耗所述干扰磁场与所述抗干扰部件之间耦合产生的电能，以减小所述器件设置空间的磁感应强度；

所述抗干扰部件包括：

第二线圈，设置于所述器件设置空间的一侧；

磁场屏蔽件，至少一部分位于所述第二线圈与所述器件设置空间之间；所述干扰磁场为低频交变磁场时，所述磁场屏蔽件的材料为导磁材料；所述导磁材料为纳米晶磁性材料，所述纳米晶磁性材料为铁基纳米晶软磁材料，所述铁基纳米晶软磁材料为由铁硅硼铜铌五种金属材料组成的非晶体磁性材料；

所述抗干扰部件还包括与所述第二线圈电连接的耗能电路，所述耗能电路被配置为消耗所述第二线圈与所述干扰磁场之间耦合产生的电能；其中，所述耗能电路为RLC电路，所述干扰磁场为高频交变磁场时，所述耗能电路包括磁珠；

所述壳体包括第一壳体、以及与所述第一壳体连接的第二壳体，所述第一壳体与所述第二壳体可在折叠状态和展开状态切换；

所述电路板设置于所述第一壳体中，所述电子器件设置于所述第二壳体中，且在所述第一壳体与所述第二壳体处于所述折叠状态时，所述电子器件位于所述器件设置空间中。

2.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，

所述第二线圈设置于所述干扰源和所述器件设置空间之间。

3.根据权利要求2所述的终端设备，其特征在于，

沿所述电路板的厚度方向，所述器件设置空间设置于所述干扰源远离所述电路板的一侧。

4.根据权利要求2或3所述的终端设备，其特征在于，

所述第二线圈为平面线圈；所述磁场屏蔽件呈层状，且与所述第二线圈层叠设置。

5.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，

所述电子器件安装于所述器件设置空间中。